Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Динамика спектроскопических переходов в квантовых точках, встроенных в полупроводниковые гетероструктуры

Диссертация: Динамика спектроскопических переходов в квантовых точках, встроенных в полупроводниковые гетероструктуры
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Актуальность работы. Относительно молодым и весьма бурно развивающимся разделом современной физики твердого тела является физика низкоразмерных систем. Предметом изучения данного раздела являются гетероструктуры, характерный размер неоднородностей которых лежит в диапазоне от нескольких единиц до нескольких сотен нанометров. Простейшую гетероструктуру образуют два или более следующих друг… Читать ещё >

Содержание

  • В. Обзор литературы
  • В.1. Механизмы энергетической релаксации носителей заряда квантовых точек
  • В.2. Гидродинамическая модель электронного газа. 36 В. З. Феноменологическое описание оптических фононов в полупроводниковых гетероструктурах
  • В.4. Оптические методы исследования динамики электронной подсистемы квантовых точек
  • 1. Релаксация носителей заряда в квантовых точках с участием фононных мод
    • 1. 1. Введение
    • 1. 2. Объемные фононы в полупроводниковых гетероструктурах
    • 1. 3. Поверхностные фононы в полупроводниковых гетероструктурах
    • 1. 4. Скорость внутризонной релаксации электронных возбуждений квантовой точки
    • 1. 5. Выводы к первой главе
  • 2. Релаксация носителей заряда в квантовых точках с участием нлазмонных мод
    • 2. 1. Введение
    • 2. 2. Гидродинамическая модель плазмонных возбуждений в легированных гетероструктурах
    • 2. 3. Объемные плазмоны в двойной гетероструктуре
    • 2. 4. Поверхностные плазмоны в двойной гетероструктуре
    • 2. 5. Скорость внутризонной релаксации электронных возбуждений квантовой точки
    • 2. 6. Выводы к второй главе
  • 3. Резонансная фотолюминесценция квантовых точек
    • 3. 1. Введение
    • 3. 2. Стоксово спонтанное вторичное свечение при резонансном возбуждении
    • 3. 3. Сравнение спектров люминесценции со спектрами внутризонной релаксации
    • 3. 4. Выводы к третьей главе

Динамика спектроскопических переходов в квантовых точках, встроенных в полупроводниковые гетероструктуры (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

В данной диссертации изложены результаты исследований автора, полученные в 2002;2006 гг. в Государственном Оптическом Институте им. С. И. Вавилова (Всероссийский Научный Центр ГОИ им. С. И. Вавилова). Диссертация посвящена теоретическому исследованию динамики спектроскопических переходов в квантовых точках, встроенных в полупроводниковые гетеростру кту ры.

Актуальность работы. Относительно молодым и весьма бурно развивающимся разделом современной физики твердого тела является физика низкоразмерных систем. Предметом изучения данного раздела являются гетероструктуры, характерный размер неоднородностей которых лежит в диапазоне от нескольких единиц до нескольких сотен нанометров. Простейшую гетероструктуру образуют два или более следующих друг за другом плоских полупроводниковых слоя, при условии, что толщина хотя бы одного из них находится в указанном диапазоне. В наиболее общем случае гетероструктура представляет собой совокупность большого числа структурных элементов (легированных подложек, буферных и смачивающих слоев, полупроводниковых квантовых ям, нитей и точек), каждый из которых воздействует на все остальные и сам испытывает на себе их ответное влияние [1−3]. Интерес к исследованию подобного рода низкоразмерных систем обусловлен не только тем, что оно дает материал для развития и совершенствования теории конденсированного состояния, не только возможностью глубже понять фундаментальные законы квантового мира, но и открывшимися большими перспективами использования таких систем в самых различных областях науки и техники. Достаточно упомянуть о возможности использования низкоразмерных систем в качестве элементной базы нового поколения микроэлектроники. К настоящему времени на основе низкоразмерных объектов уже созданы одноэлектронные транзисторы [4], логические элементы (quantum bits) [5] и ячейки памяти [б].

Первые низкоразмерные гетероструктуры — полупроводниковые квантовые ямы, созданные в начале 70-х годов, являются сегодня основой многих оптоэлектронных устройств. Типичная квантовая яма возникает в тонком (толщиной от 10 до 100 нм) слое полупроводника с узкой запрещенной зоной, помещенном между двумя полупроводниками с более широкой запрещенной зоной. Свободное движение носителей заряда в такой яме происходит в двух направлениях (вследствие чего структуры, содержащие квантовые ямы, называют квазидвумерными), а энергия, соответствующая финитному движению носителей, является квантованной [7]. Исследование квазидвумерных структур привело к открытию новых физических эффектов, кардинальному улучшению характеристик ряда известных и созданию новых типов полупроводниковых приборов. Были сконструированы работающие при комнатной температуре низкопороговые полупроводниковые лазеры [8−10], инфракрасные лазеры [11,12], лазеры с распределенной обратной связью и с распределенными брэгговскими зеркалами [13−16], солнечные элементы [17] и фотодетекторы, основанные на эффекте широкозонного окна, мощные диоды и тиристоры [18], высокоэффективные све-тоизлучательные диоды [19] и проч. [20]. Преимущества квазидвумерных структур по сравнению с объемными материалами, являющиеся следствием одномерного пространственного ограничения (конфайнмента), стимулировали исследования квазиодномерных и квазинульмерных структурквантовых нитей и квантовых точек.

На сегодняшний день наиболее многообещающими низкоразмерными объектами, применение которых возможно практически во всех отраслях современных технологий, являются квантовые точки [21−23]. Квантовые точки представляют собой трехмерные потенциальные ямы, заполненные полупроводниковым материалом с характерными размерами порядка боровского радиуса экситона, в которых движение элементарных возбуждений ограничено в трех измерениях. Вследствие эффекта размерного квантования спектры элементарных возбуждений квантовых точек (электронов, дырок, экситонов, фононов, плазмонов и проч.) состоят из достаточно узких линий, расстояния между которыми определяются размером и формой квантовых точек. Дискретность энергетических спектров является причиной необычных оптических свойств квантовых точек [24−30], а возможность менять положение уровней в спектрах делает квантовые точки исключительно перспективным материалом для нанотехнологии [31,32]. В научной и технической литературе уже сообщается о широком применении квантовых точек в электронике и оптоэлектронике [33], кибернетических системах и лазерной технике [34−36], биологии и медицине [37−39].

Следует отметить, что, несмотря на многочисленные применения, структуры, содержащие квантовые точки, изучены менее полно, чем структуры, содержащие квантовые ямы. Вместе с тем, большие потенциальные возможности, связанные с применением квантовых точек, могут быть реализованы в полной мере лишь после детального изучения происходящих в них физических процессов. Поэтому определение параметров энергетических спектров, кинетика и динамика спектроскопических переходов, взаимодействия элементарных возбуждений, а также корреляционные эффекты составляют основу проводимых в настоящее время фундаментальных исследований в области физики квантовых точек. Несомненно, что со временем данные исследования найдут квантовым точкам новые, возможно, неожиданные применения.

