Полупроводниковые приборы для быстрой коммутации больших мощностей и новые технологические методы их изготовления
Диссертация
Предложенный и защищенный патентами модифицированный метод прямого сращивания кремния (ПСК) открыл возможность применения малоэнергоемкой, экологически неопасной и достаточно экономичной технологии для разработки силовых приборов большой площади с качественно новыми электрическими характеристиками. Создана конструкция полупроводникового прибора с полным управлением (запираемого тиристора… Читать ещё >
Содержание
- ЧАСТЬ I. ПРИНЦИП КОММУТАЦИИ мощности с помощью
- УПРАВЛЯЮЩЕГО ПЛАЗМЕННОГО СЛОЯ И ПРИБОРЫ НА ЕГО ОСНОВЕ
- Глава I. Мощный переключатель микросекундного диапазона — реверсивно-включаемый динистор
- 1. 1. Основные физические ограничения коммутационных возможностей приборов тиристорного типа и пути их преодоления
- 1. 2. Принцип коммутации мощности с помощью управляющего плазменного слоя
- 1. 3. Выбор оптимальной конструкции реверсивно включаемого динистора (РВД)
- 1. 4. Физика работы РВД как ключевого элемента схем мощных коммутаторов и коммутационные возможности импульсных РВД
- 1. 5. Технология изготовления приборов, переключаемых с помощью управляющего плазменного слоя
- Выводы к гл
- Глава 2. Высокочастотные РВД для работы в генераторном (ф режиме
- 2. 1. Характеристика потерь при коммутации мощности приборами тиристорного типа
- 2. 2. Характеристики управления быстродействующих реверсивно-включаемых динисторов
- 2. 3. Конструктивные особенности и выходные характеристики высокочастотных РВД
- 2. 4. Коммутация импульсов с субмикросекундным фронтом
- Выводы к гл
- Глава 3. Реверсивно-включаемые динисторы как новая элементная база мощных полупроводниковых преобразователей
- 3. 1. О возможности применения РВД в технике преобразования электроэнергии
- 3. 2. Конструктивные варианты РВД для применения в мощных высокочастотных преобразователях
- 3. 3. Расчет оптимальных параметров конструктивного варианта РВД на основе р+п'прп± структуры
- 3. 4. Технология изготовления и результаты экспериментального исследования выходных характеристик высоковольтных РВД с повышенным быстродействием
- Выводы к гл
- Глава 4. Мощный прибор ключевого типа — реверсивно-управляемый транзистор (РУТ)
- 4. 1. Принцип действия и конструктивные особенности РУТ
- 4. 2. Физические процессы при работе РУТ
- 4. 3. Коммутационные возможности РУТ
- Ш
- Выводы к гл
- ЧАСТЬ II. ТЕХНОЛОГИЯ ПРЯМОГО СРАЩИВАНИЯ КАК НОВЫЙ ИНСТРУМЕНТ СОЗДАНИЯ СИЛОВЫХ ПРИБОРОВ ДЛЯ КОММУТАЦИИ И ПРЕОБРАЗОВАНИЯ БОЛЬШИХ МОЩНОСТЕЙ
- Глава 5. Принципиальные особенности и перспективы технологии прямого сращивания
- 5. 1. Общие положения. О природе связей, обеспечивающих процесс прямого сращивания
- 5. 2. Модель прямого сращивания кремниевых пластин
- 5. 2. 1. Гидрофильные поверхности
- 5. 2. 2. Гидрофобные поверхности
- 5. 3. Поверхностная энергия. Механическая прочность
- 5. 4. Требования к качеству поверхностей
- 5. 4. 1. Химическая отмывка пластин
- 5. 4. 2. Роль морфологии поверхности
- 5. 4. 3. Причины появления несплошностей («пузырей»)
- 5. 5. Электрические свойства границы раздела
- 5. 6. Перспективы использования технологии прямого сращивания
- Выводы к гл
- Глава 6. Прямое сращивание кремниевых пластин с регулярным мезоскопическим рельефом на интерфейсе
- 6. 1. Суть метода и его отличие от традиционных технических решений
- 6. 2. Исследование особенностей дефектообразования на границе раздела
- А
- 6. 3. Формирование непрерывного интерфейса
- 6. 4. Структурные свойства интерфейса при использовании в процедуре сращивания вакуумного отжига
- 6. 5. Снижение уровня упругих напряжений в структурах, полученных прямым сращиванием кремния
- 6. 5. 1. Рентгено-дифракщонное исследование
- 6. 5. 2. Исследование качества границы сращивания методами просвечивающей ИК-спектрометрии
- 6. 5. 3. Обсуждение результатов
- 6. 6. Прочность интерфейса
- 6. 7. Электрические свойства ПСК-структур с рельефным интерфейсом
- Выводы к гл
- Глава 7. Прямое сращивание кремниевых пластин с одновременным формированием диффузионных слоев
- 7. 1. Образцы и методы исследования
- 7. 2. Исследование свойств кремниевых структур, изготовленных прямым сращиванием с одновременной диффузией примесей
- 7. 2. 1. Диффузия алюминия
- 7. 2. 2. Исследование структурного качества
- 7. 2. 3. Электрические свойства рп-переходов, сформированных прямым сращиванием с одновременной диффузией алюминия
- 7. 3. Модель прямого сращивания кремниевых пластин с одновременной диффузией алюминия из источника на границе раздела
- Выводы к гл
- Глава 8. Конструктивные варианты силовых приборов на основе модифицированной технологии прямого сращивания кремниевых пластин
- 8. 1. ! Силовой ПСК-диод
- 8. 2. Реверсивно включаемый динистор
- 8. 3. Запираемый тиристор
- 8. 4. О некоторых других возможностях применения модифицированной технологии прямого сращивания
- 8. 4. 1. Исследование свойств З/'-Л'бТг-Л' — композиций, изготовленных на основе модифицированной технологии прямого сращивания
- 8. 4. 2. Формирование 5/С-&-' - композиций.,
Список литературы
- Baliga В. J. Modern Power Devices. John Wiley & Sons, 1.c. 1987, New York, 476 p.
- Baliga B. J. Power Semiconductor Devices. PWS Publishing Company 1996, 600 p.
- Brown E.R. Megawatt Solid State Electronics. // Sol. State Electronics, 1998, v.42, No. 12, pp.2119−2130.
