Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Магнетотранспортные явления в гетероструктурах GaAs/AIAs при больших факторах заполнения

Диссертация: Магнетотранспортные явления в гетероструктурах GaAs/AIAs при больших факторах заполнения
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Одной из основных причин, уменьшающих подвижность носителей заряда в полупроводниковых структурах, является рассеяние на случайном потенциале ионизованных центров легирующей примеси. В гетероструктурах СаАэ/АЮаАз высокая подвижность ц. достигается благодаря пространственному разделению областей легирования и переноса носителей заряда нелегированным спейсером. Такой способ увеличения подвижности… Читать ещё >

Содержание

  • Список сокращений и обозначений
  • Глава 1. Перенос заряда в модулированных полупроводниковых структурах
    • 1. 1. Подавление кулоновского рассеяния на примесях
    • 1. 2. Квазиклассические и квантовые явления переноса в поперечном магнитном поле
    • 1. 3. Нелинейные явления в скрещенных электрическом и магнитном полях
    • 1. 4. Неравновесные магнетотранспортные явления в двумерных системах в присутствии микроволнового излучения
  • Глава 2. Исследуемые образцы и методика эксперимента
    • 2. 1. Методы измерения сопротивления и проводимости в поперечном магнитном поле
    • 2. 2. Технология изготовления образцов
    • 2. 3. Методика эксперимента
    • 2. 4. Транспортные параметры гетероструктур ваАз/А^
  • Глава 3. Линейный транспорт в поперечном магнитном поле
    • 3. 1. Квазиклассическое отрицательное магнетосопротивление двумерного электронного газа
    • 3. 2. Магнетофононные осцилляции сопротивления в двумерной электронной системе
    • 3. 3. Магнето-межподзонные осцилляции сопротивления в двухподзонной электронной системе
    • 3. 4. Сосуществование магнетофононных и магнето-межподзоных осцилляций сопротивления в двухподзонной системе
  • Результаты и
  • выводы главы
  • Глава 4. Нелинейный магнетотранспорт в двумерной системе
    • 4. 1. Отрицательное магнетосопротивление
    • 4. 2. Состояние с нулевым дифференциальным сопротивлением
    • 4. 3. Разогрев в двумерной системе с дискретным спектром
    • 4. 4. Туннелирование Зинера
  • Результаты и
  • выводы главы
  • Глава 5. Фотоотклик двумерной системы на микроволновое облучение
    • 5. 1. Два типа осцилляций магнетосопротивления двумерного электронного газа в присутствии микроволнового излучения
    • 5. 2. Зануление сопротивления двумерного электронного газа в присутствии микроволнового излучения в поперечном магнитном поле
    • 5. 3. Проводимость двумерного электронного газа в присутствии микроволнового излучения в поперечном магнитном поле
    • 5. 4. Микроволновое фотосопротивление в баллистическом мостике
    • 5. 5. Осцилляции микроволновой ЭДС в диске Корбино
  • Результаты и
  • выводы главы
  • Глава 6. Неравновесные явления в двухподзонной системе
    • 6. 1. Переворот магнето-межподзонных осцилляций сопротивления
    • 6. 2. Туннелирование Зинера в двойной квантовой яме
    • 6. 3. Состояние с нулевым дифференциальным сопротивлением в двухподзонной системе
    • 6. 4. Нелинейный эффект Холла
    • 6. 5. Магнетотранспорт в двухподзонных системах в присутствии микроволнового излучения
  • Результаты и
  • выводы главы

Магнетотранспортные явления в гетероструктурах GaAs/AIAs при больших факторах заполнения (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

В современной физике полупроводников гетероструктуры с модулированным легированием на основе соединений А3В5 являются объектом всесторонних научных исследований и базой для разработки новых твердотельных электронных приборов. Основными экспериментальными методами изучения таких низкоразмерных структур до сих пор остаются магнетотранспортные, базирующиеся на общеизвестных эффектах Холла и Шубникова — де Гааза [1, 2]. Несмотря на то, что основополагающие открытия в полупроводниковых системах пониженной размерности были сделаны на инверсионных слоях кремниевых полевых транзисторов [3,4], технологические успехи в изготовлении низкоразмерных электронных систем на основе соединений А3В5 уже многие годы определяют основные тенденции экспериментальных исследований в этой области физики твердого тела.

Лидирующее положение в этих исследованиях занимают системы пониженной размерности на основе гетероструктур ваАз/АЮаАз [5, 6], изготовленных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Наиболее ярким и значимым фундаментальным явлением, обнаруженным в них, является дробный квантовый эффект Холла [6]. Это открытие было сделано в значительной степени благодаря достижениям в области технологии МЛЭ и использованию идеи селективного легирования [5], позволившими существенно увеличить подвижность двумерных (2Б) электронов в гетероструктурах ваАз/АЮаАз по сравнению с её величиной в кремниевых структурах металл-окисел-полупроводник (МОП) [7].

Одной из основных причин, уменьшающих подвижность носителей заряда в полупроводниковых структурах, является рассеяние на случайном потенциале ионизованных центров легирующей примеси. В гетероструктурах СаАэ/АЮаАз высокая подвижность ц. достигается благодаря пространственному разделению областей легирования и переноса носителей заряда нелегированным спейсером. Такой способ увеличения подвижности ведет к неизбежному уменьшению электронной концентрации пе в проводящем канале, так как для увеличения ц нужно увеличивать толщину спейсера, а для увеличения концентрации щ её нужно уменьшать. Таким образом, в гетероструктурах ОаАэ/АЮаАз получить одновременно высокие значения (хи пе невозможно.

Этот недостаток отсутствует в селективно-легированных гетероструктурах СаАэААЛАз, в которых в качестве боковых барьеров к квантовым ямам СаАэ используются короткопериодные сверхрешётки А^ЛЗаАз [8]. В таких структурах высокая подвижность Г-электронов в квантовой яме ваАэ достигается не только пространственным разделением областей легирования и переноса носителей заряда, но ещё и экранировкой рассеивающего потенциала Х-электронами, локализованными в слоях А1Аз. Поэтому в квантовых ямах ваАз с боковыми сверхрешёточными барьерами, в отличие от гетероструктур ОаАз/АЮаАз, можно получать одновременно высокие значения ц и пе, что расширяет возможности для экспериментального изучения электронного транспорта в низкоразмерных полупроводниковых системах.

Технологические достижения в изготовлении совершенных полупроводниковых структур, а также фундаментальные научные результаты, полученные при их экспериментальном изучении, сформировали к настоящему времени новое направление в физике твердого тела — физику полупроводниковых систем пониженной размерности. Особое место в этом направлении занимают явления переноса носителей заряда в Ю системах с высокой электронной подвижностью, что обусловлено, с одной стороны, прикладным значением полупроводниковых структур с высокой проводимостью 2Б электронного газа, а с другой — фундаментальной значимостью обнаруженных транспортных явлений.

Несколько последних десятилетий основные усилия в этой области были сосредоточены на изучении электронных свойств высокоподвижных систем в квантующих магнитных полях, когда под уровнем Ферми находится несколько уровней Ландау, разделенных интервалами запрещенных энергий. Вначале эти исследования были мотивированы открытием целочисленного квантового эффекта.

Холла, а затем дробного. Около десяти лет назад значительное внимание исследователей привлекла к себе область магнитных полей В, в которой уровни Ландау в высокоподвижных Ю системах перекрываются, а их количество под уровнем Ферми является большим (более 10). В этих условиях фактор заполнения V = иД2еВ/й)" 1, а расстояние между уровнями Ландау меньше их ширины Гь = Й/тч, где тч — квантовое время жизни.

Интерес к исследованию транспорта при больших факторах заполнения возник в связи с открытием гигантских осцилляций магнетосопротивления (МС), индуцированных микроволновым излучением в высокоподвижных гетероструктурах ОаАз/АЮаАэ [9]. Вслед за их открытием было обнаружено, что сопротивление в минимумах этих осцилляций принимает значение, близкое к нулю [10]. При всей схожести с занулениями сопротивления в квантующих магнитных полях [4, 6], открытое явление возникало в условиях перекрывающихся уровней Ландау, что было весьма необычным и требовало всестороннего изучения магнетотранспортных явлений в низкоразмерных полупроводниковых системах при больших факторах заполнения.

К моменту начала данной работы экспериментальные исследования магнетотранспорта в высокоподвижных полупроводниковых системах при больших факторах заполнения ограничивались гетероструктурами ОаАз/АЮаАз с одной заполненной подзоной размерного квантования с относительно низкой.

15 2 концентрацией электронов яе~3×10 м". Оставались неизученными неравновесные явления в высокоподвижных модулированных структурах с двумя заполненными подзонами размерного квантования.

