Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Формирование и исследование электрофизических свойств планарных структур на основе углеродных нанотрубок

Диссертация: Формирование и исследование электрофизических свойств планарных структур на основе углеродных нанотрубок
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Традиционная кремниевая микроэлектроника вплотную подошла к предельно возможному разрешению оптической литографии. Крупнейшие мировые корпорации, задающие ритм развития рынка электронных компонентов, объявляют о создании прототипа промышленного полевого транзистора с физической длиной затвора 15 нм. Процессор Intel Pentium 4, созданный по технологии 90 нм — промышленный продукт 2004 года… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Состояние вопроса по созданию планарных квантовых проводников на основе углеродных нанотрубок и квазиодномерных структур
    • 1. 1. Основные направления в нанотехнологии планарных одномерных проводников
    • 1. 2. Развитие методов создания квантово-размерных наноконтактов на основе локального окисления, индуцированного током
    • 1. 3. Основные параметры, характеризующие свойства нанотрубок
      • 1. 3. 1. Структура графита
      • 1. 3. 2. Угол хиральности и диаметр нанотрубок
      • 1. 3. 3. Электронная структура нанотрубок
    • 1. 4. Методы получения углеродных наноструктур
      • 1. 4. 1. Термическое разложение графита в дуговом разряде
      • 1. 4. 2. Химическое осаждение из газовой фазы
      • 1. 4. 3. Метод лазерного испарения
      • 1. 4. 4. Холодная деструкция графита
    • 1. 5. Исследование нанотрубок с использованием микроскопии высокого разрешения
    • 1. 6. Электрические свойства нанотрубок
  • Выводы по гл
  • Глава 2. Разработка методик создания образцов наноструктур на основе нанотрубок и их контроля в атомно-силовом микроскопе
    • 2. 1. Сравнение методов высаживания нанотрубок, полученных в различных технологических процессах
    • 2. 2. Разработка режима наблюдения различного типа нанотрубок на подложках
      • 2. 2. 1. Выбор параметров работы микроскопа и типа кантилеверов
      • 2. 2. 2. Деформация нанотрубок на подложках
      • 2. 2. 3. Влияние взаимодействия иглы АСМ с нанотрубкой на размеры наблюдаемых нанообъектов
    • 2. 3. Манипулирование и модификация нанотрубок с использованием атомно-силового микроскопа
    • 2. 4. Развитие бесконтактной емкостной микроскопии для исследования проводящих нанообъектов на диэлектрических подложках
      • 2. 4. 1. Моделирование микроскопии индуцированного электрического поля в приближении точечного потенциала
      • 2. 4. 2. Апробация методики на тестовых проводящих и диэлектрических объектах
      • 2. 4. 3. Применение микроскопии индуцированного электрического поля для неразрушающего контроля нанотрубок в электрических схемах
    • 2. 5. Нанотрубки с разветвленной структурой
  • Выводы по главе 2
  • Глава 3. Разработка тестового кристалла и исследование проводимости углеродных нанотрубок
    • 3. 1. Технологический маршрут формирования кристалла
    • 3. 2. Схемы измерения электрических свойств нанотрубок
    • 3. 3. Электрические характеристики структур на основе нанотрубок
      • 3. 3. 1. Измерение проводимости при комнатной температуре в малых и средних полях
      • 3. 3. 2. Исследование полевого эффекта
    • 3. 4. Анализ механизмов проводимости структур на основе нанотрубок
      • 3. 4. 1. Квантовый транспорт в двумерной графитовой системе
      • 3. 4. 2. Формирование контакта между металлом и нанотрубкой
      • 3. 4. 3. Изгиб нанотрубок на контактах
      • 3. 4. 4. Одномодовый транспорт в полевом транзисторе с барьером
  • Шоттки на основе углеродных нанотрубок
  • Выводы по главе 3
  • Глава 4. Формирование функциональных элементов наноэлектроники на основе сеток пучков однослойных углеродных нанотрубок и исследование их основных параметров
    • 4. 1. Модуляция проводимости структур на основе пучков однослойных углеродных нанотрубок
      • 4. 1. 1. Особенности проводимости пучков однослойных углеродных нанотрубок
      • 4. 1. 2. Формирование полупроводникового канала проводимости в пучках
      • 4. 1. 3. Параметры макета транзистора на основе пучка нанотрубок с преобладающим полупроводниковым каналом проводимости
    • 4. 2. Логические ключи на основе сеток пучков однослойных углеродных нанотрубок
      • 4. 2. 1. Реализация инвертора с линейной нагрузкой на основе внешнего резистора
      • 4. 2. 2. Реализация инвертора с нелинейной нагрузкой на основе двух интегрированных ОСНТ транзисторов р-типа
    • 4. 3. Разработка методов улучшения и стабилизации контакта нанотрубка / металл
      • 4. 3. 1. Токовая активация миграции атомов в интерфейсной фазе золото / нанотрубка
      • 4. 3. 2. Формирование углеродных контактов в качестве токоподводящих электродов
      • 4. 3. 3. Выбор диэлектрического покрытия структур на основе пучков углеродных нанотрубок
  • Выводы по главе 4

