Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

К теории электронного транспорта в приконтактных областях и наноструктурах

Диссертация: К теории электронного транспорта в приконтактных областях и наноструктурах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Статистические особенности сопротивления и магнетосопротивления мезоскопической системыточечный контакт между двумя полупроводниками в режиме прыжковой проводимостиотражают свойства про-страннственного и энергетического распределения отдельных локализованных состояний вблизи контакта. Осцилляции АароноваБома, связанные с точечным контактом, позволяют определить как числа заполнения… Читать ещё >

Содержание

  • 1. Сопротивление тонких пленок с краевой сверхпроводимостью в сильных магнитных полях
    • 1. 1. Поверхностная сверхпроводимость и флуктуации параметра порядка
    • 1. 2. Уравнение Гинзбурга- Ландау
    • 1. 3. Тонкая пленка в перпендикулярном магнитном поле
    • 1. 4. Флуктуации параметра порядка в краевом сверхпроводящем слое тонкой пленки
    • 1. 5. Сопротивление краевого слоя
    • 1. 6. Парапроводимость краевого слоя
    • 1. 7. Резюме
  • 2. Микроконтактная спектроскопия прыжковой проводимости
    • 2. 1. Прыжковая проводимость
    • 2. 2. Сопротивление точечного контакта
    • 2. 3. Мезоскопические флуктуации сопротивления точечного контакта
    • 2. 4. Зависимость проводимости от напряжения
    • 2. 5. Сравнение с существующими экспериментальными работами
    • 2. 6. Резюме
  • 3. Микроконтактная спектроскопия прыжковой проводимости- эффект магнитного поля
    • 3. 1. Магнетосопротивление точечного контакта
    • 3. 2. Эффект Ааронова- Бома
    • 3. 3. Неравновесная спиновая заселенность локализованных состояний
    • 3. 4. Мезоскопический эффект Холла
    • 3. 5. Резюме.ТО
  • 4. Магнетосопротивление образцов вблизи перехода металл- диэлектрик: эффект туннельного контакта со сверхпроводником
    • 4. 1. Обсуждение свойств туннельного контакта
    • 4. 2. Экспериментальное исследование свойств сверхпроводящих In контактов с образцами GaAs/AlGaAs
    • 4. 3. Туннельный контакт сверхпроводник — металл
    • 4. 4. Туннельный контакт сверхпроводник — полупроводник в режиме прыжковой проводимости
    • 4. 5. Андреевское отражение контакта сверхпроводник- полупроводник в режиме прыжковой проводимости
    • 4. 6. Резюме

К теории электронного транспорта в приконтактных областях и наноструктурах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

.

Исследование электронного транспорта в структурах с низкой размерностью: сверхпроводящих тонких проволоках, пленках, а также структурах, состоящих из комбинации сверхпроводников с материалами с различными типами проводимости, является одним из актуальных направлений в физике твердого тела и электронике.

Современная технология позволяет изготавливать подобные объекты субмикронных размеров, так называемые мезоскопические структуры. Интерес к исследованию электронного транспорта в подобных структурах объясняется как обилием нетривиальных физических явлений, происходящих в таких системах, так и практическим интересом, связанным с применениями в электронике.

В сверхпроводниках с пониженной размерностью (тонких проволоках, пленках) существенное значение имеют флуктуации параметра порядка, которые при температурах несколько выше температуры сверхпроводящего перехода Тс приводят к увеличению проводимости [6], тогда как ниже Тс они подавляют дальний сверхпроводящий порядок и приводят к появлению конечного сопротивления.

Так, например, в тонких сверхпроводящих проволоках, диаметр которых меньше длины когерентности, за счет термических флуктуа-ций вблизи Тс возникают центры проскальзывания фазы, разрушающие сверхпроводимость [55,60,61,64,70]. В связи с развитием технологий по созданию сверхпроводящих проволок диаметром всего несколько нанометров [28,78−80,98], несомненно, фундаментальным вопросом является определение предела размеров сверхпроводящей проволоки того, насколько тонкой она может быть, при этом сохраняя свои сверхпроводящие свойства. Этот вопрос представляет практическую ценность — определение предела миниатюризации электронных цепей на основе сверхпроводников.

Как будет показано в первой главе диссертации, подобные флуктуа-ционные эффекты проявляются также и в краевой сверхпроводимости тонких пленок в сильном магнитном поле перпендикулярном плоскости пленки. Стоит отметить, что начиная с первой работы СенЖама и де-Женна [82], в которой впервые было показано, что сверхпроводимость может задерживаться в поверхностном слое образца до полей, больших верхнего критического поля, Нс2 < Н < Нсз «1.69ЯС2, не ослабевает интерес к проблеме поверхностной сверхпроводимости. Тем не менее, для случая краевой квазиодномерной сверхпроводимости в тонкой пленке вопрос о влиянии флуктуаций параметра порядка до сих пор оставался не изученным. Нам представляется, что исследование зависимости проводимости от температуры и магнитного поля в режиме поверхностной сверхпроводимости тонких пленок также может служить в качестве нового источника для изучения свойств одномерных сверхпроводящих проволок.

