Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Закономерности формирования поверхности «reactive silica» и ее реакционная способность

ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Высоко дисперсный кремнезем и пленки из SiC>2 находят разнообразные применения — в микроэлектронике, в качестве наполнителя, адсорбента, носителя для катализаторов и т. д. Свойства поверхности кремнезема контролируются структурой и количеством находящихся на ней дефектов. К поверхностным дефектам относят группировки, в которых решеточные атомы кремния или кислорода находятся в необычной… Читать ещё >

Содержание

  • Список сокращений
  • Глава 1. Литературный обзор
    • 1. 1. Дегидроксилирование поверхности кремнезема
    • 1. 2. Пиролиз метоксилированной поверхности кремнезема
    • 1. 3. Структура и свойства точечных дефектов на поверхности RS
      • 1. 3. 1. Диамагнитные центры
  • ДОСГ
    • 1. 3. 2. Парамагнитные центры

Закономерности формирования поверхности «reactive silica» и ее реакционная способность (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Высоко дисперсный кремнезем и пленки из SiC>2 находят разнообразные применения — в микроэлектронике, в качестве наполнителя, адсорбента, носителя для катализаторов и т. д. Свойства поверхности кремнезема контролируются структурой и количеством находящихся на ней дефектов. К поверхностным дефектам относят группировки, в которых решеточные атомы кремния или кислорода находятся в необычной координации или связаны с примесными атомами. Сведения о структуре и реакционной способности отдельных типов дефектов и путях их формирования необходимы для понимания закономерностей гетерогенных процессов с участием SiC>2. Они также расширяют наши представления о химии кремнийсодержащих соединений.

Наиболее полные сведения о спектральных характеристиках, структуре и реакционной способности определенного типа поверхностных дефектов получают в том случае, если их удается избирательно синтезировать на поверхности твердого тела. Это можно осуществить путем направленной химической модификации поверхностного дефекта известной структуры с использованием подходящих молекул из газовой фазы [1]. Выполняющий функции «центра роста» дефект должен обладать высокой реакционной способностью, и чем она выше, тем более широкая гамма продуктов его химической модификации может быть получена. К таким дефектам на поверхности SiC>2, в первую очередь, относятся группировки, включающие низкокоординированный атом кремния. Дефекты такого типа — радикалы (=Si-0)3Si* и центры силиленового типа (sSi-0)2Si: (СЦ), стабилизируются на поверхности «reactive silica» (RSi) [2], продукте высокотемпературного пиролиза метоксилированного образца кремнезема. Однако сведения о механизмах формирования точечных дефектов на поверхности RSi остаются отрывочными, особенно это касается количественной стороны проблемы.

Первая часть работы посвящена исследованию на количественном уровне процессов, протекающих при формировании RSi. Во второй части представлены результаты исследования реакционной способности группировок, стабилизированных на поверхности RSi, для которых получение таких сведений традиционными методами затруднено или невозможно. К ним относятся СЦ — (= Si-0)2Si, СГ — (=Si-0)2Si=0 и ДОСГ -(= Si-0)2Si<02. Метан является важным природным сырьем и механизмы его гетерогенных реакций и их продукты представляют интерес с точки зрения возможностей его переработки. В работе исследованы механизмы реакций молекул метана с СЦ, СГ и ДОСГ. В литературе практически отсутствуют количественные сведения о реакционной способности ДОСГ. В работе исследован механизм реакций этих группировок с молекулами нуклеофильного типа (Н20, СН3ОН, NH3).

Глава 1. Литературный обзор.

В литературном обзоре представлены литературные данные о двух процессах, приводящих к образованию дефектов на поверхности кремнезема. Изложение материала начинается с описания процесса дегидроксилирования поверхности кремнезема, в результате которого происходит образование поверхностных силоксановых мостиков и НЦ.

Далее следует раздел, посвященный формированию поверхности «reactive silica» (RSi). В процессе формирования поверхности RSi происходит стабилизация диамагнитных и парамагнитных кислороддефицитных центров на поверхности кремнезема.

В завершении приведены данные о строении и химических свойствах отдельных типов точечных дефектах кремнезема.

141 Выводы.

1. Используя метод направленной химической модификации дефектов стабилизированных на поверхности RSi, синтезировано более 20 группировок на поверхности кремнезема. Для отдельных полос в их ИКспектрах определены интегральные коэффициенты поглощения. Созданный банк данных позволяет получать количественную информацию о концентрации различных типов групп привитых на поверхности кремнезема непосредственно из ИК — спектров.

