Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Волновые процессы в неоднородных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной подвижностью и различными типами контактов

Диссертация: Волновые процессы в неоднородных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной подвижностью и различными типами контактов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Проведено сравнение высокочастотных малосигнальных характеристик ПС с омическим катодом (с анодным и катодным доменами) и катодом в виде барьера Шоттки. Показано, что максимальная отрицательная проводимость ПС во всех трех случаях имеет близкие значения, вместе с тем ПС последнего типа обладает значительно большим по модулю отрицательным сопротивлением. Результаты моделирования таких ПС позволяют… Читать ещё >

Содержание

  • ВВБДШИЕ.V
  • I. ВОЛНЫ ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ С2РУК1УРАХ С ОДП
    • 1. 1. Полупроводниковые структуры с ОДП и их использование в электронике СВЧ. ^
    • 1. 2. Процессы переноса в полупроводниках с ОДП в сильных электрических полях. ^
      • 1. 2. 1. Методы описания процессов переноса в плазме полупроводников
      • 1. 2. 2. Модели полупроводниковых структур с ОДП
    • 1. 3. Волновые процессы в полупроводниковых структурах с ОДП
      • 1. 3. 1. Влияние диффузии носителей и контактов на малосигнальный импеданс пространственно однородных полупроводниковых структур с ОДП
      • 1. 3. 2. Влияние температуры, уровня и профиля легирования, контактов на устойчивость полупроводниковых структур с ОДП
      • 1. 3. 3. Малосигнальный импеданс пространственно неоднородных полупроводниковых структур с СЩП
      • 1. 3. 4. Малосигнальный импеданс слоистых полупроводниковых структур
      • 1. 3. 5. Влияние профиля легирования и контактов на ВЧ проводимость и КЦЦ полупроводниковых структур с СЩП в ракше большого сигнала
    • 1. 4. Выводы и постановка задач диссертационного исследования
  • 2. ТЕМПЕРАТУРНАЯ МОДЕЛЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ С ОДП И КАТОДНЫМ КОНТАКТОМ В ВВДЕ БАРЬЕРА ШОТТКИ
    • 2. 1. Гидродинамические уравнения переноса в линейном приближении по числу Кнудсена
    • 2. 2. Столкновительные члены для числа частиц и энергии с учетом междолинных переходов
    • 2. 3. Двухтемпературная модель волновых процессов в полупроводниковых структурах с ОДП и барьером
  • Шоттки в качестве катодного контакта
    • 2. 3. 1. Основные уравнения модели и граничные условия. Моделирование катодного контакта
    • 2. 3. 2. Конечно-разностные уравнения и алгоритм их решения
    • 2. 4. Выводы
  • 3. ВОЛНОВЫЕ ПРОЦЕССЫ И МАЛОСЖНАЛЬНЫЙ ШВДАНС ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР С ОДП
    • 3. 1. Влияние диффузии носителей и контактов на волновые процессы и малосигнальный импеданс полупроводниковых структур с ОДП
    • 3. 2. Влияние модуляции проводимости катодного контакта на малосигнальный импеданс полупроводниковых структур с ОДП
    • 3. 3. Волновые процессы и импеданс полупроводниковых структур с ОДП и неоднородным распределением электрического поля
      • 3. 3. 1. Распределение электрического поля в полупроводниковых структурах с ОДП и катодным контактом в шде барьера Шоттки
      • 3. 3. 2. Устойчивость и импеданс полупроводниковых структур с ОДП и неоднородным распределением электрического поля
    • 3. 4. Волновые процессы в полупроводниковых структурах с неоднородной площадью поперечного сечения
      • 3. 4. 1. Основные уравнения, описывающие процессы переноса в полупроводниковых структурах с неоднородной площадью поперечного сечения
      • 3. 4. 2. Дисперсионное уравнение для волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах с неоднород ной площадью поперечного сечения.. III
    • 3. 5. Выводы
  • 4. ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВОЛНОВЫХ ПРОЦЕССОВ И
  • РАСЧЕТ ИМПЕДАНСА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР С ОДП
  • И РАЗЛИЧНЫМИ ТИПАМИ КОНТАКТОВ
    • 4. 1. Программа численного моделирования волновых процессов и расчета малосигнального импеданса полупроводниковых структур с ОДП и катодным контактом в виде барьера Шоттки. П
    • 4. 2. Программа численного моделирования волновых процессов и расчета импеданса слоистых полупроводниковых структур
    • 4. 3. Программа численного моделирования волновых процессов и расчета импеданса полупроводниковых структур с ОДП и катодным контактом в виде барьера Шоттки в режиме большого сигнала
    • 4. 4. Быводы
  • 5. РЕЗУЛЬТАТЫ ЧИСЛЕННОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ВОЛНОВЫХ ПРОЦЕССОВ И РАСЧЕт
  • ИМПЕДАНСА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СЗРУК1УР С ОДП И РАЗЛИЧНЫМИ ТИПАМ КОНТАКТОВ
    • 5. 1. Волновые процессы и малосигнальный импеданс неоднородных и слоистых полупроводниковых структур
      • 5. 1. 1. Неоднородные полупроводниковые структуры с ОДП и различными типами контактов
      • 5. 1. 2. Слоистые полупроводниковые структуры
    • 5. 2. Отрицательная проводимость и КОД полупроводниковых структур с ОДП и омическими контактами
    • 5. 3. Отрицательная проводимость и КПД полупроводниковых структур с ОДП и катодным контактом в виде барьера Шоттки
    • 5. 4. Экспериментальное ею следование полупроводниковых структур с катодным контактом в виде барьера Шоттки
  • 5. *5. Выводы

Волновые процессы в неоднородных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной подвижностью и различными типами контактов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Принцип действия ряда твердотельных приборов диапазона сверхвысоких частот (СВЧ) связан с волновыми процессами в плазме полупроводников. Использование этих приборов дает возможность резко уменьшить габариты и вес аппаратуры.

