Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Разработка математических моделей и алгоритмов оптимизации производства изделий из сапфира для электронной техники

Диссертация: Разработка математических моделей и алгоритмов оптимизации производства изделий из сапфира для электронной техники
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В’первой главе выполнен краткий обзор литературных источников, на основе которых произведен краткий анализ современного состояния математических моделей и алгоритмов оптимизации производства изделий из сапфира. Рассмотрена технология получения монокристаллов сапфира методом горизонтальной направленной кристаллизации, выявлены основные достоинства и недостатки. Проведен сравнительный анализ… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ МОДЕЛЕЙ И АЛГОРИТМОВ МАТЕМАТИЧЕСКОГО И ИНФОРМАЦИОННОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ ИЗ САПФИРА
    • 1. 1. Обзор существующих методов, моделей получения монокристаллов сапфира. Анализ основных дефектов при выращивании и механической обработке монокристаллов сапфира
    • 1. 2. Анализ существующего математического и информационного обеспечения получения и обработки монокристаллов
    • 1. 3. Оценка возможных технологий проектирования математического и информационного обеспечения получения изделий из сапфира
    • 1. 4. Выводы по главе 1
  • Глава 2. МЕТОДИКА ПРОЕКТИРОВАНИЯ МАТЕМАТИЧЕСКОГО И ИНФОРМАЦИОННОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ ИЗ МОНОКРИСТАЛЛОВ САПФИРА
    • 2. 1. Общая структура разрабатываемого математического и информационного обеспечения получения изделий из сапфира
    • 2. 2. Разработка критериев оптимизации технологического процесса получения изделий из монокристаллов сапфира
    • 2. 3. Методика разработки математического и информационного обеспечения получения монокристаллов сапфира
    • 2. 4. Проектирование структуры данных информационной системы получения изделий из сапфира
    • 2. 5. Разработка экспертной системы получения изделий из сапфира
    • 2. 6. Диаграмма прецедентов (Use case diagram) работы пользователя с информационной системой получения изделий из монокристаллов сапфира
    • 2. 7. Выводы по главе 2
  • Глава 3. РАЗРАБОТКА МОДЕЛЕЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ ИЗ САПФИРА
    • 3. 1. Постановка требований к разрабатываемому математическому и информационному обеспечению получения изделий из монокристаллов сапфира
    • 3. 2. Обоснование выбора инструментальных средств для построения моделей технологического процесса получения изделий из сапфира
    • 3. 3. Представление технологического процесса получения изделий из сапфира с помощью CASE-средств
      • 3. 3. 1. Представление технологического процесса получения изделий из сапфира с помощью BP Win
      • 3. 3. 2. Представление технологического npoifecca получения изделий из сапфира с помощью Rational Rose
    • 3. 4. Разработка математической модели влияния параметров процесса выращивания на качество монокристаллов сапфира
    • 3. 5. Методы оптимизации технологического процесса получения монокристаллов сапфира по времени
    • 3. 6. Моделирование тепловых процессов в установках для получения монокристаллов сапфира по методу горизонтальной направленной кристаллизации
    • 3. 7. Выводы по главе 3
  • Глава 4. ПРОГРАММНАЯ РЕАЛИЗАЦИЯ МАТЕМАТИЧЕСКОГО И ИНФОРМАЦИОННОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ ИЗ САПФИРА
    • 4. 1. Описание программного обеспечения для разработки программных модулей математического и информационного обеспечения получения изделий из сапфира
    • 4. 2. Описание пользовательского интерфейса базы данных получения изделий из сапфира
    • 2. Оптимизирована технологическая методика выращивания монокристаллов, позволяющая сократить время технологического процесса получения монокристаллов сапфира

    3. Разработана методика проектирования математического и информационного обеспечения получения изделий из сапфира, которая является универсальной для технологических процессов получения различных материалов для электронной техники.

    4. Разработано математическое и информационное обеспечение получения изделий из сапфира для электронной техники, позволяющее дать характеристику получаемых кристаллов, систематизировать большие информационные массивы данных, выявить закономерности влияния факторов на рост кристалла.

    Используемые методики. Для решения поставленной цели использовались методы и понятия кристаллографии, физики твёрдого тела, элементы системного' анализа, теории вероятности, моделирования и проектирования систем, математической статистики, методов оптимизации, баз данных.

    Положения, выносимые на защиту:

    1. Методика проектирования математического и информационного обеспечения получения изделий из сапфира, которая является универсальной для технологических процессов получения различных материалов для электронной техники.

    2. Математическая модель тепловых процессов при формировании кристаллов сапфира.

    3. Модели зависимости времени кристаллизации и уровня дефектов от параметров технологического процесса.

    4. Алгоритмы принятия решений по сопровождению технологического процесса изготовления изделий из сапфира.