2. Установлен стадийный механизм формирования поверхности RSi. Определены состав и количество группировок, образующихся на отдельных стадиях процесса — метоксилирования поверхности кремнезема, пиролиза метоксигрупп, образование и распад силановых групп. Установлена многоканальность реакции превращения метоксигрупп и определены вклады основной и побочных реакций. Расход метоксигрупп в ходе приготовления поверхности RSi можно представить следующей диаграммой:

Исходное количество Si-OCH3 групп = 100% I.

31%.

Si-H группы.

3. Показано, что на поверхности RSi стабилизируются НЦ. Установлены структуры продуктов взаимодействия НЦ с молекулами воды, метанола, аммиака и водорода. Определены энергии активации для прямой и обратной реакции НЦ с этими молекулами. На основании полученных кинетических и термохимических данных оценена прочность силоксановой связи в НЦ (Esio «93 ± 3 ккал/моль).

4. Установлены механизмы и кинетические закономерности реакций взаимодействия молекулы метана с СЦ, СГ, ДОСГ. Показано, что метилирование СЦ при Т < 700 К протекает как свободно-радикальная реакцияметилирование СГ может происходить как по свободно-радикальному, так и молекулярному механизмуметилирование ДОСГ протекает по свободно-радикальному механизму, а состав конечных продуктов зависит от давления метана в системе.

5. Показано, что основным продуктом реакции взаимодействия ДОСГ с молекулами нуклеофильного типа (вода, метанол, аммиак) являются гидропероксидные группировки состава — (s Si-0)2Si (00H)(X), где X (Х=ОН, ОСН3, NH2). Определены их спектральные характеристики (ИК — и УФ —) и установлен механизм образования. Эти реакции протекают путем присоединения молекулы нуклеофила к ДОСГ с разрывом одной из Si-0 связей. Определена прочность О-О связи в гидропероксидной группировке (47 ккал/моль).

Заключение

.

Таким образом, к настоящему моменту времени существуют методики, позволяющие получать различные типы группировок привитых к поверхности путем направленной химической модификации дефектов, образовавшихся в результате активации твердого тела. Однако сведения о механизмах процессов образования этих дефектов остаются неполными, особенно это касается количественной стороны проблемы. В связи с этим, первая часть настоящей работы посвящена выяснению количественных закономерностей формирования поверхности RSi.

Возможность стабилизации на поверхности твердого тела таких малоизученных, вследствии их высокой реакционной способности, группировок как НЦ, СЦ, СГ и ДОСГ открывает уникальные возможности для детального исследования их структуры и свойств. Это реализовано во второй части работы: Глава 4 посвящена исследованию реакционной способности НЦв Главе 5 представлены результаты исследования механизмов взаимодействия молекулы метана с СЦ, СГ, ДОСГ (метан является основной компонентой природного газа и проблема его переработки актуальна, а кремнезем часто используют как подложку для нанесенных катализаторов) — Глава 6 посвящена выяснению реакционной способности ДОСГ по отношению к молекулам нуклеофильного типа (в литературе такие данные отсутствуют).

Глава 2. Методика эксперимента.

2.1 Исходные вещества.

Опыты проводили с использованием аэросила марки, А — 300. В большинстве экспериментов применяли плоские пленочные образцы аэросила, которые изготавливали путем прессования мелкодисперсного порошка аэросила марки А-300 с начальной удельной поверхностью 300 м /г на прессе в специально изготовленных пресс-формах под давлением 400 кг/см2. Такие образцы характеризуются сильно сниженной по сравнению с порошками рассеивающей способностью (пропускание на длине волны 250нм достигает 25%), что позволяет проводить количественные измерения. Масса образца составляла М = 10−60 мг, а рабочая поверхность S06pa-jua =1,4 — 1,8 см. Для выявления в ИК — и ЭПР — спектрах исследуемых образцов малоинтенсивных линий, в рабочую камеру можно было добавлять еще один или несколько пленочных образцов.

В экспериментах использовали технические газы 02, Н2, D2, СН4, С02, СО, N20. Содержание примесей в них не превышало 5%. Конденсируемые на жидком азоте газы проходили дополнительную очистку от неконденсируемых примесей путем многократной переморозки на азотную ловушку. Для неконденсируемых газов проводилась аналогичная очистка от конденсируемых примесей.

