Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Получение и дилатометрическое исследование халькогенидных полупроводниковых стеклообразных материалов AsxS1-x, AsxSe1-x, GexSe1-x в широком интервале температур

Диссертация: Получение и дилатометрическое исследование халькогенидных полупроводниковых стеклообразных материалов AsxS1-x, AsxSe1-x, GexSe1-x в широком интервале температур
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Несмотря на значительные успехи исследований в области халькогенидных стеклообразных материалов, остается много нерешенных вопросов. Без ответа остается основной вопрос неупорядоченных систем — вопрос о природе стеклообразного состояния. Нет достаточно надежного суждения об изменении свойств и структуры стеклообразующих расплавов в области высоких температур. Петербург. 2000. С.80−82- на научном… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. АНАЛИЗ ЛИТЕРАТУРНЫХ ДАННЫХ
    • 1. 1. Вопросы теории теплового расширения твердых тел и жидкостей. Уравнения Френкеля и Грюнайзена
    • 1. 2. Тепловое расширение халькогенидных стекол и их расплавов
    • 1. 3. Тепловое расширение халькогенидных стекол в интервале стеклования
    • 1. 4. Термические свойства стекол и расплавов системы As-S
    • 1. 5. Термические свойства стекол и расплавов системы As—Se
    • 1. 6. Термические свойства стекол и расплавов системы Ge—Se
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТОВ
    • 2. 1. Получение халькогенидных стекол систем As—S и As—Se особой чистоты
    • 2. 2. Получение халькогенидных стекол систем Ge—S и Ge—Se особой чистоты
    • 2. 3. Измерение коэффициента объемного термического расширения и плотности сплавов в широком интервале температур
    • 2. 4. Статистическая обработка экспериментальных результатов
  • ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ НА ТЕПЛОВОЕ РАСШИРЕНИЕ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ И ИХ РАСПЛАВОВ
    • 3. 1. Тепловое расширение расплавов As
    • 3. 2. Тепловое расширение Ge
    • 3. 3. Тепловое расширение стекол и расплавов системы As—S
    • 3. 4. Тепловое расширение и плотность стекол и расплавов системы As—Se
    • 3. 5. Тепловое расширение и плотность стекол и расплавов системы Ge—Se
  • ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ СОСТАВА НА
  • СВОЙСТВА ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ И ИХ РАСПЛАВОВ
    • 4. 1. Взаимодействие между компонентами в системе As—S
    • 4. 2. Взаимодействие между компонентами в системе As—Se
    • 4. 3. Взаимодействие между компонентами в системе Ge—Se
  • ГЛАВА 5. ИЗМЕНЕНИЕ ОБЪЕМА СПЛАВОВ ПРИ ПЕРЕХОДЕ РАСПЛАВ-СТЕКЛО
    • 5. 1. Параметры теории флуктуационного свободного объема для стекол системы As—S
    • 5. 2. Параметры теории флуктуационного свободного объема для стекол системы As—Se
    • 5. 3. Параметры теории флуктуационного свободного объема для стекол системы Ge—Se

Получение и дилатометрическое исследование халькогенидных полупроводниковых стеклообразных материалов AsxS1-x, AsxSe1-x, GexSe1-x в широком интервале температур (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность диссертационной работы обусловлена необходимостью дальнейшего развития методов получения и исследования халькогенидных стеклообразных материалов на основе As и Ge, прикладное направление которых определяется перспективой применения в инфракрасной технике [1, 2]. Как волноводные и регистрирующие среды эти материалы уже сейчас эффективно используются в интегральной оптике, диодной и лазерной спектроскопии, в пирометрах медицинского назначения, при определении токсичных веществ в газовых и жидких средах [3].

Несмотря на значительные успехи исследований в области халькогенидных стеклообразных материалов, остается много нерешенных вопросов. Без ответа остается основной вопрос неупорядоченных систем — вопрос о природе стеклообразного состояния. Нет достаточно надежного суждения об изменении свойств и структуры стеклообразующих расплавов в области высоких температур.

