Методы создания СВЧ модулей систем космической связи
Диссертация
Обосновано и практически подтверждено использование полосно-пропускающих фильтров на диэлектрических резонаторах в конструкции СВЧ модулей с технологией поверхностного монтажа элементов, что позволило спроектировать ряд блоков для носимых станций космической связи ИПС-АП, ППС2Г1 и ППС2Г1.01. Блоки имеют высокую технологичность, малую трудоемкость сборки и регулировки. Использование технологии… Читать ещё >
Содержание
- ГЛАВА I. ПРИНЦИПЫ ПОСТРОЕНИЯ СВЧ МОДУЛЕЙ СИСТЕМ КОСМИЧЕСКОЙ СВЯЗИ
- ГЛАВА II. ПРОЕКТИРОВАНИЕ СВЧ МОДУЛЕЙ НА ОСНОВЕ АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВЫХ СХЕМ
- 2. 1. Анализ работы арсенид-галлиевого ПТШ в ключевом режиме
- 2. 2. Реализация СВЧ фазовращателей в виде арсенид-галлиевых ИС
- 2. 3. Особенности проектирования интегральных схем усилителей мощности
- 2. 4. Эффективность использования арсенид-галлиевых интегральных схем в СВЧ аппаратуре
- ГЛАВА III. ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ФАКТОРОВ НА ПАРАМЕТРЫ АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ И СВЧ МОДУЛЕЙ НА ИХ ОСНОВЕ
- 3. 1. Базовая технология изготовления арсенид-галлиевых интегральных схем для аппаратуры систем связи
- 3. 2. Технология изготовления бескорпусных и герметичных модулей на основе арсенид-галлиевых интегральных схем
- 3. 3. Оценка надежности СВЧ модулей на основе арсенид-галлиевых интегральных схем
- ГЛАВА IV. ПОСТРОЕНИЕ СВЧ МОДУЛЕЙ НА ОСНОВЕ ДИСКРЕТНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
- 4. 1. Проектирование приемных конверторов СВЧ диапазона на зарубежной элементной базе
- 4. 2. Использование в приемных модулях полосно-пропускающих фильтров на диэлектрических резонаторах
- 4. 3. Построение приемных трактов с распределенной фильтрацией
- 4. 4. Принципы построения многоканальных приемных модулей многолучевых АФАР
- 4. 5. Оптимизация конструкции СВЧ модулей для серийного производства
- ГЛАВА V. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ЭЛЕМЕНТОВ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ СИСТЕМ В СВЧ МОДУЛЯХ
- 5. 1. Анализ работы микроэлектромеханического переключателя в СВЧ диапазоне
- 5. 2. Построение СВЧ фазовращателей на основе микроэлектромеханических переключателей
- 5. 3. Элементы
- МЭМС СВЧ диапазона для систем связи и радиолокации
Список литературы
- ГОСТ 23 221–78. Модули СВЧ, блоки СВЧ. Термины и определения, буквенные обозначения.
- Модули СВЧ/ Л. М. Арутюнов, И. П. Блудов, В. Д. Давыдов и др. М.: Радио и связь, 1984. — 72 с.
- Kilby J. S. Invention of the integrated circuit. IEEE Trans. 1976. vol. ED-23. № 7. p. 648−654.
- McQuiddy D. N., Wassel J. W., Lagrange J. B. Monolithic microwave Integrated circuits: An Historical perspective.
- EE Trans. 1984. vol. MTT-32, № 9, p.997−1006.
- Смит К. Коммерческие английские приборы из GaAs. Электроника, 1985, № 5, с.36−39.
- Гуськов Г. Я., Контарев В. Я., Панасенко П. В., Ахмадеев Р. Г., Панин В. Ф. Монолитный усилитель на основе арсенида галлия. Спецэлектроника. Сер. 10 Микроэлектронные устройства, 1982, Вып.1, с. 20.
- Разработка технологии изготовления монолитных ИС СВЧ малошумящего усилителя на арсениде галлия. Научно-технический отчет по НИР «Стриж». /Ефимов А.Г. исполнитель, НИИМП, Москва, 1982. Гос. Регистр. №У82 937.
- Pucel R. A. Design consideration for monolithic microwave circuits. IEEE Trans. 1981. vol. MTT-29, № 6, p. 513−534.
- Cronin G.R., Haisty R.W. The preparation of semiinsulating gallium arsenide tychromium doping. J. Electrochem. Soc. Vol. Ill, July 1964, p. 674−877.