Вторая и третья главы диссертации посвящены разработке теоретических основ микроконтактной спектроскопии прыжковой проводимости, позволяющей, в частности, исследовать параметры отдельных локализованных состояний в полупроводниках. Мы рассмотрим прыжковый транспорт через полупроводниковый наноконтакт в случае, когда размер контакта меньше типичной длины прыжка электрона между локализованными состояниями в образце. Особо исследуются мезоскопические эффекты, связанные с магнитным полем: изменение профиля волновой функции, осцилляции Ааронова — Бома, свойства неравновесной спиновой заселенности, эффект Холла.

Следует отметить, что исследования по прыжковой проводимости ведутся уже довольно давно, но существующая картина до сих пор не может считаться завершенной. До сих пор детально не выяснен ход плотности состояний вблизи уровня Ферми, не вполне ясна роль корреляционных эффектов.

Для получения информации, касающейся деталей электронного транспорта в металлах, широко используются точечные контакты. Соответствующий метод известен как микроконтактная спектроскопиядля обзора см. [17]. Как нам известно, до настоящего времени микроконтактная спектроскопия главным образом использовалась для изучения транспорта в условиях проводимости металлического типа. Для материалов, находящихся на диэлектрической стороне перехода металлдиэлектрик, мы можем упомянуть лишь несколько публикаций. В работе [62] сообщалось о наблюдении сильной нелинейности прыжковой проводимости, полученного на основе планарной технологии, Si точечного контакта с размерами много большими типичной длины прыжка. В работах [45,59,81], обзор [74], изучались свойства мезоскопических одномерных каналов, полученным с помощью расщепленных затворов. Наблюдались гигантские мезоскопические флуктуации проводимости в зависимости от приложенного напряжения.

Тем не менее, в этих работах размеры контакта предполагались больше прыжковой длины электрона в материале. В тоже время, вполне возможно создать контакт, в котором проводимость определяется одним единственным прыжком электрона через сечение контакта. Такой контакт является своего рода микроскопом, так как он позволяет выделить элементарный акт прыжкового переноса. В связи с этим, можно ожидать, что соответствующие экспериментальные исследования позволят получить богатую дополнительную информацию о прыжковой проводимости в различных режимах.

Как известно, в экспериментах с прыжковыми диэлектриками очень часто используются металлические контакты из материалов, переходящих при низких температурах в сверхпроводящее состояние. Однако целенаправленного исследования свойств границы сверхпроводникпрыжковый диэлектрик к настоящему времени отсутствовали.

Большое внимание как теоретически [27,30,99,100], так и экспериментально [20,46,48,71,72,95] уделяется исследованию свойств приконтакт-ной области сверхпроводникполупроводник, в которых полупроводниковая часть контакта обладает металлической проводимостью.

Можем отметить лишь работы [96], [2,3] по исследованию свойств образцов, находящихся вблизи перехода металлдиэлектрик, в частности в режиме прыжковой проводимости, с применением контактов со сверхпроводником.

В одной из них, [2], были представлены результаты исследования кроссовера между режимами сильной и слабой локализаций в двумерных образцах р — GaAs/AlGaAs. При слабых магнитных полях таких, что Н < 0.02Т, в режиме слабой локализации наблюдался пик отрицательного магнетосопротивления, в дополнении к стандартному антилокали-зационному поведению. Природа этого пика была не ясна. Такое поведение нельзя отнести к эффектам слабой локализации, поскольку только при более сильных магнитных полях в образцах четко наблюдалось положительное магнетосопротивление, связанное с проявлением антилокализации. Отметим также, что эффект не наблюдался в случае контакта сверхпроводника с полупроводником, находящимся в режиме прыжковой проводимости.

В четвертой главе диссертации будут изучены свойства магнетосопротивление сверхпроводящих контактов In с двумерными образцами р — GaAs/AlGaAs, находящимися по своим свойствам вблизи перехода металлдиэлектрик, и в частности в режиме прыжковой проводимости. Зависимость электронного транспорта от магнитного поля в образцах в контакте со сверхпроводником может служить источником для исследования свойств режимов слабой и сильной локализаций.

Целью работы являются следующие конкретные задачи:

1. Изучение подавления сверхпроводимости в краевом квазиодномерном сверхпроводящем слое тонкой пленки в перпендикулярном магнитном поле в режиме поверхностной сверхпроводимости за счет флуктуаций параметра порядка.

2. Развитие теоретических основ микроконтактной спектроскопии прыжковой проводимости.

3. Изучение свойств точечного контакта между двумя полупроводниками, находящимися в режиме прыжковой проводимости, в случае приложенного магнитного поля.

4. Изучение магнетосопротивления двумерных образцов вблизи перехода металлдиэлектрик в контакте со сверхпроводником.

Научная новизна.

