Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Разработка конструктивно-технологических основ проектирования и промышленное освоение линейных фоточувствительных приборов с зарядовой связью

Диссертация: Разработка конструктивно-технологических основ проектирования и промышленное освоение линейных фоточувствительных приборов с зарядовой связью
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В ПЗС существуют два типа каналов переноса: поверхностный и объёмный. Для поверхностного канала, в котором хранение и перенос сигнального заряда осуществляются в потенциальных ямах на границе раздела «окисел-полупроводник», характерны относительная простота технологии изготовления и высокая управляющая способность (высокая зарядовая ёмкость). Однако взаимодействие перемещаемого зарядового пакета… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ обзор литературы)
    • 1. 1. Введение
    • 1. 2. ПЗС с поверхностным и объёмным (скрытым) каналом
    • 1. 3. Линейные ФПЗС — формирователи изображения
    • 1. 4. Особенности технологии линейных ФПЗС с объёмным каналом. требования к кремнию) > П |
  • Г.5': Обзор конструктивных и технологических решений при создании ' 1 линейных ФПЗС с объёмным каналом (обзор статей и патентов)
    • 1. 6. Применение ФПЗС (потребительские и специализированные системы на основе ФПЗС)
    • 1. 7. Выводы по главе 1
  • Глава 2. ВЫБОР АРХИТЕКТУРЫ И ПРИНЦИПЫ ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ ЛФПЗС
    • 2. 1. Принцип работы и общее описание приборов
    • 2. 2. Линейные ФПЗС с фотодиодным накопителем, выполненные по схеме билинейного считывания с раздельными выходами
    • 2. 3. Линейные ФПЗС, выполненные по однорегистровой схеме с одним выходом
    • 2. 4. Линейные ФПЗС, выполненные по схеме билинейного считывания с одним выходом
    • 2. 5. Выводы по главе 2
  • Глава 3. ПРОЕКТИРОВАНИЕ ЛФПЗС
    • 3. 1. Введение
    • 3. 2. Цели оптимизации и оптимизируемые параметры
    • 3. 3. Алгоритм оптимизации
    • 3. 4. Начальные этапы моделирования
    • 3. 5. Результаты моделирования
    • 3. 6. Моделирование выходного устройства
    • 3. 7. Топологическое проектирование
    • 3. 8. Частотно-контрастные и спектральные характеристики
    • 3. 9. Выводы по главе 3
  • Глава 4. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛИНЕЙНЫХ ФПЗС
    • 4. 1. Технология ЛФПЗС с поверхностным каналом
    • 4. 2. Технология ЛФПЗС с объёмным каналом
    • 4. 3. Пооперационный технологический маршрут
    • 4. 4. Исследование влияния на качество внутреннего геттера формирующих его последовательностей отжигов и содержания кислорода в кремнии
    • 4. 5. Выводы по главе 4
  • Глава 5. ПАРАМЕТРЫ И ПРИМЕНЕНИЕ ЛФПЗС
    • 5. 1. Параметры и характеристики приборов ФПЗС1ЭЛ и ФПЗС14Л
    • 5. 2. Параметры и характеристики приборов ФПЗС11Л и ФПЗС12Л
    • 5. 3. Параметры и характеристики приборов А1232, А1233, А1234 и А
    • 5. 4. Применение ЛФПЗС
    • 5. 5. Выводы по главе 5

Разработка конструктивно-технологических основ проектирования и промышленное освоение линейных фоточувствительных приборов с зарядовой связью (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность проблемы.

Приборы с зарядовой связью (ПЗС) относятся к тем изделиям, значимость которых непрерывно возрастает и, несомненно, будет возрастать в дальнейшем вне зависимости от появления новых разновидностей интегральных схем и быстрого прогресса в области создания традиционных БИС и СБИС.

Устойчивость положения ПЗС в общей иерархии электронных приборов можно объяснить плодотворностью, «жизнеспособностью» основополагающей идейной концепции ПЗС, заключающейся в том, что в этих приборах информация представляется в виде зарядовых пакетов, которые формируются в приповерхностной области кристалла, управляемо перемещаются и требуемым образом преобразуются (делятся, сливаются, нормируются и прочее).

Функциональная широта ПЗС проявляется в способности оперировать (хранение, обработка) цифровыми и аналоговыми величинами, а также в возможности параллельного ввода больших массивов информации, в том числе соответствующих двумерным изображениям.

В ПЗС существуют два типа каналов переноса: поверхностный и объёмный. Для поверхностного канала, в котором хранение и перенос сигнального заряда осуществляются в потенциальных ямах на границе раздела «окисел-полупроводник», характерны относительная простота технологии изготовления и высокая управляющая способность (высокая зарядовая ёмкость). Однако взаимодействие перемещаемого зарядового пакета с поверхностными состояниями (захват и эмиссия носителей) существенно ограничивает эффективность переноса зарядового пакета. В объёмном канале это влияние значительно уменьшается. Сильные тянущие электрические поля в глубине полупроводника позволяют обеспечить высокую эффективность при высокой скорости переноса зарядов, но меньшую управляющую способность.

