Тонкопленочные сверхпроводниковые структуры из титана для сверхчувствительных криогенных болометров терагерцового диапазона частот

ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Содержание

В. 1. Актуальность темы
В.2. Цель и задачи исследования
В.З. Научная новизна работы
В.4. Практическая ценность работы
В.5. Личный вклад диссертанта в данную работу
В.6. Положения, выносимые на защиту
В.7. Апробация работы
В. 8. Публикации
В.9. Объем и структура диссертации
ГЛАВА 1. СВЕРХЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ БОЛОМЕТРЫ- 12 СЕНСОРЫ НА КРАЮ СВЕРХПРОВОДНИКОВОГО ПЕРЕХОДА
- 1. 1. Что такое СКП-болометры
- 1. 2. Области применения
- 1. 3. Понно-плазменное осаждение тонких пленок
- 1. 4. Постановка задачи данной диссертационной работы
ГЛАВА 2. ИЗГОТОВЛЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ТОНКО- 29 ПЛЕНОЧНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР ИЗ ТИТАНА ДЛЯ СКП-БОЛОМЕТРОВ
- 2. 1. Оборудование для изготовления структур и методы контроля 29 характеристик
- 2. 2. Получение и диагностика тонких пленок из титана
  - 2. 2. 1. Исследование морфологии титановых пленок в РЭМ
  - 2. 2. 2. Зависимость от условий осаждения
- 2. 3. Формирование тонкопленочных титановых структур 64 методами электронной литографии и их исследование
  - 2. 3. 1. Взрывная литография
  - 2. 3. 2. Ионное травление через резисты
  - 2. 3. 3. Ионное травление через титановую маску
  - 2. 3. 4. Жидкостное травление
- 2. 4. Использование полиэфирсульфона в качестве негативного 94 резиста для электронной литографии
  - 2. 4. 1. Свойства полиэфирсульфона
  - 2. 4. 2. Методика изготовления резиста
  - 2. 4. 3. Исследование процесса электронной литографии с 97 использованием PES
  - 2. 4. 4. Взрывная литография с маской из PES
  - 2. 4. 5. Жидкостное травление пленок титана через маску из PES
  - 2. 4. 6. Ионное травление пленок титана через маску PES
  - 2. 4. 7. Исследование характеристик образцов изготовленных с 106 использованием полиэфирсульфона

Тонкопленочные сверхпроводниковые структуры из титана для сверхчувствительных криогенных болометров терагерцового диапазона частот (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

В.1.

Актуальность темы

Терагерцовый диапазон частот является одним из наименее изученных на сегодняшний день (Я = 3 — ОД мм, частоты 0,1—3 ТГц). Известно, что около 80% информации, доставляемой электромагнитным излучением к Земле из космоса, приходится на указанные длины волн, поэтому полученная от этого излучения информация даст возможность расширить наши представления о Вселенной и происходящих в ней процессах. Также системы терагерцового видения могут эффективно применяться для решения задач безопасности и медицинской диагностики, так как имея высокую чувствительность, они позволяют производить пассивное (необлучающее) сканирование объекта. Создание систем терагерцового видения с предельной.

17 1Ю чувствительностью (noize equivalent power — NEP) NEP ~ 10″ Вт/Гц для наземных применений и NEP- 10″ Вт/Гц для внеатмосферного детектирования космического электромагнитного излучения является в настоящее время актуальной задачей, над которой работают научные коллективы во всем мире. Последнее значение близко к пределу, обусловленному квантовым шумом самого принимаемого излучения, включая космический фон.

В настоящее время активно развивается технология изготовления чувствительных приемников для данного диапазона частот, в частности сверхпроводниковых болометров — устройств, у которых чувствительным элементом является поглотитель, нагревающийся под действием падающего излучения, и которые работают при температурах, близких к критической температуре применяемого сверхпроводника. Для изготовления таких болометров должны быть применены структуры, у которых температура края сверхпроводникового перехода находится в указанном выше интервале сверхнизких температур и соответствует рабочей температуре применяемого рефрижератора. Выполнить данное требование можно путем применения тонкопленочных структур из титана в качестве поглотителя, варьирование толщины которого обеспечивает требуемую температуру края сверхпроводникового перехода. В диссертационной работе рассматриваются вопросы исследования и тестирования, а также разработки технологии создания тонкопленочных титановых структур с целью применения их в качестве поглотителей сверхчувствительного болометра для систем терагерцового видения.

