Новые аллотропные формы кремния: Получение и свойства
Диссертация
Научная и практическая ценность. Полученные в работе результаты имеют большое значение в научном и прикладном плане. Так установление того факта, что кремний может иметь не только известную структуру алмаза, но и другие новые аллотропные формы имеет большое значение для фундаментальной науки, указывая на неполноту наших знаний, казалось бы, о таком простом и изученном веществе как кремний… Читать ещё >
Содержание
- ГЛАВА 1. СОСТОЯНИЕ ПРОБЛЕМЫ
- 1. 1. Особенности структуры ближнего порядка аморфного кремния
- 1. 2. Структурные особенности и мультисвязи кремния
- 1. 2. 1. Кремниевые мультисвязи в сложных химических соединениях
- 1. 2. 2. Влияние междоузельных атомов на формирование новых структурных модификаций в кристаллическом кремнии
- 1. 2. 3. Гексагональный кремний
- 1. 2. 4. Цепочечная структура поверхности >S7(100)
- 1. 2. 5. 71. — связанные состояния атомов кремния на поверхности «SV (1 11). 60 1.2.6.Особенности структуры и дефекты на границе раздела кристаллический — аморфный кремний
- 1. 2. 7.Полиморфные превращения кремния при высоком давлении
- 1. 3. Постановка задачи исследований
- 2. 1. Постановка задачи и методика получения образцов
- 2. 2. Влияние отжига на структуру ближнего порядка аморфного гидрогенизированного кремния
- 2. 3. Использование метода оптимизации информационного функционала для уменьшения ошибок при расчете параметров ближнего порядка аморфного материала
- 2. 4. Влияние отжига на плотность состояний в валентной зоне аморфного кремния
- 2. 5. Квантово — механические расчеты линейных цепочек из кремниевых атомов
- 2. 5. 1. Методы расчета
- 2. 5. 2. Структура линейных кремниевых цепочек атомов
- 2. 5. 3. Энергетические и термодинамические характеристики
- 2. 5. 4. Зонная структура
Список литературы
- Физическая энциклопедия, М., Научное издание «Большая Российская энциклопедия» / (1988−1998).- Т. 1−5.
- Albright Т.А., Burdett G.K., Whangbo М.Н. Orbital interaction in chemistry / NY: Wiley-Intersince, 1984, — 447 P.
- Разуваев Г. А., Бревнова Т. Н., Семенов В. В. Реакции окислительного расщепления связи кремний-кремний // Успехи химии.- 1986.- Т. LV.- С. 10 961 123.
- West R., Fink М.J., Michl J. Tetramesityldisilene, a stable compound containing a silicon-silicon double bond // Science.- 1981.- V. 214, № 4527, — P. 1343−1344.
- Скрышевский А.Ф. Структурный анализ жидкостей и аморфных тел / М.: Высшая школа.- 1980.- 328 С.
- Phillip F. Schewe and Ben Stein. Silicyne, a new form of silicon, Physics News Update, The American Institute of Physics Bulletin of Physics News, Number 388 (Story #3), September 3 (1998)
- Аппен A.A. Химия стекла. / Л.: Химия, — 1974.- 351 С.
- Uhlmann D.R. Microstructure of glasses: does it really matter? // J. Non-Cryst. Sol.- 1982.- V. 49.-P. 439−480.
- Займан Дж. Модели беспорядка: Пер. с англ. / М.: Мир.- 1982, — 592 С.
- Аморфные полупроводники и их применение: Пер. с англ. / Под ред. Й. Хамакавы.- М: Металлургия.- 1986.- 376 С.
- Попов А.И. Различные уровни структурной модификации свойств некристаллических полупроводников. // Тезисы докладов Всероссийского симпозиума «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», Санкт-Петербург, 1998.- С. 14.
- Физика гидрогенизированного аморфного кремния. / Под ред., Дж. Джо-унопулоса и Дж. Люковски.- Пер. с англ. М: Мир.- 1988.- Вып. 2.- 448 С.
- Moss S.C., Graczyk J.F. // Proc. 10th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, Cambridge, Mass. (ed. S. P. Keller, J.C. Hensel, F. Stern), United States Atomic Energy Commission, Washington, D.C., 1970.- P. 658.
- Turnbull D., Polk D.E. // J. Non-Cryst. Solids.- 1972.- V. 8−10.- P. 19.
- Cargill III G.S. // Sol. St. Phys.- 1975.- V. 30.- P. 227.
- Wright A.C., Leadbetter A.J. // Phys. Chem. Glasses.- 1976.- V. 17, — P. 122.
- Аморфные полупроводники: Пер. с англ. / Под ред. М. Бродски.- М.: Мир.- 1982.- 420 С.
- Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах / В 2-х томах.- Пер. с англ. М.: Мир.- 1982.- 663 С.
- Физика гидрогенизированного аморфного кремния / Под. ред. Джоунопу-лоса Дж., Люковски Дж, — Пер. с англ. М.: Мир.- 1988.- выпуск 1.- 363 С.
- Аморфный кремний и родственные материалы / Под ред. X. Фрицше.-Пер. с англ. М.: Мир.- 1991, — 542 С.
- Kugler S., Pusztai L., Rosta L. et al. Structure of evaporated pure amorphous silicon: Neutron-diffraction and reverse Monte Carlo investigations // Phys. Rev. В.- 1993.- V. 48.- P. 7685−7688.
- Allen F.H., Kennard O., Taylor R. // Acc. Chem. Res.- 1983.- V. 16, — P. 146.
- Madan A., Lecomber P.G., Spear W.E. Investigation of the Density of Localized States in a-Si Using the Field Effect Technique. // J. Non-Cryst. Solids.-1976.-V. 20.-P. 239−257.
- Brodsky M.H., Kaplan D. Hydrogenation and the Density of Defect States in Amorphous Silicon. //J. Non-Cryst. Solids.- 1979.- V. 32.- P. 431 435.
- Hasegawa S., Yazaki S., Shimizu T. Effect of Annealing on Gap States in Amorphous Si Films. // Sol. St. Commun.- 1978.- V. 26.- P. 407 410.
- Postol T.A., Falco Charles M., Kampwirth R.T. et al. Structure of Amorphous Silicon and Silicon Hybrides. // Phys. Rev. Let.- 1980.- V. 45.- P. 648 652.
- Brodsky M.H. Plasma Preparations of Amorphous Silicon Films. // Thin Solid Films.- 1978.- V. 50.-P. 57−67.
- Lucovsky G., Nemanich R.J., Knights J.C. Structural interpretation of the vibrational spectra of a-Si:H alloys // Phys. Rev. В.- 1979.- V. 19.- P. 20 642 073.