За период (чуть менее 40 лет), прошедший с момента изобретения ПЗС (ПЗС, предназначенные для восприятия, обработки и передачи изображений в дальнейшем будем обозначать как ФПЗС — фоточувствительные приборы с зарядовой связью), были созданы приборы, сравнимые с вакуумными ТВ-трубками по разрешению и превосходящие их по динамическому диапазону. Кроме того, они обладают такими важными практическими свойствами, как отсутствие инерционности, жёсткий геометрический растр, низкие питающие напряжения, малые габариты и масса. Первоначальная цель разработки ФПЗС определила и основную область их применения — прикладное и вещательное телевидение, а в последние годы — цифровые фотоаппараты. Перечисленные выше достоинства ФПЗС сделали их удобными для ввода информации в ЭВМ с целью последующей обработки, а также стимулировали развитие гибридных оптико-электронных (в том числе цифровых) систем обработки изображений. В последнем случае возможность накопления и хранения зарядовой информации в ФПЗС позволяет использовать их в качестве устройства сопряжения информационных систем различной производительности.

Линейные фоточувствительные приборы с зарядовой связью (ЛФПЗС) могут использоваться для различных сканирующих систем, обеспечивающих факсимильную передачу, распознавание оптических образов. При этом требуются высокая разрешающая способность, высокие чувствительность и скорость вывода данных.

За рубежом ЛФПЗС с числом элементов 1024, 2048 и 4096 широко используются при высокоскоростной обработке документов, сортировке почты, измерении линейных размеров различных видов продукции, определении положения объектов, в спектроскопии и других промышленных и научных применениях, а также в спецтехнике различного назначения.

Вместе с тем важнейшей проблемой является разработка промышленной технологии производства ЛФПЗС и организация производства этих приборов.

Всё это свидетельствует об актуальности выбора направления создания данного класса оптоэлектронных приборов.

Цель работы.

Целью работы являются выбор архитектуры построения и разработка конструкций и промышленной технологии производства ЛФПЗС с поверхностным или объёмным каналами переноса носителей заряда, чувствительных в диапазоне длин волн 0,2 — 1,1 мкм.

Достижение поставленной цели обеспечивается решением следующих задач: выбором архитектуры построения ЛФПЗС в зависимости от функционального назначения и требований к фотоэлектрическим параметрамопределением конструкции основных элементов линейных ФПЗСвыбором базовой технологии изготовления кристалла ЛФПЗСразработкой топологии кристалла ЛФПЗСрасчётом примесных профилей в кремниевой подложке и двумерного распределения потенциалаанализом полученных распределений с целью проверки работоспособности прибора во всех режимахоптимизацией геометрии элементов прибора и технологических параметровразработкой конструктивных и технологических решений, направленных на улучшение фотоэлектрических параметров и, в частности, на снижение уровня темпового тока и его неравномерности.

Научная новизна.

1. Разработана и освоена в производстве технология двухуровневой поликремниевой электродной структуры на двухслойном подзатворном диэлектрике с объёмным каналом п-типа для реализации двухфазных ФПЗС, работающих при высоких частотах (>20 МГц) и имеющих малые потери передачи (<10″ 5). В качестве фоточувствительного элемента вместо МДП-структуры использован фотодиод, что позволило в 2,5 раза повысить интегральную чувствительность ЛФПЗС и продвинуть коротковолновую границу спектрального диапазона от 0,4 мкм до 0,2 мкм.

2. Предложена структура фотоячейки ЛФПЗС на основе фотодиода со слоем аккумуляции дырок, с планарным антиблумингом, что позволило снизить управляющие напряжения с 18−20 В до 7−9 В.

3. Для формирования диода со слоем аккумуляции дырок при условии обеспечения самосовмещения активных областей фотоячейки расчётным путем определены дозы, энергии и режимы термообработок последовательно имплантируемых в область фотодиода примесей Аэ^ - В+ (при создании скрытого канала с ионнолегированными барьерами) и Р+ - В+ (при создании собственно диода).

4. Разработан линейный ФПЗС с внутренним охлаждением. Разработка оригинальна по характеру, так как отечественные и зарубежные аналоги к моменту разработки не были известны. При использовании варианта с внутренним охлаждением кристалла ФПЗС за счёт двухкаскадной термоэлектрической батареи на основе эффекта Пельтье обеспечиваются минимальные масса, габариты и энергопотребление, а время выхода на режим составляет менее I мин. Разработанная конструкция является базовой и используется при создании различных типов охлаждаемых ФПЗС на основе кристаллов их неохлаждаемых вариантов длиной не более 30 мм.

