Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Отжиг электростатических дефектов полупроводниковых биполярных изделий

Диссертация: Отжиг электростатических дефектов полупроводниковых биполярных изделий
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи: на основе обзора литературы сравнить виды дефектов биполярных ППИ, возникающих при воздействии радиации и ЭСР, приводящие к параметрическим отказамизучить процесс отжига электрических параметров кремниевых биполярных ИС, подвергшихся воздействию ЭСРисследовать влияние циклических воздействий «ЭСР-отжиг» на параметры… Читать ещё >

Содержание

  • Введение. Общая характеристика работы
  • Глава 1. Дефекты кремниевых биполярных изделий, возникающие при воздействии радиации и электростатических разрядов
    • 1. 1. Влияние радиации на полупроводниковые изделия
      • 1. 1. 1. Виды радиационных повреждений
      • 1. 1. 2. Ток ионизации в /7-и-переходе
      • 1. 1. 3. Влияние облучения на элементы биполярных ИС
    • 1. 2. Отжиг радиационных дефектов
      • 1. 2. 1. Быстрый отжиг
      • 1. 2. 2. Медленный отжиг
      • 1. 2. 3. Термический отжиг
      • 1. 2. 4. Отжиг под воздействием электрического режима
    • 1. 3. Воздействие ЭСР на полупроводниковые (кремниевые) изделия
      • 1. 3. 1. Актуальность рассмотрения проблемы воздействия ЭСР на полупроводниковые изделия
      • 1. 3. 2. Природа возникновения электростатических зарядов при производстве ПНИ
      • 1. 3. 3. Повреждения, возникающие в кремниевых полупроводниковых изделиях под воздействием ЭСР
      • 1. 3. 4. Влияние ЭСР на транзисторы
      • 1. 3. 5. Влияние ЭСР на биполярные ИС
    • 1. 4. Отжиг электростатических дефектов
  • Выводы к главе
  • Глава 2. Отжиг электростатических дефектов биполярных транзисторов
    • 2. 1. Методика проведения экспериментов по изучению явления отжига электростатических дефектов
      • 2. 1. 1. Описание установки генерирования электростатических разрядов
      • 2. 1. 2. Методика определения опасного и допустимого потенциала
    • 2. 2. Влияние статического электричества на транзисторы КТ3107 и КТ
      • 2. 2. 1. Техническое описание транзисторов КТ 3107 и КТЗ
      • 2. 2. 2. Экспериментальная проверка влияния статического электричества на транзисторы КТЗ 107 и КТЗ
    • 2. 3. Кинетика восстановления коэффициента усиления тока в схеме с общим эмиттером транзисторов КТЗ 102 и КТЗ
    • 2. 4. Расчет энергии активации отжига
  • Выводы к главе
  • Глава 3. Отжиг электростатических дефектов биполярных интегральных схем
    • 3. 1. Отжиг электростатических дефектов ИС серии
      • 3. 1. 1. Технические характеристики ИС серии
      • 3. 1. 2. Испытание на надежность ИС серии
      • 3. 1. 3. Иллюстрация отжига электростатических дефектов на примере изменения В АХ ИС серии
    • 3. 2. Отжиг электростатических дефектов ИС серии КР142ЕН
      • 3. 2. 1. Технические характеристики ИС серии КР142ЕН
      • 3. 2. 2. Восстановление выходного напряжения ИС серии
  • КР142ЕН12 после ЭСР испытаниями на надежность
  • Выводы к главе
  • Глава 4. Циклическое воздействие «ЭСР-отжиг» на транзисторы
    • 4. 1. Влияние циклического воздействия «ЭСР-отжиг» на параметры маломощных транзисторов типа КТ639А
      • 4. 1. 1. Техническое описание транзисторов типа КТ639А
      • 4. 1. 2. Влияние.статического электричества на транзисторы КТ639А
      • 4. 1. 3. Описание эксперимента по изучению циклического воздействия «ЭСР-отжиг» на параметры транзисторов
  • КТ639А
    • 4. 1. 4. Способ разделения транзисторов по стабильности обратных токов
    • 4. 2. Влияние циклического воздействия «ЭСР-отжиг» на параметры маломощных транзисторов типа КТЗ 12А
    • 4. 2. 1. Техническое описание транзисторов типа КТЗ 12А
    • 4. 2. 2. Влияние статического электричества на транзисторы КТЗ 12А
    • 4. 2. 3. Циклическое воздействие «ЭСР-отжиг» на параметры транзисторов типа КТЗ12А
    • 4. 3. Способ выборочного контроля надежности транзисторов в партии на основе исследования циклических воздействий «ЭСР-отжиг» Выводы к главе 4 Основные результаты и
  • выводы
  • Список литературы
  • ВВЕДЕНИЕ. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Отжиг электростатических дефектов полупроводниковых биполярных изделий (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