    Реализация результатов диссертационной работы

    Диссертационная работа выполнялась на кафедре КЭС ТТИ ЮФУ. По работе был получен грант по программе «Участник молодежного научно-инновационного конкурса (УМНИК)» Фонда содействия малых форм предприятий в научно-технической сфере (Российская Федерация) на двухгодичное финансирование работ: «Разработка системы управления процессом выращивания монокристаллических структур» (2008 — 2009 гг.), «Разработка программных модулей системы управления механической обработкой монокристаллов сапфира» (2009 — 2010 гг.).

    Результаты диссертационной работы внедрены на промышленном предприятии ООО «Завод Кристалл» (Россия, г. Таганрог), на предприятии ЗАО «Монокристалл» (Россия, г. Ставрополь), на предприятии ООО «Кремний-Юг» (Россия, г. Таганрог), на предприятии НПМ «Квант» (Россия, г. Ростов-на-Дону), а также используются в учебном процессе на кафедрах КЭС ТТИ ЮФУ (Россия, г. Таганрог) и САиТ ТТИ ЮФУ (Россия, г. Таганрог).

    Апробация работы

    Основные научные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на различных международных и всероссийских научных конференциях, семинарах и смотрах-конкурсах, в частности: на XI международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Современные техника и технологии» (Россия, Томск, 2005 г.), Всероссийских смотрах-конкурсах научно-технического творчества студентов высших учебных заведений «Эврика — 2005», «Эврика — 2007» (Россия, Новочеркасск, 2005, 2007 г.) — Международной молодежной научной конференции «XV Туполевские чтения» (Россия, Казань, 2007 г.) — 15-й и 16-й Всероссийских межвузовских научно-технических конференциях студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика -2008», «Микроэлектроника и информатика — 2009» (Россия, Зеленоград, 2008, 2009 г.), IX и X Всероссийских научных конференциях студентов, аспирантов, молодых ученых «Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления» (Россия, Таганрог, 2008, 2010 г.), конгрессах по интеллектуальным системам и информационным технологиям «AIS-IT'09», «AIS-IT'10», «AIS-IT'11» (Россия, Див-номорское, 2009, 2010, 2011 г.), VIII Всероссийской научной конференции молодых ученых, аспирантов и студентов «Информационные технологии, системный анализ и управление» (Россия, Таганрог, 2010 г.), VII ежегодной научной конференции студентов и аспирантов базовых кафедр Южного научного центра РАН (Россия, Ростов-на-Дону, 2011 г.).

    Результаты работы отмечены дипломами1 ряда конференций и конкурсов научных работ: Всероссийских смотров-конкурсов научно-технического творчества студентов (Новочеркасск, 2005, 2007) — открытого конкурса Министерства, образования на лучшую научную работу студентов по естественным, техническим и гуманитарным наукам в высших учебных заведениях Российской Федерации (Москва, 2009) — 16-й Всероссийской межвузовской научно-технической конференции (Зеленоград, 2009) — конкурса инновационных проектов молодых ученых, аспирантов и студентов^ (Ростов-на-Дону, 2009), X Всероссийской научной конференции студентов, аспирантов, молодых ученых «Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления» (Таганрог, 2010), VII ежегодной научной конференции студентов и аспирантов базовых кафедр Южного научного центра РАН (Россия, Ростов-на-Дону, 2011), I городского конкурса «Молодой инноватор-2011» (Таганрог, 2011).

    Публикации

    По материалам диссертационной работы опубликованы 22 печатные работы, из них 2 свидетельства о регистрации программ, 1 депонированная научная работа, 16 работ в сборниках трудов конференций, 3 статьи в центральных технических журналах в соответствии рекомендациям ВАК.

    Структура и объем работы

    Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы из 144 наименований и 11

    приложений.

Разработка математических моделей и алгоритмов оптимизации производства изделий из сапфира для электронной техники (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

В’первой главе выполнен краткий обзор литературных источников, на основе которых произведен краткий анализ современного состояния математических моделей и алгоритмов оптимизации производства изделий из сапфира. Рассмотрена технология получения монокристаллов сапфира методом горизонтальной направленной кристаллизации, выявлены основные достоинства и недостатки. Проведен сравнительный анализ существующих моделей, роста монокристалловсапфира. Проведен сравнительный анализ существующего математического и информационного обеспечения получения изделий из монокристаллов, его достоинств и недостатков. На основании сделанных выводов выбрано направление исследования и осуществлена постановка цели и задач диссертационного исследования.

Во второй" главе представлена методика проектирования математического и информационного обеспеченияспроектирована общая структура разрабатываемого информационного и математического обеспечения! получения изделий из сапфира, а также спроектированы" структуры информационной и экспертной систем получения изделий из сапфира.

В третьей главе сформулированы требованияпредъявляемые к разрабатываемому математическому и информационному обеспечению получения изделий из монокристаллов сапфирас помощью САБЕ-средств созданы модели предметной области, отражающие существующие бизнес-процессы в предметной области и бизнес-процессы с учетом измененийописана математическая модель влияния параметров роста на качество кристалларазработаны методы сокращения технологического процесса получения монокристаллов сапфира на основании такого критерия, как время. В1 данном разделе разработана трехмерная модель решения задачи теплообмена в кристаллах сапфира, позволяющая выявить распределение температурного поля в кристалле. Модель предусматривает динамическое перестроение границы кристалл-расплав в соответствии с распределением температур

11 ных полей в системе, полученном из расчета на предыдущей итерации. Проведено исследование возможности использования закономерностей микроразрушения монокристаллов единичным зерном для прогнозирования показателей процессов массового воздействия абразивными частицами при обработке.

