Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов
Диссертация
Известно, что уровень надежности полупроводникового изделия закладывается на этапе его разработки и обеспечивается качеством всех критичных технологических процессов при его изготовлении. Однако, каждая технологическая операция, которая реализует определенные функциональные свойства формируемой структуры, в то же самое время может вносить и специфические дефекты. Поэтому перед разработчиками… Читать ещё >
Содержание
- ГЛАВА 1. ОСОБЕННОСТИ КОНСТРУКЦИЙ И ТЕХНОЛОГИЙ СОЗДАНИЯ СОВРЕМЕННЫХ МОЩНЫХ ВЧ И СВЧ МОП ТРАНЗИСТОРОВ
- 1. 1. Особенности конструкций мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов
- 1. 2. Электрические параметры мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов
- 1. 3. Развитие МОП технологии и специфические особенности ВЧ и СВЧ МОП технологии с двойной диффузией
- 1. 4. Влияние технологических процессов на стабильность и воспроизводимость электрических параметров мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур
- 1. 5. Надежность мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов
- ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 1
- ГЛАВА 2. МЕТОДЫ СОЗДАНИЯ СТРУКТУРНЫХ СОСТАВЛЯЮЩИХ МОЩНЫХ ВЧ И СВЧ МОП ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР и
- МЕТОДИКИ ОЦЕНКИ ИХ КАЧЕСТВА
- 2. 1. Метод создания подзатворного оксида кремния мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур и оценка его качества
- 2. 2. Метод формирования многослойной металлизации на основе золота мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур с помощью плазменных обработок
- 2. 3. Методика оценки влияния плазменных обработок при формировании многослойной металлизации на основе золота мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур и методы устранения деградации их параметров
- 2. 4. Методы оценки качества и надежности мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов
- ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 2
- ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ФАКТОРОВ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ МОЩНЫХ ВЧ И СВЧ МОП ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР, СПОСОБЫ ОЦЕНКИ И УСТРАНЕНИЯ ДЕГРАДАЦИИ
- 3. 1. ЭМ08- и ЫЭМ08-технологии создания современных мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур
- 3. 2. Влияние качества границы раздела 81−8102 на стабильность зарядовых свойств мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур
- 3. 3. Оценка качества подзатворного оксида кремния, полученного различными технологическими способами, с помощью экспресс-контроля
- 3. 4. Влияние плазменных обработок при формировании многослойной металлизации на основе золота на изменение значений пороговых напряжений мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур
- 3. 5. Способы устранения деградации статических параметров после плазменных обработок на этапе формирования металлизации и их корректировка
- 3. 6. Способ восстановления пороговых напряжений мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур с помощью ультрафиолетового облучения
- ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 3
- ГЛАВА 4. ОЦЕНКА НАДЕЖНОСТИ МОЩНЫХ ВЧ И СВЧ МОП ТРАНЗИСТОРОВ И ЭФФЕКТИВНОСТИ ИХ РАБОТЫ
- 4. 1. Термополевое испытание и испытание на безотказность мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов как инструмент оценки качества МОП транзисторных структур
- 4. 2. Разброс пороговых напряжений МОП транзисторных структур — негативный фактор для качественной работы мощных балансных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов
- ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 4
Список литературы
- Окснер Э.С. Мощные полевые транзисторы и их применение / Э. С. Окснер // М.: Радио и связь. 1985. — 288 с.
- Спиридонов Н.С. Основы теории транзисторов / Н. С. Спиридонов // Киев: Техника. 1975.-359 с.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х т. / С. Зи- перевод с англ. 2-е изд. // Москва: Мир. 1984. — 456 с.
- Блихер А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов / А. Блихер- пер. с англ. // Л.: Энергоатомиздат. 1986. — 248 с.
- Кремниевые полевые транзисторы / О. В. Сопов и др. // Электронная промышленность. 2003. -№ 2. — С. 176−188.
- Бачурин В.В. Новый класс полупроводниковых приборов мощные высокочастотные МДП- транзисторы / В. В. Бачурин, B.C. Либерман, О. В. Сопов // Микроэлектроника и полупроводниковые приборы: сб. ст. — М., 1976. -Вып.1. — С. 291.
- Бачурин В.В. Исследование переходной характеристики полевых транзисторов с изолированным затвором /В.В. Бачурин, О. В. Сопов, В. М. Иевлев. // Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. -1971.-Вып. 6.-С. 42−54.
- Проектирование и технология производства мощных СВЧ транзисторов / В. И. Никишин и др. // М.: Радио и связь, 1989. 145 с.
- Мощные высокочастотные МДП-транзисторы / В. В. Бачурин и др. // Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. 1974. -Вып. 8.-С. 3−16.
- Дидилев С. Мощные LDMOS-транзисторы: преимущества № области применения / С. Дидилев // Компоненты и технологии. 2002. — № 2.
- Майская В. Высокочастотные полупроводниковые приборы / В. Майская // Электроника: Наука, технология, бизнес. 2004. — № 8. — С. 16−21.
