Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Пассивные и активные мембраны для устройств микросистемной техники

Диссертация: Пассивные и активные мембраны для устройств микросистемной техники
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Поскольку уменьшение остаточных механических напряжений в мембранных конструкциях приводит к значительному повышению чувствительности устройств, и эта задача не решается полностью технологическими методами, нами была сформулирована цель работы: разработать физико-технологическе основы проектирования и изготовления пассивных и активных микроэлектромеханических элементов мембранного типа… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Мембранные элементы микромеханических систем: конструкции и материалы
    • 1. 1. Мембранные элементы в устройствах микромеханики
      • 1. 1. 1. Формы мембран (однослойные, многослойные, гофрированные, перфорированные)
      • 1. 1. 2. Пассивные и активные мембраны
    • 1. 2. Материалы, применяемые в конструкциях сенсоров и актюаторов мембранного типа
      • 1. 2. 1. Кремний
      • 1. 2. 2. Оксид и нитрид кремния
      • 1. 2. 3. Нитрид алюминия и карбид кремния
    • 1. 3. Конструкции микромеханических датчиков и актюаторов мембранного типа
      • 1. 3. 1. Микродатчики повышенного и пониженного давления
      • 1. 3. 2. Акустические микродатчики
      • 1. 3. 3. Актюаторы на основе активных мембран
  • Глава 2. Особенности технологии базовых материалов для микромеханических мембран
    • 2. 1. Осаждение слоев нитрида кремния
    • 2. 2. Осаждение слоев нитрида алюминия и карбида кремния
    • 2. 3. Анализ механических напряжений в слоях для микромеханических преобразователей
  • Глава 3. Управление механическими напряжениями в мембранных слоевых структурах
    • 3. 1. Методы измерения и расчета встроенных механических напряжений в слоях и слоевых композициях
      • 3. 1. 1. Расчет напряженно-деформированного состояния пластин и мембран
      • 3. 1. 2. Анализ работы акустического преобразователя
      • 3. 1. 3. Экспериментальная установка для исследования прогиба мембран в зависимости от внешних воздействий
      • 3. 1. 4. Экспериментальные исследования влияния параметров процесса осаждения слоев Si3N4 на их механические свойства
      • 3. 1. 5. Исследование внутренних механических напряжений в слоях нитрида алюминия в составе структур SisN^AlN
    • 3. 2. Способы управления механическими напряжениями в мембранных слоевых структурах
      • 3. 2. 1. Компенсация механических напряжений в двухслойных структурах
      • 3. 2. 2. Релаксация механических напряжений в конструкциях с гофрированной мембраной
      • 3. 2. 3. Технология изготовления чувствительного. элемента акустического датчика на основе гофрированных мембран
      • 3. 2. 4. Технология изготовления микроэлектромеханического пьезоэлектрического преобразователя на основе нитрида алюминия
      • 3. 2. 5. Активное управление механическими напряжениями в микромеханических структурах с пьезоэлектрическим слоем
  • Глава 4. Микромеханические преобразователи на основе пассивных и активных мембран
    • 4. 1. Акустический микрооптомеханический датчик на основе гофрированной мембраны
    • 4. 2. Пьезоэлектрический микроактюатор мембранного типа на основе композиции слоев нитрида кремния и нитрида алюминия
      • 4. 2. 1. Конструкция микроэлектромеханического пьезоэлектри-ческого актюатора на основе нитрида алюминия
      • 4. 2. 2. Статические и динамические характеристики пьезоэлектрического микроэлектромеханического актюатора

Пассивные и активные мембраны для устройств микросистемной техники (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Развитие микромеханики, ориентированной на создание миниатюрных сенсорных и исполнительных устройств, стимулировало поиск материалов и разработку конструкций, позволяющих эффективно управлять характеристиками микроэлектромеханических преобразователей. Значительное место среди них занимают сенсоры и актюаторы мембранного типа. В конструкции таких устройств используются композиции материалов, отличающиеся по структуре, составу, механическим, электрическим и теплофизическим свойствам. В связи с этим остро встает вопрос о физико-химическом и термомеханическом согласовании материалов и установлении влияния их характеристик на такие параметры прибора как чувствительность к механическим воздействиям или коэффициент преобразования электрического сигнала в механические деформации или напряжения. Базовая технология изготовления мембранных устройств микромеханики включает в себя получение композиций слоев конструкционных, сенсорных и активных материалов, формирование тонкой мембраны методами объемной или поверхностной микромеханики. Одновременно на кристалле-подложке формируются электрические и/или оптические регистрирующие, а также управляющие модули.