В.2.

Цель и задачи исследования

Целью данной диссертации является получение и исследование надежных и воспроизводимых тонкопленочных сверхпроводниковых структур из титана для создания на их основе поглотителей сверхчувствительных криогенных болометров терагерцового диапазона со сверхпроводниковым фазовым переходом на «горячих электронах». Для этого необходимо решить следующие задачи:

— выбор толщины тонкой титановой пленки, которая позволит проводить измерения с использованием структур, изготовленных из этой пленки, при температурах, достижимых в сорбционных рефрижераторах на.

Не (~0,35 К);

— исследование основных факторов, влияющих на ширину и температуру сверхпроводящего перехода в таких структурах;

— разработка технологического процесса изготовления микроструктур с целью получения максимально резкого края сверхпроводникового перехода и повышения таким способом их предельной чувствительности;

— оптимизация лабораторной методики получения названных структур с учетом влияния отдельных этапов процесса на параметры титановых пленок;

— тестирование полученных микроструктур, оценка чувствительности болометров на основе этих микроструктур.

В.З. Научная новизна работы.

— Впервые получены и исследованы сверхпроводящие микроструктуры из тонких пленок титана толщиной -100 нм с заданной критической температурой перехода ~ 0,35 К.

— Исследованы основные факторы, влияющие на ширину и температуру сверхпроводникового перехода в таких структурах, а именно: условия магнетронного осаждения титана, основные способы микроструктурирования — «взрывная» литография, ионное травление через маску из титана, жидкостное травление через маски из резистов и диоксида кремния.

— Впервые с использованием оригинального негативного резиста на основе термостабильного полимера полиэфирсульфона (PES) различными методами изготовлены тонкопленочные титановые структуры, превосходящие по своим параметрам структуры, изготовленные с использованием доступных коммерческих резистов.

— На основе результатов проведенных экспериментов и анализа полученных данных (температурная зависимость сопротивления и вольт-амперная характеристика при облучении чернотельным излучателем) рассчитана предельная чувствительность этих структур NEP ~ 10'17 Вт/Гц½.

В.4. Практическая ценность работы.

1. Проведенные в работе исследования тонкопленочных титановых микроструктур позволили создать поглотители для СКП-болометров терагерцового диапазона частот, работающих при температурах ~ 0,35 К. Сделана оценка их чувствительности. С использованием данных поглотителей в ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН изготавливаются лабораторные образцы СКП-болометров, включенных в планарную антенну.

2. Результаты исследований свойств тонких пленок титана, осажденных при различных условиях, и свойств тонкопленочных титановых структур, сформированных различными методами, позволили разработать лабораторную методику получения тонкопленочных сверхпроводниковых микроструктур из титана с заданной критической температурой (Тк~ 0,35 К). Предложенная методика позволяет обеспечивать необходимые свойства микроструктур, значительно повысить их качество и воспроизводимость, что в дальнейшем может быть использовано для создания на их основе элементов приборов сверхпроводниковой электроники, изготавливаемых из титана.

3. Изготовлен резист на основе промышленного термостабильного полимера полиэфирсульфона. Разработана методика применения данного резиста для целей электронно-лучевой литографии и дальнейших технологических процессов. С применением полученного резиста изготовлены тонкопленочные титановые структуры, которые по своим параметрам превосходят структуры, изготовленные с использованием широко распространенных коммерческих резистов. Результаты исследования могут быть использованы для оптимизации процессов изготовления электронных приборов на основе структур из тугоплавких металлов, чувствительных к примесям, образующимся в результате технологических операций.

В.5. Личный вклад диссертанта в данную работу.

Работы были выполнены A.C. Ильиным в соавторстве с сотрудниками лаборатории «Сверхпроводниковые терагерцовые болометроы» в ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН.

Совместно с А. Г. Коваленко и A.A. Кузьминым автором были разработаны методики изготовления сверхпроводниковых тонкопленочных титановых микроструктур и изготовлены данные структуры. Автор принимал участие в проведенных И. А. Коном низкотемпературных измерениях полученных структур и в обсуждении полученных результатов.

