Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Быстропротекающие процессы в щелочно-галоидных кристаллах и азидах тяжелых металлов при импульсном возбуждении

Диссертация: Быстропротекающие процессы в щелочно-галоидных кристаллах и азидах тяжелых металлов при импульсном возбуждении
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Использование мощных импульсов электронных ускорителей и оптических квантовых генераторов (ОКГ) наносекундного, а в случае ОКГ пико и фемгосекувдного диапазона для исследования быстропротекающих радиа-ционно-стимулированных процессов в пшрокощелевых твердых телах в течение последних 20−25 лет является одной из быстроразвивающихся областей радиационной физики твердого тела (см., например… Читать ещё >

Содержание

  • ЧАСТЬ 1. Разработка экспериментальной аппаратуры для исследования быстропротекающих процессов."
  • Глава 1. Источники возбуждения
    • 1. 1. Ускорители электронов с наносекундной длительностью импульса
    • 1. 2. Получение пикосекундных электронных пучков
      • 1. 2. 1. Конструкция формирователя импульсов электронов пикосекундной длительности
      • 1. 2. 2. Измерение параметров импульса пучка электронов
    • 1. 3. Лазерный источник возбуждения
    • 1. 4. Синхронизированные электронные и лазерные пучки
  • Глава 2. Экспериментальная аппаратура для исследования оптических и электрофизических нестационарных процессов в диэлектриках на базе ускорителя электронов
    • 2. 1. Измерение кинетики свечения и оптического поглощения в выделенных спектральных интервалах
      • 2. 1. 1. Общая блок-схема
      • 2. 1. 2. Функциональная схема установки
      • 2. 1. 3. Оптическая схема установки
      • 2. 1. 4. Источник зондирующего света и приемник излучения
      • 2. 1. 5. Синхронизация элементов установки
    • 2. 2. Измерение спектрально-кинетических характеристик с одновременной регистрацией в широком спектральном интервале
      • 2. 2. 1. Функциональная схема спектрометра
      • 2. 2. 2. Калибровка основных элементов спектрометра
    • 2. 3. Экспериментальная установка для измерения нестационарной электропроводности диэлектриков
      • 2. 3. 1. Экспериментальная установка на базе наносекундного ускорителя электронов
      • 2. 3. 2. Экспериментальная установка на базе пикосекундного ускорителя электронов
  • Глава 3. Экспериментальная аппаратура для исследования оптических и электрофизических нестационарных процессов в диэлектриках на базе лазерного источника возбуждения
    • 3. 1. Установка для измерения нестационарной проводимости взрывающихся образцов
    • 3. 2. Установка для синхронного измерения тока проводимости, акустического сигнала и свечения взрывающихся образцов
    • 3. 3. Установка для измерения спектров взрывной люминесценции
    • 3. 4. Установка для синхронного измерения кинетики свечения и оптического поглощения взрывающихся образцов
    • 3. 6. Экспериментальные ячейки
  • Основные результаты части
  • ЧАСТЬ II. Релаксация неравновесных зонных носителей заряда в ионных кристаллах при пикосекундном электронном воздействии
  • Глава 4. Малоинерционные процессы в широкозонных диэлектриках, связанные со свободными носителями заряда (анализ литературы)
    • 4. 1. Оптические эффекты в широкощелевых материалах, обусловленные зонными носителями заряда
      • 4. 1. 1. Внутризонное поглощение
      • 4. 1. 2. Внутризонная люминесценция
      • 4. 1. 3. Ооговно-вадентная люминесценция. ИЗ
      • 4. 1. 4. Задержка создания центров окраски, разгорание и затухание люминесценции, обусловленные временем жизни электронов в зоне проводимости
      • 4. 1. 5. Движение нерелаксированных дырок в щелочногаловдных кристаллах
    • 4. 2. Электропроводность ионных кристаллов, связанная с термализованными электронами зоны проводимости
      • 4. 2. 1. Анализ возможности определения микроскопических характеристик методом импульсной проводимости
      • 4. 2. 2. Подвижность зонных носителей заряда в ионных кристаллах
      • 4. 2. 3. Влияние радиационных и структурных дефектов на проводимость ионных кристаллов
    • 4. 3. Неравновесная проводимость ионных кристаллов при возбуждении плотными пучками электронов наносекундной длительности
    • 4. 4. Постановка задачи исследования
  • Глава 5. Релаксация неравновесных зонных носителей заряда в щелочногаловдных кристаллах с решеткой типа ЫаСь [3, 137−156]
    • 5. 1. Объекты и методики исследования
    • 5. 2. Влияние плотности возбуждения на импульсную проводимость кристаллов
    • 5. 3. Влияние температуры на импульсную проводимость кристаллов
    • 5. 4. Модель процессов релаксации зонных носителей заряда в кристаллах с решеткой типа ЫаС
      • 5. 4. 1. Эффекты, связанные с плотностью возбуждения
      • 5. 4. 2. Эффекты, связанные с влиянием температуры
    • 5. 5. Релаксация дырок валентной зоны при импульсном возбуждении электронами
    • 5. 6. Основные результаты главы
  • Глава 6. Релаксация неравновесных зонных носителей заряда в кристаллах с решеткой типа CsCl [159−167]. Л
    • 6. L Объекты и методика исследования.,
      • 6. 2. Радиационно-ивдуцированная проводимость кристаллов Csl
        • 6. 2. 1. Влияние плотности возбуждения и внешнего приложенного поля
        • 6. 2. 2. Кинетика бимолекулярной e-Vk рекомбинации
        • 6. 2. 3. Влияние температуры на радиационно-индуцированную проводимость Csl
      • 6. 3. Радиационно-ивдуцированная проводимость кристаллов CsBr
      • 6. 4. Основные результаты главы
  • ЧАСТЬ III. Взрывное разложение азидов тяжелых металлов при импульсном инициировании электронными и лазерными пучками
  • Глава 7. Экспериментальные результаты по спектроскопии кристаллов и продуктов взрывного разложения ATM- механизмы инициирования анализ литературы)
    • 7. 1. Оптические свойства и зонная структура кристаллов ATM
      • 7. 1. 1. Спектры оптического поглощения
      • 7. 1. 2. Люминесценция AIM
      • 7. 1. 3. Зонная структура ATM
    • 7. 2. Спектрально-кинетические характеристики взрывного разложения ATM
    • 7. 3. Основные закономерности и модели инициирования ATM импульсами ускоренных электронов и лазерного излучения
    • 7. 4. Постановка задачи исследования
  • Глава 8. Предвзрывная проводимость ATM
    • 8. 1. Объекты исследований и методика эксперимента
    • 8. 2. Взрывная проводимость кристаллов AgN3 при лазерном инициировании
    • 8. 3. Предвзрывная проводимость и проводимость продуктов взрыва
    • 8. 4. Взрывная проводимость AgN3 при инициировании электронным пучком
    • 8. 5. Цепной характер предвзрывной проводимости ATM
    • 8. 6. Кинетика предвзрывной проводимости
    • 8. 7. Основные результаты главы
  • Глава 9. Взрывное свечение ATM
    • 9. 1. Взрывное свечение азида серебра
      • 9. 1. 1. Взрывное свечение азида серебра при лазерном инициировании
      • 3. 1. 2. Взрывное свечение макрокристаллов AgN3 при инициировании электронным пучком
    • 9. 2. Взрывное свечение азида свинца
    • 3. 3. Взрывное свечение азида таллия
    • 9. 4. Анализ экспериментальных результатов по взрывному свечению ATM
      • 9. 4. 1. Спектры предвзрывной люминесценции
      • 9. 4. 2. Спектры свечения продуктов взрыва
    • 9. 5. Кинетика предвзрывной люминесценции
    • 9. 6. Модель предвзрывной люминесценции
    • 9. 7. Основные результаты главы
  • Глава 10. Модели взрывного разложения
    • 10. 1. Бирадикальная модель основной экзотермической реакции

Быстропротекающие процессы в щелочно-галоидных кристаллах и азидах тяжелых металлов при импульсном возбуждении (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Использование мощных импульсов электронных ускорителей и оптических квантовых генераторов (ОКГ) наносекундного, а в случае ОКГ пико и фемгосекувдного диапазона для исследования быстропротекающих радиа-ционно-стимулированных процессов в пшрокощелевых твердых телах в течение последних 20−25 лет является одной из быстроразвивающихся областей радиационной физики твердого тела (см., например, [ 1,2]). Основное внимание в этих исследованиях сосредоточено на релаксации оптического поглощения и люминесценции, обусловленных процессами создания, миграции и ассоциации локальных возбуждений кристаллической решетки (френ-келевские пары, автолокализованные экситоны и дырки, ассоциации этих простейших возбуждений между собой и с дорадиационными дефектами).

Переход к пикосекундному диапазону позволил перейти к изучению оптических эффектов, обусловленных зонными электронами и дырками: затяжки в формировании полос поглощения центров окраски и люминесценции, связанные с конечным временем жизни носителей в зонах, внутризон-ное поглощение и люминесценция, обусловленные оптическими переходами электронов и дырок внутри соответствующих зон [3].

Интерпретация результатов оптических экспериментов подобного рода оставляет поле для спекуляций, так как в этом случае часто невозможно разделить этапы когерентного переноса носителей заряда, захвата и образования возбужденного состояния с последующей релаксацией, которое проявляется при измерении люминесценции и оптического поглощения.

Поле для спекуляций резко уменьшается, если кроме оптического возможно проведение электрофизического эксперимента, например, измерение проводимости. В этом случае появляется возможность непосредственного наблюдения зонных носителей заряда и выделение стадий миграции и захвата.

Однако, к началу наших исследований временное разрешение в электрофизических экспериментах не удавалось сделать лучше ~ 1 не. Как следовало из экспериментальных работ, известных из литературы [2], в этом случае в широкозонных диэлектриках реализуется так называемый квазистационарный режим, т. е. реализуемое временное разрешение много больше времени протекания актуальных процессов миграции и захвата зонных носителей заряда. Поэтому остро назрела актуальная задача: повышение временного разрешения электрофизических измерений и выполнение импульсных измерений за пределами квазистационарного режима или, по крайней мере, исключение возможных процессов быстрых промежуточных захватов на уровни прилипания в субнаносекундном временном интервале.