До сих пор с квантовыми точками связан ряд вопросов, на которые нет однозначного ответа. В частности, не существует единого мнения относительно доминирующего механизма внутризонной релаксации их электронной подсистемы. Недостаточно изучены особенности энергетических спектров элементарных возбуждений квантовых точек и механизмов взаимодействия возбуждений друг с другом. Информация о доминирующих каналах релаксации, спектрах и взаимодействиях квазичастиц в квантовых точках необходима при конструировании наноустройств с рекордным быстродействием и сверхмалой потребляемой мощностью. В настоящее время почти неизученными остаются взаимодействия в интегральных микросхемах наноустройств друг с другом и другими структурными элементами схем. Вместе с тем, подобные взаимодействия могут оказывать существенное влияние на ключевые параметры устройств. Определение способов их контроля с целью усиления или ослабления связи элементов схем друг с другом имеет важное прикладное значение.

Таким образом, исследование динамики электронной подсистемы квантовых точек, встроенных в полупроводниковые гетероструктуры, а также изучение взаимодействия квантовых точек с различными элементарными возбуждениями гетероструктур является, безусловно, актуальной задачей, представляющей интерес с точки зрения фундаментальной физики и практических приложений.

Целью диссертационной работы является теоретическое исследование энергетической релаксации квантовых точек, обусловленной взаимодействием их электронной подсистемы с электрическими полями элементарных возбуждений полупроводниковых гетероструктур.

Для достижения поставленной цели было необходимо решить следующие задачи:

— рассчитать механические смещения атомов в элементарной ячейке, электрические поля, а также законы дисперсии объемных и поверхностных фононных мод в одиночной и двойной гетероструктурах с плоскими границами раздела;

— рассчитать электрические поля и законы дисперсии объемных и поверхностных плазмонных мод в двойной гетероструктуре с плоскими границами раздела;

— исследовать механизмы внутризонной релаксации носителей заряда квантовых точек, обусловленной взаимодействием носителей с поверхностными и объемными фононными возбуждениями различных слоев гетеро-структуры;

— исследовать механизмы внутризонной релаксации носителей заряда квантовых точек, обусловленной взаимодействием носителей с объемными и поверхностными плазмонными возбуждениями легированной части двойной гетероструктуры;

— построить теорию процесса резонансной фотолюминесценции ансамбля квантовых точек с большим неоднородным уширением оптических переходов и исследовать возможные проявления рассмотренных многочастичных механизмов релаксации в оптических спектрах гетероструктур.

Научная новизна работы определяется тем, что в ней исследованы процессы энергетической релаксации, обусловленные взаимодействием квантовых точек с электрическими полями, индуцированными элементарными возбуждениями полупроводниковых гетероструктур, удаленными от квантовых точек на расстояния порядка сотни нанометров.

В рамках макроскопической феноменологической модели оптических фононов, были самосогласованно рассчитаны механические смещения атомов и индуцированные смещениями электрические поля, сопровождающие оптические колебания решетки в одиночной и двойной гетероструктурах. Впервые в подобного рода расчетах был использован полный набор наиболее корректных (с физической точки зрения) граничных условий: непрерывность нормальных компонент электрической индукции и тензора механических напряжений, а также непрерывность механических смещений. На основании результатов расчета полей были найдены скорости внутризонной релаксации носителей заряда квантовых точек, происходящей с возбуждением оптических фононов в объеме и на внутренних границах раздела (интерфейсах) гетероструктур. Величины данных скоростей были приняты в качестве количественных характеристик глубины проникновения электрических полей в объем слоев гетероструктуры. Установлено, что электрические поля, сопровождающие объемные и интерфейсные (далее просто — поверхностные) фононы, проникают сквозь многие полупроводниковые слои (общей толщиной порядка сотни нанометров), оставаясь при этом настолько сильными, что скорость внутризонной релаксации квантовых точек может достигать величины Ю10 1011 с-1.

Исследованы зависимости скоростей внутризонной релаксации от энергетического зазора между состояниями, участвующими в переходе, от расстояния между квантовой точкой и границей раздела полупроводников, а также от формы закона дисперсии продольных оптических фононов.

Обнаружено, что в двойной гетероструктуре минимум в законе дисперсии поверхностных фононных мод имеет место при ненулевом значении их волнового вектора, что при определенных условиях может приводить к увеличению глубины проникновения порождаемых фононами электрических полей в объем гетероструктуры. Заметное усиление возможно, когда толщина среднего слоя в двойной гетероструктуре не превышает нескольких десятков нанометров. В противном случае, положение минимума в законе дисперсии стремится к нулю, а глубина проникновения полей оказывается такой же, как в одиночной гетероструктуре.

При помощи гидродинамических уравнений Блоха были рассчитаны электрические поля, возбуждаемые объемными и поверхностными плазмо-нами в двойной гетероструктуре с плоскими границами раздела. На основании полученных результатов были вычислены скорости внутризонной релаксации в квантовой точке, находящейся в нелегированной части гетероструктуры, с испусканием квантов указанных элементарных возбуждений.

Исследован вопрос о возможности надежного экспериментального наблюдения внутризонной релаксации методом резонансной фотолюминесценции. С этой целью развито описание процесса резонансной фотолюминесценции квантовых точек с большим неоднородным уширением оптических переходов. Обнаружено, что при определенном типе неоднородного уширения оптических переходов, спектры фотолюминесценции квантовых точек достаточно хорошо отражают зависимость скорости внутризонной релаксации от энергетических потерь. Имеется ввиду случай, когда частоты переходов в каналах поглощения и излучения являются случайными некоррелированными величинами. В этом случае, резонансная фотолюминесценция дает надежную информацию о динамике электронной подсистемы квантовых точек.

Практическая ценность работы определяется тем, что полученные в ней результаты могут использоваться при конструировании наноустройств на основе полупроводниковых гетероструктур. В частности, в работе показано, что при разработке таких устройств необходимо учитывать возможность проникновения электрических полей фононных и плазмонных мод в различные слои гетероструктур. При определенных условиях данные поля могут приводить к интенсивным процессам релаксации в рабочих элементах наноустройств и существенно влиять на их ключевые параметры. Поэтому, конструируя наноустройства на основе полупроводниковых гетероструктур, важно заранее знать, насколько глубоко электрические поля фононных и плазмонных мод могут проникать в объем однородных слоев гетероструктур, и к каким последствиям это может приводить. Рассмотренные в работе новые механизмы внутризонной релаксации могут быть использованы для качественного объяснения наличия полос, связанных с плазмонами и ЬО-фононами, в экспериментальных спектрах фотолюминесценции квантовых точек, встроенных в полупроводниковые гетерострукту-ры. Построенная в работе теория процесса резонансной фотолюминесценции позволяет интерпретировать соответствующие спектры и получать информацию о различных механизмах энергетической релаксации носителей заряда квантовых точек.

На защиту выносятся следующие основные результаты и положения:

1. Электрические поля, индуцированные оптическими фононами, могут распространяться в полупроводниковых гетероструктурах на расстояния порядка сотни* нанометров. Взаимодействие электрических полей объемных и поверхностных фононных мод одиночной гетероструктуры с электронной подсистемой квантовых точек открывает два новых окна внутри-зонной релаксации носителей заряда квантовых точек. Ширины и спектральные положения данных окон определяются законами дисперсии объемных и поверхностных фононных мод.