Совместно с И. Г. Ляховым автором были изготовлены и исследованы образцы тонких пленок из титана.

Изготовление и разработка методики применения резиста на основе термостабильного полимера полиэфирсульфона для целей электроннолучевой литографии, а также изготовление с использованием данного резиста тестовых образцов были выполнены автором лично.

В.6. Положения, выносимые на защиту.

1. Экспериментальное исследование влияния условий ионно-плазменного осаждения титана на сверхпроводящие свойства пленокопределение оптимальных условий получения магнетронным распылением тонких пленок из титана с заданной критической температурой.

2. Изготовление негативного резиста на основе термостабильного полимера полиэфирсульфона и разработка методики применения данного резиста для целей электронно-лучевой литографии и дальнейших технологических процессов.

3. Экспериментальное исследование влияния на качество тонкопленочных титановых структур различных способов изготовления микроструктур, в том числе «взрывной» литографии, ионного травления через маску из титана, жидкостного травления с использованием масок из ПММА, 8Ю2 и полиэфирсульфона. Исследование ионного травления пленок из титана через маску из полиэфирсульфона. Изготовление и исследование образцов с использованием упомянутых технологических процессов.

4. Создание на основе разработанной технологической методики качественных, надежных и воспроизводимых тонкопленочных микроструктур из титана с 0,35 К, что соответствует рабочей температуре применяемого рефрижератора.

В.7. Апробация работы.

Результаты представленных в диссертации исследований докладывались на следующих научных конференциях:

• Eighth International Workshop on Low Temperature Electronics, Jena/Gabelbach, Germany, June 22−25, 2008;

• The Conference on Millimeter and Submillimeter Detectors and Instrumentation for Astronomy as part of «The SPIE Symposium on Astronomical Telescopes and Instrumentation: Synergies Between Ground and Space», 23−28 June 2008, Marseille, France;

• 33rd International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, California Institute of Technology in Pasadena, California, USA, 15−19 September, 2008;

• 51-я научная конференция МФТИ, 28−30 ноября 2008, Москва;

• Международная научно-техническая конференция «Нанотехнологии и наноматериалы», 30−31 марта, 1 апреля 2009 г., МГОУ, Москва;

• III Всероссийская конференция «Радиолокация и радиосвязь», Москва, ИРЭ РАН, 26−30 октября 2009 г.;

• The 7th Intern. Kharkov Symp. on Physics and Engineering of Microwaves, Millimeter and Submillimeter waves (MSMW'10) and Workshop on Terahertz Technology (TERATECH'10), Kharkov, Ukraine, June 21−26, 2010;

• Terahertz radiation: Generation and Applications, 26 July — 1 August 2010, Budker INP, Novosibirsk, RF;

• The 2-nd International conference «Terahertz and Microwave radiation: Generation, Detection and Applications», 20−22 June 2012, Moscow, Russia.

В.8. Публикации.

Основные результаты исследований отражены в 10 работах, в том числе 6 статей в журналах, входящих в Перечень изданий, рекомендованных ВАК Минобразования и науки РФ. Список работ приведен в конце диссертации.

В.9. Объем и структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, двух глав, заключения, одного приложения, списка публикаций по теме диссертационной работы и списка цитированной литературы, содержащего 91 наименование.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ.

1. Впервые получены надежные и качественные тонкопленочные микроструктуры из титана для создания на их основе поглотителей сверхчувствительных криогенных болометров с заданной критической температурой. Разработана лабораторная методика получения таких микроструктур. С использованием данных поглотителей создаются лабораторные образцы СКП-болометров, включенных в планарную антенну.

2. Проведенные исследования влияния процесса магнетронного распыления титана на качество осаждаемых пленок показали наличие сильной зависимости структуры получаемых пленок и шероховатости их поверхности, а следовательно, и их сверхпроводящих свойств, от условий осаждения титана. На основе результатов исследований определен оптимальный режим магнетронного осаждения титана: давление аргона в камере — 5*10″ 3мбар, мощность разряда — 600 Вт, расстояние мишень-подложка — 50 мм.