Следует подчеркнуть, что все вышеизложенное относится к стабильным веществам, которые после возбуждения релаксируют к равновесному (квазиравновесному) состоянию.

Значительно более драматическая ситуация сложилась в исследованиях лабильных веществ, импульсное возбуждение которых запускает (инициирует) процесс их разложения, в том числе и взрывного.

Ситуацию удобно проиллюстрировать на примере азидов тяжелых металлов (ATM), являющихся инициирующими взрывчатыми веществами и на протяжении десятков лет служащими модельными объектами в исследовании этого класса веществ.

Уже к началу 60-х годов был накоплен огромный материал по физике и химии этих объектов и, в основном, сложились существующие представления о механизме их взрывного разложения [4,5]. Однако, несмотря на это, целый ряд не просто важных, а в ряде случаев принципиальных вопросов. связанных с механизмом взрывного разложения, остаются и по сей день дискуссионными, а в некоторых случаях даже не сформулированными.

Основной причиной этой, достаточно парадоксальной на наш взгляд, ситуации является неадекватность экспериментальных подходов, использовавшихся до последнего времени в исследованиях взрывного разложения.

Подавляющая часть этих исследований посвящена изучению процессов медленного разложения (стационарные радиолиз, фотолиз, термолиз, электрополевое разложение). Очевидно, что обоснованность перенесения полученных в этих исследованиях закономерностей на взрывное разложение весьма проблематична. Кроме того, даже для медленных процессов природа элементарного акта разложения и сам цепной характер процесса остаются до сих пор под сомнением.

Экспериментальные же исследования взрывного разложения ограничиваются, как правило, измерением ряда интегральных характеристик (энергия, выделяющаяся при взрыве, пороговая энергия инициирования, зависимость длительности индукционного периода от энергии инициирования и т. д.). Ясно, что сделать сколько-нибудь обоснованные выводы о природе взрывного разложения (цепной или тепловой взрыв), а тем более о механизме элементарного акта (звена цепи), на основании указанных характеристик не представляется возможным.

Иллюстрацией справедливости этого положения является тот факт, что, несмотря на длительную историю исследований (~ 50 лет!), до последнего времени оставался неясным даже характер взрыва (цепной или тепловой). Природа же элементарного акта разложения (N3 + N3 3N2) до настоящего времени остается не более, чем правдоподобной гипотезой.

Ситуация несколько напоминает положение в радиационной физике до внедрения в практику исследований метода импульсного радиолиза: на оснои вании изучения конечных продуктов цепочки сложных быстропротекаюгцих процессов предпринимались попытки восстановить картину этих процессов и природу промежуточных продуктов. Положение в радиационной физике кардинально изменилось после того, как стало доступно прямое экспериментальное изучение указанных процессов и продуктов методом импульсного радиолиза [6]. Нам представляется, что использование современной техники импульсного радиолиза и фотолиза в исследовании взрывного разложения ATM может также привести к существенному прогрессу в понимании процессов взрыва ATM и построению непротиворечивой модели элементарного акта реакции.

Актуальность проблемы

Актуальность исследований определяется ключевой ролью, которую играют короткоживущие состояния и быстропротекающие процессы в радиационной физико — химии диэлектрических материалов и взрывном разложении лабильных веществ.

Фундаментальный аспект проблемы связан с переходом к прямому экспериментальному исследованию внугризонных процессов, механизму локализации зонных электронов на дефектах (стабильные вещества) и необходимостью разработки экспериментальных подходов, позволяющих исследовать процессы развития взрывного разложения в реальном масштабе времени.

Прикладной аспект — с важной ролью внутризонных процессов в работе люминесцентных и токовых детекторов излучений и практическим использованием штатных инициирующих взрывчатых веществ (ИВВ).

Цеди и задачи работы Цели исследования:

1. Выяснение механизма процессов релаксации, определяющих проводимость зонных электронов в ЩГК.

2. Построение экспериментально обоснованной модели взрывного разложения ATM.

Цели работы объединяются общим методическим и методологическим подходом, используемым для их достижения: исследование актуальных процессов в реальном масштабе времени.

Достижение поставленных целей потребовало решения следующих основных задач.

1. Повышение временного разрешения измерений импульсной радиа-ционно — стимулированной проводимости диэлектриков до ~ 10″ 10 с.

2. Адаптация техники и методологии импульсного радиолиза и фотолиза к исследованию взрывающихся образцов.

3. Исследование кинетики импульсной радиационно — стимулированной проводимости ЩГК с временным разрешением ~ 10″ 10 с в широком интервале температур (12 — 400 К) и плотностей возбуждения (Ю2 — 104 А/см2).

4. Поиск и в случае их обнаружения исследование предвзрывных проводимости, люминесценции ATM.

Научная новизна

Новизна результатов работы определяется, в первую очередь, рекордным временным разрешением 10″ 10 с) впервые разработанных автором методики измерения импульсной радиационно — стимулированной проводимости диэлектриков и методики синхронного измерения оптических и электрических характеристик взрывающихся образцов в реальном масштабе времени.

Основные новые физические результаты и предложенные на основе их анализа модели перечислены в пункте «Защищаемые положения» .

Защищаемые положения

1. Разработанные аппаратурные комплексы, позволяющие осуществлять измерение кинетики импульсной радиационно — стимулированной проводимости диэлектриков с временным разрешением ~ 10″ 10 с и измерение кинетики проводимости, люминесценции, нестационарного оптического поглощения, акустического отклика взрывающихся образцов в реальном масштабе времени, а также синхронного измерения вышеперечисленных параметров.

2. Экспериментальные результаты по измерению импульсной проводимости щелочно-галовдных кристаллов с временным разрешением 10″ 10 с при возбуждении электронными пучками в интервале плотностей возбуждения 102 — 104 А/см2 и температурном диапазоне 12−300 К.

3. Экспериментально обоснованная модель процессов релаксации, определяющих проводимость зонных электронов в ЩГК, включающая термически активированное разделение генетических электронно-дырочных пар, захват электронов на стабильные и нестабильные радиационные дефекты, а также рекомбинацию их с авголокализованными дырками.

4. Измеренные и рассчитанные в рамках модели количественные результаты для времени жизни электронов зоны проводимости (KCl, КВг, NaCI, CsJ, CsBr), эффективных сечений рекомбинации электронов и дырок (KCl, КВг, NaCI, CsJ), энергии активации разделения генетических пар (KCl, CsJ), холловской подвижности электронов зоны проводимости (CsJ).

4. Обнаруженные новые явления: предвзрывная проводимость и пред-взрывная люминесценция азидов тяжелых металлов.

5. Экспериментально обоснованная модель предвзрывной люминесценции и взрывного разложения азидов тяжелых металлов, ключевыми моментами которой являются образование в процессе цепной реакции дырочного квазилокального состояния в глубине валентной зоны и ударное размножение носителей заряда горячими дырками.

Научная и практическая значимость

Научная значимость работы определяется данными о быстропроге-кающих радиационно — стимулированных процессах в ЩГТС, являющихся модельными объектами в радиационной физико — химии твердого тела, и механизме взрывного разложения ATM, являющихся модельными объектами для широкого класса ИВВ.

Результаты, полученные в работе, закладывают основы нового перспективного научного направления, исследование процессов взрывного разложения в реальном масштабе времени.

Непосредственная практическая значимость работы определяется двумя аспектами:

1. Разработанными аппаратурными комплексами для исследования нестационарных радиационнои фотостимулированных процессов в стабильных и лабильных неметаллических материалах с временным разрешением до

Ю-10 с.

2. Возможностью использования полученных данных для оценки предельных параметров быстродействующих детекторов ядерных излучений на базе ЩГК и оптимизации характеристик ИВВ на базе ATM.

Личный вклад автора

В диссертации обобщены результаты работ, выполненных лично автором, или совместно с коллегами и учениками — сотрудниками и аспирантами лаборатории импульсного радиолиза Кемеровского госуниверситета. В работах, опубликованных в соавторстве, автору принадлежат результаты, сформулированные в защищаемых положениях. Часть результатов вошла в кандидатские диссертации Г. М. Белокурова, А. Г. Кречетова и Ю. П. Сахарчука, выполненные под руководством автора. Общая постановка задачи, руководство циклом обобщенных в диссертации работ и разработка положений, выносимых на защиту, принадлежит автору.

Апробация работы

Результаты настоящей работы были доложены на следующих конференциях и семинарах: IV и V Всесоюзных и ХШ и IX международных конференциях по радиационной физике и химии ионных кристаллов (Рига 1978, 1983, Томск 1993, 1996), Ш, IV и VIII Всесоюзных симпозиумах по сильноточной электронике (Томск, 1978, 1988, Свердловск, 1990), всесоюзной конференции «Физика диэлектриков и новые области их применения» (Караганда, 1978), X Уральском совещании, но спектроскопии (Свердловск, 1980), Ш, IV, VI всесоюзных совещаниях «Воздействие ионизирующего излучения и света на гетерогенные системы» (Кемерово, 1982, 1986, 1995), ХП всесоюзной конференции по когерентной и нелинейной оптике (Москва, 1985), Ш всесоюзной конференции «Модификация свойств, конструктивных материалов пучками заряженных частиц» (Свердловск, 1991), IV международной конференции «Прочность и пластичность материалов в условиях внешних энергетических воздействий» (Новокузнецк, 1995), IX Симпозиуме по горению и взрыву (Черноголовка, 1996), ХШ ВЕЗ (Гамбург, 1996), Первом всероссийском симпозиуме по твердотельным детекторам ионизирующих излучений ТТД-97 (Екатеринбург, 1997),.ШМВЕТК*97. (Польша, 1997), XVI

Менделеевском съезде по общей и прикладной химии (Москва, 1998), VII международной конференции «Физико — химические процессы в неорганических материалах» (Кемерово, 1998), IV Всероссийской школе — семинаре «Люминесценция и сопутствующие явления» (Иркутск, 1998).