В отдельных экспериментах образец подвергали обработке большими давлениями (>10 Тор) газов. В таких условиях было трудно контролировать требуемую чистоту системы. Для повышения чистоты эксперимента, исследования проводили с использованием азотной ловушки (там, где это было возможно), установленной в непосредственной близости с образцом.

Разделение смеси таких газов как Н2 и СО проводили на угольном адсорбенте, используя разное время схода этих газов с адсорбента при температуре жидкого азота.

2.2 Описание экспериментальной установки и волюмометрия.

Исследование процессов протекающих с участием поверхности твердого тела невозможны без высоковакуумной установки. Использованная в работе вакуумная установка представляет собой стандартную установку, снабженную форвакуумным насосом, диффузионным насосом высокого вакуума, адсорбционным насосом, манометром Пирани (рабочая область давлении 10″ 5 — 10″ 1 торр), ртутным U-образным манометром (рабочая область давлений 1 — 760 торр) и адсорбционной охлаждаемой ловушкой. В ходе проводившихся исследований образец помещали в кювету, состоящую из 3 соединенных между собой отсеков: 1. Плоская кювета из оптически чистого кварца марки КУ-1 для регистрации УФ — и ЭПР — спектров;

2. Кювета, снабженная кремневыми окнами для регистрации ИК — спектров;

3. Отсек, в котором проводили термохимическую обработку образца при повышенных температурах до Т = 1400 К. Особенностью установки является подвижное вакуумное соединение, позволяющее перемещать образец из отсека в отсек (путем механического перетряхивания), а также передвигать образец между камерами УФ —, ИК —, ЭПР — спектрометра. В результате имелась возможность параллельно контролировать спектральные измерения в их связи с хемосорбцией газов.

Регистрацию спектров оптического поглощения проводили с использованием спектрофотометра марки SPECORD-M40. Спектры регистрировали при комнатной температуре в интервале длин волн 194−900 нм.

ИК-спектры регистрировали при комнатной температуре на спектрометре АФ — 1 с Фурье-преобразованием, число сканов 512−1024, разрешающая способность 2 или 4 см" 1. При регистрации ИК-спектров в области <2100 см" 1 использовали специальную кювету, снабженную кремневыми окнами.

Регистрацию спектров электронного парамагнитного резонанса проводили на радиоспектрометре ЭПР-20, работающего в Х-диапазоне, при 77 и 298К. Частота ВЧ-модуляции 100 кГц. Напряженность магнитного поля регистрировали с помощью NMR-магнетометра.

