Анизотропия вторичной электронной эмиссии монокристаллов переходных металлов при средних энергиях электронов (дифракция и локализация электронов в кристаллах)
Диссертация
Для получения фундаментальных знаний о поверхности необходимо в качестве модельных объектов использовать монокристаллы, структура поверхности которых определенна и воспроизводима. Однако при исследовании монокристаллов методами электронной спектроскопии надо учитывать анизотропию. При использовании вторично-электронных методов анизотропия проявляется двояко: во-первых, интенсивность эмиссии… Читать ещё >
Содержание
- Глава I. ВТОРИЧНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ И УПРУГОЕ КОГЕРЕНТНОЕ РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИМ ТВЕРДЫМ ТЕЛОМ
- 1. 1. Вторичная электронная эмиссия
- 1. 2. Специфика взаимодействия электронов с монокристаллами
- Выводы
- Глава II. ЛОКАЛИЗАЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ СРЕД, НЕЙ ЭНЕРГИИ В КРИСТАЛЛАХ
- 2. 1. Модели упругого когерентного рассеяния электронов периодическим потенциалом кристалла
- 2. 2. Борновское приближение локализации электронов в приповерхностном слое монокристалла
- 2. 3. Основы динамической теории дифракции электронов
- 2. 4. Данные численных расчетов волнового поля электронов в приповерхностной области монокристалла на основе динамической теории дифракции электронов
- 2. 5. Локализация электронов в кристаллах и теоретические работы по вторичной электронной эмиссии
- Выводы
- Глава III. ВТОРИЧНАЯ ДИФРАКЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ
- 3. 1. Модель внутренних источников и кинематическое приближение вторичной дифракции электронов
- 3. 2. Динамическое приближение теории вторичной дифракции электронов
- 3. 3. Феноменологическая модель квазиупругого рассеяния электронов монокристаллом и результаты численных расчетов вторичной дифракции электронов
- Выводы.1тг
- Глава 1. У. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ АНИЗОТРОПИИ ВОЗБУЖДЕНИЯ И ВЫХОДА ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ. ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
- 4. 1. Экспериментальные способы исследования анизотропии возбуждения и выхода вторичных электронов
- 4. 2. Изготовление и контроль монокристаллов переходных металлов
- 4. 3. Экспериментальные установки для измерения коэффициентов вторичной электронной эмиссии монокристаллов
- 4. 4. Экспериментальная установка для исследования распределения анизотропии возбуждения вторичных электронов по спектру
- 4. 5. Спектрометр вторичных электронов с угловым разрешением
- Выводы
- Глава V. АНИЗОТРОПИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ВТОРИЧНОЙ ЭЛЕКТРОННОМ ЭМИССИИ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ (МЬ, Мо и №)
- 5. 1. Состояние вопроса и постановка задачи исследования
- 5. 2. Зависимости коэффициентов вторичной электронной эмиссии монокристаллов, ^ и
- от энергии первичных электронов
- 5. 3. Влияние температуры на интегральные характеристики вторичной электронной эмиссии монокристаллов вольфрама и молибдена
- 5. 4. Влияние угла падения первичных электронов на вторичную электронную эмиссию монокристалличе -ского вольфрама
- 5. 5. Обсуждение результатов
- Выводы
- Глава VI. АНИЗОТРОПИЯ ВОЗБУЖДЕНИЯ ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ РАЗ
- НОЙ ЭНЕРГИИ
- 6. 1. Состояние вопроса и постановка задачи исследования
- 6. 2. Распределение анизотропии возбуждения вторичных электронов по энергетическому спектру
- 6. 3. Анизотропия возбуждения вторичных электронов характеристических энергий
- 6. 4. Анизотропия возбуждения вторичных электронов, вылетающих вдоль нормали к поверхности кристалла
- 6. 5. Анизотропия возбуждения вторичных электронов при изменении полярного угла падения первичных электронов
- 6. 6. Обсуждение результатов
- Выводы
- Глава V. Л. АНИЗОТРОПИЯ ВЫХОДА ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ
- 7. 1. Состояние вопроса и постановка задачи исследования
- 7. 2. Анизотропия выхода упруго отраженных электронов
- 7. 3. Анизотропия выхода электронов, отраженных с характеристическими потерями энергии
- 7. 4. Анизотропия выхода вторичных электронов непрерывного спектра
- 7. 5. Сравнение анизотропии возбуждения и выхода вторичных электронов и применимость теоремы обратимости к неупругому отражению электронов
- 7. 6. Анизотропия выхода оже-электронов
- 7. 7. Обсуждение результатов
- Выводы
Список литературы
- Добрецов Л. H., Гомоюнова M.B. Эмиссионная электроника, М.: Наука, 1966.
- Бронштейн И.М., Фрайман B.C. Вторичная электронная эмиссия. М.: Наука, 1969.
- Шульман А.Р., Фридрихов С. А. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела. М.: Наука, 1977.
- Raether H. Solid. State Excitations by Electrons /Plasma Oscillations and Single Electron Transitions.- In: Springer Tracts in Modern Physics. Berlin Heidelberg' - New York, Springer, 1965, v.38, p.85−157.
- Ritchi R.M. Surface Plasmons in Solids. Surf. Sei., 1973, V.34-, NI, p. I-19.
- Применение электронной спектроскопии для анализа поверхности. /Под ред.Х.Ибаха. Рига: Зинанте, 1980. — 315 с.
- Характеристические потери энергии электронов в твердых телах. Сб. статей под ред.А. Р. Шульмана. М.: Изд-во иностр. лит., 1959. — 270 с.
- Методы анализа поверхностей. /Под ред.Зандерны. М.: Мир, 1979. — 580 с.
- Протопопов О.Д. Оже-спектроскопия в применении к исследованиям поверхности сложных эмиттеров. М.: Институт электроники, 1970.
- Кораблев В.В. Электронная оже-спектроскопия. Л.: ЛПИ им. М. И. Калинина, 1973.
- Запорожченко В.И. Применение метода электронной Оже-спектро-скопии для количественного анализа химического состава твердого тела. Электронная промышленность, 1978, в. II-12,с.36−47.