Минимизация одного из размеров (толщины) часто приводит и к новым качествам изделий [1]. Поскольку мембрана представляет собой сверхтонкий объект, в ней возможно возникновение механических напряжений. Умение управлять остаточными напряжениями в мембране позволяет создавать устройства с широким диапазоном чувствительности на базе единой конструкции. Как правило, управление остаточными напряжениями в мембранах осуществляется за счет изменения технологии осаждения материала и толщины слоя или композиции слоев. Технологические способы управления остаточными напряжениями в слоях мембраны зачастую являются неэффективными из-за большого количества параметров процесса их осаждения, оказывающих влияние на остаточные механические напряжения, и сложности управления всей совокупностью этих параметров с достаточной точностью. В настоящей работе рассматриваются три способа управления механическими напряжениями мембран — включение в состав мембраны двух слоев с напряжениями противоположных знаков, обеспечивающими взаимную компенсациюизменение формы мембраны за счет создания специальных топологических элементов — гофроввведение в конструкцию мембраны пьезоэлектрического слоя, что позволяет управлять механическими характеристиками мембраны, изменяя электрическое напряжение. Первые два типа мембран можно отнести к так называемым пассивным мембранам, третий тип представляет собой активную управляемую конструкцию. Использование материалов с пьезоэлектрическими свойствами делает возможным создание на базе мембраны не только сенсорных, но и актюаторных устройств.

В миниатюрных пьезоэлектрических преобразователях активный элемент традиционно изготавливается из пьезокерамики ЦТС. Применение пленок ЦТС в конструкции микромеханических сенсоров и актюаторов является целесообразным, когда требуется получить большие значения тока в выходной цепи, а также значительные усилия и мощность. В преобразователях, для которых выходным параметром является напряжение, требуется получить высокое соотношение сигнал-шум или выход по энергии, более эффективно использовать несегнетоэлектрический A1N [2].

В настоящей работе основное внимание уделяется тонкопленочным композициям с использованием слоев нитрида алюминия (A1N), входящих в состав мембранных конструкций, как в качестве чувствительного элемента сенсоров, так и активного материала исполнительного устройства актюаторов. Известно, что применение в качестве активного слоя пьезоэлектрических пленок широкозонного материала нитрида алюминия позволяет повысить рабочую температуру и радиационную стойкость устройств и создает предпосылки к использованию интегральных групповых процессов производства изделий.

Поскольку уменьшение остаточных механических напряжений в мембранных конструкциях приводит к значительному повышению чувствительности устройств, и эта задача не решается полностью технологическими методами, нами была сформулирована цель работы: разработать физико-технологическе основы проектирования и изготовления пассивных и активных микроэлектромеханических элементов мембранного типа с пониженным уровнем остаточных напряжений в мембране и возможностью управления механическими характеристиками мембраны и динамикой ее деформации с помощью электрического поля.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

— исследование влияния параметров процесса газофазного осаждения нитрида кремния (S13N4) на механические напряжения пленок;

— исследование влияния параметров процесса реактивного ионно-плазменного осаждения слоев A1N на состав, структуру, механические и пьезоэлектрические характеристики слоев;

— изучение механических напряжений в биморфных мембранах SI3N4/A1Nопределение размерного фактора, позволяющего управлять механическими напряжениями в биморфной мембране с целью их минимизацииопределение размерного фактора, позволяющего управлять чувствительностью гофрированной мембраны для миниатюрного акустического датчика;

— разработка способа управления механическими напряжениями мембранного элемента с пьезоэлектрическим слоем A1N изменением электрического потенциала поверхности мембраныразработка технологии изготовления гофрированных мембран микрооптомеханического акустического датчика на основе SI3N4 с металлическим зеркалом в центре для отражения оптического излученияразработка конструкции и технологии изготовления высокочувствительных гофрированных мембран с металлическим зеркалом в центре на основе композиции SI3N4/SiC;

— разработка технологии изготовления биморфного мембранного пьезоэлектрического актюатора на основе пленки A1N и определение его рабочих характеристик;

— создание измерительного комплекса для определения зависимости прогиба мембран от приложенного давления (пассивные мембраны) или электрического напряжения (активные мембраны), а также определения зависимости уровня электрического сигнала от приложенного давления для пьезоэлектрических мембран.