- Steiner PK., Gruning H., Werninger J. The IGCT the Key Technology for Law Cost, High reliable High Power Converters with Series Connexted Turnoff Devices. // Proceedings of EPE, Trondheim, 8−10 Sept. 1997.
- Klaka S., Frecker M., Gruning H. The Integrated Gate-Commutated Thyristor: A New High-Efficiency, High-Power Switch for Series or Snubberless Operation. // Proceedings of PCIM'97, Nuremberg, 1997.
- Moll J.L., Tannenbaum M., Goldey J.M., and Holonyak Jr.N. Pnpn transistor switches. // Proc. IRE, 1956, v.44, pp. 1174−1182.
- Shockley W. The four-layer diodes. // Electronic Industries & Tele-Tech., 1957, Aug., pp. 56−60, 161−165.
- Джентри Ф., Гутцвиллер Ф., Голоньяк Н, фон Застров Э. Управляемые полупроводниковые вентили пер. под ред. В. М. Тучкевича, М, Мир, 1967, 455с.
- Hubner К., Melehy М., Biesele R.L. Uniform turn-on in fourlayer diodes. // IEEE Trans. Electron. Dev., 1961, ED-6, No.5, pp.461−464.
- Geriah W. Untersuhungen uber den Einshaltvorgang des Leistungsthyristors. //Teleiunken Zeitung, 1966, S. pp.301−314.
- Белов А.Ф., Воронков В. Б., Грехов И. В., Крюкова H.H. Исследование начального этапа процесса включения тиристоров путем регистрации рекомбинационного излучения. Н Электротехническая промышленность. Сер. Преобразовательная техника, 1970, № 5, с. 15−17.
- Герлах В. Тиристоры пер. Ю. А. Евсеева, М., Энергоатомиздат, 1985, 328 с.
- Грехов И.В., Левинштейн М. Е., Сергеев В. Г. Исследование распространения включенного состояния вдоль р-п-р-п-струкгуры. // ФТИ, 1970, т.4, № 11, с.2149−2155.
- Молибог Н. П, Злобин В. А., Седов H.H., Якивчик Н. И. Кинетика включения р-п-р-п-структуры в период нарастания анодного тока. // Радиотехника и электроника, 1973, т. 18, № 4, с.835−843.
- Дерменжи П.Г., Евсеев Ю.А К вопросу о включении управляющим сигналом р-п-р-п-струкгуры большой площади. // Радиотехника и электроника, 1970, т. 15, № 7, с. 1478.
- Дерменжи П.Г., Евсеев Ю. А. О процессах, протекающих в невключенной области р-п-р-п-струкгуры большой площади в период нарастания анодного тока. // Физика и техника полупроводников, 1969, т. З, вып. 10, с. 1452−1457.
- Voss Р. Observation of the initial phases of thyristor turn-on. // Solid State Electron., 1974, v. 17, p.879−880.
- Бурцев Э.Ф., Кузьмин В. А., Колтунов С.А Исследование процесса включения высоковольтных р-п-р-п-структур большой площади. // Электротехническая промышленность, сер. Преобразовательная техника, 1978, № 6, с.4−6.
- Dodson W.H., Logini R.L. Probed determination of turn-on spread of large area thyrietors. // IEEE Trans., 1966, v. ED-13, pp.478−484.
- Ruhl H.J. Spreading velocity of the active area boundary in a thyristor. // IEEE Trans., 1970, v. ED-17, p.680−687.
- Грехов И.В., Левинштейн M.E., Уваров А. И. Простая модель распространения включенного состояния вдоль р-п-р-п-структуры. // Физика и техника полупроводников, 1971, т.5, № 6, с. 1111−1115.
- Matsuzawa Т. Spreading velocity of the on-state in high speed thyristors. // IEEE Trans. Japan, 1973, 93-C, p. 16−21.
- Longini R.L., Melngailis J. Gated turn-on four layer switch. // IEEE Trans., 1963, v. D-10, p. 178−185.
- Грехов И.В., Колчин A.M., Пал ко Е.Н. Динамика тепловых процессов при включении /ь"-/?-«-тиристорной структуры. // Физика и техника полупроводников, 1971, № 22, с.21−70.
- Silber D., Robertson M.J. Thermal effect on the forward characteristics of silicon pin-diodes at high pulse currents. // Solid State Electron., 1973, v. 16, pp. 1337−1346.
- Storm H.F. An involute gate-emitter configuration for thyristors. // IEEE Trans., 1974, v. ED-21, p.520−522.
- Брылевский В.И., Левинштейн M.E., Чашников И. Г. Динамическая локализация тока в переходном процессе включения тиристоров. И ЖТФ, 1984, т.54,№ 1, с. 124−130.
- Кремниевые вентили. Под ред.С. Б. Юдицкого. 11 М.: Энергия, 1968. — 302с.
- Волле В.М., Воронков В. Б., Грехов И. В. Исследование процессавключения мощного тиристора с инжектирующим электродом управления. // Электротехническая промышленность, сер. Преобразовательная техника, 1972, № 5, с. 7−9.
- Волле В.М., Воронков В. Б., Грехов И. В. и др. Включение тиристора с дополнительным „плавающим“ или с дополнительным „закороченным“ эмиттером. // Электротехническая промышленность, сер. Преобразовательная техника, 1975, № 9, с.5−7.
- Silard A., Marinescu V. Computed-aided experimental investigation of the correct turn-on in thyristors with amplituing gate. // Electron. Lett., 1975, v. ll, N17, p.33−35.
- Ашкинази Г. А, Ковров AM., Кузьмин B.JI. и др. Исследование включения тиристоров с регенеративным управлением. // Электротехническая промышленность, сер. Преобразовательная техника, 1974, № 8, с. 11−12.
- Фихтенгольц З. И, Особенности регенеративного управления в мощных тиристорах. // Электротехническая промышленность, сер. Преобразовательная техника, 1976, № 12, с.4−5.
- Temple V., Ferro A. High power dual amplifying gate light triggered thyristors. //ШЕЕ Trans. Electron. Dev., 1976, VED-13, N8, p.893−898.
- Дерменжи П.Г., Ковров A.M., Рудысо В.Д, Рухамкин В. М. Предельная dl/dt стойкость силовых быстродействующих тиристоров с усиленным управляющим электродом. // Электротехническая промышленность, сер. Преобразовательная техника, 1984, № 10, с. 1−3.