Объем и структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, трех частей, включающих 10 глав, и раздела «Основные результаты и выводы». Изложена на 374 страницах машинописного текста, содержит 158 рисунков и 10 таблиц. Список цитируемой литературы содержит 295 наименований.

Основные результаты и выводы

1. Создан ряд аппаратурных комплексов для измерения оптических и электрофизических характеристик нестационарных процессов в стабильных и лабильных неметаллических материалах на базе пюсосекуцдного ускорителя электронов и пжосекундного лазера YAG: Nd3+ позволяющих осуществлять измерение кинетики импульсной проводимости диэлектриков с временным разрешением ~ Ю'10 с и измерение кинетики проводимости, люминесценции, оптического поглощения, акустического отклика взрывающихся образцов с наносекундным временным разрешением, а также синхронного измерения вышеперечисленных параметров.

2. Исследована радиационно — индуцированная проводимость кристаллов KCl, KBr, NaCI, CsJ, CsBr в интервале плотностей возбуждения I02 — 104 А/см2 и интервале температур 12 — 300 К.

Показано, что в кристаллах с решеткой типа NaCI время жизни электронов в зоне проводимости «100 пс, в кристаллах CsBr < 100 пс и в CsJ «0,2−1 не.

3. Предложена экспериментально обоснованная модель процессов, определяющих механизм радиационно — индуцированной импульсной проводимости ЩГК в исследованном диапазоне плотностей возбуждения и температур, включающая следующие основные положения: а) проводимость связана с зонными электронами, которые после создания и термализации электронно — дырочных пар уходят от своего генетического партнера в результате термически активированного процесса, а также с электронами, термализующимися в решетке статистически, б) время жизни электронов в зоне проводимости при относительно низких плотностях возбуждения в общем случае ограничено захватом на структурные и стабильные радиационные дефекты и рекомбинацией с автолокализованными дырками. При высоких плотностях возбуждения доминирующим процессом является захват электронов зоны проводимости нестабильными радиационными дефектами, возникающими в импульсе возбуждения.

4. В рамках модели для КС1 рассчитана энергия активации разделения генетических пар Ег = 0,07 эВ, температурные зависимости сечения е — Ук рекомбинации 8= 8−10″ 4 Т3,5 см² и времени жизни электронов зоны проводимости в интервале 40−300 Кдля МаС1 — 8= 0,2−10″ 12 см², для КВг 8= 10″ 12 см² при 300 К. Для Сз! — Ег = 0,1 эВ, температурные зависимости 8= 7−10'9 Т2 см2, а также дрейфовой и холловской подвижности электронов зоны проводимости в интервале 12−300 К.

5. В рамках модели объяснены результаты оптических экспериментов по разрушению ?2 — центров зонными и автолокализованными дырками в кристалле ЬШ. Определены величины: Ег = 0,06 эВ и произведение пробега зонных дырок до автолокализации на сечение захвата дырки Р2-центром 118=1,7-Ю" 19 см³.

6. Измерена проводимость азида серебра в процессе взрывного разложения. Обнаружено новое явление — предвзрывная проводимость. Сделана оценка величины предвзрывнои проводимости, а «103 Ом» 1 см". Экспериментально доказан цепной характер реакции, вызывающей взрывное разложение образца.

7. Измерены кинетика и спектры взрывного свечения кристаллов А§ К3, РЬЫ6 и ТШ3. Обнаружено новое явление — предвзрывная люминесценция азидов тяжелых металлов.

В спектрах свечения продуктов взрыва во всех исследованных образцах наряду с линиями азота и металла обнаружены спектральные линии, не совпадающие с известными линиями основных продуктов взрывного разложения.

8. Установлено совпадение кинетики предвзрывной люминесценции и предвзрывной проводимости, отражающих кинетику цепной реакции взрывного разложения. Обработка кинетических кривых позволила сделать вывод о линейном характере развития цепи и бимолекулярном обрыве.

9. Предложена экспериментально обоснованная модель предвзрывной люминесценции ATM, согласно которой эта люминесценция связана с внут-ризонными излучательными переходами электронов в дырочные квазилокальные состояния в валентной зоне, возникающие в результате разложения.

10. Предложены возможные модели элементарного акта реакции взрывного разложения (звена цепи): бидырочная и монодырочная.

Модели включают локализацию дырок (дырки) на катионной вакансии, реконструкцию центра в результате химической реакции с образованием дырочного квазилокального состояния в валентной зоне, делокализацию дырок (дырки) с реконструированного центра, размножение носителей заряда в результате ударной ионизации горячими дырками и восстановление локального состояния в запрещенной зоне, создающего условия для повторения рассматриваемой цепочки процессов.

Экспериментально измеренные кинетики предвзрывных проводимости и люминесценции позволяют считать монодырочную модель более предпочтительной.