В четвертой главе приводится описание выбора программного обеспечения для реализации, алгоритмы, интерфейсы, описание работы пользователя с математическим и информационным обеспечением процесса получения изделий из монокристаллов сапфира для электронной техники.

Содержание диссертации изложено на 177 страницах и включает 50 страниц с рисунками, 12 страниц с таблицами и список использованных источников, включающий 144 наименования.

4.8 Выводы по главе 4.

На основании проведенной в данной главе работы можно сделать следующие выводы:

1. Разработан алгоритм анализа и сбора данных, реализованный в виде информационной системы получения изделий из сапфира, которая позволяет дать точную характеристику получаемых кристаллов и которая позволяет не только систематизировать большие информационные массивы данных, но и выявить закономерности влияния факторов на рост кристалла.

2. Разработан алгоритм, реализованный в виде программного модуля на основе математической модели влияния параметров роста на качество кристалла. Данный программный модуль совместно с базой данных обеспечивает помощь инженеру-технологу при выборе параметров, роста, улучшая, при этом качество кристаллов в среднем на 10% и обеспечивая реальный экономический эффект.

3. Разработан алгоритм, на основе которого разработана экспертная система, позволяющая, выбрать оптимальные режимы роста монокристаллов сапфира: мощность нагревателя (20.5 — 22.5 кВт), степень вакуума. (2:10″ 2 — 6'10″ 3 Па), скорость роста кристалла (4−6 мм/ч), пространственная ориентация, качество шихты (99.996 — 99.999%), и представить прогноз категории. качества кристалла. Эта система позволяет увеличить выход кристаллов, соответствующих выбранной' категории качества, на 20%.

4. Создан интегрированный электронный портал, поддерживающий возможность адаптивных технологий выращивания монокристалла сапфира, на котором потенциальный, заказчик, ипользователь может ознакомиться с программными обеспечением и рекомендациями по. выбору режимов роста и обработки кристалла для получения изделий из сапфира высокого, качества.

5. Разработан алгоритм, реализованный в виде программного модуля для расчета режимов плоского шлифования монокристаллов сапфира. Разработан алгоритм, на основе которого создана экспертная системапомогающая при выборе режимов шлифования монокристаллов сапфира и представляющая прогноз класса шероховатости поверхности, кристалла для улучшения характеристик приповерхностного слоя материала на 15%. начальных стадиях разработки математического и информационного обеспечения получения изделий из сапфира.

14. Разработана модель влияния параметров процесса выращивания на качество монокристаллов сапфира, отражающая в аналитическом виде степень влияния скорости лодочки, мощности нагревателя и степени вакуума на количество пузырей на единицу площади кристалла как одну из характеристик кристалла. Нарушение стабильности тепловых условий на фронте кристаллизации приводит к захвату в расплаве на границе раздела фаз газовых пузырей, обуславливающих возникновение пор в кристалле, которые, являясь концентраторами напряжений, служат дополнительным источником дислокаций и, как следствие, источником дефектов в виде блоков.

15. Построена модель оптимизации временных параметров технологического процесса, учитывающая различные уровни дефектов. Определены основные практические приемы сокращения цикла кристаллизации при получении монокристаллов сапфира, которые позволяют снизить длительность цикла кристаллизации в среднем на 28%.

16. Разработана трехмерная модель решения задачи теплообмена в кристаллах сапфира, позволяющая выявить распределение температурного поля в кристалле. На основании трехмерной модели решения задачи теплообмена в кристаллах сапфира создан пакет компьютерных программ для расчета полей температур. С помощью разработанной численной модели проведен ряд расчетов для изучения влияния теплофизических свойств материалов на процесс кристаллизации монокристаллов сапфира.

17. Рассчитана зона деформации монокристаллов сапфира (порядка 3−4 нм) в процессе разрушения монокристалловединичным зерном для прогнозирования показателей процессов массового воздействия абразивными частицами при обработке монокристаллов сапфира.

18. Рассчитана максимальная глубина проникновения медианных и радиальных трещин в сапфир (0.112 мкм при двустороннем шлифовании свободным абразивом карбида бора радиусом 0.55 мкм) при воздействии абразива остроугольной.

129 формы на поверхность обрабатываемого материала. Рассчитан размер зоны пластической деформации (0.014 мкм при двустороннем шлифовании свободным абразивом карбида бора радиусом 0.55 мкм), на границе которой с упругодеформи-рованной областью при повышении критического усилия на абразивную частицу происходит образование и рост боковых трещин.