Формирование и исследование электрофизических свойств планарных структур на основе углеродных нанотрубок (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность диссертационной работы.

Традиционная кремниевая микроэлектроника вплотную подошла к предельно возможному разрешению оптической литографии. Крупнейшие мировые корпорации, задающие ритм развития рынка электронных компонентов, объявляют о создании прототипа промышленного полевого транзистора с физической длиной затвора 15 нм [1]. Процессор Intel Pentium 4 [2], созданный по технологии 90 нм — промышленный продукт 2004 года. Дальнейшие перспективы кремниевой технологии связаны только с уходом в частотный диапазон выше терагерц. Решения данного вопроса приводят разработчиков к совмещению отработанной технологии и новых материалов. Ежегодно растет число публикаций, в которых открыто ставится гамлетовский вопрос: быть или не быть кремнию лидирующим материалом в электронике XXI-го века.

Промышленность находится в состоянии постоянной погони за уменьшением размеров интегральных схем благодаря чему увеличивается скорость, уменьшается потребление энергии и себестоимость изготовления одного транзистора. Причем с момента создания первого вакуумного диода, прогресс в технологии постоянно наращивает темп, увеличивая номенклатуру используемых материалов. Если в технологии вакуумных ламп не существовало альтернатив, в кремниевой технологии нашли свое место также другие типы полупроводников (многие полупроводники заняли нишу в фотоэлектронике, термоэлектронике и СВЧ технике), то в данный момент ведутся работы не только по широчайшему спектру материалов (от молекул ДНК до сложных композитных структур сверхпроводников), но и с различными физическими принципами работы созданных на их основе приборов, которые объединяет единственная тенденция — квантовая природа происходящих в них явлений.

В качестве одних из возможных конкурентов кремниевой технологии рассматриваются различные типы приборов на основе нанопроводов, которые являются непосредственным следствием уменьшения поперечных размеров структур.

Однако среди нанопроводов существует дополнительное разделение, основанное на различии технологических приемов и методов их создания, а также принципов работы. Можно выделить четыре вида нанопроводов: металлические наносужения, нанотрубки, молекулярные провода, проволоки в гетероструктурах. Каждое из данных направлений имеет свои достоинства и недостатки. В итоге, место кремниевой займет та технология, которая, имея более высокие параметры работы, окажется менее ресурсоемкой для массового производства.

В последние годы наиболее бурно развивается направление, основанное на создании и использовании нанотрубок в качестве активных элементов электроники. Свойства данного вида молекул необычны и во многом уникальны. В зарубежных публикациях постоянно появляются работы, связанные с обнаружением новых свойств или созданием уникальных приборов на основе нанотрубок. В области электроники ведутся работы по созданию замещающих элементов и аналогов диодов на основе р-п переходов и МДП транзисторов. На стадии промышленного внедрения находятся исследования эмиссионных и адсорбционных свойств нанотрубок.