2. Вид закона дисперсии поверхностных фононов в одиночной и двойной гетероструктурах. В двойной гетероструктуре минимум верхней ветви закона дисперсии имеет место при ненулевом значении волнового вектора поверхностных фононов. Его появление связано с наличием второй границы раздела между двумя различными полупроводниками.

3. Взаимодействие электронной подсистемы квантовых точек с объемными и поверхностными плазмонными модами легированной части двойной гетероструктуры приводит к дополнительным механизмам внутризон-ной релаксации носителей заряда квантовых точек. Скорости процессов релаксации определяются концентрацией легирующей примеси, расстоянием от квантовой точки до легированной подложки, а также конструкцией гетероструктуры.

4. Вид закона дисперсии поверхностных плазмонных мод в двойной гетероструктуре. Данный закон имеет критическую точку — минимум при ненулевом значении волнового вектора поверхностного плазмона. Глубина и положение минимума зависят от толщины нелегированного слоя. Его появление связано с наличием второй границы раздела между материалами с существенно различными диэлектрическим проницаемостями.

5. Если частоты переходов в каналах поглощения и излучения являются случайными некоррелированными величинами, то спектры фотолюминесценции квантовых точек достаточно хорошо отражают зависимость скорости внутризонной релаксации носителей заряда от энергетических потерь. В этом случае с их помощью можно не только устанавливать положение релаксационных спектров электронов и дырок в квантовых точках, но и сравнивать их ширины.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на 28-ом ежегодном симпозиуме Микроскопического Общества Ирландии (Дублин, Ирландия, 2004), на Международной конференции «Фундаментальные проблемы оптики — 2004» (Санкт-Петербург, Россия, 2004), на Международной конференции по когерентной и нелинейной оптике (Санкт-Петербург, Россия, 2005), на 1-ой и 2-ой летних научных школах фонда «Династия» (Москва, Россия, 2004 и 2005), на Ш-ей Межвузовской конференции молодых ученых (Санкт-Петербург, Россия, 2006).

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 5 статьях в рецензируемых отечественных и международных журналах [40−44], а также в трудах конференций [45−47].

Личный вклад автора. Содержание диссертации и основные положения, выносимые на защиту, отражают персональный вклад автора в опубликованные работы. Подготовка к публикации полученных результатов проводилась совместно с соавторами, причем вклад диссертанта был определяющим. Все представленные в диссертации результаты получены лично автором.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения и библиографии. Объем диссертации составляет 155 страниц, включая 45 рисунков. Список цитируемой литературы на 20 страницах содержит 178 наименований.

Основные результаты и выводы диссертационной работы могут сформулированы следующим образом:

1. Произведена оценка глубины проникновения электрических полей, порождаемых объемными и поверхностными оптическими фононами в объем полупроводниковых гетероструктур, состоящих из материалов с повышенной степенью ионности. Показано, что данные поля могут проникать сквозь многие слои гетероструктур на расстояния порядка сотни нанометров. Взаимодействие электронной подсистемы квантовой точки с указанными полями приводит к возникновению двух новых эффективных механизмов внутризонной релаксации носителей заряда квантовых точек. Получены аналитические выражения для скоростей внутризонной релаксации носителей заряда в цилиндрически симметричной квантовой точке, встроенной в одиночную гетероструктуру, за счет возбуждения в гетеро-структуре объемных и поверхностных оптических фононов. Показано, что при определенных условиях рассмотренные механизмы релаксации могут оказываться доминирующими и открывать дополнительные каналы энергетических потерь в любых наноэлектронных устройствах, размер активных элементов которых сравним с размером квантовых точек.

2. В плоских ковалентных гетероструктурах, выращенных на легированных подложках, исследованы плазменные колебания и порождаемые ими электрические поля. Показано, что взаимодействие с данными полями электронной подсистемы квантовых точек, встроенных в собственные слои гетероструктур, приводит к новым механизмам внутризонной релаксации. Произведены оценки скоростей релаксаций с испусканием квантов объемных и поверхностных плазмонов, исследованы их зависимости от различных параметров гетероструктур и предложен способ управления электронной динамикой квантовых точек.

3. Обнаружено, что плотности состояний поверхностных фононных и плазмонных мод существенно изменяются, если на полупроводниковой подг ложке выращен слой нелегированного материала — в них появляются критические точки, положение которых зависит от толщины нелегированного слоя. Наличие критических точек в плотности состояний указанных элементарных возбуждений приводит к увеличению глубины проникновения порождаемых ими электрических полей в слои гетероструктуры. Заметное увеличение возможно, например, когда толщина среднего слоя в двойной гетероструктуре не превышает нескольких десятков нанометров. При этом скорость внутризонной релаксации квантовых точек с испусканием квантов поверхностных фононов (плазмонов) в двойной гетероструктуре оказывается выше, чем в одиночной.

4. Развито теоретическое описание процесса резонансной фотолюминесценции полупроводниковых квантовых точек, который может служить основой эффективного метода изучения динамики их электронной подсистемы. Возможности спектроскопии такого типа проанализированы на примере внутризонной релаксации носителей заряда в квантовых точках, обусловленной их взаимодействием с объемными и поверхностными плазмо-нами легированной подложки двойной гетероструктуры. Получены аналитические выражения для интенсивности фотолюминесценции при условии стационарного возбуждения ансамбля квантовых точек с большим неоднородным уширением оптических переходов и определены условия, при которых ее спектральная зависимость дает наиболее прямую информацию о скоростях внутризонной релаксации.