Автор считает своим приятным долгом выразить свою искреннюю признательность научному консультанту д.ф.-м.н. Алукеру Э. Д., общение с которым постоянно стимулировало работу автора в выбранном направлении, сотрудникам лаборатории к.ф.-м.н. Белокурову Г. М., к.ф.-м.н. Кречетову А. Г. и н.с. Швайко В. Н., совместно с которыми выполнена большая часть экспериментов и без которых было бы невозможно оформление диссертационной работы, а также всем остальным сотрудникам лаборатории импульсного радиолиза КемГУ Сахарчуку Ю. П., Фомченко В. М., Митрофанову А. Ю., Дроб-чику А.Н. за помощь в работе.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Э.Д., Гаврилов В. В., Дейч Р. Г., Чернов С. А. Быстропротекающие радиационно-стимулированные процессы в щелочногалоидных кристаллах. Рига. «Зинатне». 1987. 183 с.
  2. Высокоэнергетическая электроника твердого тела. Под ред. Д.И. Вайсбур-да. «Наука», Н. 1982, 227 с.
  3. Адуев Б. II, Алукер Э. Д., Гаврилов В. В., Дейч Р. Г., Чернов С. А. Оптические эффекты в широкощелевых материалах, обусловленные зонными носителями. // ФТТ. 1996. — № 12, — С. 3521 — 3530.
  4. BoYvden F.Р., Yofie A.D. Fast reaction in Solids, Butterworths. Scientific Publications. London, 1958. — p. 242.
  5. Energetic Materials. V. I. Edited by H.D. Fair, R.F. Walker. New York. Plenum Press, 1987. p. 501.
  6. Э.Д. Алукер, Д. Ю. Лусис, С. А. Чернов. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов. Рига. Зинатне, 1979. 251 с.
  7. .М., Месяц Г. А., Семин Б. Н., Шпак В. Г. Сильноточный нано-секундный ускоритель электронов для исследования быстропротекающих процессов. // ПТЭ. 1981. — № 4. — С. 15−18.
  8. .П., Шпак В. Г. Малогабаритный ускоритель электронов «Радан-220» с регулируемым разрядником-обострителем. // В кн. VII Всесоюзный симпозиум по сильноточной электронике. Томск — 1988. — ч. 2. — С. 258 260.
  9. .П., Шпак В. Г. Ускоритель электронов с регулируемой энергией и длительностью импульса. // ПТЭ. -1990. № 2. — с. 49−51.
  10. Tabata Т., Itoh R., Okaba S. Generalised Semiempirical Egnations for the Extapolated Range of Electrons. // Nuci, instr. End Meth. 1972. v. 103. -p. 85−91.
  11. .М., Месяц Г. А., Шпак В. Г. Генератор высоковольтных субнаносекундных электронных пучков. // ПТЭ. -1976. № 6. — с. 73−76.
  12. К.А., Петренко А. Н. Субнаносекундный электронный сильноточный ускоритель. // ПТЭ. 1985. — № 5. — с. 27−29.
  13. В.Н., Москвичев В. А. Генератор пучков быстрых электронов субнаносекундной длительности. // ПТЭ. 1985. — № 5. — с. 143−145.
  14. Э.Д., Гаврилов В. В., Дейч Р. Г., Чернов С. А. Сверхбыстрая люминесценция в Csi. // Письма в ЖЭТФ. т. 4. — вып. 2. — 1988. — с. 116−204.
  15. Сверхкороткие световые импульсы. М. «Мир», 1981, 479 с.
  16. Ф. Введение в физику лазеров. М.: Мир. 1981. 540 с.
  17. .П., Вайсбурд Д. И., Кондратов A.A., Пальянов П. А. Синхронизация ускорителя «Радан-220″ и пикосекундного ОКГ на YAG:Nd3+. // В кн. „VIII Всесоюзный симпозиум по сильноточной электронике“. Свердловск -1990.-ч. 3.-с. 60−62.
  18. .П., Вайсбурд Д. И., Кондрашов A.A., Пальянов П. А. Синхронизованные лазерные пикосекундные и электронные субнаносекундные плотные пучки для возбуждения прозрачных диэлектриков. // ПТЭ. 1991. — № 3. — с. 155−158.
  19. .П., Шкатов В. Т. Наносекундная оптическая спектроскопия диэлектриков при облучении сильноточными лучками электронов. // В кн.
  20. Всесоюзная конференция „Физика диэлектриков и новые области их применения“ тез.докл.» Караганда. 1978 — с. 127−128.
  21. .П., Шкатов В. Т. Измерение спектров оптического поглощения щелочно-галоидных кристаллов с наносекундным временным разрешением при облучении мощными пучками электронов. // ВИНИТИ № 2868−78. Деп. Известия ВУЗов. Физика. 1978. — № 12. — с. 153.
  22. .В. Атомно-абсорбционный спектральный анализ. M.: Наука, 1966. 392 с.
  23. Kondo Y., Hirai M., Ueta M. a.o. Transient Formation of Color Centres in KBr Crystals under the Pnlsed Elektron Beam. // J. Phys. Soc. Jap. 1972. — У.ЗЗ. -№ 1. — p. 151 159.
  24. H.O., Файннггейн СМ., Лифшиц Г. М. Электронные умножители. М.: Гостехиздат, 1957. 575 с.
  25. Sauerbrey G. Linearitatsabweichungen bei Strallungsmes-sungen mil Photovervielfachem. // Appl. Opt.-1972.-У. 11.-№ 11. -p. 2576−2583.
  26. A.C. Фоторегистрация быстропротекающих процессов. M.: Наука, 1975. 456 с.
  27. И.С. Импульсные источники света М.: Госэнергоиздат, 1963. 298с.
  28. Т.Д. Высокоскоростная съемка шлирен-методом. М.: Наука, 1965. 121с.
  29. Де Марко Ф., Пенко Е. Работа фотоумножителей в импульсном режиме. -// Приборы для научных исследований. 1969. — № 9. — с.28 30.
  30. Farinelli U., Malvano R. Pusiag of Photomultipliers. И Phys. Rev. 1958. — 29. — V. 8.-p. 669−701.
  31. Roose U. I Ein Ruckwirkungsfreies Dynodengate fur Photomultinlier. // Nucl. Instrum. and Methods. 1965. — v. 36. — № 2. — p. 333−334.
  32. Де Мартини Ф., Уокс К. А. Схема управления фотоумножителем для отделения спонтанного рассеяния света от стимулированного. // Приборы для научных исследований. 1967. — № 7. — с. 8−10.
  33. М., Маузерал Д. Простая наносекундная схема стробирования для фотоумножителей с боковым окном, it Приборы для научных исследований. 1972.-№ 9. — с.8−11.
  34. Wiene W. Aversatili Crenit for hight Intensity Measurements with a Gated Photomultiplier. // J. Phys., Scient. Instrum. 1973. -V. 6. -№. — p. 203−205.
  35. Г. Д., Дубровский Ю. В., Летунов A.A. Импульсное управление усилением фотоэлектронного умножителя. И ПТЭ. 1975. -№ 6. — с. 187 188.
  36. Singer S., Neher L.K., Ruechle R. Pulsed Photomultipliers for Fast Scintillation Connting. // Rev. Seien. Instrum. 1956. — V. 27. — p. 40−43.
  37. Воробьев В В., Чернов Н. И. Импульсное питание ФЭУ. // ПТЭ. 1969. -№ 4. — с. 151−152.
  38. И.В., Ивченко Н. Г., Марков Т. Н., Самылов C.B. Импульсное питание ФЭУ. //ПТЭ. 1970. 1.- с. 163−164.
  39. A.A., Скрелин: АЛ. Управление чувствительностью ФЭУ-36 внешним магнитным полем. // ПТЭ. 1972. — № 4. — с. 181−183.
  40. В.М., Герчиков Ф. Л. Управление чувствительностью ФЭУ импульсным магнитным полем. // ПТЭ. 1975. — № 4. — с. 167−168.
  41. Адуев Б. П, Шкатов В. Г. Электронный ключ для временных ФЭУ. // ПТЭ. 1978.-№ 1.-е. 163−164.
  42. Адуев Б. П, Соломатин В. И., Шкатов В. Г. Электронный ключ на тиристорах для временных ФЭУ. // ПТЭ. 1985. — № 5. — с. 149−150.
  43. А.Г., Гаванин В. А. Зайдель И.Н. Вакуумные фотоэлектронные приборы. М.: Энергия, 1976. 343 с.
  44. Адуев Б. П, Саломатин В. И., Шкатов В. Г. Источник импульсного питания фотоумножителей на таситроне. // ПТЭ. 1985. — № 2. — с. 172−173.
  45. A.M. Электрические управляемые вентили для формирования импульсов тока. М.: Энергия, 1975. 321 с. с ил.
  46. В.В. Уменьшение коэффициента усиления ФЭУ-30 // ПТЭ. ~ 1969.-№ 4.-с. 160−161.
  47. Е.И., Вознюк А. Г. Инициирование азида свинца лазерным излучением // Физика Горения и Взрыва. -1978. -Т. 14, № 4, с. 86−91.
  48. М.А. Элементарные неупругие радиационные процессы. М., Наука, 1988. 149 с.
  49. Iwai S., Tokizaki Т., Nakamura A., Shibata Т., Tanimura K., Shluger A., Itoh N. Femtosecond spectroscopy of self-trapping processes of holes and excitons in alkali halides. // J. Luminesc. 1994. 60&61. — p. 720−722.
  50. Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М., Наука, 1977. 366 с,
  51. Э.Д., Аксенов О. Е., Романенко H.JI. Горячие дырки в KC1-TL. // ФТТ.- 1969.-Т. 11-Вып. II.-С. 3403−3405.
  52. Э.Д., Гаврилов В В., Гадонас Р. А., Дейч Р. Г., Красаускас В В., Пискарскас А. С. Никосекундная релаксация оптического поглощения в Csl // ФТТ. 1987. — Т. 29. -Вып. 5-С. 1600−1602.
  53. Э.Д., Гаврилов В В., Дейч Р. Г., Коняев В. М., Чернов СЛ. Релаксация оптического поглощения и люминесценция а-А1203 и рубина, после возбуждения наносекундными импульсами электронов // Опт. и спектр. -1987.-Т. 62. -Вып. 6.-С. 1290−1293.
  54. Э.Д., Гаврилов В. В., Дейч Р. Г., Ситдиков A.M., Чернов С. А. Возможные проявления поглощения света свободными носителями в корунде и рубине // ФТТ. 1987. — Т. 29. — Вып. 5. — С. 1470−1474.
  55. Э.Д., Горбенко Б. З., Дейч Р. Г., Думбадзе Г. С., Тальвирский А. Д. Пикосекундная релаксация оптического поглощения рубина при возбуждении импульсами электронов // Опт. и спектр. 1988. — Т. 64. — Вып. 4. -С. 954−956.
  56. Р.Г. Опгическое поглощение а-А1203 при возбуждении субнаносе-кундными импульсами электронов // ФТТ. 1988. — Т. 30. — Вып. 8. — С. 2542−2544.
  57. Э.Д., Дейч Р. Г., Думбадзе Г. С., Ситдиков A.M. Кинетика релаксации наведенного оптического поглощения рубина и корунда // От. и спектр. 1989.-Т. 66. -Вып. З.-С. 596−598.
  58. Э.Д., Гаврилов В. В., Дейч Р. Г., Чернов С. А. Короткоживущее оптическое поглощение в кристаллическом кварце, наведенного наносекунд-ными импульсами электронов // ФТТ. 1985. — Т. И. — Вып. 8. — С. 34 483 450.