За последние десять лет работы, посвященные свойствам нанотрубок, были систематизированы и сведены в нескольких монографиях, наиболее полной из которых является работа, выполненная под редакцией Авориса1. Однако за последующие четыре года научный опыт не только пополнился новыми результатами, но и подвергся корректировкам. Ведущими мировыми организациями по исследованию свойств нанотрубок и их возможных применений являются группы М. Бокрафа (Caltech), Д. Кобдена (University of Washington), Л. Д. Маюоэна (Cornell), X. Дай2 (Stanford), К. Деккера3 (Delft),.

1 Carbon nanotubes: synthesis, structure, properties and applications (Topics in applied physics). Dresselhaus M.S., Dresselhaus G., Avouris Ph. (eds.) // Springer-Verlag: Berlin. 2001. 448 p.

2 Tseng Y., Xuan P., Javey A., Malloy R., Wang Q., Bokor J., Dai H. Monolithic integration of carbon nanotube devices with silicon MOS technology //Nano Letters. 2004. V. 4. N. 1. P. 123−127.

Ф. Кима (Columbia), Ч. М. Либера (Harvard), Д. Лью4 (Duke), P.E. Смолли (Rice). Результаты экспериментальных и теоретических расчетов данных групп тесно переплетаются и коррелируют с результатами, полученными в исследовательской работе автора. Примечательно, что один из важнейших результатов данной диссертационной работы, связанный с предложением по применению сеток углеродных нанотрубок в активных элементах в качестве очередного шага к интегральной углеродной электронике, появился одновременно с аналогичной работой группы Хакани5.

Однако, развитие индустриальной субмикронной технологии на основе новых материалов, станет возможным только после скрупулезной отработки методов получения структур и рабочих элементов в лабораторных условиях. Поэтому необходимость разработки надежной и воспроизводимой технологии формирования подобных элементов, всестороннего изучения параметров функционирования, а также усовершенствования методов зондовой микроскопии для исследования объектов наноэлектроники при решении более широкого круга задач определяет актуальность данной диссертационной работы.

Цель работы и задачи.

Целью диссертационной работы являлась разработка методик формирования планарных элементов наноэлектроники на основе материала углеродных нанотрубок, исследование их электрофизических свойств и создание макетов функциональных устройств на их основе. Для достижения данной цели были поставлены следующие задачи:

S определить набор параметров и свойств, характеризующих особенности функционирования углеродных нанотрубок в элементах наноэлектроники;

3 Bachtold A., Hadley P., Nakanishi Т., Dekker С. .Logic circuits with carbon nanotube transistors // Science. 2001. V. 249. P. 1317−1320.

4 Lu Ch., Fu Q., Huang Sh., Liu J. Polymer electrolyte-gated carbon nanotube field-effect transistor // Nano Letters. 2004. V. 4. N. 4. 623−627.

5 Khakani M.A.E1. and Yi J.H. The nanostructure and electrical properties of SWNT bundle networks grown by an 'all-laser' growth process for nanoelectronic device applications. Nanotechnology. 2004. V. 15. P. S534-S539. разработать метод осаждения с наибольшей концентрацией на подложке нанотрубок, полученных в различных технологических процессахпровести выбор параметров работы атомно-силового микроскопа для наблюдения адсорбированных на поверхности нанообъектов- ^ усовершенствовать емкостные методы зондовой микроскопии для неразрушающего контроля элементов наноэлектроники- ^ изучить механические свойства нанотрубок на различных подложках- ^ разработать технологический маршрут формирования структур для исследования электрофизических свойств нанотрубок- ^ исследовать проводимость и полевой эффект в структурах на основе нанотрубок и их пучков- ^ провести анализ механизмов электропроводности в нанотрубках.