5. Показано, что при создании внутреннего геттера проведение начального отжига при 1150 °C делает для использовавшихся пластин необязательным длительный отжиг при 700 — 800 °C. Изменение времени отжига при 1150 °C в диапазоне от шести часов до пяти минут мало влияет на преципитацию кислорода в объёме пластины, что позволяет сформировать свободную от дефектов зону шириной, соответственно, от 20 мкм до 4 мкм, оптимальную для ФПЗС различных типов.

Выявлено, что в ходе отжигов, проводимых при изготовлении ЛФПЗС, образование преципитатов кислорода и других микродефектов в объёме кремниевых пластин продолжается. В результате, после первого длительного отжига эффективный геттер успевает образоваться в пластинах с меньшим содержанием кислорода.

Установлен диапазон начальной концентрации кислорода в пластинах кремния см", обеспечивающий необходимую плотность преципитатов 10 см" при воспроизводимом процессе формирования внутреннего геттера.

Практическая значимость.

1. Приборы К1200ЦЛ2, К1200ЦЛЗ с фотодиодным накопителем, разработанные на основе технологии, приведенной в диссертации, внедрены в производство и выпускались на Опытном заводе НИИ «Пульсар» в 1979;1994 г. г., приборы 1200ЦЛ5, 1200ЦЛ6 и К1200ЦЛ7 выпускались на Опытном заводе НИИ «Пульсар» в 1984;1994 г. г.

2. ФПЗС1ЭЛ и ФПЗС14Л (модернизированные приборы 1200ЦЛ5 и 1200ЦЛ6) выпускаются малыми сериями совместно с ОАО «завод „Микрон“ и НИИМЭ» и поставляются потребителям по договорам (в частности, для комплектации систем М-420, «Осьминог-ТВ» и других).

Положения, выносимые на защиту.

1. Для улучшения фотоэлектрических параметров линейных ФПЗС в структуру кристалла введены: фотодиод (в том числе со слоем аккумуляции дырок), устройство пла-нарного антиблуминга, двухфазная электродная система, быстродействующие выходные устройства на основе 2- и 2,5-каскадных истоковых повторителей.

2. Для расширения динамического диапазона (более 80 дБ) и повышения верхней температурной границы эксплуатации до +85°С при минимальном энергопотреблении ЛФПЗС оснащён термоэлектрическим охладителем, причём охлаждается только кристалл ПЗС-линейки, находящийся в вакууме, а избыточное тепло термохолодильника используется для нагревания входного окна ЛФПЗС (авторское свидетельство № 1 235 425, пр. 6 января 1984 г.).

3. Для создания ЛФПЗС необходимо использовать технологические маршруты, составляющие основу промышленной технологии ЛФПЗС и включающие совокупность следующих элементов:

— периферийную изоляцию методом локального окисления кремния;

— изоляцию фотодиодов друг от друга методом минилокального окисления кремния;

— создание объёмного канала п-типа с помощью ионной имплантации мышьяка (с дозой 0,2 мкКл при энергии 350−500кэВ) сквозь диэлектрическую систему «диоксид кремния-нитрид* кремния»;

— формирование двухслойной поликремниевой электродной структуры;

— создание самосовмещенных ионно-легированных барьеров в объёмном канале птипа;

— формирование методом самосовмещения фотодиодов (в том числе со слоем аккумуляции дырок);

— создание двухслойной алюминиевой металлизации.

4. Для изготовления ЛФПЗС с низким уровнем темнового тока и его неравномерности при использовавшемся в работе процессе создания геттера оптимальная концентра.

17 1 ция кислорода в исходных пластинах должна лежать в узких пределах (6,5−8)'10 см" .

Личный вклад автора в получение результатов.

Основной — в разработку конструкции и технологии ЛФПЗС (публикации 6,7,9,10,13,16,20, 25,29,34,42 в автореферате).

Равнозначный с соавторами:

— в разработку конструкции и технолоши ЛФПЗС (публикации 1−5,14,15,17−19,22,23,.

33.35.37.40 в автореферате);

— в исследования фотоэлектрических и электрофизических характеристик ЛФПЗС (публикации 8,11,12,27,30,38,39 в автореферате);

— в разработку процессов формирования внутреннего геттера (публикации 21,24,26,28,.

31.32.36.41 в автореферате).

Апробация работы.

Работы ФГУП «НПП «Пульсар» «по созданию ФПЗС, в том числе ЛФПЗС, в сочетании с рядом разработок ЦНИИ «Электрон» и других организаций удостоены Государственной премии Российской Федерации за 1998 год. Автору настоящей диссертации в числе других сотрудников также присуждена Государственная премия РФ и присвоено звание лауреата Государственной премии РФ в области науки и техники.