- Грехов И.В. Новые методы быстрой коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами. // Электротехника, 1984, № 3, с.21−25.
- Уваров А.И. „Критический“ заряд включения тиристоров. // В кн.: Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов. JL: Наука, 1989, с. 151−161.
- Gerlach W. Light-activated power thyristors. // Solid State Devices, Institute of Physics Conference, 1976, Series No.31, pp.111−113.
- Silber D., Winter W., Fullmann M. Progress in light activated power thyristors. //IEEE Trans., 1976, v. ED-23, pp. 899−904.
- Грехов И.В., Яссиевич И. Н. Теория диодного силового оптоэлекгронного переключателя. // ФТП, 1979, т. 13, № 9, с. 1710−1721.
- Zucker O.S.F., Long Y.R., Smith V.L., Page D.I., Hower P.L. Experimental demonstration of high-power fast-rise-time switching in silicon junction semiconductors. //Appl. Phys. Lett., 1976, V.29, N8, p.261−263.
- Волле B.M., Воронков В. Б., Грехов И. В. и др. Мощный наносекундный тиристорный переключатель, коммутируемый импульсом света. // ЖГФ, 1981, т.51, № 2, с.373−379.
- Питман П., Пейдж Д. Коммутирование импульсов большой мощности с помощью полупроводниковых приборов. // Пер. с англ. под ред. Э. И. Асиновского. — В кн.: Импульсные системы большой мощности. М.: Мир, 1981, с.65−80.
- Грехов И. В» Козлов В. А., Левинштейн М. Е., Сергеев В. Г. Мощный оптоэлекгронный переключатель микросекундного диапазона. // Письма в ЖГФ, 1982, т.8, № 14, с.853−855.
- Кузьмин В. А Теория эффекта dU/dt в тиристорах. // В кн.: Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов. Л.: Наука, 1969, с. 106−112.
- Белов А.Ф., Волле В. М., Воронков В. Б., Грехов И. В. К вопросу о переключении тиристоров эффектом dU/dt. // Радиотехника и электроника, 1971, т.16, № 9, с.1736−1738.
- Пейдж Д. Успехи в разработке мощных полупроводниковых коммутаторов с высоким dl/dt. //Пер. с англ. под ред. Э. И. Асиновского и В. С. Комелькова. В кн.: Накопление и коммутация энергии больших плотностей. М.: Мир, 1979, с. З 58−370.
- Грехов И.В., Кардо-Сысоев А.Ф., Крикленко A.B. Управление мощными полупроводниковыми переключателями с помощью СВЧ излучения. // ПТФ, 1982, т.16, № 10, с. 1729−1733.
- Брылевский В.И., Кардо-Сысоев А.Ф., Чашников И. Г. Мощные полупроводниковые коммутаторы субмикросекундного диапазона. // Электротехника, 1984, № 3, с.51−54.
- Кузьмин В.А., Сенаторов К .Я. Четырехслойные полупроводниковые приборы. //М.: Энергия, 1967. 183 с.
- Икэда С. и др. Способ зажигания тиристоров с обратной проводимостью //ПатентЯпонии № 4 836 590, заявл. 14.07.69, опубл. 06.11.73.
- Горбатюк A.B. Грехов И. В., Короткое C.B., Яковчук Н. С. Способ переключения тиристора с обратной проводимостью. // A.C. № 1 003 699 с приор, от 20.02.81.
- Аязян Р.Э., Горбатюк A.B., Паламарчук АИ. Условие включения рпрп-сгрукгуры при различных распределениях начального заряда вдоль баз. // Радиотехника и электроника, 1978, т.23, № 5, с. 1039−1045.
- Горбатюк A.B. Эффективность избыточного заряда при включении рпрп-струетур в неодномерном приближении. // ФТП, 1980, т. 14, № 7, с. 1364
- Горбатюк А.В. Динамика и устойчивость быстрых регенеративных процессов в структурах мощных тиристоров. // Препринт ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, 1985, № 962, Ленинград, 60 с.
- Горбатюк А. В. Грехов И.В., Наливкин А. В. Теория квазидиодного режима работы реверсивно-включаемых динисторов. // Препринт ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, 1986, № 1071,Ленинград, 28 с.
- Тучкевич В.М., Грехов И. В. Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами. 1988,"Наука", Ленинград, 115 с.
- Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. Перевод под ред. С. М. Рывкина, 1973, М., Мир, 442с.
- Deen R.H. Transient double injection in trap-free semiconductors. // J.Appl.Phys. 1969, v.40, No.2, pp.585−591.
- ДмитриевАП., Рожанский B.A., Цендин Л. Д. Диффузионные скачки в неоднородной столкновительной плазме с током. // УФН, 1985, т. 146, в.2, с. 237−256.
- Панютин Е. А, Чашников И. Е. Применение электронного оптического преобразователя УМИ-95 для исследования рекомбинационного излучения в кремниевых структурах. // ПТЭ, 1975, № 3, с.221−222.
- Горбатюк А. В. Грехов И.В., Короткое С. В., Муковников К. В. О влиянии электродинамических эффектов на однородность коммутационных процессов в быстродействующих полупроводниковых приборах большой мощности. //ЖТФ, 1986, т.56, № 9, с. 1860−1864.
- Блихер А. Физика тиристоров. // Пер. с англ. Под ред. И. В. Грехова, 1981,1. Л., Энергоиздат, 260с.
- Окисление, диффузия, эпитаксия. Под ред. Р. Бургера и Р. Донована, 1969, «Мир», Москва, 451с.
- Болгакс Б.И. Диффузия в полупроводниках. Физматгиз, Москва, 1961, 462 с.
- Grekhov I., Mega and gigawatt ranges repetitive mode semiconductor closing and opening switches. // Digest of The Technical Papers of The 11-th International Pulsed Power Conference, Baltimore, Maryland, USA, June 29-July 2, 1997, v. 1, pp. 425−429.
- Savage M.E. Final results from High-Current, High-Action Closing Switch Test Program at Sandia National Laboratories. // ШЕЕ Trans. On Plasma Science, 2000, v.28, No.5, pp.1451−1455.
- Schneider S., Podlesak T.F. Reverse Switching Dynistor Pulser. // IEEE Trans. On Plasma Science, 2000, v.28, No.5, pp. 1520−1523.