- Spear W.E., Lecomber P.G. Investigation of localized state distribution in amorphous Si films // J. Non-Cryst. Solids.- 1972.- V. 8−10.- P. 727−738.
- Spear W.E. Doped Amorphous Semiconductors. // Adv. Phys.- 1977.- V. 26.-P. 811 -845.
- Lecomber P.G. //J. Non-Cryst. Solids.- 1986.- V. 77 78.-P. 1081.
- Hamakawa Y. Technical Digets of PVSEC-II. / Beijing.- 1986.- 347 P.
- Snell A.J., MacKenzie K.D., Spear W.E., Lecomber P.G. // Appl. Phys.- 1981.-V. 24.- P. 357.
- Graczyk J.F. Structure of glow discharge amorphous silicon // Phys. Stat. Sol. a).- 1979.-V. 55.-C. 231−242.
- Barna A., Barna P.B., Rednoczi G., Toth L., Thomas P. A comparative study of the structure of evaporated and glow discharge silicon // Phys. Stat. Sol. (a).-1977. V.41.-P. 81−84.
- Mosseri R., Sella C., Dixmier J. X-ray diffraction study of the effect of hydrogen atoms on the Si-Si atomic short-range order in amorphous silicon // Phys. Stat. Sol. (a).- 1979.- V. 52.- P. 475−479.
- Polk D.E. Structural model for amorphous silicon and germanium // J. Non-Cryst. Solids.- 1971.- V. 5.- P. 365−376.
- Street R.A., Kakalios J., Tsai C.C., Hayes T.M. Thermal-equilibrium processes in amorphous silicon //Phys. Rev.- 1987.- V. B35.- P. 1316−1333.
- Petrich M.A., Gleason K.K., Reimer J.A. Structure and properties of amorphous hydrogenated silicon carbide // Phys. Rev.- 1987.- V. B36.- P. 97 229 731.
- Tsuji K., Minomura S. // J. de Physique.- 1981.- V. 42.- Suppl. 10.- P. C4−233.
- Меден А., Шо M. Физика и применение аморфных полупроводников: Пер. с англ. / М: Мир.- 1991.- 670 С.
- Barna A., Barna P.B., Radnoczi G. et al. A comparative study of the structure of evaporated and glow discharge silicon // Phys. St. Sol.- 1977.- V. 41.- P. 8184.
- Mosserei R., Sella C., Dixmier J. X-ray diffraction study of the effect of hydrogen atoms on the Si-Si atomic short-range order in amorphous silicon // Phys. Stat. Sol. (a).- 1979.- V. 52.- P. 475−479.
- Dixmier J., Derouet P., Essamet M., Laridjani M. Structural, optical and transport properties of sputtered hydrogenated amorphous silicon films in relation to Si-Hbonding configurations. // Phil. Mag. B.- 1985.- V. 52.- P. 943−954.
- Derouet P., Laridjiani M., Essamet M. et al. // J. Non-Cryst. Sol.- 1983.- V. 5960.- P. 189.
- Liu Z.Q., McKenzie D.R., Cockayne D.J.H., Dwarte D.M. Electron diffraction study of the structure of boron- and phosphorus-doped hydrogenated amorphous silicon. //Phil. Mag. B.- 1988.- V. 57.- P. 753−761.
- Sproul A., McKenzie D.R., Cockayne D.J.H. // Phil. Mag. B.- 1986, — V. 54, — P. 113.
- Minomura S., Tsuji K., Oyanagi H., Fujii Y. // J. Non-Cryst. Sol.- 1980, — V. 35−36.-P. 513.
- Brodsky M.H., Title R.S., Weiser K., Pettit G.D. Structural, Opnical, and Electrical Properties of Amorphous Silicon Films. // Phys. Rev. B.- 1970.- V. 1.- P. 2632−2641.
- Heya A., Masuda A., Matsumura H. Low-temperature cristallization of amorphous silicon using atomic hydrogen generated by cataliyic reaction on heated tungsten. // Appl. Phys. Lett.- 1999.- V. 74.- P. 2143−2145.
- Izumi A., Matsumura H. // Appl. Phys. Lett.- 1997.- V. 71.- P. 1371.
- Matsumura H. Formation of silicon-based thin films prepared by catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) method // Jpn. J. Appl. Phys.- 1998.-V. 37.-P. 3175−3187.
- Williamson D.L., Roorda S., Chicoine M. et al. On the nanostructure of pure amorphous silicon. // Appl. Phys. Lett.- 1995.- V. 67.- P. 226−228.
- Volkert C.A. Density changes and viscous flow during structural relaxation of amorphous silicon // J. Appl. Phys.- 1993.- V. 74.- P. 7107−7113.
- Custer J.S. et al. Density of amorphous Si // Appl. Phys. Lett.- 1994, — V. 64.- P. 437−439.
- Laaziri K. et al. Density of amorphous SixGej. x alloys prepared by high-energyion implantation//J. Non-Cryst. Solids.- 1995.-V. 191.-P. 193−199.
- Laaziri K., Kycia S., Chicoine M. et al. High Resolution Radial Distribution Function of Pure Amorphous Silicon. // Phys. Rev. Letters.- 1999.- V. 82.- P. 3460−3463.
- Хохлов А.Ф., Байер В., Павлов Д. А., Вагнер Г. Новая структура ближнего порядка аморфного гидрогенизированного кремния // Высокочистые вещества, — 1991.- № 3.- С. 79−82.
- Хохлов А.Ф., Машин А. И., Павлов Д. А., Хохлов Д. А. Возникновение двойных связей кремний-кремний в пленках a-Si:H, облученных неоном и углеродом при отжиге // Физика и техника полупроводников. 1994. — Т. 28. — С. 1750−1754.
- Mott N.F. Electrons in desordered structures // Adv. Phys.- 1967.- V. 16.- N. 61.-P. 49−144.
- Mott N.F., Davis E.A., Street R.A. States in the gap and recombination in amorphous semiconductors. // Phil. Mag.- 1975.- V. 32.- P. 961−996.
- Anderson P.W. Model for the electronic structure of amorphous semiconductors. // Phys. Rev. Letters.- 1975.- V. 34, — P. 963−965.
- Карпов В.Г., Клингер М. И., Игнатьев Ф. Н. Теория низкотемпературных аномалий тепловых свойств аморфных структур. // ЖЭТФ.- 1983, — Т. 84.-С. 760−775.
- Клингер М.И., Карпов В. Г. Автолокализация электронных пар в неупорядоченных системах. //ЖЭТФ.- 1982.- Т. 82.- С. 1681−1703.
- Klinger M.I. Atomic quantum diffusion, tunneling states and some related phenomena in condensed systems. // Phys. Rep.- 1983.- V. 94.- P. 184−312.