Цель работы заключалась в установлении природы магнетотранспортных явлений, возникающих под действием постоянного электрического поля или микроволнового излучения в полупроводниковых системах пониженной размерности при больших факторах заполнения. Конкретная задача состояла в исследовании неравновесных явлений в гетероструктурах ОаАз/АЛАБ с более высокой электронной концентрацией, по сравнению с высокоподвижными гетеропереходами ОаАз/АЮаАз, в том числе и в условиях, когда заполнено две подзоны размерного квантования.

Объекты и методы исследования. В качестве объектов исследования использовались одиночные и двойные квантовые ямы ваАз с боковыми сверхрешёточными барьерами А1Аз/ОаАз. Гетероструктуры изготавливались методом МЛЭ в ИФП СО РАН. Изучение магнетотранспопртных явлений, возникающих в гетероструктурах ОаАз/А1Аз под действием постоянного электрического поля или микроволнового излучения, базировалось на измерениях сопротивления и проводимости в диапазоне температур от 0.3 до 30 К в магнитных полях до 2 Тл.

Научная новизна работы состоит в следующем:

1. Впервые показано, что в двухподзонной электронной системе магнето-межподзонные осцилляции сопротивления сосуществуют с осцилляциями, индуцированными акустическими фононами. Экспериментально обнаружено увеличение амплитуды магнето-межподзонных осцилляций в максимумах магнетофононных, что свидетельствует об интерференции упругих и неупругих процессов межподзонного рассеяния. Установлено, что температурное подавление магнето-межподзонных и магнетофононных осцилляции сопротивления в гетероструктурах ваАзМЛАз обусловлено уширением уровней Ландау вследствие электрон-электроного рассеяния.

2. Экспериментально обнаружен новый квантовый нелинейный эффектподавление сопротивления двумерного электронного газа постоянным электрическим полем. Эффект позволил впервые определить время неупругого электрон-электронного рассеяния Т-п в магнитном поле и квантовое время жизни электронов хч в температурном диапазоне, в котором эффект Шубникова — де Гааза полностью подавлен и базирующийся на нём метод определения тч неприменим.

3. Экспериментально обнаружено низкотемпературное магнетополевое состояние с нулевым дифференциальным сопротивлением, возникающее в двумерной электронной системе под действием постоянного электрического тока выше некоторой критической величины. Переход в состояние с нулевым дифференциальным сопротивлением в гетероструктурах GaAs/AlAs происходит в перпендикулярном магнитном поле при температуре ниже 2 К и сопровождается резким провалом в зависимостях дифференциального сопротивления от величины постоянного электрического тока.

4. Обнаружены магнетополевые состояния с нулевым сопротивлением и нулевой проводимостью, возникающие в гетероструктурах GaAs/AlAs с.

15 2 2 концентрацией электронов пе «8×10 м» и подвижностью (i = (60−200) м /В-с при температурах ниже 4.2 К под действием микроволнового излучения в диапазоне частот от 130 до 150 ГГц. Тем самым установлено, что эти состояния, открытые ранее Р. Мани с соавторами в гетероструктурах GaAs/AlGaAs с электронной концентрацией «3×1015 м» 2 и существенно большей подвижностью «1500 У м /В-с при температуре 1.3 К, обусловлены не специфическими особенностями высокоподвижных гетероструктур GaAs/AlGaAs с толстым спейсером, а носят универсальный характер.

Научная и практическая значимость работы.

Научная ценность работы состоит в том, что расширен круг полупроводниковых систем пониженной размерности, в которых выявлены гигантские осцилляции магнетосопротивления и состояния с нулевым сопротивлением, возникающие под действием микроволнового излучения в высокоподвижном 2D электронном газе при большом числе заполненных уровней Ландау. Таким образом доказана общефизическая значимость этих магнетотранспортных явлений.

Полученные в работе экспериментальные данные стимулировали развитие теории переноса носителей заряда в электронных системах пониженной размерности:

— Результаты исследования магнетофононных осцилляций сопротивления в гетероструктурах GaAs/AlAs послужили толчком для построения теории этого явления, основанной на модели взаимодействия двумерных электронов с объемными акустическими фононами [О. Е. Raichev, Phys. Rev. В 80, 75 318 (2009)];

— Результаты исследования двухподзонного транспорта послужили стимулом для разработки теории магнето-межподзонных осцилляций сопротивления, учитывающей электрон-фононное взаимодействие [О. Е. Raichev, Phys. Rev. В 81, 195 301 (2010)];

— Обнаружение магнетополевого состояния с нулевым дифференциальным сопротивлением инициировало развитие теории нелинейных явлений в двумерных системах в сильных магнитных полях [A. Kunold, М. Torres, Phys. Rev. В 80, 205 314 (2009)].

Разработан метод измерения квантового времени жизни тч, основанный на эффекте подавления сопротивления двумерного электронного газа постоянным электрическим полем. Новый метод позволяет измерять квантовое время жизни в высокоподвижных двумерных системах при температурах, когда эффект Шубникова — де Гааза не проявляется и метод измерения xq, базирующийся на анализе квантовых осцилляций магнетосопротивления, неприменим.

Практическая значимость работы состоит в том, что фотоэлектрические явления, обнаруженные в гетероструктурах GaAs/AlAs в поперечном магнитном поле, могут быть использованы для создания приемников микроволнового и терагерцового излучения. Двухподзонные электронные системы на основе таких полупроводниковых структур могут быть использованы для создания принципиально новых датчиков магнитного поля.

Положения, выносимые на защиту.

1. При больших факторах заполнения в гетероструктурах ваАзАМАэ наблюдаются осцилляции магнетосопротивления, обусловленные резонансным рассеянием двумерных электронов на объемных акустических фононах. Амплитуда этих осцилляций зависит от температуры немонотонно. Рост амплитуды обусловлен температурной зависимостью времени рассеяния электронов на акустических фононах, а падение — температурной зависимостью времени электрон-электронного рассеяния.

2. Заполнение второй подзоны размерного квантования в одиночных и двойных квантовых ямах ваАз с боковыми сверхрешёточными барьерами А1Аз/СаА5 приводит к осцилляциям диссипативного сопротивления значительной амплитуды, период которых определяется отношением величины межподзонного расщепления к циклотронной энергии. Амплитуда магнето-межподзонных осцилляций сопротивления определяется уширеним уровней Ландау.

3. Магнето-межподзонные осцилляции диссипативного сопротивления сосуществуют с осцилляциями, обусловленными рассеянием двумерных электронов на акустических фононах. В максимумах осцилляций, индуцированных акустическими фононами, амплитуда магнето-межподзонных осцилляций увеличивается. Обнаруженное явление обусловлено интерференцией процессов межподзонного рассеяния электронов на примесях и фононах.

4. В перпендикулярном магнитном поле диссипативное сопротивление двумерного электронного газа уменьшается при увеличении постоянного электрического поля. Величина электрического поля, необходимого для проявления этого нелинейного эффекта, пропорциональна температуре. Обнаруженный эффект обусловлен неоднородной спектральной диффузии электронов, возникающей в неупорядоченной двумерной системе в скрещенных электрическом и магнитном полях.

5. При больших факторах заполнения двумерный электронный газ переходит в магнетополевое состояние с нулевым дифференциальным сопротивлением под действием постоянного электрического тока, величиной выше некоторого порогового значения. Величина этого порогового значения пропорциональна магнитному полю. Обнаруженное электронное состояние обусловлено локальной нестабильностью электрического тока в условиях отрицательного дифференциального сопротивления.

6. Индуцированные микроволновым излучением магнетополевые состояния с нулевым сопротивлением и нулевой проводимостью, наблюдавшиеся ранее только в гетероструктурах ваАз/АЮаАз с высокой подвижностью (|! ~ 1000 м /В-с) и.

15 2 низкой концентрацией электронов («е~3×10 м»), в ваАз квантовых ямах с боковыми сверхрешёточными барьерами А1Аз/ОаА8 проявляются при существенно.

2 15 2 меньшей подвижности (|д ~ 200 м /В-с) и большей концентрации (/?е~8×10 м"). Эти состояния обусловлены развитием неустойчивости в системах с абсолютным отрицательным сопротивлением или абсолютной отрицательной проводимостью.

7. В дисках Корбино с двумерным электронным газом под действием микроволнового излучения возникают магнетополевые осцилляции фото-ЭДС, период которых определяется отношением частоты излучения к циклотронной частоте. Амплитуда осцилляций фото-ЭДС пропорциональна величине микроволновой фотопроводимости. Обнаруженный фотогальванический эффект обусловлен асимметрией встроенного электрического поля в областях двумерного электронного газа, прилегающих к внутреннему и внешнему кольцевым электродам.

8. В квантовых ямах с двумя заполненными подзонами размерного квантования под действием микроволнового излучения возникают два типа магнетополевых осцилляций фотосопротивления и фотопроводимости. Период первого типа осцилляций определяется отношением частоты излучения к циклотронной частоте, а второго — отношением величины межподзонного расщепления к циклотронной энергии.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях: 16th International conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems. July 10−15, 2005.