- Bauer, Е. Methods of Surface Studies Depending on Inelastic Scattering of Electrons.-Vacuum, 1972, v.22, p.539−552.
- J3# Gerlach R.L., Houston, J.E., Park R.L. Ionization Spectroscopy of Surfaces. Appl. Phys. Lett., 1970, v. 4-, p. 179−181.
- Находкин Н.Г., Мельник П. В., Коваль И.Ф, Ионизационная спектроскопия поверхности твердого тела. Поверхность. Физика, химия, механика, 1982, № 10, с.1−14.
- Willis R.F., Christensen. N.E. Secondary-Electron-Emission Spectroscopy of' Tungsten: Angular Dependence and Phenomenology.- Phys. Rev. B, 1978, v. 18, N 10, p.5140−5161.
- Best: P.E. Energy- and Angular-Dependent Secondary-Electron Emission from a Si (ill) 7X7 Surface. Emission from bulk states. Phys. Rev. B, 1976, v. 14, N. 2, p., 606−619.
- Грачев Б.Д., Комар А. П., Коробочко Ю. С., Минеев В. И. Фокусировка электронов в тонких монокристаллических пленках меди. Письма в редакцию ЖЭТФ, 1966, т.4, № 7, с.241−243.
- De Bersuder L. Observations sur 1*emission secondaire de la face (001) de l’aluminium liee a la diffraction des electrons de faible et moyenne energie. C.R. Acad. Se. Paris, 1967, v. 265 B, t. 885−888.
- Аброян И.А., Титов А. И. Угловая зависимость радиационной проводимости и вторичной эмиссии при бомбардировке монокристалла германия электронами. ФТТ, 1967, т.9, № II, с.3628−3630.
- Stern R.M., Taub Н. Origin of Angular Dependence of Secondary Emission of Electrons from Tungsten^ Phys. Rev. Lett., 1968, v. 20, N 24-, p. I540-I34−3.
- Комар А.П., Коробочко Ю. С. Некоторые эффекты каналирования электронов низких энергий кристаллами. ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Л., 1968.
- Шульман А.Р., Кораблев В. Б., Морозов Ю. А. Угловая зависимость вторично-эмиссионных характеристик монокристаллов кремния. ФТТ, 1968, т. Ю, № 6, с.1570−1572.
- Комар А.П., Коробочко Ю. С., Грачев Б. Д., Минеев Б. И. О механизме возникновения тонкой структуры угловой зависимости коэффициента вторичной электронной эмиссии монокристаллов. -ФТТ, 1968, т. Ю, Я 6, с.1547−1548.
- Аброян И.А., Титов А. И. Влияние температуры и ионной бомбардировки на угловые зависимости вторичной электронной эмиссии монокристалла германия. ФТТ, 1968, т. Ю, с.3432−3434.
- Шульман А. Р, Кораблев В. В., Морозов Ю. А. Угловая зависимость коэффициента вторичной электронной эмиссии монокристаллов кремния в диапазоне энергий первичных электронов от 100 до 2000 эВ. ФТТ, 1968, т. Ю, № 6, с.1913−1915.
- Taub Н., Stern R.M., Dvoryankin V.F. Temperature dependence of Mean Free Path in Secondary Electron Emission. -Hiys. Stat. Sol., 1969, v. 33, N 2, p. 573−577.
- Wolf E.D., Everhart Т.Е. Electron Beam Channeling in Single Crystal Silicon by Scanning Electron Microscopy. Appl. Phys. Lett., 1969, v.14, N 10, p.299−300.
- Davisson C.J. and Germer L.H. Diffraction of Electrons by a Crystall of Nickel. Hiys. Rev., 1927, v. 30,1. N 6, p.705−707.
- Thomson G.P., Red A. Diffraction of Cathode Rays by a
- Thin Film. Nature, 1927, v.119, Jun 18, p.890−891.
- Дворянкин В.Ф. и Митягин А.Ю. Дифракция медленных электронов метод исследования атомной структуры поверхности. -Кристаллография, 1967, т. 12, № 6, с.1112−1134.
- Наумовец А.Г. Исследование структуры поверхностей методом дифракции медленных электронов: достижения и перспективы. Укр.физ.журнал, 1978, т.23, Jfc 10, с.1585−1607.
- Роберте М., Макки Ч. Химия поверхности раздела металл -газ. М.: Мир, 1981 (гл.З).
- Pendry J.В. bow Energy Electron Diffraction. The Theory and its Application to Determination of Surface Structure. Acad. Press: London, New York, 1974.
- Powell C.J. Attenuation Lengths of Low-Energy Electronsin Solids. Surf. Sci., 197−4-, v. N I, p. 29−46.
- Penn.D.R. Quantitative Chemical Analysis by ESCA. -J. Electron Spectroscopy, 1976, v. 9, p. 29−40.
- Seach M.A., Dench W.A. Quantative Electron: Spectroscopy of Surfaces: a Standart Data Base for’Electron Inelastic Mean Free Paths in Solids. Surface and Interface Analisis, 1979, v. I, N I, p. 2-II.
- Robins J.L., Gerlach R.L., Rhodin T.N. Kikuchi Bands in Low Energy Electron Diffraction. J. Appl. Phys., 1966, v. 37, N 4, p. I945-I95I.
- Johnson D.C., McRae. A.U. Kikuchi Bands in Low Energy-Electron Diffraction. J. Appl. Phys., 1966, v. 37, N. p. I945-I95I.
- Mosser’A., Burggraf’C.R. Etude du fond continu des diagrammes de diffraction obtenus a partir d’une face (IOO) de periclase (MgO). C.R. Acad.Sc. Paris, 1972, t.274, ser. B, p.1355−1358.
- Mosser’A., Burggraf С., Goldsztaub S. Etude des bandesde Kikuchi obtenues sur une face (001) de MgO aves des electrons de 400 et 1500 eV. C.R. Acad. Se. Paris, 1973, t. 277,-ser.B, t.195−198.
- Mosser A., Burggraf С., Goldsztaub S., Ohtsuki Y.H. LEED Kikuchi-Pattern: Phonon and Plasmon Contributions. -Surf. Sei., 1976, v. 54, N 3, p. 580−592.