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Two-dimensional system. Heterostructures and superlattices, ed. by G. Bauer, F. Kuchar, H. Heinrich, Springer Series Solid-State Science, v. 53, Springer, Berlin, 1984.
  2. Low-dimensional structures in semiconductors, ed. by A. R. Peaker, H. G. Grimmeiss, Plenum Press, New York, 1991.
  3. E. L. Ivchenko, G. E. Pikus, Superlattices and other heterostructures, Springer Series Solid-State Science, v. 110, Springer, Berlin, 1997.
  4. L. Guo, E. Leobandung, S. Y. Chou, A silicon single-electron transistor memory operating at room temperature, Science, 1997, v. 275, n. 5300, p. 649−651.
  5. T. Itakura, Y. Tokura, Dephasing due to background charge fluctuations, Phys. Rev. B, 2003, v. 67, n. 19, p. 195 320-(l-9).
  6. K. Yano, T. Ishii, T. Sano, T. Mine, F. Murai, T. Hashimoto, T. Koboyashi, T. Kure, K. Seki, Single-electron memory for giga-to-tera bit storage, Proc. IEEE, 1999, v. 87, n. 4, p. 633−651.
  7. R. Dingle, W. Wiegmann, С. H. Henry, Quantum states of confined carriers in very thin AlxGai-xAs-GaAs-AlxGai-x heterostructures, Phys. Rev. Lett., 1974, v. 33, n. 14, p. 827−830.
  8. Ж. И. Алферов, В. M. Андреев, Е. JI. Портной, М. К. Трукан, Инспекционные лазеры на основе гетеропереходов в системе AlAs-GaAs с низким порогом генерации при комнатной температуре, ФТП, 1969, т. 3, в. 9, с. 1328−1332.
  9. I. Hayashi, М. В. Panish, P. W. Foy, S. Sumski, Junction lasers which operate continuously at room temperature, Appl. Phys. Lett., 1970, v. 17, n. 3, p. 109−111.
  10. И. А. П. Богатов, JI. M. Долгинов, JI. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, Гетеролазеры на основе твердых растворов GaxIni-xAsyP-y и AlxGa-xSbyAsi-y, Квант, электрон., 1974, т. 1, № 10, с. 2294−2295.
  11. J. J. Hsieh, Room-temperature operation of GalnAsP/InP double-heterostructure diode lasers emitting at 1.1 fj, m, Appl. Phys. Lett., 1976, v. 28, n. 5, p. 283−285.
  12. Ж. И. Алферов, С. А. Гуревич, P. Ф. Казаринов, M. H. Мизеров, Е. Л. Портной, Р. П. Сейсян, Р. А. Сурис, ПКГ со сверхмалой расходимостью излучения, ФТП, 1974, т. 8, в. 4, с. 832−833.
  13. Ж. И. Алферов, С. А. Гуревич, Н. В. Клепикова, В. И. Кучинский, М. Н. Мизеров, Е. Л. Портной, Полупроводниковый лазер с распределенной обратной связью во втором порядке, Письма ЖТФ, 1975, т. 1, в. 14, с. 645−651.
  14. М. Nakamura, Н. W. Yen, A. Yariv, Е. Garmire, S. Somekh, Н. L. Garvin, Laser oscillation in epitaxial GaAs waveguides with corrugation feedback, Appl. Phys. Lett., 1973, v. 23, n. 5, p. 224−225.
  15. D. R. Scifres, R. D. Burnham, W. Streifer, Distributed-feedback single heterojunction GaAs diode laser, Appl. Phys. Lett., 1974, v. 25, n. 4, p. 203−206.
  16. Ж. И. Алферов, В. М. Андреев, М. Б. Каган, И. И. Протасов, В. Г. Трофим, Солнечные преобразователи на основе гетеропереходров p-AlxGai-xAs-n-GaAs, ФТП, 1970, т. 4, в. 12, с. 2378−2379.
  17. Ж. И. Алферов, В. М. Андреев, В. И. Корольков, В. Г. Никитин, А. А. Яковенко, р-п-р-п-структуры на основе GaAs и твердых растворов AlxGai-xAs, ФТП, 1970, т. 4, в. 3, с. 578−581.
  18. Ж. И. Алферов, В. М. Андреев, В. И. Корольков, Е. J1. Портной, А. А. Яковенко, Источники спонтанного излучения на основе стркутур с гетеропереходами в системе AlAs-GaAs, ФТП, 1969, т. 3, в. 6, с. 930−933.
  19. Ж. И. Алферов, История и будущее полупроводниковых гетерострук-тур, ФТП, 1998, т. 32, в. 1, с. 3−18.
  20. L. Banyai, S. W. Koch, Semiconductor quantum dots, World Scientific J Series on Atomic, Molecular and Optical Properties, v. 2, World Scientific, Singapore, 1993.
  21. G. W. Bryant, Quantum dots in quantum well structures, J. Lumin., 1996, v. 70, p. 108−119.
  22. Semiconductor quantum dots. Physics, spectroscopy and applications, ed. by Y. Masumoto, T. Takagahara, Springer Series NanoScience and Technology, Springer, Berlin, 2002.
  23. A. D. Yoffe, Low-dimensional systems: Quantum size effects and electronic properties of semiconductor microcrystallites (zero-dimensional systems) and some quasi-two-dimensional systems, Adv. in Physics, 1993, v. 42, n. 2, p. 173−266.
  24. U. Woggon, Optical properties of semiconductor quantum dots, Springer Tracts in Modern Physics, v. 136, Springer, Berlin, 1996.
  25. A. P. Alivisatos, Semiconductor clusters, nanocrystals, and quantum, dots, Science, 1996, v. 271, n. 5251, p. 933−937.
  26. S. V. Gaponenko, Optical properties of semiconductor nanocrystals, Cambridge University Press, Cambridge, 1998.
  27. J. H. Devies, The physics of low-dimensional semiconductors, Cambridge University Press, Cambridge, 1998.
  28. А. Я. Шик, JI. Г. Бакуева, С. Ф. Мусихин, С. А. Рыков, Физика низ-t коразмерных систем, Санкт-Петербург, Наука, 2001.
  29. Л. Е. Воробьев, Е. JI. Ивченко, Д. А. Фирсов, В. А. Шалыгин, Оптические свойства наноструктур, Санкт-Петербург, Наука, 2001.
  30. С. Weisbuch, В. Vinter, Quantum semiconductor structures: Physics and applications, Academic Press, Boston, 1991.
  31. C. Weisbuch, Recent progress in III-V quantum optoelectronic devices, J. Crystal Growth, 1994, v. 138, p. 776−785.л 33. M. Dutta, M. A. Stroscio, Advances in semiconductor lasers andapplications to optoelectronics, World Scientific, Singapore, 2000.
  32. D. L. Huffaker, G. Park, Z. Zou, О. B. Shchekin, D. G. Deppe, 1.3 /лт room-temperature GaAs-based quantum-dot laser, Appl. Phys. Lett., 1998, v. 73, n. 18, p. 2564−2566.
  33. N. N. Ledentsov, Long-wavelength quantum-dot lasers on GaAs substrates: From media to device concepts, IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 2002, v. 8, n. 5, p. 1015−1024.
  34. V. M. Ustinov, А. Е. Zhukov, A. Yu. Egorov, N. A. Maleev, Quantum dot lasers, Series on Semiconductor Science and Technology, Oxford University Press, 2003.