Не решен вопрос о влиянии свойств и структуры расплавов на формирование структуры стекол. Одной из причин такого состояния дел является отсутствие эффективных методов исследования стеклообразных материалов. Для них не применимы традиционные дифракционные методы, используемые для кристаллических твердых тел. В связи с этим, при постановке задачи настоящего исследования очень важно было выбрать и исследовать свойство материала, обладающее специфической чувствительностью к деталям изменения его структуры в широком интервале температур. К числу таких свойств стеклообразных и жидких материалов относятся их термические свойства и, прежде всего, коэффициент объемного термического расширения (КОТР), который может быть измерен в широком интервале температур. По величине изменения КОТР можно судить о процессах, протекающих в расплавах при изменении температуры, о характере взаимодействия между компонентами системы в стеклообразном и жидком состоянии и, наконец, о степени изменения структуры при переходе жидких сплавов в твердое кристаллическое или стеклообразное состояние.

Целью работы являлось исследование закономерностей изменения коэффициента объемного термического расширения и плотности мышьяка, германия и сплавов бинарных халькогенидных систем на их основе в широком интервале температур.

Конкретные задачи работы заключались в следующем: разработка метода исследования КОТР и плотности мышьяка и его сплавов в жидком состоянииисследование закономерностей изменения объема и плотности расплавов AsxSix, AsxSeix, и GexSeix, в широком интервале температурисследование взаимодействия между компонентами стеклообразных и жидких сплавов в системах AsxSix, AsxSej-x, и GexSeixисследование закономерностей изменения объема расплавов AsxSix, AsxSeix, и GexSeix, при переходе в твердое состояние.

Научная новизна.

Впервые изучена зависимость КОТР и плотности сплавов систем As—S (Se) от температуры в интервале 300— 1410 К.

В системе AsxSeix У расплавов с концентрацией 40—60 мол.% As выше 1000 К обнаружено постепенное уменьшение значений КОТР вплоть до изменения знака, которое объясняется изменением характера химических связей от ковалентного до металлического.

Установлена связь между формой изотерм молярного объема двойных жидких систем AsxSix, AsxSeix, и GexSe]x, структурой сплавов и типом их диаграмм состояния.

Практическая ценность работы.

Разработан новый способ получения особочистых халькогенидных стекол (Патент РФ № 2 186 744. 2002 г.).

Разработано устройство для определения КОТР расплавов As и других веществ, подверженных сублимации.

На защиту выносятся следующие положения:

1.Физико-химический подход к получению особочистых халькогенидных стекол систем GexSix и GexSeix.

2.Устройство для определения КОТР расплава As.

3.Результаты комплексного исследования халькогенидных стекол и их расплавов систем AsxSix, AsxSeix, и GexSeix методами дилатометрии в широком интервале температур.

Апробацииработы. Материалы диссертации докладывались на Международной научно-технической конференции «Экологические проблемы и пути их решения в XXI веке: образование, наука, техника». Санкт.

Петербург. 2000. С.80−82- на научном семинаре «Решетка Тарасова и проблемы стеклообразного состояния». Москва. 1999. С.3−5- на IV Всероссийской научно-методической конференции «Фундаментальные исследования в технических университетах». Санкт-Петербург. 2000. С.105−106- на VI Всероссийской научно-методической конференции.

Фундаментальные исследования в технических университетах". Санкт-Петербург. 2002. С.173−174. — на IX Всероссийской конференции по проблемам науки и высшей школы «Фундаментальные исследования в технических университетах». Санкт-Петербург. 2005. С. 311.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 8 работ, из них 1 Патент РФ.

Объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав и раздела «Основные результаты и выводы». Содержит 138 страниц машинописного текста, 9 таблиц, 24 рисунка.

Список литературы

включает 126 наименований.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Разработан новый химический метод получения особочистых халькогенидных стекол GexSeix.

2. Разработан способ определения КОТР веществ, подверженных сублимации.

3. Проведены систематические исследования КОТР, плотности и других физико-химических свойств халькогенидных систем As—S, As—Se и Ge—Se в широком интервале температур.