Albuquerque, New Mexico USA- 7 Российская конференция по физике полупроводников. Полупроводники 2005. Москва, 18−23 сентября 2005 г.

Звенигород, пансионат «Ершово») — International conference: «Nanoelectronics 2006.

Novel Nanomaterials, Quantum Transport, and Noise of Electrons and Photons" ,.

Lancaster University, UK, 8−11 January 2006; 14th International Symposium th.

Nanostructures: Physics and Technology", St Petersburg, 2006; 15 International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», Novosibirsk, 2007; 8 Российская конференция по физике полупроводников. Полупроводники 2007. Екатеринбург, 30 сентября — 5 октября 2007; 2007 APS March Meeting. March 5−9, 2007, Denver, Colorado- 2008 APS March Meeting. March 10−14, 2008, New Orleans, Louisiana- 2009 APS March Meeting. March 16−20, 2009, Pittsburg, Pennsylvania- 18 Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников. 15−20 февраля 2010. Екатеринбург — Новоуральск- 18th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», St Petersburg, 2010.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и списка цитируемой литературы. Объём диссертации составляет 265 машинописных страниц, в том числе 120 рисунков и список литературы на 200 наименований.

Основные результаты и выводы диссертационной работы:

— Исследован электронный транспорт в селективно-легированных гетероструктурах ОаА5/А1Аз при больших факторах заполнения уровней Ландау. В изучаемых структурах в диапазоне температур от 10 до 25 К обнаружены периодичные по обратному магнитному полю осцилляции сопротивления, частота которых пропорциональна электронному волновому вектору на поверхности Ферми. Показано, что обнаруженные осцилляции обусловлены резонансным взаимодействием двумерных электронов с акустическими волнами, имеющими скорость щ = 5.2 — 5.9 км/с.

— Установлено, что в двухподзонных системах на основе гетероструктур ваАз/АЬ^з возникают магнетополевые осцилляции сопротивления рхх и проводимости <зхх, обусловленные межподзонным рассеянием. Период осцилляций определяется отношением величины межподзонного расщепления АЕ]2 = Е2- Е к циклотронной энергии Йсос. Зависимость амплитуды магнето-межподзонных осцилляций от температуры определяется шириной уровней Ландау = Й/тч, где тч — квантовое время жизни.

— Обнаружено, что магнето-межподзонные осцилляции диссипативного сопротивления, возникающие в двухподзонных системах, сосуществуют с осцилляциями, индуцированными акустическими фононами. Амплитуда магнето-межподзонных осцилляций возрастает в максимумах магнетофононных, что указывает на интерференцию амплитуд вероятностей межподзонных электронных переходов, связанных с упругими и неупругими процессами рассеяния.

— Исследовано влияние постоянного электрического тока на магнетотранспорт в гетероструктурах СаАзМЛАз. Показано, что при увеличении тока сопротивление двумерного электронного газа при больших факторах заполнения уменьшается. В диапазоне температур от 2 до 10 К величина электрического поля, необходимого для проявления этого эффекта, пропорциональна температуре. Обнаруженный нелинейный эффект описывается теорией неоднородной спектральной диффузии. Из сопоставления экспериментальных данных с теорией найдено, что процессы энергетической релаксации в изучаемых структурах обусловлены электрон-электронным рассеянием.

— Установлено, что электрическое поле, приложенное к двумерной системе с модулированным энергетическим спектром, приводит к неравновесной функции распределения, которая не описывается повышенной электронной температурой. Такое неравновесное распределение электронов существенно изменяет проводимость двумерного электронного газа, приводя к магнетополевому состоянию с нулевым дифференциальным сопротивлением. Показано, что при одной и той же мощности перегрев системы с модулированным спектром существенно выше, чем системы с равномерным распределением энергетических уровней.

— Обнаружены магнетополевые состояния с нулевым сопротивлением, возникающие в гетероструктурах GaAs/AlAs с электронной концентрацией пе «.

15 2 2.

8x10 м' и подвижностью [i = (60−200) м /В-с при температуре ниже 4.2 К под действием микроволнового излучения в диапазоне частот от 130 до 150 ГГц. В областях занулений наблюдаются провалы, сопротивление в которых становится отрицательным. Такое поведение согласуется с теорией, рассматривающей в качестве основной причины формирования неравновесных магнетополевых состояний с нулевым сопротивлением — развитие неустойчивости в электронных системах с абсолютным отрицательным сопротивлением.

— В дисках Корбино с двумерным электронным газом обнаружены магнетополевые осцилляции микроволновой фото-ЭДС, возникающие в области больших факторов заполнения уровней Ландау. Осцилляции ЭДС периодичны по обратному магнитному полю и идут в противофазе к осцилляциям микроволновой фотопроводимости, что указывает на вентильную природу микроволновой ЭДС.

Установлено, что в областях занулений проводимости, индуцированных микроволновым излучением, ЭДС флуктуирует во времени, что согласуется с моделью пространственной неоднородности магнетополевых состояний с нулевой проводимостью.

— Установлено, что микроволновое фотосопротивление двухподзонной системы, помещенной в перпендикулярное магнитное поле, осциллирует с двумя периодами. Больший период этих осцилляций обусловлен тем, что микроволновое фотосопротивление двухподзонной системы, как одноподзонной, является осциллирующей знакопеременной функцией отношения частоты микроволнового излучения к циклотронной частоте. Меньший период связан с влиянием микроволнового поля на межподзонные переходы. Полученные экспериментальные данные согласуются с теорией, которая рассматривает неравновесное распределение электронов по энергиям в качестве основной причины микроволнового фотосопротивления двумерных систем при больших факторах заполнения уровней Ландау.

— Таким образом, в работе проведено комплексное исследование магнетотранспортных явлений в гетероструктурах СаАзАМАэ при больших факторах заполнения. Полученные результаты свидетельствуют о том, что селективно-легированные гетеростуктуры ОаАзМЛАэ расширяют возможности экспериментального изучения электронного транспорта в системах пониженной размерности. Магнетотранспорт в таких модулированных полупроводниковых структурах обладает рядом уникальных свойств как в линейном, так и нелинейном режимах. Обнаруженные в гетеростуктурах ОаАэЛМАз новые гальваномагнитные эффекты углубили понимание процессов переноса заряда в низкоразмерных системах в скрещенных электрическом и магнитном полях, а также стимулировали развитие теории неравновесных явлений в селективно-легированных полупроводниках.

Совокупность новых научных результатов, полученных в ходе выполнения диссертационной работы, можно характеризовать как существенное достижение в направлении исследования магнетотранспортных явлений в полупроводниковых системах пониженной размерности.

Личный вклад автора. Основная часть экспериментальных результатов, представленных в диссертации, получена автором. Часть научных результатов, вошедших в диссертационную работу, получена автором совместно с профессором С. А. Виткаловым в лаборатории колледжа города Нью-Йорка. В процессе изучения магнетотранспортных явлений в гетероструктурах ОаАз/А1Аз под научным руководством автора защищено пять диссертаций на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук:

1. Бакаров А. К. «Морфология гетерограниц и транспорт двумерных электронов в ОаАБ квантовых ямах с А1Аз/ОаАз сверхрешёточными барьерами»;

2. Горан А. В. «Магнетотранспотрные свойства непланарного двумерного электронного газа в модулированных полупроводниковых структурах»;

3. Номоконов Д. В. «Электронный транспорт в субмикронных кольцевых интерферометрах на основе ОаАэ полупроводниковых гетероструктур»;

4. Калагин А. К. «Электронный транспорт в СаАзАМАэ гетероструктурах при большом числе заполненных уровней Ландау»;

5. Исламов Д. Р. «Магнитотранспорт в ваАз/АЛАз гетероструктурах в присутствии микроволнового излучения».

Автор выражает искреннюю признательность А. И. Торопову и С. А. Виткалову за многолетнее и результативное сотрудничество. Я особенно благодарен Игорю Марчишину за всестороннее сотрудничество в экспериментальной работе, а также Андрею Минаеву за безвозмездную разработку и изготовление сверхпроводящего соленоида, на котором была получена основная часть экспериментальных результатов, вошедших в диссертационную работу. Автор признателен 3. Д. Квону за многолетнюю дружескую, организационную и административную поддержку. Я благодарю Российский фонд фундаментальных исследований за финансовую поддержку.