Впервые разработана теория метода микроконтактной спектроскопии для исследования свойств полупроводников, находящихся в режиме прыжковой проводимости. Показано, что особенности сопротивления и магнетосопротивления мезоскопической системыточечный контакт-отражают свойства пространственного и энергетического распределения отдельных локализованных состояний вблизи контакта.

Впервые изучено влияние флуктуаций параметра порядка на подавление сверхпроводимости в краевом сверхпроводящем слое тонкой пленки в перпендикулярном магнитном поле. Рассмотрены как случай термической активации параметра порядка, так и режим квантового туннелиро-вания.

Рассмотрено магнетосопротивление образцов, находящихся по своим свойствам вблизи перехода металлдиэлектрик, в контакте со сверхпроводником. Особенности прыжкового транспорта, включая, как большие значения эффективной энергетической зоны, по сравнению с температурой так, и топологию перколяционного кластера, приводят к подавлению относительного магнетосопротивления контакта по сравнению со случаем проводимости металлического типа. Построена теория контактного сопротивления границы сверхпроводникпрыжковый диэлектрик.

Научная и практическая ценность.

Предлагаемое изучение зависимости проводимости от температуры и магнитного поля в режиме поверхностной сверхпроводимости тонких пленок может служить в качестве нового источника информации о свойствах одномерных сверхпроводящих проволок.

Результаты теоретического исследования магнетосопротивления сверхпроводящих контактов с двумерными образцами, находящимися по своим свойствам вблизи перехода металлдиэлектрик, и в частности в режиме прыжковой проводимости могут быть использованы при анализе свойств режимов слабой и сильной локализаций.

Статистические особенности сопротивления и магнетосопротивления мезоскопической системыточечный контакт между двумя полупроводниками в режиме прыжковой проводимостиотражают свойства про-страннственного и энергетического распределения отдельных локализованных состояний вблизи контакта. Осцилляции АароноваБома, связанные с точечным контактом, позволяют определить как числа заполнения соответствующих локализованных состояний, так и оценить величину примесного потенциала. Спинзависимые эффекты выявляют свойства спиновой корреляции, и следовательно точечный контакт также является детектором локальной спиновой заселенности. Мезоскопи-ческий эффект Холла чувствителен к значению величины корреляционной длины кластера, поскольку перколяционный кластер шунтирует эффективный «холловский генератор», находящийся вблизи контакта. Таким образом, микроконтактная спектроскопия является мощным методом для исследования параметров отдельных локализованных состояний.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Изучено подавление сверхпроводимости в краевом сверхпроводящем слое тонкой пленки в перпендикулярном магнитном поле при НС2(Т) < Н < Ясз (Т) как за счет термической активации, так и за счет квантового туннелирования параметра порядка. a) В рамках нелинейного уравнения ГинзбургаЛандау для параметра порядка найдено решение в виде центра проскальзывания фазы. Вычислена зависимость сопротивления сверхпроводящего краевого слоя тонкой пленки от магнитного поля и температуры. b) Вычислена поправка АсламазоваЛаркина в кондактанс краевого слоя, зависящая от магнитного поля как G ос |1 — Я/Яс3(Т)|" 3/2.

2. Изучено магнетосопротивление двумерных образцов вблизи перехода металлдиэлектрик в контакте со сверхпроводником. Показано, что наблюдаемый для металлических образцов пик отрицательного магнетосопротивления при слабых магнитных полях связан с подавлением одночастичного транспорта при понижении температуры. Дано теоретическое обоснование подавления относительного магнетосопротивления туннельного контакта сверхпроводника с полупроводником в режиме прыжковой проводимости. Показано, что подавление магнетосопротивления в этом случае связано с особенностями прыжкового транспорта, включая, как большие значения эффективной энергетической зоны, по сравнению с температурой так, и топологию перколяционного кластера. Построена теория контактного сопротивления границы сверхпроводникпрыжковый диэлектрик.

3. Развиты теоретические основы микроконтактной спектроскопии прыжковой проводимости. Зависимость сопротивления контакта от температуры, приложенного напряжения и эффектов, возникающих в магнитном поле, позволяет количественно описывать свойства отдельных локализованных состояний, находящихся вблизи контакта. Показано, что проводимость образца определяется единственным прыжком через контакт и не подвергается процедуре усреднения. Зависимость проводимости от температуры и напряжения имеет экспоненциально большие мезоскопические флуктуации. Зависимость проводимости от напряжения, содержит участки с отрицательной дифференциальной проводимостью. Это связано с тем, что при некоторых значениях напряжения пара центров, ответственных за «оптимальный» прыжок, становится резонансной. При более высоких напряжениях происходит насыщение сопротивления точечного контакта. В результате мезоскопическое поведение усредняется и устанавливается квадратичная зависимость тока от напряжения.

Рассмотрены мезоскопические эффекты, связанные с магнитным полем: изменение профиля волновой функции, осцилляции Ааро-нова — Бома, свойства неравновесной спиновой заселенности, эффект Холла. Показано, что статистические особенности сопротивления и магнетосопротивления мезоскопической системыточечный контактотражают свойства пространнственного и энергетического распределения отдельных локализованных состояний вблизи контакта. Вычислена функция распределения магнетосопротивления, которая при малых значениях имеет степенную зависимость, при больших значениях затухает экспоненциальным образом.