- Kodowaki Y. et al. Effect of Gamma Ray Irradiation on GaAs MMICs. GsAs 1С Symposium Digest (New Orleans LA) 1982.
- Петров Г. В. Радиационная стойкость приборов с барьером Шоттки. Зарубежная электронная техника, 1976, № 9, с.3−37.
- Pengelly R. S., Turner J.A. Monolithic broad band GaAs FET Amplifier. Electron Lett., vol. 12, May 1976, p. 251−252.
- Экспресс-информация. Вып.23 от 1 февраля 1985 г.
- Chen D.R. DBS High Volume Market for GaAs MMICs. Microwave J., vol.26, № 2, 1983, p. l 16−160.
- Мэнгин Ч.-Г., Макклелланд С. Технология поверхностного монтажа: Пер. с англ. М.- Мир, 1990 — 276 с.
- Джуринский К., Кищинский А. Взгляд специалистов в области СВЧ — техники. Электроника: Наука, Технология, Бизнес. № 4, 2002, с.74−75.
- Доровских С. Применение технологии поверхностного монтажа в производстве гибридно интегральных модулей. Компоненты и технологии, № 7, 2006, с.66−67.
- Лучинин В.В., Мальцев П. П. О термине «Микросистемная техника» в русском и английском языках./"Нано- и микросистемная техника", № 2, 2006. с.39−41.21. MST News № 5, 2001
- Гудинаф Ф. Интегральный датчик ускорения для автомобильных подушек безопасности // Электроника 1991, № 16, с. 7−14.
- Горнев Е.С., Зайцев H.A., Равилов М. Ф., Романов И. М. Моделирование элементов микромеханики. «Микросистемная техника» № 10, 2002.
- Перспективы применения МЭМС -компонентов в сотовых телефонах нового поколения. Новости СВЧ техники, 2006, № 12, с.1−3.
- Гостюхин B.JI., Гринева К. И., Тусов В. Н. Вопросы проектирования активных ФАР с использованием ЭВМ. М. Радио и связью 1983.
- Tayrani R., Bartle D.C., Barett N.J. GaAs surface oriented microwave PIN diodes. GaAs 1С Symposium Digest. 1984, p.85−88.
- Walker J.L.B., McDermott M.G., Niholas J.M.C., Hyghes A.G. Monolithic mixers and phase shifters for X-band.
- Electronic Engineering, June 1985, p. 179−186.
- Wilson K., Niholas J.M.C., McDermott M.G., Burns J.W. Novel MMIC X-band phase shifter. IEEE Trans. 1985. vol. MTT-33, № 12, p. 1572−1578.
- Ulriksson B. Continues varactor diode phase shifter with optimized frequency response. IEEE Trans. 1979, vol. MTT-27, № 7, p.650.
- Mains R.K., Haddad G.I., Peterson D.F. Investigation of broad-band linear phase shifter using optimum varactor diode doping profiles.
- EE Trans. 1981, vol. MTT-29, № 11, p. 1158−1164.
- Dawson D.E., Conti A.L., Lee S.H. et al. An analog X-band phase shifter. IEEE Monolithic circuits Symposiums Digest 1984, p.610.
- Mondai J.P., Menes A.G., Oakes J.G., Shing-Kuo Wana Phase shifts an single-and dual gate GaAs MESFETs for 2−4 GHz quadrature phase shifter.
- EE Trans. 1984, vol. MTT-32, № 10, p. 1280−1287.
- Tsironics C., Harrop P. Dual gate GaAs MESFET phase shifter with gain at 12 GHz. Electronics Lett., vol. 16, 1980, № 14, p.553−554.
- Bears S.V. New GaAs FET applications weighed as material processing matures. Microwave J., 1981, № 2, p.24.
- Lamb F.D., Kiss S., Krueger Т.К. Phase shifting amplifier. Патент США 34 398 191 от 9 августа 1983 г.
- Mitchell В. UK scientist describe GaAs FET applications. Microwaves&RF, March 1983, p.39.
- Kumar M., Menna R.J., Ho-Chung Huang Broad-band active phase shifter using dual gate MESFET. IEEE Trans. 1981, vol. MTT-29, № 10, p. 1098−1101.
- Vorhause J.L., Pucel R.A., Tajima Y. Monolithic dual gate GaAs FET digital phase shifter. IEEE Trans. 1982, vol. ED-29, № 7, p. 1078−1087.