За разработку «Микросхемы линейные фоточувствительные с зарядовой связью (класс ФПЗС)» ФГУП «НПП «Пульсар» «и персонально автор настоящей диссертации решением Международного Жюри УШ-го Международного салона промышленной собственности «АРХИМЕД-2005» награждены золотой медалью.

Результаты работы были доложены на следующих конференциях и совещаниях:

— на II Всесоюзной конференции «Теоретические основы, технология и перспективы применения ПЗС в изделиях электронной техники», Цохкадзор, Армянская ССР, 1979 г.;

— на конференции «Физические проблемы МДП-интегральной электроники», Севастополь, 1983 г.;

— на конференции «Приборы с зарядовой связью. Технология и применение», Москва, 1983 г.;

— на XIII Всесоюзной конференции «Высокоскоростная фотография, фотоника и метрология быстропротекающих процессов», Москва, 1987 г.;

— на XI Всесоюзной конференции по фотоэлектронным приборам «Новые принципы формирования телевизионных изображений», Ленинград, 1990 г.;

— на IV конференции с международным участием «Приборы с зарядовой связью и системы на их основе», Геленджик, 1992 г.;

— на V международной конференции «Charge-Coupled Devices and CCD Systems», Крым, пос. Новый Свет, 1995 г.;

— на международной конференции «Photonic Systems for Ecological Monitoring», Прага, Чехия, 1996 г.;

— на V конференции «Современное телевидение», Москва, 1997 г.;

— на IX международной конференции «Лазеры в науке, технике, медицине», Геленджик, 1998 г.;

— на XI международной конференции «Лазеры в науке, технике, медицине», Сочи, 2000 г.;

— на XII конференции «Пути развития телевизионных фотоэлектронных приборов и устройств на их основе», Санкт-Петербург, 2001 г.;

— in: Second Conference on Photonics for Transportation. Sochy, Russia, 2001;

— in: XVII International Scientific and Engineering Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices, Moscow, Russia, 2002;

— на совещании «Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники», Новосибирск, 2003 г.;

— на XVIII международной конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 2004 г.;

— на III Российской школе учёных и молодых специалистов по физике, материаловедению и технологии получения кремния и приборных структур на его основе, Москва, 2005 г.;

— на II конференции «Системы наблюдения, мониторинга и дистанционного зондирования Земли», Адлер, 2005 г.;

— на конференции «Твердотельная электроника, комплексированные изделия, экономика и управление научными разработками и производством изделий электронной техники», Москва, 2005 г.;

— на XIX международной конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 2006 г.;

— на VI конференции «Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА», Владимир, 2007 г.;

— на конференции «Радиационная стойкость электронных систем — СТОЙКОСТЬ.

2007″.

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 42 печатные работы, список которых приведён в конце автореферата и в списке литературы диссертации.

5.5. Выводы по главе 5.

1. Достигнутый уровень фотоэлектрических параметров и эксплуатационных характеристик разработанных ЛФПЗС соответствует уровню параметров приборов, выпускаемых зарубежными производителями.

2. Приведены области применения ЛФПЗС и конкретные примеры использования разработанных приборов в народном хозяйстве.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

По результатам диссертационной работы можно сделать следующие выводы:

1. Разработана система конструктивно-технологического проектирования ЛФПЗС на основе расчета и оптимизации двумерных примесных профилей, двумерных распределений потенциалов и электрических полей с использованием системы сквозного физико-технологического моделирования.

2. Разработана топология ЛФПЗС с билинейной и монолинейной организацией, включая многоканальное считывание, обеспечивающей функциональную, широту для различных областей применения.

3. Разработаны и освоены в производстве следующие базовые технологические маршруты, составляющие основу промышленной технологии ЛФПЗС:

— многоуровневая поликремниевая технология с поверхностным каналом р-типа и фотодиодами с р-п-переходом. По данной технологии выпускались серийно ЛФПЗС типов К1200ЦЛ2, К1200ЦЛЗ;

— многоуровневая поликремниевая технология с объёмным каналом п-типа, предназначенная для реализации ФПЗС, работающих при высоких частотах считывания (до 20 МГц), имеющих малые потери передачи (менее 110″ 5), большой формат, повышенную радиационную стойкость к электронному облучению. По данной технологии выпускались серийно ЛФПЗС типов К1200ЦЛ5, К1200ЦЛ6, К1200ЦЛ7 и в настоящее время выпускаются малыми сериями приборы ФПЭС13Л и ФПЗС14Л. В последние годы с использованием усовершенствованной технологии разработаны опытные образцы ЛФПЗС на 1024 и 4096 элементов и экспериментальные с числом элементов до 12 288 на основе фотодиодов со слоем аккумуляции дырок, оснащённые устройством антиблуминга и электронного затвора и имеющие пониженные (менее 9В) импульсные управляющие напряжения.