В последние 30 лет к воздействию статического электричества на полупроводниковые изделия (диоды, транзисторы, интегральные схемы) проявляется повышенный интерес. Это связано со снижением их качества и надежности под воздействием электростатических разрядов (ЭСР). Разряды статического электричества способны вывести из строя не только отдельные полупроводниковые изделия (ПЛИ), но и целые блоки радиоэлектронной аппаратуры (РЭА).

В создавшейся ситуации возникла необходимость разработки различных мер защиты РЭА и ПЛИ от повреждения и помех при воздействии ЭСР. В литературе описываются различные способы защиты ППИ от ЭСР, начиная от подавления электростатических зарядов (ЭСЗ) и заканчивая увеличением стойкости аппаратуры и ее комплектующих к воздействию ЭСР за счет внешнего и внутреннего конструктивного решения [1].

Особую опасность ЭСР представляют для больших интегральных схем (БИС). Дальнейшее повышение сложности и степени интеграции, а, следовательно, и уменьшение минимальных размеров элементов приводит к большей чувствительности полупроводниковых интегральных схем (ИС) к воздействию ЭСР. Поэтому кроме применения внешних защитных мероприятий за последние годы разработаны методы встроенной (внутренней) защиты ИС [2].

Несмотря на все принимаемые меры, отрицательное воздействие ЭСР на ППИ остается проблемой.

Воздействие ЭСР приводит к повреждениям ППИ двух типов: катастрофическим и скрытым (или параметрическим).

Известно [3, 4, 5], что воздействие радиации на ИЭТ вызывает такие же типы повреждений. Но для параметрических радиационных дефектов характерно явление отжига, заключающееся в том, что после облучения у ПЛИ с течением времени в нормальных условиях или при повышенной температуре происходит частичное или полное восстановление электрических параметров.

В отечественной и зарубежной литературе до 1995 года [6−9] не было сообщений о наличии явления отжига электростатических дефектов. И только в 1995 году появилось сообщение профессора Горлова М. И. с сотрудниками кафедры полупроводниковой электроники ВГТУ об обнаруженном явлении отжига электростатических дефектов [10].

Это явление дает возможность восстанавливать значения электрических параметров и надежность ПЛИ после воздействия ЭСР. Поэтому детальное исследование явления отжига электростатических дефектов является весьма актуальным для обеспечения необходимого уровня надежности ПЛИ.

Работа выполнена по теме ГБ 2001;34 «Изучение технологических и физических процессов в полупроводниковых структурах и приборах».

Цель работы.

Экспериментально подтвердить явление отжига электростатических дефектов у кремниевых биполярных изделий различных типов.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи: на основе обзора литературы сравнить виды дефектов биполярных ППИ, возникающих при воздействии радиации и ЭСР, приводящие к параметрическим отказамизучить процесс отжига электрических параметров кремниевых биполярных ИС, подвергшихся воздействию ЭСРисследовать влияние циклических воздействий «ЭСР-отжиг» на параметры кремниевых биполярных транзисторовсравнить кинетику отжига электростатических дефектов р-п-ри л-/?-н-транзисторовразработать методику проведения выборочного контроля надежности транзисторов в партии на основе исследования циклических воздействий типа «ЭСР-отжиг».

Научная новизна.

В работе получены следующие новые научные и технические результаты.

1. Экспериментально подтверждено наличие у ППИ отжига электростатических дефектов различных видов: медленный (длительный или «временной») при нормальных условиях, термический и отжиг в режиме электротермотренировки.

2. Определена энергия активации отжига электростатических дефектов для маломощных транзисторов п-р-п и р-п-р типов. Полученные значения энергии активации отжига электростатических дефектов (0,3.0,5 эВ) соответствуют значениям энергии активации при нарушениях структуры оксида кремния.