В настоящее время полупроводниковые приборы играют решающую роль в СВЧ-электронике малых мощностей [I ]. В качестве активных элементов применяются приборы двух типов: диоды, эффект усиления и генерации колебаний в которых обусловлен пролетными явлениями, и транзисторы.

К структурам диодного типа относятся лавинно-пролетные диоды (ЛЦЦ), инжекционно-пролетные диоды (ИЦЦ), туннельные диоды и диоды Ганна (ДГ). Сравнение основных характеристик этих приборов (мощности, КЦЦ, предельной частоты, полосы усиливаемых частот и уровня шумов), а также биполярных (БТ) и полевых транзисторов (ПТ), дает возможность сделать вывод о том, что по совокупности этих параметров ДГ являются весьма перспективными приборами [2] .

В последние годы ДГ испытывают сильную конкуренцию со стороны ПТ с затвором в виде барьера Шоттки [2,з] • Однако продвижение ПМ в миллиметровый диапазон длин волн сопряжено с достаточно большими технологическим! трудностями, хотя и предпринимаются попытки решения этого вопроса конструктивным путем [4]. С другой стороны, ДГ значительно цроще в изготовлении и дешевле ПИП. Кроме того, они обладают еще одним серьезным преимуществом — даже в сантиметровом диапазоне длин волн ДГ имеют более низкий уровень частотных шумов в допплеровском диапазоне, чем ПЗШ.

Поэтому большой интерес представляет совершенствование ДГ б], основными направлениями которого являются:

1. Создание конструкций, позволяющих наиболее полно реа лизовать возможности эффекта отрицательной дифференциальной подвижности (ОДП) с целью генерации и усиления СВЧ-колебаний, К числу таких конструктивных улучшений относится применение контактов с ограниченной инжекцией в виде барьера Шоттки или гетероперехода [ 7,8] •.

2. Использование новых полупроводниковых материалов, имеющих лучшие по сравнению с арсенидом галлия (ЗаА$) характеристики, например, фосфид индия (1П-Р) и более сложные соединения [7,9−11] •.

Успешное продвижение вперед по этим направлениям возможно лишь в случае ясного понимания физических механизмов генерации и усиления СВЧ-колебаний, в основе которых, как уже отмечено, лежат волновые процессы в полупроводниковой плазме" Это диктует необходимость радиофизических исследований полупроводниковых структур (ПС) с ОДП с учетом различных физико-технологических факторов.

В миллиметровом диапазоне длин волн, который в настоящее время интенсивно осваивается, становятся существенными различные релаксационные эффекты, пренебрежимо малые на более низких частотах. Применяемые для описания подобных явлений уравнения переноса весьма разнообразны, и достаточно строгое обоснование использования тех или иных приближений отсутствует. Это касаемся моделей и ДГ, и КПП.

На сегодняшний день наиболее полно изучены различные режимы работы генераторных ДГ, связанные с доменной неустойчивостью, Бресте с тем стабильное усиление в режимах как малого, так и большого сигналов исследовано недостаточно. Это связано с отсутствием анализа совместного влияния условий на контактах и диффузии носителей, а также неоднородного распределения статического электрического поля на распространение волн пространственного заряда и малосигнальный импеданс ГО с ОДП. Хотя" роль различных областей неоднородного распределения поля в ПС с анодным доменом и проанализирована. в ряде работ, остается открытым вопрос об оптимальном (с точки зрения получения максимальных по модулю отрицательных сопротивления и проводимости) соотношений длин и значений других параметров этих областей. Практически не освещено в литературе влияние неоднородности площади поперечного сечения на высокочастотные характеристики II!

Отсутствуют сколько-нибудь подробные данные о влиянии уровня и профиля легирования активной и приконтактной областей, высоты энергетического барьера на катоде, напряжения смещения, температуры на распределение статического электрического поля, устойчивость, отрицательную проводимость и КПД полупроводниковых структур с ОДП и катодным контактом в виде барьера Шоттки. Поскольку аналитические методы приложимы лишь в ряде простейших случаев и не способны давать описание нелинейных процессов с учетам вышеперечисленных факторов, то это обусловливает необходимость разработки методов численного моделирования волновых процессов и расчета импеданса ПС подобного типа в режимах малого и большого сигналов.

Б связи с этим целью данной диссертационной работы является теоретическое исследование волновых процессов в ПС с ОДП и различными типами контактов, а также разработка методов их численного моделирования.

Новые научные результаты.

1. Получены гидродинамические уравнения переноса, линейные по числу Кнудсена, которые описывают волновые процессы в ПС с ОДП с учетом релаксационных эффектов. Показано, что для вывода этих уравнений необходимо использовать анизотропную по тепловым скоростям функцию распределения^ помощью которой производится усреднение. При этом в уравнении сохранения энергии следует пренебречь дивергенцией теплового потока, которая имеет второй порядок малости по числу Кнудсена. В то же время в уравнении сохранения импульса возникает дополнительный член — термосила, что приводит к появлению в гидродинамическом приближении коэффициента диффузии и выполнению соотношения Эйнштейна.

2. Получены новые аналитические выражения для скоростей релаксации числа частиц и энергии с учетом междолинных переходов в предположении максвелловского распределения с различными электронными температурами в нижней и верхних долинах, которые дают возможность при значительном сокращении объема вычислений рассчитать зависимости электронной температуры в нижней долине и относительной населенности верхних долин от напряженности электрического поля, совпадаощие с аналогичными зависимостями, подученными по методу Монте-Карло.

3. Впервые получено выражение для малосигнального импеданса ПС с ОДП, одновременно учитывающее влияние диффузии носителей и контактных условий. Показано, что использование катодного контакта с ограниченной инжекцией позволяет в существенной степени ослабить влияние диффузии на отрицательные сопротивление и проводимость, что имеет особое значение для ПС миллиметрового диапазона длин волн.