- Аморфные и поликристаллические полупроводники: Пер. с нем. / Под ред. В. Хейванга, — М: Мир, — 1987.- 160 С.
- Temkin R.J., Paul W., Connell G.A.N. // Adv. Phys.- 1973, — V. 22, — P. 581.
- Shevchik N.J., Paul W. The structure of amorphous Ge II J. Non-Cryst. Solids.-1972.- V. 8−10, — P. 381−387.
- Shevchik N.J., Paul W. // J. Non-Cryst. Solids.- 1974.- V. 16.- P. 55.
- Paesler M.A. et al. // Yorktown Heights.- 1974.- P. 37.
- Mossier R., Ross R.C. Evolution of microstructure in amorphous hydrogenated silicon // J. Appl. Phys.- 1982.- V. 53.- P. 6220−6225.
- Knights J.C., Lujan R.A. Microstructure of plasma-deposited a-Si: H films // Appl. Phys. Lett.- 1979, — V. 35.- P. 244−246.
- Chenevas-Paule A. / In: Semiconductors and Semometals.- V. 21А/ Ed. J.I. Pankove.- Orlando: Academic Press, 1984.
- Wiesendanger R., Rosenthaler L., Hidber H.R. et al. Hydrogenated amorphous silicon studied by scanning tunneling microscopy // J. Appl. Phys.- 1988.- V. 63.-P. 4515−4517.
- Knights J.C. //Non-Cryst. Solids.- 1980.- V. 35−36.- P. 159.
- Knights J.C., Lujan R.A., Rosenblum M.P. et al. Effects of inert gas dilution of silane on plasma-deposited a-Si:H films // Appl. Phys. Lett.- 1981.- V. 38.- P. 331−333.
- Sadoc J.F., Mosseri R. //J. Physique.- 1981, — V. 42, — P. 189.1 29
- Zumbulyadis N. 'HTSi cross-polarization dynamics in amorphous hydrogenated silicon // J. Chem. Phys.- 1987, — V. 86.- P. 1162−1166.
- Gusel’nikov L.E., Nametkin N.S. // Chem. Rev.- 1979.- V. 79, — P. 529.
- Bertrand G., Trinquier G., Mazerolles P.J. // Organomet. Chem. Libr.- 1981.-V. 12,-P. 1.
- Coleman В., Jones M. // Jr. Rev. Chem. Intermed.- 1981.- V. 4.- P. 297.
- Brook A.G., Abdesaken F., Gutekunst B. et al. // J. Chem. Soc., Chem. Commun.// 1981, — P. 191.
- Raabe G., Michl J. Multiple Bonding to Silicon. // Chem. Rev.- 1985.- V. 85.-P. 419−509.
- West R. // Pure Appl. Chtm.- 1982.- V. 54, — P. 1041.
- Ishikawa M., Kumada M. // Adv. Organometal. Chem.- 1981 V. 9.- P. 51.
- West R., Fink M.J. // VI Intern. Symp. on Organosilicon Chemistry. Abstracts. Budapest.- 1981.-P. 122.
- Roark D.N., Peddle G.J.D. // J. Amer. Chem. Soc.- 1972.- V. 94, — P. 5837.
- Gusel’nikov L.E., Nametkin N.S. // Chem. Rev.- 1979, — V. 79, — P. 529.
- Nacadaira Y., Kobayashi T., Otsuka T., Sakurai H. // J. Amer. Chem. Soc.-1979.-V. 101,-P. 486.
- Sakurai H., Nakadaira Y., Sakabe H. // Organometallics.- 1983.- V. 2.- P. 1484.
- Marchand A., Gerval P., Duboudin F. et al. Mise en evidence de la formation de R2M=MR2 a partir de disila-1,2 et digerma-1,2 cyclohexenes-4. // J. Or-ganometallic Chem.- 1984.- V. 267.- P. 93−106.
- West R. Chemie der Silicium-Silicium-Doppelbindung. // Angew. Chem.-1987.- V. 99.-P. 1231−1336.
- Janoschek R. Kohlenstoff und Silicium wie verschieden konnen homologe Elemente sein? // Chem. Zeit.- 1988.- P. 128−138.
- Masamune S., Murakami S., Snow J.T. et al. // Organometallics.- 1983.- V. 2.-P. 1464.
- Fink M.J., Michalczyk M.J., Haller K.J. et al. // Chem. Communs.- 1983.- P. 1010.
- Fink M.J., Michalczyr M.J., Haller K.J., West R., Michl J. // Organometallics.-1984.-V. 3.-P. 793.
- Zilm K.W., Grant D.M., Michl J. et al. // Organometallics.- 1983.- V. 2.- P. 193.
- Snyder L.C., Wasserman Z.R., Moskowitz J.W. // Int. J. Quantum Chem.-1982.-V. 21.- P. 565−579.
- Скопления междоузельных атомов в кремнии и германии. / A.JT. Асеев, Л. И. Федина, Д. Хеэль, X. Барч.- Новосибирск: Наука. Сибирское отделение.- 1991.- 149 С.
- Bicknell R.W. The distribution of condensed defect structures formed in annealed boron-implanted silicon // Proc. Roy. Soc. A.- 1969.- V. 311.- P. 7578.
- Nes E., Washburn J. Radiation-induced precipitation in silicon during highvoltage electron microscope observation // J. Appl. Phys.- 1971.- V. 42.- P. 3559−3561.
- Madden P.K., Davidson S.M. The nature of rod-like defects observed in boron irradiated silicon // Rad. Eff.- 1972.- V. 14, — P. 271−273.
- Wu W.K., Washburn J. Rod-like defects in ion implanted silicon // Cryst. Latt. Defects.- 1977, — V. 7.- P. 39−43.
- Aseev A.L., Astakhov V.M., Pchelyakov O.P. et al. Electron beam induced changes of the real structure of semiconductors // Cryst. Res. Technol.- 1979.-V. 14.- P. 1405−1411.
- Астахов B.M., Асеев А. Л., Пчеляков О. П. и др. Дефекты в полупроводниковых кристаллах при облучении высокоэнергетическими электронами // Изв. АН СССР. Сер. физ, — 1980.- Т. 44.- С. 1242−1246.
- Komarov F.F., Kuryazov V.D., Solovev V.S., Shiryaev S.Yu. Investigation of defect formation in boron ion-implanted silicon during annealing // Phys. Stat. Sol. (a).- 1981, — V. 68.- P. 519−529.
- Хорнстра Дж. Дислокации в решетке алмаза // Дефекты в кристаллах полупроводников.- М: Мир.- 1969.- С. 15−37.
- Salisbury L.G., Loretto М.Н. {113}- loops in electron-irradiated silicon // Phil. Mag. A.- 1979, — V. 39.- P. 317−323.