19. Разработан алгоритм анализа и сбора данных, реализованный в виде информационной системы получения изделий из сапфира, которая позволяет дать точную характеристику получаемых кристаллов и которая позволяет не только систематизировать большие информационные массивы данных, но и выявить закономерности влияния факторов на рост кристалла.

20. Разработан алгоритм, реализованный в виде программного модуля на основе математической модели влияния параметровроста на качество кристалла. Данный программный модуль совместно с базой данных обеспечивает помощь инженеру-технологу при выборе параметров роста, улучшая при этом качество кристаллов в среднем на 10% и обеспечивая реальный экономический эффект.

21. Разработан алгоритм, на основе которого разработана экспертная система, позволяющая выбрать оптимальные режимы роста монокристаллов сапфира: мощность нагревателя (20.5 — 22.5 кВт), степень вакуума' (2*10″ 2 — 6*10″ 3 Па), скорость роста кристалла (4 — 6 мм/ч), пространственная^ ориентация, качество шихты (99.996 — 99.999%), и представить прогноз категории качества кристалла. Эта система позволяет увеличить выход кристаллов, соответствующих выбранной категории качества, на 20%.

22. Создан интегрированный электронный портал, поддерживающий возможность адаптивных технологий выращивания монокристалла сапфира, на котором потенциальный заказчик и пользователь может ознакомиться с программным обеспечением и рекомендациями по выбору режимов роста и обработки кристалла для получения изделий из сапфира высокого качества.

23. Разработан алгоритм, реализованный в виде программного модуля для расчета режимов плоского шлифования монокристаллов сапфира. Разработан алгоритм, на основе которого создана экспертная система, помогающая при выборе.