3. Разработан способ разделения транзисторов по стабильности обратных токов.

4. Разработан способ выборочного контроля надежности транзисторов в партии.

Основные положения и результаты работы, выносимые на защиту.

1. Полупроводниковые изделия, имеющие параметрические отказы, возникшие под воздействием ЭСР, полностью или частично восстанавливают свои электрические параметры в результате воздействия режима электротермотренировки, длительного хранения в нормальных условиях и после выдержки при повышенной температуре, то есть в результате отжига электростатических дефектов.

2. Величина энергии активации отжига электростатических дефектов маломощных транзисторов равнозначна величине энергии активации нарушений в структуре оксида кремния.

3. Способ разделения транзисторов по стабильности обратных токов.

4. Способ выборочного контроля надежности транзисторов в партии.

Практическая ценность и реализация результатов работы.

1. Показано наличие различных видов отжига электростатических дефектов у полупроводниковых изделий: термического, в режиме электротермотренировки, хранения в нормальных условиях.

2. Численно определена энергия активации отжига электростатических дефектов маломощных транзисторов различной полярности.

3. Разработан способ разделения транзисторов по стабильности обратных токов. На данный способ подана заявка на изобретение.

4. Разработан способ выборочного контроля надежности транзисторов в партии. На разработанный способ получен патент РФ № 2 204 142 7 ООЖ 31/26 от 26.03.2001.

Апробация работы.

Материалы диссертации обсуждались на ежегодных международных научно-технических семинарах «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» (Москва, 1999;2003 г.) — международной конференции «Релаксационные эффекты в твердых телах» (Воронеж, 1999 г.) — конференциях профессорско-преподавательского состава, научных работников, аспирантов и студентов ВГТУ (Воронеж, 1999;2002 г.).

Публикации.

По материалам диссертации опубликовано 12 работ, получен патент РФ. В совместных работах автору принадлежит экспериментальная часть, разработка способов диагностического контроля надежности, обсуждение результатов.

Структура и объем диссертации

.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы. Общий объем диссертации составляет 106 страниц текста, включая 33 рисунка, 25 таблиц и список литературы из 78 наименований.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Проведенный анализ отечественной и зарубежной литературы по воздействию радиации и ЭСР на ПНЯ показывает, что виды отказов ППИ под воздействием радиации и ЭСР идентичны: катастрофические и скрытые (или параметрические). В литературе подробно описано явление отжига радиационных дефектов, однако информация по отжигу электростатических дефектов практически отсутствует.

2. Отжиг электростатических дефектов ППИ возможен только в случае, если по своей величине импульс ЭСР ниже значения опасного потенциала для данного типа изделийпоэтому при проведении экспериментов необходимо знать величину опасного и допустимого потенциала ЭСР.

3. Наличие временного отжига подтверждено восстановлением коэффициента усиления к2э У транзисторов КТ3107 и КТ3102, подвергнутых воздействию ЭСРналичие термического отжига — значительным приближением к первоначальному виду В АХ схем 106ЛБ2, подвергнутых воздействию ЭСР.

4. Рассчитана энергия активации отжига электростатических дефектов. Для транзисторов КТ3107Г (р-п-р) она оказалась равной 0,3 эВ. Для транзисторов КТ3102ВМ 0п-р-п) рассчитанное значение энергии активации составило 0,5 эВ. Значения энергии активации 0,3−0,5 эВ, полученные для отжига параметрических дефектов, соответствуют, по литературным данным, энергии активации нарушений в структуре оксида кремния.

5. У схем типа 106ЛБ2, подвергнутых воздействию ЭСР, после хранения в нормальных условиях и выдержке при повышенной температуре наблюдалось значительное приближение ВАХ к первоначальному виду, то есть происходил температурный отжиг.

6. У ИС типа КР142ЕН12 наблюдалось восстановление параметра UBbixmin после 500 ч испытаний на надежность. Это явление подтверждает наличие отжига в условиях электротермотренировки.

7. На основе исследования влияния на транзисторы циклов «ЭСР-отжиг» предложен способ разделения транзисторов по стабильности обратных токов. Данный способ позволяет оценить надежность транзисторов в процессе производства и эксплуатации. На способ подана заявка на изобретение.