- Salisbury L.G. The nature and origin of {113} faults in irradiated silicon and germanium // J. Microscopy.- 1980.- V. 118.- P. 75−81.
- Nandedkar A.S., Narayan J. Atomic structure of dislocation and dipoles in silicon // Phil. Mag. A.- 1987, — V. 56.- P. 625−639.
- Lee Y.H. Silicon di-interstitial in ion-implanted silicon // Appl. Phys. Lett.-1998,-V. 73.-P. 1119−1121.
- Ishimura M., Harada S., Motooka T. Transmission electron microscopy studies of crystal-to-amorphous transition in ion implanted silicon // J. Appl. Phys.- 1997.-V. 81.-Issue 3, — P. 1126−1130.
- Corbett J.W., Karins J.P., Tan T.Y. Ion-induced defects in semiconductors // Nucl. Instr. Methods.- 1981, — V. 182/183.- P. 457−476.
- Tan T.Y. Dislocation nucleation models from point defect condensations in silicon and germanium // Defects in Semicond.- N.Y., 1981.- P. 163−172.
- Bartsch H., Hoechl D., Kastner G. Radiation-induced rod-like defects in silicon and germanium // Phys. Stat. Sol. (a).- 1984, — V. 83.- P. 543−551.
- Bourret A., Thibault-Desseaux J., Seidman D.N. Early stage of oxygen segregation and precipitation in silicon // J. Appl. Phys.- 1984.- V. 55.- P. 825−836.
- Bender H. Investigation of the oxygen-related lattice defects in Czochralski silicon by means of electron microscopy techniques // Phys. Stat. Sol. (a).-1984,-V. 86.-P. 245−261.
- Bourret A. Defect induced by oxygen precipitation in silicon: A new hypothesis involving hexagonal silicon // Proc. 5-th Oxford Conf. Microscopy of Semicond.- L., 1987.- V. 87, — P. 39−48.
- Pasemann M., Hoehl D., Aseev A.L., Pchelyakov O.P. Analysis of rod-like defects in silicon and germanium by means of high-resolution electron microscopy // Phys. Stat. Sol. (a).- 1983.- V. 80.- P. 135−139.
- Bender H., Vanhellemont J. Rod-like defects in silicon: Coesite or hexagonal silicon? // Phys. Stat. Sol. (a).- 1988, — V. 107, — P. 851−866.
- Stolk P.A., Gossmann H.-J., Eaglesham D.J., Poate J.M. Trap-limited interstitial diffusion and enhanced boron clustering in silicon // Appl. Phys. Lett.-1995.- V. 66, — Issue 5.- P. 568−570.
- Stolk P.A., Gossmann H.-J., Eaglesham D.J., Poate J.M. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Sect. B.- 1995.- V. 96.- P. 187.
- Kim J., Wilkins J.W., Khan F.S., Canning A. Extended Si {311} defects // Phys. Rev. B.- 1997.- V. 55.- P. 16 186−16 197.
- Takeda S., Kohyama M., Ibe K. // Philos. Mag. A.- 1994, — V. 70.- P. 287.
- Kohyama M., Takeda S. Tight-binding study of the {113} planar interstitial defects in Si//Phys. Rev. B.- 1995.-V. 51.-P. 13 111−13 116.
- Eaglesham D.J., Stork P.A., Gossmann H.J., Poate J.M. Implantation and transient B diffusion in Si: The source of the interstitials // Appl. Phys. Lett.-1994, — V. 65.- Issue 18, — P. 2305−2307.
- Agarawl A., Haynes T.E., Eaglesham D.J. et al. Interstitial defects in silicon from 1−5 keV Si+ ion implantation // Appl. Phys. Lett.- 1997, — V. 70.- Issue 25.-P. 3332−3334.
- Li J., Jones K.S. {311} defects in silicon: The source of the loops // Appl. Phys. Lett.- 1998, — V. 73, — P. 3748−3750.
- Raman R., Law M.E., Krishnamoorthy V. and Jones K.S. Effect of the end-of-range loop layer depth on the evolution of {311} defects // Appl. Phys. Lett.- 1999, — V. 74, — P. 700−702.
- Galvani E., Onida G., Serra S. et al. First Principles Study of a New Large-Gap Nanoporous Silicon Crystal: Hex-Si4o // Phys. Rev. Letters.- 1996.- V. 77,-P. 3573−3576.
- Benedek G., Galvani E., Sanguinetti S. Serra S. // Chem. Phys. Lett.- 1995.-V. 244.- P. 339.
- StumpfR., Scheffler M. // Comput. Phys. Commun.- 1994, — V. 79, — P. 447.
- Saito S., Oshiyama A. Electronic structure of Si46 and Na2Ba6Si46 // Phys. Rev. B.- 1995.- V. 51.- P. 2628−2631.
- Adams G.B., Keefe O., Demkov A.A. et al. Wide-band-gap Si in open fourfold-coordinated clathrate structures // Phys. Rev. B.- 1994.- V. 49.- P. 80 488 053.
- Cardillo M.J., Becker G.E. Difraction of He at the reconsructed Si (100) sur-fase//Phys. Rev. B.- 1980.-V. 21.-P. 1497−1510.
- Poppendieck T.D., Gnoc T.C., Webb M.B. // Surf. Sei.- 1978.- V. 75.- P. 287.
- Schlier R.E., Farnsworth H.E., in Semiconductor Surface Physics, edited by R.H. Kingston, Univ. of Pennsylvania Press, Philadelphia.- 1957
- Green M., Seiwatz R. Model for the (100) surfaces of silicon and germanium //J. Chem. Phys.- 1962.- V. 37.- P. 458−459.
- Levine J.D. // Surf. Sei.- 1973.- V. 34.- P. 473.
- Phillips J.C. // Surf. Sei.- 1973.- V. 40.- P. 459.
- Chadi D.J. // J. Vac. Sei. Technol.- 1979.- V. 16, — P. 1290.
- Hitosugi Taro, Heike S., Onogi T. et al. Jahn-Teller Distortion in DanglingBond Linear Chains Fabricated on a Hydrogen-Terminated ?z (100) — 2*1 Surface // Phys. Rev. Lett.- 1999, — V. 82, — P. 4034−4037.
- Harrison W.A. Surface reconsruction on semiconducters // Surf. Sei.- 1976.-V. 55,-P. 1−19.
- Northrup J. Dimer-plus-Chain Structure for the Si (100) c (4*2) Surface // Phys. Rev. Lett.- 1985.- V. 54.- P. 815−818.
- Schlier R.E., Farnsworth H.E. // J. Chem. Phys.- 1959.- V. 30.- P. 917.
- Chadi D.J. Atomic and Electronic Structures of Reconstructed 5/(100) Surfaces // Phys. Rev. Lett.- 1979, — V. 43.- P. 43−47.