4. Предложены и реализованы оригинальные конструкции ЛФПЗС, содержащие:

— фотодиодный накопитель, устройство планарного антиблуминга, систему считывания с моноили билинейной организацией, одно или два многокаскадных выходных устройства, что позволило увеличить разрешающую способность в 2 раза и удвоить частоту считывания (К1200ЦЛ2, ФПЗС 13Л, ФПЗС14Л);

— изоляцию активных областей локальным окислением кремния, что позволило повысить чувствительность до уровня 3−5 мкВ/ё и частоту считывания до 20 МГц (К1200ЦЛ5, К1200ЦЛ6);

— вытянутую апертуру фоточувствительного элемента, стоп-канальные области в виде МДП-структур, что позволило снизить уровень темновых токов в 25 раз и обеспечить повышение чувствительности при измерении спектральных характеристик и повысить точность линейных измерений (К1200ЦЛ7).

5. Приборы К1200ЦЛ2, К1200ЦЛЗ с фотодиодным накопителем, разработанные на основе технологии, приведенной в диссертации, внедрены в производство и выпускались на Опытном заводе НИИ «Пульсар» в 1979;1994 г. г., приборы 1200ЦЛ5, 1200ЦЛ6 и К1200ЦЛ7 выпускались на Опытном заводе в 1984;1994 г. г. Всего было выпущено около 50 000 линейных ФПЗС. ЛФПЗС типа 1200ЦЛ2, 1200ЦЛ5 использованы в аппаратурах «Кл-205», «М420», «Осьминог-ТВ». ФПП310Л на основе кристалла 1200ЦЛ6 поставлялся для комплектации аппаратур «Кл-205» и «М420».

ФПЗС13Л и ФПЗС14Л (модернизированные приборы 1200ЦЛ5 и 1200ЦЛ6) выпускаются малыми сериями совместно с ОАО «НИИМЭ и завод «Микрон» «, ФПЗС14Л поставлены потребителям по договорам в количестве более 200 штук (в частности, для комплектации систем «М420», «Осьминог-ТВ», «ТВ-видео» и дистанционно-пилотируемого летательного аппарата комплекса 1К133).

ФПЗС12Л поставляется для комплектации аппаратуры «Заочник-2».