  35. M. Bruchez, M. Moronne, P. Gin, S. Weiss, A. P. Alivisatos, Semiconductor nanocrystals as fluorescent biological labels, Science, 1998, v. 281, n. 5385, p. 2013−2016.
  36. W. C. W. Chan, S. Nie, Quantum dot bioconjugates for ultrasensitive nonisotopic detection, Science, 1998, v. 281, n. 5385, p. 2016−2018.
  37. E. Klarreich, Biologists join the dots, Nature, 2001, v. 413, p. 450−452.
  38. A. V. Fedorov, A. V. Baranov, I. D. Rukhlenko, S. V. Gaponenko, Enhanced intraband carrier relaxation in quantum dots due to the effect of plasmonrLO-phonon density of states in doped heterostructures, Phys. Rev. B, 2005, v. 71, n. 19, p. 195 310-(l-8).
  39. И. Д. Рухленко, А. В. Федоров, Распространение индуцированных оптическими фононами электрических полей в полупроводниковых ге-тероструктурах, Оптика и спектр., 2006, т. 100, в. 2, с. 274−281.
  40. И. Д. Рухленко, А. В. Федоров, Резонансная фотолюминесценция квантовых точек: Динамика электронной подсистемы, Известия РАН, Серия Физическая, 2006, т. 70, в. 1, с. 111−113.
  41. И. Д. Рухленко, А. В. Федоров, Проникновение электрических полей поверхностных фононных люд в слои полупроводниковой гетеро-структуры, Оптика и спектр., 2006, т. 101, в. 2, с. 268−279.
  42. А. В. Федоров, И. Д. Рухленко, Исследование электронной динамики квантовых точек методом резонансной фотолюминесценции, Оптика и спектр., 2006, т. 100, в. 5, с. 779−787.
  43. I. D. Rukhlenko, A. V. Fedorov, Investigation of electronic dynamics in quantum dots by means of resonant photoluminescence, ICONO/LAT 2005 Technical Digest on CD-ROM, St. Petersburg, Russia, 2005, IThU8.
  44. И. Д. Рухленко, А. В. Федоров, Резонансная фотолюминесценция квантовых точек: Динамика электронной подсистемы, Труды конференции «Фундаментальные проблемы оптики 2004», Санкт-Петербург, Россия, 2004, с. 131−133.
  45. И. Д. Рухленко, Релаксация носителей заряда в квантовых точках с участием объемных плазмонных мод легированных компонент ге-тероструктур, Труды межвузовской конференции молодых ученых, Санкт-Петербург, Россия, 2006.
  46. Y. Arakawa, Н. Sakaki, Multidimensional quantum well laser and temperature-dependence of its threshold current, Appl. Phys. Lett., 1982, v. 40, n. 11, p. 939−941.
  47. Y. Arakawa, H. Sakaki, M. Nishioka, H. Okamoto, N. Miura, Spontaneous emission characteristics of quantum well lasers in strong magnetic-fields an approach to quantum-well-box light-source, Jpn. J. Appl. Phys., 1983, v. 22, n. 12, p. L804-L806.
  48. Y. Arakawa, A. Yariv, Quantum well lasers-gain, spectra, dynamics, IEEE J. Quantum Electron., 1986, v. 22, n. 9, p. 1887−1899.
  49. M. Asada, Y. Miyamoto, Y. Suematsu, Gain and the threshold of three-dimensional quantum-box lasers, IEEE J. Quantum Electron., 1986, v. 22, n. 9, p. 1915−1921.
  50. M. Notomi, M. Naganuma, T. Nishida, T. Tamamura, H. Iwamura, S. Nojima, M. Okamoto, Clear energy level shift in ultranarrow InGaAs/InPquantum well wires fabricated by reverse mesa chemical etching, Appl. Phys. Lett., 1991, v. 58, n. 7, p. 720−722.
  51. U. Bockelmann, G. Bastard, Phonon scattering and energy relaxation in two-, one-, and zero-dimensional electron gases, Phys. Rev. B, 1990, v. 42, n. 14, p. 8947−8951.
  52. H. Benisty, C. M. Sotomayor-Torres, C. Weisbuch, Intrinsic mechanism for the poor luminescence properties of quantum-box systems, Phys. Rev. B, 1991, v. 44, n. 19, p. 10 945−10 948.
  53. D. Bimberg, M. Grundmann, N. N. Ledentsov, Quantum dot heterostructures, John Wiley, New York, 1999.
  54. M. Sugawara, K. Mukai, H. Shoji, Effect of phonon bottleneck on quantum-dot laser performance, Appl. Phys. Lett., 1997, v. 71, n. 19, p. 2791−2793.
  55. M. Sugawara, Self-assembled InGaAs/GaAs quantum dots: Semiconductors and semimetals, Academic Press, London, 1999.
  56. U. Bockelmann, Exciton relaxation and radiative recombination in semiconductor quantum dots, Phys. Rev. B, 1993, v. 48, n. 23, p. 17 637−17 640.
  57. H. Benisty, Reduced electron-phonon relaxation rates in quantum-box systems: Theoretical analysis, Phys. Rev. B, 1995, v. 51, n. 19, p. 13 281−13 293.
  58. K. Brunner, U. Bockelmann, G. Abstreiter, M. Walther, G. Bohm, G. Trankle, G. Weimann, Photoluminescence from a single GaAs/AlGaAs quantum dot, Phys. Rev. Lett., 1992, v. 69, n. 22, p. 3216−3219.
  59. P. D. Wang, C. M. Sotomayor Torres, H. McLelland, S. Thorns, M. Holland, C. R. Stanley, Photoluminescence intensity and multiple phonon Raman scattering in quantum dots: Evidence of the bottleneck effect, Surf. Sci., 1994, v. 305, p. 585−590.
  60. H. Lipsanen, M. Sopanen, J. Ahopelto, Luminescence from excited states in strain-induced InxGa-xAs quantum dots, Phys. Rev. B, 1995, v. 51, n. 19, p. 13 868−13 871.
  61. K. Mukai, N. Ohtsuka, H. Shoji, M. Sugawara, Phonon bottleneck in self-formed InxGa-xAs/GaAs quantum dots by electroluminescence and time-resolved photoluminescence, Phys. Rev. B, 1996, v. 54, n. 8, p. R5243-R5246.
  62. G. Wang, S. Fafard, D. Leonard, J. E. Bowers, J. L. Merz, P. M. PetrofT, Time-resolved optical characterization of InGaAs/GaAs quantum dots, Appl. Phys. Lett., 1994, v. 64, n. 21, p. 2815−2817.
  63. J. Oshinowo, M. Nishioka, S. Ishida, Y. Arakawa, Highly uniform InGaAs/GaAs quantum dots (similar-to-15 nm) by metalorganic chemical-vapor-deposition, Appl. Phys. Lett., 1994, v. 65, n. 11, p. 1421−1423.
  64. B. Ohnesorge, M. Albrecht, J. Oshinowo, A. Forchel, Y. Arakawa, Rapid carrier relaxation in self-assembled InxGa-xAs/GaAs quantum dots, Phys. Rev. B, 1996, v. 54, n. 16, p. 11 532−11 538.
  65. U. Woggon, H. Giessen, F. Gindele, 0. Wind, B. Fluegel, N. Peyghambarian, Ultrafast energy relaxation in quantum dots, Phys. Rev. B, 1996, v. 54, n. 24, p. 17 681−17 690.