Достоверность полученных результатов.

Справедливость полученных результатов подтверждается следующим: прежде всего, результаты диссертационной работы получены с помощью современных методов теоретической физики твердого тела. По мере возможности проводилось сравнение с экспериментом. Основные результаты, относящиеся к описанию краевого сверхпроводящего слоя тонкой пленки в магнитном поле, проверялись также с помощью численного моделирования.

Апробация работы.

Материалы настоящей диссертации докладывались на Школе по декоге-ренции и шуму в квантовых системах (Ацуги, Япония, 2005 г.), летней научной школе фонда «Династия» (Москва, 2005 г.), а также на научных семинарах ФТИ им. Иоффе, Университета Осло (Норвегия).

Публикации.

Основное содержание диссертации отражено в б печатных работах [13, 19,50−53].

Структура и объем.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, приложения и списка литературы из 102 наименований. Каждая из глав заканчивается разделом «Резюме», в котором кратко формулируются основные результаты, полученные в главе. Объем работы составляет 112 страниц. Диссертация включает 14 рисунков.

Заключение

.

В заключении перечислим основные результаты диссертации.

1. Показано, что в краевом сверхпроводящем слое тонкой пленки в перпендикулярном магнитном поле при Н < НС^(Т) возникают центры проскальзывания фазы, разрушающие сверхпроводимость. a) Вычислено соответствующее сопротивление краевого сверхпроводящего слоя в режиме термической активации центров в зависимости от температуры и магнитного поля, которое дается выражением R = R0exр (-Щ, где AF ос [WhcA б3/2. b) Проанализирован случай аналогичный квантовому туннелиро-ванию параметра порядка в одномерных сверхпроводящих проволока при низких температурах. Показано, что при прочих одинаковых параметрах сверхпроводников, сопротивление поверхностного сверхпроводящего слоя тонкой пленки должно быть меньше, чем сопротивление проволоки. Этот факт связан с тем, что в отличии от изолированной сверхпроводящей проволоки, в режиме краевой сверхпроводимости кулоновское взаимодействие экранируется зарядом двумерной нормальной частью пленки. Звуковые плазмоны при этом не исчезают, однако, их скорость становится меньше. Связь с проводящей нормальной частью пленки обеспечивает эффективную релаксацию флуктуации фазы параметра порядка. с) При Н > Hcz (T) вычислен вклад поправки АсламазоваЛар-кина в кондактанс сверхпроводящего краевого слоя. Функциональная зависимость поправки G ос |е|-3/2 аналогична случаю одномерной сверхпроводящей проволоки.

2. Изучено магнетосопротивление двумерных образцов р — GaAs/AlGaAs вблизи перехода металлдиэлектрик в контакте со сверхпроводником In. a) Показано, что наблюдаемый для металлических образцов пик отрицательного магнетосопротивления при слабых магнитных полях связан с подавлением одночастичного транспорта при понижении температуры и преобладанием вклада от Андреевского отражения. По характерной температуре перехода между од-ночастичным транспортом и андреевским отражением оценена туннельная прозрачность контакта Г «0.05. b) Для образцов с прыжковой проводимостью такой пик не наблюдался. Дано теоретическое обоснование подавления магнетосопротивления в этом случае. Относительное магнетосопротивление подавлено в этом режиме в меру ос ехр (—£с). Показано, что этот факт связан с особенностями прыжкового транспорта, включая, как большие значения эффективной энергетической зоны, по сравнению с температурой так, и топологию перколя-ционного кластера.

3. Исследованы свойства точечного контакта между двумя полупроводниками в режиме прыжковой проводимости, в случае. Показано, что по особенностям зависимости сопротивления образца от магнитного поля можно сделать вывод о том, какой режим проводимости реализуетсяотдельным прыжком электрона вблизи отверстия контакта или свойствами проводимости объемного материала. Изучен случай, когда проводимость образца определяется единственным прыжком через точечный контакт. a) Показано, что в этом случае зависимость проводимости от температуры и напряжения имеет экспоненциально большие мезо-скопические флуктуации. b) Рассмотрена зависимость проводимости контакта от напряжения, показано, что она содержит участки с отрицательной дифференциальной проводимостью. c) Показано, что осцилляции АароноваБома, связанные с точечным контактом, позволяют определить как числа заполнения соответствующих локализованных состояний, так и оценить величину примесного потенциала. d) Вычислена функция распределения магнетосопротивления, которая при малых значениях имеет степенную зависимость, при больших значениях затухает экспоненциальным образом. e) Вычислено мезоскопическое Холловское напряжение, показано, что эффект чувствителен к значению величины корреляционной длины кластера, поскольку перколяционный кластер шунтирует эффективный «Холловский генератор», находящийся вблизи контакта.