8. На основе расчета коэффициента изменения информативного параметра в процессе проведения экспериментов по циклическому воздействию, а «ЭСР-отжиг» предложен способ выборочного контроля надежности транзисторов в партии. На разработанный способ получен патент РФ № 2 204 142.

Показать весь текст

Список литературы

  1. How to defeat electrostatic discharge // IEEE Spectrum. 1989. № 8. P.36−40.
  2. М.И., Андреев A.B., Воронцов A.B. Воздействие электростатических разрядов на изделия полупроводниковой электроники и радиоэлектронную аппаратуру. Воронеж: Издательство ВГУ, 1997. — 160 с.
  3. В.В., Коротченко В. А., Мамонтов А. П. Радиационные эффекты в полупроводниках при малых дозах облучения частицами // Физика и техника полупроводников, 1980, т. 14, вып.11. С. 2257−2260.
  4. А.О., Чепиженко А. З. Обеспечение радиационной стойкости аппаратуры связи. М.: Радио и связь, 1983. — 215 с.
  5. П. А. Чернов И.П., Тимошенков Ю. А. Динамика аннигиляции дефектов в полупроводниковых кристаллах под действием малых доз облучения // Физика и техника полупроводников, 1984, т. 18, № 11. С. 2061−2065.
  6. В.А., Зайцев A.A., Овечкин Ю. А. Статическое электричество в полупроводниковой промышленности. М.: Энергия, 1975. — 152 с.
  7. Г. Д. Защита полупроводниковых приборов и интегральных схем от статического электричества: Обзоры по электронной технике. Сер.2. «Полупроводниковые приборы». 1980. Вып. 4 (712). -45 с.
  8. М.И. Воздействие электростатических зарядов на полупроводниковые приборы и интегральные схемы в технологии, при испытаниях и эксплуатации: Обзоры по электронной технике. Сер.З. «Микроэлектроника». 1988. Вып.2. 45 с.
  9. Т., Берта И. Нейтрализация статического электричества / Пер. с англ. М.: Энергоатомиздат. 1987. 104 с.
  10. А.А. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Радио и связь, 1988. — 256 с.
  11. А.А., Чепиженко А. З., Борисов Ю. А. Перемежающиеся и устойчивые отказы в цифровых интегральных микросхемах при воздействии ионизирующего излучения // Зарубежная электронная техника. Сборник обзоров, 1986. № 7. — 164 с.
  12. В.Г., Волькенштейн Ф. Ф. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников. Минск: Наука и техника, 1986. № 7. — 164 с.
  13. В.А. Влияние ионизирующего излучения на свойства МДП-приборов // Обзоры по электронной техники. Серия 2 «Полупроводниковые приборы», 1978. № 14. — 32 с.
  14. Avery L.R. Electrostatic discharge: mechanism, protection techniques and effects on integrated circuit reliability // RCA Rev. 1984. № 2 P.291−302.
  15. Gossick B.R. Disordered Regions in Semiconductors Bombarded by Fast Neutrons.// J. Appl. Phys., 1959. v. 30. Ж8.Р. 1214−1218.
  16. Ф.П., Гатальский Г. В., Иванов Г. М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Минск: Наука и техника, 1978.-232 с.
  17. Р.Ф., Литвинов В. Д., Ухин Н. А. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий. -М.: Атомиздат, 1971. 176 с.
  18. Cheng L.J., Lori J. Characteristics of Neutron Damage in Silicon. // Phys. Rev., 1968. v. 171. № 3. P. 856−862.
  19. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники / Под ред. Е. А. Ладыгина. М.: Сов. Радио, 980. — 223 с.
  20. B.C., Ухин Н. А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1969. — 311 с.
  21. Г. А., Шапкин A.A., Ширшев Л. Г. Действие проникающей радиации на радиодетали. М.: Атомиздат, 1971. — 118 с.
  22. Ф.П., Богатырев Ю. В., Вавилов В. А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. М.: Наука и тех., 1986. — 254 с.
  23. Р. Проблемы, связанные с р-л-переходами в кремнии // УФН, 1982. т. 77, вып. 1. С. 161−196.