- Naster R.J. MMIC technology for microwave radar and communication systems. Microwave J., vol.24, № 2, 1983, p. 109−113.
- Ayasli Y. Microwave switching with GaAs FETs. Microwave J., vol.25, № 11, 1982, p.61−74.
- Fukui H. Determination of the basic devices parameters of the GaAs MESFET. Bell Syst. Tech. J. 1979, vol.58, № 3, p.771−797.
- Хелзайн Дж. Пассивные и активные цепи СВЧ. М. Радио и связь, 1981.
- Suckling C.W., Pengelly R.S., Cockrile J.R. S-band phase shifter using monolithic GaAs circuits.1982 IEEE International Solid State Circuits Conferens, p. 134−135.
- Pengelly R.S. Integrated T/R-modules employ ICs. Microwaves&RF, Dec. 1985, № 2, p.77−84. ' ,
- Ayasli Y., Miller S.W., Mozzi R., Hanes L.K. Wide-band monolithic phase shifter. IEEE Trans. 1984, vol. MTT-32, № 12, p.1710−1714.
- Ayasli Y., Miller S.W., Mozzi R., Hanes L.K. Wide-band monolithic phase shifter. IEEE Trans. 1984, vol. MTT-32, № 12, p.1710−1714.
- Andricos C., Bahe I. C-band 6 bit GaAs monolithic phase shifter. IEEE 1985 Microwave and millimeter wave monolithic circuits symposium, p. 8−10.
- Буянов H.H., Пашинцев Ю. И. Модель полевого транзистора с затвором Шоттки для машинного проектирования сверхбыстродействующих ИС на арсениде галлия. Микроэлектроника, 1984, т.10, Вып.4, с.321−326.
- Буянов Н.Н., Пашинцев Ю. И. Математическая модель полевого транзистора на основе арсенида галлия, учитывающая накопление носителей в канале. Микроэлектроника, 1982, т.11, Вып.5, с.457−460.
- Буянов Н.Н., Пашинцев Ю. И. Анализ работы базового элемента на нормально открытых полевых транзисторах с затвором Шоттки. Электронная техника, Сер. З, Микроэлектроника, 1984, Вып.4.
- Буянов Н.Н., Ефимов А. Г., Мартынова В. П., Панасенко П. В. СВЧ ключ на арсенид-галлиевом полевом транзисторе.
- Электронная техника. Сер.10 Микроэлектронные устройства Вып.2(56) 1986. с.31−35.
- Буянов Н.Н., Ефимов А. Г., Мартынов В. П., Панасенко П. В. Машинный анализ работы коммутационного ключа на основе арсенид-галлиевого транзистора с затвором Шоттки.
- Электронная техника Сер.10 Микроэлектронные устройства Вып.2(56) 1986, с.28−32.
- Хижа Г. С., Вендик И. Б., Серебрякова Е. А. СВЧ фазовращатели и переключатели. М., Радио и связь, 1984, 184 с.
- СВЧ устройства на полупроводниковых диодах. Проектирование и расчет/ Под ред. И. В. Мальского и Б. В. Сестрорецкого. М., Сов. Радио, 1969.
- Уайт Д. СВЧ полупроводниковые фазовращатели. ТИИЭР, № 11, 1968, с.184−192.
- Бова Н.Т., Ефремов Ю. Г., Конин В. В. и др. Микроэлектронные устройства СВЧ. К., Техника, 1984, 184 с.
- Бова Н.Т., Стукало П. А., Храмов В. А. Управляющие устройства СВЧ. К., Техника, 1973, 164 с.
- Антенны и устройства СВЧ/ Под ред. Д. И. Воскресенского. М., Радио и связь, 1981, 432 с.
- СВЧ полупроводниковые приборы и их применение. Пер. с англ. /Под ред. B.C. Эткина. М., Мир, 1972.
- Atwater Н.А. Circuit design of load-line phase shifter. IEEE Trans. 1985, vol. MTT-33, № 7, p.626−634.
- Atwater H.A. Reflection coefficient transformation for phase shift circuit. IEEE Trans. 1980, vol. MTT-28, № 6, p.563−568.
- Bharj S.S. Cal aided Lange coupler synthesis. Microwave J., 1983, vol. 26, № 1, p.122−123.
- Mitchell B. Hybrids spotlighted at IEEE meeting on MICs.