4. В системах As—Se и Ge—Se выше температуры ликвидуса наблюдается уменьшение КОТР, которое объясняется изменением характера химических связей от ковалентной до металлической.

5. В стеклах систем As—S и As—Se основными структурными единицами являются пирамиды AsS3/2 и AsSe3/2 Слоистая структура стекол этих составов определяет относительно высокий КОТР. В стеклах Ge—Se основной структурной единицей является тетраэдр GeSe4/2- Трехмерно увязанная структура стекла этого состава определяет низкий КОТР. Избыток S или Se, а также избыток As или Ge относительно стехиометрических составов As2S3, As2Se3, GeSe2 приводят к появлению в сетке стекла цепочекS-S-, -Se-Seи связей As—As, Ge—Ge и как следствие, возрастанию КОТР.

6.Показано, что составам соединений As2S3, As2Se3, GeSe2, известных из диаграмм состояния, на изотермах молярного объема стеклообразных и жидких сплавов соответствуют максимальные отклонения от аддитивности.

7. Установлена связь между температурой размягчения, микротвердостью, КОТР, параметрами свободного объема и строением стекол изученных систем.

Показать весь текст

Список литературы

  1. A.M. Стеклообразные полупроводники в оптоэлектронике. Кишинев: «Штиинца», 1991. 298 с.
  2. Г. Г., Дианов Е. М., Плотниченко В. Г., Скрипачев И. В., Чурбанов М. Ф. Волоконные световоды на основе высокочистых халькогенидных стекол // Высокочистые вещества. 1991. № 1. С7−36.
  3. Э. Молекулы и кристаллы. М., ИЛ. 1947. 266 с.
  4. Я.И. Введение в теорию металлов. М.-Л.: ОГИЗ, 1948. 288 с.
  5. Austin J.В. Thermal Expansion of Nonmetallic Cristals// Amer. Cer. Soc. 1952. V.35, N.10. P.243−253.
  6. А.И. Введение в теорию полупроводников. М-Л., 1962. 480 с.
  7. Г. Микроскопическая теория механических и тепловых свойств кристаллов. М-Л.: Изд. Физ-мат. лит., 1963. 312 с.
  8. О.В., Тотеш А. С., Стрельцина М. В., Швайко-Швайковская Т.П. Тепловое расширение стекла. JI. f 1969. 215 с.
  9. С.И. Тепловое расширение твердых тел. М., 1974. 292 с.
  10. Д.С., Бартенев Г. М. Физические свойства неупорядоченных структур. Новосибирск: Наука, 1982. 259 с.
  11. Г. В., Сандитов Д. С. Ангармонические эффекты и физико-механические свойства полимеров. Новосибирск: Наука, 1994. 261 с.
  12. Frerichs R. New optical glasses transparent in the infrared up to 12 ц. // Phys. Rew/ 1950. V.78, N.5.1. P.643.
  13. Frerichs R. New optical glasses with good transparency in the infrared J.Opt. Sos. Am. 1953. V.43, N.12. P.1153−1157.
  14. .Е., Горюнова H.A. Свойства и структура тройных полупроводниковых систем // ЖТФ 1955. Т.25, № 6. С.984−994.
  15. Н.А., Коломиец Б. Т. Новые стеклообразные полупроводники. Изв. АН СССР.1956. Т. XX, № 12. С.1496−1500.
  16. .Т. Стеклообразные полупроводники. Л. Знание, 1963. 43 с.
  17. Flaschen S.S., Pearson A.D., Northover W.R. Formation and properties of law-melting glasses in the ternary systems As-Tl-S, As-Tl-Se // J. Amer. Ceram. Soc. I960. V.43, N.5. P.274−278.
  18. O.A. Динамика решетки стекла. // Стеклообразное состояние. Л., 1965. С.31−38.
  19. А.А., Серегин П. П. Структурно-энергетические основы теплового расширения стекол. Тр. НИИ Керамзит, 1972. № 6. С.94−95.