- Appelbaum J.A., Hamman D.R. Theory of reconstruction induced subsurface strain-application to Si (100) H Surf. Sei.- 1978.- V. 74.- P. 21−33.
- Tromp R.M., Hamers R.J., Demuth J.E. Si (011) Dimer Structure Observed with Scanning Tunneling Microscopy // Phys. Rev. Lett.- 1985.- V. 55.- P. 1303−1306.
- Boland J.J. Evidence of pairing and its role in the recombinative desorption of hydrogen from the Si (100)-2×1 surface // Phys. Rev. Lett.- 1991.- V. 67.- P. 1539−1542.
- Hitosugi T. et al. Scanning Tunneling Spectroscopy of Dangling-Bond Wires Fabricated on the Si (100)-2 x l-H Surface // Jpn. Appl. Phys.- 1997.- V. 36.-P. L361-L364.
- Pandey K.C. // in Proc. of the Seventeenth Int. Conf. On the Phys. Of Semicond., edited by D.J. Chadi and W.A. Harrison (Springer-Verlag, New-York, 1985).-P. 55.
- Stafstrom S., Chao K.A. // Phys. Rev. B.- 1984.- V. 29.- P. 7010.
- Langer J.J., Gobeli G.W., Morrison J. // J. Appl. Phys.- 1963.- V. 34.- P. 2298.
- Pandey K.C. New n- Bonded Chain Model for Si (l ll)-(2xl) Surface // Phys. Rev. Lett.- 1981.- V. 47.- P. 1913−1917.
- Pandey K.C. // Phys. Rev. Lett.- 1982.- V. 49.- P. 223.
- Pashley M. D, Haberern K.W., Friday W. // J. Vac. Sci. Technol. A.- 1988.-V. 6.-P. 488.
- Kulakov M.A. // Surf. Sci.- 1997.- V. 372.- P. L266.
- Koike M., Einaga Y., Hirayama H. et al. Scanning tunneling microscope study of the c (lxl) ordering in the «lxl» phase on the quenched Si (111) surface // Phys. Rev. B.- 1997.- V. 55.- P. 15 444−15 447.
- Hoshino T., Kokubun K., Kumamoto K. et al. // Jpn. J. Appl. Phys.- 1995.- V. 34.-P. 3346.
- Yang Y.-N., Williams E.D. High atom density in the «1×1» phase and origin of the metastable reconstructions on Si (l 11) // Phys Rev. Lett.- 1994.- V. 72.-P. 1862−1865.
- Yang Y.-N., Williams E.D. // Scanning Microsc.- 1994.- V. 8.- P. 781.
- Yokoyama T., Tanaka H., Itoh M. et al. Scanning-tunneling-microscope observation of 2×1 structure on a homoepitaxially grown Si (lll) surface // Phys. Rev. B.- 1994.- V. 49.- P. 5703−5705.
- Shigeta Y., Endo J., Maki K. Scanning-tunneling-microscopy study of surface morphology at the initial growth stage of Si on a 7×7 superlattice surface of Si (l 11)// Phys. Rev. B.- 1995.-V. 51.-P. 2021−2024.
- Yang Y.-N., Williams E.D. Domain-boundary-induced metastable reconstructions during epitaxial growth of Si/Si (lll)// Phys. Rev. B.- 1995.- V. 51.- P. 13 238−13 243.
- Becker R.S., Higashi G.S., Chabal Y.J. et al. Atomic-scale conversion of clean Si (lll):H-l x 1 to Si (lll)-2×1 by electron-stimulated desorption // Phys Rev. Lett.- 1990.- V. 65.- P. 1917−1920.
- Becker R.S., Kiltsner T., Vickers J.S. Anomalous surface reconstruction: Observation of Si (l 11) 2×1 on sputtered and annealed Si (l 11) surfaces // Phys. Rev. B.- 1988.- V. 38.- P. 3537−3540.
- Hoshino T., Kokubun K., Kumamoto K. et al. Dynamic growth steps of n x n dimer—adatom—stacking-fault domains on the quenched Si (lll) surface // Phys. Rev. B.- 1996.-V. 53.- P. 12 907−12 911.
- Wentorf R.H., Kasper J.S. Two new forms of silicon // Science.- 1963.- V. 139.-P. 338−339.
- Northrup J.E., Cohen M.L. // J. Vac. Sci. Technol.- 1982, — V. 1982, — P. 333.
- Uhrberg R.I.G., Hansson G.V., Nicholls J.M., Flodstrom S.A. // Phys Rev. Lett.- 1982.-V. 48.- P. 1032.
- Chadi D.J. 7i-bonded molecular and chain models for the Sz'(lll) surface // Phys. Rev. B.- 1982.- V. 26.- P. 4762−4765.
- Ortega J., Flores F., Yeyati A.L. Electron correlation effects in the Si (111)-7×7 surface // Phys. Rev. B.- 1998.- V. 58, — P. 4584−4588.
- Fukuda T. Formation of ic-bond chains on solid-phase homoepitaxially grown 5/(111) surfaces // Phys. Rev. B.- 1999.- V. 59.- P. 9752−9755.
- Ishimari M., Munetoh S., Motooka T. Molecular-dynamics studies on defect-formation processes during crystal growth of silicon from melt // Phys. Rev. В.- 1998.- V. 58.- P. 12 583−12 586.
- Bernstein N., Aziz J. Amorphous-crystal interface in silicon: A tight-binding simulation // Phys. Rev. В.- 1998.- V. 58.- P. 4579−4583.
- Luedtke W.D., Landman U. Preparation and melting of amorphous silicon by molecular-dynamics simulations // Phys. Rev. В.- 1988.- V. 37.- P. 46 564 663.
- Верещагин Л.Ф., Кабалкина С. С. Рентгеноструктурные исследования при высоком давлении. / М: Наука.- 1979.- 174 С.
- Бюргер М.Дж. Фазовые переходы // Кристаллография.- 1971.- Т. 16.- С. 1084−1096.
- Jamieson J.C. Crystal structures at high pressures of metallic modifications of silicon and germanium // Science.- 1963.- V. 139.- P. 762−764.
- Cannon J.F. // J. Phys. Chem. Ref. Data.- 1974.- V. 3.- P. 781.
- Машин А.И., Тетельбаум Д. И., Хохлов А. Ф. Об электропроводности кремния, аморфизованного путем ионной бомбардировки при сверхбольших дозах // ФТП. 1978. — Т. 12. — Вып. 3. — С. 438−441.
- Герасименко Н.Н., Двуреченский А. В., Машин А. И., Хохлов А. Ф. Неоднородность аморфного слоя, полученного ионной бомбардировкой полупроводника // ФТП. 1977. — Т. 11. — Вып. 1. — С. 190−192.