- Microwaves&RF, Dec. 1983, p.38.
- Lange J. Interdigitated stripline quadrature hybrid. IEEE Trans. 1969, vol. MTT-17,№ 12, p. l 150−1151.
- Waterman R.C., Fabian W., Pucel R.A. et al GaAs monolithic Lange and Wilkinson couplers. IEEE Trans. 1981, vol. ED-28, № 2, p.121−216.
- Справочник по элементам полосковой техники. Под ред.
- A.Л. Фельдштейна. М., Связь, 1979.
- Ержанов Р.Ж., Ефимов А. Г., Панасенко П. В., Панин В. Ф. Монолитная схема плавного фазовращателя сантиметрового диапазона.
- Спец. Электроника. Сер.10. Микроэлектронные устройства Вып.1(189) ч.1. 1983. с. 40.
- Гуськов Г. Я., Панасенко П. В., Мартынов В. П., Панин В. Ф., Ержанов Р. Ж., Ефимов А. Г. Опыт создания МИП на GaAs и аппаратуры на их основе. Спец. Электроника. Сер.1. Устройства СВЧ. Вып.2. 1987.
- D. М. Krafcsik S. A. Tmhoff, D. Е. Dawson, and A. L. Conti «А dual-varactor analog phase shifter operating 6 to 18 GHz «IEEE 1988 Microwave and Millimeter-Wave Monolithic Circuits Symposium. pp. 83−86.
- Ayasli Y., Platzker A., Vorhaus J., Reynolds L.D. A monolithic single-chip X-band four-bit phase shifter. IEEE Trans. 1982, vol. MTT-30, № 12, p.2201−2205.
- McLevige W.V., Sokolov V. Resonated GaAs FET device for microwave switching. IEEE Trans. 1981, vol. ED-28, p.198−203.
- Ахмадеев Р.Г., ЕфимовА.Г., Кочлашвили Г. И., Панасенко П. В., Панин
- B.Ф. Трехсантиметровый усилитель мощности.
- Спец. Электроника. Сер.10. Микроэлектронные устройства. Вып. 1(189) ч.1. 1983. с. 41.
- Ержанов Р.Ж., Ефимов А. Г., Панасенко П. В. и др. Резистор арсенид-галлиевой интегральной схемы.
- Авт. Св-во по заявке № 3 638 169/24−25 кл. Н01/06 от 2.09.83г.
- Исследование возможности создания СВЧ фазовращателя на монолитной арсенид-галлиевой ИС. Научно-технический отчет по НИР
- Спираль». /Ефимов А.Г. — отв. исполнитель, НИИМП, Москва, 1985. Гос. Регистр.№Ф22 431.
- Адоньева З.П., Буянов H.H., Ефимов А. Г. и др. Трехразрядный фазовращатель Х- диапазона на арсенид-галлиевых монолитных ИС. Спец. Электроника. Сер. 10. Микроэлектронные устройства. Вып. 1(230) 1986. с.12
- Ефимов А.Г., Мартынов В. П., Мартынова В. П., Панасенко П. В., Панин В. Ф. Арсенид-галлиевые ИС СВЧ фазовращателей.
- Спец. Электроника. Сер. 10 Микроэлектронные устройства. Вып. 1(21) 1987. с. 17−19.
- MAMF-2 DIE00 www.macom.com.
- Гюнтер В.Я., Гусев А. Н., Руссков Д. А. МИС фазовращателей L и S диапазона в приемниках АФАР. Вопросы радиоэлектроники, Сер. PJ1T, Вып. З, 2008, с. 63−68.
- Ефимов А.Г. СВЧ фазовращатели сантиметрового диапазона на основе арсенид-галлиевых интегральных схем- Автореф. дисс. канд. техн. наук- 05.27.01. Защищена 29.01.88- Утв. 20.07.88 ТН № 111 235. -М., 1988.
- Мартынова В.П. Управляющие устройства СВЧ для многофункционального использования в системах радиолокации и спутниковой связи. Диссертация доктора технических наук, М., 1998.
- Орлов О.С. Микроминиатюризация и качество твердотельных устройств СВЧ. Электронная техника. Сер.1 Электроника СВЧ. Вып. 10(104) 1987, с.29−34.
- Орлов О.С., Чижов А. И., Фефелов А. Г., Прудовский В. И. Выключатели СВЧ на полевых транзисторах с барьером Шоттки. Сер.1 Электроника СВЧ. Вып. 3(387) 1987, с.50−54.