  24. Ф.П. Некоторые закономерности изменений характеристик кремниевых диодов. // Изв. АН БССР. Сер. физ.-мат. наук. 1970. № 6. С. 115−121.
  25. Ф.П. Влияние облучения на р-л-переходы. — В кн.: Радиационная физика кристаллов и р-л-переходов. — Минск: Наука и техника, 1972. С. 125−140.
  26. Л.Н., Подлепецкий Б. И., Попов В. Д. Радиационная стойкость полупроводниковых приборов и интегральных схем М.: Изд-во МИФИ, 1975. С. 46−79,97−101, 107−125.
  27. А.И., Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. — М.: Высшая шк., 1979.-367 с.
  28. Ю.Е. Интегральные логические схемы. М.: Сов. радио, 1970.-432 с.
  29. В.Г., Кублик В. Я., Литвинов Р. О. Влияние радиаци-онно-технических воздействий на характеристики полупроводниковых структур // Оптоэлектроника и полупроводниковая технология, 1982. № 1. С. 69−73.
  30. Ю.В., Коршунов Ф. П. Иследование отжига МОП-структур, облученных высокоэнергетическими электронами при различной температуре. Известия ВУЗов АН БССР. Сер. физ.-мат. наук, 1977, № 5. С.92−95.
  31. Danchenko V., Desai U.D., Brashears S.S. Characteristics of the annealing of Radiation Damage in MOS FETs. J. Appl. Phys., 1968, vol. 39. № 5. P. 2417−2422.
  32. Ю.П., Ведерников B.B., Лавренцев В. Д., Хорохина В. Д. Восстановление параметров МДП-приборов после воздействия ионизирующего излучения // Зарубежная электронная техника, 1988 г., № 1. С. 2431.
  33. М.И., Королев С. Ю. Физические основы надежности интегральных микросхем: Учебное пособие. Воронеж: Изд-во Воронеж, унта, 1995.-200 с.
  34. B.C., Локшин М. М. Высокочастотный отжиг дефектов в имплантированных МДП-структурах // Письма в ЖТФ. 1983. Т. 9. № 3. С. 796−799.
  35. B.C. Действие излучения на полупроводники. М.: Энер-гоатомиздат, 1992 137 с.
  36. Winokur P. S., Bocsch Н.Е. Annealing of MOS Capasitors with Implications for Test Procedures to Determine Radiation Hardness // IEEE Trans. Nucl. Sci, 1981, vol. NS-28. № 6. P. 4088−4094.
  37. Wrobell T.F., Evans D.C. Rapid Annealing in Advarced Bipolar Mi-crocirciuts // IEEE Trans. 1982 v. NS-29. № 8. P. 1721−1726.
  38. Buchman P. Total dose hardness assurance for microcircuits for spase anviroment // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1986. v. 33 № 6. P. 1352−1358.
  39. H.B., Соловьев Г. Г. Радиационная стойкость кремния. М.: Энергоатомиздат, 1989 96 с.
  40. Н.Н., Чериышов А. А., Коршунов Ф. П. Отжиг радиационных дефектов в кремниевых диодах, облученных быстрыми нейтронами // сб. «Радиационная физика кристаллов ир-и-переходов», 1972. С.33−39
  41. Дж. Митчел, Д. Уилсон Поверхностные эффекты в полупроводниковых приборах, вызванные радиацией. М.: Атомиздат, 1970. 134 с.
  42. Патент 59−2 287 739 Японии, МКИ H01L23/48. Полупроводниковые приборы / К. Кадзиухиро, О. Кунихико. опубл. 1984.
  43. Обеспечение качества микроэлектронных устройств: Обзор по материалам зарубежной печати // Радиоэлектроника. 1983. С. II-32-II-34.
  44. Pancholy R.K. Gate protecion for CMOS/SOS //15-th Annual Proc. Reliability Physics. 1977. P.132−137.
  45. A.B., Ильичев M.A. Исследование влияния электростатического поля на ИС //Тез. докл. IX науч.-тех. отрасл. конф. «Состояние и пути повышения надежности видеомагнитофонов». Воронеж, 1995. С.46
  46. А.А., Коваленко А. А., Степанов А. П. Влияние статического электричества на характеристики полупроводниковых структур при их защите полимерными материалами // Электронная техника. Сер. 2, 1982. Вып. 3. С. 70−74.
  47. М.И., Андреев А. В., Воронцов И. В., Воздействие электростатических зарядов на изделия полупроводниковой электроники и радиоэлектронную аппаратуру. Воронеж: Изд-во ВГУ, 1997. — 160 с.