- Хохлов А.Ф., Ежевский А. А., Машин А. И., Хохлов Д. А. Новое клатрат-ное соединение SixNey// ДАН. 1994. — Т. 339. — Вып. 3. — С. 370−373.
- Хохлов А.Ф., Машин А. И., Павлов Д. А., Хохлов Д. А. Аморфный кремний с двойными ковалентными Si = Si -связями // I Российская конференция по физике полупроводников Н. Новгород, 1993. — С. 359.
- Терехов В.А., Хохлов А. Ф., Ковалева Н. С. и др. Изменения локальной плотности электронных состояний и ближнего прядка в аморфных пленках гидрированного кремния // Физика твердого тела. 1997. — Т. 39. -Вып. 2. — С. 243−245.
- Хохлов А.Ф., Машин А. И., Хохлов Д. А. Новая аллотропная форма кремния // Письма в ЖЭТФ.- 1998.- Т. 67, — № 9.- С. 646−649.
- Khokhlov A.F., Mashin A.I., Khokhlov D.A. Silicyne, a new form of silicon // Edit. Phillip F., Schewe and Ben Stein.- Physics News Update, The American Institute of Physics Bulletin of Physics News.- 3 September 1998.-Number 388 (Story #3).- P. 1.
- Хохлов А.Ф., Машин А. И. Линейная аллотропная форма аморфного кремния // Вестник ННГУ. Сер. Физика твердого тела. Н. Новгород: ННГУ, 1998.-Вып. 1.-С. 5−10.
- Хохлов А.Ф., Машин А. И., Хохлов Д. А. Силицин новая аллотропная форма кремния // Вестник Нижегородского отделения Российской академии естественных наук, Вып. 2. М.: Н. Новгород.- 1998.- С. 191−195.
- Татаринова Л.И. Электронография аморфных веществ / М.: Наука.-1972, — 102 С.
- Хохлов А.Ф., В. Байер, Д. А. Павлов, Г. Вагнер. Структурная модификация в аморфном гидрогенизированном кремнии и его сплавах с германием и углеродом при отжиге // Высокочистые вещества. 1991. — № 4. — С. 183−192.
- Beyer W. Hydrogen incorporation in amorphous silicon and processes of its release // In: Tetrahedrally Bonded Amorphous Semiconductors / Ed. Adler D. and Fritzche H., New York: Plenum Press. — 1985. — P. 129−156.
- Гордеев B.H., Попов А. И., Филиков В. И. Структура аморфного кремния, полученного высокочастотным ионно-плазменным распылением // Неорганические материалы. 1980. — Т. 16. — Вып. 10. — С. 1733−1736.
- Брусенцев Ф.А. Математические методы решения некоторых задач физики твердого тела и структурной химии с использованием ЭЦВМ. Киев: Наукова думка. 1973. — 239 С.
- Солдатов Е.А., Овсецин С. И. Теоретико-информационные методы в структурном анализе кристаллов // Нижний Новгород: Изд. ННГУ. -1997.- 102 С.
- Шеннон К.Е. Работы по теории информации и кибернетике // М.: ИЛ. -1963. 950 С.
- Касандрова О.Н., Лебедев В. В. Обработка результатов наблюдений // М.: Наука. 1970. — 104 С.
- Шварц К.К. Физика оптической записи в диэлектриках и полупроводниках / Рига: Зинатне.- 1986.- 232 С.
- Губанов А.И. Квантово-электронная теория аморфных полупроводников / М.-Л.: Изд-во АН СССР.- 1963.- 250 С.
- Мотт Н.Ф. Переходы метал изолятор / Пер. с англ. М.: Мир.- 1979.-343С.
- Мотт Н.Ф. Электроны в неупорядоченных структурах / Пер. с англ. М.: Мир.- 1969.- 172 С.
- Joannopoulos J.D., Pollard W. Electrons and phonons in amorphous pyramidally bonded solids // Sol. St. Commun.- 1976.- V. 20.- P. 947−950.
- Weaire D. Existence of a gap in the electronic density of states of a tetrahe-drally bonded solids of arbitrary structure. // Phys. Rev. Letters.- 1971, — V. 26.-P. 1541−1543.
- Lloyd P. Wave propagation through an assembly of spheres. 2. The density of single-particle eigenstates. // Proc. Phys. Soc.- 1967.- V. 90.- P. 207−216.
- Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И. П., Кайпер P. и др. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. /М.: Наука.- 1981.- 384 С.
- Лифшиц И.М., Гредескул С. А., Пастур Л. А. Введение в теорию неупорядоченных систем. / М.: Наука.- 1982.- 358 С.
- Klinger M.I. Model of electronic processes in glassy semiconductors: Correlation with structural factors. // Sol. St. Commun.- 1983.- V. 45.- P. 949−953.
- Хохлов А.Ф., Машин А. И. Линейный кремний новая аллотропная форма кремния. // Всероссийский симпозиум с участием ученых из стран СНГ «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», Санкт-Петербург, 1998, тезисы докладов.- 1998, — С. 16.
- Хохлов А.Ф., Машин А. И., Чучмай И. А. Свойства силицина. Использование F/S- спектроскопии для измерения микротвердости. // Всероссийское совещание «Зондовая микроскопия 99», Нижний Новгород, 10−13 марта 1999, материалы совещания.- 1999.- С. 272−275.
- Машин А.И., Хохлов А. Ф., Домашевская Э. П., Терехов В.А., Разуваев
- Simunek A., Polcik M., Wiech G. Si К, Si L, and Cr К x-ray valence-band studies of bonding in chromium silicides: Experiment and theory // Phys. Rev.
- B.- 1995.- V. 52,-P. 11 865- 11 871.
- Joannopoulos J.D. // J. Non-Cryst. Solids.- 1979.- V. 32, — P. 241.
- Домашевская Э.П., Миттова И. Я., Пономарева Н. И. и др. Особенности термического окисления кремния в присутствии тетрахлорида германия // Поверхность. Физика, химия, механика.- 1985.- № 6.- С. 138−140.
- Ley L., Pollak R.A., Kowalczyk S.P. et al. Evidence for Covalent Bonding in Crystalline and Amorphous As, Sb, and Bi from Valence-Band Photoelectron Spectra//Phys. Rev. В.- 1973, — V. 8, — P. 641−646.
- Терехов В.А. Локальная плотность электронных состояний в неупорядоченных полупроводниках. / докт. Дис., 1994.- Воронеж.- 278 С.
- Немошкаленко В.В., Алешин В. Г. Теоретические основы рентгеновской эмиссионной спектроскопии. / Киев: Наукова Думка.- 1974, — 382 С.
- Рентгеновские спектры и химическая связь. / Майзель А., Леонхард Г., Сарган Р. // / Киев: Наукова Думка, — 1980, — 420 С.