- Grekhov I.V., Korotkov S.V., Stepaniats A.L. Proceedings of the 1st Intern. Congress on Rad. Physics, High Power Electronics and Modification of Materials, Tomsk Russia, 24−29 Sept. 2000, pp. 240−245.
- Grekhov I.V., Korotkov S.V. «Novel semiconductor-based high-power switches and pulse generators», // Proc. European Pulsed Power Forum (EPP'02), Saint-Louis, France, 22−24 Oct. 2002, pp.15/1−15/5.
- Горбатюк A.B., Грехов И. В., Короткое C.B. Двухступенчатый импульсный запуск мощных динисторных переключателей. // Электротехника, 1984, № 11, с.42−46.
- Граужинис В.Д., Генералов С. В., Ковров AM. Силовые быстродействующие реверсивно-включаемые динисторы. //
- Тез. до клад о в к Всесоюзному совещанию «Импульсная и высокочастотная РВД-электроника» Л- Ленгидропроект, 25−26 янв. 1989, с. 1−2.
- Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов М., Мир, 1984.
- Crossvalet J., Jund С. // ШЕЕ Trans. Electron. Devices. 1967, ED-14, pp. 777−779.
- Гудушин И.В., Кичев В. П., Кудрявцев И. Ю., Сырников Э. В., Тополов В. В. Оценка потерь мощности реверсивно-включаемых динисторов в режимах генерирования высокочастотных колебаний. // Электротехника, 1989, № 10, с. 58−61.
- Грехов И.В. Современные полупроводниковые приборы для преобразования малой и средней мощности. // Известия РАН Энергетика, 1993, № 5, с. 89−98.
- Грехов И.В. Проблемы и возможности силовой полупроводниковой преобразовательной техники на основе реверсивно включаемых динисторов (РВД). //Известия РАН Энергетика, 1995 № 5, с.73−80.
- Грехов И.В. Кремниевая силовая электроника: состояние и перспективыразвития. //Материалы электронной техники, 2000, № 3, с. 9−15.
- Silber D., Maeder Н. The effect of gold concentration gradients on thyristor switching properties. // IEEE Trans. El. Dev., 1976, ED-23, No. 3, pp. 366 368.
- Bartko I., Sun K.H. Reducing the switching time of semiconductor devices by nuclear irradiation. Pat. USA, No 406 408, 01.11.77.
- Tomas В., Silber D., Berg A. Progress in GTO’s industrial line application. // IEEE IAS'85, N.-Y. Conf.Rec., 1985, pp.822−828.
- Волле B.M., Воронков В. Б., Грехов И. В., Козлов В. А. Оптимизация частотных и статических характеристик полупроводниковых приборов путем создания локальных зон повышенной рекомбинации в базовых областях. //ЖГФ, 1987, т.57, № 10, с. 1925−1929.
- Волле В.М., Воронков В. Б., Грехов И. В., Козлов В. А. Способ изготовлениятиристорных структур. A.c. № 1 533 569, Б.и. 1988, № 38.
- Као Y.C. Gerlach W. «Thyristoren fur Hoche Spannngen» IX, Berlin, Academic Verlag, 1969, pp.356−372.
- Kokosa R A, Tuft B.R. IEEE Trans. Electron Devices, 1970, v. ED-17, No.9, pp.667−669.
- Matsurawa Т., Usungla J. IEEE Trans. Electron Devices, 1970, v. ED-17, No.9, pp. 816−819.
- Кардо-Сысоев А.Ф., Решетин В. П.,. Шуман В. Б. Радиотехника и электроника, 1975 т. 20, № 8, pp. 1768−1771. 85
- Комаровских К. Ф., Осипов В. В. // Физика и техника полупроводников. !967, т.1, № 6, с.902−906.
- Волле В.М., Грехов И. В., Лизин А. И., Попова М. В. Расчет оптимальных статических параметров высоковольтных мощных тиристоров // Радиотехника и электроника, 1973, т.18, № 9, с. 1933−1939.
- Колесников В.Г., Никишин В. И., Сыноров В. Ф. «Кремниевые планарные транзисторы» под ред. Я. А. Федотова, М. «Сов. радио», 1973
- Fletcher N.H. Proc.IRE. 1957, v.45, No.6, pp.862−864.
- Горбагпок A.B., Грехов И. В., Наливкин A.B. Транзисторный эффект в двухполюсной n+pNn+ -структуре при ее импульсном инжекционном возбуждении. //Письма в ЖТФ, 1983, т.9, № 20, с. 1271−1275.
- Горбатюк A.B., Грехов И. В., Наливкин A.B. Теория переходных процессов в реверсивно-управляемых транзисторах. // Препринт ФТИ
- АН СССР 1987, № 1138, 56 с.
- Wait J. Т., Hauser JR. Beta fall off in transistors at high collector currents. // Proc. ШЕЕ 1968, v.56, No. 11, pp.2087−2088.
- Calgolari P.V., Graffi S. Influence of the emitter crowding effect on the current falloff in junction transistors. // Acta Frequenza v.38, No. 8 1969 pp.595−598.
- Bengtsson S. Semiconductor Wafer Bonding: Review of Interfacial Properties and Applications// Journ. Of Electron. Materials. 1992, V.21, N8, pp.841−862.
- Tong Q.-Y., Gosele U. Semiconductor Wafer Bonding: Science and Technology. J. Wiley&Sons, Inc., 1999, 297 c.
- Plo6e A., Krauter G. Wafer Direct Bonding: Tailoring Adhesion between Brittle Materials.// Materials Science and Engineering, 1999, R 25, No. 1−2, pp. 1−86.
- Kittel C. «Introduction to Solid State Physics» 2nd ed., J. Wiley &Sons, New York, 1986,60 р.
- Horn R. G Surface forces and their action in ceramic materials. // J. Amer. Ceram. Soc., v.75,1992, pp. 1117−1121.
- Shimbo M., Furukawa K., Fukuda K., and Tanzawa K. Silicon-to silicon direct bonding method. //J.Appl. Phys., 1986, v.60, pp.2987−2989.
- Lasky J.B. Wafer bonding for silicon-on-insulator technologies. // Appl. Phys. Lett., 1986, v.48, pp.78−80.
- Maszara W.P., Goetz G., Cavigla A., and McKitterick J.B. Bonding of Silicon wafers for Silicon-on-insulator. // J.Appl. Phys., 1988, v.64, No. 10, pp.4943−4950.