- Mosser A., Shindo S., Adachi Y. Angular and Temperature Dependence of LEED Kikuchi Pattern Intensity. Phys. Stat. Sol., 1977, v. 43 A, N I, p. 295−304.=
- Bethe H. Theorie der beugung von elektronen an kristallen. Ann. Phys., 1928, v. 87, N I, p.55−129.
- Stern R.M., Perry J.J., Boudreaux D.S. Low-Energy Electron -Diffraction Dispersion Surfaces and Band Structure in Three-Dimensional Mixed Laue and Bragg Reflections. Rev.
- Mod. Phys., 1969, v. 41, N 2, p.275−396.
- Хирш H., Хови А., Никольсон P., Пэшли Д., Уэлан M. Электронная микроскопия тонких кристаллов. М.: Мир, 1968.
- Erstrub P.J., McRae E.G. Surface Studies by Electron Diffraction. Surf.Sei., I97I, v. 25, N. I, p. 1−52.
- Jona F., Storier J.A., Yang V/.S. Low Energy Electron Diffraction for Surface Analysis. Rep. Prog. Phis., 1982,1. N 5, p.527−385.
- Ван-дер-Циль А. Измененная теория образования вторичных электронов в твердых телах. Проблемы современной физики.
- Электронная и ионная эмиссия. М.: ИЛ, 1956, № 9, с.43−49.
- Baroody Е.М. Excitation of Electrons in Metals by Primary
- Electrons.- Phys. Rev., 1956, v.97, N10,. p.1679−1684.
- Вятскин А.Я. Теория неупругого рассеяния электронов в металлах. I. ЖТФ, 1958, № 10, с.2217−2227.
- Вятскин А.Я. Теория неупругого рассеяния электронов в металлах. П. ЖТФ, 1958, II, с.2455−2468.
- Humphreys C.J. The Scattering, of Fast Electrons by Crystals.- Rep.Prog.Phys., 1979, v.42, N11, P. I825-I887.
- Hashimoto H., Howie A, Whelan M.J. Anomalous Electron Absorption Effects in Metal Foils: Theory and. Comparison with: Experiment. Prog. Roy. Soc., 1962, v. A269, p.80−117.
- Хейденрайх P. Основы просвечивающей электронной микроскопии. М.: Мир, 1968, с.204−352.
- Вергасов В.Л., Чуховский Ф. Н., Пинскер З. Г. Многоволновая теория дифракционного рассеяния быстрых электронов в кристаллах. П. Разрешимые системы. Кристаллография, 1982, т.27, № 4, с.645−651.
- Stern R.M. The Back Scattering of Electrons by Crystals at Low and. High Temperatures. Phys. Rev. Appl., 1974-, v. 9, N.3, p. 377−384.
- Бабудаев А.Я., Воробьев С.A., Каплин В. В., Попов Д. Е. Плоскостной эффект аномального прохождения электронов в кристалле. Изв. АН СССР, сер.физ., 1976, т.40, в.8, с.1691−1695.
- Howie A., V/helan M.J. Diffraction Contrast of Electron Microscope Images of Crystal Lattice Deffects. II The Development of Dynamical Theory. Proc. Roy. Soc., 1961, v. A 265, N 1313, p. 217−237.
- Radi G. Complex- Lattice Potentials in Electron Diffraction
- Calculated for a Number of Crystals. Acta Cryst., 1970, v. A 26, N I, p. 41−56.,
- Константинов O.B., Шмулевич И. А. Каналирование света в среде с периодическим изменением показателя преломления. -ФТТ, 1982, т.24, № II, с.3201−3209.
- Konstantinov О.V., Romanov Yu.F., Schmulevitch I.A. The Multiwave Regime of Light Diffraction by Volume Phase Gratings. Optical and Quantum Electronics, 1984, v.16, N I, p. 25−34.
- Константинов O.B., Романов Ю. Ф., Тропченко А. Ю., Шмулевич И. А. Фокусировка света при многоволновой дифракции на объемной фазовой решетке. Препринт ФТИ им. Иоффе АН COOP, Л., 1983, № 803.
- Yoshioka H. Effect of Inelastic Scattering on Electron Diffraction. J. Ehys. Soc. Jap., 1957, v. 12, N 6, p. 618−628.
- V/helan M.J. Inelastic Scattering of Fast Electrons by Crystals. I. Interband Excitations. II. Phonon Scattering.- J. Appl. Ehys., 1965, v.36, N-7, p.2099−2103,p.2I03−2II0.
- Howie A., Stern R.M. The Optical Potential in Electron Diffraction. -Z.Naturforsch., 1972, v.27a, N3, p.382−389.
- Serheels R., Haentjens D. Extension of the Yoshioka Theory of Inelastic Electron Scattering in Crystals. Phil. Mag., 1980, v. A42, N1, p. I-II.
- Титов А.И. Взаимодействие заряженных частиц средних энергий с монокристаллическим германием. Дисс., Л., 1969.
- Кораблев В.В., Майоров А. А., Румянцев В. В. Изменение угловых зависимостей вторичной электронной эмиссии монокристаллов при снижении работы выхода. ФТТ, 1981, т.23, $ 8, с.2337−2342.
- Кораблев В.В., Майоров А. А. Анизотропия эмиссии вторичных и оже-электронов для монокристаллов со сниженной работой выхода. Изв. АН СССР, сер.физ., 1979, т.43,? 3, с.635−641.
- Кораблев В.В. Влияние кристаллической структуры веществана процессы рассеяния и эмиссии вторичных электронов. Дисс., Л., 1982.
- Румянцев В.В., Кораблев В. В., Дубов В. В., Морозов Ю. А. Влияние кристаллической структуры твердых тел на упругое отражение электронов промежуточных энергий. Изв. АН СССР, сер. физ., т.46, }?7, с. 1336−1348.
- Артемьев В.П., Макаров В. В., Петров Н. Н., Подсвиров О. А. Определение параметров дифракционного каналирования электронов в монокристаллах по энергетическим спектрам обратного рассеяния. ФТТ, 1983, т.25, с.684−691.
- Shindo S., Mosser A. Contrast Change of the LEED Kikuchi Pattern due to Plasmon Excitation. Surf. Sci., 1978, v. 71, N I, p. 155- 160.
