Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Разработка и исследование однокристальных пороговых магниточувствительных микросхем на основе магниторезистивных элементов

Диссертация: Разработка и исследование однокристальных пороговых магниточувствительных микросхем на основе магниторезистивных элементов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Существует несколько типов датчиков, магнитного поля, различающихся по принципу функционирования. В силу относительной, простоты изготовления. по интегральной технологии широко распространены датчики Холла, которые имеют небольшую стоимость и высокую надежность. Однако они. имеют ряд недостатков, главным из которых является относительно низкая чувствительность. Среди датчиков, которые могут… Читать ещё >

Содержание

  • Общая характеристика работы
  • Глава I. Тенденции и проблемы развития магниточувствительных микросхем
    • 1. 1. Виды датчиков магнитного поля, преимущества анизотропных магниторезистивных датчиков
    • 1. 2. Физические принципы и конструкция магниторезистивных датчиков
    • 1. 3. Выводы и постановка задачи
  • Глава II. Разработка и исследование однокристальных магниточувствительных микросхем на основе магниторезистивных элементов
    • 2. 1. Моделирование магниторезистивного элемента
      • 2. 1. 1. Конструкция и технология изготовления моделируемого магниторезистивного элемента
      • 2. 1. 2. Модель магниторезистивного элемента, учитывающая нелинейные эффекты
      • 2. 1. 3. Результаты моделирования
      • 2. 1. 4. Экспериментальные характеристики магниторезистивного моста
    • 2. 2. Разработка однокристального магниторезистивного датчика
      • 2. 2. 1. Модель магниторезистивного элемента для системы автоматического проектирования
      • 2. 2. 2. Разработка схемы датчика
      • 2. 2. 3. Температурная компенсации микросхемы
      • 2. 2. 4. Однокристальный магниторезистивный датчик
    • 2. 3. Выводы
  • Глава III. Оценка количества выхода годных кристаллов интегральных магниточувствительных микросхем на основе магниторезистивных элементов
  • Глава IV. Разработка и исследование микросхемы управления бесконтактным двигателем
    • 4. 1. Проектирование микросхемы управления бесконтактным двигателем на основе магниторезистивного моста
    • 4. 2. Проектирование микросхемы управления бесконтактным двигателем на основе интегрированного MP моста и датчика Холла

Разработка и исследование однокристальных пороговых магниточувствительных микросхем на основе магниторезистивных элементов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

В* современном информационном обществе цифроваяобработка сигналов проникает практически во все аспекты жизнедеятельности человека. Такая обработка неразрывно связана приборами, регистрирующими наличие или изменение сигнала — с датчиками. Среди многообразия различных датчиков важную роль играют датчики магнитного поля. Длярешения* многих бытовых, промышленных или научных задач необходимы датчики магнитного поля, регистрирующие его наличие — пороговые магниточувствительные схемы.

Массовое внедрение магниточувствительных схем, требует их удешевления и возможности внедренияв системы-на-кристалле, для. построения комплексов цифровой обработки* сигналов. Дляэтого они. должны выполнятся в, виде одного кристалла, быть стойкими к технологическим и эксплуатационным разбросам и обладать малыми' размерами.'.

Существует несколько типов датчиков, магнитного поля, различающихся по принципу функционирования. В силу относительной, простоты изготовления. по интегральной технологии широко распространены датчики Холла, которые имеют небольшую стоимость и высокую надежность. Однако они. имеют ряд недостатков, главным из которых является относительно низкая чувствительность. Среди датчиков, которые могут производиться по интегральной технологии, существенно более высокую чувствительность имеют датчики на основе анизотропного магниторезистивного эффекта.

В’связи с этим перспективным является разработка методов и решений, позволяющих спроектировать и внедрить в массовое производство однокристальные магниточувствительные микросхемы на основе магниторезистивных элементов, обладающих малыми размерами и, энергопотреблением, и стойких к технологическим и эксплуатационным разбросам.

Цель диссертационной работы состоит в разработке методов проектирования и исследования однокристальных пороговых магниточувствительных микросхем на основе магниторезистивных элементов, ориентированных на массовое производство.

Задачи исследования. Для достижения поставленной цели в работе необходимо решить следующие задачи:

1. Разработать модель магниторезистивного элемента для повышения точности расчета нелинейных эффектов в пороговых датчиках магнитного поля.