4. Впервые проведен анализ влияния внешней модуляции диф ференциальной проводимости катодного контакта на распространение волн пространственного заряда в ПС с ОДП. Показано, что таким образом можно ограничить инжекцию по высокой частоте вплоть до получения отрицательной эффективной проводимости контакта, что дает возможность существенного расширения диапазона усиливаемых частот.

5. Исследовано влияние градиента скорости носителей в статическом электрическом поле на волновые процессы и малосигнальный импеданс ПС с ОДП и различными типами контактов. Показано, что ограничение инженции на катодном контакте способствует уменьшению этого влияния.

6. Проведено сравнение высокочастотных малосигнальных характеристик ПС с омическим катодом (с анодным и катодным доменами) и катодом в виде барьера Шоттки. Показано, что максимальная отрицательная проводимость ПС во всех трех случаях имеет близкие значения, вместе с тем ПС последнего типа обладает значительно большим по модулю отрицательным сопротивлением. Результаты моделирования таких ПС позволяют сделать выводы о влиянии на малосигнальный импеданс и устойчивость уровней легирования в активной и приконтактной областях, высоты энергетического барьера на катоде, напряжения смещения и температуры.

7. На основе детального исследования волновых процессов и малосигнального импеданса резко неоднородных (слоистых) ПС с ОДП и сопоставления с однородными ПС с ОДП получен новый результат, который заключается в тем, что неоднородные ПС, параметры которых отвечают определенным требованиям, обладают большими по модулю отрицательными сопротивлением и проводимостью, чем однородные.

8. Проведено исследование методом численного моделирования влияния уровня легирования активной и дриконтактной областей ПС с ОДП и барьером Шоттки в качестве катодного контакта на КПД в режиме большого сигнала. Показано, что с увеличением уровня легирования оптимальное значение высоты барьера уменьшается, а КЦЦ падает. Создание узкого прикатодного слоя высокого легирования дает возможность реализовать контакт, близкий по своим свойствам к идеальному барьеру Шоттки, что ощутимо повышает КЦЦ (примерно в 1,5 раза) при прочих равных условиях.

9. Впервые показано, что эффективным средством повышения КПД ПС с СДП является модуляция тока катодного контакта с помощью дополнительного электрода (структура транзисторного типа) • При оптимальном сдвиге фазы модуляции относительно внешнего напряжения КЦЦ такой ПС, как показывают результаты численного моделирования, возрастает в 2−3 раза по сравнению со случаем катода в виде барьера Шоттки.

10. На основе результатов численных расчетов определены требования к параметрам ПС с катодным контактом в виде барьера Шоттки, обеспечивающих высокие значения мощности и КЦЦ, что подтверждается сравнением с результатами экспериментального исследования созданных ПС.

Научные положения.

Полученные новые научные результаты позволяют сформулировать следующие научные положения, выносимые на защиту:

I. Степень влияния диффузии носителей на малосигнальный импеданс полупроводниковых структур с ОДП определяется не только условиями распространения волн пространственного заряда в объеме полупроводника, но также условиями на катодном и анодном контактахв частности, нежелательное влияние диффузии существенно ослабляется при ограничении инжекции катодного контакта.

2. Неоднородное распределение статического электрического поля в полупроводниковой структуре с ОДП воздействует на распространение волн пространственного заряда таким образом, что положительная дивергенция поля приводит к уменьшению модуля отрицательной малоеигнальной проводимости, а отрицательная — к увеличениюограничение инжекции катодного контакта ослабляет влияние неоднородности на волновой процесс и импеданс.

3. В неоднородной полупроводниковой структуре область с ОДП, расположенная у катода, создает значительный сдвиг фазы при распространении волны пространственного заряда, что обеспечивает большее по модулю отрицательное сопротивление в режиме малого сигнала по сравнению с однородными структурами.

4. Полупроводниковая структура с ОДП и катодом в виде барьера Шоттки, в которой создан тонкий приконтактный слой высокого легирования, обладает значением КЦЦ примерно в 1,5 раза большим, чем аналогичная структура без слоя высокого легирования.

Апробация работы.

Основные результаты диссертационной работы докладывались на:

— 9-ой Всесоюзной конференции по электронике СВЧ, Киев,.

1979;

— 1-ой Всесоюзной научно-технической конференции по интегральной электронике СВЧ, Новгород, 1982;

— Всесоюзном совещании-семинаре «Автоматизация проектирования устройств и систем сверхвысоких частот», Краснощюк, 1982;

— семинаре по теоретическим вопросам полупроводниковой электроники СВЧ МГПНТОРЭС и Научного Совета по физической электронике АН СССР, МГПИ им. В. И. Ленина, Москва, 1983;

— Республиканском семинаре «Проблемы повышения эффективности и качества электронных приборов (электровакуумные и твердотельные приборы СВЧ)», Киев, 1983;

— 10-ой Всесоюзной конференции по электронике СВЧ, Минск,.

1983;

— 5-м симпозиуме «Плазма и неустойчивость в полупроводниках», Вильнюс, 1983;

— научно-технических конференциях ЛЭТИ им. В. И. Ульянова (Ленина), Ленинград, 1979;1984 гг.

По теме диссертации опубликовано 8 печатных работ (см.

список литературы

под номерами: 142, 145, 150, 152, 153, 155−157).

Автор считает своим долгом выразить признательность Григорьеву А. Д., Иванову В. А., Барыбину A.A. и Хариту М. А. за постоянное внимание и помощь, оказанную в ходе выполнения работы, а также полезные обсуждения полученных результатов.