- Фармикоун Г. Технология мощных СВЧ LDMOS-транзисторов для радарных передатчиков L-диапазона и авиационных применений / Г. Фармикоун и др., перевод С. Дидилев // Компоненты и технологии. -2007.-№Ю.-С. 14−16.
- Майская В. СВЧ-полупроводниковые технологии статус равен. Но у кого он равнее? / В. Майская // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. -2006.-№ 5.-С. 20−27.
- Sun S.C. Modeling of the On-resistance of LDMOS and VMOS Power Transistors / S. C Sun, J.D. Plummer // IEEE Trans. 1980. — Vol. ED-27, N 2. -P. 356−367.
- Завражнов Ю.В. Характеристики и параметры мощных генераторных приборов / Ю. В. Завражнов // Электронная техника. Сер.2, Полупроводниковые приборы. 1982. — № 1. — С. 17−18.
- Завражнов Ю.В. Методика определения характеристик и параметров мощных полевых транзисторов / Ю. В. Завражнов, Г. А. Пупыкин // Электронная техника. Сер.2, Полупроводниковые приборы. 1980. — № 5.-С. 72−77.
- ГОСТ 20 398.5−91. Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей. М.: Изд-во стандартов, 1991. — 5 с.
- Схемотехника устройств на мощных полевых транзисторах: справочник / под. ред. В. П. Дьяконова. М.: Радио и связь, 1994. — 280 с.
- Красников Г. Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов: в 2ч. / Г. Я. Красников.// М.: Техносфера 2004. -4.2 — 536с.
- Исследование емкостей мощных СВЧ МОП транзисторов / П. А. Меньшиков и др. // Материалы докладов IX международной научно-технической конференции «Радиолокация, навигация, связь». Воронеж, 2003.-Т. 1.-С. 528−535.
- Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем/ Р. Маллер, Т. Кейминс пер. с англ.// М.: Мир 1989. — 630с.
- Ефимов И.Е. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность / И. Е. Ефимов и др. // М.: Высш. шк. 1986. — 464с.
- Туркевич А. Осаждение слоев легкоплавких стекол в системе ТЭОС-ДМФ'ИТ-ТЭБ / А. Турцевич и др. // Электроника БелРУ 2005. — С.60−66.
- Асессоров В.В. Мощные ВЧ- и СВЧ-кремниевые транзисторы для систем радиосвязи и телевещания/ В. В. Асессоров, В. А. Кожевников, В. И. Дикарев, B.C. Горохов // Электронная промышленность. Наука. Технология. Изделие. 2001. — № 5. — С. 6−14.
- Колесников В.Г. Кремниевые планарные транзисторы / В. Г. Колесников и др. // М.: Сов. Радио 1973. — 335 с.
- Ионно-лучевые технологии. (http://www.ftian.ru/works/work2.htm/).
- Шахнович И. Твердотельные СВЧ-приборы и технологии. Невоспетые герои беспроводной революции / И. Шахнович // Электроника: Наука, технология, бизнес. 2005. — № 4. — С.12−18.
- Горлов М. Технологические методы повышения надежности интегральных схем / М. И. Горлов и др. // Технологии в электронной промышленности. 2007. — № 1. — С.68−70.
- Красников Г .Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов: в 2ч. / Г. Я. Красников.// М.: Техносфера 2002. -Ч. 1 — 416с.
- Грей П. Система кремний двуокись кремния / П. Грей // ТИИЭР — 1969. — № 9 — С. 88−97.
- Миттова И. Я Физико-химия термического окисления кремния в присутствии примесей / И. Я. Миттова // Воронеж: Изд-во ВГУ 1987. -200с.
- Новосядлый С. Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС / С. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре 2002. — № 6. — С.57−63.
- Гитлин В. Рентгеновская корректировка пороговых напряжений в производстве МДП интегральных схем / В. Гитлин и др. // Вестник ВГУ- 2002. № 1. — С.5−12.
- Чернышев A.A. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем / A.A. Чернышев // М.: Радио и связь 1988. — С.256.
- Столяров А. Повышение качества диэлектрических слоев на основе исследования дефектности изоляции и зарядовой стабильности // Перспективные материалы. 1998. — № 3 — С.23−27.
- Мустафаев Г. Свойства тонких диэлектрических пленок / Г. А. Мустафаев и др. // Зарубежная электронная техника. 2001. — № 3 — С.74−104.
- Усовершенствованные линии очистки пластин -(http://www.akrionsystems.coni/).
- Вечер Д. Влияние процесса оплавления легкоплавких стекол на их зарядовые свойства и перераспределение примеси в ионно-легированных слоях / Д. Вечер и др. // Доклады БГУИР, 2008. № 1. — С.98−102.
- Патент РФ на изобретение № 2 426 192, 2010. Способ восстановления порогового напряжения МДП-транзисторных структур после воздействия плазменных обработок / Бородкин И. И, Асессоров В. В., Кожевников В.А.