Калибровку объемов установки проводили путем перепуска известного давления газа из баллона с точно известным объемом V0 = 2,0915 в рабочий объем установки, который составлял от 300 до 3000 см. В таблице 2.2.1 приведена чувствительность манометра Пирани для различных газов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В.А. Образование свободных радикалов в реакции (Si-0)2Si<02 группировок с молекулами Н2, СН4, С2Н6. // Кинетика и катализ. 1996. Т.37. N.2. С. 302.
  2. Morterra С., Low M.J.D. Reactive silica: Novel aspects of the chemistry of silica surfaces. //Ann. N-Y. Acad. Sci. 1972. V. 220. P. 135.
  3. A.B., Лыгин В. И. Инфракрасные спектры поверхностных соединений и адсорбированных веществ. М.: Наука. 1972. 459 с.
  4. L.T. // Langmur. 1987. V. 3. P. 316.
  5. Hoffmann P., Knozinger E. Novel aspects of mid and far IR fourier spectroscopy applied to surface and adsorption studies on Si02 // Surf. Sci. 1987. V. 188. P. 181.
  6. Zhuravlev L.T. Surface characterization of amorphous silica—a review of work from the former USSR. //Coll.&Surf A. 1993. V. 74. P. 71.
  7. Sindorf D.W., Maclel G.E. Silicon 29 Nuclear Magnetic Resonance Study of Hydroxyl Sites on Dehydroxylated Silica Gel Surfaces, Using Silylations as a Probe. // J. Phys. Chem. 1983. V. 87. P. 5516.
  8. A.B., Лыгин В. И., Щепалкин К. Л. Исследование химических свойств дегидроксилированной и регидроксилированной поверхности кремнезема методом ИК спектроскопии. // Журнал физической химии. 1986. №. 7. С. 1701.
  9. В. И. Модели «жесткой» и «мягкой» поверхности. Конструирование микроструктуры поверхности кремнеземов. // Рос. хим. ж. 2002. Т. XLVI. № 3. С. 12.
  10. Borello Е., Zecchina A., Morterra С. Ifrared Study of Methanol Adsorption on Aerosil. I. Chemisorption at Room Temperature. // J. Phys. Chem. 1967. V. 71. P. 2938.
  11. Morrow B.A., Cody I.A. Ifrared Studies of Reaction on Oxide Surfaces. 6. Active Sites on Dehydroxylated Silica for the Chemisorption of Ammonia and Water. // J. Phys. Chem. 1976. V. 80. P. 1998.
  12. Morrow B.A., Cody I.A. Ifrared Studies of Reaction on Oxide Surfaces. 5. Lewis Acid Sites on Dehydroxylated Silica. // J. Phys. Chem. 1976. V. 80. P. 1995.
  13. Bunker B.C., Haaland D.M., Ward K.J., Michalske T.A., Smith W.L., Binkley J.S., Melius C.F., Balfe C.A. Infrared spectra of edge-shared silicate tetrahedral. // Surf. Sci. 1989. V. 210. P. 406.
  14. Bunker B.C., Haaland D.M., Michalske T.A., Smith W.L. Kinetics of dissociative chemisorption on strained edge-shared surface defects on dehydroxylated silica. // Surf. Sci. 1989. V. 222. P. 95.
  15. S. Т., Zwijnenburg M. A., Maschmeyer Th. Two-ring vibrational modes on silica surfaces investigated via fully coordinated nanoclusters. // Surf. Sci. 2003. V. 539. P. L554.
  16. Ferrari A.M., Garrone E., Spoto G., Ugliengo P., Zecchina A. Reactions of silica strained rings: an experimental and ab-initio study. //Surf. Sci. l995.V.323.P. 151.
  17. В.А. О механизме образования группировок (Si-0)2SiH2 при гидрировании силиленовых центров. // Кинетшса и катализ. 1996. Т.37. N.2. С. 310.
  18. Morterra С., Low M.J.D. The formation of a Reactive Silica by the thermal callaps of the methoxy groups of methylated aerosol. // J. Phys. Chem. 1969. V. 73. P. 321.
  19. B.A. Реакционноспособные интермедиаты на поверхности твердых тел. Состояние и перспективы развития. // Химическая физика. 1995. Т. 14. № 8. С. 125.
  20. Low M.J.D. Reactive silica: XVII. The nature of the reaction center. //J. Cat. 1987. V. 103.496.
  21. Radzig V. A. Reactive silica—a new concept of the structure of active sites. // Colloids Surf. A: Physiochem. Eng. Aspects. 1993. V. 74. P. 91.
  22. Радциг B.A. Reactive Silica Новые представления о структуре поверхностных дефектов. // Хим. Физика. 1991. Т. 10. № 9. С. 1262.