- Аброян И.А., Бабанина О. Б., Заславский С. Л., Титов А. И. Неупрутое отражение электронов от монокристаллов, имеющих на поверхности неупорядоченную пленку. ФТТ, 1973, т.15, с.2215−2217.
- Аброян И.А., Подсвиров О. А., Сидоров А. И., Титов А. И. Влияние аморфной пленки кремния на анизотропию неупругого отражения электронов от монокристалла кремния. Письма в ЖТФ, 1979, т.5, № 21, с. 1287−1290.
- Laue M.V. Die fluoreszenzrontgenstahlung fon einkristalleni. Ann. der Phys., 1935, v. 23, N. 7, p. 705−746.
- Kainuma J. The Theory of Kikuchi Patterns. Actc Crys., 1955, v. 8, N. 2, p. 247−257.
- Kono S., Goldberg S.M., Hall N.T., Fadley C.S. Chemosop-tion geometry of с (2*2) oxygen on Cu (001) from Angle Resolved Core-Level X-Ray Photoemission. Phys. Rev., 1980, v. 22, N 12, p. 6085−6103.
- Kikuchi S. Beugung der Materiestahlen. Phys. ZS., 1930, v. 31, p.737−752.
- Alam M.N., Blachman^ M. Pashley D.W. Higfc-Angle Kikuchi
- Pattern in the Bragg Case. Phys.Ctat.Sol., 1973, v. I9a, p.647−652.
- Kawamura Т., Ichikava M., Goldsztaub S. Kikuchi Patterns in the Bragg Case.-Phys.Stat.Sol., 1973, v. I9a, p.647−652.
- Okamoto K., Ichnokawa Т., Ohtsuki Y.H. Kikuchi Patterns and Inelastic Scattering. J., Phys. Soc. Japan^ 1971"30, N 6, p.1690−1701.,
- Okamoto K., Ichinokawa Т., Ohtsuki Y.H. Excess and Defect Kikuchi-Bands. Phys. Rev. Lett., 1970, v.3IA, N 10, P. 570−575.
- Pogany A.P., Turner P. S. Reciprocity in Electron Diffraction and. Microscopy. Acta Crys., 1968, v. A24-, N I, p. ЮЗ-Ю9.
- Тегарт В. Электролитическое и химическое полирование металлов. М.: ИЛ, 1957.
- Попилов Л.Я. Электрополирование и электротравление металлографических шлифов. М.: ИЛ, 1963.
- Васильковский Д.Н., Таджиева Э. М. К вопросу возникновения особой структуры проволок. ФТТ, 1962, т.4, № I, с.90−95.
- Шульман А.Р., Кораблев В. В., Морозов Ю. А. Вторичная электронная эмиссия монокристаллов молибдена. ФТТ, 1970, т.12, с.758−762.
- Тренделенбург Э. Сверхвысокий вакуум. М.: Мир, 1966, с. 24.
- Taylor N.J. The Role of Auger Electron: Spectroscopy in. Surfaces: Elemental Analysis. Vacuum, 1969, v. 19, N12, p. 575- 591.
- Заславский С.Л. Взаимодействие электронов средних энергий с монокристаллами и тугоплавких переходных металлов. Дисс.. канд.физ.-мат.наук. Л., 1980.
- Афанасьев В.П., Явор С. Я. Светосильный энергеанализатор с двойной фокусировкой. Письма в КТФ, 1975, т.1, в.17, с.779−781.
- Алиев Б.З. Вторичная электронная эмиссия монокристаллов W и Mo. Дисс.. канд.физ.-мат.наук. Л., 1971.
- Бронштейн И.М., Пронин В.Г1. Пространственное и энергетическое распределение вторичных электронов для золота. ХУП Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике. Тезисы докладов. Л., 1978. с. 239.
- Полонский Б.А. Электронная оже-спектроскопия при низких возбуждающих токах. Промышленная электроника, 1978, в. П-12, с.52−59.
- Пронин И.И. Исследование дифракционного рассеяния электронов средних энергий монокристаллическим молибденом методом вторично-электронной спектроскопии с угловым разрешением. Дисс.. канд.физ.-мат.наук, Л., 1982.
- Laposky А.В., Whetten N.R. Dependence Secondary Electron Emission-on Crystal Orientation^ Phys. Rev. Lett., 1959, v. 3, N. II, p. 510−513.
- Laponsky А.В., Whetten- N.R. Dependence of Secondary Electrons from MgO Single Crystals on: Angle of Incidence. -Phys. Rev., I960, v. 120, N. 3, p. 801−806″
- Dekker- A.J. Variation of 'Secondary Electrons of Single: Crystals with the Angle of Incidence. Phys. Rev. Lett., I960, v. 4-, N. 2, p. 55−58.
- Soshea R.W., Dekker A.J. Pine Structure of Secondary Emission vs Angle of Incidence of the Primary Beam: on: Titanium Single Crystals. Phys. Rev., 196I, v. 121, N 5, p. 1362−1369.
- Ю4. Soshea R.W., Dekker A.J. Pine Structure of Secondary Emission vs Angle of Primary Beam on Titanium Single Crystals.- Phys. Rev. Lett., 1961, v. 5, N I, p. 39−41.
- Шульман A.P., Кораблев В. В., Морозов Ю. А. Вторичная эмиссияи упругое отражение электронов от монокристаллов. Изв. АН СССР, сер.физ., 1971, т.35, № 2, с.218−224.
- Кораблев В.В. Анизотропия вторично-эмиссионных свойств монокристаллов. Дисс., Л., 1971.
- Bas Е.В., Escher- S. Vergleichende Unfersuchune uber die
- Anisotropie der durch Primar-Elektronen und Primar*-Ionen ausgelosten Sekundar-Elektronen-Emession von Silizium. -Helv. Phys. Acta, 1967, v. 40, p. 352−354.
- Palmberg P.W. Secondary Emission' Studies on Ge and Na-covered Ge. J.Appl.Phys., 1967, v.38, N 5, p.2137−2147.
- Грачев Б.Д. Каналирование электронов в кристаллах. Дисс.. канд.физ.-мат.наук, Л., 1971.