- Stengl R., Ahn K.-Y., and Gosele U. Bubble-free wafer bonding in non-cleanroom environment// J.Appl. Phys., 1988, v.27, pp. L2364−2366.
- Harendt C., Graf H.-G., Penteker E., and Hoffinger B. Review: Silicon fusion bonding and its characterization. // J.Micromech. Microeng., 1992, v.2, PP. 113−119.
- Haisma J., Spierings G.A.C., Biermann V.K.P., and Pals J. A Silicon-on-insulator wafer bonding wafer thinning technological evaluations. // Jpn. J. Appl. Phys., 1989, v.28, No.8, pp. 1426−1443.
- Stengl R., Tan T., Gosele U. A model for the silicon wafer bonding process. //Jpn. J. Appl. Phys., 1989, v.28, pp.1735−1741.
- Abe T., Takei T., Uchiyama A., Yoshizawa K., and Nakazato Y Silicon wafer bonding mechanism for silicon-on-insulator structures. // Jpn. J. Appl. Phys., 1990, v.29, No. 12, pp. L2311-L2314.
- Barth P.W. Silicon fusion bonding for fabrication of sensors, actuators and microstructures. //Sensors and Actuators, 1990, V. A21−23, pp.919−925.
- Maszara W.P. Silicon-on-insulator by wafer bonding: A review// J.Electrochem. Soc., 1991, v. 138, pp.341 116. Lee L.H. Molecular bonding mechanism for solid adhesion. // J.Adhes., 1992, v.37, pp.187−191.
- Pauling L. The Nature of the Chemical Bond, 3rd ed., Cornel University Press, Ithaca, N.Y. 1960, 458 p.
- Sunada T., Yasaka T., Takakura M., Sugigama T., Miyazaki S., and Hirose M. The role of fluorine termination in the chemical stability of HF-treated Si surfaces//Jpn. J. Appl. Phys., 1990, v.29, pp. L2408-L2412.
- Iler R.K. The Chemistry of Silica, Wiley, N.Y. 1979, 645 p.
- Charles R.J., Static fatigue of glass. I. //J. Appl. Phys., 1958, v.29, pp. 15 491 553.
- Shilze H. Glass: Nature, Structure and Properties. Springer-Verlag, NY, 1991, 338 p.
- Armistead C.G., Tyler A.J., Hambleton F.H., Mithcell S.A., and Hockey J.A. The surface hydroxylation of silica. // J.Phys.Chem. 1969, v.73, pp.39 473 953.
- Michalske T.A. and Bunker B.C. Slow fracture model based on strained silicate structure. //J. Appl. Phys., 1984, v.56, pp. 2686−2692.
- Grundner M. High-resolution electron energy-loss spectroscopy measurements of hydrophilic silicon (100) wafers- temperature and aging effects. //J. Vac. Sci. Technol. A, 1987, v.5, No.4, pp.2011−2017.
- M. Morita, T. Ohmi, E. Nasegava, M. Kawakami, and M. Ohawada, Growth of native oxide on a silicon surface. // J.Appl.Phys., 1990, v.68, pp. 12 721 276.
- Tong Q.-Y. and Gosele U. A model of low temperature wafer bonding and its applications. //J. Electrochem. Soc. 1996. v. 143, pp. 1773−1778.
- E.A. Irene, E. Tierney, and J. Angilello A viscous flow model to explain the appearance of high density thermal S1O2 at low oxidation temperature. J.Electrochem.Soc., 1982, v. 139, pp. 2594−2598.
- Horiuchi M and Aoki Sh. Characteristics of silicon wafer-bonding strengthening by annealing. // J.Electrochem. Soc. 1992, v. 139, No.9, pp.2589−2594.
- Ljungberg K., Soderbarg A., and Blacklund Y. Spontaneous bonding of hydrophobic silicon surfaces. //Appl.Phys.Lett., 1993, v.62, pp. 1362−1367.
- Ljungberg K., Soderbarg A., Bengtsson S., and Jauhiainen A. Characterization of spontaneously bonded hydrophobic silicon surfaces//J.Electrochem. Soc. 1994, v. 141, pp.562−567.
- Blacklund Y., Ljungberg K., and Soderbarg A. A suggested mechanism for silicon direct bonding from studying hydrophylic and hydrophobic surfaces. //J.Micromech.Microeng. 1992, v.2, pp.158−160.
- Ljungberg K., Blacklund Y., Soderbarg A., Bergh M., Andersson O., and Bengtsson S. Effects of HF cleaning prior to silicon wafer bonding. // J.Electrochem.Soc. 1995, v. 142, pp. 1297−1301.
- Tong Q.-Y., Schmidt E., and Gfisele U. Hydrophobic Silicon Wafer Bonding. //Appl. Phys. Lett. 1994, v.64, pp.625−627.
- Metsik M.S. Splitting of mica crystals and surface energy. // J.Adhes., 1972, v.3, pp.307−310.
- Tong Q.-Y., Cha G., Gafiteanu R., and Gosele U. Low temperature wafer direct bonding. //J. Microelectromech. Syst., 1994, v.3, pp.29−36.
- Kissinger G. and Kissinger W. Void-free Silicon-Wafer-Bond Strengthening in the 200−400°C Range. //Sens. Actuators 1993, v.36, pp. 149−154.
- Miiller B and Stoffel A. Tensile strength characterization of low-temperature fusion-bonded wafers // H.Micromech. Microeng. 1991, v. 1, pp. 161−166.
- Maszara W.P., Jiang B.-L., Rozgonyi G.A., Baumgart H., and de Kick A.J.R. Role of surface morphology in wafer bonding. // J.Appl. Phys. 1991, v.69, No. l, pp.257−260.
- Kern W. and Puotinen D.A. Cleaning solutions based on hydrogen peroxide for use in silicon semiconductor technology. // RCA Rev. June 1970, v.31, pp. 187−206.
- Tong Q.-Y. and Gosele U. Thick wafer bonding. Proc. Of the 3rd Intern. Symp. on Semiconductor Wafer Bonding Science, Technology and Applicatios. Electrochemical Society. 1995, Pennington NJ. Vols. 95−7, pp. 155−162.
- Mack S., Baumann H., and Gosele U. Gas development at the interface of directly bonded silicon wafers: Investigation on silicon based pressure sensors. // Sens. Actuators A, 1996, v.56, pp.273−279.