Для решения поставленных задач реализован комплекс технологических операций, включающий газофазное осаждение слоев SI3N4, реактивное ионно-плазменное осаждение слоев A1N и SiC, изотропное и ориентационно чувствительное жидкостное, а также реактивное ионно-плазменное травление кремния, осуществлялось математическое моделирование с применением метода конечных элементов в программном комплексе ANS YS. Для определения свойств и параметров слоев применялись методы: Оже-спетроскопия, дифракция быстрых электронов, атомно-силовая и растровая микроскопия, эллипсометрия. Подготовка образцов для растровой микроскопии осуществлялась с использованием остросфокусированного наноразмерного ионного пучка.

Научная новизна работы выражается в следующем:

1. Определен размерный фактор, позволяющий управлять напряжениями в активных и пассивных биморфных мембранах микроэлектромеханических преобразователей.

2. Определена зависимость чувствительности гофрированной мембраны от радиуса, ширины и глубины гофра, количества гофров, а также толщины мембраны и величины остаточных механических напряжений в материале, из которого она изготовлена.

3. Установлен вид зависимости чувствительности гофрированной мембраны от глубины гофра при постоянном отношении радиуса гофрированной мембраны к ее толщине, то есть с учетом конструктивных и технологических ограничений.

4. Определено влияние механических напряжений в специально создаваемом для отражения оптического излучения металлическом слое в центре мембраны на чувствительность гофрированных мембран для микромеханических акустических преобразователей с волоконнооптическим съемом информации.

5. Предложен способ управления механическими напряжениями в биморфных мембранах, содержащих пьезоэлектрический слой, с помощью задания толщины слоя и подачи электрического напряжения на электроды.

Практическая значимость работы состоит в том, что:

1. Разработана конструкция и технология изготовления микромеханического пьезоэлектрического преобразователя мембранного типа, созданы экспериментальные образцы и исследованы их характеристики. Имеется заявка на патент РФ на изобретение чувствительного элемента мембранного типа и способ его изготовления.

2. Разработана технология изготовления гофрированных мембран на основе 81зК4 с металлическим зеркалом для отражения оптического излучения в центре мембраны.

3. Изготовлены экспериментальные образцы микрооптомеханических акустических преобразователей и определены их характеристики. Установлено, что для типового мембранного элемента размером 1,5×1,5 мм при толщине слоя нитрида кремния 0,2 мкм чувствительность преобразователя имеет величину до 140 нм/Па.

4. Разработана технология изготовления высокочувствительных гофрированных мембран на основе композиции слоев Si3N4/SiC для микрооптомеханических акустических преобразователей. Для мембран размером 3×3 мм, сформированных на основе композиции слоев Si3N4/SiC суммарной толщиной 0,4 мкм, достигнуты значения чувствительности в интервале от 350 до 750 нм/Па в полосе частот 100 Гц — 20 кГц.

4. На базе измерительного стенда подготовлена лабораторная работа по курсу «Компоненты микросистем» для студентов, обучающихся по программе подготовки специалистов по специальности «Микросистемная техника». Результаты моделирования конструкции и технологии изготовления используются при проведении лекционных и практических занятий.

5. Результаты диссертационной работы использованы при выполнении: научно-исследовательских работ ЦМИД-117 «Барк-Ф», ЦМИД-129 «Луч-05», ЦМИД-142 «Лагранжиан-АО" — опытно-конструкторских работ ЦМИД-124 «Микродатчик», ЦМИД-139 «Луч».