3. Проведенные исследования влияния различных процессов микроструктурирования на качество изготавливаемых тонкопленочных титановых структур показали:

— в процессе магнетронного осаждения титана через маску из ПММА происходит дегазация резиста, и в напыляемую пленку сверхпроводника попадает значительное число органических примесей, следствием чего является неконтролируемое изменение Тк структур и ее ширины;

— при прямом ионном травлении тонкопленочных титановых структур без использования резистной маски в пленку попадает значительное количество углерода из нейтрализатора и снижается гладкость пленки, что приводит к значительному изменению ее сверхпроводящих свойств;

— с использованием жидкостного травления титановых пленок через маски из резистов возможно получение микроструктур приемлемого качества, но ограниченных по воспроизводимости и минимальным размерам, также показано, что использование пленки диоксида кремния в качестве маски для травления титана неприемлемо, поскольку осаждение пленки оксида кремния поверх пленки из титана приводит к изменению сверхпроводящих свойств последнего.

4. Изготовлен резист на основе промышленного термостабильного полимера полиэфирсульфона. Разработанная методика применения данного резиста для электронно-лучевой литографии и дальнейших технологических процессов позволила получить различными методами тонкопленочные титановые структуры, превосходящие по своим параметрам структуры, изготовленные с использованием доступных коммерческих резистов, использующиеся при создании СКП-болометров.

5. На основе результатов проведенных экспериментов по измерению оптического отклика на излучение черного тела с задаваемой температурой и анализа полученных данных (температурная зависимость сопротивления и вольт-амперная характеристика при облучении чернотельным излучателем) рассчитана предельная чувствительность этих структур (noise equivalent power) NEP ~ 10″ 17 Вт/Гц½.

ПУБЛИКАЦИИ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИОННОЙ РАБОТЫ.

Al] Vystavkin A.N., Kovalenko A.G., Shitov S.V., Pestryakov A.V., Bankov S.E., Kazantsev Yu.N., Zabolotny V.F., Frolova E.V., Cohn I.A., Koryukin O.V., Kuzmin A.A., Zubovich A.A., Uvarov A.V., IVin A.S., Development of ultra low-noise two-polarization 0.3 — 1.5 THz TES bolometer arrays for ground-based and space telescopes // Abstract for Eighth International Workshop on Low Temperature Electronics. — Jena/Gabelbach, Germany. -2008. — June 22−25. -pp.136−138.

A2] Alexander N. Vystavkin, Andrey V. Pestryakov, Sergey V. Shitov, Mikhail I. Faley, Alia G. Kovalenko, Yury V. Maslennikov, Vladimir Yu. Slobodchikov, Vladimir V. Khanin, Oleg V. Koryukin, Ilya A. Cohn, Artem A. Kuzmin, Andrey V. Uvarov, Alexev S. IVin, Anton A. Zubovich, Vyacheslav F. Vdovin, Vladimir G. Perminov, Oleg S. Bol’shakov, Method for Characterization of a Submillimeter TES Bolometer Using Temperature Swept Blackbody // Abstract for 33rd., International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves. -California Institute of Technology in Pasadena. — California, USA. — 2008. — 1519 September.

A3] Выставкин A.H., Коваленко А. Г., Шитов C.B., Корюкин О. В., Кон И. А., Кузьмин А. А., Уваров А. В., Ильин А. С., Сверхпроводниковые наноболометры — сенсоры на горячих электронах для сверхчувствительных матричных радиометров терагерцового диапазона частот // Нанотехнологии и наноматериалы: материалы междунар. науч.-техн. конф. — М.: Изд-во МГОУ. -2009. — с. 481−488.

А4] Выставкин А. Н., Коваленко А. Г., Шитов С. В., Корюкин О. В., Кон И. А., Кузьмин А. А., Уваров А. В., Ильин А. С., Сверхпроводниковые наноболометры-сенсоры на горячих электронах для сверхчувствительных матричных радиометров терагерцового диапазона частот // Радиотехника и электроника. — 2010. — Т.55. — № 6. — С. 757−763.

А5] Vystavkin A.N., Kovalenko A.G., Shitov S.V., Koryukin O.V., Коп I.A., Kuzmin A.A., Uvarov A.V., IVin A.S., Superconducting hot-electron nanobolometer-sensor arrays for supersensitive imaging radiometers of Terahertz frequency range // The 7th Intern. Kharkov Symp. on Physics and Engineering of Microwaves, Millimeter and Submillimeter waves (MSMW'10) and Workshop on Terahertz Technology (TERATECH'10). — Kharkov, Ukraine. — 2010. — June 2126.