  59. Deich R.G., Karlina М., Nagli L, Intraband luminescence of Csl crystal. //Sol. State Communs. 1989. -B71.-4. — p. 859−862.
  60. Deich R.G., Abdralimanov M.S. Fast intrinsic luminescence in highly excited silver bromide. //Phys. Lett. 1992. — A161. — p. 392−395.
  61. Deich R.G., Abdrahmanov M.S. Picosecond radiation induced produced in wide-gar crystals. // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. 1992. — B65. — p. 525 529.
  62. M.C., Гаврилов B.B., Мендыбаев К., Чернов С. А. Люминесценция и поглощение кристаллов В GO при облучении импульсами высокоэнергетических электронов. // Опт. и спектр. 1992. — Т. 72. — Вып. 3. -С. 625.
  63. Kikas A., Elango M. Monte Carlo simulation of the cross-luminescence excitation spectrum in a CsBr crystal. // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. 1991. -A308.-P- 211−214.
  64. И.П., Кравченко В. А., Маловичко А. В., Яковлев В. Ю. Двухгало-идная дырочная автолокализация и люминесценция в галогенидах тяжелых металлов. // ФТТ. 1989. — Т. 31.- Вып 7. — С. 22−25.
  65. Я.А., Рачко З. А., Яансон Я. Л. Люминесценция, обусловленная переходами между валентными зонами в галогенидах цезия. // Опт. и спектр. 1986.-Т. 60.-Вып. 6.-С. 1100−1102.
  66. А.С., Михайлик В. П., Пидзырайло С. Н. Остовно-валентная люминесценция в кристаллах CsBr. // ФТТ. 1992. — Т. 34. — Вып. 2. — С. 681−685.
  67. Kubota S., Itoh М., Ruan J. et. al. Observation of interatomic radiative transi-tium of valence electron to outermost-core-hole states in alkali halides. // Phys. Rev. Lett. 1998. — V. 60. — 22. — p. 2319−2322.
  68. Ю.М., Куусманн И. Л., Либлих TLX. и др. Излучательные переходы между анионной и катионной валентными зонами в кристаллах CsBr. //ФТТ. 1987.-Т. 29. -Вып. 4.-С 1026—1029.
  69. И.Ф. Электронные и оптические спектры галогенидов цезия и активированных кристаллов иттрий-алюминиевого граната. // Автореферат дисс.. канд. физ.-мат. наук. Свердловск. — 1991. — 20 с.
  70. Laval М., Moszynski М., Allemant R. et. al. Barium fluoride-inorganic scintillator for subnanosecond timing // Nucl. Instr. and Meth. 1983. — v. 206. — 12. -p. 169−176.
  71. Jansons J.L., Krumins V.J., Rachco Z.A., Valbis J.A. Luminescence due to ra-diotive transition between valence band and upper core band in ionic crystals (cross-luminescence). //Phys. Stat. Sol. (b). -1987. v. 144. -2. — p. 835−844.
  72. П.А. Остовно-валентные переходы в широкозонных ионных кристаллах. // ФТТ. 1992. — Т. 34. -Вып. 7. — С. 1975−1997.
  73. Bradford Y.N., Williams R.T., Faust W.L. Study of F-center formation in KC1 on a picosecond time scale. // Phys. Rev. Lett. 1975. — V. 35. — 5. — p. 300−304.
  74. Bradford Y.N., Williams R.T., Faust W.L. Short-pulse studies of exciton relaxation and F-center formation in KC1, NaCl and NaBr. // Phys. Rev. B. 1978. — V. 18.-12,-p. 7038−7057.
  75. D’Hertoghe J., Jacobs G. Self-trapped exsiton and F-center formation by picosecond laser pulses in alkali bromides and iodides. II Phys. Stat. Sol. (b). 1979. -V. 95.-1.-p. 291−300.
  76. Williams R.T., Hanli Liu, Williams G.P. Picosecond and subpicosecond optical spectroscopy for the study of F-center formation in KBr and RbBr at 296K. // Rev. of Sol. State Science. 1990. -v. 4. — 2,3.-p. 445−458.
  77. Ortega J.M. Study of the self-trapped exciton and F-center formation on a picosecond time scale in KBr. // Phys. Rev. В -1979. -V. 19. p. 3222−3229.
  78. Y., Okumura M., Hirai M. // J. Phys. Soc. Jap. 1979. — V. 47. — 1. -p. 184−192.
  79. Э.Д., Дейч P.Г., Думбадзе Г. С. Кинетика создания F-центров в Csl при возбуждении пикосекундными импульсами электронов. // Изв. АН Латв. ССР, сер. физ. и гехн. наук. 1987. — N 4. — с. 17−20.
  80. Э.Д., Дейч Р. Г., Думбадзе Г. С. Кинетика люминесценции щелоч-но-галоидных сцинтилляторов при возбуждении субнаносекундными импульсами электронов.// Письма в ЖТФ. 1988. — Т. 14. — Вып. 23. -С. 2132−2136.
  81. Evans B.D., Stapelbrock ML Optical properties of the F±center in crystalline A1203. // Phys. Rev. B. 1978. — V. 18. — 26. — p. 7089−7098.
  82. Р.А., Лийдья Г. Г., Лущик Ч. Б., Соовик Т. А. Экситонные процессы в щелочно-галоидных кристаллах. // Тр. ИФА АН ЭССР. -1969. вып. 36. -С. 3−56.
  83. Л.А., Халдре Ю. Ю. Исследование электронных и дырочных процессов в ионных кристаллах по неизотермической релаксации ЭГТР и реком-бинационной люминесценции. // Тр. ИФА АН ЭССР. 1970. — вып. 38. -С. 50−84.
  84. Ю.Ю. Захват дырок примесными центрами рекомбинационная люминесценция кристаллов NaCl Си и NaCl — Си, Ag. // Изв. АН СССР. Сер. физ. — 1967. -т. 31.-№ 12.-С. 1970−1972.
  85. Hadley W.B., Polick S., Kaufman R.G., Hersh H.N. Energy storage and luminescence in KC1-T1 at low temperatures. // J. Chem. Phys. 1966. -V. 45. — 6, p. 2040−2048.
  86. Ч.Б., Васильченко E.A., Лущик H.E., Пунг Л. А. Релаксированные и нералаксированные возбуждения в кристаллах типа NaCl. // Тр. ИФА АН ЭССР. 1972. — вып. 39. — С. 3−46.
  87. Э.Д., Чернов С. А. Миграция дырок в щелочно-галоидных кристаллах. // Радиац. физика. ~ Рига. 1973. — вып. 7. — С. 9−59.
  88. Kadchenko V.N., Elango М.А. Diffusion parameters of hot holes created by ionizing radiation in NaCl-(Ag). // Phys. Status Solidi (a). -1978. -V. 46. 1, p. 315−319.
  89. Л.А. Динамика нерелаксированных и автолокализованных дырок в щелочно-галоидных кристаллах. // Тр. ИФ АН ЭССР. 1979. — вып. 50. -С. 7−23.
  90. Л.А., Рейфман СП. О миграции нерелаксированных дырок в ионных кристаллах. // Тр. ИФ АН ЭССР. 1979. — вып. 49. — С. 90−98.
  91. Kaufman R.G., Hadley W.G., Hersh H.N. The scintillation mechanism in doped with Na+ and K+ ions. // Solid State Communications. 1980. — V. 35. -4.-p. 457−460.
  92. Э.Д., Флеров В. И., Чернов С. А. Влияние температуры на вероятность автолокализации и захвата дырок примесными центрами в щелочно-галовдных кристаллах. // ФТТ. 1979. — т. 21. — вып. П. — С. 3360−3365.
  93. Э.Д., Флеров В. И., Чернов С. А. Радиационная генерация Vt-центров в щелочно-галоцдных кристаллах. // В кн.: Радиационная физика полупроводников и родственных материалов. Тбилиси. Изд-во Тбил. гос. ун-та. -1980. — С. 602−605.
  94. Aluker E.D., Chernov S.A. Unrelaxed hole motion in alkali halides. Preprint LAFI-053. Salaspils, 1982. 40 p.
  95. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. M., Наука, 1977, 672 с.
  96. Ahrenkiel R.C., Brown F.С. Electron Hall mobility in the alkali halides. // Phys. Rev. 1964. — V. 136. — p. 223−231.
  97. Mikkor M., Kanazawa K., Brown F.C. Cyclotron resonance of polarons in К Br // Phys. Rev. 1962. — V. 162. — p. 848−854.
  98. Crandall R.S. Electron capture by a and F-centers in KBr. // Phys. Rev. 1965. -V. 138.-p. 1242−1246.
  99. Hoffmann H. J Photoconductivity of KC1 and KBr with F-center. // Phys. St. Sol., b 1973. — V. 57. — p. 123−134.
  100. Mac’Donald J R., Robinson J.E. AC Hall and magnetostrictive effects in photoconducting alkali halides. // Phys. Rev. 1954. — V. 95. — p. 44−50.
  101. Nakazawa F., Kanzaki H. Low temperature Hall mobility and magnetoresic-tance in KC1 at high electric field. // J. Phys. Soc. Jap. 1969. — V. 27. -p. 1184−1192
  102. Redfield A.G. Electronic Hall effect in the alkali halides. // Phys. Rev. -1954.-V. 94.-p. 537−540.
  103. Seager C.H., Emin D. High-temperature measurement of the electron Hall mobility in the alkali halides. // Phys. Rev. B. 1970. — V. 2. — p. 3421−3431.
  104. Brown F.C., Inchauspe N. Photoelectric Hall effect in KG at low temperature.//Phys. Rev. 1961. — V. 121.- p. 1303−1305.
  105. Onuki M., Ohkura H. Pulse and steady photoconductivities of colored alkali halides. //J. Phys. Chem. Sol. 1961. — V. 22.-p. 317−322.
  106. Mostl K. Conduction electrons in KBr at field close to breakdown. // Phys. St. Sol. a, 1974.-V. 21. — p. 123−133.
  107. A.M. Теория дефектов в твердых телах. М., Мир, 1978, 320 с.
  108. Ч.Б., Витол И. К., Эланго М. А. Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах. // УФН. 1977. — т. 122. -С. 223−251.
  109. Kabler M.N., Williams R.T. Vacancy-interstitial pair production via electron-hole recombination in halide crystals. II Phys. Rev. B. 1978. — V. 18. -p. 1948−1960.
  110. B.M., Серикова Г. Н. Температурная зависимость кинетики релаксации первичных структурных дефектов в кристалле после импульсного облучения. // Изв. ВУЗов, Физика. 1979. — № 9. — С. 107.
  111. Yoshinari Т., Iwano Н., Hirai М. Luminescence and color center formation by the optical conversion of STE in KBr and NaCl. // J. Phys. Soc. Jap. 1978. -V. 45. — p. 1926−1932.
  112. Itoh N., Stoneham A.M., Harker A.H. The initial production of defects in alkali: F and H-center production by non-radiative decay of the self- trapped ex-siton. // J. Phys. C. -1977. V. 10. — p. 4197−4209.