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Е. Н. On a New Action of the Magnet on Electric Currents // American Journal of Mathematics. 1879. — Vol. 2. — No. 3 — P. 287−292.
  2. Schubnikov L. A new phenomenon in the change of resistance in a magnetic field of single crystals of bismuth / L. Schubnikov, W. J. de Haas // Nature. -1930.-Vol. 126.-N. 3179.-P. 500.
  3. Dingle R. Electron mobilities in modulation-doped semiconductor heterojunction superlattices / R. Dingle, H. L. Stormer, A. C. Gossard, W. Weigmann // Appl. Phys. Lett. 1978. — Vol. 33. — P. 665−667.
  4. Tsui D. C. Two-dimensional magnetotransport in the exstreme quantum limit / D. C. Tsui, H. L. Stormer, A. C. Gossard // Phys. Rev. Lett. 1982. — Vol. 48. -P.1559−1562.
  5. Ando T. Electronic properties of two-dimensional systems / T. Ando, A. B. Fowler, F. Stern // Rev. Mod. Phys. 1982. — Vol. 54. — P. 437−672.
  6. K. -J. New Concept for the Reduction of Impurity Scattering in Remotely Doped GaAs Quantum Wells / K. -J. Friedland, R. Hey, H. Kostial, R. Klann, K. Ploog // Phys. Rev. Lett. 1996. — Vol. 77. — P. 4616−4619.
  7. Zudov M. A. Shubnikov -de Haas-like oscillations in millimeter wave photoconductivity in a high-mobility two-dimensional electron gas / M. A. Zudov, R. R. Du, J. A. Simmoms, J. L. Reno // Phys. Rev. B. 2001. — Vol. 64. -P. 201 311−1-4.
  8. Mani R. G. Zero-resistance states induced by electromagnetic-wave excitation in GaAs/AlGaAs heterostructures / R. G. Mani, J. H. Smet, K. von Klitzing, V. Narayanamurti, W. B. Johnson, V. Umansky // Nature. 2002. — Vol. 420. — P. 646−650.
  9. Э. M. Двумерная электрон-примесная система в сильном магнитном поле / Э. М. Баскин, JI. И. Магарилл, М. В. Энтин // ЖЭТФ. -1978.-Т. 75.-С. 723−734.
  10. В. M. Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах // ФТП. 1988. — Т. 22. — С. 2230−2232.
  11. Yang С. L. Zener Tunneling Between Landau Orbits in a High-Mobility Two-Dimensional Gas / C. L. Yang, J. Zhang, R. R. Du, J. A. Simmons, J. L. Reno // Phys. Rev. Lett. 2002. — Vol. 89. — P. 76 801−1-4.
  12. В. И. Особенности фотопроводимости тонких пленок в скрещенных электрическом и магнитном полях // ФТТ. 1969. — Т. 11. — С. 2577−2579.
  13. Dorozhkin S. I. Gigant magnitoresonance oscillations caused by cyclotron resonance harmonics // Письма в ЖЭТФ. 2003. — Т. 77. — С. 681−685.
  14. Andreev А. V. Dynamical symmetry breaking as the origin of the zero dc resistance state in an ac driven system / A. V. Andreev, I. L. Aleiner, A. J. Millis // Phys. Rev. Lett. 2003. — Vol. 91. — P. 56 803−1-4.
  15. Willett R. L. Evidence for current-flow anomalies in the irradiated 2D electron system at small magnetic fields / R. L. Willett, L. N. Pfeiffer, K. W. West // Phys. Rev. Lett. 2004. — Vol. 93. — P. 26 804−1-4.
  16. Dmitriev I. A. Theory of microwave-induced oscillations in the magnetoconductivity of a two-dimensional electron gas /1. A. Dmitriev, M. G. Vavilov, I. L. Aleiner, A. D. Mirlin, D. G. Polyakov // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 71.-P. 115 316−1-11.
  17. А. А. Отрицательное магнетосопротивление высокоподвижного двумерного электронного газа в нелинейном режиме / А. А. Быков, А. К. Калагин, А. К. Бакаров // Письма в ЖЭТФ. 2005. — Т. 81 — С. 498−501.
  18. А. А. Магнетофононный резонанс в GaAs квантовой яме с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами при больших факторах заполнения / А. А. Быков, А. К. Калагин, А. К. Бакаров // Письма в ЖЭТФ. -2005.-Т. 81.-С. 646−649.
  19. Bykov A. A. Magnetoresistance oscillations due to Zener tunneling and microwave radiation in a 2D electron gas in GaAs quantum well with
  20. AlAs/GaAs superlattices barriers / A. A. Bykov, A. K. Bakarov, A. K. Kalagin, A. V. Goran, A. I. Toropov, S. A. Vitkalov // Physica E. 2006. — V. 34. — P. 97−99.
  21. А. А. Холловский пробой в GaAs/AlAs гетероструктуре с модулированным легированием / А. А. Быков, И. В. Марчишин, А. К. Бакаров, Ж. К. Занг, С. А. Виткалов // Письма в ЖЭТФ. 2007. — Т. 85. — С. 69−73.
  22. Zhang Jing-qiao. Effect of a dc electric field on the longitudinal resistance of two-dimensional electrons in a magnetic field / Jing-qiao Zhang, Sergey Vitkalov, A. A. Bykov, A. K. Kalagin, A. K. Bakarov // Phys. Rev. B. 2007. -V. 75.-P. 81 305−11.
  23. Bykov A. A. Zero-Differential Resistance State of Two-Dimensional Electron Systems in Strong Magnetic Fields / A. A. Bykov, Jing-qiao Zhang, Sergey Vitkalov, A. K. Kalagin, A. K. Bakarov // Phys. Rev. Lett. 2007. — V. 99. — P. 116 801−1-4.
  24. Vitkalov Sergey. Effect of DC electric field on longitudinal resistance of two dimensional electrons in a magnetic field / Sergey Vitkalov, Jing-qiao Zhang, A. A. Bykov, A. K. Kalagin, A. K. Bakarov // Proceedings of the 15th Int. Symp.
  25. Nanostructures: Physics and Technology". Ioffe Institute. St Peterburg. 2007. -P. 347−348.
  26. А. А. Абсолютное отрицательное сопротивление в неравновесной двумерной электронной системе в сильном магнитном поле / А. А. Быков, Д. Р. Исламов, Д. В. Номоконов, А. К. Бакаров // Письма в ЖЭТФ. 2007. -Т. 86. — С. 695−698.
  27. А. А. Микроволновое фотосопротивление в двумерной электронной системе с анизотропной подвижностью / А. А. Быков, Д. Р. Исламов, А. В. Горан, А. К. Бакаров // Письма в ЖЭТФ. 2007. — Т. 86. — С. 891−895.
  28. А. А. Индуцированные микроволновым излучением магнетополевые осцилляции ЭДС в двумерном электронном диске Корбино при больших факторах заполнения // Письма в ЖЭТФ. 2008. — Т. 87.-С. 281−285.
  29. А. А. Микроволновое фотосопротивление в двойной квантовой яме при больших факторах заполнения / А. А. Быков, Д. Р. Исламов, А. В. Горан, А. И. Торопов // Письма в ЖЭТФ. 2008. — Т. 87. — С. 563−567.
  30. А. А. Индуцированное микроволновым излучением магнетополевое состояние с нулевой проводимостью в GaAs/AlAs дисках Корбино и мостиках Холла // Письма в ЖЭТФ. 2008. — Т. 87. — С. 638−641.
  31. А. А. Нелинейный магнетотранспорт в квазидвумерной системе с высокой электронной подвижностью // Письма в ЖЭТФ. 2008. — Т. 88. -С. 70−74.
  32. А. А. Туннелирование Зинера между уровнями Ландау в двойной квантовой яме при больших факторах заполнения // Письма в ЖЭТФ. -2008.-Т. 88. -С. 450−453.
  33. Romero Kalmanovitz N. Warming in systems with a discrete spectrum: Spectral diffusion of two-dimensional electrons in a magnetic field / N. Romero Kalmanovitz, A. A. Bykov, Sergey Vitkalov, A. I. Toropov // Phys. Rev. B. -2008. Vol. 78 — P. 85 306−1-4.
  34. Romero N. Effect of parallel magnetic field on the zero-differential resistance state / N. Romero, S. McHugh, M. P. Sarachik, S. A. Vitkalov, A. A. Bykov // Phys. Rev. B. 2008. — Vol. 78. — P. 153 311−1-4.
  35. А. А. Нелинейный эффект Холла в квазидвумерной электронной системе // Письма в ЖЭТФ. 2009. — Т. 89. — С. 550−554.
  36. А. А. Микроволновое фотосопротивление двумерного электронного газа в баллистическом микромостике // Письма в ЖЭТФ. 2009. — Т. 89. -С. 676−680.