На защиту выносятся следующие научные положения:

1. При создании гофрированной мембраны с конструктивно заданным отношением радиуса к толщине наиболее эффективным способом управления ее чувствительностью к внешнему механическому воздействию является изменение глубины гофра, причем установлено, что существует определенное значение остаточных напряжений в центральной части мембраны 104 Па), при достижении которого дальнейшее увеличение глубины гофра не приводит к повышению чувствительности независимо от количества гофров.

2. Остаточными напряжениями мембраны можно управлять не только традиционным конструктивным способом за счет создания мембраны, состоящей из композиции слоев определенной толщины и состава, обладающих механическими напряжениями противоположных знаков, но и активным электрическим способом путем включения в состав мембранной композиции пьезоэлектрического слоя и подачи на него электрического потенциала, обеспечивающего программируемое изменение механических напряжений в конструкции.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ:

1. Определены внутренние механические напряжения в пленках нитрида кремния, полученных методом газофазного осаждения, и их связь с параметрами технологического процесса осаждения пленки. Установлено, что увеличение потока моносилана в процессе газофазного осаждения пленки Si3N4 приводит к уменьшению внутренних механических напряжений. Однако это значительно ухудшает химическую стойкость пленки в КОН и ограничивает ее использование в процессах создания мембранных элементов микромеханических систем.

2. Определены внутренние механические напряжения пленок A1N, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления алюминиевой мишени в аргоно-азотной смеси.

3. Разработана методика минимизации внутренних механических напряжений двухслойных мембранных элементов SI3N4/A1N и Si3N4/SiC для повышения их чувствительности при сохранении размеров мембраны.

4. При создании гофрированного мембранного элемента акустического преобразователя с отражающим оптическое излучение металлическим элементом в центре эффективное управление его чувствительностью можно осуществлять изменением глубины гофра, при этом существует определенное значение остаточных напряжений в центральной части мембраны, при достижении которого дальнейшее увеличение глубины гофра не приводит к повышению чувствительности независимо от количества гофров.

5. Предложена методика управления механическими напряжениями активной биморфной мембраны с пьезоэлектрическим слоем изменением электрического потенциала поверхности мембраны.

6. Разработана методика определения механических напряжений слоев мембранного элемента, создан измерительный комплекс и программное обеспечение для изучения свойств пассивных и активных мембран.

7. Разработана технология изготовления высокочувствительных гофрированных мембран для микрооптомеханических акустических датчиков, изготовлены экспериментальные образцы и определены их рабочие характеристики. Для мембран с размерами 1,5×1,5 мм², толщиной пленки Si3N4 0,2 мкм получена чувствительность до 140 нм/Па, для мембраны на основе Л композиции Si3N4/SiC с размерами 3,0×3,0 мм и суммарной толщиной 0,4 мкм значения чувствительности составили от 350 до 750 нм/Па в полосе частот 100 Гц-20 кГц.

8. Разработаны физико-технологические основы изготовления биморфного мембранного элемента пьезоэлектрического преобразователя на основе пленки A1N, изготовлены экспериментальные образцы и определены их рабочие характеристики. Коэффициент преобразования составил 7 нм/В, чувствительность к внешнему давлению — 4,5 мкВ/Па при размерах мембраны 1,5×1,5 мм и толщинах Ь5вш =0,4 мкм, hAiN =0,9мкм.

9. На основе гофрированного мембранного элемента изготовлен высокочувствительный акустический датчик с оптическим каналом съема информации.