Мне хотелось бы выразить глубокую благодарность своему научному руководителю В. И. Козубу за предоставленную возможность работать над темой диссертации, поддержку и большую помощь в работе. Искренне признателен А. Ю. Зюзину, Н. В. Агринской, Ю. М. Гальперину за многочисленные плодотворные обсуждения и критические замечания.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Н.В., Козуб В. И., Иванов Л. Ю., Устинов В. М., Черняев А. В. и Шамшур Д.В., Низкотемпературная прыжковая проводимость по верхней зоне Хаббарда в многослойных структурах р — GaAs/AlGaAs, ЖЭТФ 120 (2001), 480 -485.
  2. Н.В., Козуб В. И., Полоскин Д. В., Черняев А. В. и Шамшур Д.В., Переход от сильной к слабой локализации в отщепленной примесной зоне в двумерных структурах р — GaAs/AlGaAs, Письма в ЖЭТФ 80 (2004), 36−40.
  3. Н.В., Козуб В. И. и Ренч Р., Орбитальные и спиновые эффекты в низкотемпературном поведении магнитосопростивле-ния легированных кристаллов cdte, ЖЭТФ 111 (1997), 1477−1494.
  4. А.А., Горьков Л. П., Дзялошинский И. Е., Методы квантовой теории поля в статистической физике, Физматгиз, М., 1962.
  5. Ю.М., Герман Е. П., Карпов В. Г., Эффект Холла в режиме прыжковой проводимости, ЖЭТФ 99 (1991), 343 356.
  6. Л.Г., Ларкин А. И., Влияние флуктуаций на свойства сверхпроводника при температурах выше критической, ФНТ 10 (1968), 1104−1111.
  7. .И., Эфрос А. Л., Электронные свойства легированных полупроводников, Наука, Москва, 1979.
  8. И.М., Кирпиченков В. Я., Туннельная прозрачность неупорядоченных систем, ЖЭТФ 77 (1979), 989−1016.
  9. Л.Г., Фистуль М. В., Резонансное туннелирование в контактах сверхпроводник-полупроводник-сверхпроводник, ЖЭТФ 83 (1982), 1170−1176.
  10. А.И., Матвеев К. А., Вольт-амперная характеристика ме-зоскопических полупроводниковых контактов, ЖЭТФ 93 (1987), 1030−1038.
  11. Л.И., Матвеев К. А., Неупругое туннелирование через тонкие аморфные пленки, ЖЭТФ 94 (1988), 332−343.
  12. Н.В., Алешин А. Н., Прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка в компенсированных кристаллах CdTe : С1, ФТТ 31 (1989), 277 280.
  13. А.А., Зюзин А. Ю., О сопротивлении тонких пленок с краевой сверхпроводимостью в сильных магнитных полях, Письма в ЖЭТФ 86 (2007), 60 -64.
  14. А., Теплопроводность промежуточного состояния сверхпроводников, ЖЭТФ 46 (1964), 1823 1828.
  15. С.В., Об образовании вихоей в сверхтекучей жидкости, ЖЭТФ 48 (1965), 708 -714.
  16. .И., Прыжковая проводимость сильно легированных полупроводников, ФТП 7 (1973), 112.
  17. И.К., Микроконтактная спектроскопия электрон- фонон-ного взаимодействия в чистых металлах, ФНТ 9 (1983), 343−360.
  18. А.А., Основы теории металлов, Наука, М., 1987.
  19. Akazaki Т., Takayanagi H. and Nitta J., A josephson field effect transistor using an InAs inserted-channel InAlAs/InGaAs inverted modulation-doped structure, Appl. Phys. Lett. 68 (1996), no. 3, 418 420.
  20. Aranson I. and Vinokur V., Surface instabilities and vortex transport in current-carrying superconductors, Phys. Rev. В 57 (1998), no. 5, 3073 3083.
  21. Artemenko S.N., Volkov A.F., Charge density waves in solids, Elsevier, Amsterdam, 1989.
  22. Aslamazov L.G. and Volkov A.F., Nonequilibrium Superconductivity (Langenberg D. and Larkin A.I., ed.), Elsevier, North-Holland, 1986.
  23. Baelus B.J. and Peeters F.M., Dependence of the vortex configuration on the geometry of mesoscopic flat samples, Phys. Rev. В 65 (2002), no. 10, 104 515−1- 104 515−12.
  24. Bardeen J., Tunnelling from a many-particle point of view, Phys. Rev. Lett. 6 (1961), no. 2, 57 59.
  25. Biichler H.P., Geshkenbein V.B. and Blatter G., Quantum fluctuations in thin superconducting wires of finite length, Phys. Rev. Lett. 92 (2004), no. 6, 67 007−1 67 007−4.
  26. Beenakker C., Random- matrix theory of quantum transport, Rev. Mod. Phys. 69 (1997), no. 3, 731−808.
  27. Bezryadin A., Lau C.N. and Tinkham M., Quantum suppression of superconductivity in ultrathin nanowires, Nature 404 (2000), 971−974.
  28. Binning G. and Rohrer H., Scanning tunneling microscopy- from birth to adolescence, Rev. Mod. Phys. 59 (1987), no. 3, 615−625.