  20. Manishima A. Machenzie I.D. Calculation of thermal expansion coefficient of glasses // J. Non-Crystalline Solids. 1976. No. 23. P.305−313.
  21. В.А., Байдаков Л. А., Блинов Л. Н. Исследование структуры стеклообразующих халькогенидных расплавов и стекол методом КОТР. Материалы конференции «Аморфные полупроводники-84» Габрово. 1984. С.69−71.
  22. В.В. Проблемы физики стекла. М.: Стройиздат, 1979. 256 с.
  23. В.А. Коэффициент термического расширения и плотность стеклообразующих сплавов As2S3-Tl2S, As2Se3-Tl2Se, As2Te3-Tl2Te // Тез. докл. конф. «Строение и природа металлических и неметаллических стекол» Ижевск, 1987. С.61−62.
  24. Krebs H., Ruska V. Anomalous density variations of the molten chalcogenide system Ge-As-Se // J. Non-Cryst. Solids. 1974. No.16. P.328−340.
  25. А.И. Структурные превращения в стеклах при повышенных температурах. М.-Л., 1985. С.52−59.
  26. Ю.С. Магнитная восприимчивость полупроводниковых халькогенов и халькогенидов в области высоких температур. Автореферат на соискание ученой степени к. Физ-мат.н., Л., 1980. 15с.
  27. А.А., Тургунов Т, Алексеев В.А. Переход полупроводник металл в расплавах полупроводников при высоких температурах // ФТТ. 1974. Т.16, № 12. С.3660−3666.
  28. Е.А., Андреев А. А., Прохоренко В. Я., Бальмаков М. Д. Термоэдс и электропроводность расплавов халькогенидов мышьяка при высокотемпературном переходе к металлической проводимости // ФТТ. 1977. Т.19, № 3. С. 927−928.
  29. Н., Девис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир. 1982. 368с.
  30. М.Д., Тверьянович Ю. С., Туркина Е. Ю. Химия стекол и расплавов. С-Пб: Изд. СпбГУ, 1998, 144 с.
  31. Д.А., Сангадиев С. Ш. Новый подход к интерпретации флуктуационного свободного объемааморфных полимеров и стекол// Высокомолек. соед. А.1999. Т. 41. № б. с.977−1000.
  32. Я.И. Кинетическая теория жидкостей. JI.:Наука 1975. 592 с.
  33. С., Лейдлер К., Эйринг Г. Теория абсолютных скоростей реакций. М.: Изд-во иностр. Лит., 1948. С. 583.
  34. Д.С., Сангадиев С. Ш. Условие стеклования в теории флуктуационного свободного объема и критерий плавления Линдемана // Физ. и хим. стекла. 1998. Т.24. № 4. С.417−428.
  35. О.В., Мазурина Е. К., Клюев В. П., Дорофеева И. П. О некоторых особенностях зависимостей свойств от состава силикатных стекол в области высокой концентрации окислов-модификаторов // Физ. и хим. стекла. 1977. Т.З. № 3. С. 261−265.
  36. Д.С., Цыдынов III.Б. Вязкость и свободный объем неорганических стекол//Физ. и хим. стекла. 1978. Т.4. № 1. с. 75−83.
  37. В.А., Мохаммад Ариф., Байдаков Л. А. Параметры теории свободного объема для теллургалогенидных стекол // Физ. и хим. стекла. 1994. Т.20. № 1. С.143−144.
  38. В.А., Байдаков J1.A., Крылов Н. И. Параметры теории свободного объема для стекол As-S-Br // Физ. и хим. стекла. 1995. Т.21. № 6. С. 630−632.
  39. В.А., Байдаков JI.A., Крылов Н. И. Параметры свободного объема для стекол системы (GeS2)i-x (GeBr4)x // Физ. и хим. стекла. 1996. Т.22. № 1. С.93−96.
  40. В.А., Крылов Н. И., Байдаков JI.A.|, Блинов Л. Н. Стеклообразование и физико-химические свойства стекол системы Ge-Se-Br // Физ. и хим. стекла. 1997. Т.23. № 4. С.401−404.