2. Разработать модель магниторезистивного элемента для системы автоматического проектирования (SPICE).

3. Разработать метод стабилизации температурного дрейфа уровня переключения однокристальных пороговых магниточувствительных микросхем.

4. Разработать схемотехнические и топологические решения пороговых магниточувствительных микросхем, минимизирующих влияние технологического разброса.

5. Разработать метод оценки коэффициента выхода годных кристаллов пороговых магниточувствительных микросхем.

6. Экспериментальная проверка разработанных методов и решений на примере проектирования, изготовления и исследования характеристик серии магниточувствительных микросхем.

Научная новизна работы состоит в следующем:

1. Предложена модель, учитывающая нелинейные эффекты, связанные с насыщением и остаточной намагниченностью магниторезистивного мостового элемента.

2. Разработана модель магниторезистивного элемента для системы автоматического проектирования на основе таблиц экспериментальных данных, которая позволяет учесть изменения передаточной характеристики с температурой и полярностью магнитного поля.

3. Предложен метод компенсации температурного дрейфа магниторезистивного мостового элемента температурным дрейфом схемы сравнения пороговых уровней.

4. Предложены новые конструктивные элементы топологии магниторезистивного моста, позволяющие минимизировать влияние технологического разброса. Разработана новая конструкция блока настройки порога срабатывания микросхемы с дополнительным температурным дрейфом.

5. Предложен метод оценки коэффициента выхода годных кристаллов пороговых магниточувствительных микросхем по тангенсу угла наклона передаточной характеристики магниторезистивного моста.

Практическая ценность работы.

1. Модель, учитывающая нелинейные эффекты, связанные с насыщением и остаточной намагниченностью магниторезистивного мостового элемента, позволяет оптимально выбирать геометрические и технологические параметры магниторезистивного моста для заданного значения порога переключения и контролировать качество его изготовления.

2. Использование предложенной модели магниторезистивного элемента на основе таблиц экспериментальных данных позволяет существенно повысить качество и сократить время проектирования пороговых магниточувствительных микросхем.

3. Разработанный метод температурной компенсации уровня переключения позволяет существенно расширить эксплуатационные характеристики однокристальных пороговых магниточувствительных микросхем.

4. Предложенные конструктивные элементы топологии магниторезистивного моста и конструкция блока настройки порога срабатывания микросхемы позволяют существенно повысить коэффициент выхода годных однокристальных пороговых магниточувствительных микросхем.

5. Разработанный метод оценки количества годных кристаллов на пластине позволяет оперативно контролировать качество технологического процесса производства микросхем и планировать объемы поставок пластин в условиях длительного производственного цикла.

6. Внедрение разработанной серии однокристальных пороговых магниточувствительных микросхем позволяет снизить себестоимость и улучшить эксплуатационные характеристики широкого спектра изделий бытового и промышленного назначения.

Внедрение. Результаты работы внедрены и легли в основу серийно выпускаемых микросхем пороговых датчиков магнитного поля К1446ЧЭ1/ЧЭ2, датчика движения металлических предметов, микросхемы управления бесконтактным двигателем, что подтверждено актом о внедрении.

Достоверность результатов. Достоверность разработанных методов и схемотехнических решений подтверждена результатами экспериментальных исследований тестовых образцов микросхем пороговых датчиков магнитного поля, а также результатами компьютерного моделирования с использованием верифицированных моделей элементов.

На защиту выносятся следующие основные положения;

1. Модель, учитывающая нелинейные эффекты, связанные с насыщением и остаточной намагниченностью магниторезистивного мостового элемента, повышает точность расчета пороговых датчиков магнитного поля, позволяя оптимально выбирать геометрические и технологические параметры магниторезистивного моста для заданного значения порога переключения.

2. Модель магниторезистивного элемента на основе таблиц экспериментальных повышает качество и сокращает сроки проектирования пороговых магниточувствительных микросхем.

3. Температурная компенсация уровня переключения микросхем температурным дрейфом схемы сравнения пороговых уровней расширяет эксплуатационные характеристики однокристальных пороговых магниточувствительных микросхем.

4.

Введение

фиктивных элементов в магниторезистивый мост и перекрытия металлом контактов к магниторезистивному элементу вместе с подстройкой пережигаемыми перемычками порогового уровня существенно повышает коэффициент выхода годных в условиях массового производства.