  29. Blonder G.E., Tinkham M. and Klapwijk T.M., Transition from metallic to tunneling regimes in superconducting microconstrictions: Excess current, charge imbalance, and supercurrent conversion, Phys. Rev. В 25 (1982), no. 7, 4515−4532.
  30. Burstein E. and Lundvist S. (ed.), Tunneling phenomena in solids, Plenum, New York, 1969.
  31. Chibotaru L.F., Ceulemans A., Bruyndoncx V. and Moshchalkov V.V., Vortex entry and nucleation of antivortices in a mesoscopic superconducting triangle, Phys. Rev. Lett. 86 (2001), no. 7, 1323−1326.
  32. Deutscher G. and Feinberg D., Coupling superconducting-ferromagnetic point contacts by andreev reflections, Appl. Phys. Lett. 76 (2000), no. 4, 487−489.
  33. Dikin D.A., Chandrasekhar V., Misko V.R., Fomin V.M. and Devreese J.Т., Nucleation of superconductivity in mesoscopic star-shaped superconductors, Eur. Phys. J. В 34 (2003), 231 235.
  34. Efros A.L. and Shklovskii B.I., Coulomb gap and low temperature conductivity of disordered systems, J. Phys. С 8 (1975), no. 4, L49-L51.
  35. Entin-Wohlman O., Aharony A., Galperin Y.M., Kozub V.I. and Vinokur V., Orbital ac spin-hall effect in the hopping regime, Phys. Rev. Lett. 95 (2005), 86 603−1 86 603−4.
  36. Falci G. and Feinberg D. and Hekking F., Correlated tunneling into a superconductor in a multiprobe hybrid structure, Europhys. Lett. 54 (2001), no. 2, 255−261.
  37. Feinberg D., Andreev scattering and cotunneling between two superconductor-normal metal interfaces: the dirty limit, Eur. Phys. J. В 36 (2003), no. 3, 419−422.
  38. Fisher 0., Kugler M., Maggio-Aprilel. and Berthod C., Scanning tunneling spectroscopy of high-temperature superconductors, Rev. Mod. Phys. 79 (2007), 353−419.
  39. Frydman A. and Ovadyahu Z., Charge transport through superconductor/anderson-insulator interfaces, Phys. Rev. В 55 (1997), no. 14, 9047- 9057.
  40. Giordano N., Evidence for macroscopic quantum tunneling in one-dimensional superconductors, Phys. Rev. Lett. 61 (1988), no. 18, 2137 2140.
  41. Golubev D.S. and Zaikin A.D., Quantum tunneling of the order parameter in superconducting nanowires, Phys. Rev. В 64 (2001), no. 1, 14 504−1 14 504−14.
  42. Hofer W.A., Foster A.S. and Shluger A.L., Theories of scanning probe microscopes at the atomic scale, Rev. Mod. Phys. 75 (2003), no. 4, 1287−1331.
  43. Holstein Т., Hall effect in impurity conduction, Phys. Rev. 124 (1961), no. 3, 1329 1347.
  44. Hughes R., Savchenko A.K., Frost J.E., Linfield E.H., Nicholls J.T., Pepper M., Kogan E. and Kaveh M., Distribution-function analysis ofmesoscopic hopping conductance fluctuations, Phys. Rev. В 54 (1996), no. 3, 2091 2100.
  45. Kastalsky A., Kleinsasser A.W., Greene L.H., Bhat R., Milliken F.P. and Harbison J.P., Observation of pair currents in superconductor-semiconductor contacts, Phys. Rev. Lett. 67 (1991), no. 21, 3026 -3029.
  46. Kirkengen M., Bergli J. and Galperin Y.M., Coherent charge transport through an interface between a superconductor and hopping insulator: Role of barrier properties, Phys. Rev. В 74 (2006), 195 321−1 19 532 110.
  47. Kleinsasser A.W., Jackson T.N., Mclnturff D., Rammo F., Pettit G.D. and Woodall J.M., Superconducting InGaAs junction field-effect transistors with Nb electrodes, Appl. Phys. Lett. 55 (1989), no. 18, 1909 -1911.
  48. Kogan V.G., Clem J.R., Deang J.M. and Gunzburger M.D., Nucleation of superconductivity in finite anisotropic superconductors and the evolution of surface superconductivity toward the bulk mixed state, Phys. Rev. В 65 (2002), 94 514−1 94 514−8.
  49. Kozub V.I. and Zuzin A.A., Theory of hopping transport through a constriction dominated by a single hop, Phys. Rev. В 69 (2004), 115 306−1 115 306−7.
  50. Kozub V.I. and Zyuzin A.A., Hopping transport through nanoconstriction controlled by a single hop, Phys. Stat. Solidi © 1 (2003), no. 1, 88−91.
  51. Kozub V.I., Zyuzin A.A., Entin-Wohlman O., Aharony A., Galperin Y.M. and Vinokur V., Point- contact spectroscopy of hopping transport:
  52. Eeffect of a magnetic field, Phys. Rev. В 75 (2007), 205 311−1- 2 053 117.
  53. Kozub V.I., Zyuzin A.A., Galperin Y.M. and Vinokur V., Charge transfer between a superconductor and a hopping insulator, Phys. Rev. Lett. 96 (2006), 107 004−1 107 004−4.
  54. Kubo R., Statistical-mechanical theory of irreversible processes, i. general theory and simple applications to magnetic and conduction problems, Journ. Phys. Soc. Japan 12 (1957), no. 6, 570−586.
  55. Langer J. S and Ambegoakar A., Intrinsic resistive transition in narrow superconducting channels, Phys. Rev. 164 (1967), no. 2, 498 510.
  56. Larkin A.I. and Shklovskii B.I., Tunneling between two semiconductors with localized electrons: Can it reveal the coulomb gap?, Phys. Status Solidi В 230 (2002), 189 192.
  57. Lau C.N., Markovich M., Bockrath M., Bezryadin A. and Tinkham M., Quantum phase slips in superconducting nanowires, Phys. Rev. Lett. 87 (2001), no. 21, 217 003−1 217 003−4.
  58. Lee M., Massey J.G., Ngyen V.L. and Shklovskii B.I., Coulomb gap in a doped semiconductor near the metal-insulator transition: Tunneling experiment and scaling ansatz, Phys. Rev. В 60 (1999), no. 3, 1582 -1591.
  59. Lee P.A., Variable-range hopping in finite one-dimensional wires, Phys. Rev. Lett. 53 (1984), no. 21, 2042 2045.
  60. Little W.A., Decay of persistent currents in small superconductors, Phys. Rev. 156 (1967), no. 2, 396−403.
  61. Lukens J.E., Warburton R.J. and Webb W.W., Onset of quantized thermal fluctuations in «one-dimensional «superconductors, Phys. Rev. Lett. 25 (1970), no. 17, 1180 1184.
  62. Maes J.W.H., Caro J., Kozub V.I., Werner K. and Radelaar S., Silicon point contacts: Nanofabrication, molecular beam epitaxial growth, and transport measurements, J.Vac.Sci.Technol.B 12 (1994), no. 6, 36 143 618.
  63. Massey J.G. and Lee M., Direct observation of the coulomb correlation gap in a nonmetallic semiconductor, Si: B, Phys. Rev. Lett. 75 (1995), no. 23, 4266 4269.
  64. McCumber D.E. and Halperin B.I., Time scale of intrinsic resistive fluctuations in thin superconducting wires, Phys. Rev. В 1 (1970), no. 3, 1054 1070.
  65. Miller A. and Abrahams E., Impurity conduction at low concentrations, Phys. Rev. 120 (1960), no. 3, 745 755.
  66. Mooij J.E. and Schon G., Propagating plasma mode in thin superconducting filaments, Phys. Rev. Lett. 55 (1985), no. 1, 114 -117.
  67. Mott N.F., Conduction in glasses containing transition metal ions, J. Non- Cryst. Solids 1 (1968), 1.
  68. Muller C.J., van Ruitenbeek J. M and de Jong L.J., Experimental observation of the transition from weak link to tunnel junction, Physica С 191 (1992), no. 3, 485−504.
  69. Naidyuk Yu.G., Yanson I.K., Point-contact spectroscopy, vol. 145, Springer, New York, 2004.
  70. Newbower R.S., Beasley M.R. and Tinkham M., Fluctuation effects on the superconducting transition of tin whisker crystals, Phys. Rev. В 5 (1972), no. 3, 864 868.
  71. Nitta J., Akazaki T. and Takayanagi H., Magnetic-field dependence of andreev reflection in a clean Nb — InAs — Nb junction, Phys. Rev. В 49 (1994), no. 5, 3659−3662.
  72. Nitta J., Akazaki Т., Takayanagi H. and Ara’i K., Transport properties in an Inks-inserted-channel InAlAs/InGaAs heterostructure coupled superconducting junction, Phys. Rev. В 46 (1992), no. 21,14 286−14 289.
  73. Pesin D.A. and Andreev A.V., Suppression of superconductivity in disordered interacting wires, Phys. Rev. Lett. 97 (2006), 117 001−1 -117 001−4.
  74. Raikh M.E. and Ruzin I.M., Transmittancy fluctuations in randomly non-uniform barriers and incoherent mesoscopics, Mesoscopic phenomena in solids (Altshuller B.L. and Lee P.A., eds.), Elsevier, New York, 1991, p. 315.
  75. Raikh M.E., Wessels G.F., Single-scattering-path approach to the negative magnetoresistance in the variable-range-hopping regime for two-dimensional electron systems, Phys. Rev. В 47 (1993), no. 23, 15 609 15 621.
  76. Ralls K.S. and Buhrman R.A., Defect interactions and noise in metallic nanoconstrictions, Phys. Rev. Lett. 60 (1988), no. 23, 2434 2437.