- Рентгеновские спектры молекул. / Николаев А. В. // Новосибирск: Наука,-1977.- 331 С.
- Мазалов Л.Н., Юматов В. Д., Мурахтанов В. В. и др. Рентгеновские спектры молекул / Новосибирск: Наука, — 1977, — 331 С.
- Васильев Д.М. Физическая кристаллография / М.: Металлургия, — 1981,256 С.
- Сладков А. М. Полисопряженные полимеры. М.: Наука.- 1989.- 253 С.
- Lischka Н., Kohler H.-J. // J. Am. Chem. Soc.- 1983.- V. 105, № 22.- P. 6646−6649.
- Fournier R., Sinnott S. В., DePristo A. E. Density functional study of the bonding in small silicon clusters // J. Chem. Phys.- 1992.- V. 97, № 6.- P. 4149−4161.
- Rittby C.M.L. An ab initio study of the structure and infrared spectrum of Si2C3 // J. Chem. Phys.- 1994.- V. 100, № 1.- P. 175−180.
- Froudakis G., Zdetsis A., Miihlhauser M., Engels В., Peyerimhoff S.D. A comparative ab initio study of the Si2C4, Si3C3, and Si4C2 clusters // J. Chem. Phys.- 1994.- V. 101, № 8, — P. 6790−6799.
- Schmidt M.W., Baldridge K.K., Boatz J.A., Elbert S.T., Gordon M.S., Jensen J.H., Koseki S., Matsunaga N., Nguyen K.A., Su S.J., Windus T.L., together with Dupuis M., Montgomery J.A. // J. Comput. Chem.- 1993, — V. 14, № 8.-P. 1347−1348.
- Эварестов P. A. Квантово-химические методы в теории твердого тела / Ленинград: ЛГУ.- 1982, — 279 С.
- Кубо Р. Статистическая механика / М.: Мир.- 1967.- 452 С.
- Удод И.А., Булычев Б. М., Бабаев В. Г. Модели строения карбина (линейной модификации углерода) и его интеркалированных соединений // Журнал неорганической химии.- 1997.- Т. 42.- С. 521−528.
- Павлов Д.А., Шенгуров В. Г., Шенгуров Д. В., Хохлов А. Ф. // ФТП,-1995.- Т. 29.- С. 286.
- Хохлов Д.А., Павлов Д. А., Машин А. И. Структурные изменения в безводородном аморфном кремнии при отжиге // Тез. докл. Всерос. конф. «XVI научные чтения им. Н.В. Белова», 15−16 декабря 1997 г., Н. Новгород.- 1997.- С. 136−138.
- Машин А.И., Хохлов А. Ф. Мультисвязи в безводородном аморфном кремнии // ФТП.- 1999, — Т. 33, — С. 1001−1004.
- Nobuhiko Ishii, Minoru Kumeda and Tatsuo Shimizu. The g-Values of Defects in Amorphous C, Si and Ge // Jap. Journ. Appl. Phys.- 1981.- V. 20.- № 9.- L673 L676.
- Dvurechensky A.V., Ryazantsev I.A. // Radiation Effects.- 1980, — V. 46, № 1−2.-P. 129.
- Хохлов А.Ф., Машин А. И. Отжиг радиационных дефектов в кремнии, облученном большими дозами ионов инертных газов // Тез. докл. Всесоюзной конф. «Радиационные дефекты в твердых телах», Ашхабад.-1977,-С. 154.
- Горшков О.Н. Исследование радиационного повреждения полупроводников и диэлектриков в процессе ионного внедрения с использованиемхарактеристического рентгеновского излучения / Дис. на соискан. учен, ст. кандидата физ.-мат. наук, Горький, 1980.-168 С.
- Панеш A.M. // тезисы докл. «Конкурс научных работ памяти академика Г. А. Разуваева», Н. Новгород, 1994.
- Хохлов А.Ф., Ежевский A.A., Машин А. И., Хохлов Д. А. Магнитное упорядочение спинов оборванных связей при сверхбольших дозах облучения кремния неоном // Высокочистые вещества, 1995.- № 2.- С. 67−70.
- Хаган М. Клатратные соединения включения / пер. с англ., М.- 1966.
- Brodsky M.N., Kaplan D., Zeigler J.F. // Appl. Phys. Lett.- 1972.- V. 21.- P. 305.
- Хохлов А.Ф., Сидоров В. А., Машин А. И. О чистоте легирования кремния при ионной имплантации // Труды II отрас. научно-техн. конф. молодых ученых и специалистов, М., 1980.- С. 125.
- Muhlhauser М., Froudakis G., Zdetsis А. et al. Ab initio investigation of the stability of S13C3 clusters and their structural and bonding features // Z. Phys. D.- 1994.-V. 32,-P. 113−123.
- Машин А.И., Хохлов А. Ф., Разуваев А. Г., Игнатов С. К., Щепалов A.A. О роли примесей в формировании силицина цепочечного кремния: теория и эксперимент//ФТП.- 1999.- Т. 33.- Вып. 10.-С. 1253−1259.
- Герасименко H.H., Двуреченский A.B., Смирнов J1.C. Исследование де-фектообразования в облученном ионами кремнии методом ЭПР // ФТП.-1971.- Т. 5, — С. 1700−1705.
- Карзанов В.В., Марков К. А., Зубков С. Ю. и др. Морфология поверхности кремния, облученного сверхбольшими дозами ионов аргона // Материалы Всероссийского совещания «Зондовая микроскопия 99», 10−13 марта Нижний Новгород.- 1999.-С. 185−189.
- Хохлов А.Ф., Машин А. И. Ионная модификация структуры и свойств аморфных полупроводников // Материалы XIV Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью 99 (ВИП-99)», 30 августа — 3 сентября 1999, Москва.- 1999.- Т. 2, С. 10−13.
- Кныш E.H., Павлов Д. А., Хохлов А. Ф., Шенгуров В. Г. Нанокристалли-ческий кремний, полученный методом молекулярно-лучевого осаждения. // Материалы конференции «Структура и свойства твердых тел», 27 28 сентября 1999, Нижний Новгород.- 1999.- С. 65−66.
- Машин А.И., Хохлов А. Ф., Кольчугин И. В., Машин Н. И. Влияние ионного облучения на процесс формирования и свойства линейного аморфного кремния. // Всероссийский симпозиум с участием ученых из стран
- СНГ «Аморфные h микрокристаллические полупроводники», Санкт-Петербург, 1998, тезисы докладов, — 1998.- С. 28.
- Машин А.И., Хохлов А. Ф. Проводимость и край поглощения аморфного силицина // ФТП.- 1999.- Т. 33.- в печати
- Taue J., Grigorovici R., Vancu A. // Phys. Stat. Sol.- 1966.- V. 15.- P. 627.