  41. З.У., Ушаков В. М., Шульц М. М. Теплоемкость, температура стеклования, объем кооперативного движения и связанность структуры натриевосиликатных и щелочноборатных стекол // Физ. и хим. стекла. 1994. Т. 20. № 4. С. 434−442.
  42. С.Г. Физико-химические свойства халькогенидных стекол Se(90-o.9x)S (io-o.ix)Asx и Se (6o-o.6x)S hookas*. Автореф. канд. дис. Екатеринбург. Уральский гос. техн. унив., 1996. 19 с.
  43. Tanaka М., Munami Т., Hattory М. Thermal expansion and its related properties of arsenic-sulfur glasses // J. Appl. Phys. Japan, 1966. V.5. N2. P.185−186.
  44. Hilton A.R., Jones C.E., Brau M. Glass-forming region and variations in physical properties // Physics and chemistry of glasses. 1966. V7. N4. P.105−106.
  45. Н.А., Новоселов С. К., Байдаков J1.A. Термические свойства стеклообразных сульфидов мышьяка. Журнал прикладной химии. 1971. Т.44. № 11. С 2548—2550.
  46. Н.А., Байдаков Л. А., Страхов Л. П. Исследование магнитной восприимчивости стеклообразных сульфидов мышьяка // Вестник ЛГУ. 1971. № 10. С.118−124.
  47. Р.Л., Байдаков Л. А., Борисова З. У. опыт исследования электропроводности системы мышьяк—сера в стеклообразном состоянии//Вестник ЛГУ, 1962, № 22, с. 77−90.
  48. Л.А., Борисова З. У., Новоселова Н. А., Веретенникова Е. Л. Влияние режима синтеза на электропроводность стекол системы As—S/ACIIX, 1972, т.45, № 8, с.1700−1704.
  49. Н.А., Новоселов С. К., Байдаков Л. А. Температурная зависимость магнитной восприимчивости As2S3 при переходе стекло—расплав//Неорг. матер., 1970, т.6, № 9, с.1704−1706.
  50. В.А., Байдаков Л. А., Блинов Л. Н. Изучение коэффициента термического расширения расплавов стеклообразных полупроводников // Матер, конф. «Аморфные полупроводники- 80» Кишинев. 1980. С.79−81.
  51. В.А., Байдаков Л. А., Блинов Л. Н. Исследование термического расширения и плотности халькогенидных стеклообразных полупроводников. Матер.конф. «Аморфные полупроводники- 82» Бухарест. 1982. С.277−279.
  52. В.А., Байдаков JI.A., Бальмаков М. Д., Блинов JI.H. Установка для определения коэффициента термического расширения расплавов халькогенидных стекол // Физ. и хим. стекла. 1982. Т.8. № 5. С. 637−640.
  53. В.А., Демидов А. И., Кудрявцев А. Н. Коэффициент термического расширения и плотность стеклообразующих расплавов систем As2S3-TlAsS2 и As2Se3-TlAsSe2 // Физ. и хим. стекла. 1985. Т.Н. № 3. С. 224 227.
  54. Н.Е., Касаткин Б. Е., Борисова З. У., Ананичев В. А. Электропроводность стекол и их расплавов в системе мышьяк-сера-таллий // Физ. и хим. стекла. 1976. Т.2. № 1. С.54−58
  55. Айо Л. Г., Кокорина В. Ф. Стеклообразование и свойства стекол в системе As-Ge-Se // Оптико-механ. Пром. 1961. № 4. С.36−43.
  56. Felty E.J., Mayers М.В. Thermal Expansion of Arsenic-Selenium Glasses // Amer. Ceram. Soc. 1967. V.50. № 6. P.335−336.
  57. Ota R., Kunugi M. Thermal expansion coefficient and glass transition temperature for As-Se glasses // J. Ceram. Soc. Japan.1973. V.81. N.6. P.228−231.
  58. JI.А., Борисова З. У., Мюллер Р. Л. Электропроводность системы селен-мышьяк в стеклообразном состоянии. Журнал прикладной химии. 1961. Т.34. № 11. С 2446—2454.