A6] Vystavkin A.N., Kovalenko A.G., Shitov S. V, Koryukin O.V., Cohn I.A., Kuzmin A.A., Uvarov A.V., IVin A.S., Hot-electron superconducting nanobolometers-sensors and arrays of them for high sensitive Terahertz frequency range imaging radiometers // Intern. Symp. «Terahertz radiation: Generation and Applications». -Budker INP. — Novosibirsk, RF. — 2010. — 26 July — 1 August. -Книга тезисов. — С. 15. — ISBN 978−5-904 968−03−8.

A7] Cherepenin V.A., Vystavkin A.N., Kovalenko A.G., Shitov S.V., Koryukin O.V., Cohn I.A., Kuzmin A.A., Uvarov A.V., IVin A.S., Hot-electron superconducting nanobolometers-sensors and arrays of them for high sensitive terahertz frequency range imaging radiometers [Электронный ресурс] // Journal of Radio Electronics. -2011. -№ 3. -M.: Журнал радиоэлектроники. — Режим доступа: http://ire.cplire.rU/ire/marll/4/text.html, свободный. — Загл. с экрана.

А8] Ильин А. С., Кузьмин А. А., Коваленко А. Г., Использование полиэфирсульфона (PES) для электронно-лучевой литографии [Электронный ресурс] // Журнал радиоэлектроники. -2011. -№ 8. -М.: Журнал радиоэлектроники. — Режим доступа: http://jre.cplire.ru/ire/augl l/8/text.htmh свободный. — Загл. с экрана.

А9] Ляхов И. Г., Булах К. В., Ильин A.C., Исследование микроструктуры тонких пленок титана для криогенных детекторов при различных режимах магнетронного напыления [Электронный ресурс] // Журнал радиоэлектроники. -2012. -№ 9. -М.: Журнал радиоэлектроники. — Режим доступа: http://ire.cplire.ru/ire/sepl2/3/text.html, свободный. — Загл. с экрана.

А10] А. Н. Выставкин, А. Г. Коваленко, И. А. Кон, А. С. Ильин. С. В. Шитов, О. В. Корюкин, А. В. Уваров, Оценка оптической предельной чувствительности титановых наноболометров-сенсоров на краю сверхпроводникового перехода с разогревом электронного газа [Электронный ресурс] // Журнал радиоэлектроники. -2012. -№ 10. -М.: Журнал радиоэлектроники. — Режим доступа: http://ire.cplire.rU/ire/octl2/2/text.html, свободный. — Загл. с экрана.