  113. Kondo Y., Hirai M., Yoshinari Т., Ueta M. F-center formation in KC1 by a pulsed electron beam at 10 KM J. Phys. Soc. Jap. 1969. — V. 26. — p. 1553.
  114. Karasawa Т., Hirai M. Formation yield of self-trapped excitons in NaCl between 10K and 130K.// J. Phys. Soc. Jap. 1973. — V. 34. — p. 276.
  115. С.А. О температурной зависимости эффективности генерации Френкелевских дефектов в щелочно-галоидных кристаллах. // Ф’ГТ. 1980. -т. 22. — С. 1888−1890.
  116. Е.А., Чернов С. А. К температурной зависимости накопления F-центров в щелочно-галоидных кристаллах. // ФТТ. 1980. — т. 22. -С. 1515−1517.
  117. Inchauspe N. Photoconduction in KBr and KI containing F-center. // Phys. Rev. 1957. — V. 106. — p. 898−903.
  118. СИ. Исследования по электронной теории кристаллов. М. Л.: Гостехиздат, 1951, 353 с.
  119. Lax М. Cascade capture of electrons in solids. // Phys. Rev. 1960. — V. 119. -3. — p. 1502−1523.
  120. B.H., Перель В. И., Яссиевич И. Н. Захват носителей заряда на притягивающие центры в полупроводниках. // ФТП. 1978. — т. 12. -вып. 1. — С. 3−32.
  121. В.Н., Крещук Л. Н., Яссиевич И. Н. Термическая ионизация примеси в сильных электрических полях. // ЖЭТФ. 1978. — т. 74. -С. 1017−1025.
  122. В.Н., Перель В. И., Яссиевич И. Н. Теория захвата электронов на притягивающие центры в полупроводниках при фотовозбуждении. // ЖЭТФ. 1977. — т. 72. — С. 674−686.
  123. Антонов-Романовский В. В. Введение в кинетику люминесценции кри-сталлофосфоров. М, Наука, 1966, 324с.
  124. Ю.Х. Некоторые вопросы кинетики рекомбинационных процессов в кристоллофосфорах. // В кн.: Радиационная физика VII. Рига.: Зи-натне, 1978, с. 115−142.
  125. Swank R.K., Brown F.C. Lifetime of the excited F-center. // Phys. Rev: -1963.-V. 130.-p. 34−41.
  126. Weaver K. Shultis J.K., Faw R E. Analytic solutions of a model for radiation-induced conductivity in insulators. // J. Appl. Phys. 1977. — V. 48. p. 2762−2770.
  127. Hughes R.C. Generation, transport and trapping of excess charge carriers in czochralski-grown sapphire. // Phys. Rev. B. 1979. — V. 19. — p. 5319−5328.
  128. Д.И., Балычев И. Н. Применение мощных электронных пучков для исследования сверхплотных кооперативных возбуждений в твердых телах. //В кн.: Мощные наносекундные импульсные источники ускоренных электронов. Новосибирск: Наука, 1974, с. 147−152.
  129. Д.И., Таванов Э. Г. Пикосекундный компонент проводимости ионных кристаллов при облучении электронными пучками большой плотности. // Письма в ЖТФ. 1975. -т. 1. — вып. 11.-С. 531−534.
  130. Д.И., Таванов Э. Г. Измерение распределения плотности ионизации по глубине диэлектрика при импульсном облучении электронным пучком. // ПТЭ. 1976. -№ 1. — С. 215−217.
  131. Д.И., Сёмин Б. Н., Таванов Э. Г., Шкатов В. Т. Свечение и проводимость неидеальной вырожденной электронно-дырочной плазы, возникающей в ионных кристаллах при сверхмощном возбуждении. // Изв. АН СССР. Сер. Физика. 1976. — т. 40.-№ 11-С. 2404−2409.
  132. Д.И., Месяц Г. А., Наминов В. Л., Таванов Э. Г. Проводимость ионных диэлектриков при импульсном облучении электронами и рентгеновскими пучками средней плотности. // ДАН СССР. 1982. — т. 265, -№ 5.-С. 11 134 116.
  133. Д.И. Ионизационно-пассивные высокоэнергетические электроны и дырки при импульсном облучении электронными пучками высокой плотности. // Изв. ВУЗов, Физика. 1996. -№ 11 — С. 109−119.
  134. Д.И. Свойства ионных кристаллов при высоких плотностях ионизации. // Автореферат докт. дисс., Москва, 1984, 49 с.
  135. Д.И., Королева О. С., Харитонова C.B. «Мгновенный» спектр ионизационно-пассивных электронов в диэлектрике, который облучается мощным электронным пучком. // Изв. ВУЗов, Физика. 1996. — № 11. -С. 136−144.
  136. .П., Алукер Э. Д., Швайко В. Н. Проводимость ЩГК при возбуждении пикосекундными импульсами электронов. // В кн.: Тез. докл. VI межд. конф. «Радиационные гетерогенные процессы», ч.1, Кемерово, 1995, с. 52.
  137. .П., Алукер Э. Д., Швайко В. Н. Исследование нестационарной электронной проводимости ЩГК. //В кн.: 9-я международная конференция по радиационной физике и химии неорганических материалов. Тез. док, Томск, 1996 г., с. 6.
  138. Б.П. Адуев, Г. М. Белокуров, В. Н. Швайко. Экспериментальные оценки некоторых эффективных сечений рекомбинации и захвата в ЩГК. // В кн.: Тез. докл. VII межд. конф. «Физико-химические процессы в неорганических материалах», Кемерово, 1998, 4.1, с.91−92.
  139. Б.П. Адуев, В. М. Фомченко, В. Н. Швайко Влияние температуры на импульсную проводимость кристалла КО при возбуждении пикосекундными пучками электронов. // ФТТ. 1999. — т. 41. — № 3. — С. 429−430.
  140. Б.П. Адуев, Д. И. Вайсбурд Превращение дефектов в наносекундном временном интервале под действием сильноточных пучков. // В кн.: Тез. докл. 3 Всесоюзный симпозиум по сильноточной электронике. Томск, 1978, с. 197−198.
  141. Б.П. Адуев, Д. И. Вайсбурд Исследование переноса дырок валентной зоны LiF при наносекундном облучении плотными пучками электронов. // В кн.: Тез. докл. 4 Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов. Рига, 1978, с. 365−366.
  142. Б.П. Адуев, Д. И. Вайсбурд Исследование переноса дырок валентной зоны LiF при наносекундном облучении плотными пучками электронов.// ФТТ. 1978. — т. 20. — № 12. — С. 3739−3740.
  143. Б.П. Адуев, Д. И. Вайсбурд Создание и разрушение F2 и F2 центров в кристаллах LiF при импульсном облучении плотными пучками электронов. //В кн.- Тезисы докл. 10 Уральского совещания по спектроскопии. Свердловск, 1980, с. 49.
  144. Б.П. Адуев, Д. И. Вайсбурд Образование F2 центров в кристаллах LiF при импульсном облучении плотными пучками электронов. // ФТТ. 1981. -т. 23. — № 6. — С. 1796−1797.
  145. Б.П. Адуев, Д. И. Вайсбурд Создание и разрушение F2 центров в кристаллах LiF при импульсном облучении плотными пучками электронов. // ФТТ. — 1981.-т. 23-№ 6. — С. 1869−1871.
  146. Б.П. Адуев, Д. И. Вайсбурд Создание и превращение F2, F2, F2 центров в кристаллах LiF при импульсном облучении плотными пучками электронов. // Письма в ЖТФ. -1981.-т. 7, — Вып. 13. — С. 791−794.
  147. .П. Создание и превращение F агрегатных центров в LiF при импульсном облучении плотными пучками электронов. Дисс.. канд. физ.-мат. наук. Томск, 1981, 135 с.
  148. B.B. Механизм проводимости ионных кристаллов при импульсном облучении плотными пучками электронов. Дисс.. канд. физ.-мат. наук. Томск, 1987, 133 с.
  149. Л.А. Закономерности создания электронных центров окраски в кристаллах LiF при импульсном радиационном воздействии. // Изв. ВУЗов, Физика. 1996. -№ 11. — С. 57−75.
  150. .П., Иголинский A.B., Швайко В. Н. Кинетика импульсной проводимости Csl. // В кн.: Тез. докл. VI межд. конф. «Радиационные гетерогенные процессы», Кемерово, 1995, ч.1, с. 55−56.
  151. .П., Белокуров Г. М., Швайко В. Н. Релаксация проводимости в иодиде цезия после возбуждения субнаносекундными импульсами электронов. // ФТТ, т. 37, № 3,1996.
  152. .П., Иголинский A.B., Швайко В. Н. Кинетика импульсной проводимости Csl при облучении плотными электронными пучками. // ФТТ. -1996. т.38. — № 3. — С. 947−950.
  153. Б.П. Адуев, Э. Д. Алукер, Г. М. Белокуров, В. Н. Швайко. Нестационарная проводимость широкозонных диэлектриков при импульсном возбуждении.
  154. В кн.: Первый Всероссийский симпозиум по твердотельным детекторам ионизирующих излучений ТТД-97. Тез. докл. Екатеринбург, 1997, с. 7−8.
  155. Б.П. Адуев, В. Н. Швайко. Релаксация проводимости Csl-Tl после возбуждения субнаносекундными импульсами электронов. // ФТТ. 1998. -т. 40. 1,—С.66−67.
  156. В.P. Aduev, E.D. Aluker, G.M. Belokurov, V.N. Shvayko. Radiation-Stimulated Conductivity of Some Alkali Halides Induced by 50 ps Electron Pulse Irradiation. // Physica Status Solidi (b). 1998. — V .208. — p. 137−143.
  157. Б.П. Адуев, В. Н. Швайко. Неравновесная проводимость кристаллов а-А1203 при возбуждении импульсами электронов. // В кн.: Первый Всероссийский симпозиум по твердотельным детекторам ионизирующих излучений ТТД-97. Тез. докл. Екатеринбург, 1997, с. 15−16.
  158. Aduev В. Р, Alouker E. D, Shvajko V.N. Nonequilibrium conductiviti of a-A1203 exited by electron pulses. // In: LUMDETR'97, Ustron, Poland, October 6−10, 1997, Abstract, p. 7.
  159. Б.П. Адуев, Э. Д. Алукер, В. Н. Швайко. Радиационно-индуцированная проводимость кристаллов а-А1203. // ФТТ. 1997. — т. 39. — № 11,-С. 1995−1996.
  160. В.И. Введение в физику полупроводников. М., «Высшая школа», 1975, 296 с.
  161. McLaren A.S., Rogers G.Т. The optical and electrical properties of silver az-ide and their relation to its decomposition. // Proceeding Royal Society.-1957.-V. 240.-p. 484−498.
  162. McLaren A.S., Rogers G.T. The optical and electrical properties of silver az-ide and their relation to its decomposition. // Proceeding Royal Society. 1958,-V. 246.-P. 250−253.