  37. А. А. Температурная зависимость магнетофононных осцилляций сопротивления в GaAs/AlAs гетероструктурах при больших факторах заполнения / А. А. Быков, А. В. Горан // Письма в ЖЭТФ. 2009. — Т. 90. -С. 630−633.
  38. Vitkalov Sergey. Nonlinear transport of 2D electrons in magnetic field / Sergey Vitkalov, Jing Qiao Zhang, A. A. Bykov, A. I. Toropov // International Journal of Modern Physics B. 2009. — Vol. 23. -Nos. 12 & 13. — P. 2689−2692.
  39. Zhang Jing Qiao. Nonlinear resistance of two-dimensional electrons in crossed electric and magnetic fields / Jing Qiao Zhang, Sergey Vitkalov, A. A. Bykov // Phys. Rev. B. 2009. — Vol. 80. — P. 45 310−1-14.
  40. А. А. Пространственная неоднородность индуцированных микроволновым излучением электронных состояний с нулевой проводимостью в двумерных дисках Корбино при больших факторах заполнения//Письма в ЖЭТФ.-2010.-Т. 91.-С. 390−394.
  41. Bykov A. A. Interference of magneto-intersubband and phonon-induced resistance oscillations in single GaAs quantum wells with two populatedsubbands / A. A. Bykov, A. V. Goran, S. A. Vitkalov // Phys. Rev. B. 2010. -Vol. 81.-P. 155 322−1-6.
  42. Vitkalov S. A. Quantal heating of 2D electrons in strong magnetic fields / S. A. Vitkalov, A. A. Bykov // Proceedings of the 18th Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology». Ioffe Institute. St Peterburg. 2010. — P. 55−56.
  43. А. А. Гигантские осцилляции магнетопроводимости, индуцированные микроволновым излучением в двумерных электронных дисках Корбино с емкостными контактами / А. А. Быков, И. В. Марчишин // Письма в ЖЭТФ. 2010. Т. 92. — С. 73−76.
  44. Bykov A. A. Microwave induced zero-conductance state in a Corbino geometry two-dimensional electron gas with capacitive contacts / A. A. Bykov, I. V. Marchishin, A. V. Goran, D. V. Dmitriev // Appl. Phys. Lett. 2010. — Vol. 97. -P. 82 107−1-3.
  45. А. А. Резонансное микроволновое фотосопротивление в двухподзонной электронной системе при больших факторах заполнения / А. А. Быков, Е. Г. Мозулев, А. К. Калагин // Письма в ЖЭТФ. 2010. — Т. 92. — С. 420−423.
  46. А. А. Нулевое дифференциальное сопротивление в двойной квантовой яме при больших факторах заполнения / А. А. Быков, Е. Г. Мозулев, С. А. Виткалов // Письма в ЖЭТФ. 2010. — Т. 92. — С. 523−527.
  47. Stormer Н. L. Influence an undoped (AlGa)As spacer on mobility enhancement in GaAs-(AlGa)As superlattices / H. L. Stormer, A. Pinczuk, A. C. Gossard, W. Weigmann//Appl. Phys. Lett. 1981. — Vol. 38. — P. 691−693.
  48. Stormer H. L. Dependence of electron mobility in modulation-doped GaAs-(AlGa)As heterojunction interfaces on electron density and A1 concentration / H.
  49. Stormer, A. C. Gossard, W. Weigmann, K. Baldvin // Appl. Phys. Lett. -1981.-Vol. 39.-P. 912−914.
  50. Shayegan M. Growth of low-density two-dimensional electron system with very high mobility by molecular beam epitaxy / M. Shayegan, V. J. Goldman, C. Jiang, T. Sajoto, M. Santos // Appl. Phys. Lett. 1988. — Vol. 52. — P. 10 861 088. n J
  51. Pfeiffer L. Electron mobilities exceeding 10 cm /Vs in modulation-doped GaAs / L. Pfeiffer, K. W. West, H. L. Stormer, K. Baldvin // Appl. Phys. Lett. 1989. -Vol. 55.-P. 1888−1890.
  52. Umansky V. MBE growth of ultra-low disorder 2DEG with mobility exceeding 35xl06 cm2/Vs // V. Umansky, M. Heiblum, Y. Levinson, J. Smet, J. Nubler, M. Dolev // Journal of Crystal Growth. 2009. — V. 311 — P. 1658−1661.
  53. Hwang E. H. Limit to two-dimensional mobility in modulation-doped GaAs quantum structures: How to achieve a mobility of 100 million / E. H. Hwang, S. Das Sarma // Phys. Rev. B. 2008. — Vol. 77. — P. 235 437−1-6.
  54. Zaremba E. Transverse magnetoresistance in quantum wells with multiple subband occupancy // Phys. Rev. B. 1992. — Vol. 45. — P. 14 143−14 149.
  55. Baskin E. M. Magnetic localization of classical electrons in 2D disordered lattice / E. M. Baskin, M. V. Entin // Physica B. 1998. — Vol. 249−251. — P. 805−808.
  56. Fogler M. M. Suppression of chaotic dynamics and localization of two-dimensional electrons by a weak magnetic field / M. M. Fogler, A. Yu. Dobin, V. I. Perel, B. I. Shklovskii // Phys. Rev. B. 1997. — Vol. 56. — P. 6823−6838.
  57. Mirlin A. D. Strong Magnetoresistance Induced by Long-Range Disorder / A. D. Mirlin, J. Wilke, F. Evers, D. G. Polyakov, P. Wo"lfle // Phys. Rev. Lett. 1999. -Vol. 83.-P. 2801−2804.
  58. Polyakov D. G. Quasiclassical magnetotransport in a random array of antidotes / D. G. Polyakov, F. Evers, A. D. Mirlin, P. Wo"lfle // Phys. Rev. B. 2001. -Vol. 64.-P. 205 306−1-19.
  59. Mirlin A. D. Quasiclassical Negative Magnetoresistance of a 2D Electron Gas: Interplay of Strong Scatterers and Smooth Disorder / A. D. Mirlin, D. G. Polyakov, F. Evers, P. Wo"lfle // Phys. Rev. Lett. 2001. — Vol. 87. — P. 126 805−1-4.
  60. Coleridge P. T Low-field transport coefficients in GaAs/GaAlAs heterostructures / P. T. Coleridge, R. Stoner, R. Fletcher // Phys. Rev. B. 1989. -Vol. 39.-P. 1120−1124.
  61. Coleridge P. T. Small-angle scattering in two-dimensional electron gases // Phys. Rev. В. 1991.-Vol. 44.-P. 3793−3801.
  62. В. JI. К теории электропроводности полупроводников в магнитном поле / В. Л. Гуревич, Ю. А. Фирсов // ЖЭТФ. 1961. — Т. 40. — С. 199−213.
  63. Firsov Yu. A. Investigation of a new type of oscillations in the magnetoresistance / Yu. A. Firsov, V. L. Gurevich, R. V. Parfeniev, S. S. Shalyt // Phys. Rev. Lett. 1964. — Vol. 12. — P. 660−662.
  64. Tsui D. C. Observation of Magnetophonon Resonances in a Two-Dimentional Electronic System / D. C. Tsui, Th. Englert, A. Y. Cho, A. C. Gossard // Phys. Rev. Lett. 1980. — Vol. 44. — P. 341−344.
  65. Faugeras C. Magnetophonon resonance in high-density high-mobility qwantum well systems / C. Faugeras, D. K. Maude, G. Martinez, L. B. Rigal, C. Proust, K. J. Friedland, R. Hey, and К. H. Ploog // Phys. Rev. B. 2004. — Vol. 69. — P. 73 405−11.
  66. H. В. Фонон-электронное взаимодействие в электронных слоях кремния / Н. В. Заварицкий, 3. Д. Квон // Письма в ЖЭТФ. 1983. — Т. 38 -С. 85−88.
  67. А. А. Проводимость размерно-квантованной полупроводниковой пленки в квантующем магнитном поле / А. А. Романов, Л. И. Магарилл, В. С. Сардарян // ФТП. 1970. — Т. 4. — С. 1262−1266.
  68. Leadley D. R. Intersubband resonant scattering in GaAsGaAlAs heterojunctions / D. R. Leadley, R. Fletcher, R. J. Nicholas et al. II Phys. Rev. B. 1992. — Vol. 46.-P. 12 439−12 447.
  69. Raikh M. E. Magnetointersubband oscillations of conductivity in a twodimensional electronic system / M. E. Raikh, Т. V. Shahbazyan // Phys. Rev.
  70. B. 1994. — Vol. 49. — P. 5531−5540.
  71. Raichev О. E. Magnetic oscillations of resistivity and absorption of radiation in quantum wells with two populated subbands // Phys. Rev. B. 2008. — Vol. 78. -P. 125 304.
  72. Gusev G. M. Nonlinear effects in a two-dimensional electron gas with periodic lattice of scatters / G. M. Gusev, Z. D. Kvon, A. G. Pogosov, M. M. Voronin / Письма в ЖЭТФ. 1997. — Т. 65. — С. 237−241.