  59. Л.А., Блинов Л. Н., Зубенко Ю. В., Казеннов Б. А., Страхов Л. П. Установка для исследования магнитной восприимчивости твердых тел.//Вестник ЛГУ, 1966, № 4,с.40−46.
  60. Л.Н., Байдаков Л. А., Страхов Л. П. Исследование магнитной восприимчивости стеклообразной системы As-Se.//Heopr. матер., 1968, Т.4, № 1, с.22—27.
  61. С.Ф., Чернов А. П., Дембовский С. А. Исследование линейного расширения стеклообразного и поликристаллического селена и As2Se3 // Изв. АН СССР Неорган, матер. 1968. Т.4. № 12. С.2085−2088.
  62. Haisty R.W., Krebs Н. Electrical conductivity of melts and their ability to form glasses// Non-Crystalline solids. 1969. V.l. № 5. P.427−437.
  63. Ruska J., Thurn H. Change of short- range order with temperature and composition in liquid GexSei-x as shown by density measurements // Non-Crystalline solids. 1976. V.22. №.2. P.277−291.
  64. Ю.С., Гутенев M.C. Магнетохимия стеклообразных полупроводников. -СПб.: Изд. СПбГУ. 1997. 150 с.
  65. Webber P.J., Savoge J.A. Some physical properties of Ge-As-Se infrared optical glasses // J/ Non-Cryst. Solids. 1976. V.20. No.2. P.271−275.
  66. Kokorina V.F. Glasses for infrared optics // Boca Raton Fl: CRC Press Inc., 1996. 336 p.
  67. Г. В., Байдаков JI.А. Температурная зависимость плотности и тепловое расширение стекол системы Ge-Se//Heopr. матер., 1972, Т.8, № 8, с.1489−1490.
  68. Г. Б. Магнитные и электрические свойства стекол системы германий—селен. Автореф. дисс. на соискание ученой степени к.х.н. Л., 1970, 14 с.
  69. Г. Б., Борисова З. У. Электропроводность стекол системы германий—селен. ЖПХ, 1974, Е.47, № 11, с. 2443−2447.
  70. Г. Б., Байдаков Л. А., Страхов Л. П. Исследование магнитной восприимчивости стекол системы Ge-Se.//Неорг. матер., 1969, т.%, № 10, с.1667−1669.
  71. Г. Б., Байдаков Л. А., Викторовский И. В. Температурная зависимость магнитной восприимчивости полупроводниковых стекол системы Ge—Se при переходе стекло-расплав. //Вестник ЛГУ, 1973, № 10, с.96−100.
  72. В.А., Блинов JI.H. Способ получения стекол ASxSi-x (Х=0,10−0,б0)и AsxSeix (Х=0−0,60) Патент РФ. № 2 152 364. 2000.
  73. В.А., Байдаков J1.A. Термоструктурные превращения в галогенхалькогенидных стеклах // Тез. докл. конф. «Структурные превращения и релаксационные явления в некристаллических твердых телах». Львов-Дрогобыч, 1990. С. 28.
  74. В.А., Блинов Л. Н. Воронова А.Е., Белых А. В., Танцура Н. П. Способ получения стекол GexSix (Х=0,1−0,50) Патент РФ. № 2 186 744. 2002.
  75. В.А., Бальмаков М. Д., Блинов Л.Н, Байдаков Л. А. Устройство для определения коэффициента объемного термического расширения. А.с. СССР № 817 560, 1980.
  76. В.А., Бальмаков М. Д., Блинов Л.Н, Байдаков Л. А. Устройство для определения коэффициента объемного термического расширения расплавов халькогенидных стекол//Физ. и хим. стекла. 1982, т.8, № 5, с.637—640
  77. Е.Ю. Фазовые диаграммы элементов при высоком давлении. М.: Наука, 1979. 192 с.
  78. А.Н. Ошибки измерений физических величин. Л., 1974, с. 69−76.
  79. А.Н. математическая обработка результатов химического анализа. JI. 1977. с.107—118.