130 режимов шлифования монокристаллов сапфира и представляющая прогноз класса шероховатости поверхности кристалла для улучшения характеристик приповерхностного слоя материала на 15%.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В.А. Галкин, М. А. Забудько Аналитические и численные решения нелинейных уравнений теплопроводности и кинетических уравнений для моделирования кристаллизации // Математическое моделирование. — 2001. Т. 13, № 12. — С. 46−54.
  2. .Я. Теория кристаллизации в больших объемах. -М.: Наука, 1975.- 420 с.
  3. Вильке К.-Т. Выращивания кристаллов. Л.: Недра, 1977. — 600 с.
  4. Ю.М., Цветков В. Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов: учеб. для вузов. 3-е изд. — СПб.: Лань, 2002. — 424 с.
  5. Р., Паркер Р. Рост монокристаллов. — М.: Мир, 1974. 540 с.
  6. Г. Рост кристаллов. М.: Изд. иностр. лит, 1954. — 407 с.
  7. В.Д. Кристаллы и кристаллизация. — М.: Госгеолтехиздат, 1954. -411 с.
  8. Е.Р., Литвинов Л. А., Пищик В. В. Монокристаллы корунда.- Киев: Наукова Думка, 1994. 256 с.
  9. Dobrovinskaya Е., Lytvynov L., Pishchik V. Sapphire & other corundum crystals. Institute for Single Crystals. -Kharkiv, 2002. 294 p.
  10. В.П., Логунов A.B. Об управлении процессом направленной кристаллизации //Физика и химия обработки материалов. 1984. — № 4. — С. 60−66.
  11. В.В., Бирман Б. И. и др. О механизме возникновения пор в монокристаллах корунда // Монокристаллы и техника: Сб. науч. тр. 1971. — Вып.5. — С. 26−35.
  12. Е.Р., Литвинов Л. А., Пищик В. В. Энциклопедия сапфира. — Харьков: НТК «Институт монокристаллов», 2004. 508 с.
  13. В.А. Разработка и исследование технологии получения лейко-сапфира для электронной техники: дис.. канд. техн. наук. Таганрог, 2009. — 164 с.
  14. П.И., Крымов В. М., Носов Ю. Г., Шульпина И. Л. Выращивание ба-зисноограненных ленточных кристаллов лейкосапфира и изучение их дислокационной структуры // Известия АН. Сер. Физ. 2004. — Т. 68, № 6. — С. 777−783.
  15. И.Г., Казуров Б. К., Караульник Э.Н- Механизмы и кинетика кристаллизации: Минск, 1969- - С. 399−407.
  16. Х.С., Горяинов Л. А. Физические нематематические модели процессов теплопереноса в установках для получения монокристаллов по методу горизонтальной направленной кристаллизации // Физика и химия обработки материалов.- 1981. № 5. — С.:22−27.
  17. Х.С., Горяинов Л. А. Развитие горизонтальной направленной кристаллизации тугоплавких диэлектрических материалов // Инженерно-физический журнал. 1998. — Т. 71, № 2. — С. 248−253.. •
  18. Л.А. Математическое моделирование процесса выращивания монокристаллов из расплава// Физика и химия обработки материалов. 1996. — № 5:. -С. 128−134.
  19. С.А., Спиридонов Ф. Ф. Влияние величины зоны прогрева на кристаллизацию расплава // Математическое моделирование. — 2003. — Т. 15, № 7. С. з-ю. ¦
  20. Е.Р., Пищик В .В1 Связь структурного совершенства- монокристаллов корунда с механизмом их формирования // Кристаллография. — 1988. Т. 33, .V" 4. С. 1000 1005.
  21. Э.Н. Материалы для высокотемпературных вакуумных установок. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2007: — 152 с.
  22. С.В., Лингарт Ю. К., Петров В. А. О температурных полях при выращивании лейкосапфира методом горизонтальной направленной кристаллизации // Физика и химия обработки материалов. 1984. — № 1. — С. 24−26.
  23. Х.С. Высокотемпературная кристаллизация из расплава. М.: Физматлит, 2004. — 160с.
  24. В.И., Осико В. В., Татаринцев В. В. Плавление тугоплавких диэлектрических материалов высокочастотным нагревом // Приборы и техника эксперимента. 1970. — Т.5. — С. 222−225.
  25. Классен-Неклюдова М.В., Багдасаров Х. С. Рубин и сапфир. М.: Наука, 1974.-408 с.
  26. Г. А., Малюков С. П., Чередниченко Д. И. Исследование модели жидкофазной рекристаллизации слоя поликремния на сапфировой подложке // Кристаллография. 2009. — Т. 54, № 3. — С. 553−558.
  27. Л.А. Вычислительная теплофизика. Киев: Наукова Думка, 1992. — 224 с.
  28. Х.С., Горяинов Л. А. Тепло- и массоперенос при выращивании монокристаллов направленной кристаллизацией.- М.: ФИЗМАТЛИТ, 2007. 224 с.
  29. В.И., Карвацкий А. Я., Лохманец Ю. В. Радиационный-кондуктивный теплообмен при росте полупрозрачных кристаллов из расплава // Математическое моделирование. — 2008. — № 2 (19). — С. 39−43.
  30. Brandon S., Derby J.J. Internal radiative transport in the vertical Bridgman growth of semitransparent crystals // Journal of Crystal Growth. 1991. Vol. 110, № 3. -P. 481−500.
  31. С.Н. Разработка и исследование технологии изготовления элементов электронной техники на основе монокристаллического сапфира : дис.. канд. техн. наук. Таганрог, 2010. — 156 с.
  32. A.A. Моделирование температурных и термоупругих полей в сапфире в трехмерных криволинейных координатах // Математическое моделирование. 2001. — Т. 13, № 8. — С. 20−34.
  33. А.Г., Пунин Ю. О. Оптические аномалии в кристаллах. СПб.: Наука, 2004. — 280 с.
  34. B.JI. К теории образования напряжений и дислокаций при росте кристаллов // Кристаллография. 1964. Т. 9, № 1. — С. 74−83.