- Шварц Н.З. Линейные транзисторные усилители СВЧ. М., Сов. Радио, 1980.
- Шварц Н.З. Усилители СВЧ на полевых транзисторах. М., Радио и связь, 1987.
- Данилин В.Н., Кушниренко А. И., Петров Г. В. Аналоговые полупроводниковые интегральные схемы СВЧ. М., Радио и связь, 1985.
- Гупта К., Гардж Р., Чадха Р. Машинное проектирование СВЧ устройств- пер. с англ./Под ред. В. Г. Шейнкмана. М., Радио и связь, 1987.
- Шеерман Ф.И., Бабак Л. И., Баров A.A., Вьюшков В. А. Проектирование монолитного усилителя мощности диапазона 8−12 ГГц с помощью программы автоматизированного синтеза. Тезисы докладов конференции «Электронные средства и системы управления», Томск, 2005.
- Вай Кайчэнь Теория и проектирование широкополосных согласующих цепей- пер с англ. /Под ред. Ю. Л. Хотунцева. М., Связь, 1979.
- Богачев В.М. Предельные широкополосные согласования произвольных импедансов. Радиотехника и электроника, 1984, т.29, № 9, с. 1772−1784.
- Богачев В.М. Синтез цепей связи для широкополосных усилителей. М., МЭИ, 1980.
- Романов И.А. Модифицированный метод синтеза согласующих цепей усилителей мощности с помощью ЭВМ.
- В кн. Широкополосные радиотехнические цепи и устройства СВЧ и ВЧ. Новосибирск, 1987, с.91−98.
- Петров Б.Е., Романов И. А. Синтез широкополосных согласующих цепей транзисторных усилителей СВЧ с помощью ЭВМ.
- Радиотехника, 1989, № 1, т.29, с.77−80.
- Глазков Г. Н., Шауро Г. С. Измерение импедансов транзисторов КТ-919 в диапазоне 1−2 ГГц методом тест-плат.
- Электронная техника, 1978, Сер.1, Вып.7, с.93−99.95. Ефимов А. Г., Романов И.А.
- Синтез с помощью ЭВМ согласующих цепей усилителей мощности на основе полупроводниковых интегральных схем. Семинар «Современная технология производства СВЧ схем». Минск. 1989.
- Ефимов А.Г., Панасенко П. В., Панин В. Ф., Романов И. А. Усилитель средней мощности десятисантиметрового диапазона на арсенид-галлиевой ИС. Спец. Электроника. Сер. 10. Микроэлектронные устройства. Вып. 1(270) 1988. С.83−84.
- Разработка базовой конструкции усилителей средней мощности на основе арсенид-галлиевых ИС. Научно-технический отчет по НИР «Сюжет». /Ефимов А.Г. научный руководитель, НИИМП, Москва, 1994.
- Каталог фирмы Agilent Technologies. 2006.
- Разработка технологии изготовления СВЧ усилителей средней мощности на монолитной арсенид-галлиевой ИС. Научно-технический отчет по НИР «Струг-1» ./ Ефимов А. Г. отв. исполнитель, НИИМП, Москва, 1986. Гос. Регистр. № Ml5394.
- Ефимов А. Г. Мартынов В.П., Панасенко П. В., Панин В.Ф.
- Модуль усилителя средней мощности трехсантиметрового диапазона на арсенид-галлиевых ИС. Спец. Электроника. Сер.10. Микроэлектронные устройства. Вып. 1(270) 1988. С.82−83.
- Мякишев Ю., Гуляев В., Журавлев К. Квазимонолитные интегральные СВЧ-схемы: технология и приборы. Электроника: Наука, Технология, Бизнес. № 6, 2006, с.84−86.
- Разработка бескорпусной микросборки СВЧ малошумящего усилителя на монолитной арсенид-галлиевой ИС. Научно-технический отчет по ОКР «Стриж-1 «./Ефимов А.Г. исполнитель, НИИМП, Москва, 1984. Гос. Регистр.№У93 873.
- Гуськов Г. Я., Ефимов А. Г., Мартынов В. П., Панасенко П. В., Панин В. Ф., Поздняков А. Г. Малопгумящий усилитель на основе монолитной арсенид-галлиевой ИС. Спец. Электроника. Сер.10. Микроэлектронные устройства. Вып. 1(21) 1987. С. 19−23.