  66. M. Vollmer, E. J. Mayer, W. W. Ruhle, A. Kurtenbach, K. Eberl, Exciton relaxation dynamics in quantum dots with strong confinement, Phys. Rev. B, 1996, v. 54, n. 24, p. R17292-R17295 .
  67. U. Bockelmann, W. Heller, A. Filoramo, Ph. Roussignol, Microphotoluminescence studies of single quantum dots. I. Time-resolved experiments, Phys. Rev. B, 1997, v. 55, n. 7, p. 4456−4468.t,
  68. R. Heitz, M. Veit, N. N. Ledentsov, A. Hoffman, D. Bimberg, V. M. Ustinov, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, Energy relaxation by multiphonon processes in InAs/GaAs quantum dots, Phys. Rev. B, 1997, v. 56, n. 16, p. 10 435−10 445.
  69. T. S. Sosnowski, T. B. Norris, H. Jiang, J. Singh, K. Kamath, P. Bhattacharya, Rapid carrier relaxation in InQ^Ga^^As/GaAs quantum dots characterized by differential transmission spectroscopy, Phys. Rev. B, 1998, v. 57, n. 16, p. R9423-R9426.
  70. T. Inoshita, H. Sakaki, Electron relaxation in a quantum dot: Significanceof multiphonon processes, Phys. Rev. B, 1992, v. 46, n. 11, p. 7260−7263.
  71. T. Inoshita, H. Sakaki, Electron-phonon interaction and the so-called phonon bottleneck effect in semiconductor quantum dots, Physica B, 1996, v. 227, p. 373−377.
  72. T. Inoshita, H. Sakaki, Density of states and phonon-induced relaxation of electrons in semiconductor quantum dots, Phys. Rev. B, 1997, v. 56, n. 8,• p. R4355-R4358.
  73. B. D. McCombe, A. Petrou, Handbook on Semiconductors, Elsevier, Amsterdam, 1994.
  74. U. Bockelmann, T. Egeler, Electron relaxation in quantum dots by means of Auger processes, Phys. Rev. B, 1992, v. 46, n. 23, p. 15 574−15 577.
  75. P. G. Klemens, Solid state physics, ed. by F. Seits and D. Turnbull, v. 7, Academic, New York, 1958.
  76. X-Q. Li, Y. Arakawa, Anharmonic decay of confined optical phonons in quantum dots, Phys. Rev. B, 1998, v. 57, n. 19, p. 12 285−12 290.
  77. X-Q. Li, H. Nakayama, Y. Arakawa, Phonon bottleneck in quantum dots: Role of lifetime of the confined optical phonons, Phys. Rev. B, 1999, v. 59, n. 7, p. 5069−5073.
  78. G. Kallen, Quantum electrodynamics, Springer-Verlag, New York, 1972.
  79. P. C. Sercel, Multiphonon-assisted tunneling through deep levels: A rapid energy-relaxation mechanism in nonideal quantum-dot heterostructures, Phys. Rev. B, 1995, v. 51, n. 20, p. 14 532−14 541.
  80. D. F. Schroeter, D. J. Griffiths, P. C. Sercel, Defect-assisted relaxation in quantum dots at low temperature, Phys. Rev. B, 1996, v. 54, n. 3, p. 1486−1489.
  81. X-Q. Li, Y. Arakawa, Ultrafast energy relaxation in quantum dots through defect states: A lattice-relaxation approach, Phys. Rev. B, 1997, v. 56, n. 16, p. 10 423−10 427.
  82. J. Shah, B. Deveaud, T. C. Damen, W. T. Tsang, A. C. Gossard, P. Lugli, Determination of intervalley scattering rates in GaAs by subpicosecond luminescence spectroscopy, Phys. Rev. Lett., 1987, v. 59, n. 19, p. 2222−2225.
  83. W. Hackenberg, G. Fasol, H. Kano, Hot electron scattering with cold plasma in GaAs from CW hot electron luminescence spectroscopy, Semicond. Sci. Technol, 1992, v. 7, n. 3B, p. B26-B28.
  84. G. F. Giuliani, J. J. Quinn, Lifetime of a quasiparticle in a two-dimensional electron gas, Phys. Rev. B, 1982, v. 26, n. 8, p. 4421−4428.
  85. J. F. Young, P. J. Kelly, N. L. Henry, Quantitative evaluation of the energy-loss rate of hot electrons to cool electron-hole plasmas including dynamic screening and intervalence band processes, Semicond. Sci. Technol., 1992, v. 7, n. 3B, p. B148-B150.
  86. J. F. Young, P. J. Kelly, Many-body treatment of hot-electron scattering from quasiequilibrium electron-hole plasmas and coupled plasmon-longitudinal-optic-phonon modes in GaAs, Phys. Rev. B, 1993, v. 47, n. 11, p. 6316−6329.
  87. B. Yu-Kuang Hu, S. Das Sarma, Finite temperature inelastic scattering in a doped polar semiconductor, Semicond. Sci. Technol., 1992, v. 7, n. 3B, p. B305-B307.
  88. Al. L. Efros, V. A. Kharchenko, M. Rosen, Breaking the phonon bottleneck in nanometer quantum dots: Role of Auger-like processes, Solid State Commun., 1995, v. 93, n. 4, p. 281−284.
  89. A. V. Baranov, A. V. Fedorov, I. D. Rukhlenko, Y. Masumoto, New mechanism ofintraband carrier relaxation in quantum dots, Physica Status Solidi ©, 2003, v. 0, n. 4, p. 1217−1200.
  90. A. V. Baranov, A. V. Fedorov, I. D. Rukhlenko, Y. Masumoto, Intraband carrier relaxation in quantum dots embedded in doped heterostructures, Phys. Rev. B, 2003, v. 68, n. 20, p. 205 318-(l-7).
  91. А. V. Fedorov, А. V. Baranov, I. D. Rukhlenko, Y. Masumoto, New many-body mechanism of intraband carrier relaxation in quantum dots embeddedt in doped heterostructures, Solid State Commun., 2003, v. 128, p. 219−223.
  92. F. Bloch, Bremsvermogen von atomen mit mehreren elektronen, Z. Phys., 1933, v. 81, p. 363−376.
  93. JI. Д. Ландау, E. M. Лифшиц, Гидродинамика, Москва, Наука, 1986.
  94. А. И. Ансельм, Введение в теорию полупроводников, Москва, Наука, 1978.
  95. Yu. L. Klimontovich, Statistical physics, Harwood Academic, Chur, i Switzerland, 1986.
  96. I. Tokatly, 0. Pankratov, Hydrodynamic theory of an electron gas, Phys. Rev. B, 1999, v. 60, n. 23, p. 15 550−15 553.
  97. I. V. Tokatly, O. Pankratov, Hydrodynamics beyond local equilibrium: Application to electron gas, Phys. Rev. B, 2000, v. 62, n. 4, p. 2759−2772.
  98. M. P. Chamberlain, M. Cardona, В. K. Ridley, Optical modes in GaAs/AlAs superlattices, Phys. Rev. B, 1993, v. 48, n. 19, p. 14 356−14 364.
  99. C. Trallero-Giner, F. Comas, F. Garcia-Moliner, Polar optical modes andelectron-phonon interaction in semiconductor nanostructures, Phys. Rev. B, 1994, v. 50, n. 3, p. 1755−1759.