  23. В.А. Парамагнитные центры на поверхности раскола кварца. Взаимодействие с молекулами Н2 и D2. // Кинетика и катализ. 1979. Т.20. N.2. С. 456.
  24. В.А. Точечные дефекты на поверхности кремнезема. Структура и реакционная способность. // Кинетика и катализ. 1999. Т.40. N.5. С. 764.
  25. В.А., Быстриков А. В. Исследование химически активных центров на поверхности кварца методом ЭПР. // Кинетика и катализ.1978. Т.19. С. 713.
  26. V.A. //Chem. Phys. Reports. 1995. V. 14. N. 8. P. 1208.
  27. В.А. Парамагнитные центры на поверхности раскола кварца. Взаимодействие с молекулами СО и N20.// Кинетика и катализ. 1979. Т.20. N.2. С. 448.
  28. В.А. Кинетические закономерности свободно-радикальных реакций на поверхности измельченного кварца. // Кинетика и катализ. 1979. Т.20. N.5. С. 1206.
  29. Radzig V.A., Bobyshev А.А. Twofold Coordinated Si and Ge Atoms and «Hydrogen» Paramagnetic Centers in Amorphous Silica. // Phys. Status. Solidi (b). 1986. V. 133. P. 621.
  30. B.A., Баскир Э. Г., Королев В. А. Исследование структуры силаноновых группировок, стабилизированных на поверхности Si02. // Кинетика и катализ. 1995. Т. 36. № 1. С. 154.
  31. Skuja L.N., Streletsky A.N., Pakovich А.В. A new intrinsic defect in amorphous Si02: Twofold coordinated silicon. // Sol. State. Commun. 1984. V. 50. N. 12. P. 1069.
  32. A.A., Радциг В. А. Образование и физико-химические свойства силадиоксирановых группировок на поверхности диоксида кремния. // Хим. Физика. 1988. Т. 7. № 7. с. 950.
  33. Bagratashvili V.N., Tsypina S.I., Radzig V.A. Inhomogeneous nature of UV absorption bands of bulk and surface oxygen-deficient centers in silica glasses. // J. Non-Cryst. Solids. 1995. V. 180. P. 221.
  34. В.А., Берестецкая И. В., Кострица С. Н. Силаноновые группировки (Si-0)2Si=0 на поверхности кремнезема. Регистрация методом ИК спектроскопии. // Кинетика и катализ. 1998. Т. 39. № 6. С. 940.
  35. Schnockel HJ. Matrixreaktion von SiO mit F2. IR-spektroskopischer nachweis von molekularem OSiF2. // J. Mol. Struct. 1980. V.65. № 1. P. 115.
  36. R., Andrews L. // J. Am. Chem. Soc. 1985. V. 107. N. 8. P. 2567.
  37. A.A., Радциг B.A. Силаноновые группы на поверхности механически активированного кремнезема. // Кинетика и катализ. 1988. Т. 29. С. 638.
  38. А.А., Радциг В. А. Свободно-радикальные центры заданной структуры на поверхности диоксида кремния и их реакционная спобность в реакциях замещения. // Кинетика и катализ. 1990. Т. 31. С. 925.
  39. Л.Ю., Радциг В. А., Сенченя И. Н. в-замещенные циклопропильные радикалы, привитые к поверхности кремнезема. Методы получения, структура и свойства. // Изв. АН. Сер. хим. 1995. № 12. С. 2409.
  40. В.А., Сенченя И. Н. Гидрирование группировок >Si=0. Экспериментальное и квантово-химическое исследование. // Изв. АН. Сер. хим. 1996. № 8. С. 1951.
  41. В.А., Кострица С. Н. Механизм образования *ОН при термическом распаде радикалов (Si-0)2Si (C2H5X0−0*). // Кинетика и катализ. 2000. Т. 41. № 2. С. 267.
  42. В.А., Берестецкая И. В., Колбанев И. В. Механизмы реакций групп >Si=0 с молекулами С02, N20, С2Н2. Результаты экспериментального и квантово-химического исследования.// Кинетика и катализ. 2000. Т. 41. № 3. С. 457.
  43. В.А., Сенченя И. Н., Бобышев А. А., Казанский В.Б.// Кинетика и катализ. 1989. Т. 31. № 6. С. 1234.
  44. В.А., Баскир Э. Г., Королев В. А. Геминальные силанольные группировки на поверхности кремнезема. // Кинетика и катализ. 1995. Т. 36. № 4. С. 618.
  45. В.А. Образование свободных радикалов в реакции (Si-0)2Si<02 группировок с молекулами Н2, СН4, С2Н6. // Кинетика и катализ. 1996. Т.37. N.4. С. 302.
  46. А.А., Радциг В. А. Спектры оптического поглощения парамагнитных дефектов в стеклообразном Si02- // Физика и химия стекла. 1988. Т. 14. С. 501.