  163. Deb S.K., Yoffe A.D. Reactivity of azides in the solid state. /7 Proceeding Royal Society. -I959.-V. 249.-p. 146−148.
  164. Evans B.L., Yoffe A.D. Structure and stability of inorganic azides. 2 // Proceeding Royal Society. 1959.-V. 250.-p. 346 366.
  165. Bartiett B.E., Tomkins F.C., Young D.A. The decomposition of silver azide. // Bulletin of the American Physics Society.-1960.-Y. 5, №.1. P. 206−216.
  166. Ю.А., Руколеев С. И., Лоскутов В. С Низкотемпературный фотолиз и люминесценция азидов свинца, серебра и таллия. // Химия высоких энергий. 1979. Т. 13, №. 1. — С, 61−65.
  167. Ю.А., Суровой ЭЛ., Абакумов Е. П. Сенсибилизация фотолиза азида серебра. // Деп. ВИНИТИ. 1973. № 6848−73. 10 с.
  168. А .В., Прохорин Е. В., Яковлев В .В., Манелис Г. Б. Исследование фотохимического разложения азида серебра. // Химия Высоких Энергий. 1976. — Т. 10, №. 1. — С. 59−63
  169. СМ., Мешков В. А., Сериков Л. В., Мухин В. Н. Парамагнитные центры в облученном азиде серебра. // Деп. ВИНИТИ. 1977. №. 3684−77. Юс.
  170. С.М. Электростатическая модель коагуляции дефектов в твердых телах. // Журнал Научной и Прикладной Фотографии и Кинематографии. -1983. Т.28, № 6. — С .434−440.
  171. А.С. Теория твердого тела. М.: Мир. 1976. 640 с.
  172. Mott N.F., Gumey R.W. Electron Processes in Ionic Crystals. Oxford.: University Press. 1948. 160 p.
  173. Hayashi M. Absorption spectrum of Cuprous oxide. // The Journal of the Physical Society of Japan.-1950,-V.5.-P. 380−384.
  174. П.Г., Кулипин Ю. А. Электронные процессы в островковых металлических пленках. Киев.: Наукова думка. 1980. 240 с.
  175. Christiansen N.E. The band structure of silver and optical interband transition. // Physic Status Solid (B). -1972. -V. 54, №. 2. P. 551−563.
  176. Hail P.B., Williams F. Photodecomposition and Electron Structure of Lead Azide. // The Journal of the Chemical Physic.-1973.-V. 58. № 3,-P. 1036−1042.
  177. Deb S.K. Optical and Photoconductivity in Unstable Azides. // The Transition of the Faraday Society.-1969.-V. 65,-P. 3187−3194.
  178. Dedman A. J., Lewis T.J. Photoconductivity in p-PbN6. // The Transition of the Faraday Society.-1966,-V. 62, — P. 881−886.
  179. Faer H.D., Fortyt H. Optical and Electrical Properties of Thin Films of a-PbN6. // The Journal of the Physical Chemistry in Solids.-1969.-V. 30.- P. 25 592 570.
  180. Ю.А., Руколеев С. И., Лоскутов B.C. Термостимулированная люминесценция азида свинца. // Деп. ВИНИТИ .-1975. № .3276−75. 9 с.
  181. Ю.А., Руколеев С. И., Лоскутов В. С Электроника фотохимического разложения, азидов и галогенидов тяжелых металлов. // В кн.: Мат. совещания по химической кинетике в твердом теле. Новосибирск.-!977,-С. 45−51.
  182. Экситоны. // Под ред. Рашба Э. И., Стерджа М. Д. М.: Наука. 1985. 616 с.
  183. В. Г. Анализ механизма и кинетики реакций твердофазного разложения некоторых солей со сложным анионом.: Дисс. .канд. физ.-мат. наук. Кемерово. 1982. 176 с.
  184. Р.С. Теория эксигонов. М.: Мир. 1966. 430 с.
  185. Gora P., Downs D.S., Kemmey P.G., Sharma J. Electronic Structure of the Azide Ion and Metal Azides. // In: Energetic Materials.-1977.-New York. V. 1.-P. 193−249.
  186. Garett W.L., Wigand D.A. Photodecomposition Kinetics of PbN6 Studied by Optical Extinction and Nz Gas Evolution. // The Journal of Physical Chemistry. 1982.-V. 86.-P. 3884−3894.
  187. Evans B.L., Yoffe A.D. Absorption Spectrum and Assotiated Photoconductivity of Pure and Decomposed Crystals of Thallium Azide. // Nature.-1959.-V. 183, №. 4670.- P. 1241−1244.
  188. Sharma J. Photodecomposition versus Fluorescence in Thallium Azide. // Bulletin of the American Physics Society. 1968.-V. 13,-P. 421.
  189. Wiegand D.A. Photoproduction of disorder in PbN6 and T1N3. // Physical Revue (B).-1974.-V. 10. № 4.-P. 1241−1247.
  190. Fair H.D., Downs D.S. Optical Absorption of TIN3 Thin Films. II Bulletin of the American Physics Society.-1971. -V. 16. -P. 519.
  191. Downs D.S., Christof C.W. Pressure and Optical Absorption of TIN3. // The Journal of the Chemical Physic, 1975.-V. 63.-P. 3372- 3378.
  192. P. Излучение при химических реакциях. // Успехи химии.-1938.-Т. 7, Вып. 12.- С. 1858−1883.
  193. Г. М., Колбасов С. В. Влияние фотохимической реакции в азиде серебра на фотопроводимость и фотолюминесценцию. .// Журнал физической химии. -1991. Т.65, № 6. — С. 1475−1478.
  194. Erenreish N.H., Phillip H.R. Optical properties of Ag and Cu. // Physical Revue .-1962. -V. 128, № 4, — P. 1622−1629.
  195. Ю.А., Гасьмаев В .К., Колесников JIB. О механизме процессов ядрообразования при термическом разложении азида серебра. II Журнал физической химии. -1976. -Т. 50, №. 7. С. 1669−1673.
  196. Ю.А., Федоров Г. М. Исследование электронных состояний (зон) в азидах тяжелых металлов методом внешней фотоэмиссии электронов. // Деп. ВИНИТИ 18.7.77., № 3235−77. Томский полит, институт. Томск. 1977, — 38с,
  197. Колесников JIB. Спектры энергетических состояний и некоторые особенности реакций разложения азидов тяжелых металлов. Дисс.. канд. хим. наук. Минск. 1978. 165 с.
  198. Ю.А., Колесников JIB., Черкашин А. Е. Энергетика и природа электронных зон азида серебра. // Изв. АН СССР, сер. Неорганические материал. -1978. Т. 14, № 7. С. 1283−1288.
  199. А.Е. Исследование спектров энергетических состояний окислов кобальта и никеля.: Автореф. дисс.. канд. хим. наук: Новосибирск. 1971. 21 с.
  200. А.Б., Журавлев Ю. Н., Поплавной A.C. Зонная структура азида серебра (AgN3). // Изв. ВУЗов. Физика. 1992. — № 2. — С. 38−40.
  201. Ю.Н., Колесников JIB. Энергетическая структура азидов металлов. // В кн.: Физические процессы в светочувствительных системах на основе солей серебра: Матер, конф. -Кемерово. КемГУ.- I986.-C. 117−123.
  202. Gordienko A.B., Zhuravlev Yu.N., Poplavnoi A.S. Electronic Structure of Metal Azides. // Physic Status Solid (b). V. 198. — P. 707 -719.
  203. E. H. Younk, A. B. Kunz. An Ab Initio Investigation of the Electronic Structure of Lithium Azide (LiN3), Sodium Azide (NaN3), and Lead Azide Pb (N3)2., // Int. J. Quant. Chem. -1997. V. 63. — 3. — p. 615- 621.
  204. E.H., Вознкж А. Г. Исследование влияния длительности возбуждающего импульса на чувствительность азида свинца к действию лазерного излучения.// Физика Горения и Взрыва. -1984. -Т. 20, № 6. -С. 104−108.
  205. С. М., Карабукаев К. Ш. Кинетика взрывного разложения азидов серебра и свинца, инициируемого импульсом электронов. // В кн.: Радиа-ционно-стимулированные явления в твердых телах: Межвуз. сб. науч. трудов. Свердловск. 1988. — С.51−55.
  206. Bar I., Gohen A., Heflinger D., Tzuk Y., Rosenwaks S. Preferential excitation and enhanced emission of Pb atoms following detonation of lead azide. // Applied Physics Letters. 1991. -V. 58, № 4. — P. 322−324.
  207. Tzuk Y., Bar I., Rosenwaks S. Laser-induced hole burning and flow visualization in the cloud of products of detonated of lead azide. // The Journal of Applied Physics. 1992. -V. 61, № 11.-P. 1281 — 1283.
  208. Tzuk Y., Bar I., Ben-Porat Т., Rosenwaks S. Dynamics of the detonation products of lead azide. I. Hydrodynamics. // The Journal of Applied Physics. -1992.- V. 71,№ 10.-P. 4693−4708.
  209. Heflinger D., Bar I., Ben-Porat Т., Erez G., Rosenwaks S. Dynamics of the detonation products of lead azide. II. Formation of charged particles. // The Journal of Applied Physics. 1993. — V. 73, № 5. — P. 2138 — 2144.
  210. Tzuk Y., Barmashenko В., Bar L, Rosenwaks S. Dynamics of the detonation products of lead azide. III. Laser-induced hole burning and flow visualization. // The Journal of Applied Physics. 1993. V. 74, № 1. — P. 45 — 52.
  211. Янг Д. Кинетика разложения твердых веществ. М.: Мир. 1969. 264 с.
  212. Г. Г., Me двинский А. А., Митренин Ю. В. К вопросу об анализе элементарного акта химического превращения в твердой фазе. // Кинетика и катализ.-1976.-Т. 17, вып. 1.-С. 84−90.
  213. Г. Г., Медвинский А. А. О механизме катализа термического разложения азидов металлов парамагнитными добавками. // React. Kinet. Catal.- 1977.-V. 7, № l.- P. 75−80.
  214. С. M., Долганов В. С. // В кн.: Всес. конф. Физико химические проблемы материаловедения и новые технологии. Тез. докл. 4.9. — Белгород, -1991, С. 36−37.
  215. С. М., Долганов В. С. Критерий возбуждения взрывного разложения азида серебра импульсным излучением.// Физика Горения и Взрыва. -1992. Т. 28, № 4. — С. 87−90.
  216. Hagan J.T., Chaudhri M. M. Low initiation lazer initiation of single crystals of (Mead azide. //IMS -1981. V. 16, №.9. p. 2457−2466.
  217. A.В. К инициированию азида свинца электронным импульсом. // Физика Горения и Взрыва. 1993. — Т. 29, № 5. — С. 63−67.
  218. Strikwerda John С, Scott Andrew M. Thermoelastic response to a short laser puise. // J. Therm. Stres. 1984. -№ 1. — C. l-17.