  73. Vavilov М. G. Magnetotransport in a two-dimensional electron gas at large filling factors / M. G. Vavilov, I. L. Aleiner // Phys. Rev. B. 2004. — Vol. 69. -P.35 303−1-26.
  74. И. Б. Времена релаксации, функция разогрева и эффект убегания горячих электронов в полупроводниках // ФТТ. 1964. — Т. 6. — С. 21 132 123.
  75. Vavilov М. G. Nonlinear resistivity of a two-dimensional electron gas in a magnetic field / M. G. Vavilov, I. L. Aleiner, L. I. Glazman // Phys. Rev. B. -2007.-Vol. 76.-P. 115 331−1-6.
  76. Ebert G. Two-dimensional magneto-quantum transport on GaAs-AlxGaj.xAs heterostructures under non-ohmic conditions / G. Ebert, K. von Klitzing, K. Ploog, G. Weimann // J. Phys. C: Solid State Phys. 1983. — Vol. 16. — P. 54 415 448.
  77. А. А. Микроволновая фотопроводимость в двумерной системе с периодическим потенциалом антиточек / А. А. Быков, Г. М. Гусев, 3. Д. Квон, В. М. Кудряшев, В. Г. Плюхин // Письма в ЖЭТФ. 1991. — Т. 53.1. C.407−410.
  78. VasiliadouE. Collective response in the microwave photoconductivity of hall bar structures / E. Vasiliadou, G. Muller, D. Heitmann et al. II Phys. Rev. B. -1993. -Vol. 48. P. 17 145−17 148.
  79. В. И. Фотопроводимость двумерного электронного газа в сильном магнитном поле/ В. И. Рыжий, Р. А. Сурис, Б. С. Щамхалова// ФТП. -1986.-Т. 20.-С. 2078−2083.
  80. А. С. Radiation-induced magnetoresistance oscillations in a 2D electron gas / A. C. Durst, S. Sachdev, N. Read, S. M. Girvin // Phys. Rev. Lett. 2003. -Vol. 91.-P. 86 803−1-4.
  81. A. Jl. Явления неустойчивости в полупроводниковом усилителе с отрицательной эффективной массой носителей // ЖЭТФ. 1960. — Т. 38. -С. 665.
  82. А. Ф. Физические явления в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью / А. Ф. Волков, Ш. М. Коган // УФН. -1968.-Т. 96.-С. 633−672.
  83. В. Фотопроводимость 2D электронных систем в магнитном поле // Письма в ЖЭТФ. 2003. — Т. 77. — С. 281−284.
  84. Dmitriev I. A. Cyclotron-Resonance Harmonics in the ас Response of a 2D Electron Gas with Smooth Disorder / I. A. Dmitriev, A. D. Mirlin, D. G. Polyakov // Phys. Rev. Lett. 2003. Vol. 91. — P. 226 802−1-4.
  85. Lei X. L. Radiation induced magnetoresistance oscillation in a two dimensional electron gas in faraday geometry / X. L. Lei, S. Y. Liu // Phys. Rev. Lett. 2003. -Vol. 91.-P. 226 805−1-4.
  86. Koulakov A. A. Classical model for the negative dc conductivity of ac-driven two-dimensional electrons near the cyclotron resonance / A. A. Koulakov, M. E. Raikh // Phys. Rev. B. 2003. — Vol. 68. — P. 115 324−1-4.
  87. Ryzhii V. Absolute negative conductivity and zero-resistance states in two dimensional electron systems: A plausible scenario / V. Ryzhii, A. Chaplik, R. Suris // Письма в ЖЭТФ. 2004. — Т. 80. — С. 412−415.
  88. Vavilov M. G. Compressibility of a two-dimensional electron gas under microwave radiation / M. G. Vavilov, I. A. Dmitriev, I. L. Aleiner, A. D. Dmitriev, D. G. Polyakov // Phys. Rev. B. 2004. — Vol. 70. — P. 161 306−1-4.
  89. Mikhailov S. A. Microwave-induced magnetotransport phenomena in two-dimensional electron systems: Importance of electrodynamic effects //Phys. Rev. В.-2004.-Vol. 70.-P. 165 311.
  90. Mikhailov S. A. Influence of contacts on the microwave response of a two-dimensional electron stripe / S. A. Mikhailov, N. A. Savostianova // Phys. Rev. B. 2006. — Vol. 74. — P. 45 325.
  91. В. А. Плазмонный механизм магнитоосцилляций сопротивления двумерной электронной системы в сильных электрических полях / В. А. Волков, Э. Е. Тахтамиров // ЖЭТФ. 2007. — Т. 131. — С. 681.
  92. Dmitriev I. A. Theory of Fractional Microwave-Induced Resistance Oscillations /1. A. Dmitriev, A. D. Mirlin, D. G. Polyakov // Phys. Rev. Lett. 2007. — Vol. 99.-P. 206 805.
  93. Satou A. Excitation of two-dimensional plasmon polaritons by an incident electromagnetic wave at a contact / A. Satou, S. A. Mikhailov // Phys. Rev. B. -2007.-Vol. 75.-P. 45 328.
  94. Dmitriev I. A. Microwave photoconductivity of a two-dimensional electron gas: Mechanisms and their interplay at high radiation power /1. A. Dmitriev, A. D. Mirlin, D. G. Polyakov // Phys. Rev. B. 2007. Vol. 75. — P. 245 320.
  95. Sedrakyan T. A. Magneto-Oscillations due to Electron-Electron Interactions in the ac Conductivity of a Two-Dimensional Electron Gas / T. A. Sedrakyan, M. E. Raikh // Phys. Rev. Lett. 2008. — Vol. 100. — P. 86 808.
  96. Dmitriev I. A. Theory of microwave-induced photocurrent and photovoltage magneto-oscillations in a spatially nonuniform two-dimensional electron gas /1. A. Dmitriev, S. I. Dorozhkin, and A. D. Mirlin // Phys. Rev. B. 2009. Vol. 80. -P. 125 418.
  97. Dmitriev I. A. Mechanisms of the microwave photoconductivity in two-dimensional electron systems with mixed disorder /1. A. Dmitriev, M. Khodas, A. D. Mirlin, D. G. Polyakov, M. G. Vavilov // Phys. Rev. B. 2009. Vol. 80. -P.165 327.
  98. Chepelianskii A. D. Microwave stabilization of edge transport and zero resistance states / A. D. Chepelianskii, D. L. Shepelyansky // Phys. Rev. B. -2009.-Vol. 80.-P. 241 308.
  99. Ye P. D. Giant microwave photoresistance of two-dimensional electron gas / P. D. Ye, L. W. Engel, D. C. Tsui, J. A. Simmons, J. R. Wendt, G. A. Vawter, J. L. Reno // Appl. Phys. Lett. 2001. — Vol. 79. — P. 2193−2195.
  100. Zudov M. A. Evidence for a new dissipationless effect in 2D electronic transport / M. A. Zudov, R. R. Du, L. N. Pfeiffer, K. W. West // Phys. Rev. Lett. 2003. -Vol. 90. — P. 46 807−1-4.
  101. Mani R. G. Demonstration of a ¼-cycle phase shift in the radiation-induced oscillatory magnetoresistance in GaAs/AlGaAs devices / R. G. Mani, J. H. Smet, K. von Klitzing et al. II Phys. Rev. Lett. 2004. — Vol. 92. — P. 146 801.
  102. Mani R. G. Radiation-induced oscillatory Hall effect in high-mobility GaAs/AlGaAs devices / R. G. Mani, V. Narayanamurti, K. von Klitzing, J. H. Smet, W. B. Johnson, V. Umansky // Phys. Rev. B. 2004. — Vol. 69. — P. 161 306.
  103. Mani R. G. Radiation induced oscillatory magnetoresistance as a sensitive probe of the zero field spin splitting in high mobility GaAs/AlGaAs devices / R. G. Mani, J. H. Smet, K. v. Klitzing et al. // Phys. Rev. B. 2004. — Vol. 69. — P. 193 304.
  104. SmetJ. H. Circular-polarization-dependent study of the microwave photoconductivity in a two-dimensional electron system / J. H. Smet, B. Gorshunov, C. Jiang et al II Phys. Rev. Lett. 2005. — Vol. 95. -P. 116 804.
  105. Dorozhkin S. I. Microwave photoresponse in the two-dimensional electron system caused by intra-Landau-level transitions / S. I. Dorozhkin, J. H. Smet, V. Umansky, K. von Klitzing // Phys. Rev. B. 2005. — Vol. 71. — P. 201 306.
  106. Zudov M. A. Bichromatic microwave photoresistance of a two-dimensional electron system / M. A. Zudov, R. R. Du, L. N. Pfeiffer, K. W. West // Phys. Rev. Lett. 2006. — Vol. 96. — P. 236 804.