- Reimer L., Badde H. G., Buhring W. Orientirugs-anisotropie des rucksttreukoeffizienten und sekundare elektronenausbeute von 10−100 keV-elektronen.- Z. fur Ang.Ehys., 1971, v.3I, p. I45-I5I
- Савицкий E.M., Буров И. В., Капустин В. И. Вторичная электг ронная эмиссия монокристалла соединения в системе молибденродий. Доклады АН СССР, 1977, т.233, № 3, с.353−355.
- Савицкий Е.М., Буров И. В., Капустин В. И. Вторичная электронная эмиссия монокристаллов системы молибден- ниобий. -Доклады АН СССР, 1976, т.231, N I, с.75−79.
- Малышев C.B. Исследование структуры и вторично-эмиссионных свойств эпитаксиальных пленок окислов щелочноземельных металлов. Дисс.. канд.физ.-мат.наук, Л., 1977.
- Добрецов Л.Н., Мацкевич Т. Л. Роль отраженных электронов во вторичной эмиссии. ЖТФ, 1957, т.27, № 4, с.734−737.
- Бронштейн И.М., Сегаль Р. Б. Пробег медленных вторичных электронов в металле и роль неупруго отраженных электронов во ВЭ. Доклады АН СССР, 1958, т.123, Р 4, с.639−641.
- Бронштейн И.М., Денисов С. С. Неупругое рассеяние в твердых телах при наклонном падении первичного пучка. ФТТ, 1965, т.7, № 6, с.1846−1855.
- Ellis W.P. As (0001) Surfaces: Auger, Loss and Photoelec-tron Spectroscopic Studies.-Surf.Sei., 197^, v.41, p. I25-I4I.
- Allie G., Blanc E., Dufayard D. Etude experimentale des electrons retrodiffuses par les faces (001) de l’aluminium et (III) du silicium. Surf. Sci., 1974-, v.4−3, N 2, t. 54−5-561.
- Baines M., Howie A., Andersen S.K. Crystalline Effects in Backscattering and Auger Production. Surf. Sci., 1975, v.50, N 2, p. 546- 553.
- Allie G., Blanc E. Dufayard D., Stern R.M. Etude experimentale de l’influence l’angle d’incidence des electrons primaires sur le rendement de l’emission. Surf. Sci., 1974-, v. 46, N. I, p. 188−196.
- Rusch T.W., Ellis W.P. High-Angular-Resolution Secondary -Electron Spectroscopy: Kikuchi Correlation for As (OOOI) .-Appl. Phys. Lettr., 1975, v.26, N 2, p.
- Майоров A. A. Особенности эмиссии вторичных (в том числе
- Оже) и отраженных электронов из монокристаллов в диапазоне энергий первичных электронов 100−2000 эВ. Дисс., Л., 1979.
- Грачев Б.Д., Козловский С. С., Коробочко Ю. С., Минеев В. И. 0 влиянии каналирования на форму энергетического спектра рассеянных электронов. Письма в ЖТФ, 1977, т. З, 16, с.845−847.
- Аброян И.А., Подсвиров О. А. Глубина формирования анизотропии обратного отражения электронов от монокристаллов кремния. Письма в ЖТФ, 198I, т.7, в. З, с.181−185.
- Подсвиров О.А. Анизотропия неупругого отражения электронов от совершенных и несовершенных кристаллов кремния.1. Дисс., Л., 198I.
- Haas Grant J.T., Dooley G.J. Auger-Electron Spectroscopy of Transition Metals. Phys. Rev. B, 1970, v. I, N p. 14−4-9−14−59.
- Нестеренко Б.А., Снитко O.B. Физические свойства атомарно-чистой поверхности полупроводников. Киев: Наукова думка, 1983 (гл.З).
- Шмулевич И.А. Влияние локализации потока электронов в монокристаллах на эффекты анизотропии вторичной электроннойэмиссии. Дисс.. канд.физ.-мат.наук, Л., 1983.
- Schilling J.S., Webb M.В. Low-Energy Electron Diffraction from Liquid Hg: Multiple Scattering, Scattering Factor and Attenuation. Phys.Rev.B, 1970, v.2,N 6, pI665-I676.
- Бронштейн И.M., Пронин В. П., Стожаров В. М. Однократное и кратное взаимодействие при упругом рассеянии электронов на атомах твердого тела. ХУ1 Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике. Махачкала, 1976, ч. П, с.118−119.
- Коваль И.Ф., Крынько Ю. Н., Мельник П. В., Находкин Н. Г. Длина свободного пробега электронов для образования поверхностных плазмонов в алюминии. ФТТ, 1976, т.18, № 9,с.2572−2576.
- Koval I.E., Krynko Yu.N., Melnik P.V., Nakhodkin N.G., Shaldervan A.I. The Determination of Electron Mean Free Paths in. Solids by Depth and Angular Dependences of Ine-lastically Scattered Electron Spectra. Surf. Sci., 1978, v. 77, N I, p.4−0-51.
- Крынько Ю.Н., Мельник П. В., Находкин Н. Г. Влияние возбуждения поверхностных плазмонов на интенсивность пиков спектра НОЭ. ФТТ, 1980, т.22, JE 5, C. I294-I30I.
- Крынько Ю.Н. Исследование дифференциальных характеристик неупругого отражения электронов. Дисс., Киев, 1984.
- Шульман А.Р., Кораблев В. В. Угловые зависимости вторично-эмиссионных характеристик монокристаллов ниобия. Электронная техника, серия 4, 1971, в.1, с.68−73.
- Коваль И.Ф., Крынько Ю. Н., Мельник П. В., Кошевая С. В., Находкин Н. Г. Длина свободного пробега электронов для образования плазмонов в алюминии. ФТТ, 1975, т.17, № 4, c. II38-II4I.
- Goodenough J.B. Вал! Structure of Transition Metals andtheir Alloys.-Fhys.Rev., I960, v.120, N1, p.67−83.
- Хароуэр Г. А. Электроны Оже в энергетическом спектре вторичных электронов, эмиттированных Мо и W . В сб.: Характеристические потери энергии электронов в твердых телах. М.: ИЛ, 1959, с.196−202.
- Tharp L.N., Schieber E.J. Energy Spectra of Inelasticaly Scattered Electrons and LEED Studies of Tungsten. J.Appl. Phys, 1967, v. 38, N 8, p. 3320−3330.