- Novel passive FET mixers provide superior dynamic range. www.minicircuits.com
- Протопопов А.П., Черепухин В. И. Генератор СВЧ на полевом транзисторе трехсантиметрового диапазона, стабилизируемый диэлектрическим резонатором. -Изв. Вузов MB и ССО СССР. Радиоэлектроника, 1984, т.27, № 12, с. 26−30.
- Gerber E.A., Lukaszek Т., Ballato A. Advances in microwave acoustic frequency sources. IEEE Trans. 1986, vol. MTT-34, № 10, p. 1002−1016.
- Разработка и исследование многоканальных радиометрических бортовых приемных комплексов КВЧ. Научно-технический отчет по НИР «Радиометр»./ Ефимов А. Г. исполнитель, НИИМП, Москва, 1989.
- Ефимов А.Г., Панин В. Ф., Панцов В. Ю., Черный И. В. Многоканальный радиометр-спектрометр миллиметрового диапазона/2-я Крымская конференция «СВЧ -техника и спутниковый прием». Материалы конференции. Севастополь, 1992, с.417−422.
- Панасенко П.В. СВЧ монолитные схемы на арсениде галлия и модули на их основе, Диссертация доктора технических наук, М., 1988.
- Ефимов А.Г., Романов И. А. Арсенид-галлиевые ИС усилителей мощности СВЧ диапазона /2-я Крымская конференция «СВЧ -техника и спутниковый прием». Материалы конференции. Севастополь, 1992, с.267−272.
- Панасенко П.В., Нарнов Б. А., Ионов Б. В., Ефимов А.Г.
- Технология изготовления МПТШ на GaAs с улучшенным теплоотводом и безындуктивным выводом. Спец. Электроника. Сер.10. Микроэлектронные устройства. Вып. 1(230) 1986. С.14
- Разработка лабораторной технологии формирования металлизированных сквозных отверстий в подложках арсенид-галлиевых НС. Научно-технический отчет по НИР «Скань"/ Ефимов А. Г. исполнитель, НИИМП, Москва, 1987. Гос. регистр.№ 1153.
- Мякишев Ю.Б., Барладян К. Д., Ожерельева Л. Ю. Интегральная схема СВЧ Авт. Св-во по заявке 4 394 522/25 от 28.12.1987 г.
- Петрова Т.С., Григорьева Л. В., Гроо Е. П. Уменьшение индуктивности истокового вывода в ПТШ на GaAs и интегральных схем на их основе. Материалы Всероссийской Научно-технической конференции ТУ СУР, 2005, Томск.
- Исследование и разработка технологических процессов для создания базовой технологии изготовления СВЧ монолитных интегральных приборов на арсениде галлия.- Научно-технический отчет по НИР «База-ЭЛАС». /Ефимов А.Г. исполнитель, НИИМП, Москва, 1997.
- Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления: Пер. с англ./Под ред. Д. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола. М.: Радио и связь, 1988. — 496 с.
- Ефимов А.Г., Панасенко П. В., Поздняков А.Г.
- Оценка надежности ИС МШУ на GaAs по результатам ускоренного термовоздействия. Спец. Электроника СерЛО. Микроэлектронные устройства. Вып. 1(21) 1987. С.23−27.
- Ефимов А.Г., Иванов Ю. Н., Макаревич А. Л. и др.
- Особенности реакции арсенид-галлиевой ИС малошумящего усилителя на воздействие ионизирующих излучений.
- Специальные вопросы науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. Вып. З 1986. С.70−74.
- Петухов В.М. Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Справочник. М.- Рикел. Радио и связь, 1994.- 232 с.
- Безбородов Ю.М., Гассанов Л. Г., Липатов А. А., Нарытник Т. Н., Федоров В. Б. Диэлектрические резонаторы в микроэлектронике СВЧ (обзор). Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. Вып. 4(768).
- М., ЦНИИ Электроника. 1981.
- Безбородов Ю.М., Нарытник Т. Н., Федоров В. Б. Фильтры СВЧ на диэлектрических резонаторах. К.: Техника, 1989.-184 с.
- Ильченко М.И., Кудинов Е. В. Ферритовые и диэлектрические резонаторы СВЧ. Издательство Киевского университета, 1973.-175 с.
- Ненашева Е.А. Состояние дел в области разработок и производства микроволновых керамических материалов и элементов СВЧ техники. Материалы конференции «Обмен опытом в области создания сверхширокополосных радиоэлектронных систем. Омск, 2006, с. 189−195.