- Mitani K., Lehmann V., Stengl R., Feijeo D., Gosele U., and Massond H.Z. Causes and prevention of temperature-dependent bubbles in silicon wafer bonding //Jpn. J. Appl. Phys., 1991, v.30, pp.615−622.
- Lindner R. and Hofmann-Tikkanen R. Characterization of the Interface of Sillicon pn-Junctions Fabricated by the Silicon Direct Bonding (SDB) Method. // Springer Proceedings in Physics, 1989, v.35, pp.219−224.
- Ohashi H., Furukawa K., Atsuta M., Nakagawa A., and Imamura K. Study of Si-wafer direct bonded interface effect on power device characteristics. // Technical Digest of BEDM, 1987, Washington, D.C., pp.687−692.
- Mack S., Baumann H., Gosele U, Werner H., and Schflgl. Analysis of the bonding related gas enclosure in micromashined cavities sealed by silicon wafer bonding. //J. Electrochem. Soc. 1997, v. 144, pp. 1106−1112.
- Mitani K., Gosele U. Formation of interface bubbles in bonded silicon wafers: A thermodynamic model //Appl. Phys. A, 1992, v.54, pp.543−550.
- Mitani K., Gosele U. Wafer Bonding Technology for Silicon-on-Insulator Application: A Review // J. of Electronic Materials 1992, v.21, N7. pp. 669 676.
- Harendt C., Hofflinger B., Graf H.-G. and Penteker E. Silicon Direct
- Bonding for Sensor Applications: Characterization of the Bond Quality. // Sensors and Actuators 1991, A, 25−27, pp. 87−92.
- Енишерлова K.JI. Прямое соединение полупроводниковых пластин -новая современная технология электронной промышленности. Фундаментальные проблемы российской металлургии на пороге XXI века, 1998, Москва, изд. РАЕН, т.4, стр. 143−192.
- Stengl R., Ahn K.-Y., Mii Т., Yang W.-S., and Gdsele U. Tunneling structures fabricated by silicon wafer direct bonding // Jpn. J. Appl. Phys. 1989, v.28, pp. 2405−2412.
- Widdershoven F.P., Haisma J., and Naus J. Boron contamination and antimony segregation at the interface of directly bonded silicon wafers. // J.Appl.Phys., 1990, v. 68, pp.6253−6255.
- Bengtsson and Engstrom O. Electrical methods for characterizing directly bonded silicon/silicon interfaces // Jpn. J. Appl. Phys. 1991, v.30, No.2, pp. 356−361.
- Bengtsson S. and Engstrom O. Interface charge control of directly bonded silicon structures. //J. Appl. Phys. 1989, v.66, pp. 1231−1234.
- Ohashi H., Furukawa K., Atsuta M., Nakagawa A., and Imamura K. Study of Si-wafer directly bonded interface effect on power device characteristics. // Int. Electron. Dev Meet. Tech. Dig., 1987, p. 678−682.
- Atsuta M., Ogura Т., Nakagawa A., and Ohashi H. An NPN transistor fabricated by Silicon Wafer Direct-Bonding // Proc. of the 19th Intern. Conference on Solid State Devices and Materials. Tokyo, 1987, pp.47−50.
- Ohashi H., Ohura J., Tsukakoshi Т., and Shimbo M. Improved dielectrically isolated device integration by silicon wafer direct bonding (SDB) technique.
- Technical Digest of the IEDM 1986, San Francisco, CA, pp.210−213.
- Nakagawa A., Funaki H., and Omura I. High voltage SOI technology // Proceedings of 3rd International Symp. on Semicond. Wafer Bonding: Science, Technology and Applications. The Electrochemical Society. 1995, Pennington, NJ, Vols. 95−7, pp.411−415.
- Nakagawa A., Yamaguchi Y., Matsudai T., and Yasuhara N. 200 °C high-temperature and high-speed operation of 440 V lateral IGBTs on 1.5 |xm thick SOI. //Techn. Dig. of the IEDM. 1993, Washington, DC, pp.687−690.
- Nakagawa A., Watanabe K., Yamaguchi Y., Ohashi H., and Furukawa K. 1800 V bipolar-mode MOSFETs: a first application of SDB technique to a power device. // Techn. Dig. of the IEDM 1986, San Francisco, CA, pp. 122 126.
- Wang Y., Zheng X., Liu L., and Li Z. «A novel structure of pressure sensors» // IEEE Trans. Electron. Devices, 1991, pp. 1797 -1799.
- Wiget R., Burte E. P, Gyulai J., Ryssel H. Silicon to silicon direct bonding -characterization of the interface and manufacture or p-i-n diodes. // Proceedings of EPE'93, pp.63−68.
- Yeh Ching-Fa and Hwangley Shyang. The novel preparaion of p-n junction mesa diodes by silicon-wafer direct bonding (SDB). // Jpn. J. Appl. Phys., 1992, v.31,pp. 1535−1540.
- Parkes C., Mitchell N.S.J., Gamble H.S., Armstrong B.M. «Silicon direct bonding for power device manufacture,» // Proceedings of EPE-MADEP'91, pp. 0−047−0-052.
- Wilson R, Gamble H.S., Mitchell N.S.J. «Improvement of silicon power device characteristics using bonding technology,» //Proc. of 1st Intern. Symp. on Semiconductor wafer bonding, 1992, v. 92−7, pp.678−682.
- Волле B.M., Воронков В. Б., Грехов И. В., Козлов В. А. Применение технологии твердофазного прямого сращивания кремния при изготовлении полупроводниковых структур для силовой электроники. //Электротехника, 1992, вып.2, с. 58−64.
- Волле В.М., Воронков В. Б., Грехов И. В., Козлов В. А. Формирование рп-переходов методом прямого сращивания кремниевых пластин (ПСК), // Письма в ЖТФ, 1989, т. 15, вып. 18, с.59−63.
- Goetz C.G., «Generalized reaction bonding,» // Proc. of 1st Intern. Symp. on Semicond. Wafer Bonding, Proc. of 1st Intern. Symp. on Semiconductor wafer bonding, 1992, v. 92−7, pp.65−69.
- Okuno Y. Investigation on direct bonding of Ш-V semiconductor wafers with lattice mismatch and orientation mismatch // Appl.Phys.lett. 1996, v.68, No.20, pp.2855−2857.