5. Оценить коэффициент выхода годных кристаллов пороговых магниточувствительных микросхем позволяет тангенс угла наклона передаточной характеристики магниторезистивного моста.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на 1-й окружной научно-технической конференции молодых ученых и специалистов — 2009 (г. Москва, февраль, 2009 г.) и 16-ой Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика — 2009» (г. Москва, апрель 2009 г.).

Публикации. Результаты диссертационной работы отражены в 3-х статьях и тезисах 6-ти докладов на научно-технических конференциях.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка используемой литературы. Диссертация изложена на 111 листах основного текста, содержит 65 рисунков и 12 таблиц к основному тексту, списка литературы из 104 наименований.

Результаты работы внедрены и легли в основу серийно выпускаемых микросхем пороговых датчиков магнитного поля К1446ЧЭ1/ЧЭ2, датчика движения металлических предметов, микросхемы управления бесконтактным двигателем, что подтверждено актом о внедрении. Достоверность разработанных методов и схемотехнических решений подтверждена результатами экспериментальных исследований тестовых образцов микросхем пороговых датчиков магнитного поля, а также результатами компьютерного моделирования с использованием верифицированных моделей элементов.

ВЫВОДЫ И ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ.

В процессе выполнения работы предложены схемотехнические и топологические методы и решения, которые позволяют существенно улучшить технико-экономические показатели магниточувствительных микросхем.