Научная новизна работы Доказано наличие нанотрубок, в том числе ветвящегося типа в материале, полученном методом холодной деструкции графита. ^ Найдена зависимость размеров изображений нанотрубок, полученных в атомно-силовом микроскопе, от геометрических размеров кантилевера с учетом действия сил Ван-дер-Ваальса со стороны подложки. Предложена методика сканирующей емкостной микроскопии, учитывающая эффект возникновения индуцированного электрического поля в проводящих нанообъектах на диэлектрических подложках. Установлены закономерности модуляции проводимости планарных структур на основе углеродных нанотрубок. ^ Выявлены закономерности передаточных и усилительных свойств инверторов на основе сеток пучков углеродных нанотрубок с различной нагрузкой.

Достоверность научных положений, результатов и выводов.

Полученные экспериментальные результаты и разработанные методики подтверждаются известными теоретическими моделями. Опубликованные результаты, так или иначе повторяют некоторые экспериментальные результаты других авторов.

Теоретическая значимость исследования состоит в выявлении закономерностей проводимости планарных структур на основе материала углеродных нанотрубок. Основные положения и выводы, содержащиеся в диссертации, могут быть использованы при дальнейшем развитии теории электронного транспорта элементов на основе углеродных нанотрубок в условиях микроэлектронной технологии.

Практическая значимость исследования состоит в том, что полученные результаты могут быть применены в процессе создания новой элементной базы наноэлектроники. Кроме того, результаты исследования могут быть использованы в преподавании курсов «Основы зондовой микроскопии» и «Основы зондовых нанотехнологий».

Основные научные положения, выносимые на защиту.

1. Предложенная модель взаимодействия углеродной нанотрубки с зондом кантилевера позволяет повысить достоверность деконволюции формы острия зонда.

2. Разработанная методика микроскопии индуцированного электрического поля позволяет проводить неразрушающий контроль физических свойств структур на основе углеродных нанотрубок.

3. Предложенные обоснования переноса заряда в низкоразмерных структурах качественно подтверждают полученные в работе экспериментальные закономерности электрических характеристик структур на основе углеродных нанотрубок.

4. Реализованные элементы на основе сеток пучков углеродных нанотрубок р-типа проводимости могут выполнять функции инвертора напряжения.

Апробация работы.

Материалы диссертации были представлены на следующих конференциях, семинарах и конкурсах научных работ:

S VIII всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика — 2001» (Москва, 2001);

S Конкурс научных работ «Физического учебно-научного центра.

Фундаментальная оптика и спектроскопия" ФИАН (Москва, 2001) — S «Nano and giga challenges in microelectronics research and opportunities in.

Russia" symposium and summer school (Moscow, 2002) — S IV Международная научно-техническая конференция «Электроника и информатика — 2002 век» (Москва, 2002) — S IX всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика-2002» (Москва, 2002) — ¦S II всероссийская научно-техническая дистанционная конференция.

Электроника" (Москва, 2003) — S V всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой огггои наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2003) — ¦S II Russian-Japanese seminar «Perspective technologies, materials and equipments of solid-state electronic components» (Moscow, 2004) — S XI всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика — 2004» (Москва, 2004).

Публикации.

Основные результаты исследования, проведенного соискателем, изложены в 18 печатных источниках, опубликованных в отечественной и зарубежной литературе. Также соискателем опубликовано в соавторстве 12 работ, косвенно относящихся к тематике вынесенных на защиту положений.

Структура и объем диссертации

.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка сокращений, списка литературы и приложения.

Основные результаты выполненных исследований могут быть сформулированы следующим образом:

1. На основе анализа литературы определен набор параметров и свойств, характеризующих особенности функционирования углеродных нанотрубок в элементах наноэлектроники.

2. Разработан метод осаждения с наибольшей концентрацией на подложке нанотрубок, полученных в различных технологических процессах. Показано, что диспергирование нанотрубок на подложке целесообразно проводить из раствора изопропилового спирта после нескольких часов ультразвуковой обработки.

3. Проведен выбор режимов работы атомно-силового микроскопа для выявления геометрических параметров адсорбированных на поверхности нанообъектов. Показано, что однослойные нанотрубки и пучки могут быть топографированы кантилеверами с низкой силовой константой в контактном режиме. Исследование многослойных нанотрубок возможно только в полуконтактном режиме сканирования.