  219. В. Д., Попов Г. Т. О прохождении импульсных пучков заряженных частиц через конденсированные взрывчатые вещества.// Физика Горения и Взрыва. 1977. Т. 13, № 4. — С. 625−634.
  220. А. М. К вопросу о механизме зажигания азидов свинца лазерным моноимпульсом.// Хим. Физика. -1991. -№ 12. С. 1715−1721.
  221. В. Г., Каленский A.B., Захаров Ю. А. Кинетические закономерности импульсного инициирования азидов тяжелых металлов.// Изв. ВУЗов. Черная металлургия. 1996. — № 2. — С. 70−74.
  222. О. Б. Очаговый тепловой взрыв при воздействии импульсного излучения. // Хим. Физика. 1990. — № 12. — С. 1639−1643.
  223. E.H., Ципилев В. П. Влияние модовой структуры лазерного излучения на устойчивость азида свинца.// Физика Горения и Взрыва. -1983.-Т. 19, № 4. С. 143−146.
  224. Е.И., Ципилев В. П. Размерный эффект при инициировании прессованного азида свинца лазерным моноимпульсным излучением.// Физика Горения и Взрыва. -1981. Т. 17, № 5. — С.77−81.
  225. Ю. П., Чернай А. В. О поглощении света микровключениями в азиде свинца. И Институт Технической Механики АН УССР. Днепропетровск, 1986. Деп. В ВИНИТИ 17.10.86. № 7571-B86- 12с.
  226. С.М., Сафонов Ю. Н. Разложение азида серебра импульсами электронов наносекундной длительности. И В кн.: Сильноточные импульсные электронные пучки в технологии: Труды СОАН СССР. Новосибирск. 1983. С. 73−80.
  227. В. Г., Каленский А. В. Локальный разогрев азидов тяжелых металлов импульсным излучением. // В кн.: 6 Межд. конф. Радиационные Гетерогенные Процессы: Тез. Докл. 4.1. —Кемерово, -1995. С. 96−97.
  228. А. А., Галеев И. А., Зайцев Б. И, Сбитнев Е. А., Татаринцев Л. В. Возбуждение детонации конденсированных взравчатых веществ излучением оптического квантового генератора.// Физика Горения и Взрыва. 1966. -Т. 2,№ 3.-С. 132−138.
  229. Phung P. V. Initiation of Explosives by High-Energy Electrons.// The Journal of Chemical Physics. 1970. — V. 53, № 7 — p. 2906−2913.
  230. В. Г., Каленский А. В. Инициирование азидов тяжелых металлов импульсным излучением.// Хим. физика. 1995. — № 4. — С.152−160.
  231. В. Г., Каленский А. В. Размерный эффект при инициировании разложения азидов тяжелых металлов импульсным излучением.// Хим. Физика. 1996. -№ 3. — С.40−47.
  232. В.Г., Каленский A.B., Захаров Ю. А. Природа импульсного инициирования азидов тяжелых металлов. // Наука и технология в России. -1995. № 7. — С. 20−24.
  233. К.Ш. Химические процессы в азидах серебра и свинца под действием мощного импульсного разрушения. // Дисс.. канд. хим. наук. Кемерово. 1987. 152 с.
  234. Т., Хенсел Дж., Филлипс Т., Томас Г. Электронно-дырочная жидкость в полупроводниках. М: Мир. 1980. 349 с.
  235. Ю.Н., Захаров Ю. А. Общие закономерности разложения твердых веществ в электрическом поле. // В кн.: Кинетика и механизм химиче^ ских реакций в твердом теле. Институт химической физики АН СССР. Черноголовка. -1981. С. 152 — 161.
  236. Ю.А. Электронные и ионные процессы при термическом и фотохимическом разложении некоторых твердых неорганических соединений. // Дис.. докт. хим. наук. Томск. 1975. 480 с.
  237. Ф.И., Зуев Л. Б., Лукин М. А., Мальцев В. Д. О выращивании нитевидных кристаллов азидов серебра и свинца. // Кристаллография. -Т. 28, № 1. С. 194−195.
  238. С.И., Диамант Г. М., Пугачев B.ML Морфология кристаллов азида серебра, выращенных из гидроксида аммония. // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1990. — Т. 26, № 11. — С. 2301−2304.
  239. .П., Алукер Э. Д., Белокуров Г. М., Захаров Ю. А., Кречетов А. Г. Исследование механизма взрывного разложения азида серебра методами спектроскопии с высоким временным разрешением. // Изв. ВУЗов. Физика. 1996. — т. 39, № 11. — С. 162−175.
  240. В.И., Кузьмина JI.B., Захаров В. Ю., Сталинин А. Ю. Электрополевое разложение азида серебра: влияние поперечных электрического и магнитного полей. // Химическая физика. 1995. — Т. 14, №> 4. -С. 126- 135.
  241. .П., Алукер Э. Д., Кречетов А. Г., Сахарчук Ю. П. Спектры пред-взрывного оптического поглощения азида серебра. // Письма в ЖТФ. -1998. -т.24, № 16, С. 31−34.
  242. А.Н., Прокофьев В. К., Райский С. М. Таблицы спектральных линий. Гос. Изд. Техн.-теорет. лит.: Москва Ленинград. 1952. 560 с.
  243. Р., Гейдон А. Отождествление молекулярных спектров. М.: Изд. Иностр. Литер. 1949. 240 с.
  244. В.М., Петров A.A., Соловьев A.A. Спектральный анализ неорганических газов. Ленинград.: Химия. 1988. 240 с.
  245. И.В., Лысенко В. Н., Мельник П. В., Находкин Н. Г. Атлас ионизационных спектров. Киев.: Выща школа. 1989. 231 с.
  246. Рао Ч.Н. Р. Электронные спектры в химии. М.: Мир. 1964. 264 с.
  247. Физические величины. Справочник. М.: Энергоатомиздат. 1991. 780 с.
  248. .П., Алукер Э. Д., Кречетов А. Г. Предвзрывная люминесценция азида серебра. // Письма в ЖТФ. 1996. — Т. 22.- С. 24−27.
  249. .П., Алукер Э. Д., Захаров Ю. А., Кречетов А. Г., Чубукин И. В. Взрывная люминесценция азида серебра. // Письма в ЖЭТФ. 1997. — Т. 66, В. 2.-С. 101−103.
  250. .П., Алукер Э. Д., Кречетов А. Г. Предвзрывная люминесценция азида серебра. // Химическая физика. 1998. — Т. 17, № 3. — С. 59−64.
  251. .П., Алукер Э. Д., Белокуров Г. М., Кречетов А. Г. Кинетика развития взрывного разложения азида серебра при инициировании лазерным импульсом. // Химическая физика. 1997. — Т. 16, № 8. — С. 130−136.
  252. Workentin MS., Wagner B.D., Negri F. et al. Spectroscopic and Theoretical Studies of Unusual Pseudohalogen Radical Anion.// The Journal of Physical Chemistry. 1995. — V. 99, № 1. — p. 94−101.
  253. Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках. M.: Мир. 1973. 456 с.
  254. В.П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках. Минск.: Наука и техника. 1975. С. 463.
  255. Д. Кюри. Люминесценция кристаллов. М.: Изд. иностр. лит-ры. 196 Г. 200 с.
  256. М.В. Фок. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров. М.: Наука. 1964. 283 с.
  257. Ф.И. Иванов. Структурно-деформационные дефекты в нитевидных кристаллах азидов тяжелых металлов. Дисс.. докт. хим. наук. Кемерово. 1977. С. 387.
  258. Излучательные рекомбинации в полупроводниках. Под ред. Я. Е. Покровского. М.: Наука. 1972. 304 с.
  259. Дж. Каллуэй. Теория энергетической зонной структуры, Мир., М., 1969, с. 360.
  260. И.А. Парфианович, Э. Э. Пензина Электронные центры окраски в ионных кристаллах. Иркутск, 1977, с. 208.
  261. B.C. Осминин, Г. С. Завт, С. Г. Зазубович, А. И. Нийлиск. Переходы с переносом заряда в Т12+, 1п2+ и Ga2+ центрах в KCl. // Изв. АН СССР, сер. физ. — 1974. — т. 38, Ш 6. — С. 1235 — 1237.
  262. Ф. Бассани, Дж. Пастори Парравичини. Электронные состояния и оптические переходы в твердых телах М.: Наука, 1982, с. 391.
  263. В.Р. Aduev, E.D. Aluker, A.G. Krechetov, A.Yu. Mitrofanov. Explosive luminescence of heavy metal azides. // Physica Status Solidi (b). -1998. 207. -p. 535−540.
  264. Б.П. Адуев, Э. Д. Алукер, А. Г. Кречетов, А. Ю. Митрофанов. Взрывная люминесценция азидов тяжелых металлов. // В кн.: Тезисы докладов международной конференции «Физико-химические процессы в неорганических материалах». Ч. 1. Кемерово. 1998., с. 93 94.
  265. В.Р. Aduev, E.D. Aluker, V.G. Kriger, Yu.A. Zakharov. Study of silver azide explosive decomposition by spectroscopic methods with temporal resolution. // Solid State Ionics. 1997. -101−103. — P. 33−36.
  266. Ю.А. Закономерности разложения азвдов тяжелых металлов. // В кн.: Материалы 6 Всесоюзного совещания «Кинетика и механизм реакций в твердых телах». Минск. БГУ. — 1975. — С. 19- 24.
  267. .П., Алукер Э. Д., Белокуров Г. М., Кречетов А. Г. Предвзрывная проводимость азида серебра. // Письма в ЖЭТФ. 1995. — Т. 62, В. 3. — С. 203−204.
  268. Ю. А. Электронные и ионные процессы при термическом и фотохимическом разложении некоторых твердых неорганических соединений. // Дис.. докт. хим. наук. Томск. 1975. 480 с.374
  269. Ю.Р., Канторович Л. Н., Котомин Е. А., Тале И. А., Шлюгер А. Л. Модели процессов в широкощелевых твердых телах с дефектами. Рига. Зинатне. 1991. 360 с.
  270. Young D. Decomposition of Solids. Pergamon press. Oxford, 1966. P. 263
  271. H.H. Семенов. Цепные реакции. M.: Наука. 1986. 534 с.
  272. Gordienko А.В., Zhuravlev Yu.N., Poplavnoi A.S. Electronic Structure of Metal Azides. // Physica Status Solidi (b). 1996. — V. 198. — P. 707 — 719.
  273. A.B. Инициирование азидов тяжелых металлов импульсным излучением. Дисс.. канд. физ.-мат. наук. КемГУ, 1997, 148 с.
  274. Spoonhower J.P., Marchetti А.Р. Trapped holes in silver halides. // J. Phys. Chem. Sol. 1990. — V. 51(7). — p. 793−804.
  275. О.В. Богданович, С. А. Дарзнек, ПТ. Елисеев. Полупроводниковые лазеры. М.: Наука. 1976. 415 с.
  276. Излучательные рекомбинации в полупроводниках. Под ред. Я. Е. Покровского. М.: Наука. 1972. 304 с.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?