  35. B.JI. Напряжения и дислокации при росте кристаллов // Изв. АН СССР. Серия Физическая. 1973. — T. XXXVII, № 11. — С. 2258 -2267.
  36. А. И. Добровинская Е.Р., Литвинов JI.A., Пищик В. В. О возможности управления примесной неоднородностью в монокристаллах корунда // Кристаллография. 1981. — Т. 26. — С. 164.
  37. А.И. Влияние диффузии примесей в расплаве на их распределение в кристалле при направленной кристаллизации. // Рост кристаллов: сб. науч. тр. — M., 1957.-Т.1.-С.74−84. '
  38. П.И., Бахолдин С. И., Куандыков Л. Л., Лингарт Ю. К. Явление скачков теплового поля при кристаллизации монокристаллических лент сапфира по способу Степанова и методом ГНК // Кристаллография. 2004. — Т. 49, № 2. -С. 300−309.
  39. Т.С., Самсонов А. Л., Аввакумова Л. А., Бодячевский C.B., Шалфеев Е. Г. Управление вакансионной структурой кристаллов корунда, выращиваемых из расплава в присутствии графита // Неорганические материалы. 1990. — Т. 26, № 12.-С. 2531−2532.
  40. В.Н., Цивинская Ю. С., Кох А.Е. Исследование технологии выращивания кристалла в неоднородно разогретом тигле // Математическое моделирование. 2005. — Т. 17, № 5. — С. 77−84:
  41. М.П., Фрязинов И. В. Математическая модель и численная реализация процесса гранного роста кристалла // Кристаллография. — 2005. — Т. 50, № 6.-С. 1114−1122.
  42. Ш. Х., Никаноров С. П., Бахолдин С. И. Модель идеальной релаксации термоупругих напряжений при выращивании монокристаллов. Физика твердого тела, том 45, вып. 6, 2003. С. 1020 1023.
  43. Инденбом, B. JL, Томилевский Г. Н. Измерение внутренних напряжений в кристаллах синтетического корунда // Кристаллография. 1957. — Т. 1. — С 593 599.
  44. В.Л., Освенский В. Б. Теоретические и экспериментальные исследования возникновения напряжений и дислокаций при росте кристаллов // Рост кристаллов: сб. науч. тр. — Москва, 1980. — Т.13. — С. 240−260.
  45. О.И., Брук В. А., Никифорова-Денисова С.Н. Механическая обработка полупроводниковых материалов. 2-е изд. — М.: Высшая школа, 1977. — 152 с.
  46. А.Н. Абразивная и алмазная обработка материалов. М.: Машиностроение, 1977.-391 с.
  47. A.B., Сагателян Г. Р., Хохлов А. И. Шлифование пластин сапфира диаметром 100 мм // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: тезисы докл. Междунар. конф. Дивноморское, 2004. — С. 93−96.
  48. Э.М., Шилов Н. И., Василенко В. А. Алгоритмическое и программное обеспечение для процессов массовой кристаллизации из растворов // Программные продукты и системы. — 1997. — № 1. — С. 37−43.
  49. Г. Г., Ковалев И. Д., Крылов В. А. Информационно-расчетная система «Высокочистые вещества и материалы» // Материалы электронной техники. -1998.-№ 3-С. 44−51.58. http://nitec.n-sk.rU/pdf/A.09.Q.doc (дата обращения: 03.04.2011).
  50. Ньи Ньи Шейн. Система управления для размерного микрошлифования изделий из сверхтвердых и хрупких материалов // Микроэлектроника и информатика: тезисы докл. Всерос. конф-Москва, 2007. — С. 261.
  51. Ю.О., Иванян А. Ю. Программная поддержка расчетов и оптимизации режимов резания // Известия ТРТУ. Тематический выпуск «Интеллектуальные САПР». 2004. — № 3. — С. 137−140.
  52. А.Ю. Исследование и оптимизация основных показателей систем механической обработки // Известия ТРТУ. Тематический выпуск «Интеллектуальные САПР». 2004. — № 3. — С. 288−289.
  53. B.C. Система поддержки принятия решений для задачи выбора оптимальных режимов лазерной закалки // Физика и химия обработки материалов.- 2001. № 2. — С. 91−94.
  54. А.Г., Бишутин С. Г., Медведев Д. М. Автоматизация расчета нормальной контактной жесткости стыков плоских поверхностей шлифованных деталей // Вестник Брянского государственного технического университета 2006. № 213 710.-С. 135−139.
  55. В.Н. Информационные системы. СПб.: Питер, 2002. — 688 с.
  56. Н.З., Партыка T.JL, Попов И. И. Проектирование информационных систем: учеб. пособие. М.: ФОРУМ, 2009. — 432 с.
  57. H.A., Кульба В. В., Ковалевский С. С., Косяченко С. А. Методы анализа и синтеза модульных информационно-управляющих систем. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. — 800 с.
  58. Ю.А. Автоматизация процесса литья изделий с направленной и монокристаллической структурой // Приборы и системы. Управление, контроль диагностика. 2003. — № 4. — С.27 -28.
  59. В.А. Принципы синтеза информационно-измерительных систем состава и свойств веществ // Информационные технологии. — 2008. № 12. — С. 58−62.
  60. И.В., Русинов Л. А., Ремизова O.A. Использование метода главных компонент в алгоритмах обнаружения нарушений в ходе технологических нарушений // Информационные технологии. 2006. — № 11. — С. 62−65.
  61. Д.А. Ситуационное управление: теория и практика. М.: Наука, 1986.-288 с.
  62. Ю.В. Системы для контроля качества монокристалла сапфира // Материалы Всерос. смотра-конкурса. Новочеркасск, 2005. — С. 253−255.
  63. С.П., Лапшина И. В., Клунникова Ю. В. Управление процессом выращивания монокристаллов лейкосапфира методом горизонтальной направленной кристаллизации // Материалы Всерос. смотра-конкурса. Новочеркасск, 2007. -С. 77−78.