4. Впервые приведено визуальное доказательство содержания углеродных нанотрубок в смеси, полученной методом холодной деструкции графита. Измерены их основные геометрические параметры и электрические характеристики.

5. Качественно обосновано изменение размеров нанотрубок на топографических АСМ изображениях, связанное с деформацией нанотрубок под действием сил Ван-дер-Ваальса со стороны подложки и конволюцией иглы кантилевера. Приведен расчет зависимости ширины изображения для нанотрубок в случае слабой и сильной деформации.

6. Исследованы механические свойства нанотрубок. Экспериментально показана возможность механического манипулирования и модификации однослойных и многослойных нанотрубок на различных типах подложек под действием сил со стороны иглы кантилевера.

7. Предложена и апробирована на примере углеродных нанотрубок микроскопия индуцированного электрического поля для проводящих нанообъектов на диэлектрических подложках.

8. Выявлены закономерности проводимости структур на основе однослойных и многослойных нанотрубок. Показана возможность коммутирования токов в структурах на основе многослойных нанотрубок до 25 мкА, тогда как большие плотности токов в структурах на основе однослойных нанотрубок вызывают разрушение электрического контакта.

9. Реализована возможность полевого управления проводимостью структур, на основе полупроводниковых однослойных нанотрубок. Вид вольтамперных характеристик соответствует дырочному механизм проводимости ОСНТ.

10. Проведен анализ механизмов электропроводности структур на основе нанотрубок. Показано что основной вклад в разрушение баллистической проводимости могут вносить как несовершенство контакта нанотрубки с золотой пленкой, так и изгиб нанотрубок, лежащих на электродах.

11. Предложено качественное обоснование эффекта полевого управления проводимостью структур на основе нанотрубок в модели барьера Шоттки.

12. Предложен и реализован прототип транзистора на основе пучков однослойных нанотрубок. Разработан метод удаления каналов металлической проводимости из транспорта носителей заряда. Выявлены закономерности в поведении проводимости макета транзистора на основе пучка однослойных нанотрубок и показана возможность модулирования проводимостью более чем на два порядка.

13. Предложен и реализован прототип инвертора на основе пучков углеродных нанотрубок с линейной нагрузкой в виде внешнего резистора. Показано, что коэффициент усиления данного элемента может достигать 0.75.

14. Предложен и реализован макет интегрального инвертора с нелинейной нагрузкой на основе транзисторов из сеток пучков ОСНТ. Исследованы его усилительные и передаточные свойства.

15. Предложены методы стабилизации и улучшения электрических характеристик структур на основе нанотрубок с использованием токового стимулирования взаимной диффузии атомов золота и углерода в области контакта, заменой материала контакта на углерод и стабилизации структур диэлектриком.

Таким образом, были исследованы механические и электрические свойства нанотрубок, получаемых методами холодной деструкции графита, лазерной абляции и каталитического пиролиза углеводородов. Были реализованы макеты транзистора и логических элементов на основе сеток пучков ОСНТ.

БЛАГОДАРНОСТЬ.

Автор выражает огромную благодарность и искреннюю признательность своему руководителю профессору В. К. Неволину за постоянное внимание и помощь на всех этапах работы. Также автор благодарит академика В. И. Петрика (ПИИ физики фуллеренов и новых материалов РАЕН), Е. Д. Образцову (ИОФАН), С. Ю. Цареву (РХТУ) и Э. Г. Ракова (РХТУ) предоставивших материал нанотрубок для исследований.

Автор благодарит за помощь, оказанную на основных этапах работы, профессора В. В. Лосева, А. Н. Булатова и A.A. Строганова.

За помощь в проведении экспериментальных исследований автор благодарит Д. Ю. Шмалько, К. В. Баллижа и А. И. Аксенова.

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ СОКРАЩЕНИЙ.

АСМ — атомно-силовой микроскоп ВАХ — вольтамперная характеристика.