Показать весь текст

Список литературы

Sizov, F. THz radiation sensors. // Opto-Electronics Review, Volume 18, Issue 1,2010, pp. 10−36
F. Sizov, Photoelectronics for Vision Systems in Invisible Spectral Ranges, //Akademperiodika, Kiev, 2008. (in Russian).
Выставкин A.H., Коваленко А. Г., Кон И. А. К оценке чувствительности болометров, работающих на краю сверхпроводникового перехода // Радиотехника и электроника. 2007. — т. 52, № 4 — С. 224−228.
Андреев А.Ф. Теплопроводность промежуточного состояния сверхпроводников, //ЖЭТФ, 1964, т. 46, вып. 5, сс. 1823−1828.
A. Semenov, G.N. Gol’tsman, and R. Sobolewski. Hot-electron effect in semiconductors and its applications for radiation sensors. //LLE Review 87, 134— 143 (2001).
Kenyon, M., Day, P. K., Bradford, С. M., Bock, J. J. & Leduc, H. G. Progress on background-limited membrane-isolated TES bolometers for far-IR/submillimeter spectroscopy. //Proc. SPIE 6275, 627 508 (2006).
James Clerk Maxwell Telescope: http://www.roe.ac.uk/ukatc/proiects/scubatwo/
D. Olaya, J. Wei, S. Pereverzev, B.S. Karasik, J.H. Kawamura, W.R. McGrath, A.V. Sergeev, and M.E. Gershenson, An ultrasensitive hot-electron bolometer for low-background SMM applications. // Proc. SPIE 6275, 627 506 (2006).
А.А. Кузьмин Технология изготовления сверхпроводниковых болометров терагерцового диапазона частот // Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, Москва, 2011.
Засов А.В., Постное К. А. Общая астрофизика. 2-е изд. испр. и дополн. // Фрязино: Век 2. 2011.12. http://www.teraeye.com/doc/tera.pdf.
Технология тонких пленок, Справочник, под. ред. JI. Майссела и Р. Глэнга, Москва, «Советское радио», 1977, 392 с.
В. Г. Казаков Тонкие магнитные пленки // Соросовский. Образовательный журнал, ФИЗИКА, 1997. С. 107
М.М.Никитин Магнетронное распыление: эволюция схем напыления и ионизация потоков, взаимодействующих с подложкой //Физика и химия обработки материалов 2011, № 2, с.27−36
Д.Локтев, Е. Яматкин Методы и оборудование для нанесения износостойких покрытий // НАНОИНДУСТРИЯ 4/2007. С. 18
К. W. Westerberg Т. С. Merier М. A. McClelland D. G. Braun L. V. Berzins Analysis of the e-beam evaporation of titanium and Ti-6A1−4V // Electron Beam Melting and Refining State of the Art 1997 Conference Reno, Nevada. 1997
R.J. Singh, J. Narayan Pulsed-laser evaporation technique for deposition of thin films: Physics and theoretical model // Physical Review B. V.41. № 13. 1990
HA. Macleod Ion And Photon-Beam Assisted Deposition Of Thin Films // SPIE Vol. 632. Thin Film Technologies II. 1986. P.222.
Thin films: Ionized physical vapor deposition / Ed. J.A. Hopwood. — San Diego, USA: Academic Press, 2000.
Helmersson U., Lattemann M., Bohlmark J. et al. Ionized physical vapor deposition (IPVD): A review of technology and applications // Thin Solid Films. 2006. Vol.513. P. l-24.
Mattox D.M. Ion plating. In Handbook of deposition technologies for films and coatings / Ed. R.F. Bunshan. 2nd ed. — USA: Noyes Publications. 1992. P.320−373.
Белевский В.П., Кузъмичев А. И. Методы термоионного осаждения для нанесения металлических покрытий //Киев: Об-во «Знание» Украины, 1991.
Данилин Б.С., Сырчин В. К. Магнетронные распылительные системы // М.: Радио и связь. 1982.
Данилин Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок // М.: Энергоатомиздат, 1989.
Минайчее В.А., Одинокое В. В., Тюфаева Т. Н. Магнетронные распылительные системы (Магратроны) // М.: ЦНИИ «Электроника». Обзоры по электронной технике. Сер.7. 1979. Вып.8(659).
Лабунов В.А., Данилович Н. И., Уксусов А. С., Минайчев В. Е. Современные магнетронные распылительные устройства // Зарубежная электронная техника. 1982. Вып. 10(256). С.3−62.
Корчагин Б.В., Орлов В. И. Нанесение металлов и их соединений методами магнетронного и диодного распыления // М.: ЦНИИ «Электроника». Обзоры по электронной технике. Сер.7. 1986. Вып.15(1222).