- Зашквара B.B., Корсунский М. И., Редькин B.C., Масягин В. Н. Характеристические потери энергии электронов в W, Кь и No . ФТТ, 1969, т. II, В 12, с.3667−3669.
- Чайковский Э.Ф., Редькин B.C., Зашквара В. В., Сотников В. Г. Идентификация некоторых пиков в спектре характеристических потерь энергии электронов в вольфраме. ФТТ, 1973, т.15,1. В 6, с. 1947−1948.
- Кремков М.В. Интерпретация особенностей спектров энергетических потерь на примере молибдена и вольфрама. ФТТ, 1976, т.20, $ 8, с.2790−2793.
- Кораблев В.В. Спектры характеристических потерь энергии электронов в монокристаллах вольфрама. ФТТ, 1970, т.12, Jfc 6, с.1638−1640.
- Lucher P.E. Energy Loss Mechanisms in Low Energy Electron Scattering from W (100) and their Use as a Surface Sensitive Spectroscopy. Surf. Sci., 1977, v. 66, N I, p. 167−188.
- Артамонов O.M., Болотов Б. Б., Кремков М. В. Рассеяние медленных электронов от монокристалла молибдена. Изв. АН СССР, сер.физ., 1973, т.37, № 12, с.2495−2498.
- Ballu, Y., Lecante J., Rousseau Н. Energy-Loss Spectra of Mo {l003r Clean and Covered with Oxigen. Phys. Rev., B, 1976, v. 14, N 8, p. 3201−3214-.,
- Малышев С.В. Исследование структуры и вторично-эмиссионных свойств эпитаксиальных пленок окислов щелочноземельных металлов. Дисс., Л., 1977.
- Зашквара В.В., Чокин К. Ш. Разделение спектров поверхностных и объемных плазменных потерь энергии ниобия. ФТТ, 1975, т. 17, № 7, с. 1935−1939.
- Weaver J".H., Lynch D.W., Olson C.G. Optical Properties of Niobium from 0,1 to 36,4 eV. Phys. Rev. B, 1973, v.7,1. N 10, p.4−311−4318.
- Weaver ?Г.Н-., Lynch D.W., Olson C.G. Optical Properties of V, Та and Mo from 0,1 to 35 eV. Phys. Rev. B, 1974,.v. 10, N 2, p. 501−516.
- Weaver C.G., Olson C.G., Lynch D.W. Optical Properties of Crystalline Tungsten. Phys. Rev. B, 1975, v. 12, ii 4, p. 1293−1297.
- Edwards D., Jr., Propst F.M. Energy Loss Spectra of Ine-lastically Scattered Electrons from Tungsten. J. Chem. Phys., 1971, v. 55, N II, p. 5175−5178.
- Everhart Т.Е. Simple Theory Concerning the Reflection of Electrons from Solids. J. Appl. Hays., I960, v. 31, N 8, p. 1483−14−90.
- Находкин Н.Г., Остроухов A.A., Романовский В. А. Неупругое рассеяние электронов в тонких пленках. ФТТ, 1962, т.4, о.1514−1524.
- McAfee Y7.S. Determination of Energy Spectra of Backscatte-red Electrons b^r Use of Everhart’s Theory. J. Appl. Phys., 1976, v. 47, N 3, p. II79-II84-.
- Opal C.B., Beaty E.C., Peterson W.K. Tables of Energy and Angular Distributions of Electrons, Ejected from Simple Gases by Electron Impact. JIM Report, N 108, Universityof Colorade, Boulder. Colorado, 1971.
- Огурцов Г. Н. Энергетическое распределение электронов, испускаемых из атома аргона при электронном ударе. ЖЭТФ, 1973, т.64, № 4, с.1149−1153 .
- Бете Г. А. и Ашкин Ю. Прохождение излучения через вещество.- В кн.: Экспериментальная ядерная физика (под.ред.Э.Оегре), т. I, ч. П, § 2. М.: ИЛ, 1955, с.215−256.
- Горелик В, А. Формализация метода количественной электронной оже-спектроскопии. Электронная промышленность, 1979,1. В 11−12, с.47−52.
- Powell C.J. Cross Sections for Ionization of Inner-Shell Electrons by Electrons. Rev. Mod. Phys., 1976, v. 48, N I, p.33−47.
- Bishop H.E., Riviere J.C. Estimates of the Efficiencies of Production of Electron-Excited Auger. Emission.-j.Appl"
- Phys., 1969, v. 40, N 4, p.1740−1744.
- Крынько Ю.Н., Мельник П. В., Находкин Н. Г. Неупругое отражение электронов и его роль в образовании Оже-электронов. Изв. АН СССР, сер.физ., 1976, т.40, № 2, с.2505−2511.
- Jablonski A. Estimation of Backsсattering Factor for Low Atomic Number Elements and Their Alloys. Surf. Sci., 1978, v. 74, N 3, p. 621−635.
- Канченко B.A., Крынько Ю. Н., Мельник П. В., Находкин Н. Г. Вклад отраженных электронов в образование оже-электронов для разных углов скольжения первичного пучка. ФТТ, 1978, т.20, JS I, с.250−252.
- Allie G., Blanc Е., Dufyard D. Experimental Study of Surface and Bulk Plasmon Losses Induced in A1 (OOl)by Low Energy Electrons. Surf. Sci., 1977, v. 62, N I, p. 215−232.
- McDonnell L., Woodruff D.P. Angular Dependence, of Auger Electron Emission from a Single Crystal Specimen. Vacuum, 1972, v. 22, N 10, p. 477−480.
- McDonnell L., Woodruff D.P., Holland B.W. Angular Dependence of Auger Electron Emission from Cu (III) and (100)
- Surfaces. Surf. Sci., 1975, v. 51, N I, p. 249−269.
- Weeks S.P., Liebsch A. Comparison of Angular Resolved
- Measurements of Auger Emission from a clean Nickel (100) Surface with Electrons Multiple Scattering Calculations. Surf. Sci., 1977, v. 62, N I, p.197−205.