МИЭП — микроскопия индуцированного электрического поля.

МДП — метал — диэлектрик — полупроводник.

МСНТ — многослойная нанотрубка.

МЭП — микроскопия электрического поля.

ОСНТ — однослойная нанотрубка.

ПХО — плазмохимическое осаждение.

ПЭМ — просвечивающая электронная микроскопия.

СЕМ — сканирующая емкостная микроскопия.

СЗМ — сканирующий зондовый микроскоп.

СТМ — сканирующий туннельный микроскоп.

СЭМ — сканирующий электронный микроскоп.

ЦАП — цифро-аналоговый преобразователь.

ЦОС — цифровая обработка сигнала.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Chau R., Boyanov В., Doyle В. et al Silicon nano-transistors for logic applications // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2003. V. 19. N. 1−2. P. 1−5.
  2. Boggs D., Baktha A., Hawkins J. et al. The microarchitecture of the Intel® Pentium® 4 Processor on 90nm technology // Intel Technology Journal. V. 08. N.l. 2004. P. 7−23.
  3. И.И., Неволин В. К., Снисаренко Э. А. нанотехнологии // Микросистемная техника. 2001. № 5. С.35−36.
  4. И.И., Неволин В. К., Снисаренко Э. А. нанотехнологии // Микросистемная техника. 2001. № 6. С.37−38.
  5. И.И., Неволин В. К., Снисаренко Э. А. нанотехнологии // Микросистемная техника. 2001. № 7. С.44−54.
  6. И.И., Неволин В. К., Снисаренко Э. А. нанотехнологии // Микросистемная техника. 2001. № 8. С.44−45.
  7. И.И., Неволин В. К., Строганов А. А., Гирфанова Н. А. Новости нанотехнологии // Микросистемная техника. 2002. № 12. С.35−36.
  8. Faux D. A., J. R. Downes J. R., O’Reilly E. P. Analytic solutions for strain distributions in quantum-wire structures // J. Appl. Phys. 1997. V. 82. N. 8. P. 37 543 762.
  9. Saraydarov M., Donchev V., Germanova K. et al. Characterization of GaAs/AlGaAs quantum wires by means of longitudinal photoconductivity // Journal of Applied Physics. 2004. V. 95. N. 1 P. 64−68.
  10. Aviram A., Ratner M.A. Molecular rectifiers // Chem. Phys. Lett. 1974. Vol. 29. N. 2. P. 277−283.
  11. Porath D., Bezryadin A., Vries S. et al. Direct measurement of electrical transport through DNA molecules // Nature. 2000. Vol. 403. N. 6770. P. 635−638
  12. И.И., Корнеев Н. В., Неволин В. К. Особенности проводимости планарных металлических наносужений // Известия ВУЗов. Электроника. 2001. № 3. С.17−22.
  13. Held R., Heinzel Т., Studerus P., Ensslin К. Nanolithography by local anodic oxidation of metal films using an atomic force microscope // Physica. 1998. V. 273. N. 2. P. 748−752.
  14. И. И., Корнеев Н. В., Неволин В. К. Дискретные двухэлектродные планарные элементы наноэлектроники // Материалы 10-й международной крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». 2000. С. 411−412
  15. Cooper Е.В., Manalis S.R., Fang Н., Dai Н., Matsumoto К., Minne S.C., Hunt Т. Terabit-per-square-inch data storage with the atomic force microscope // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 75. No. 22. P. 3566−3568.
  16. Shiricashi J., Matsumoto K., Miura N., Konagai M. Single-electron transistor with Nb/Nb oxide system fabricated by atomic force microscope nano-oxidation process // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. V. 36. P. L1257-L1260.