- Klazes R.H., Brock van der M.H.L.M., Bezemer J., Radelaar S. // Phil. Mag.-1982, — V. B25.-P. 377.
- Быков B.A. Новые приборы и разработки в сканирующей зондовой микроскопии. Материалы Всероссийского совещания «Зондовая микроскопия 98» 2 — 5 марта 1998 г.- Н. Новгород: ИФМ РАН, — 1998, — С. 110.
- Chittick R.C., Alexander J.H., Sterling H.F. The Preparation and Properties of Amorphous Silicon//J. Electrochem. Soc.- 1969.- V. 116.- P. 77−81.
- Walley P.A. Electrical Conduction in Amorphous Silicon and Germanium // Thin. Sol. Films.- 1968, — V. 2, — P. 327−336.
- Хохлов А.Ф., Машин А. И. Ионная модификация структуры и свойств аморфных полупроводников. // XIV Международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью -99 (ВИП-99)», 30 августа 3 сентября 1999, Москва.- 1999.- Т. 2, С. 10−13.
- Anderson P.W. Absence of Diffusion in Certain Random Lattices // Phys. Rev.- 1958, — V. 109.-P. 1492−1505.
- Шкловский Б.И., Эфрос A.JI. Электронные свойства легированных полупроводников. / М.: Наука.- 1979.- 416 С.
- Герасименко Н.Н., Двуреченский А. В., Смирнов JI.C. О парамагнитных центрах, образующихся при облучении кремния ионами // ФТП.- 1972.Т. 6, — С. 1111−1114.
- Хохлов А.Ф., Машин А. И., Поляков С. М. О магнитном упорядочении в кремнии, аморфизованном ионной имплантацией. // ФТП.- 1978, — Т. 12.-С. 930−933.
- Khokhlov A.F., Mashin A.I., Satanin A.M. The Dependence of Magnetic Ordering Temperature in Amorphous Semiconductors on Paramagnetic Centre Concentration. //Phys. Stat. Sol. (b).- 1981.- V. 105.- P. 129−136.
- Хохлов А.Ф., Павлов П. В. Ферромагнетизм кремния, обусловленный радиационными дефектами // Письма ЖЭТФ.- 1976.- Т. 24.- С. 238−240.
- Двуреченский А.В., Рязанцев И. А. Температурная зависимость сигнала ЭПР в кремнии, облученном большими дозами ионов // ФТП.- 1978, — Т. 12.-С. 1451−1452.
- Хохлов А.Ф., Ежевский А. А., Машин А. И., Хохлов Д. А. О роли неона в образовании магнитно-упорядоченных слоев в кремнии при сверхбольших дозах облучения. //ФТП.- 1995.- Т. 29. С. 2113−2121.
- Ершов А.В., Хохлов А. Ф., Машин А. И. Ионное легирование аморфных пленок Si.xGex // Известия РАН. Сер. Физическая, 1999. Т. 63, N 2. — С. 278−281.
- Ershov A.V., Khokhlov A.F., Mashin A.I. The optical properties of amorphous silicon doped with isovalent germanium impurity // Abstr. of the 14th Int. Vacuum Congress 31 Aug. 4 Sept. 1998, Birmingham UK, TFPTu. 152, P. 6.
- Ершов A.B., Хохлов А. Ф., Машин А. И. Легирование и компенсация примеси при имплантации ионов в пленки a-SiGe II ФТП, 1998. Т. 32, N 10.-С. 1260−1262.
- Ершов A.B., Машин А. И., Хохлов А. Ф. Влияние ионной иплантации германия в аморфный кремний на свойства и эффективность его легирования электрически активными примесями // Высокочистые вещества.-1995.-Т. 2.-С. 35−44.
- Валеев A.C. Определение оптических постоянных тонких слабопогло-щающих слоев // Оптика и спектроскопия.- 1963.- Т. 15.- С. 500−511.
- Penn D.R. // Phys. Rev.- 1962.- V. 128.- P. 2093.
- Philips J.C. Electronic structure and optical spectra of amorphous semiconductors // Phys. Stat. Sol. В.- 1971.- V. 44.- P. K1-K4.
- Машин А.И., Хохлов А. Ф. Поведение имплантированных в аморфный кремний примесей при отжиге // IV Всесоюз. конф. по физ.-хим. основам легир. полупровод, материалов, Москва, 1979.- С. 196.
- Машин А.И., Ершов A.B., Хохлов А. Ф. Ионно-лучевое легирование аморфных кремния и германия, полученных различными способами // Междунар. конф. «Ионная имплантация в полупроводниках и других материалах», Вильнюс, 1983, тез. докл.- 1983.- С. 209.
- Машин А.И., Павлов П. В., Хохлов А. Ф. Легирование аморфного кремния имплантацией фосфора// ФТП.- 1982.- Т. 16.- Вып. 3.- С. 558−559.
- Машин А.И., Павлов П. В., Савинова E.H., Хохлов А. Ф. Влияние ионной имплантации на параметры прыжковой проводимости аморфного кремния//ФТП.- 1981.-Т. 15.-Вып. 8.- С. 1611−1613.
- Павлов Д.А., Машин А. И., Хохлов А. Ф., Мордвинова Ю. А. Изовалент-ное легирование аморфного кремния углеродом // ФТП.- 1987.- Т. 21.-Вып. 3.-С. 531−534.303
- Хохлов А.Ф., Машин А. И., Ершов A.B., Машин Н. И., Ларина Е. Влияние состава аморфных сплавов кремний-германий на их электрические и оптические свойства // ФТП.- 1985, — Т. 19.- Вып. 12.- С. 2204−2206.
- Хохлов А.Ф., Машин А. И., Ершов A.B., Мордвинова Ю. А., Машин Н. И. Электрические и оптические свойства полупроводников a-Si1 Gex // ФТП.- 1986, — Т. 20.- Вып. 7.- С. 1288−1291.
- Хохлов А.Ф., Машин А. И., Ершов A.B., Мордвинова Ю. А. Свойства аморфного кремния, легированного изовалентной примесью германия // Phys. Stat. Sol.(а).- 1986.- V. 94.- P. 379−384.
- Хохлов А.Ф., Ершов A.B., Машин А. И., Мордвинова Ю. А. Фоточувствительность и проводимость аморфного кремния, легированного изовалентной примесью германия // ФТП.- 1987.- Т. 21.- Вып. 10.- С. 19 071 909.
- Хохлов А.Ф., Машин А. И., Ершов A.B. Ионно-лучевое легирование аморфного кремния, содержащего изовалентную примесь германия // ФТП. 1988. — Т. 22. — Вып. 8, — С. 1511−1514.