- White. S.J., Woodfuff D.P., McDoonell L. Angular Dependence of Auger Electron. Emission from Si and Cu Surfaces in Present of Overlayers. Surf. Sci., 1978, v. 72, N I, p. 77- 83.
- Matsudaira T., Onchi M. Angle-Resolved Auger Emission from Ag (100) Surface. Surf. Sci., 1978, v. 74, N 3, p. 684−690.
- Zehner D.M., Noonan. J.R., Jenkinz Ъ.Н. Angular Resolved L^VV Auger Emission Spectra from Cu (100). Phys. Lett., v. 62A, N 4, p. 267−269.
- Hilferink H., Lang E., Heinz K. Angular Resolved Auger Emission and LEED Kikuchi Intensities at 850 eV fro’m a
- Ni (I00) Surface. Surf. Sci., 1980, v.93, Ni2, p., 398−406.
- Носов А.П. Анизотропия оже-эмиссии монокристаллов. Автореф. дисс.. канд.физ.-мат.наук. М., 1983.
- Burns J. Angular-Distribution of Secondary Electrons from (100) faces of Copper and Nickel. Phys Rev., I960, v. 119, N I, p. I02-II4.
- Appelt G. Fine' Structure Measurements in the Energy Angular Distribution of Secondary Electrons from a (HO)Face of Copper. Phys.Stat.Sol., 1968, v.27, N 2, p.657−669.
- Mosser-A, Burggraf C., Goldsztaub S. Validite du pricipe de, reciprocite pour la diffusion inelastique des electronsde 400 et' 1500 eV par une (001) Mg. C. R. Ac ad". SC., Paris, 197^, t. 278 B, p. 327−330.
- Гомоюнова M.В., Алиев Б. З. Вторичная электронная эмиссия грани {III} монокристалла вольфрама. ФТТ, 1969, т. II, гё II, с.3619−3621.
- Гомоюнова М.В., Алиев Б. З. Кристаллографическая анизотропия отражения электронов от монокристаллов вольфрама. ФТТ, 1970, т.12, № 10, с.2472−2474.
- Гомоюнова М.В., Алиев Б. З. О кристаллографической анизотропии вторично-эмиссионных характеристик основных граней монокристаллов. ФТТ, 1970, т.12, № II, с.2742−2744.
- Гомоюнова М.В., Алиев Б. З. Вторичная электронная эмиссия монокристаллов вольфрама и молибдена. Х1У Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике. Тезисы докладов. Ташкент: ФАН УзССР, 1970, с. 12.
- Гомоюнова М.В., Алиев Б. З. Кристаллографическая анизотропия вторичной электронной эмиссии и отражения электронов от монокристалла вольфрама. ФТИ им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Л., 1970, с. 13.
- Гомоюнова М.В., Алиев Б. З. Вторичная электронная эмиссиямонокристаллов Mo и W . Изв. АН СССР, серия физическая, 1971, т.35, JE 2, с.231−236.
- Гомоюнова М.В. Анизотропия истинной вторичной электронной эмиссии. ФТТ, 1972, т. 14, № 12, с.3498−3500.
- Гомоюнова М.В., Алиев В. З. Анизотропия характеристик движения электронов средних энергий в монокристаллах вольфрама. В сб.: Структура и свойства монокристаллов металлов. М.: Наука, 1973, с.198−216.
- Гомоюнова М.В., Алиев Б. З. Влияние угла падения электронов на структуру вторично-эмиссионных характеристик монокристаллов. В сб.: Эмиссионная электроника. Материалы научного семинара. М., 1974, с.75−84.
- Гомоюнова М.В. Вторичная электронная эмиссия металлов и сплавов. В сб.: Сплавы редких металлов с особыми физическими свойствами. М.: Наука, 1974, с.185−192.
- Гомоюнова М.В., Заславский С. Л., Пронин И. И. О структуре вторично-эмиссионных характеристик монокристаллического молибдена. ФТТ, 1976, т.18, В 5, с.1383−1386.
- Гомоюнова М.В. Вторично-эмиссионная спектроскопия поверхности твердого тела. ЖТФ, 1976, т.46, Л 6, с.1137−1170.
- Гомоюнова М.В., Заславский С. Л., Пронин И. И. Влияние угла падения электронов на эмиссию вторичных электронов разных энергий из монокристаллического ниобия. ХУ1 Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике. Тезисы докладов, ч. П, 1976, с. 99.
- Гомоюнова М.В., Заславский С. Л., Пронин И. И. Анизотропия упругого отражения электронов от монокристаллического молибдена. ФТТ, 1978, т.20, № 5, с.1586−1589.
- Гомоюнова М.В., Заславский С. Л., Пронин И. И. Анизотропия ионизационных потерь энергии электронов в монокристаллическом молибдене. Письма в ЖТФ, 1978, т.4, № 14, с.864−868.
- Гомоюнова М.В., Заславский С. Л., Пронин И. И. Ориентационные эффекты в электронной оже-спектроскопии монокристаллического молибдена. ФТТ, 1978, т.20, #9, с.2786−2790.
- Гомоюнова М.В., Заславский С. Л., Пронин И. И. Анизотропия вторичной электронной эмиссии при наклонном падении электронов на Mo {100}. ФТТ, 1978, № 12, с.3645−3653.
- Гомоюнова М.В., Заславский С. Л., Пронин И. И. Упругое отражение электронов от монокристалла Mo {1001г. Ш Всесоюзный симпозиум по вторичной и фото-электронной эмиссии. Краткие содерж.докл. M., 1978, с. Ш-Н2.
- Гомоюнова М.В., Заславский С. Л., Пронин И. И. Анизотропия возбуждения оже-электронов в монокристаллическом молибдене. Ш Всесоюзный симпозиум по вторичной и фотоэлектронной эмиссии. Краткие содерж.докладов. M., 1978, с.109−110.
- Гомоюнова М.В., Заславский С. Л., Пронин И. И. Ориентацион-ные эффекты во вторичной электронной эмиссии монокристаллического молибдена. ХУЛ Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике. Краткие содерж.докл., Л., 1978, с.286−287.
- Гомоюнова М.В., Заславский С. Л., Пронин И. И. Проявление дифракционных эффектов в отражении электронов с однократными потерями энергии. Письма в ЖТФ, 1979, № 5, в. 16, с.1008−1033.