  17. Ю.Ф., Корнеев H.B., Мокеров В. Г., Неволин В. К. Формирование и электрические свойства планарных 2D- наноразмерных структур // Микросистемная техника. 2000. № 1. С. 13−16.
  18. Shevyakov V., Lemeshko S., Roschin V. Conductive sPM probes of base Ti or W refractory compounds // Nanotechnology. No. 9. 1998. P. 352 355.
  19. И.И., Корнеев H.B., Неволин В. К. Дифференциальная проводимость планарных нанодиодов // Тезисы докладов 3-й международной научно-технической конференции «Электроника и информатика XXI век». Зеленоград. 22−24 ноября 2000 г. С. 34.
  20. Abadal G., Perez-Murano F., Barniol N., Aymerich X. Field induced oxidation of silicon by SPM: study of the mechanism at negative sample voltage by STM, ESTM, and AFM // Appl. Phys. A, Vol. 66. No. 7. 1998. P. 791−795.
  21. Физика тонких пленок: Современное состояние исследований и технические применения. Под. Общ. Ред. М. Х. Франкомба и Р. У. Гофмана. Т. 6. Пер. с англ. М.: Мир. 1973. 392 с.
  22. В.К. Двухэлектродные элементы наноэлектроники на основе квантовых проводов // Микроэлектроника. 1999. Том 28 № 4. С. 293 300
  23. Schmidt Т., Martel R., Sandstrom R.L., Avouris Ph. Current-induced local oxidation of metal films: Mechanismand quantum-size effects // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73, No. 15. P. 2173 2175
  24. В.К. Основы туннельно-зондовой нанотехнологии: Уч. пособие. М.: МГИЭТ (ТУ). 1996. 91 с.
  25. Bobrinetskii I.I., Nevolin V.K., Korneev N.V. Differential conductance of planar microcontacts formed by a conductive probe // Phys. Low-Dim. Struct. 2001. V ¾. P. 183- 188.
  26. И.И., Неволин В. К., Рощин В. М., Снисаренко Э. А. Формирование наноконтактов при локальном окислении титановых пленок // Микросистемная техника. 2001. — № 11. С. 42 -45.
  27. Kroto H.W., Heath J.R., O’Brein S.C., Curl R.F., Smalley R.I. C60: Buckminsterfullerene //Nature. 1985. Vol. 318. P. 162−163.
  28. Iijima S. Helical microtubules of graphitic carbon // Nature. 1991. Vol. 354. P. 56−58.
  29. Косаковская З. Я, Чернозатонский JI.A., Федоров E.A. Нановолоконная углеродная структура // Письма в ЖЭТФ. 1992. Том. 56. Вып. 1. С.26−30.
  30. Saito R., Dresslhaus G., and Dresselhaus M. S. Physical Properties of Carbon Nanotubes. Imperial College Press (London). 2000. 258 p.
  31. Dekker C. Carbon nanotubes as molecula quantum wire // Phys. Today. 1999. Vol. 22. N. 5. P. 22−28.
  32. Volodin A., Ahlskog M., Seynaeve E., Van Haesendonck C., Fonseca A., and? Nady J.B. Imaging the elastical properties of coiled carbon nanotubes with atomicforce microscopy // Phys. Rev. Lett. 2000. Vol. 84. N. 15. P. 3342−3345.
  33. Dai H., Hafher J.H., Rinzler A.G., Colbert D.T., Smalley R.E. Nanotubes as nanoprobes in scanning probe microscopy // Nature. 1996. Vol. 384. N. 6605. P. 147 150.
  34. Haesendonck C. V., Stockman L.,. Vullers R.J.M. et al. Nanowire bonding with the scanning tunneling microscope // Surface Science. 1997.V. 386. P. 279−289.
  35. Hamada N., Sawada S. Oshiyama A. New one-dimensional conductors:• graphitic microtubules // Phys. Rev. Lett. 1992. V. 68. Iss. 10. P. 1579−1581.
  36. Saito R., Fujita M., Dresselhaus G. et al. Electronic structure of chiral graphene tubules // Appl. Phys. Lett. 1992. Vol 60. N. 18. P. 2204−2206.