Thornton J.A., Greene J.E. Sputter deposition processes // In Handbook of deposition technologies for films and coatings / Ed. R.F. Bunshan. 2nd ed. USA: Noyes Publications. 1992. P.249−319.
Was a K., Hayakawa S. Handbook of sputter deposition technology // USA: Noyes Publications. 1992.
Schiller S., Heisig U., Goedicke K. On the use of ring gap discharges for highrate vacuum coating // J. Vac. Sci. Technol. 1977. Vol.14. № 3. P.815−818.
Waits R.K. Planar magnetron sputtering // J. Vac. Sci. Technol. 1978. Vol.15. № 2. P.179−187.
Кузьмичёв А.И. Магнетронные распылительные системы. Книга 1: Введение в физику и технику магнетронного распыления // Киев: Аверс, 2008.
Hill R.J., Nadel S.J. Coated glass. Applications and markets // Fairfield. CA. USA: BOC Coating technology. 1999.
Марахтанов M.K. Магнетронные системы ионного распыления // М: Изд-во МГТУ. 1990.
Барченко В.Т., Быстрое Ю. А., Колгин Е. А. Ионно-плазменные технологии в электронном производстве // СПб.: Энергоатомиздат. С.Петербург. отд-ние. 2001.
Антоненко C.B. Технология тонких пленок // -М.: МИФИ. 2008.
Handbook of thin-film deposition processes and techniques / Ed. K. Seshan 2nd ed. // USA: Noyes Publications. 2002.
Mattox D.M. Handbook of physical vapor deposition (PVD) processing // -USA: Noyes Publications. 1998.
Берлин E.B., Сейдман JI.A. Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии //-М.: Техносфера. 2010.
MusilJ. Nanostructured hard coatings // -N.Y.: Klumer Academic, 2005.
Андриевский P.A., Рагуля A.B. Наноструктурные материалы // -M.: Изд. Центр «Академия», 2005.
Наноматериалы. Коллективные монографии // -М.: Изд-во ОАО ЦНИТИ «Техномаш», 2006, 2007.
Волъпян О.Д., Кузьмичев А. И. Основные тенденции развития ионно-плазменных технологий нанесения оптических покрытий // В мат. XIV научн.-техн. конф. «Вакуумная наука и техника». Сочи. 2007. С.186−190.
Волъпян О.Д., Мешков Б. Б., Яковлев 77.77. Получение пленок для оптических применений методом реактивного магнетронного распыления // В сб. докл. научн.-практ. симп. «Функциональные покрытия на стеклах». Харьков. 2003. С. 125−130.
Petrov I., Barna P.B., Hultman L. and Greene J.E. Microstructural evolution during film growth // J.Vac.Sci.Technol. A, 21(5). 2003. S117-S128.
Mahieu S., Ghekiere P., Depla D., De Gryse R. Biaxial alignment in sputter deposited thin films // Thin Solid Films, 515. 2006. P. 1229−1249.
Ghekiere P. and all Structure evolution of the biaxial alignment in sputter-deposited MgO and Cr // Thin Solid Films, 515. 2006. P.485−488.
Ghekiere P., Mahieu S., De Winter G., De Gryse R., Depla D. Scanning electron microscopy study of the growth mechanism of biaxially aligned magnesium oxide layers grown by unbalanced magnetron sputtering // Thin Solid Films, 493. 2005. P. 129−134.
Mahieu S. and all. Biaxially aligned titanium nitride thin films deposited by reactive unbalanced magnetron sputtering // Surface & Coatings Technology, 200. 2006. P.2764−2768.
Deniz D. and all. Tilted fiber texture in aluminum nitride thin films // J.Vac.Sci.Technol.A, 25(4), 2007. P.1214−1218.
Mahieu S., Ghekiere P., Depla D., De Gryse R, Lebedev O., Van Tendeloo G. Mechanism of in-plane alignment in magnetron sputtered biaxially aligned yttria stabilized zirconia // J. Crystal Growth, 290. 2006. P.272−279.
Mahieu S., De Winter G., Depla D., De Gryse R., Denul J. A model for the development of biaxial alignment in yttria stabilized zirconia layers, deposited by unbalanced magnetron sputtering // Surface & Coatings Technology, 187. 2004. P.122−130.
Chering J.S. and Chang D.S. Effects of outgassing on the reactive sputtering of piezoelectric A1N thin films // Thin Solid Films, 516. 2008. P.5292−5295.
Mahieu S. and all. Mechanism of biaxial alignment in thin films, deposited by magnetron sputtering // Thin Solid Films, 515. 2006. P.416−420.
Drusedau T.P. and all. Energy transfer into the growing film during sputter deposition: An investigation by calorimetric measurements and Monte Carlo simulations//J.Vac.Sci.Technol.A, 17(5). 1999. P.2896−2905.