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , В.Д. Технологии минитюризации «сверху-вниз» или «снизу-вверх» / В. Д. Вернер, ПЛ. Мальцев, А. Н. Сауров, Ю. А. Чаплыгин // МНСТ. -2005, № 1.-С. 5−9.
  2. Muralt, P. Ferroelectric thin films for micro-sensors and actuators: a review / P. Muralt // J. Micromech. Microeng. 2000, № 10, — P. 136−146.
  3. , В.А. Физика микросистем: Учеб.пособие. В 2 ч. 4.1. / В. А. Гридчин, В. П. Драгунов // Новосибирск: НГТУ. 2004. — 416 с.
  4. , И.В. Теплофизические свойства микросистем на основе структур «карбид кремния на изоляторе» : дис.. канд. техн. наук: 05.27.01: / Никитин Илья Владимирович. С-Пб., 2002. — 162 с. — Библиогр.: с. 153−162.
  5. Handbook of Microlithography, Micromachining and Microfabrication / ed. P. Rai-Choudhury. v. 2. — SPIE Optical Engineering Press, The Institution of Electrical Engineers. — 1997. — 692 p.
  6. Chemical Non-uniformity of Thin Dielectric Films Prodused by Ammonolysis of Monosilane / V.I. Belyi, F.A. Kuznetsov, T.P. Smirnova et al. // Thin Solid Films. 1976, v. 37. — P. 439−442.
  7. Hentzell, H.T.G. Structure of AI-N films deposited by a quantitative dual ion beam process / H.T.G. Hentzell, J.M.B. Harper, J.J. Cuomo // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1984, v. 27. — P. 519
  8. Windischmann, H. Intrinsic stress in AIR prepared by dual ion-beam sputtering / H. Windischmann // Thin Solid Films. 1973, v. l54, N ½. — p. 159−170.
  9. Low-temperature growth of piezoelectric AIN film by the reactive planar magnetron sputtering / T. Shiosaki, T. Yamamoto et al. // Appl.Phys.Lett.-1980.- Vol.36, N 8. P.643−645.
  10. Rigo, S. Investigation of reactively sputtered silicon nitride films by complementary use of backscattering and nuclear-reaction microanalysis / S. Rigo,
  11. G. Amsel, M. Croset//J.Appi. Phys. 1976. — v. 47, N 7. — P. 2800−2810.
  12. , JI.А. Низкотемпературное нанесение пленок нитридов кремния и алюминия реактивным распылением в вакууме / JI.A. Сейдман //Обзор по электр. техн. Сер. 7. Технология, организация производства и оборудование, 1990, вып. 5 (1519). С. 1- 52.
  13. Синтез текстурированных пленок нитрида алюминия / A.M. Ефременко, А. Н. Кривошеева, А. В. Корляков // Тезисы доклада IV Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии». Кисловодск. — 19−24 сентября 2004 г.
  14. Получение текстурированных слоев нитрида алюминия / A.M. Ефременко, С. А. Исаев, А. Н. Кривошеева, А. В. Корляков // Тезисы доклада. XI Национальная конференция по росту кристаллов. Москва. -2004 г.
  15. Изучение текстурированных слоев нитрида алюминия методом атомно-силовой микроскопии (АСМ) / А. Н. Кривошеева, A.M. Ефременко,
  16. H.М. Коровкина, В. А. Ильин, В. В. Лучинин // Тезисы доклада. Седьмая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. СПб. — 5 — 9 декабря 2005 г. -С. 32.
  17. Kazuya Kusaka, Effect of nitrogen gas pressure on residual stress in A1N films deposited by the planar magnetron sputtering system / Kazuya Kusaka et all. //Thin Solid Films. 1996. — v. 281−282. — P. 340−343.
  18. Ohuehi, F.S., Russel P.E. AIN thin films with controlled, crystallographic orientations ana their microstructure / F.S. Ohuehi, P.E. Russel // J. Vac. Sci Technol. A. 1987.-Vol.5, К 4. — P. 1650−1654.
  19. Growth of AIN Film on Mo/Si02/Si (111) for 5 GHz-Band FBAR Using MOCVD / C.-M. Yang, et al // IEEE Ultrasonics Symposium. 2004