  107. А. Т. Temperature Dependence of Microwave Photoresistance in 2D Electron Systems / A. T. Hatke, M. A. Zudov, L. N. Pfeiffer, K. W. West // Phys. Rev. Lett. 2009. Vol. 102. — P. 66 804.
  108. Fedorych О. M. Quantum oscillations in the microwave magnetoabsorption of a two-dimensional electron gas / О. M. Fedorych, M. Potemski, S. A. Studenikin, J. A. Gupta, Z. R. Wasilewski, I. A. Dmitriev // Phys. Rev. B. 2010. Vol. 81. -P.201 302.
  109. Dorozhkin S. I. Photocurrent and Photovoltage Oscillations in the Two-Dimensional Electron System: Enhancement and Suppression of Built-in Electric Fields / S. I. Dorozhkin, I. V. Pechenezhskiy, L. N. Pfeiffer, K. W.
  110. West, V. Umansky, К. von Klitzing, J. H. Smet // Phys. Rev. Lett. 2009. Vol. 102.-P. 36 602.
  111. Bierwagen O. Mobility and carrier density in materials with anisotropic conductivity revealed by van der pauw measurements / O. Bierwagen, R. Pomraenke, S. Eilers, W. T. Masselink // Phys. Rev. B. -2004. Vol. 70. — P. 165 307.
  112. В. Ф. Электроны в неупорядоченных средах / В. Ф. Гантмахер. -Москва: ФИЗМАТЛИТ. 2005. — 232 с.
  113. А. В. Магнетотранспотрные свойства непланарного двумерного электронного газа в модулированных полупроводниковых структурах / А. В. Горан. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Новосибирск. — 2005. — 101 с.
  114. А. К. Электронный транспорт в GaAs/AlAs гетероструктурах при большом числе заполненных уровней Ландау / А. К. Калагин.
  115. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Новосибирск. 2008. — 102 с.
  116. Д. Р. Магнитотранспорт в GaAs/AlAs гетероструктурах в присутствии микроволнового излучения / Д. Р. Исламов. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Новосибирск. — 2010. — 116 с.
  117. Gusev G. M. Single-particle relaxation time in a spatially fluctuating magnetic field / G. M. Gusev, J. R. Leite, A. A. Bykov, N. T. Moshegov, V. M. Kudryashev, A. I. Toropov, Yu. V. Nastaushev // Phys. Rev. B. 1999. — Vol. 59.-P. 5711−5716.
  118. Bykov A. A. Hall effect in a spatially fluctuating magnetic field with zero mean / A. A. Bykov, G. M. Gusev, J. R. Leite, A. K. Bakarov, N. T. Moshegov, M. Casse, D. K. Maude, J. C. Portal // Phys. Rev. B. 2000. — Vol. 61. — P. 55 055 510.
  119. Apostolopoulos G. Reentrant mound formation in GaAs (001) homoepitaxy observed by ex situ atomic force microscopy / G. Apostolopoulos, J. Herfort, L.
  120. Daweritz, К. Ploog, M. Luysberg // Phys Rev. Lett. 1999. Vol. — 85. — P. 3358−3361.
  121. Beenakker C. W. J. Guiding-center-drift resonance in a periodically modulated two-dimensional electron gas // Phys. Rev. Lett. 1989. — Vol. 62. — P. 20 202 023.
  122. Akabori Masashi. Large positive magnetoresistance in periodically modulated two-dimensional electron gas formed on self-organized GaAs multiatomic steps / Masashi Akabori, Junichi Motohisa, Takashi Fukui // Physica E. 2000. — Vol. 7.-P. 766−771.
  123. Grant David E. Commensurability oscillations due to pinned and drifting orbits in a two-dimensional lateral surface superlattice / David E. Grant, Andrew R. Long, John H. Davies / Phys. Rev. B. 2000. — Vol. 61. — P. 13 127−13 130.
  124. Dmitriev Alexander. Anomalous Low-Field Classical Magnetoresistance in Two Dimensions / Alexander Dmitriev, Michel Dyakonov, Remi Jullien // Phys. Rev. Lett. 2002. — Vol. 89. — P. 266 804−1-4.
  125. Goran A. V. Classical anisotropic magnetoresistance of a non-planar 2D electron gas in a parallel magnetic field / A. V. Goran, A. A. Bykov, A. I. Toropov // Semicond. Sci. Technol. 2008. — Vol. 23. — P. 105 017.
  126. Sotomayor N. M. Negative linear classical magnetoresistance in corrugated two-dimensional electron gas / N. M. Sotomayor, G. M. Gusev, J. R. Leite, A.
  127. A. Bykov, A. K. Kalagin, V. M. Kudryashev, A. I. Toropov / Phys Rev. B. -2004. Vol. 70. — P. 235 326−1-6.
  128. Cho Hyun-Ick. Negative quasiclassical magnetoresistance in a high density two-dimensional electron gas in a AlxGa! xN/GaN heterostructure / Hyun-Ick Cho, G. M. Gusev, Z. D. Kvon, V. T. Renard, Jung-Hee Lee, J-C. Portal // Phys. Rev.
  129. B. 2005. Vol. 71. — P. 245 323.
  130. Stradling R. A. The magnetophonon effect in III-V semiconducting compounds / R. A. Stradling, R. A. Wood // J. Phys. C: Solid State Phys. 1968. — Vol. 1. -P. 1711−1733.
  131. Renard V. Large positive magnetoresistance in a high-mobility two-dimensional electron gas: Interplay of short- and long-range disorder / V. Renard, Z. D. Kvon, G. M. Gusev, J. C. Portal // Phys. Rev. B. 2004. — Vol. 70. — P. 333 031−4.
  132. Stormer H. L. Observation of intersubband scattering in a 2-dimensional electron system / H. L. Stormer, A. C. Gossard, W. Wiegmann // Solid State Commun. -1982. Vol. 41. — P. 707−709.
  133. H. С. Квазидвумерный эффект Шубникова-де Гааза / Н. С. Аверкиев, Л. Е. Голуб, С. А. Тарасенко // ЖЭТФ. 2000. — Т. 117. — С. 407 410.
  134. О. Е. Theory of acoustic-phonon assisted magnetotransport in two-dimensional electron systems at large filling factors // Phys. Rev. B. 2009. Vol. 80.-P. 75 318.
  135. A. Т. Phonon-Induced Resistance Oscillations in 2D Systems with a Very High Electron Mobility / A. T. Hatke, M. A. Zudov, L. N. Pfeiffer, K. W. West // Phys. Rev. Lett. 2009. — Vol. 102. — P. 86 808.
  136. Mendez E. E. Temperature dependence of the electron mobility in GaAs-GaAlAs heterostructures / E. E. Mendez, P. J. Price, M. Heiblum // Appl. Phys. Lett.- 1984. Vol. 45.-P. 294. f ¦)
  137. English J. H. GaAs structures with electron mobility of 5 10 cm /Vs / J. H. English, A. C. Gossard, H. L. Stormer, K. W. Baldwin // Appl. Phys. Lett. -1987.-Vol. 50.-P. 1826.
  138. Stormer H. L. Observation of a Bloch-Gruneisen regime in two-dimensional electron transport / H. L. Stormer, L. N. Pfeiffer, K. W. Baldwin, K. W. West // Phys. Rev. В. 1990.-Vol. 41.-P. 1278.
  139. А. В. Энергетический спектр и процессы рассеяния электронов в инверсионных слоях//ЖЭТФ, — 1971.-Т. 60.-С. 1845−1852.
  140. Giuliani G. F. Lifetime of quasiparticle in a two-dimensional electron gas / G. F. Giuliani, J. J. Quinn // Phys. Rev. B. 1982. — Vol. 26 — P. 4421.
  141. Bloch F. Zum Elektrischen Widerstandsgesetz bei tiefen Temperaturen // Z. Phys. 1930. — Vol. 59. — P. 209−214.
  142. Zhang W. Resonant phonon scattering in quantum Hall systems driven by dc electric fields / W. Zhang, M. A. Zudov, L. N. Pfeiffer, K. W. West // Phys. Rev. Lett. 2008. — Vol. 100. — P. 36 805—1—4.
  143. Boebinger G. S. Measurement of fermi-surface distortion in double quantum wells from in-plane magnetic fields / G. S. Boebinger, A. Passner, L. N. Pfeiffer, K. W. West//Phys. Rev. В. 1991.-Vol. 43.-P. 12 673−12 676.
  144. Mamani N. C. Resonance oscillations of magnetoresistance in double quantum wells / N. C. Mamani, G. M. Gusev, Т. E. Lamas et al. И Phys. Rev. B. 2008. -Vol. 77.-P. 205 327.
  145. Raichev О. E. Magnetoresistance oscillations in two-subband electron systems: Influence of electron-phonon interaction // Phys. Rev. B. 2010. — Vol. 81. — P. 195 301.