  64. С.П., Лапшина И. В., Клунникова Ю. В. Информационная система получения монокристаллов лейкосапфира // Тезисы докл. Междунар. конф. Казань, 2007. -Т. 3. — С. 128−131.
  65. С.П., Клунникова Ю. В. Системы поддержки принятия решения для процесса получения монокристаллов лейкосапфира // Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления: тезисы докл. Всерос. конф. Таганрог, 2008.-Т.1. — С. 156−157.
  66. O.A., Клунникова Ю. В. Разработка информационно-диагностической системы для обнаружения неисправностей в сложных технических системах // Современные техника и технологии: труды Междунар. конф. — Томск, 2005. Т.2 — С. 162−164.
  67. Ю.В. Модель влияния параметров технологического процесса получения сапфира на качество кристаллов // Известия ЮФУ. Технические науки. Тематический выпуск «Интеллектуальные САПР». 2010. — № 7. — С. 198−203.
  68. С.П., Клунникова Ю.В: Система выбора. режимов механической обработки монокристаллов лейкосапфира // Неделя науки: сб. тезисов. Таганрог, 2008. — Т.2.-С.129−131.
  69. С.П., Клунникова Ю. В. Разработка экспертной системы в области получения монокристаллов лейкосапфира // Микроэлектроника и информатика: тезисы докл. Всерос. конф. М., 2008. — С. 173.
  70. С.П., Клунникова Ю. В. Расплывчатая модель контроля качества монокристаллов лейкосапфира" // Интеллектуальным системы и информационные технологии: труды конгресса. — М.: Физматлит, 2009. С. 533−535.
  71. С.П., Клунникова Ю. В. Программа-расчета и выбора параметров роста монокристаллов лейкосапфира // Св. об офиц. per. прогр. для ЭВМ № 2 008 612 944. 2008.
  72. Д.В. Интеллектуальные информационные системы : учеб. для вузов. М.: Высш. шк., 2003. — 431 с.
  73. Д.В. Введение в искусственный интеллект: конспект лекций. 2-е изд., перераб. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2007. — 264 с.
  74. Ю.И., Стукотий Л. Н., Свиридов A.C. Моделирование систем : учеб. пособие. Таганрог: ТРТУ, 2004. — 120 с.
  75. Ю.И. Концепция построения модели предприятия // Известия ТРТУ. Тематический выпуск «Интеллектуальные САПР». 2004. — № 3. — С. 101— 106.
  76. Ю.И. Функциональная структура информационной системы управления предприятием // Известия ТРТУ. 2000. — № 1. — С. 84−86.
  77. C.B., Рогозов Ю. И. Функционально-ориентированная модель предприятия // Известия ТРТУ. Тематический выпуск «Интеллектуальные САПР». — 2006.-№ 8.-С. 163−168:
  78. C.B., Рогозов Ю. И. Методика построения функционально-ориентированной модели организационной структуры предприятиями его информационного заполнения // Телекоммуникации. 2006. — № 7. — С. 13−20.
  79. В.И., Бобнев C.B., Рогозов Ю. И. Методика построения и оптимизации модели организационной структуры! предприятия // Интеллектуальные системы: труды международной научно-технической", конференции. М.: Физмат-лит, 2006. — Т. 2. — С. 208−214.
  80. С.П., Стефанович В. А., Лебедев Г. А. Метод оптимизации управления технологическим процессом выращивания кристаллов лейкосапфира // Известия ТРТУ. 2006. — № 5. — С. 210−214.
  81. Ю.П. Планирование эксперимента при поиске оптимальных условий. М.: Наука, 1971.-430 с.
  82. В.З. Введение в факторное планирование эксперимента. М.: Наука, 1976.- 180 с.
  83. Ли Т.Г., Адаме Г. Э., Гейнз У. М. Управление процессами^ помощью ЭВМ. Моделирование и оптимизация. М.: Советское радио, 1972. — 408 с.
  84. Х.С., Горяинов Л.А, Белых И. Г. Экспериментальное исследование тепловых режимов установок для выращивания тугоплавких монокристаллов по методу горизонтальной направленной кристаллизации // Физ. и химия обработки матер. 1980. -№ 4. С. 63−67.
  85. С.Н., Пунин А. Е. Мир компьютеров и химическая технология. -Л.1401. Химия, 1991.- 128 с.
  86. Д.В. Построение модели химико-технологического процесса // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. 2005. — № 7. — С. 24−26.
  87. Ю.А., Долгов А. Ю. Математическая модель технологического процесса по выборкам, малого объема // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2004. — № 4. — С. 4649.
  88. О.В. Типовые методы оценки контролируемых показателей при решении задач управления // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. 2003. — № 11. — С. 50−54.
  89. С.П., Клунникова Ю. В. Моделирование процесса выращивания монокристаллов лейкосапфира методом горизонтальной направленной кристаллизации // Деп. в ВИНИТИ № 2-В2007. 2007.
  90. С.П., Нелина С. Н. Снижение количества дефектов в монокристаллах сапфира за счет стабилизации градиента температуры теплового поля //Труды Междунар. конф. — Таганрог, 2006. С.82−84.
  91. С.П., Стефанович В. А., Чередниченко Д. И. Исследование модели самосогласованного ¦ роста монокристаллов методом горизонтальной направленной кристаллизации-// Известия ВУЗов: Электроника: 2007. — № 2. — С. 3−9.
  92. С.П., Стефанович В. А., Чередниченко Д. И. Релаксация пузырей в расплаве лейкосапфира при получении, кристаллов методом горизонтальной’направленной кристаллизации // Кристаллография: — 2007. Т. 52, № 6. — С. 1137— 1140.