- Nenasheva Ye.A., Kartenko N.F. High dielectric constant microwave ceramics Journal of the European Ceramics Society, v.21, 2001, p. 2647−2701.
- Панасенко П.В., Нагурский С. Б., Ефимов А. Г., Панин В. Ф. Селективный усилитель для формирователя частоты.
- Спец. Электроника сер. 10. Микроэлектронные устройства. Вып. 1(71) 1985.
- Панин В.Ф. Селективный малошумящий усилитель на основе монолитных интегральных схем на арсениде галлия, Автореф. дисс. канд. техн. наук- М. 1987.
- Варфоломеев И.Н., Дмитриев С. Д., Панин В. Ф. Вопросы микроминиатюризации диэлектрических фильтров. Электронная техника, Сер. 10, Микроэлектронные устройства, 1977, Вып.5.
- ОСТ11 0309−86 Материалы керамические для изделий электронной техники. Технические условия.
- Гассанов Л.Г., Ротенберг Б. А., Нарытник Т. Н. и др. Термостабильные высокодобротные диэлектрические резонаторы для СВЧ-микроэлектроники Электронная техника, сер. Электроника СВЧ, 1981, вып. 6(330), с. 21−25.
- Войтенко А.Г., Гассанов Л. Г., Зелявский В. Б., Нарытник Т. Н. Многоканальные СВЧ частотные разделители на диэлектрических резонаторах Радиоэлектроника, 1984, т.27, вып. 12, с. 62−65.
- Ефимов А.Г., Панин В. Ф., Петров В. Г. Использование в приемных модулях полосно-пропускающих фильтров на диэлектрических резонаторах. Вопросы радиоэлектроники, Сер. ЭВТ, Вып.5, 2008,1. С. 160−164.
- Ефимов А.Г., Панин В.Ф. Полосно-пропускающие фильтры на диэлектрических резонаторах с высокой проницаемостью,
- Изв. Вузов. Электроника, 2008, № 6, С.79−80.
- Максимов М.В., Бобнев М. П., Кривицкий Б. Х. и др. Защита от радиопомех. /Под ред. Максимова M.B. М., Сов. Радио, 1976, 496 с.
- Алексеев О.В., Головков A.A., Полевой В. В., Соловьев A.A. Широкополосные радиопередающие устройства./ Под ред. О. В. Алексеева. М., Связь, 1978.
- Дэвис Дж., Kapp Дж. Карманный справочник радиоинженера/ Пер. с англ. — М.- Издательский дом «Додэка-ХХГ», 2002. 544с.
- Хансен P.C. Сканирующие антенные системы СВЧ: Пер. с англ. / Под ред. Г. Т. Маркова и А. Ф. Чаплина. -М., Сов. Радио, 1971. -т.З.- 464 с.
- Ефимов А.Г., Олесов С. И. Приемная многолучевая активная фазированная антенная решетка.
- Заявка № 2 007 135 144/09(38 427) от 24.09.2007 г. Решение о выдаче патента РФ от 29.09.2008 г.
- Ефимов А.Г. Построение приемного тракта многолучевой АФАР с распределенной фильтрацией. Вопросы радиоэлектроники, Сер. PJIT, Вып. 1, 2008, с. 41−45.
- Ефимов А.Г. Конструкция многоканального приемного модуля многолучевой АФАР. Вопросы радиоэлектроники, Сер. PJIT, Вып. 1, 2008, с. 38−41.
- Белов JI. Переключатели сверхвысокочастотных сигналов Электроника: Наука, Технология, Бизнес 1/2006 с.20−25.
- Нестеров В. Высокочастотные реле компании OMRON. Электроника: Наука, Технология, Бизнес. № 5, 2006, с.60−62.
- De Los Santos H.J. «MEMS A Wireless Vision» 2001 International MEMS Work-Shop, Singopure, July 4−6, 2001.
- Richards R.J., De Los Santos H.J. MEMS for RF/Wireless Application: The Next Wave. Microwave J/, March 2001.
- Ричарде P., Де JIoc Сантос Г. MEMS-устройства для СВЧ приложений: новая волна Chip news № 1, 2007 с. 1−9.
- Варадан В., Виной К., Джозе К. ВЧ МЭМС и их применение Москва: Техносфера, 2004.-528 с.