Показать весь текст

Список литературы

  1. Boyle W.S., Smith G.E. BSTJ, 1970, v. 49, № 4, p. 587.
  2. Патент США фирмы «Bell Telephone» № 3.858.232 от 16.02.1970 г. Авторы Boyle W.S., Smith G.E.
  3. Amelio G.F., Tompsett M.F., Smith G.E. BSTJ, 1970, v. 49, № 4, p. 593.
  4. Kim G.K. Carrier transport charge-coupled devices. ISSCC Digest of Tech. Papers, Philadelphia, 1971.
  5. Strain R.J., Schryer N.L. BSTJ, 1971, v. 50, № 6, p. 1721.
  6. Games J.E., Kosonocky W.F., Ramberg E.G. IEEE J. Sol. St. Circ., 1971, v. SC. 6, № 5, p.322.
  7. Amelio G.F. BSTJ, 1972, v. 51, № 3, p. 705.
  8. McKenna J., Schryer N. L. BSTJ, 1972, v. 51,№ 7,p. 1471.
  9. Ю.Р., Шилин B.A. Микроэлектроника, 1973, т. 2, № 1, с. 36.
  10. Waiden R.H., Krambeck R.H., Strain R.J. e.a. BSTJ, 1972, v. 51, № 7, p. 1635.
  11. Esser L.J.M. Electronics Lett., 1972, v. 8, № 25, p. 620.
  12. G.F., Betran W.J., Tompsett M.F. ШЕЕ Trans, on Electron Dev., 1971, v. ED-18,№ll, p. 986.
  13. К., Томпсет М. Приборы с переносом заряда / Пер. с англ. под ред. В. В. Поспелова, P.A. Суриса. М.: Мир, 1978. — 327 с.
  14. В.Г. Приборы с зарядовой связью: Обзоры по электронной технике. Серия 2. Полупроводниковые приборы. Вып. 3(24). М.: ЦНИИ «Электроника», 1978. -74 с.
  15. Полупроводниковые формирователи сигналов изображения / Под ред. П. Йесперса, Ф. Ван де Виле, М. Уайта. Пер. с англ. под ред. Р. А. Суриса. М.: Мир, 1979 — 574 с.
  16. Достижения в технике передачи и воспроизведения изображений / Под ред. Б. Кейза-на. Пер. с англ. под ред. Н. И. Богачкова. Том. 3. М.: Мир, 1980. — 309 с.
  17. Ф.П. Формирователи видеосигнала на приборах с зарядовой связью. М.: Радио и связь, 1981. 136 с.
  18. Приборы с зарядовой связью / Под ред. М.Дж. Хоувза, Д. В. Моргана. Пер. с англ. под ред. Ф. П. Пресса. М.: Энергоиздат, 1981. — 372 с.
  19. Приборы с зарядовой связью / Под ред. Д. Ф. Барба. Пер. с англ. под ред. P.A. Суриса. М.: Мир, 1982.-240 с.
  20. Ю.Р., Шилнн В. А. Основы физики приборов с зарядовой связью. М.: Наука, 1986.-320 с.
  21. Ф.П. Фоточувствительные микросхемы с зарядовой связью: Итоги науки и техники. Сер. «Электроника». Сб. статей. Том. 18. М.: ВИНИТИ, 1986. — С. 33—88.
  22. Ю.А., Шилин В. А. Микросхемотехника БИС на приборах с зарядовой связью. -М.: Сов. радио, 1988. 160 с.
  23. В.Я. Применение микросхем с зарядовой связью. — М.: Радио и связь, 1989.-256 с.
  24. М.А. Фотоприёмные устройства и ПЗС: Обнаружение слабых оптических сигналов. М.: Радио и связь, 1992. — 400 с.
  25. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 1. Пер. с англ. 2-е пере-раб. и доп. изд. М.: Мир, 1984. — 456 с.
  26. А.Л., Гладких Л. М., Изупак Э. А., Костюков Е. В., Огородников А. Г., Смирнова В. М. Фоточувствительные микросхемы с зарядовой связью с встроенным микрохолодильником. Электронная промышленность, 1983, вып. 8 (125), 3 стор. обл.
  27. Баш И.М., Гладких Л. М., Изупак Э. Л., Кленов В. Т., Костюков Е. В. Устройство передачи изображения. А. с. № 1 235 425, пр. 6 января 1984 г.
  28. Е.В., Манагаров В. Д., Огородников А. Г., Турилина Л. С. Интегральная микросхема. — А. с. № 1 480 685, пр. 21 апреля 1987 г.
  29. Е.В., Турилина Л. С. Линейные ФПЗС с термоэлектрическим охлаждением: Тезисы докладов международной конференции «Фотонные системы экологического мониторинга», Прага, 8−12 декабря 1996 г. М.: МНТОРЭС им. A.C. Попова, 1996. — С. 56−57.
  30. Kostyukov E.V., Pugachev A.A., Skrylev A.S., Skrylev P.A. Design and Mixed Modeling of PhCCD with Vertical Antiblooming Structure. Proceeding of. SPIE, 2002, Vol. 4761, p. 152−160.
  31. Boyle W.S., Smith G.E. The Inception of Charge-Couple Devices IEEE Trans, on Electron Dev., 1976, v. ED-23, № 7, pp. 661−663.
  32. Я.А., Пресс Ф. П., Вето A.B., Костюков Е. В., Крымко М. М., Кузнецов Ю. А., Мордкович В. Н., Рубинштейн Д. И. Фотопреобразователь на основе приборов с зарядовой связью. Физика и техника полупроводников, 1976, т. 10, вып. 2, С. — 361−363.
  33. И.Д., Клёнов В. Т., Костюков Е. В. Линейная фоточувствительная схема с зарядовой связью К1200ЦЛ1. Электронная промышленность, 1982, вып. 7(113), С.З.