  48. Manzoni M. Electrostatic discharge protection in linear IC’s //YEEE Transaction on Consumer Electronics. 1985 № 3 p. 601−607.
  49. Buvry E/ Les discharges electrostatiques: une cause importante de degrades circuits integers // RGE/ 1987, № 2. P.14−18.
  50. Электроника. 1986, № 3. С. 13−14
  51. Greason W.D., Castle G.S.P. The effects of electronic discharge on microelectronic devices a review // IEEE Trans. Ind. Appl. 1984. vol.20. № 2. P.247−252.
  52. Amerasekera E.A., Campbell D.S. An investigation of the nature and mechanisms of ESD damage in NMOS transistors // Solid State Electronics. 1989. Vol. 32. № 3. P. 199−206
  53. JI.M., Лабеукая H.A., Рыбалов О .Я. Воздействие разрядов статического электричества на микросхемы // Электронная техника. Сер. 8. 1978. Вып. 3. С. 133−139.
  54. М.И., Литвиненко Д. А. Отжиг радиационных и электростатических дефектов полупроводниковых изделий // Микроэлектроника, 2002, № 5. С. 352−359.
  55. Г. Д. Защита полупроводниковых приборов и ИС от статического электричества (реферативный обзор)// Обзоры по электронной технике, сер.2 «Полупроводниковые приборы», вып. 4 (712), М.: ЦНИИ «Электроника», 1980, — 24 с.
  56. М.И., Литвиненко Д.А Расчет энергии активации отжига электростатических дефектов маломощных биполярных транзисторов // Техника машиностроения, 2002 г., № 5. С. 12−13.
  57. H.H., Чернышов A.A., Коршунов Ф. П. Отжиг радиационных дефектов в кремниевых диодах, облученных быстрыми нейтронами // «Радиационная физика кристаллов ир-п переходов». 1972. С. 33−39.
  58. М.И., Строганов A.B. Геронтология интегральных схем: долговечность оксидных пленок // Петербургский журнал электроники, 1997. № 2. С. 24−36.
  59. М.И., Андреев A.B., Литвиненко Д. А. Отжиг электростатических дефектов в полупроводниковых изделиях // «Релаксационные эффекты в твердых телах» / Тезисы докладов международной конференции. Воронеж. 1999. С. 288−289.
  60. М.И., Литвиненко Д.А Отжиг электростатических дефектов полупроводниковых изделий // Межвузовский сборник научных трудов «Элементы и устройства микроэлектронной структуры». — Воронеж, ВГТУ, 2001 г. С. 89−96.
  61. М.И., Воронцов И. В., Литвиненко Д. А. Испытания ИС, содержащие воздействия ЭСР // Межвузовский сб. научных трудов «Твердотельная электроника и микроэлектроника». Воронеж. 1997. С. 35−42.
  62. Справочник. Диоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы широкого применения, изд-во «Воронеж». 1994 г. — 719 с.
  63. М. И. Воронцов И.В. Отжиг электростатических дефектов в полупроводниковых приборах // Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах: Матер, докл. междунар. науч.-технич. сем. М.: МНТОРЭС им. A.C. Попова, МЭИ, 1997. С.312−315.
  64. Патент RU 2 098 839 C1 6G01R 31/26. Способ разбраковки транзисторов по величине токов утечки / А. Н. Бубенников, Г. А. Кобозев- 5 064 688/07. Заявл. 05.06.92. Опубл. 10.12.97. Бюл. № 34.
  65. Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник / Под общ. ред. H.H. Горюновой. М.: Энергоатомиздат, 1983 г. 904 с.
  66. М.И., Литвиненко Д. А., Тарасова Ю. Е. Исследование влияния воздействия типа ЭСР-отжиг на параметры транзисторов КТ312 // Сб. Статей «Твердотельная электроника и микроэлектроника». Воронеж, ВГТУ, 2001. С. 201−205.
  67. М. И. Адамян А.Г., Литвиненко Д. А. Способ выборочного контроля надежности транзисторов в партии. Патент РФ № 2 204 142 1Ш С2 7 в 01 Я 31/26). Дата поступл. 26.03.2001. Опубл. 10.05.2003. Бюл. № 13.
  68. ОСТ И 073.062−84. Микросхемы интегральные и приборы полупроводниковые. Требования и методы защиты от статического электричества в условиях производства и применения.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?