- Белов JL, Житникова М. Микромеханические компоненты радиочастотного диапазона. Электроника: Наука, Технология, Бизнес. № 8, 2006, с. 18−25.
- Гридчин А. Микроэлектромеханические реле: технология ближайшего будущего. // Электронные компоненты, 2003, № 7, с.38−40.
- Асеев A.JI. Наноматериалы и нанотехнологии для современной полупроводниковой технологии.
- Российские нанотехнолоогии, 2006, т.1, № 1−2, с.97−110.
- Разработка технологии получения нанокарбидных материалов, ' интегрированных в технологию изготовления устройств бесконтактной радиочастотной идентификации. Научно-технический отчет по НИР' «Радиометка»./ Ефимов А. Г. исполнитель, НИИФП, Москва, 2006
- G.M. Rebeir. «RF MEMS Theory, Design and Technology». Wiley 2003.
- Горячев A.B., Власенко В. А., Беляев C.H., Ефимов А. Г., Ильичев Э. А. и др. MEMS переключатели для RF систем на основе алмазоподобных углеродных пленок /Материалы конференции «Нанотехнологии производству 2007». Фрязино, 2007.
- Патент США US6714169 ВА от 30.03.2004.
- Peroulis D., Pacheco S.P., Sarabandi К., Katehi L.P.B. Electromehanical considerations in developing low-voltage RF MEMS switches.
- EE Tran. 2003, vol.51, № 1, p.259−269.
- Banhan P., Butter C., Sokolov V., Contolatis A. 30 GHz multi bit monolithic phase shifters.
- EE 1985 Microwave and millimeter wave monolithic circuits symposium, p.4−7.
- Карпов B.M., Малышев B.A., Перевощиков И. В. Широкополосные устройства СВЧ на элементах с сосредоточенными параметрами -М.: Радио и связь, 1984. .-с. 57−61.
- Испытание МЭМС -переключателей на надежность. Новости СВЧ техники, 2006, № 12, с. 18−22.
- Предварительные результаты исследования надежности МЭМС СВЧ -приборов. Новости СВЧ техники, 2003, № 11, с. 17−18.
- Guan Leng Tan, Mihailovich R.E., Hacker J.B. et al Low-loss 2- and 4-bit TTD MEMS phase shifters based on SP4T switches.
- EE Tran. 2003, vol.51, № 1, p.297−304.
- Hacker J.B., Mihailovich R.E., Kim M., DeNatale J.F. A Ka-band 3-bit RF MEMS true-time-delay network. IEEE Tran. 2003, vol.51, № 1, p.305−308.
- Lee J., Je C.H., Kang S. A low-loss single-pole six-throw switch based on compact RF MEMS switches, IEEE Tran. 2005, vol.53, № 11, p.3335−3343.
- Johnson J., Adams G.G., McGruer N.E. Determination of intermodulation distortion in a contact-type MEMS microswitch.
- EE Tran. 2005, vol.53, № 11, p.3615−3622.
- Lu Y., Katehi L.P.B., Peroulis D. High-power MEMS Varactors and Impedans Tuners for Millimeter-Wave Applications
- EE Tran. 2005, vol.53, № 11, p.3672−3678.
- Смеситель диапазона 94 ГГц с кольцевым МЭМС -делителем мощности Новости СВЧ техники, 2006, № 11, с. 14−18.
- Eun-Chul Park, Yun-Seok Choi, Jun-Bo Yoon, Hong C., Yoon E. Fully Integrated Low Noise VCOs with On-chip MEMS Inductor
- EE Tran. 2003, vol.51, № 1, p.289−295.
- МЭМС генератор новый конкурент кварцевому генератору Новости СВЧ техники, 2003, № 11, с. 12−14.
- Лебедев А., Сбруев С. SiC электроника. Прошлое, настоящее, будущее. Электроника: Наука, Технология, Бизнес. № 5, 2006, с.28−41.
- Патент США US 6 909 346В1 от 21.06.2005 г.
- Chang WookBack, Song S., Lee S., Jung-Mu Kim A V-Band Micromachined 2-D Beam-Steering Antenna Driven by Magnetic Force With polimer-based Hings
- EE Tran. 2003, vol.51, № 1, p.325−331.
- Cetiner B.F., Qian J.Y., Chang H.P. Bachman P. Monolithic Interation of MEMS Switches with a Diversity Antenna on PCB Substrate IEEE Tran. 2003, vol.51, № 1, p.332−335.208