EJcpe S.D. and Dewa S.K. Investigation of thermal flux to the substrate during sputter deposition of aluminum // J.Vac.Sci.Technol.A, 20(6). 2002. P. 1877−1885.
Ekpe S.D. and Dewa S.K. Measurement of energy flux at the substrate in a magnetron sputter system using an integrated sensor // J.Vac.Sci.Technol.A, 22(4). 2004. P. 1420−1424.
LS 730S Von Ardenne Anlagen Technik: http://www.vaat.biz/content/eng/508.htm
Apiezon H: http://www.apiezon.com/document-librarv.htm64. JEOL JSM-6460:http://www.jeol.com/PRODUCTS/ElectronOptics/ScanningElectronMicroscopesS EM/HighVacuumLowVaccum/JSM6610/tabid/523/Default.aspx
NanoMaker: http://nanomaker.com/
Joe Nabity, Lesely Anglin Compbell, Mo Zhu, and Weilie Zhou E-beam Nanolithography Integrated with Scanning Electron Microscope // Scanning Microscopy for Nanotechnology. Techniques and Applications Springer Science+Business Media, LLC. 2006. P. 126.
V. V. Aristov, A.A. Svintsov and S.I. Zaitsev Guaranteed accuracy of the method of 'simple' compensation in electron lithography. // Microelectronic Engineering 11 (1990) 641−644.
V. V. Aristov, B. N. Gaifullin, A. A. Svintsov, S. I. Zaitsev, R. R. Jede and H.F. Raith. Accuracy of proximity correction in electron lithography after development. // Journal of Vacuum Science & Technology B, vol. 10 № 6, p. 2459−2467 (1992).
Friebertshauser P. E. and McCamont J. W., Electrical properties of Titanium, Zirconium, and Hafnium films from 300 K to 1.3 K, // J. Vac. Sci. and Techn. 6 (1968) pp. 184−187.
William W. Y. Lee and Daniel Oblas Argon entrapment in metal films by dc triode sputtering//J. Appl. Phys. 46. 1975. P.1728−1732.
Vipin Chawla, R. Jayaganthan, A.K. Chawla, Ramesh Chandra Morphological study of magnetron sputtered Ti thin films on silicon substrate // Materials Chemistry and Physics, 111. 2008. P.414−418
SPIE Handbook of Microlithography, Micromachining and Microfabrication Volume 1: Microlithography.
S. Zaitsev, M. Knyazev, S. Dubonos, A. Bazhenov. Fabrication of 3D photonic structure. // Microelectronic Engineering Vol. 73−74, p. 383−387 (2004).
S.V.Dubonos, M.A.Knyazev, A.A.Svintsov, S.I.Zaitsev. Current density and exposure sequence effect in electron lithography. //Proc. SPIE Vol. 6260, p. 9−17 (2006).
Рид С., Электронно-зондовый микроанализ, пер. с англ., // М., 1979.
Черепин В. Т., Васильев М. А. Методы и приборы для анализа поверхности материалов. // К., 1982.
Гимелъфарб Ф.А. Рентгеноспектральный микроанализ слоистых материалов. // М., 1986.
Миронов B.JI. Основы сканирующей зондовой микроскопии. // М., Издательство «Техносфера», 2004.
Kirt R. Williams, Kishan Gupta, Matthew Wasilik. Etch Rates for Micromachining Processing—Part II. // J. of microelectromechanical systems, vol. 12, no. 6, 2003.
Bryce R. M., Freeman M. R., Aktary M. Poly (ether sulfone) as a negative resist for electron beam lithography. I I Appl. Phys. Lett., 2007, Vol 90.
T.Hoss, C. Strunk, C. Schonenberger Nonorganic evaporation mask for superconducting nanodevices // Microelectronic Engineering. May, 1999. V. 46, Iss. 1−4, P. 149−152
Dubos P., Charlat P., Crozes Th., Paniez P. and Pannetier B. A thermostable trilayer resist for niobium lift-off. // J. Vac. Sci. Technol., 2000, В 18, 122.
Gokan H., Esho S., Ohnishi Y. Dry Etch Resistance of Organic Materials // J. Electrochem. Soc., Solid-State Sci. Technology, 1983. V. 130. P. 143.
Lee J.-H., Ahn K.-D., Cho I. Novel multi-alicyclic polymers for enhancing plasma etch resistance in 193 nm lithography // Polymer. 2001. V. 42. № 4. P. 1757.
K.A. Большаков Химия и технология редких и рассеянных элементов, часть II // Высшая школа. -М.: 1976. — С.217.
James W. Conway E-beam Lithography Resist Processing // http://snf.stanford.edu/Process/Lithography/ebeamres.htmI
Выставкин A.H., Шуваев Д. В., Кузьмин Л. С. и др. // ЖЭТФ. 1999. Т. 88. № 3. С. 598.

Заполнить форму текущей работой