- Lehmann V., Mitani K., Stengl R., Mii Т., and Gdsele U. «Bubble-free wafer bonding of GaAS and InP on silicon in a microcleanroom,» Jpn. J. Appl. Phys., 1989, v. 28, pp. L2141-L2143.
- Klem J.F., Jones E.D., Myers D.R., and Lott J. A. Characterization of thin AlGaAs/InGaAs/GaAs quantum-well structures bonded directly to SiO^Si and glass Substrates. // J. Appl. Phys., 1989, v.66, pp.459−462.
- Haisma J., Spierings B., Biermann U., and Van Gorkum A. «Diversity and feasibility of direct bonding: A survey of a dedicated optical technology,» // Appl. Opt., 1994, v. 33, pp. 1154−1157.
- Abe T., Ohki K., Uchiyama A., Nakazawa K., and Nakazato Y. Dislocation free silicon on sapphire wafers and devices. // Jpn. J. Appl. Phys., 1994, v. 33, pp. 514−517.
- Imthurn G.P., Garcia G.A., Walker H.W., and Forbes L. Bonded silicon-on -sapphire wafers and devices // J. Appl. Phys. 1992, v. 72, pp.2526−2529.
- Tong Q.-Y., Gosele U., Yaun C., Steckl A., and Reiche M. Silicon carbide wafer bonding. //J. Electrochem. Soc., 1995, v. 142, pp.232−235.
- Di Cioccio L., Le Tiec Y., Letertre F., Jaussand C., and Bruel M. Silicon carbide on insulator formation using the Smart Cut process. // Electron. Lett., 1996, v. 32, p. 1144.
- Tong Q.-Y., Lee T.H., Werner P., Gosele U., Bergmann R.B., and Werner J.H. Fabrication of single crystalline SiC layer on high temperature glass. // J.Electrochem. Soc., 1997,144, pp. Llll-1113.
- Cox M.J., Kim M.J., and Carpenter R.W. Atomically Flat Silicon/Germanium (100) Interfaces UHV Bonding. // 2001 Spring MRS
- Meeting Proceedings, San Francisco, 2001, April 16−18, v. 68IE, paper 14.2
- Zahler J.M., Atwater H.A., Zaghi Sh., Chu Ch., lies P. Ohmic, Metal -free Bonding of Germanium Film Transferred by Direct Wafer Bonding to Silicon. // 2001 Spring MRS Meeting Proceedings, San Francisco, 2001, April 16−18, v. 68IE, paper 14.5.
- Parkes C. et al. The Manufacture of Silicon Power Devices using Welding Techniques, // Proceedings 7th IMC Conference on Adv. Man. Tech. and Syst., Sept. 1990, pp. 462−465.
- АмензадеЮ.А Теория упругости. Москва, Высшая школа, 1971, 287 с.
- Владимиров В.И. Физическая природа разрушения металлов. Металлургия. М. 1984, 280 с.
- Sendeckyj G.P. Screw dislocations in inhomogeneous solids. //In: Fundamental Aspects of Dislocation Theory. Ed. J. A Summons, R. de Wit, R. Bullough. Nat. Bur. Stand. (U.S.). Spec. Publ. 1970, v. l, p.57.
- Hecker M., Romanov A.E. The stress fields of an edge dislocation near a wedge-shaped boundary. // Phys. Stat. Sol. (a), 1992, v. 130, No. l, p.91−101.
- Mura T. In: Advances in Material Research. Ed. H. Herman. Interscience Publ. N.Y. 1968, v.3, 108 p.
- Furukawa K, Shimbo M., Fukuda K., and Tanzawa K. Lattice Configuration and Electrical Properties at the Interface of Direct Bonded Silicon // Proc. of the 18th Intern. Conference on Solid State Devices and Materials. Tokyo, 1986, pp.533−536.
- Ahn K.-Y., Stengl R., Tan T.Y., Gosele U., and Smith P. Growth, Shrinkage, and Stability of Interfacial Oxide Layers Between Directly Bonded Silicon Wafers. //Appl. Phys. A, 1990, v.50, pp.85−94.
- Kingery W.D. Introduction to Ceramics John Wiley & Sons, New York, 1976, Chps. 4,5, and 14.
- Hirt J. and Lothe J. Theory of Dislocations. John Wiley & Sons, New York, 1982.
- Мильвидский М.Г., Освенский В. Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. Металлургия, М. 1985, 160 с.
- Tsaur B.-Y., Fan J.C.C., Geis M.W. Stress-enhanced carrier mobility in zone-melting recristalline polycrystalline Si films on Si02-coated substrates. //Appl.Phys.Lett., 1982, v.40, No.4, pp.322−326.
- Борен К., Хафмен Д. Поглощение и рассеяние света малыми частицами. Мир, 19 866 660с.
- Борисевич H.A., Верещагин В. Г., Велидов М. А. Инфракрасные фильтры. Наука и Техника. 1971, Минск, 660 с.
- Cardona М., Paul W., Brooks Н. J. Phys. Chem. Solids 1959, v. 8, pp. 204−207.
- Концевой Ю.А., Литвинов Ю. А., Фатгахов E.A. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. Радио и связь, М. 19 826 240 с.
- Timoshenko S., Strength of Materials, Part П, 3rd ed. van Nostrand, New York, 1958.
- Gutkin M.Yu., Aifantis E.C. Screw dislocation in gradient elasticity. // ScriptaMaterialia 1996, v.35, No. ll, pp. 1353−1358.
- Gutkin M.Yu., Aifantis E.C. Edge dislocation in gradient elasticity. // Scripta Materialia 1997, v.36, No. l, pp. 129−135.
- Берман Л.С., Ременюк А. Д., Толстобров М. Г. Универсальная установка для емкостной спектроскопии полупроводников, автоматизированная на основе цифровой техники // Препринт No. 974 ФТИ им. А. Ф. Иоффе 1985 г., 15 с.
- Берман Л.С. Исследование объемных глубоких центров со сплошным энергетическим спектром методом изотермической релаксации емкости. //Физика и техника полупроводников 1980, т. 14, № 3, с.588−590.
- Lax В., Neustadter S. //J. Appl. Phys., 1954, v.25, No.9, pp. 1148 -1154.
- Sah C.T. and Wang C.T. Experiments on the origin of process-induced recombination centers in silicon. // J. Appl. Phys. 1975, v.46, pp. 1767−1770.