I. ВОЛНЫ ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ С ОДП.

Результаты работы использованы при проведении ряда НИР на кафедре радиотехнической электроники и при написании учебного пособия по курсу «Твердотельные приборы сверхвысоких частот». Основные результаты и программы внедрены на однсм из предприятий Минэлектронпрома, что подтверждается актам о внедрении.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. С.И., Сазонов В. П. Оценка перспектив развития различных направлений сверхвысокочастотной электроники. -Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ, 1982, вып.12, с.15−17.
  2. С.В. Электронные приборы СВЧ, характеристики, применение, тенденции развития. М.: Радио и связь, 1981.
  3. Rosenber J., Chye P., Huang С., Policky G. A 26,5−40,0 GHz GaAs PET Amplifier. In: International Microwave Symposium, Dallas, Texas, 1982, June 15−17, p. 1100./ / «*, ' «*
  4. Berenz J.J., Dalman G.C., Lee C.A. Improved PET Design Reaches Millimeter Waves. Microwaves, 1982, v. 21, No.2, pp. 67−71.* ~ *
  5. Sigmon B.E. Gunn/PET Amp Source Beats Bipolar Oscillators.• t * «*- Microwaves, 1981, No. 5, pp. 111−116.
  6. Wisseman W.R. GaAs Technology in the 80s. Microwave J., 1981, v. 24, No. 3, PP. 16−18.
  7. Э.Д. Возможности увеличения максимальной частоты генерации приборов с меящолинным переносом электронов. В кн.: Тезисы докладов 5-го Всесоюзного симпозиума «Плазма инеустойчивости в полупроводниках». Вильнюс, 1983, с. 10.* * '
  8. Rees H.D. Hot Electron Devices for Millimetre and Submillimetre Applications. J. de Physique, 1981, v. C7, pp.157.170.4 * «'
  9. Wandinger L. Mm-Wave InP Gunn Devices: Status and Trends.' / '. «t J- Microwave J., 1981, v. 24, No. 3, pp. 71−78.» «
  10. Gallagher J.J. InP: A Promising Material for EHP Semiconductors. Microwaves, 1Э82, v. 21, Ho. 2, pp. 77−82.
  11. Tarep A. Ci Перспективные направления полупроводниковой электроники СВЧ. Лит.физ.сб., 1981, № 4, с.23−43.
  12. М.Е., Пожела Ю. К., Щур М.С. Эффект Ганна. М.: Советское радио, 1975.
  13. Кэррол Дж. СВЧ-генераторы на горячих электронах. М: Мир, 1972.
  14. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И. П., Миронов А. Г. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. М.: Наука, 1972.
  15. Ю.К. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках. М.: Наука, 1977.
  16. Полупроводниковые приборы в схемах СВЧ. Под ред. Хауэса М. и Моргана Д. М.: Мир, 1979.
  17. Ruch J.G., Kino G.S. Transport Properties of GaAs. Phys.4 ' ' ' • ' S ' ' • «Rev., 1968, v. 174, No. 3, pp. 921−931.
  18. Pawcett W., Hill G. Temperature Dependence of the Veloci# *ty/Pield Characteristic of Electron in InP. Electron.4 «1.tt., 1975, v. 11, No. 4, pp. 80−81.
  19. A. A., Пригоровский B.M. Волны в тонких слоях полупроводников с отрицательной дифференциальной проводимостью. Изв. вузов, Физика, 1981, т.24, вып.8, с.28−41.4 .4 ' «» * «'
  20. Yamaguchi К., Asai S, Kodera Н. Two-Dimensional Numerical Analysis of Stability Criteria of GaAs PET’S.t ' / ¦. *
  21. EE Trans., 1976, v. ED-23, No. 12, pp. 12 834
  22. Ruch J. G, Electron Dynamics in Short Channel Field Effect Transistors. IEEE Trans., 1972, v. ED-19, No. 5, pp. 652−654.
  23. А.Ф., Боэданкевич Л. С., Рухадзе А. А. Основы электродинамики плазмы. М.: Высшая школа, 1978.
  24. Климонтович Ю. Л. Статистическая физика. М.: Наука, 1982.
  25. Ю.Б., Рыбкин М. Ш. Термодинамика, статистическая физика и кинетика. М.: Наука, 1977.
  26. Бонч-Бруевич В. Л, Калашников С. Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1277.
  27. Ф.Г., Гуревич Ю. Г. Горячие электроны и сильные электромагнитные волны в плазме полупроводников и газового разряда. М.: Наука, 1975.
  28. Е.М., Питаевский Л. П. Теоретическая физика, т.10, Физическая кинетика. М.: Наука, 1979.
  29. В.Е., Жилинский А. П., Сахаров И. Е. Основы физики плазмы. М.: Атомиздат, ЮТ.
  30. В.М. Явления переноса в многокомпонентной плазме. -М.: Энергоиздат, 1982.
  31. Зеегер К, Физика полупроводников. М.: Мир, 1977.
  32. И., Джонстон Т., Бачинский М. Кинетика частиц плазмы. М.: Атомиздат, 1969.* ' л *
  33. Barker J.R., Perry D.K. On the Physics and Modeling of Small Semiconductor Devices I. — Solid-St. Electron., 1980, v. 23, No. 6, pp. 519−530.
  34. Э. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях. М.: Мир, 1970.
  35. Reggiani L., Vaissiere J.C., Neugier J.P., Gasquet D. Transient Regimes of Hot Carriers in P-type Silicon. -J. de Physique, 1981, v. C7, pp. 357−367.
  36. Rosencher E. Ballistic Transport in Semiconductors: A Displaced Maxwellian Formulation. J. de Physique, 1981, v. C7, pp. 351−356.