  47. А.Н., Пакович А. Б., Аристов Ю. И., Гачковский В. Ф., Руфов Ю. Н., Бутягин. П. Ю. Люминесцентные свойства механических дефектов на поверхности кварца. // Хим. физика. 1982. Т. 1. С. 938.
  48. А.А., Павлов В. В., Шерстюк А. И., Тертых В. А. // Коллоид, журнал. 1974. Т. 36. № 5. С. 1012.
  49. Ing, W.C., Sheng, C.Y., Bozzelli, J.W. Development of a detailed high-pressure reaction model for methane/mehanol mixtures under pyrolytic and oxidative conditions and comparison with experimental data. // Fuel Process. Technol. 2003. V. 83. P. Ill
  50. B.B., Гунько B.M., Хаврюченко В. Д., Чуйко А. А. Мономолекулярные реакции на поверхности кремнезема. 1. Термический распад метоксильных групп. // Кинетика и катализ. 1990. Т. 31. № 5. С. 1164.
  51. Morterra С., Low M.J.D. Stable Si-H groups on silica surfaces. //J. Chem. Soc. Chem. Commun. 1968. P. 203.
  52. B.C., Крылов O.B. Окислительные превращения метана. M.: Наука, 1998.
  53. В.А. Собственные парамагнитные дефекты на поверхности и в объеие аморфного кремнезема. // Хим. Физика. 2000. Т. 19. № 3. С. 17.
  54. В.А. О механизме образования группировок (Si-0)2SiH2 при гидрировании силиленовых центров, стабилизированных на поверхности кремнезема. // Кинетика и катализ. 1996. Т.37. N.4. С. 310.
  55. С.A., West R., Michl J. // J. Am. Chem. Soc. 1983. V. 105. P. 6176.
  56. В.А. Кинетические закономерности реакций внутримолекулярного переноса атома водорода в радикалах >Si(0*)® (R = Н, D, СН3, CD3, С2Н5). // Кинетика и катализ.2002. Т.43. N.4. С. 538.
  57. А.А., Радциг В. А., Сенченя И. Н. Свободнорадикальные центры заданной структуры на поверхности диоксида кремния и их реакционная способность в реакциях замещения. // Кинетика и катализ. 1990. Т.31. N.4. С. 931.
  58. А.А., Радциг В. А. Свободно-радикальные центры заданной структуры на поверхности диоксида кремния и их реакционная способность в реакциях замещения. // Кинетика и катализ. 1990. Т. 31. № 4. С. 931.
  59. А.А., Радциг В.А.// Хим. Физика. 1986. Т. 5. № 4. С. 517.
  60. Д.Г., Радциг В. А. Механизмы гетерогенных процессов в системе Si02 + СН4. 3. Продукты метилирования группировок >Si<02. // Кинетика и катализ. 2004. Т. 45. № 2. С. 293.
  61. Д.Г., Радциг В. А. Механизмы гетерогенных процессов в системе Si02 + СН4. 1. Хемосорбция метана на поверхности «reactive silica». // Кинетика и катализ. 2004. Т. 45. № 1. С. 17.
  62. McLane С.К. Hydrogen peroxide in the thermal hydrogen oxygen reaction. I. Thermal decomposition of hydrogen peroxide. // J. Chem. Phys. 1949. V. 17. P. 379.
  63. Holt R.B., McLane C.K., Oldenberg O. // J. Chem. Phys. 1948. V. 16. P. 225.
  64. R. // J. Chem. Phys. 1950. V. 18. P. 244.
  65. Del Greco, F.P.- Kaufman, F. Lifetime and reactions of OH radicals in discharge-flow systems. // Trans. Faraday Soc. 1962. V. 56.
  66. Mulcahy, M.F.R.- Smith, R.H. Reactions of OH radicals in the H-N02 and H-N02-C0 systems. //J. Chem. Phys. 1971. V. 54. P. 5215.
  67. Trainor, D.W.- Rosenberg, C.W., Jr. Energy Partitioning in the Products of Elementary Reactions Involving OH-Radicals. // Symp. Int. Combust. Proc. 1975. V. 15. P. 755.
  68. Baulch, D.L.- Cobos, C.J.- Cox, R.A.- Esser, C.- Frank, P.- Just, Th.- Kerr, J.A.- Pilling, M.J.- Troe, J.- Walker, R.W.- Warnatz, J. Evaluated kinetic data for combustion modeling. // J. Phys. Chem. Ref. Data. 1992. V. 21. P. 411.
  69. Brouwer, L.- Cobos, C.J.- Troe, J.- Dubai, H.-R.- Crim, F.F. Specific rate constants k (E, J) and product state distributions in simple bond fission reactions. II. Application to HOOH rarrow OH + OH. // J. Chem. Phys. 1987. V. 86.
  70. Lightfoot, P.D.- Roussel, P.- Caralp, F.- Lesclaux, R. Flash photolysis study of the CH3O2 + CH3O2 and CH3O2 + H02 reactions between 600 and 719 K: unimolecular decomposition of methylhydroperoxide. // J. Chem. Soc. Faraday Trans. 1991. V. 87. P. 3213.
Заполнить форму текущей работой