  77. Recher P., Sukhorukov E.V. and Loss D., Andreev tunneling, coulomb blockade, and resonant transport of nonlocal spin-entangled electrons, Phys. Rev. В 63 (2001), no. 16, 165 314−1 165 314−11.
  78. Rogachev A. and Bezryadin A., Superconducting properties of poly crystalline Nb nanowires templated by carbon nanotubes, Appl. Phys. Lett. 83 (2003), no. 3, 512 514.
  79. Rogachev A., Bollinger A.T. and Bezryadin A., Influence of high magnetic fields on the superconducting transition of one-dimensional Nb and MoGe nanowires, Phys. Rev. Lett. 94 (2005), 17 004−1 -17 004−4.
  80. Rogachev A., Wei Т., Pekker D., Bollinger A.T., Goldbart P.M. and Bezryadin A., Magnetic field enhancement of superconductivity in ultra-narrow wires, Phys. Rev. Lett. 97 (2006), 137 001−1 137 001−4.
  81. Ruzin I.M., Fine structure of hopping conductance fluctuations in finite-size semiconductors, Phys. Rev. В 43 (1991), no. 14, 11 864 -11 872.
  82. Saint-James D. and deGennes P., Oncet of superconductivity in decreasing fields, Phys. Lett. 7 (1963), no. 5, 306−308.
  83. Sandow В., Gloos K., Rentzsch R. and Ionov A.N., Regimes of charge transport across semiconductor junctions, Physica В 284 (2000), 1852 1883.
  84. Sandow В., Gloos K., Rentzsch R., Ionov A.N. and Schirmacher W., Electronic correlation effects and the coulomb gap at finite temperature, Phys. Rev. Lett. 86 (2001), no. 9, 1845 1848.
  85. Sang Chu, Bollinger A.T. and Bezryadin A., Phase slips in superconducting films with constrictions, Phys. Rev. В 70 (2004), 214 506−1 214 506−6.
  86. Sauret 0., Feinberg D. and Martin Т., Spin- current noise and bell inequalities in a realistic superconductor- quantum dot entangler, Phys. Rev. В 72 (2005), 24 544−1 24 544−7.
  87. Sauret 0., Martin T. and Feinberg D., Quantum master equations for the superconductor- quantum dot entangler, Phys. Rev. В 70 (2004), 245 313−1 245 313−15.
  88. Schmid A. and Schon G., Collective oscillations in a dirty superconductor, Phys. rev. Lett. 34 (1975), 941 943.
  89. Schmidt H. and Mikeska H.J., The onset of surface superconductivity, J. Low Temp. Phys. 3 (1970), no. 2, 123−135.
  90. Schweigert V.A. and Peeters F.M., Influence of the confinement geometry on surface superconductivity, Phys. Rev. В 60 (1999), no. 5, 3084−3087.
  91. Scola J., Pautrat A., Goupil C., Mechin L., Hardy V. and Simon C., Voltage noise and surface current fluctuations in the superconducting surface sheath, Phys. Rev. В 72 (2005), 12 507−1 12 507−4.
  92. Shklovskii B.I. and Spivak B.Z., Scattering and interference effects in variable- range hopping conduction, Hopping transport in solids (Pollak M. and Shklovskii В., ed.), Elsevier, New York, 1991, p. 271.
  93. Skocpol W.J. and Tinkham M., Fluctuations near superconducting phase transition, Rep. Prog. Phys. 38 (1975), 1049 1097.
  94. Stamopoulos D., Pissas M., Karanasos V., Niarchos D. and Panagiotopoulos I., Influence of randomly distributed magnetic nanoparticles on surface superconductivity in Nb films, Phys. Rev. В 70 (2004), 54 512−1- 54 512−8.
  95. Takayanagi H. and Kawakami Т., Superconducting proximity effect in the native inversion layer on InAs, Phys. Rev. Lett. 54 (1985), no. 22, 2449 2452.
  96. Takayanagi H., Hansen J.B. and Nitta J., Localization effects on the critical current of a superconductor- normal metal- superconductor junction, Phys. Rev. Lett. 74 (1995), no. 1, 162 -165.
  97. Tinkham M., Introduction to superconductivity, McGraw- Hill, New York, 1996.
  98. Volkov A.F., Theory of the current-voltage characteristics in superconductor- semiconductor junctions, Phys. Lett. A 174 (1993), no. 1, 144 -150.
  99. Zhang Y., Dai P., Levy M. and Sarachik M.P., Probind the coulomb gap in insulating n-type CdSe, Phys. Rev. Lett. 64 (1990), no. 22, 26 872 690.
  100. Zhao H.L., Spivak B.Z., Gelfand M.P. and Feng S., Negative magnetoresistance in variable-range-hopping conduction, Phys. Rev. В 44 (1991), no. 19, 10 760 10 767.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?