  37. Teitel S.L., Wilkins J.W. Ballistic Transport and Velocity Overshoot in Semiconductors: Part I Uniform Field Effects. — IEEE Trans., 1983, v. ED-30, No. 2, pp. 150 --153.
  38. Shur M.S., Eastman L.F. GaAs n+ p — n+ Ballistic Structure. — Electron. Lett., 1980, v. 16, No. 13, pp. 522−523.
  39. Bosch R., Thim H.W. Computer Simulation of Transferred Electron Devices Using the Displaced Maxwellian Approach. IEEE Trans., 1974, v. ED-21, No. 1, pp. 16 --25.
  40. Е.И., Кальфа A.A., Пореш С. Б., Тагер A.C. Моделирование на ЭВМ диодов Ганна миллиметрового диапазона длин волн. Электронная техника, Электроника СВЧ, 1981, шп.7, с.23−28.
  41. И.М., Томчук П. М. Явления переноса и флуктуации в полупроводниках. Киев: Наукова Думка, 1981.43» Blotekjaer К. Transport Equations for Electrons in Two-Valley Semiconductors. IEEE Trans., 1970, v. ED-17, Ho. 1, pp. 38−47.
  42. Blotekjaer K. High-Frequency Conductivity, Carrier Waves, and Acoustic Amplification in Drifted Semiconductor Plasmas. Ericsson Technics, 1966, v. 22, pp. 125 --183.
  43. B.B., Волков А. Ф., Мейлихов Е. З. Плазма полупроводников. М.: Атомиздат, 1979.
  44. Kroemer Н. Hot-Electron Relaxation Effects in Devices. -Solid-St. Electron., 1978, v. 21, No. 1, pp. 61−67.
  45. Rees H.D. Time Response of the High-Field Electron Distribution Function in GaAs. IBM J. Res. Develop., 1969, v. 13, No. 5, pp. 537−542.
  46. Г. Е. Основы теории полупроводниковых приборов. М.: Наука, 1965.
  47. Э.Х. Контакты металл-полупроводник. М.: Радио и связь, 1982.
  48. М.И., Левинштейн М. Е., Симин Г. С. Основные свойства обогащенного слоя в диоде Ганна. ФТП, 1981, т.15, вып. П, с.2116−2126.
  49. М.И., Фурман А. С. Теория анодного домена в диоде Ганна. ФТП, 1982, т.16, вып. Ю, с.1773/ ¦ «
  50. Wang Y.C. A Simple Analytical Model for Electron Transport in GaAs. Phys. Stat. Sol. (a), 1979, v. 53, No. 2, pp. K113-K115.
  51. Hasegawa P., Suga M, Effects of Doping Profile on theConversion Efficiency of a Gunn Diode. IEEE Trans., 1972, v. ED-19, Ho. 1, pp. 26−37.¦? * .
  52. Magarshack J., Harrop P., Rabier A. Investigation of Transferred-Electron Amplifier Diodes with a Doping Notch. Philips. Res. Repts., 1976, v. 31, No. 3, pp. 257−277.
  53. Aishima A., Yokoo K., Ono S. An Analysis of Wide-Band Transferred Electron Devices. IEEE Trans., 1978, v. ED--25, No. 6, pp. 640−645.
  54. Г. С. Особенности доменной неустойчивости в диодах Ганна при близком к критическому уровню легирования. -ФТП, 1978, т.12, вып.5, с.1005−1008.
  55. Murayama К., Ohmi Т. Static Negative Resistance in Highly Doped Gunn Diodes and Application to Switching and Amplification. Jap. J. Appl. Phys., 1973, v. 12, No. 12, pp. 1931−1940.
  56. Ю., Рагуотис P., Реклайтис А. Влияние диффузии электронов на формирование стационарного домена у анода в диоде Ганна. ФТП, 1978, т.12, шп.7, с.1364−1369./ '
  57. Spitalnik R. On the Large-Signal Behavior of Transferred-Electron Amplifiers with a Cathode Notch. IEEE Trans., 1976, v. ED-23, No. 1, pp. 58−59.
  58. Suzuki К., Yanai H., Ikoma Т. Simple Analysis and Computer Simulation on Lateral Spreading of Space Charge in Bulk GaAs. IEEE Trans., 1972, v. ED-19, No.3, pp. 364−375.
  59. Thim H.W. Computer Study of Bulk GaAs Devices with Random One-Dimensional Doping Fluctuations. J. Appl. Phys., 1968, v. 39, No. 8, pp. 3897−3904.
  60. Ruch J.G., Pawcett W. Temperature Dependence of the Transport Properties of Gallium Arsenide by a Monte-CarloMethod. J. Appl. Phys., 1970, v. 41, No. 9, pp.3843−3849.
  61. Pawcett W., Hill G. Temperature Dependence of the Velocity/Field Characteristics of Electrons in InP. Electron. Lett., 1975, v. 11, No. 4, pp. 80−81.0 * 4 .
  62. Geraghty S., Gibbons G. Power-Impedance Calculations for InP and GaAs Bulk-Negative-Resistance Oscillators. -Electron. Lett., 1970, v. 6, No. 18, pp. 583−584.
  63. Das A. Effects of a Temperature Gradient on a DomainMode Gunn Oscillator Operating in a Resonator. Solid-St. Electron., 1974, v. 17, No. 3, pp. 313−315.
  64. С.Б., Тагер А. С., Кальфа А. А. Математическое моделирование и анализ на ЭВМ высокочастотных характеристик диодов Ганна. Электронная техника, Электроника СВЧ, 1976, вып. Ю, с. 19−31.
  65. Talwar А.К., Curtice W.R. Effect of Donor Density and Temperature on the Performance of Stabilized TransferredElectron Devices. IEEE Trans., 1973, v. ED-20, No. 6, pp. 544−550.
  66. Kallback B. Stabilizing Effects for the Supercritical GaAs n+nn+ Transferred Electron Amplifier. — Solid-St. Electron., 1975, v. 18, Ho. 3, pp. 257−262.
  67. Dhall A.K., Lomash S.K., Mathar P.O. Temperature and bias voltage dependence of large-signal negative conductance of Gunn devices. J. Phys.: Appl. Phys., 1977, v. 10, No. 12, pp. 1125−1130.