  146. Dmitriev I. A. Phonon-induced resistance oscillations of two-dimensional electron systems drifting with supersonic velocities / I. A. Dmitriev, R. G. Gellmann, M. G. Vavilov // Phys. Rev. B. 2010. — Vol. 82. — P. 201 311.
  147. Hatke A. T. Role of electron-electron interactions in nonlinear transport in two-dimensional electron systems / A. T. Hatke, M. A. Zudov, L. N. Pfeiffer, K. W. West//Phys. Rev. В.-2009.-Vol. 79.-P. 161 308.
  148. Kunold A. Nonlinear transport theory for negative-differential resistance states of two-dimensional electron systems in strong magnetic fields / A. Kunold, M. Torres // Phys. Rev. B. 2009. — Vol. 80. — P. 205 314.
  149. Chen J. C. Negative differential conductivity of two-dimensional electron-gas systems in high magnetic fields / J. C. Chen, Y. Tsai, Y. Lin, T. Ueda, S. Komiyama // Phys. Rev. B. 2009. — Vol. 79. — P. 75 308.
  150. Hatke A. T. Zero differential resistance in two-dimensional electron systems at large filling factors / A. T. Hatke, H.-S. Chiang, M. A. Zudov, L. N. Pfeiffer, K. W. West // Phys. Rev. B. 2010. — Vol. 82. — P. 41 304.
  151. Conwell E. M. High field transport in semiconductors / E. M. Conwell. -Academic press, New York and London. 1967. — 293 p.
  152. ЕлесинВ.Ф. О возможность отрицательной проводимости на неравновесных электронах в квантующем магнитном поле // Письма в ЖЭТФ. 1968. — Т. 7. — С. 229−232.
  153. А. С. Спектральные осцилляции фототока в антимониде индия, обусловленные абсолютной отрицательной проводимостью в квантующем магнитном поле / А. С. Александров, Ю. А. Быковский, В. Ф. Елесин и др. II Письма в ЖЭТФ. 1970. — Т. 12. — С. 57.
  154. В. Ф. Нагрев электронной подсистемы полем дембера при амбиполярной диффузии в германии/ В. Ф. Гантмахер, В.Н.Зверев// Письма в ЖЭТФ. 1977. — Т. 25. — С. 44.
  155. Paalanen M. A. Parabolic magnetoresistance from the interaction effect in a two-dimensional electron gas / M. A. Paalanen, D. C. Tsui, J. С. M. Hwang // Phys. Rev. Lett. 1983. — Vol. 51. — P. 2226−2229.
  156. ZudovM. A. Multiphoton processes in microwave photoresistance of two-dimensional electron systems / M. A. Zudov, R. R. Du, L. N. Pfeiffer, K. W. West // Phys. Rev. B. 2006. — Vol. 73. — P. 41 303.
  157. А. В. Энергетический спектр и процессы рассеяния электронов в инверсионных слоях//ЖЭТФ. 1971.-Т. 60.-С. 1845−1852.
  158. А. В. Возможная кристаллизация носителей заряда в инверсионных слоях малой плотности // ЖЭТФ. 1972. — Т. 62. — С. 746−753.
  159. С. И. Сосуществование коллективных и одночастичных эффектов в фотоотклике двумерного электронного газа на СВЧ облучение / С. И. Дорожкин, А. А. Быков, И. В. Печенежский, А. К. Бакаров // Письма в ЖЭТФ. 2007. — Т. 85. — С. 705.
  160. Beenakker С. W. J. Quantum transport in semiconductor nanostructures / С. W. J. Beenakker, H. van Houten // Solid State Physics. 1991. — Vol. 44. — P. 1228.
  161. С. А. Динамическое воздействие микроволнового поля на слабую локализацию / С. А. Виткалов, Г. М. Гусев, 3. Д. Квон, Г. И. Левиев, В. И. Фалько // ЖЭТФ. 1988. — Т. 94. — С. 376−384.
  162. Bykov A. A. Dynamical suppression of weak localization effect by microwave radiation in a polysilicon films / A. A. Bykov, G. M. Gusev, Z. D. Kvon / J. Phys. C: Solid State Physics. 1988. — Vol. 21. — P. L585-L590.
  163. А. А. Микроволновая фотопроводимость мезоскопической системы / А. А. Быков, Г. М. Гусев, 3. Д. Квон // ЖЭТФ. 1990 — Т. 97. — С. 13 171 320.
  164. А. А. Фотогальванический эффект в мезоскопической системе / А. А. Быков, Г. М. Гусев, 3. Д. Квон, Д. И. Лубышев, В. П. Мигаль // Письма в ЖЭТФ, 1989. Т. 49.-С. 13−15.
  165. А. А. Свойства мезоскопических систем в микроволновом поле / А.
  166. A. Быков. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Новосибирск. — 1991. — 111 с.
  167. А. А. Мезоскопический фотогальванический эффект в электронном интерферометре / А. А. Быков, 3. Д. Квон, Л. В. Литвин, Ю. В. Настаушев,
  168. B. Г. Мансуров, В. П. Мигаль, С. П. Мощенко // Письма в ЖЭТФ. 1993. -Т. 58.-С. 538- 541.
  169. Bykov A. A. Photovoltaic effect in submicron ballistic rings / A. A. Bykov, L. V. Litvin, N. T. Moshegov, A. I. Toropov // Superlattices and Microstructures. -1998. Vol. 23. — P. 1285−1288.
  170. Stone K. Photovoltaic oscillations due to edge-magnetoplasmon modes in a very high-mobility two-dimensional electron gas / K. Stone, C. L. Yang, Z. Q. Yuan,
  171. R. R. Du, L. N. Pfeiffer, K. W. West // Phys. Rev. B. 2007. — Vol. 76. — P. 153 306.
  172. Э. M. Фотогальванический эффект в кристаллах без центра инверсии / Э. М. Баскин, Л. И. Магарилл, М. В. Энтин // ФТТ. 1978. — Т. 20. — С. 2432−2436.
  173. В. И. Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии / В. И. Белиничер, Б. И. Стурман // УФН. 1980. — Т. 130. — С. 415−458.
  174. В. И. Фотогальванический эффект в микроконтактах / В. И. Фалько, Д. Е. Хмельницкий // ЖЭТФ. 1989. — Т. 95. — С. 328−337.
  175. Entin М. V. Photocurrent in nanostructures with asymmetric antidots: Exactly solvable model / M. V. Entin, L. I. Magarill // Phys. Rev. B. 2006. — Vol. 73. -P. 205 206.
  176. Chepelianskii A. D. Ratchet transport of interacting particles / A. D. Chepelianskii, M. V. Entin, L. I. Magarill, D. L. Shepelyansky // Phys. Rev. E. -2008.-Vol. 78.-P. 41 127.
  177. Entin M. V. Photovoltage in curved one-dimensional systems / M. V. Entin, L. I. Magarill // Phys. Rev. B. 2009. Vol. 79. — P. 75 434.
  178. Magarill L. I. Dynamic conductivity of a lateral-surface superlattice in a magnetic field/ L. I. Magarill, I. A. Panaev, S. A. Studenikin// J. Phys.: Condens Matter. 1995. -Vol. 7. — P. 1101−1110.
  179. Mamani N. C. Nonlinear transport and oscillating magnetoresistance in double quantum wells / N. C. Mamani, G. M. Gusev, О. E. Raichev, Т. E. Lamas, A. K. Bakarov // Phys. Rev. B. 2009. — Vol. 80 — P. 75 308.
  180. Knight В. W. Theory of Gann effect / В. W. Knight, G. A. Peterson // Phys. Rev. 1967. -Vol.153 -P. 393−404.
  181. Gunn J. B. Microwave Oscillation of Current in III-V Semiconductors // Solid State Commun.- 1963.-Vol. l.-P. 88.
  182. Gusev G. M. Evidence for zero-differential resistance states in electronic bilayers. G. M. Gusev, S. Wiedmann, O. E. Raichev, A. K. Bakarov, J. C. Portal. Phys. Rev. B.-2011. Vol. 83.-P. 41 306.
  183. Cage M. E. Dissipation and Dynamic Nonlinear Behavior in the Quantum Hall Regime / M. E. Cage, R. F. Dziuba, B. F. Field, E. R. Williams, S. M. Girvin, A. C. Gossard, D. C. Tsui, R. J. Wagner // Phys. Rev. Lett. 1983. — Vol. 51. — P. 1374.
  184. Wiedmann S. Interference oscillations of microwave photoresistance in double quantum wells / S. Wiedmann, G. M. Gusev, O. E. Raichev, T. E. Lamas, A. K. Bakarov, J. C. Portal // Phys. Rev. B. 2008. Vol. 78. — P. 121 301.
  185. Zudov M. A. Period and phase of microwave-induced resistance oscillations and zero-resistance states in two-dimensional electron systems // Phys. Rev. B. -2004.-Vol. 69.-P. 41 304.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?