Показать весь текст

Список литературы

  1. S. Tumanski, «Thin Film Magnetoresistive Sensors», IOP Publishing Ltd, 2001.
  2. Honeywell, Product specification HMC1001/1002- HMC1021/1022.
  3. Philips, Product specification KMZ51, KMZ41.
  4. NEC, Product specification MRSS22L.
  5. S. Andreev, P. Dimitrova, «Anisotropic magnetoresistance integrated sensors», J. Optoelectron. Adv. Mater. 7(1), p. 199−206, February 2005.
  6. С.И., Васильева Н. П., Муравьев A.M. Спинтронные магниторезистивные элементы и приборы на их основе. М., 2005. 168 с.
  7. Tanaka Т et al 1990 Anisotropic magnetoresistance and Hall effects for NiFeM alloy thin films IEEE Trans. Magn. 26 2418−2420.
  8. Collins A J and Sanders I L 1978 The magnetoresistance effect in nonmagnetostrictive NiFeCo films Thin Solid Films 48 247−255.
  9. Chapman V В et al 1981 The effect of substrate temperature on the magnetic and structural properties of NiFe thin films deposited in ultrahigh and ordinary vacuum Thin Solid Films 76 77−82.
  10. Ciureanu P and Korony G 1988 Effect of annealing and geometry optimization on a thin magnetoresistive head Sensors and Actuators 13 229−241.
  11. В.И., Кобзев Ю. М. Проектирование аналоговых КМОП -микросхем. Краткий справочник разработчика. /Под редакцией Эннса В. И. Москва, Горячая линия Телеком. — 2005 г.- 454 с.
  12. Bilotti, A.- Monreal, G.- Vig, R. Monolithic magnetic Hall sensor using dynamic quadrature offsetcancellation. Solid-State Circuits, IEEE Journal of Volume 32, Issue 6, Jun 1997 Page (s):829 836.
  13. Hall effect sensing and application. Honeywell, MICRO SWITCH Sensing and Control. Honeywell Inc.
  14. Adeyeye AO et al' 1996 Size dependence of the magnetoresistance in submicron FeNi wires J. Appl. Phys. 6120−6122.
  15. Kees J., M. Eijkel, Jan H.J. Fluitman. Optimization of the response of magnetoresistive elements. IEEE Trans. Mag. Vol. 26, No. 1, January 1990.
  16. Caruso M J et al 1998 A new perspective on magnetic field sensing Sensors 34−46 MR SENSORS 147.
  17. Steven A. Macintyre. «Magnetic Field Measurement.»
  18. S. Andreev, J. Koprinarova, P. Dimitrova. Magnetic properties of thin film AMR sensor structures implemented by magnetization after anniling. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials Vol. 7, No. 1, February 2005, p. 317 — 320.
  19. Fluitman J H J 1973 The influence of sample geometry on the magnetoresistance of NiFe films Thin Solid Films 269—276.
  20. Доменные и магнитооптические запоминающие устройства. М.: Наука. 1977.-268 с.
  21. С.И., Васильева Н. П., Муравьев A.M. Многослойные тонкопленочные магниторезистивные элементы. Тула: Гриф. 2001. — 186 с.
  22. Miyazaki Т et al 1989 Dependence of magnetoresistance on thickness and substrate temperature for 82 NiFe alloy film J Magn. Magn. Mat. 86−90
  23. Mohri К et al 1997 Recent advances of micro magnetic sensors and sensing application Sensors and Actuators 1—8
  24. Moore G E et al 1972 Current density limitations in permalloy magnetic detectors AIP Conf. Proc. 217−221
  25. Kuijk К E et al 1975 The Barber pole, a linear magnetoresistive heads IEEE Trans. Magn. 11 1215−1217
  26. Nagata Y et al 1995 Barberpole type MR head stabilized by hard magnetic films IEEE Trans. Magn. 2648−2650
  27. Pant В В 1990 Scaling in thin magnetoresistive films J. Appl. Phys. 414−419
  28. Pant В В 1996 Design tradeoff for high sensitivity magnetoresistive transducers Electrochem. Soc. Proc. 62−76
  29. Petersen A 1986 The magnetoresistive sensor a sensitive device for detecting magnetic field variations Electr. Сотр. Appl. 222−239
  30. THIN FILM MAGNETORESISTIVE SENSORS
  31. Philips semiconductors data handbook or http://www-eu2.semiconductors.com
  32. Popovic R and Heidenreich W 1989 Magnetic sensors, Chapter 3, Magnetogalvanic sensors Sensors (VCH Publ) 44—92
  33. Ridder de R M 1988 Thin film magnetoresistive magnetometer Doctor’s thesis, University ofTwente (The Netherlands)
  34. Rottman F and Dettman F 1991 New magnetoresistive sensors: engineering and applications Sensors and Actuators -27 763−766
  35. Roux-Buisson H and Bruyere J С 1969 Magnetoresistance effect in thin magnetic structures J. Vac. Sc. Technol. 673−676
  36. Schewe H and Schelter W 1997 Industrial applications of magnetoresistive sensors Sensors and Actuators 165—167
  37. Sczaniecki Z et al 1974 Anisotropy of narrow stripes of thin ferromagnetic film Acta. Phys. Pol. 185−192