  34. CCD 122/142 1728/2048-ELEMENT LINEAR IMAGE SENSOR — FAIRCHILD CHARGE COUPLED DEVICE, april 1979.
  35. Г. Я., Зайцев Н. А. Система кремний диоксид кремния субмикронный СБИС. М.: Техносфера, 2003. — 384 е., гл. 1.
  36. Leroy Bernard. Kinetics of growth oxidation stacking faults// J. Appl. Phys. 1979. -Vol. 50, № 12.-p. 7996.
  37. Kazumi Wada, Hidctoshi Takaoka, Naoliisalnoue, K. Kohra //Jap. Appl. Phys. -1979. Vol. 18, № 8. p. 1629.
  38. Toncheva L. T. Effects of thermal stress on generation of defects of silicon wafer oxidation// Сб. докл. Болгарской академии наук. — 1975. — Т. 28, № 9. — с. 1191.
  39. А.Ф.Волков, В. К. Куценко, В. В. Новиков и др//. Электронная промышленность. — 1980. Вып. 10. —с. 53.
  40. S. М., Porter W. A., Parker D. G. J. Just. Eng. Electron and Telecommun. Eng. Div. 1974. № 55.-p. 19.
  41. К.Л., Резник В. Я., Русак Т. Ф. Кристаллография. 1992, т.37, с.1237−1239.
  42. Енишерлова К. Л, Мильвидский М. Г, Резник В. Я., Русак ТФ, Кристаллография, 1991, том 36, вып. 5, с.1259−1266.
  43. Falster R., Cornara М., Gambaro D., Olmo M. Patent US 5,994,761, H01L 29/36, 11.30.99.
  44. Craven R. A, Kord H.W.// Solid state technology. V.24. P. 55−61
  45. Shimura F. Semiconductor Silicon Crystal Technology. Academic Press, Inc., San Diego Calif., 1989. P. 361 — 367.
  46. Wijaranakula W., Matlock J.H.// J.EIectrochem. Soc. 1990. V. 137. № 4. P. 1262.
  47. Cho W.J., Kuwano H.// Jpn. J. Appl. Phys. 2000. V. 39. P. 3277−3280.
  48. Suzuki T.//J. Appl. Phys. 2000. V. 88. P. 6881.
  49. Е.В., Поспелова М. А., Русак Т. Ф., Трунов C.B., Облыгина ТА.,
  50. Г. И. Создание внутреннего геттера для современных ПЗС. Прикладная физика, 2006, вып. 1, — С. 124−128.
  51. Е.В., Поспелова М. А. Русак Т.Ф., Никитина Г. И. Внутренний геттер в ходе отжигов, проводимых при изготовлении приборов с зарядовой связью. — Прикладная Физика, 2008, вып. 4. С. 122−127.
  52. Borghesi A., Pivac В., Sassella A., Stella А. J. Appl. Phys. 1995. V. 77. P. 41 694 270.
  53. Патент Великобритании № 1.376.639 от 6.04.1972 г.
  54. Патент США № 3.945.856 от 15.07.1974 г.
  55. Патент США № 3.884.846 от 20.01.1972 г.
  56. Л.М., Костюков Е. В., Павлова З. В. Линейная фоточувствительная схема с зарядовой связью типа К1200ЦЛ2. Электронная промышленность, 1982, вып. 7(113).-С. 7.
  57. Патент США № 3.921.196 от 29.10.1973 г.
  58. Патент США № 3.987.475 от 10.11.1975 г.
  59. Е.В., Павлова З. В., Пресс Ф. П. Линейные фоточувствительные микросхемы с зарядовой связью К1200ЦЛ5 и К1200ЦЛ6. Электронная промышленность, 1987, вып. 3(161), С.-33.
  60. Патент США№ 4.010.484 от 16.07.1976 г.
  61. Е.В., Марков А. Н., Реботенко О. Г., Пресс Ф. П., Стыцько В.П.
  62. Применение ПЗС в качестве дискретно-аналоговых линий задержки. Техника средств связи. Серия «Техника телевидения», 1983, вып. 5, С. 46−49.
  63. Патент Японии № 55−15 861 от 18.06.1969 г.
  64. Патент Японии № 67−40 650 от 11.08.1973 г.
  65. Патент Японии № 58−47 664 от 3.03.1976 г.
  66. Патент Японии № 52−26 876 от 6.10. 1872 г.
  67. Патент США № 4,725, 049 от 13.06.1985 г
  68. Патент США № 4,728,622 от 23.02.1984 г.
  69. Патент США № 4,672,645 от 23.02.1981 г.
  70. Патент Японии № 61−19 874 от 28.02. 1985 г.
  71. KODAK Image Sensor Solutions. Website: www.kodak.com/go/ccd.
  72. Atmel Corporation. Website: www.atmel.com.
  73. SONY CCD Area Image Sensors. Website: products.sel.sony.com/semi.
  74. Perkin Elmer. Website: www.perkinelmer.com/opto.
  75. Website: www.telesputnik.ru/archive/B/article/52.html-29k.
  76. Website: http www. aitek-d.ru
  77. Website: http www.printoffic.ru
  78. Website: http www.dataplus.ru
  79. Website: http://www.arezon.ru/scaners.jsp
  80. Website: http://www.solartii.com/rus/spectralinstruments/sl40−2.htm.
  81. Website: http://spectran.ru/ksi.html.
  82. H.A., Илясов Ю. П., Лавров А. П., Молодяков С.А., Орешко B.B.
  83. Письма в ЖТФ, т. 29, вып. 21. С. 32−39.
  84. A.B., Костюков Е. В., Кузнецов Ю. А., Пресс Ф. П. Фоточувствительные схемы с зарядовой связью: состояние и перспективы развития. — Электронная промышленность, 1982, вып. 7 (113). С. 3.