  100. F. Comas, C. Trallero-Giner, and M. Cardona, Continuum treatment of phonon polaritons in semiconductor heterogeneous structures, Phys. Rev. B, 1997, v. 56, n. 7, p. 4115−4127.
  101. Ф. M. Морс, Г. Фешбах, Методы теоретической физики, Москва, ИЛ, 1958. ш 1
  102. Оптика наноструктур, под ред. А. В. Федорова, Санкт-Петербург, Недра, 2005.
  103. S. Mukamel, Principles of nonlinear optical spectroscopy, Oxford University Press, New York, 1995.
  104. В. Демтредер, Лазерная спектроскопия. Основные принципы и техника эксперимента, Москва, Наука, 1985.
  105. И. Р. Шен, Принципы нелинейной оптики, Москва, Наука, 1989.
  106. Y. Masumoto, Т. Kawazoe, Т. Yamamoto, Observation of persistent spectral hole burning in CuBr quantum dots, Phys. Rev. B, 1995, v. 52, n. 7, p. 4688−4691.
  107. Y. Masumoto, S. Okamoto, T. Yamamoto, T. Kawazoe, Persistent spectral hole-burning phenomenon of semiconductor quantum dots, Physica Status Solidi (b), 1995, v. 188, n. 1, p. 209−219.
  108. J. Qi, Y. Masumoto, Spectral hole burning in CdS nanocrystals embedded in polyvinyl alcohol, Solid State Commun., 1996, v. 99, n. 7, p. 467−472.
  109. Y. Masumoto, Persistent hole burning in semiconductor nanocrystals, J. Lumin., 1996, v. 70, n. 1−6, p. 386−399.
  110. K. Naoe, L. G. Zimin, Y. Masumoto, Persistent spectral hole burning in semiconductor nanocrystals, Phys. Rev. B, 1994, v. 50, n. 24, p. 18 200−18 210.
  111. Y. Masumoto, K. Kawabata, T. Kawazoe, Quantum size effect and persistent hole burning of Cul nanocrystals, Phys. Rev. B, 1995, v. 52, n. 11, p. 7834−7837.
  112. Y. Masumoto, K. Sonobe, Size-dependent energy levels of CdTe quantum dots, Phys. Rev. B, 1997, v. 56, n. 15, p. 9734−9737.
  113. W. H. Hesselink, D. A. Wiersma, Picosecond photon echoes stimulated from an accumulated grating, Phys. Rev. Lett., 1979, v. 43, n. 27, p. 1991−1994.
  114. N. Morita, T. Yajima, Ultrahigh-time-resolution coherent transient spectroscopy with incoherent light, Phys. Rev. A, 1984, v. 30, n. 5, p. 2525−2536.
  115. R. Beach, S. R. Hartmann, Incoherent photon echoes, Phys. Rev. Lett., 1984, v. 53, n. 7, p. 663−666.
  116. S. Asaka, N. Nakatsuka, M. Matsuoka, Accumulated photon echoes with incoherent light in NcP±doped silicate glass, Phys. Rev. A, 1984, v. 29, n.4, p. 2286−2289.
  117. T. Kobayashi, A. Terasaki, T. Hattori, K. Kurokawa, The application of incoherent light for the study of femtosecond-picosecond relaxation in condensed phase, Appl. Phys. B, 1988, v. 47, n. 2, p. 107−125.
  118. A. V. Baranov, V. G. Davydov, A. V. Fedorov, M. Ikezawa, H.-W. Ren,
  119. Sugou, Y. Masumoto, Interferometric coherence measurement of stress-induced InxGa-xAs/GaAs quantum dots at the resonant-luminescence phonon sideband, Phys. Rev. B, 2002, v. 66, n. 7, p. 75 326-(l-7).
  120. Y. Masumoto, Homogeneous width of confined excitons in quantum dots experimental, in 23], p. 325−351.
  121. А. В. Федоров, А. В. Баранов, Y. Masumoto, Когерентный контроль резонансного вторичного свечения: полупроводниковые квантовые точки, Оптика и спектр., 2002, т. 92, в. 5, с. 797−803.
  122. А. В. Федоров, А. В. Баранов, Y. Masumoto, Когерентный контроль резонансного вторичного свечения с участием оптических фононов вполупроводниковых квантовых точках, Оптика и спектр., 2002, т. 93, в. 1, с. 56−65.
  123. А. В. Федоров, А. В. Баранов, Y. Masumoto, Когерентный контроль термализованной люминесценции полупроводниковых квантовых точек, Оптика и спектр., 2002, т. 93, в. 4, с. 604−608.
  124. V. A. Shchukin, D. Bimberg, Spontaneous ordering of nanostructures on crystal surfaces, Rev. of Mod. Phys., 1999, v. 71, n. 4, p. 1125−1171.
  125. А. В. Федоров, А. В. Баранов, Релаксация носителей заряда в квантовых точках с участием плазмон-фононных мод, ФТП, 2004, т. 38, в. 9, с. 1101−1109.
  126. А. В. Федоров, А. В. Баранов, Внутризонная релаксация носителей заряда в квантовых точках с участием поверхностных плазмон-фононных возбуждений, Оптика и спектр., 2004, т. 97, в. 1, с. 63−74.
  127. R. Fuchs, К. L. Kliewer, Optical modes of vibration in an ionic crystal slab, Phys. Rev., 1965, v. 140, п. 6A, p. A2076-A2088.
  128. W. E. Jones, R. Fuchs, Surface modes of vibration and optical properties of an ionic crystal slab, Phys. Rev. B, 1971, v. 4, n. 10, p. 3581−3603.
  129. S. K. Yip, Y. C. Chang, Theory of phonon dispersion relations in semiconductor superlattices, Phys. Rev. B, 1984, v. 30, n. 12, p. 7037−7059.
  130. M. S. Kushwaha, B. Djafari-Rouhani, Green-function theory of plasmons in two-dimensional semiconductor structures: Zero magnetic field, Phys. Rev. B, 1998, v. 57, n. 20, p. 13 020−13 032.
  131. S. Das Sarma, J. J. Quinn, Collective excitations in semiconductor superlattices, Phys. Rev. B, 1982, v. 25, n. 12, p. 7603−7618.
  132. E. Roca, С. Trallero-Giner, М. Cardona, Polar optical vibrational modes in quantum dots, Phys. Rev. B, 1994, v. 49, n. 19, p. 13 704−13 711.
  133. Clement Kanyinda-Malu, Rosa Maria de la Cruz, Interface and longitudinal optical phonon modes in cylindrical quantum dots, Phys. Rev. B, 1999, v. 59, n. 3, p. 1621−1624.
  134. C. Ammann, M. A. Dupertuis, U. Bockelmann, B. Deveaud, Electron relaxation by LO phonons in quantum wires: An adiabatic approach, Phys. Rev. B, 1997, v. 55, n. 4, p. 2420−2428.
  135. А. И. Белогорохов, Jl. И. Белогорохова, Оптические фононы в цилиндрических нитях пористого GaP, ФТТ, 2001, т. 43, в. 9, с. 1693−1697.
  136. L. Chico, R. Perez-Alvarez, Continuum model for long-wavelength optical phonons in cylinders: Application to carbon nanotubes, Phys. Rev. B, 2004, v. 69, n. 3, p. 35 419-(l-6).
  137. Shi Jun-jie, Pan Shao-hua, Surface and interface optical-phonon modes in a finite double heterostructure of polar crystals, Phys. Rev. B, 1992, v. 46, n. 7, p. 4265−4268.