  38. Shiiki К and Mitsui Y 1994 Numerical analysis of the magnetization in soft AMR SENSORS 159
  39. Shiiki К et al 1996 Effect of anisotropy dispersion on magnetization process in" magnetoresistive sensor films J. Appl. Phys. 2590−2593
  40. Siemens A G Application notes or http://www.infineon.com
  41. Smith D О 1961 Anisotropy in nickel-iron films J. Appl. Phys. 70S-80S
  42. Smith N 1987 Micromagnetic analysis of a coupled thin film self biased magnetoresistive sensor IEEE Trans. Magn. 259−272
  43. Smith N 1988 A specific model for domain wall nucleation in thin film Permalloy microelements J. Appl. Phys. 2932−2937
  44. Smith N et al 1990 An improved thin film permanent magnet material and novel magnet design for magnetoresistive sensor biasing IEEE Trans. Magn. 2409−2411.
  45. Smith N et al 1991b A high sensitivity magnetoresistive magnetometer J! Appl. Phys. 5082−5084-
  46. Smith N et al 1992 Dual magnetoresistive head for very high density recording IEEE Trans. Magn. 2292−2294
  47. Stobiecki F 1978 The influence of the geometry of thin film MR elements on ! their parameters Doctor’s thesis, Warsaw University of Technology
  48. Takada A et al 1997 Vertical AMR sensor with new magnetic stabilizing (design IEEE Trans. Magn. 2932−2934
  49. Thomas G et al 1969 On the theory of the spin-orbit interaction in the magnetoresistivity effects in ferromagnetic metals Physica 407−417
  50. Tomlinson S L and Hill E W 1990 A micromagnetic model for the study ofmagnetoresistive devices IEEE Trans. Magn. 1662−1664
  51. Tsang С and Decker S К 1982 Study of domain formation in small permalloy magnetoresistive elements J. Appl. Phys. 2602−2604
  52. Tumanski S and Stabrowski M 1984 Optimization of the performance of a thin film permalloy magnetoresistive sensor IEEE Trans. Magn. 963−965
  53. Tumanski S 1984 A new type of thin film magnetoresistive magnetometer an analysis of circuit principles IEEE Trans. Magn. 1720−1722
  54. Tumanski S and Stabrowski M 1985 The optimization and design of magnetoresistive Barber-pole sensors Sensors and Actuators 7 285−295
  55. B.B., Кобзев Ю. М., Эннс В. И. Особенности проектирования интегральных магниточувствительных схем на основе магниторезистивных элементов, Известия ВУЗов. Электроника. № 6 2006. с. 56−64.
  56. В.В., Кобзев Ю. М., Тимошин С. А., Эннс В. И. Аналоговые схемы серии 1446. Компоненты и технологии. № 9, 2007. с. 58−60.
  57. В.В., КМОП датчик магнитного поля на основе магниторезистивного моста. //1-я окружная научно техническая конференция молодых ученых и специалистов. Москва, 2009. Тезисы докладов участников, с. 41.
  58. R. С. Jaklevic, J. Lambe, А. Н. Silver, and J. E. Mercereau, «Quantum Interference Effects in Josephson Tunneling», Phys. Rev. Letters, Vol. 12, No. 7, pp. 159- 160, 1964.
  59. Thomson W 1857 On the electrodynamic qualities of metals: effects of magnetization on the electric conductivity of nickel and iron Proc. Roy. Soc. 8 546−550
  60. Baubock G et al 1996 MR head wafer fabrication technology: current and future perspectives IEEE Trans. Magn. 32 25—30
  61. Kwiatkowski W and Tumanski S. The permalloy magnetoresisitve sensors -properties and applications, J. Phys. E 19 502−515 or Current advances in sensors, Chapter 12, The permalloy magnetoresistive sensors (London: Adam1. Hilger) 119−132
  62. B.B., Кобзев Ю. М., Эннс В. И. Линейный датчик температуры с низким напряжением питания, Известия ВУЗов. Электроника. № 1 2009. с. 5458.
  63. Bakker A., Huijsing J.H. Micropower CMOS temperature sensor with digital output // IEEE J. of Solid-State Circuits. July 1996. — Vol. 31. — P. 933−937.
  64. Szajda K.S., Sodini C.G., Bowman H.F. A low noise, high resolution silicon temperature sensor // IEEE J. of Solid-State Circuits. September, 1996. — Vol.31. -P. 1308−1313.
  65. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 1. Пер. с англ. М.: Мир, 1984. — 456 с.
  66. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 2. Пер. с англ. М.: Мир, 1984. — 456 с.
  67. Интегральные схемы. Операционные усилители. Том 1. Физматлит, 1993. 240 с.
  68. Ю.Ф. Аналоговая и цифровая электроника (Полный курс): Учебник для вузов / Под ред. О. П. Глудкина. — М.: Горячая линия Телеком, 2002. — 768 с.
  69. В.Н., Ногин В. Н. Схемотехника аналоговых электронных устройств: Учабник для вузов. М.: Горячая линия — Телеком, 2001. — 320 с.
  70. У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника: Справочное руководство. Пер. с нем. М.: Мир, 1982. — 512 с.