  80. P.JI. Электропроводность стеклообразных веществ. JI.: Изд-во ЛГУ, 1965, 250 с.
  81. А.Р., Глазов В. М. Периодический закон и физические свойства электронных расплавов. М.: Наука, 1979. 309 с.
  82. Г. В. Физико-химическая природа объемных изменений при затвердевании расплавов веществ. //Физика и химия обработки материалов. 1975. № 6. С.43−52.
  83. .Г. Физические свойства металлов и сплавов. М. Металлургия, 1959. 368 с.
  84. С.В. Изменение плотности элементов при плавлении. Общие закономерности. Новосибирск.: Институт теплофизики СО АН СССР, 1991. 45 с.
  85. С.В. Изменение плотности элементов при плавлении. Методы и экспериментальные данные. Новосибирск: Институт теплофизики СО АН СССР, 1991. 78 с.
  86. Дж. Элементы. М.: Мир. 1993. 258 с.
  87. В.А., Воронова А. Е., Блинов Л. Н. Термическое расширение мышьяка // Журнал прикладной химии, 2002. Т75. В.10. С.1743−1745.
  88. В.Н., Чижевская Е. Н., Глаголева Н. Н. Жидкие полупроводники // Л.: Наука. 1967. 244 с.
  89. Кан К. Н. Вопросы теории теплового расширения полимеров. JI. 1975 79с.
  90. Flaschen S.S., Pearson A.D., Northover W.R. Low-melting inorganic glasses with high melt fluidities belou 400° // J. Amer. ceram. Soc., 1959. V.42. N9. P.450−452.
  91. В.А., Байдаков Л. А., Тверьянович Ю. С., Щукина Н. Е. Магнитные свойства полупроводниковых стекол системы As-S-Tl //Физ. и хим. стекла. 1978. Т.4. № 9.1. С.2079−2082.
  92. Barton Р.В. Termochemical study of the system iron, arsenic-sulfur. // Geochim. et cosmochim. acta, 1969. Vol. 33. № 7. p. 841−857.
  93. Г. З. Стеклообразование и фазовые равновесия в халькогенидных системах, М. Наука, 1984. 176 с.
  94. З.У. Химия стеклообразных полупроводников. Л.- Изд. ЛГУ, 1972. 248 с. 97.. Фельц А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. М. Мир, 1986. 558 с.
  95. Л.А., Блинов Л. Н. Твердое тело: аморфное состояние вещества. Л. Изд. ЛПИ, 1984. 64 с.
  96. А.Е., Ананичев В. А., Блинов Л. Н. Исследование взаимодействие между компонентами в расплавах системы As-Se дилатометрическим методом // Матер. IV Всероссийской научно-методической конференции. Санкт-Петербург. 2000. С.105−106.
  97. А.Е., Ананичев В. А., Блинов JI.H. О термическом расширении расплавов и стекол системы As-Se // Физ. и хим. стекла. 2001. Т.27. №.№. С. 400−408.
  98. М.Д., Тверьянович А. С. Критические скорости охлаждения некоторых халькогенидных стеклообразуклцих расплавов // Физ. и хим. стекла. 1986. Т.12. № 3. С.274−284.
  99. Ю.К., Михайлов М. Д., Ананичев В. А., Байдаков Л. А., Тетерева В. А. Кристаллизация стекол в системах As-Se и Tl-As-Se при нагревании. // Физ. и хим. стекла. 1991. Т.17. № 1. С.3−7.
  100. В.А., Демидов Л. Н., Блинов Л. Н. Способ определения объема химически активного халькогенидного стекла. А.с. 1 723 509. 30.03.92.
  101. Электронные явления в стеклообразных полупроводниках. СПб.: Наука, 1996. 486с.
  102. Ю.С., Борисова З. У. Температурная зависимость магнитной восприимчивости селена // Изв. АН СССР. Неорган, матер. 1979. Т15. № 12. С.2117−2121.