  68. Lakshminarayana M.R., Partain L.D. Numerical Simulationand Measurement of Gunn Device Dimanic Microwave Cha* ' * * i •racteristics. IEEE Trans., 1980, v. ED-27, No. 3, PP. 546−552.
  69. H.A., Цвирко Ю. А. Влияние профиля легирования на амплитудные характеристики диода Ганна Электронная техника. Электроника СВЧ, 1982, вып.1, с.19−22.
  70. Freeman K.R., Hobson G.S. The VfT Relation of CW Gunn-Effect Devices. IEEE Trans., 1972, v. ED-19, No. 1, pp. 62−70.
  71. В., Матуленис A., Пожела Ю., Ашмонтас С., Рек-лайтис А., Гальдикас А.-И., Мшпошите Р., Стариков Е. Электроны в полупроводниках, вып.З. Диффузия горячих электронов. Вильнюс: Мокслас, 1981.
  72. Kroemer Н. The Gunn Effect Under Imperfect Cathode Boundary Conditions. IEEE Trans., 1968, v. ED-15, No.11, pp. 819−837.
  73. Shaw M.P., Solomon P.R., Grubin H.L. The Influence of Boundary Conditions on Current Instabilities in GaAs.4 • 4 4 ' •, • ¦ * * ¦ ф
  74. M J., Res. Develop., 1969, v. 13, No. 5, pp. 587 --590.t * ' У ' >/*
  75. Colliver D.J., Gray K.W., Jones D., Rees H.D., Gibbons G., White P.M. Cathode contact effects in InP transferred electron oscillators. In: Proc. 4th Int. Symp. on GaAs Related Compounds, London, England, 1973» pp. 286 --294./ * л ' ' t «* ' * *
  76. Crowell C.R., Rideout V.L. Normalized Themoionic-Field (T-F) Emission in Metal-Semiconductor (Schottky) Barriers. Solid-St. Electron., 1969, v. 12, Ho. 2, pp. 89−105.' * *
  77. Rideout V.L. A Review of the Theory and Technology for Ohmic Contacts to Group III-XV Compound Semiconductors. Solid-St. Electron., 1975, v. 18, No. 6, pp. 541−550.
  78. A., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-поду-проводник. М.: Мир, 1975.
  79. Grubin H.L. Large-Signal Computer Simulations of the Contact Circuit, and Bias Dependence of X-Band Transferred Electron Oscillators. IEEE Trans., 1978, v. ED-25,No. 5, PP. 511−519.* *
  80. Grubin H.L. Dynamic Cathode Contacts and Transferred Electron Semiconductors. J. of Vac. Sci. Technol., 1976, v. 13, No. 4, pp. 786−789.• * * ' л ' ' * «4
  81. Yu S.P., Tantraporn W., Joung J.D., Transit-Time Negative Conductance in GaAs Bulk Effect Diodes. IEEE Trans., 1971, v. ED-18, Ho. 2, pp. 88−93.
  82. Yu S.P., Tantraporn W. A Computer Simulation Scheme for Various Solid-State Devices. IEEE Trans., 1975, v. ED--22, No. 8, pp. 515−522.
  83. Aishima A., Nishimura A., Fukushima Y. Variaus Space Charge Modes in TED* s with Schottky Barrier Cathode Contact. Jap. J. of Appl. Phys., 1979, v. 18, No. 6, pp. 1117−1125.
  84. Hariu Т., Shibata Y. Optimum Schottky-Barrier Height for High-Efficiency Microwave Transferred-Electron Devices. Proc. IEEE, 1975, v. 63, No. 5, PP. 823 --824.
  85. С.A., Мовнин C.M. Физические основы электронной техники. М.: Высшая школа, 1982.
  86. Krishnan C.N., Sharan R. Injection Control in TED1s by Metal n+thin) n Cathode Structure. — IEEE Trans., 1977, v. ED-24, No. 10, pp. 1264−1266.
  87. Shockley W. Negative Resistance Arising from Transit Time in Semiconductor Diodes. Bell Syst. Tech. J., 1954, v. 33, No. 4, pp. 799−826.
  88. А .В. Программа расчета статических и динамическихдрейфовых характеристик многодолинных полупроводников типа Электронная техника, Электроника СВЧ, 1981, вып.6, с.68−69.
  89. В.Е. 0 сравнении двухтемпературной и однотемператур-ной моделей диода Ганна. Электронная техника, Электроника СВЧ, 1979, вып.1, с.99−100.4 * ' * 0 ' «*
  90. Grubin H.L., Iafrate G.J., Perry D.K. Hot Carrier Space and Time Dependent Transients in Short Channel Gallium Arsenide Devices. J. de Physique, 1981, v. C7, pp. 201−206.t * 4 J .
  91. Mains R.K., Haddad G.I., Blakey P.A. Simulation of GaAs IMPATT Diodes Including Energy and Velocity Transport Equations. IEEE Trans., 1983, v. ED-30, По. 10, pp. 1327−1338.J 4 Ф г
  92. McCumber D.E., Chynoweth A.G. Theory of Negative-Conductance Amplification and Gunn Instabilities in «Two-Vsetl-ley» Semiconductors. IEEE Trans., 1966, v. ED-13, No. 1, pp. 4−21.
  93. Curtice W.R., Purcell J.J. Analysis of the ISA Mode Including Effects of Space Charge and Intervalley Transfer Time. IEEE Trans., 1970, v. ED-17, No. 12, pp. 1048−1060./ /
  94. Das P., Perry D.K. Hot Electron Microwave Conductivity of Wide Bandgap Semiconductors. Solid-St. Electron., 1976, v. 19, No. 10, pp. 851−855.
  95. Das P., Perry D.K. Hot Electron Microwave Conductivity of Wide Bandgap Semiconductors. Solid-St. Electron., 1976, v. 19, No. 10, pp. 851−855.
  96. В.Е. 0 работе диодов Ганна в пролетном режиме при различных типах контактов. Электронная техника, Электроника СВЧ, 1976, вып.6, с.51−60.
  97. Cook R.K., Prey J. Diffusion Effects and «Ballistic Transport». IEEE Trans., 1981, v. ED-28, По. 8, pp. 951−953.