- Гомоюнова М.В., Заславский С. Л., Пронин И. И. О необходимости учета дифракционных эффектов в количественной электронной оже-спектроскопии монокристаллов. Письма в ЖТФ, 1979, т.6, в.2, с.93−96.
- Гомоюнова М.В., Пронин Й. И., Бернацкий Д. П., Заславский С. Л. Анизотропия возбуждения и выхода вторичных электронов из монокристалла ГЧо {Ю0.г. Там же, с.47−48.
- Гомоюнова М.В., Константинов О. В., Шмулевич И. А. Анализ анизотропии вторичной электронной эмиссии монокристаллов в бор-новском приближении. Там же, с.45−46.
- Пронин И.И., Гомоюнова М. В., Бернацкий Д. П., Заславский С. Л. Установка для исследования дифракционных эффектов, проявляющихся в электронной спектроскопии с угловым разрешением. -Там же, с.51−52.
- Гомоюнова М.В., Пронин И. И., Бернацкий Д. П., Заславский С. Л. Дифракция электронов средней энергии на монокристалла Мо ?1003 — ФТТ, 1981, т.23, «5, с. I276-I28I.
- Гомоюнова М.В., Пронин И. И., Бернацкий Д. П., Заславский С. Д. Электронная оже-спектроскопия с угловым разрешением монокристалла Мо {100}. ХУЛ Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике. М., 198I, с.324−325.
- Гомоюнова М.В., Константинов О. В., Шмулевич И. А. Анализ анизотропного возбуждения оже-электронов в борновском и динамическом приближениях теории дифракции. Там же, с.300−301.
- Gomoyunova M.V., Konstantinov O.V., Shmulevitch I.A. The Perturbation Theory of Diffraction Effects in Secondary Electron Emission onCrystal Surface.-Surf.Sci., 1981, v.108,p28I-29I,
- Гомоюнова М.В., Пронин И. И. Анизотропия выхода электронов средней энергии из монокристаллического молибдена. ХШ Всесоюзное совещание по рентгеновской и электронной спектроскопии. Тезисы докладов. Львов, 198I, с. 173.
- Гомоюнова М.В., Пронин И. И., Шмулевич И. А. Вторично-электронная спектроскопия монокристаллов. Всесоюзная школа по физике, химии и механике поверхности. Тезисы докладов. Нальчик, 198I, с. 181.
- Гомоюнова М, В., Пронин И. И. Применимость теоремы взаимности к неупругому отражению электронов низкой энергии. Тезисы докладов XI Совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М.: Изд. МГУ, 1981, с. 101.
- Гомоюнова М.В., Константинов О. В., Шмулевич Й. А. Локализация электронов низкой энергии в кристаллах. Там же, с. 102.
- Гомоюнова М.В. Электронная спектроскопия поверхности твердого тела. УФН, 1982, т.136, № I, с.105−148.
- Гомоюнова М.В., Заславский С. Л., Пронин И. И. Анизотропия взаимодействия электронов средней энергии с монокристаллами переходных металлов. ФТТ, 1982, т.24, № 2, с.390−395.
- Гомоюнова М.В., Пронин И. И. Анизотропия возбуждения и выхода оже-электронов монокристаллического молибдена. Поверхность, 1982, т. I, «7, c. II2-II7.
- Гомоюнова М.В., Пронин И. И., Бернацкий Д. П., Заславский С. Л. Приложение теоремы обратимости к вторичной электронной эмиссии. Изв. АН СССР, сер.физ., 1982, т.46, № 7, с.1324−1328.
- Гомоюнова М.В., Пронин И. И., Заславский С. Л. Анизотропия выхода вторичных электронов из монокристаллического молибдена. ФТТ, 1982, т.24, № 9, с.2173−2178.
- Гомоюнова М.В., Константинов О. В., Шмулевич И. А. Локализация электронов средней энергии в монокристаллах и ее роль в электронной спектроскопии поверхности твердого тела. Изв. АН СССР, сер.физ., 1982, т.46, & 12, с.2308−2311.
- Гомоюнова М.В., Пронин И. И., Бернацкий Д. П., Заславский С. Л. Спектрометр вторичных электронов с угловым разрешением для исследования поверхности монокристаллов. ПТЭ, 1982, I, с. 175-Г78.
- Бернацкий Д.П., Заславский С. Л., Пронин И. И., Гомоюнова М. В. Система регистрации спектрометра вторичных электронов. ПТЭ, 1982, I I, с.178−180.
- Гомоюнова М.В., Пронин И. И. Применимость теоремы взаимности к неупругому отражению электронов низкой энергии. Труды XI Совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М.: Изд. МГУ, 1982, с.353−357.
- Гомоюнова М.В., Константинов О. В., Шмулевич И. А. Локализация электронов низкой энергии в кристаллах. Там же, с.427−430.
- Гомоюнова M.B., Пронин И. И., Шмулевич И. А. Анизотропия угловых распределений электронов с энергией 2 кэВ, квазиупруго рассеянных монокристаллическим молибденом. Письма в ЖТФ, 1982, т.8, в.19, с. II84-II87.
- Гомоюнова М.В., Пронин И. И., Шмулевич И. А. Влияние первичной и вторичной дифракции на квазиупругое рассеяние электронов средней энергии монокристаллическим молибденом. Препринт ФТИ, № 804, 1983. 33 с.
- Гомоюнова М.В. Роль ориентационных эффектов в электронной спектроскопии поверхности твердого тела. Всесоюзный симпозиум «Электронная микроскопия и электронография в исследовании образования структуры и свойств твердых тел.» Звенигород, 1983, с. Г?1.
- Гомоюнова М.В., Пронин И. И., Шмулевич И. А. Дифракция электронов средней энергии, испускаемых приповерхностными слоями монокристаллов. Всесоюзная школа по физике поверхности. Тезисы оригинальных докладов. Ташкент, 1983, с. Ю5.
- Gomoyunova M.V., Pronin 1.1., Shmuleviteh I.A. Kikuchi Patterns of Mo {100} and Primary Electron Localisation. -Surf. Sei., 1984, v. 139, N 2, p. 443- 452.