  93. Я.Е., Дзюба A.C., Кононенко Н. В. Роль открытых включений переохлажденного расплава в формировании газовых пузырей в тылу фронта кристаллизации // Кристаллография. 1981. — Т. 26. — С. 571.
  94. С.П., Нелина С. Н., Клунникова Ю. В. Методы оптимизации технологического процесса получения монокристаллов лейкосапфира // Известия ЮФУ. Технические науки. Тематический выпуск «Интеллектуальные САПР». -2010.-№ 7.-С. 210−216.
  95. С.П., Клунникова Ю. В. Разработка программы расчета и оптимизации режимов роста монокристаллов сапфира // Интеллектуальные системы и информационные технологии: труды конгресса. — М.: Физматлит, 2010. — С. 306−308.
  96. JI.H., Мезенцев Ю. А. Методы оптимизации расписаний параллельных обслуживающих систем-// Программные продукты и системы. 2008. — №¦ 11.-е. 72−74.
  97. Ю.А. Оптимизация расписаний параллельно-последовательных систем в календарном планировании // Информационные технологии. 2009: — № 6.-С. 35−41. :
  98. В.Г. Использование алгоритмов комбинирования эвристик при построении оптимальных расписаний // Информационные технологии. --2009: № 10.-С. 61−64.
  99. IO.A. Оптимизация расписаний- параллельных динамических систем в календарном планировании // Информационные технологии. 2008. — № 2.-С. 16−23.
  100. Г. А., Малюков С. П., Стефанович В. А., Чередниченко Д. И. Тепло-физические: процессы при получении кристаллов лейкосапфира методом горизонтальной- направленной кристаллизации// Кристаллография.—2008. Т. 53, № 2.— С. 356−360.
  101. С.П., Куликова И. В., Нелина С. Н., Клунникова Ю. В. Численное моделирование роста кристаллов сапфира методом' ГНК' // Информационные технологии, системный- анализ и* управление: тезисы докл. Всерос. конф.- Таганрог, 2010.-С. 155−156.
  102. A.B. Теория теплопроводности. М.: Высшая школа, 1967. — 600 с.
  103. И.М. Анализ и синтез систем с распределенными параметрами. — Пятигорск, 2007. 244 с.
  104. С.П., Клунникова Ю. В. Программа расчета распределения температуры в процессе роста монокристаллов сапфира методом горизонтальной направленной кристаллизации // Св. об офиц. per. прогр. для ЭВМ № 2 011 612 757. 2011.
  105. O.A., Сохань C.B., Залога В. А., Криворучко Д. В., Дегтярев И. М. О выборе параметров сборных компонентов подвижного соединения эндопротеза тазобедренного сустава // Bichhk СумДУ. Cepk «TexI4HI науки». 2009. — № 4. — С. 156−169.
  106. JI.A. Задачи теории термоупругости и численные методы их решения. СПб.: СПбГТУ, 1998. — 532 с.
  107. A.B., Крымов В. М., Пунин Ю. О. Исследование оптических аномалий и остаточных напряжений в базисноограненных ленточных кристаллах сапфира, выращенных методом Степанова // Физика твердого тела. 2007. — Т. 49, № 1. З.-С. 454−459.
  108. A.A. Моделирование процессов механической обработки пластин полупроводниковых и диэлектрических материалов свободным абразивом: Авто-реф. дис. канд. техн. наук. — Москва, 2007 28 с.
  109. В.И., Борзаков Ю. И. Обработка монокристаллов в микроэлектронике. М.: Радио и связь, 1988. — 104 с.
  110. Evans A.G., Wilshau T.R. Gaussi-Static Particle Damage in Brittle Solids: Observations, Analysis and Implications // Acta Met. 1976. — Vol. 24, № 10. — P. 936 956.
  111. Kirchner H.P., Ragosta J. A. Relation of Load to Radial Crack Length for Spherical Indentations in Hot-Pressed ZnS // Amer. Ceram. Soc. 1983. — Vol. 66, № 4. — P. 293−296.
  112. Е.И., Ром M.А. Влияние параметров абразивной обработки на степень искаженности поверхностного слоя монокристаллов // Физика и химия обработки материалов. 1980. — № 2. — С. 96−98.
  113. А.В., Литвинов Ю. М. Рентгеновская диагностика структуры, и глубины повреждений в механически обработанных пластинах сапфира // Известия вузов. Электроника. 2006. — № 6. — С. 89−90.
  114. А.А., Голодаева Н. Л., Литвинов Ю. М., Цыпленков И. Н. Глубина и структура повреждений в пластинах GaP, полученных методом многопроволочной резки // Известия вузов. Электроника. 2005. — № 2. — С. 32−35.
  115. В.В., Литвинов Ю. М. Диагностика субмикронных приповерхностных повреждений в пластинах кремния после двухстороннего химико-механического полирования // Известия вузов. Электроника. 2005. — № 6. — С. 32−35.
  116. В.В., Литвинов Ю. М., Хохлов А.И, Яковлев С. П. Процесс двухстороннего химико-механического полирования пластин- кремния // Известия вузов. Электроника. 2004. — № 6. — С. 26−30.
  117. Проектирование и реализация баз данных Microsoft SQL Server 2000. Учебный курс MCAD/MCSE, MCDBА/Пер. с англ. Me: Русская редакция, 2003. -512 с.
  118. Л.Н. Создание иерархической структуры данных в среде MS SQL Server // Программные продукты и системы. 2001. — № 2. — С. 5−9.
  119. Вигерс Карл Разработка требований к программному обеспечению/ Пер. с англ. М.: Русская Редакция, 2004. — 576 с.
  120. Никифорова-Денисова С. Н. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники: учеб. пособие. -М.: Высш. шк., 1989. 95 с. 1. USED AT:-J
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?