  98. Cook R.K., Prey J. Two-Dimensional Numerical Simulation of Energy Transport Effects in Si and GaAs MESPET’s. -IEEE Trans., 1982, v. ED-29, No. 6, pp. 970−977.
  99. Higgins J.A., Pattanayak D.N. A Numerical Approach to Modeling the Ultrashort-Gate MESFET. IEEE Trans., 1982, v. ED-29, No. 2, pp. 179−183.
  100. Priscairt M.-R., Rolland P.-A., Cappy A., Constant E., Salmer G. Theoretical Contribution to the Design of Millimeter-Wave TE0"s. IEEE Trans., 1983, v. ED-30, No.3,pp. 223−229.
  101. Butcher P.N., Pawcett W. The Intervalley Transfer Mechanism of Negative Resistivity in Bulk Semiconductors. -Proc. Phys. SCO., 1965, v. 86, No.12, pp. 1205−1219.4
  102. Blotekjaer K., bunde E.B. Collision Integrals for Displaced Maxwellian Distributions. Phys. Stat. Sol., 1969, v. 35, Noi 10, pp. 581−592.
  103. В.Е., Жембровская H.B. О работе диодов Ганна с контактом типа барьера Шоттки. Укр. физический журнал, 1982, т.27, # 5, с.932—937.
  104. Kroemer Н. Detailed Theory of the Negative Conductance of Bulk Negative Mobility Amplifiers, in the Limit of Zero Ion Density. IEEE Trans., 1967, v. ED-14, No. 9, pp. 476−492.» ¦ *
  105. Gu&ret P. Convective and Absolute Instabilities in Semiconductors Exibiting Negative Differential Mobility. -Phys. Rev. Lett., 1971, v. 27, No. 5, pp. 256−259.s <
  106. Ohmi T., Hasuo S. Unified Treatment of Small-Signal Space-Charge Dynamics in Bulk-Effect Devices. IEEE Trans., 1973, v. ED-20, No. 3, pp. 303−316.
  107. A.M., Коцаренко Н. Я. Абсолютная и конвективная неустойчивость в плазме и твердых телах. М.: Наука, 1981.< * ¦
  108. Jeppsen P., Jeppsson B.I. A Simple Analysis of the Stable Field Profile in Supercritical TEA. IEEE Trans.,• '41 973, v. ED-20, No. 4, pp. 371−379.
  109. Hariu Т., Ono S., Shibata Y. 7/ideband Performance of the Injection-Limited Gunn Diode. Electron. Lett., 1970, в. , 4v. 6, No. 21, pp. 666−667.
  110. В.Б., Тагер А. С. Мапосштнальные характеристики инжекционно-пролетных диодов (ИПД) с отрицательной дифференциальной подвижностью носителей тока. Радиотехника и электроника, 1975, т.20, № 2, с.396−404.
  111. Lee C.Q. Analysis of Semiconductors with Field-DependentMobility. IEEE Trans., 1976, v. ED-23, No. 3, pp. 3544−361.
  112. Magarshack J., Rabier A., Spitalnik R. Optimum Design of Transferred-Electron Amplifier Devices in GaAs. IEEETrans., 1974, v. ED-21, No. 10, pp. 652−654.• /
  113. Sitch J.E. Computer Modelling of Low-Noise Indium-Phos* t * ' *. 'phide Amplifiers. Electron. Lett., 1974, v. 10, No.6, pp. 74−75.4 ' ' * * ' ' ' «' «'
  114. Raymond R.M., Kroemer H., Russell E.H. Design of Cathode Doping Notches to Achieve Uniform Fields in Transferred-Electron Devices. IEEE Trans., 1977, v. ED-24, No. 3, pp. 192−195.
  115. Grubin H.L., Kaul E. Depletion Layer Amplification from Negative Differential Mobility Elements. IEEE Trans., 1973, v. ED-20, No. 6, pp. 600−602. ¦ ф .
  116. Grubin H.L., Kaul R. The Influence of Boundary Conditions and the Bias on Amplification from Negative Differential Mobility Elements. IEEE Trans., 1975, v. ED-22, No.5, pp. 240−247.
  117. Kallback B. Analytical Small-Signal Model of the Supercritical n±n-n+ GaAs Transferred Electron Amplifier. -Electron. Lett., 1974, v. 10, No. 10, pp. 187−188.
  118. A.C., Кальфа A.A. t Пореш С. Б. Исследование механизма образования отрицательного динамического сопротивленияв сверхкритически легированных диодах Ганна со статическим доменом. ФШ, 1977, т. П, вып.5, с.975−978.
  119. А.С. Высокочастотные характеристики полупроводниковых диодов со слоистой структурой. ФШ, 1977, т. П, вып. 12, с.2322−2329.
  120. А.С. Наведенный ток в неоднородной среде. Радиотехника и электроника, 1977, т.22, вып.9, с.1956−1962.
  121. Тагер А. С, Полное сопротивление, электронная мощность и КПД полуцроводниковнх диодов со слоистой структурой. -Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ, I960, вып.6, с. 3−12.t * ' * 4 «'
  122. Freeman K.R., Hobson G.S. A Survey of CW and Pulsed GunnOscillators by Computer Simulation. IEEE Trans., 1973,* / /v. ED-20, No. 10, pp. 891−902.
  123. Torrens A.B. Computer Simulation of Negative-Differential Conductivity Effects, Including Trapping. IEEE Trans., 1983, v. ED-30, No. 2, pp. 160−170.- J * * • 4
  124. Charlton R., Freeman K.R., Hobson G.S. Stabilisation Mechanism for «Supercritical» Transferred-Electron Amplifiers. Electron. Lett., 1971, v. 7, No. 19, pp. 575−577.
  125. Mun J. High-Efficiency and High-Peak-Power InP Transferred-Electron Oscillators. Electron. Lett., 1977, v.13,No. 10, pp. 275−276.* * /
  126. Jones D., Rees H.D. Transit Modes of InP TransferredElectron Devices. Electron. Lett., 1975, v. 11, No. 1,*pp. 13−14.