  20. AIN-based film bulk acoustic resonator devices with W/Si02 multilayers reflector for bandpass filter application / Sang-Hee Kim and Jong-Heon Kim // J. Vac. Sci. Technol. B: Microelectronics and Nanometer Structures. 2001, v. 19, Issue 4.-P. 1164−1168.
  21. Highly c-axis oriented thin AIN films deposited on gold seed layer for FBAR devices / Kok-Wan Tay, Cheng-Liang Huang, Long Wu // J. Vac. Sci. Technol. B. 2005, v. 23, Issue 4. — P. 1474−1479.
  22. Prof. Dr.-Ing. Manfred Kasper. Microsystem Engineering. Lecture notes. http://www.tu-harburg.de/mst/deutsch/lehre/mikrosystemtechnik/mst eng. shtml
  23. B.B., Таиров Ю. М. Карбид кремния перспективный материал электронной техники // Известия высших учебных заведений". Электроника. Вып.1,1997, с. 10−38.
  24. А.В., Лучинин В. В., Мальцев П. П. Микроэлектромеханические структуры на основе композиции «карбид кремния нитрид алюминия» //Микроэлектроника. 1999, № 3, С.201−212.
  25. , Дж. Современные датчики. Справочник / Дж. Фрайден // Москва. Техносфера, 2005. 592 с.
  26. , Р.Г. Новейшие датчики / Р. Г. Джексон // Москва: Техносфера. 2007. — 384 с.
  27. , A.B. Теория и расчет электромеханических преобразователей на основе пленочных пьезоматериалов: Учеб. пособие / A.B. Варфоломеев, H.A. Ганенков, Г. Ф. Глинский, В. И. Закржевский, Н. С. Пщелко // ТЭТУ, СПб. 1997. — 52 с.
  28. Микроэлектромеханические структуры на основе композиции «карбид кремния нитрид алюминия» / A.B. Корляков, В. В. Лучинин, П. П. Мальцев //Микроэлектроника. — 1999. — № 3. — С. 201−212
  29. Silicon Carbid Aluminium Nitride: a New High Stability Composition for MEMS / V.V. Luchinin, A.V. Korlyakov, A.A. Vasilev // Proceedings of SPIE. Design, Test and Microfabrication of MEMS and MOEMS. — 1999. — V. 3680. -P. 783−791.
  30. Madow, M. Fundamentals of Microfabrication. CRC Press, Boca Raton. — London, New York, Washington D.C. — 1997. — 589 p.
  31. , В.И. Нитрид кремния в электронике / В. И. Белый, JI.JI. Васильева, В. А. Гриценко и др. Новосибирск: Наука. — 1982. — 197 с.
  32. , Г. А. Кинетика термического распада аммиака при высоких температурах / Г. А. Вомпе // Ж. физ. химии. 1973. — т. 47. — № 5. — С. 1269−1270.
  33. Optimization of Charge Storage in MNOS Memory Device / A.M. Goodman, E.S. Ross, M.T. Duffy // RCA Review. 1970. — v. 31. — p. 342−346.
  34. Hydrogen Content and Annealing of Memory Quality Silicon-Oxynitride Films / H.J. Stein // J. Electron. Mat. 1976. — v. 5. — № 2, — P. 161−177.
  35. Distribution and Role of N-H and Si-H Bonds in MNOS Structures /
  36. G. Stubnya, I.C. Szep, G. Hoffman et al. // Rev. de Physique Applique. 1978. -v. 13. P. 679−682.
  37. Chemicaly Bond Hydrogen in CVD Si3N4 Dependence on NH3/SiH4 Ratio and Annealing / H.J. Stein, H.A.R. Wegener // J. Electrochem. Soc. 1977. -v. 124.-№ 6.-P. 908−912.
  38. The Hydrogen Content of Plasma-deposited Silicon Nitride / W.A. Lonford, M.J. Rand // J. App. Phys. 1978. — v. 49. — № 4. — P. 2473−2477.
  39. SiKa X-ray Emission Spectra of Si, SiC, Si02 and Si3N4 / G. Graeffe,
  40. H. Iulslen, M. Karras // J. Phys., B: Atom. Molec. Phys. 1977. — v. 10. — № 16. -P. 3219−3227.
  41. Preparation of Definition du Nitride Silicon / M. Billy // An. Chime. -1959. v. 4. -№ 7−8. P. 795−851.
  42. Влияние примесей на рост кристаллов при рекристаллизации /