  71. Dabral S., Maloney Т. Dasic ESD and I/O Design. Wiley-Interscience, 1998.
  72. Hastings R.A. The art of Analog Layout. Prentice Hall, 2000.
  73. Hogervorst R., Huysing J. Design of Low-Voltage, Low-Power Operational Amplifier cells. Kluwer Academic Publishers, 1996.
  74. Johns D., Martin K. Analog Integrated Circuits Design. Wiley Text Books, 1997.
  75. Laker K.R., Sansen W.M. Design of Analog Integrated Circuits and Systems. -McGraw-Hill Higher Education, 1994.
  76. Sanchez-Sinencio E., Andreou A. Low-Voltage/Low-Power Integrated Circuits and Systems: Low-Voltage Mixed-Signal Circuits. Wiley-IEEE Press, 1998.
  77. .П., Корнеев B.JI. Интегрируя магнетизм в полупроводниковую электронику // УФН. 2005. Т. 176. № 6. С. 629−635.
  78. В.В. Дягилев, А. Н. Сауров, А. А. Резнев, С. И. Касаткин, A.M. Муравьев. Однослойные анизотропные магниторезистивные датчики магнитного поля и тока с наклонными полосками. // Микроэлектроника. Микроэлектроника. 2007.№ 2.С.87−103.
  79. В.В. Амеличев, А. И. Галушков, В. В. Дягилев, С. И. Касаткин, В. В. Лопатин, A.M. Муравьёв, А. А. Резнёв, А. Н. Сауров, B.C. Суханов Микроэлектронная магниторезистивная технология // Нано и микросистемная техника.2007.№З.С.22−26.
  80. С.И. Касаткин, Н. П. Васильева, A.M. Муравьёв, Н. В. Плотникова, Д. В. Вагин Магниторезистивные наноэлементы и приборы на их основе / Датчики и системы. 2008. № 4. С.6−9.
  81. С.И., Муравьёв А. М., Плотникова Н. В., Пудонин Ф. А., Ажаева JI.A., Ходжаев В. Д. Магниторезистивные датчики на основе многослойных тонкоплёночных структур / Микроэлектроника. 2005. № 1. С. 56−64.
  82. С.И., Муравьев A.M. Тонкопленочные магниторезистивные датчики // Электронные компоненты. 2003. № 3. С. 93−96.
  83. Н.П., Касаткин С. И., Муравьев A.M. MP датчики на тонких ферромагнитных пленках//Приборы и системы управления. 1993.№ 12.С.26−28
  84. С.И., Муравьев A.M., Васильева Н. П., Лопатин В. В., Попадинец Ф. Ф., Сватков А. В. Тонкопленочные многослойные датчики магнитного поля на основе анизотропного магниторезистивного эффекта // Микроэлектроника. 2000. № 2. С. 149−160.
  85. С.Х. Тонкопленочные магнитные преобразователи. М. Изд. Радио и связь. 1985. 208 с.
  86. Н.П., Касаткин С. И. Новые тенденции в разработке интегральных магниторезистивных элементов.// Датчики и системы. 2004. № 9. С. 55−66.
  87. Hebbert R.S., Schwee L.J. Thin film magnetometr // The Review of Scien. Instr. 1966. V. 37 N. 10. P. 1321−1323.
  88. Hoffman J.R., Hill E.V., Bartuastl J.K. Thin film magnetoresistive vector sensors with submicron gap width/ЛЕЕЕ Tran. Magn. 1983. V.20. N.5. P.957−959.
  89. Smith N., Jeffers F., Freeman J. A high-sensitivity magnetoresistive magnetometer // J. Appl. Phys. 1991. V. 69. N. 8. P. 5082−5083.
  90. Smith N., Jeffers F. Miniature high-sensitivity magnetoresistive magnetometer // Pat. PCT. 1992. # WO 92/1 945.
  91. Konno H et al 1989 A monolithic superminiature magnetoresistive sensor NEC Res. Dev. 93 11−16
  92. Konno H and Kataniwa H 1991 Integrated ferromagnetic MR sensors J. Appl. Phys. 69 5933−5935
  93. Kryder M H et al 1980 Magnetic properties and domain structures in narrow NiFe stripes IEEE Trans. Magn. 16 99−103
  94. Gill H S et al 1989 A magnetoresistive gradiometer for detection of perpendicularly recorded magnetic transitions J. Appl. Phys. 65 402−404
  95. Gordon D I et al 1977 A sensitive magnetoresistive power amplifier IEEE Trans. Magn. 13 110−112
  96. Hauser H et al 1998 Magnetoresistive Sensoren Elektr. und Informationstechnik 115 382—390
  97. Gangulee A et al 1974 Long term stability of magnetoresistive bubble detectors IEEE Trans. Mag>i. 10 848−851
  98. Gebhardt О and Richter W 1981 Self biased narrow magnetoresistive elements, Phys. Stat. Sol. A64 513−517
  99. Freitas P P et al 1990 Anisotropic magnetoresistance in Co Films J. Magn. Magn. Mat. 83 113−115
  100. Fuchs К 1938 Conductivity of thin metallic films Proc. Cambridge Phil. Soc. 34 100−108
  101. Fujimoto К 1997 Computer simulation of MR response to transverse magnetic fields IEEE Trans. Magn. 32 2386−2391
  102. Fukazawa T et al 1987 Magnetic properties of magnetoresistive element field IEEE Trans I. J. Magn. (Japan) 2 230−231
  103. Fontana R E 1995 Process complexity of magnetoresistive sensors a review IEEE Trans. Magn. 31 2579−2583
  104. Fontana RE et al 1996 Submicron trackwidth and stripe height MR sensor test structures IEEE Trans. Magn. 32 3440−3442.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?