  85. Е.В. Линейные фоточувствительные приборы с зарядовой связью с разрешением до 50 пар лин./мм. Интеграл, 2007, № 1. — С. 3−8.
  86. Е.В., Пугачёв A.A., Скрылёв A.C., Шилин В. А. Фоточувствительные приборы с зарядовой связью. — Электронные компоненты, 2003, № 4, с. 83−88.
  87. Kadekodi N., Law S., Chang Ch., Lo M., Ibrahim A. A polysilicon isolated photodiode array imager. IEEE, IEDM81, 1981, p.483−486.
  88. E.B., Огородников А. Г., Турилнна Л. С. Линейные фоточувствительные микросхемы с зарядовой связью К1200ЦЛ7 и К1200ЦЛ71. Электронная промышленность, 1990, вып. 2. — С. 80−81.
  89. Goto Н. Advances in linear image sensors. OPTOELECTRONICS — Devices and Technologies, Vol. 6, No. 2, p. p/ 333−343, December, 1991.
  90. Kuriyama Т., Kodama H., Kozono Т., Kitahama Y., Morita Y., Hiroshima Y. A 1/3-in 270 000 Pixel CCD Image Sensor. IEEE Trans, on Electron Dev., May 1991, v. 38, № 5, pp. 949−953.
  91. Hojo J., Naito Y., Mori H., Fujikawa K., Kato N., Wakayama Т., Komatsu E. and Ita-saka M. A 1/3-in 510(H) X 492(V) CCD Image Sensor with Mirror Image Function. IEEE Trans, on Electron Dev., May 1991, v. 38, № 5, pp. 954−95.
  92. E.B., Скрылёв A.C., Суханова Л. Л., Пугачёв A.A., Федукова Н. В. Разработка полноформатного ФПЗС с межстрочным переносом на 532×596 элементов -НТО по ОКР «Пассат», 2002. 110 с.
  93. Е.В., Маклаков A.M., Скрылёв A.C., Федукова Н. В. Исследование путей создания серии крупноформатных линейных фоточувствительных приборов с зарядовой связью (ЛФПЗС) НТО по НИР «Перспектива — ОКО», 2004. — 95 с.
  94. Е.В., Пресс Ф. П. Двухфазный прибор с зарядовой связью. -A.c. № 1 217 208, пр. 13 мая 1983 г.
  95. Л.М., Клёмин С. Н., Концевой Ю. А., Костюков Е. В., Кузнецов Ю. А., Чсрнокожин В. В. Многоспектральные фоточувствительные приборы. фотоника, 2007, № 4, с. 18−23.
  96. Kostyukov E.V. Bilinear photosensitive CCD series. Abstracts of XVII International Scientific and Engineering Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices, May 27−31, 2002, Moscow, Russia (M.: SRC SUE «RD&P Center „Orion“», 2002, p. 98−99).
  97. Е. В. Костюков, А. М. Маклаков, А. С. Скрылёв, В. В. Чернокожий. Состояние и уровень развития фоточувствительных приборов с зарядовой связью. Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы, 2007, вып. 2(219), с. 3−20.
  98. В.М., Костюков Е. В., Кузнецов Ю. А., Марков А. Н. Способ определения спектральной характеристики чувствительности твердотельной фоточувствительной схемы. А. с. № 1 485 938, пр. 15 мая 1986 г.
  99. Е.В., Поспелова М. А., Русак Т. Ф., Трунов C.B. Отработка технологии создания внутреннего геттера для фоточувствительных приборов с зарядовой связью нового поколения. Прикладная физика, 2003, вып. 5, с. 102−106.
  100. Annual Book of ASTM Standards, F 1239−94.
  101. Bazzali A., Borionetti G., Falster R., Gambaro D. Non-destructive diagnostic techniques for oxygen precipitation in Czochralski silicon. Mater. Sei. Semicond. Process.2001. 4, N 1−3, с. 23−26.
  102. Swaroop R., Kim N., Lin W., Bullis M., Shive L., Rice A., Castel E., Christ M.
  103. Testing for oxygen precipitation in silicon wafers. Solid State Technology. 1987. March. P. 85.
  104. Е.В., Поспелова М. А., Русак Т. Ф. Подготовка кремниевых пластин для изготовления ПЗС. Материалы VI конференции «Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА», Владимир, 21−23 марта 2007 г. (М.: МНТОРЭС, 2007, с. 147−149).
  105. В.Г. Влияние гамма-излучения на параметры ЛФПЗС. Сборник «Радиационная стойкость электронных систем — СТОЙКОСТЬ-2007» (М.: вып. 10, с. 113 121).
  106. Е.В., Горячев В. Г., Федукова Н. В. Влияние ионизирующего излучения на параметры МНОП-структур для ФПЗС. — Сборник «Радиационная стойкость электронных систем СТОЙКОСТЬ-2004».
  107. В.Г., Костюков Е.В.,. Федукова Н. В. Восстановление параметров ЛФПЗС в процессе изохронного отжига. Сборник «Радиационная стойкость электронных систем — СТОЙКОСТЬ-2007» (М.: вып. 10, с. 111 -112.
  108. С.Д., Костюков Е. В., Мончак A.M. Цифровой сканер на базе К1200ЦЛ6. Электронная промышленность, 1993, вып. 6−7, с. 120−123.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?