- Bengtsson S. and Engstrom O. Temperature Preparation of Silicon/Silicon Interfaces by the Silicon-to Silicon Direct Bonding Method, // J.Electrochem.Soc., 1990, v. 137, No.7, pp. 2297−2303.
- Волле B.M., Воронков В. Б., Грехов И. В., Козлов В. А. Прямая ВАХ диодов, полученных методом прямого сращивания кремниевых пластин (ПСК). //Письма в ЖТФ, 1990, т. 16, вып. 14, с. 6−9.
- Bowen D.K., Tanner В.К. High Resolution X-ray DifFractometry and Topography Bristol: Taylor & Francis, 1998, 251 p.
- Ohring M. The material Science and Thin Films. Acad. Press Limited, 1991, 703p.213. «Fundamentals of Silicon Integrated Device Technology». Ed. by. Burger R. M, vol. 1. New Jercey, 1967.1. ОАО"Электровыпрямитель"1. АКТ
- ОБ ИСПОЛЬЗОВАНИИ ИЗОБРЕТЕНИЯ? У" ¿-Ф 2003 г.
- ОАО"Электровыпрямитель" В.А.Мартыненко
- ЗАПОРОЖСКОЕ ПРОИЗВОДСТВЕННОЕ ОБЪЕДИНЕНИЕ &bdquo-ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ"330 069, г. Запорожьел Р1 21−11 ' Заместителю директора1. От ЫФТИ им. А. Ф. Иоффея № 11 217−48/633,I от 19.10.82 194 021, Ленинград,^ Политехническая, 26
- Об экономическом эффекте ' /на тиристоры «Интерэлектро» *•/
- На нашем предприятии используются результаты совместной с ФТИ им. А. Ф. Иоффе «Высоковольтный тиристор: с малым временем выключения». Эти результаты заложены в разработку тиристоров серии «Интерэлектро» (а.с.№ 593 601) —
- Ожидаемый экономический эффект в 1982 г. составит по предварительным оценкам200 тыс. руб.
- В 1983 г. планируется выпустить «•'30 тыс.шт. вышеуказанных тиристоров.1. Главный инженер1. Сидорский1. Павлынив 598−2 755 435—10.000.1. АКТТЗИТ? ТГР-ЕНИЯ
- По положительным результатам проверки в 3 кв. 1982 г. осуществи, но внедрение предложенной авторами конструкции, что позволило повысить предельную частоту следования импульсных тиристоров до.25−50 К. и предельную рабочую температуру до 150 °C.
- Повышение технико-экономических параметров разработанных тиристоров к настоящему времени обеспечило получение экономического эффе. та в размере 100 т.руб.
- Начальник отделения, А 2 В.А.Фогель1. ТЭЗ им. М.И.Калинина
- Типовая межведомственная форма Р-21. АКТоб использовании изобретения22 „У1986 Г.
- Регистрационный номер авторского сивдетельства5 936 011. Название изобретения1. Тиристориспользовано с * 12″ Февраля 1984 г, в СКВ Таллинского элект! технического завода (ТЭЗ) им“ М. И. Калинина в соответствии с форь лой изобретения.
- В объекте техники использованы все признаки п. I формулы изобреа ния.
- Объем использования мелкосерийное производство1. Начальник СКВ1. ТЭЗ им. М.И.Калинина1. ТЭЗ им. М.И.Калинина
- Типовая межведомственная форма Р-21. АКТоб использовании изобретения1. У» У 1986 г.-и
- В объекте техники использованы все признаки п. I формулы изобре тения.
- Объем использования мелкосерийное производство1. Б. Л. Войтикс В .Л .Кузьмин
- Главный инжен ТЭЗ им. М.И.
- Начальник СКБ ТЭЗ им. М.И.Калинина
- Директор^ООО «Мегаимпульс"1. А.Г.Люблинский1. АКТо внедрении разработок шего намного сотрудника ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН Костиной Людмилы Серафимовны
- Диаметр кремниевой пластины, мм 40 40
- Повторяющееся максимальное напряжение в выключенном состоянии Цо! ш, кВ 2.0 1.2
- Повторяющаяся максимальная сила тока синусоидальной формы (длительность 50 мке), 1р, кА 60 60
- Критическая скорость нарастания тока во включенном состоянии (сИ/&)криг, кА/мкс 15 15
- Критическая скорость нарастания напряжения в выключенном состоянии (<�Ш/&)крит, кВ/мкс 0.8 0.8
- Время выключения йь мке 100 25
- Максимальное прямое падение напряжения при 1=1р и&trade-, В 20 20
- По своим характеристикам переключения разработанные приборы не имеют мировых аналогов и могут быть использованы как для импульсной коммутации сверхбольших мощностей (РВД-1), $ так и для построения мощных преобразователей (РВД-2).
- Дирекго.э?|ОС> «Мегаимпульс"1. А.Г.Люблинский1. АКТо внедрении разработки 1ршего научного сотрудника ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН Костиной Людмилы Серафимовны
- Диаметр кремниевой пластины, мм 40
- Повторяющееся импульсное напряжениев выключенном состоянии 1Ъ1ш, кВ 2−2,5
- Повторяющийся импульсный ток синусоидальнойформы (длительность импульса 50 мкс) 1р, кА 80
- Перегрузочный прямой ток синусоидальной формы (длительность импульса 10 мс) 1 км, кА 6
- Критическая скорость нарастания тока во включенном состоянии с11/сксгй, кА/мкс 20
- Критическая скорость нарастания напряжения ввыключенном состоянии сШУ&ай, кВ/мкс >1,2
- Время выключения Ц, мкс ~50
- Максимальное прямое падение напряжения при I = 1р, Цтм, В 15−20
- Блокируемое напряжение ЮкВ Импульсный ток 6кА
- Длительность импульса 1мкс Джиттер <0,1 мкс1. Частота повторения 300 Гц
- Генератор изготовлен в ООО «Мегаимпульс» в 1998 году по договору 98ЕМСК/470 324К-796КР с Институтом полупроводников (Хебей, Китай).
- Акт выдан для представления в диссертационный совет.1. ДиректооСЮО «Мегаимпульс"хА-Г.Люблинский11 I1. АКТо внедрении разработокстаршего научного сотрудника ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН Костиной Людмилы Серафимовны
- Акт выдан для представления в диссертационный совет.