  43. B. Книппенберг, Г. Верспьюи // В кн. Карбид кремния, ред. Г. Хениш и Р. Рой. -М.:Мир.- 1972.-С. 119−140.
  44. Гетероэпитаксия карбида кремния на диэлектрической подложке /
  45. C.Н. Думченко, А. В. Корляков, В. В. Лучинин и др. // Тез. докл. VII конф. по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск. 1986. — Т. 1.- С. 221−222.
  46. Reactive ion beam deposition of aluminum nitride thin films/ S. Bhat, S. Ashok // J. Electron Mater. 1988. — Vol. 14, № 4. — P. 407−418.
  47. Молекулярно-лучевая эпитаксия сильно рассогласованной по постоянной решетке гетеросистемы A1N/Si (l 11) для применения в приборах поверхностных акустических волн / Д. Г. Кипшидзе и др. // ФТП. 1999. -том 33. — выпуск 11.
  48. К. Dovidenko, S. Oktyabrsky, J. Narayan, M. Razeghi // J. Appl. Phys. -1996.-v. 79.-P. 2439.
  49. M.O. Aboelfotoh, R.F. Davis, S. Tanaka, R.S. Kern and C.I. Harris // Appl. Phis. Lett. 1996. — v. 69. — P. 2873.
  50. C. Deger, E. Born, H. Angerer, et al. // Appl. Phys. Lett. 1998. — v. 72. P. 2400.
  51. W.J. Meng, J.A. Sell, T.A. Perry, et all. // J. Appl. Phys. 1994. — v. 75. -P. 3446.
  52. Синтез твердотельных структур / В. Ф. Дорфман. М.: Металлургия.1986.
  53. Voltage controlled, reactive planar magnetron reactive sputtering / R. McMahon, J. Affinito, R.R. Parsons // Thin Solid Films. 1981. — Vol. 81, № 2. — P. 375−381.
  54. , C.B. Низкотемпературная технология получения эпитаксиальных структур карбид кремния на изоляторе на основе композиции «SiC-AIN»: дис. .канд. техн. наук: 05.27.06: / Костромин Сергей Викторович. СПб. — 1997.-210 с. -Библиогр.: с. 190−201.
  55. , Е.Н. Специфика технологии микроэлектромеханических устройств / Е. Н. Пятышев, М. С. Лурье, И. В. Попова, А. Н. Казакин // Микросистемная техника. 2001, № 6. — с. 32 — 35.
  56. Tamulevicvius, S. Stress and strain in the vacuum deposited thin films / S. Tamulevic" ius // Vacuum. 1998. — v.5, n. 2. — p. 127−139.
  57. P. Riehemann, V. Fleischer and V. Martens // Journal of Alloys and Compounds. 1994. -v.3 211/212. — P. 596−599.
  58. C.A. Davis // Thin Solid Films. 1993. — v. 226. — P. 30.
  59. N.A. Marks, D.R. McKenzie and B.A. Pailthorpe // Physical Review, В. 1996. — v. 53(7).-P. 4117.
  60. D.A. Brighton and G.K. Hubler // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 1987. — v. B28. — P. 527.
  61. , С.П. Пластинки и оболочки / С. П. Тимошенко, С. Войновский-Кригер. -М.: Наука. 1966.
  62. S. Karmann, H.P.D. Schenk, U. Kaiser, A. Fissel, Wo. Richter // Mater. Sei. Eng. B. 1997. — v. 50. — P. — 228.
  63. , JI.E. Упругие элементы приборов / JI.E. Андреева // M.: Машиностроение. -1981.
  64. , В.И. Упругие элементы точного приборостроения / В. И. Феодосьев // Оборонгиз. 1949.
  65. Совместимость технологий микросистемной техники с технологией микроэлектроники / В. В. Амеличев, В. Д. Вернер, A.B. Ильков, А. Н. Сауров // Нано- и микросистемная техника. 2006, № 11. — С. 10−14.
  66. Каплун, А.Б. ANSYS в руках инженера: Практическое руководство. Изд. 2-е, испр. М.: Едиториал УРСС. — 2004. — 272 с.
  67. ANS YS Release 9.0 Documentation.
  68. ANSYS Inc., Theory Reference.
  69. High Sensitive Touch Sensor With Piezoelectric Thin Film for Pipetting Works under Microscope / K. Motoo et all. // Sens. Actuators A. 2006. -v. 126.-P. 1−6.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?