  127. Н.П., Чайка В. Е. Переходные процессы переноса горячих электронов в GaAe и 1пР . Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ, 1981, вып. Ю, с.12−14.
  128. Eddison I.G., Davies I., Howard A.M., Brookbanks D.M.
  129. GHz High-Efficiency InP Pulsed TEO. Electron. Lett., 1981, v. 17, Ho. 25, pp. 948−949.4. «J > ', ж
  130. Crowley J.D., Sowers J.J., Janis B.A., Pank P.B. High Efficiency 90 GHz InP Gunn Oscillators. Electron. Lett., 1980, v. 16, No. 18, pp. 705−706.
  131. Sebestyen Т., Hartnagel H., Herran L. New design criteria of Gunn diode contacts. In: Proc. 5th Int. Symp. on GaAs and Related Compounds, London, England, 1975, pp. 77−88.
  132. Tantraporn W. Determination of Low Barrier Heights in Metal-Semiconductor Contacts. J. Appl. Phys., 1970, v.41, No. 10, pp. 4669−4671.
  133. Wasse M.P., Clark B.W., Conlon R.P.B. AgSn Cathode Contact in Gallium-Arsenide Transferred-Electron Devices. -Electron. Lett., 1973, v. 9, No. 10, pp. 189−190.
  134. Gray K.W., Pattison J.E., Rees H.D., Prew B.A., Clarkej * «R.C., Irving L.D. InP Microwave Oscillators with 2-zone* ' ' ' / * /Cathodes. Electron. Lett., 1975, v. 11, No. 17, pp. 402−403.
  135. Brambley D.R., Smith D.C. High Efficiency InP Transferred Electron Devices for High Peak Power, High Mean Power Pulsed Sources in J-Band. Electron. Lett., 1981, v. 17, No. 8, pp. 307−308.
  136. A.A., Тагер A.C. Теоретическое исследование ар-сенидгаллиевых диодов Ганна с двухзонным катод см. Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ, 1982, вып.10, сД7-- 21.
  137. М.Ф. Температурная модель диода Ганна с катодным контактом в виде барьера Шоттки. В кн.: Тезисы докладов 10-ой Всесоюзной научной конференции «Электроника СВЧ», т.2 «Твердотельная электроника СВЧ», Минск, МРТИ, 1983, с. 26.» • .
  138. Maloney T.J., Prey J. Transient and Steady-State Electron Transport Properties of GaAs and InP. J. of Appl. Phys., 1977, v. 48, No. 2, pp. 781−787.
  139. И.Н., Семендявв К. А. Справочник по математике. М.: Гостехиздат, 1953.
  140. М.Ф. Математическое моделирование диодов Ганна с катодным контактом с ограниченной инжекцией. В кн.: Твердотельная электроника сверхвысоких частот, Таганрог, ТРТИ, 1983, вып. X, с.17−20.
  141. A.C. Квантовая шханика. М.: Наука, 1973.
  142. A.A. Теория разностных схем. М.: Наука, 1983.
  143. A.A., Попов Ю. П. Разностные схемы газовой динамики. М.: Наука, 1980.
  144. H.H. Численные методы. М.: Наука, 1978.
  145. М.Ф. Влияние диффузии и сил зеркального изображения на усиление в диоде Ганна с барьером Шоттки в качестве катодного контакта. Электронная техника, Сер. Электроника СВЧ, 1983, вып. З, с.36−38.
  146. В.И. Курс высшей математики, т.2. М.: Наука, 1974.
  147. А.Д., Иванов В. А., Кокорев М. Ф. Усиление продольных волн электронной плотности в полупроводниках с отрицательной дифференциальной подвижностью в присутствии статического объемного заряда. ФТП, 1981, т.15, вып. Ю, с.1883−1887.
  148. М.Ф., Краузе A.B. Расчет высокочастотных малосигнальных характеристик диодов Ганна с учетом неоднородного распределения электрического поля. Известия ЛЭТИ.Науч. тр./Ленингр.электротехн.ин-т им. В. И. Ульянова (Ленина), 1982, вып.315, с.87−91.
  149. A.C., Вальд-Перлов В.М. Лавинно-пролетные диоды и их применение в технике СВЧ. М.: Советское радио, 1968.
  150. М.Ф. Математическое моделирование усилительных диодов Ганна в приближении малого сигнала. В кн.: Тезисы докладов 1-ой Всесоюзной научно-технической конференции по интегральной электронике СВЧ, Новгород, НПИ, 1982, с.306−307.4 * Ф * ' ' «
  151. Goyal M.L., Hartnagel Н. Harmonics and the Fundamental Frequency Negative Conductance of Gunn Diodes. Solid-St. Electron., 1974, v. 7, No. 4, pp. 307−309.
  152. Э.Д., Аревдарь B.H., Белецкий Н. И., Дэдченко A.B. Влияние температуры на эффективность генерации диодов Ганна в диапазоне частот. Радиотехника и электроника, 1976, т.21, вып. II, с.2449−2450.
  153. Lee С.М., Lomax R.J., Haddad G.I. Semiconductor Device Simulation. IEEE Trans., 1974, v. ШТТ-22, No. 3, pp. 160−178.
  154. С.Б. Программа расчета статических и шсокочастот-ных характеристик диода Ганна. Электронная техника, Сер. Электроника СВЧ, 1976, вып. 5, сДЮ.
  155. A.A., Пореш С. Б., Тагер A.C. Od эквивалентной схеме стабилизированных диодов на междолинном электронном переносе. Радиотехника и электроника, 1977, т.22, вып. 12, с.2599−2603.
  156. В.Е., Макеева Г. С. Электродинамический анализ распространения электромагнитных волн в тонкогоюночной полупроводниковой структуре с отрицательной дифференциальной проводимостью. Радиотехника и электроника, 1983, т.28, вып.8, с.1633−1641.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?