  103. Ю.С. Переход Мотта полупроводник -металл в расплавах Те, As2Te3 и As2Se3. Сб.: Химия и физика твердого тела // 4.1. Рук. Деп. ОНИИТЭ хим. 1980. № 831.
  104. Ю.С., Борисова З. У., Фунтиков В. А. Металлизация халькогенидных расплавов и ее связь состеклообразованием // Изв. АН СССР. Неорган, матер. 1986. Т.22. № 9. С.1546−1551.
  105. Hurst С.Н., Davis Е.A. Electronic properties of vitreous and liquid As-Se alloys // Non-Crist. Solids. 1974. V.16. № 3. P.343−355.
  106. M. Жидкие полупроводники. M.: Мир. 1980. 256 с.
  107. З.У. Халькогенидные полупроводниковые стекла. Л.: Изд. ЛГУ. 1983. 344 с.
  108. В.А., Кудрявцев А. Н., Крылов Н. И., Байдаков Л. А. Коэффициент термического расширения и плотность стекол системы As2Te3-TlAsTe2 в интервале температур 293- 1100 К // Физ. и хим. стекла. 1987. Т.13. № 1. С.120−122.
  109. Мохаммад Ариф., Танцура Н. П., Байдаков Л. А., Ананичев В. А. Коэффициент термического расширения стекол и расплавов системы Те-1 // Физ. и хим. стекла. 1992. Т18. № 3. С.159−163.
  110. В.А., Воронова А. Е. О термическом расширении стекол и расплавов системы As-Se и Ge-As-Se.// Докл. науч. семинара. Решетка Тарасова и проблемы стеклообразного состояния. М.: 1999. С.3−4.
  111. А.Г., Ананичев В. А., Блинов Л. Н., Саморуков Б. Е. Влияние структуры на температуру перехода полупроводник-металл в расплавахстеклообразных полупроводников системы Ge-As-Se // Тез. докл. коф. «Химия твердого тела». Одесса. 1990. С. 64.
  112. М.Г., Ананичев В. А. Тепловое расширение и структура стекол Ge-As-Se // Всероссийская научно-техническая конференция «Фундаментальные исследования в технических университетах» Санкт-Петербург. 1998. С. 117.
  113. К. Термодинамика сплавов. М. Мир. 1957. 177 с.
  114. К.Д. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Санкт-Петербург. 1996. 486 с.
  115. М.С., Ананичев В. А. Взаимодействие между компонентами в стеклообразующих расплавах систем (GeS2) 1-х (Ger4)x по данным волюметрии // Физ. и хим. стекла. 1987. Т.13. № 6. С.908−910.
  116. А.А., Мельниченко Т. Н. Параметры теории свободного объема в модели фотоиндуцированных измененийсвойств халькогенидных стекол // XV Межд. конгр. по стеклу. Ленинград, 1989. С.66−69.
  117. В.А., Крылов Н. И. Демидов А.И., Байдаков Л. А. Бромхалькогенидные стекла: свойства и структура //Тез. докл. Всес. Конф. «Строение, свойства и применение фосфатных, Фторидных и халькогенидных стекол». Рига. 1985. С.5−6.
  118. Koudelka L., Pisarcik М., Krylov N.i., Ananichev V.A. Short-range order in GexSyBrz Glassy and liquid samples // J. Non-Cryst. Solids. 1987. Vol.97−98.1. P.1271−1274.
  119. Koudelka L., Pisarcik M., Ananichev V.A. Chemical bonding in GeS3Br and GeS3.25Bro.75 glasses'// J. Mat. Sci. Lett. 1984. No.3. P. 825−826.
  120. В.И., Ананичев В. А., Ковалгин А. Ю., Бадаков Л. А. Исследование стеклообразования и структуры стекол системы GeSe2-GeBr4 // Физ. и хим. стекла. 1991. Т.17. № 1. С.13−16.
  121. Н.И., Байдаков Л. А., Блинов Л. Н., Ананичев В. А. Коэффициент объемного термического расширения и плотность стекол и расплавов системы Ge-S-Br // Физ. и хим. стекла. 1988. Т.14. № 6. С.902−904.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?