  138. В. K. Ridley, Optical-phonon tunneling, Phys. Rev. B, 1994, v. 49, n. 24, p. 17 253−17 258.
  139. В. K. Ridley, O. Al-Dossary, N. C. Constantinou, M. Babiker, Continuum model of the optical modes of vibration of an ionic crystal slab, Phys. Rev. B, 1994, v. 50, n. 16, p. 11 701−11 709.
  140. F. Comas, H. Calas, C. Trallero-Giner, Radiative phonon polaritons in semiconductor double heterostructures: A continuum approach, Phys. Rev. B, 1999, v. 60, n. 11, p. 8238−8245.
  141. Fernando de Leon-Perez, Rolando Perez-Alvarez, Long-wavelength nonpolar optical modes in semiconductor heterostructures: Continuum phenomenological model, Phys. Rev. B, 2000, v. 61, n. 7, p. 4820−4826.
  142. Fernando de Leon-Perez, Rolando Perez-Alvarez, Phonon propagation in nonpolar semiconductor heterostructures, Phys. Rev. B, 2001, v. 63, n. 24, p. 245 304-(l-9).
  143. Fernando de Leon-Perez, Rolando Perez-Alvarez, Optical phonons in mixed nonpolar-polar heterostructures, Phys. Rev. B, 2000, v. 62, n. 15, p. 9915−9918.
  144. N. Mori, T. Ando, Electron optical-phonon interaction in single and double heterostructures, Phys. Rev. B, 1989, v. 40, n. 9, p. 6175−6188.
  145. S. Le Goff, B. Stebe, Influence of longitudinal and lateral confinements on excitons in cylindrical quantum dots of semiconductors, Phys. Rev. B, 1993, v. 47, n. 3, p. 1383−1391.
  146. J. Song, S. E. Ulloa, Geometrical-confinement effects on excitons in quantum disks, Phys. Rev. B, 1995, v. 52, n. 12, p. 9015−9022.
  147. P. Matagne, J.-P. Leburton, Three-dimensional analysis of the electronic structure of cylindrical vertical quantum dots, Phys. Rev. B, 2002, v. 65, n. 23, p. 235 323-(l-12).
  148. JI. Д. Ландау, E. M. Лифшиц, Электродинамика сплошных сред, Москва, Наука, 1982.
  149. I. V. Ignatiev, I. Е. Kozin, S. V. Nair, H.-W. Ren, S. Sugou, Y. Masumoto, Carrier relaxation dynamics in InP quantum dots studied by artificial control of nonradiative losses, Phys. Rev. B, 2000, v. 61, n. 23, p. 15 633−15 636.
  150. I. V. Ignatiev, I. E. Kozin, V. G. Davydov, S. V. Nair, J.-S. Lee, H.-W. Ren, S. Sugou, Y. Masumoto, Phonon resonances in photoluminescencespectra of self-assembled quantum dots in an electric field, Phys. Rev. B, 2001, v. 63, n. 7, p. 75 316-(1−11).
  151. F. Gindele, K. Hild, W. Langbein, U. Woggon, Phonon interaction of single excitons and biexcitons, Phys. Rev. B, 1999, v. 60, n. 4, p. R2157-R2160.
  152. A. V. Baranov, V. G. Davydov, H.-W. Ren, S. Sugou, Y. Masumoto, Phonon-enhanced intraband transitions in InAs self-assembled quantum dots, J. Lumin., 2000, v. 87−89, p. 503−505.
  153. P. A. Knipp, T. L. Reinecke, Classical interface modes of quantum dots, Phys. Rev. B, 1992, v. 46, n. 16, p. 10 310−10 320.
  154. R. M. de la Cruz, Electron relaxation by interface phonon modes in quantum dots, Superlattices and Microstructures, 1994, v. 16, n. 4, p. 427−431.
  155. G. Biese, C. Schuller, K. Keller, C. Steinebach, D. Heitmann, P. Grambow, K. Eberl, Coupling of lateral and vertical electron motion in GaAs-AlxGa-xAs quantum wires and dots, Phys. Rev. B, 1996, v. 53, n. 15, p. 9565−9567.
  156. S. Sauvage, P. Boucaud, R. P. S. M. Lobo, F. Bras, G. Fishman, R. Prazeres, F. Glotin, J. M. Ortega, J.-M. Gerard, Long polaron lifetime in InAs/GaAs self-assembled quantum dots, Phys. Rev. Lett., 2002, v. 88, n. 17, p. 177 402-(l-4).
  157. A. V. Fedorov, A. V. Baranov, Y. Masumoto, Acoustic phonon problem in nanocrystal-dielectric matrix systems, Solid State Commun., 2002, v, 122, p. 139−144.
  158. A. V. Uskov, K. Nishi, R. Lang, Collisional broadening and shift of spectral lines in quantum dot lasers, Appl. Phys. Lett., 1999, v. 74, n. 21, p. 3081−3083.
  159. D. Gammon, E. S. Snow, E. S. Shanabrook, D. S. Katzer, D. Park, Homogeneous linewidths in the optical spectrum of a single Gallium Arsenide quantum dot, Science, 1996, v. 273, n. 5271, p. 87−90.
  160. L. Besombes, K. Kheng, L. Marshal, H. Mariette, Acoustic phonon broadening mechanism in single quantum dot emission, Phys. Rev. B, 2001, v. 63, n. 15, p. 155 307-(l-5).
  161. P. Borri, W. Langbein, S. Schneider, U. Woggon, R. L. Sellin, D. Ouyang, n
  162. D. Bimberg, Ultralong dephasing time in InGaAs quantum dots, Phys. Rev. Lett., 2001, v. 87, n. 15, p. 157 401-(l-4).
  163. M. Bayer, A. Forchel, Temperature dependence of the exciton homogeneous linewidth in InGaAs/GaAs self-assembled quantum dots, Phys. Rev. B, 2002, v. 65, n. 4, p. 41 308-(l-4).
  164. R. H. Ritchie, R. E. Wilems, Photon-plasmon interaction in a nonuniform electron gas. I, Phys. Rev., 1969, v. 178, n. 1, p. 372−381.
  165. J. Harris, Surface-plasmon dispersion: A comparison of microscopic and hydrodynamic theories, Phys. Rev. B, 1971, v. 4, n. 4, p. 1022−1027.
  166. L. Kleinman, Improved hydrodynamic theory of surface plasmons, Phys. Rev. B, 1973, v. 7, n. 6, p. 2288−2292.
  167. E. Evans, D. L. Mills, Interacrtion of slow electrons with the surface of a model dielectric: Theory of surface polarons, Phys. Rev. B, 1973, v. 8, n. 8, p. 4004−4018.
  168. H. Kind, H. Yan, B. Messer, M. Law, P. Yang, Nanowire ultraviolet photodetectors and optical switches, Adv. Mater., 2002, v. 14, n. 2, p. 158−160.
  169. Web-site «Intel Corporation»: www.intel.com
  170. К. H. Schmidt, G. Medeiros-Ribciro, M. Oestreich, P. M. Petroff, G. H. Dohler, Carrier relaxation and electronic structure in InAs self-assembled quantum dotsf Phys. Rev. B, 1996, v. 54, n. 16, p. 11 346−11 353.
  171. К. Блум, Теория матрицы плотности и ее приложения, Москва, Мир, 1983.
  172. U. Fano, Lectures on the many-body problem, Academic Press, v. 2, New York, 1964.
  173. W. Heitler, The quantum theory of radiation, Clarendon press, Oxford, 1954.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?