  37. Mintmire J.W., Dunlap B.I., White C.T. Are fullerene tubules metallic // Phys. Rev. Lett. 1992. V. 68. Iss. 5. P. 631−634.
  38. Bockrath M. W. Carbon nanotubes: Electrons in one dimension. A dissertation. of Doctor of Philosophy in Physics. Berkeley. 1999. 131 p.
  39. Minot E. D. Tuning the band structure of carbon nanotubes. A dissertation. for the degree of doctor of philosophy. Cornell University. 2004. 118 p.
  40. Venema L.C., Meunier V., Lambin Ph., Dekker C. Atomic structure of carbon nanotubes from scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. B. 2000. Vol. 61. N. 4. P.2991−2996.
  41. Collins P. G., Avouris Ph. Nanotubes for electronics // Scientific American. 2000. P 62 69.
  42. Journet C.- Maser W. K.- Bernier P. et al // Nature (London). 1997. Vol. 388. P. 756−758.
  43. Itkis M. E., Perea D. E., Niyogi S. et al. Purity evaluation of as-prepared singlewalled carbon nanotube soot by use of solution-phase near-IR spectroscopy // Nano Lett. 2003. Vol. 3 N. 3. P. 309−314.
  44. Ren Z.F., Huang Z.P., Xu J.W. et al. Synthesis of large arrays of well-aligned carbon nanotubes on glass // Science. 1998. V. 282. P. 1105−1107.
  45. Sinnot S.B., Andrews R., Qian D., et al. Chem.Phys.Lett. 1999. V. 315. P. 25* 30.
  46. Yudasaka M., Kikuchi R., Ohki Y. et al. Behavior of Ni in carbon nanotube nucleation // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 70. N. 14. P. 1817−1818.
  47. С.Ю., Жариков E.B., Аношкии И. В., Коваленко А. Н. Исследование влияния вида, размера, и концентрации частиц катализатора на образование углеродных нанотрубок при каталитическом пиролизе углеводородов // Электроника. 2003.№ 1. С. 20−24
  48. Guo Т., Nikolaev P., Thess A., et al. Catalitic growth of single-walled nanotubes by laser vaporation // Chem. Phys. Lett. 1995. N. 243. P. 49−54.
  49. Thess A., Lee R., Nikolaev P. et al. Crystalline Ropes of Metallic Carbon Nanotubes // Science. 1996. V. 273. N. 5274. P. 483−487.
  50. В.И. Патент RU 2 163 840 CI 1999.
  51. Ajayan P M and Ebbesen T W. Nanometre-size tubes of carbon // Rep. Prog. Phys. 1997. Vol. 60. P. 1025−1062.
  52. Wildoer J.W.G, Venema L.C., Rinzler A.G., Smalley R.E., and Dekker C. Electronic structure of atomically resolved carbon nanotubes // Nature. 1998. V. 391, N. 6662. P. 59−62.
  53. Hertel Т., Martel R., Avouris Ph. Manipulation of individual carbon nanotubes and their interaction with surfaces // J. Phys. Chem. 1998. Vol. 102. P. 910−915.
  54. Frank S., Poncharal Ph., Wang A.Z. et al. Carbon nanotube quantum resistors // Science. 1998. Vol. 280. N. 5370. P. 1744−1746.
  55. Sanvito S., Kwon Y.-K., Тотбпек D., Fractional C. J. Quantum conductance in carbon nanotubes // Phys. Rev. Lett. 2000. Vol. 84. N. 9. P. 1974−1977.
  56. И.И., Снисаренко Э. А., Шмалько Д. Ю. Исследование углеродных нанотрубок методами СЗМ // Тезисы докладов 9-всеросийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика 2002». 2002. С. 4.
  57. Bobrinetskii I.I., Chaplygin Yu. A., Nevolin V.K., Petrik V.I., Stroganov A.A. The atomic structure of nanotubes synthesized from a highly reactive carbon mixture // Technical Physics Letters. 2003. V. 29. № 4. P. 347−349.
  58. B.A., Иконников A.B., Кацур С. Ф. и др. Новый базовый электронный блок для управления СЗМ линии «Солвер» //Зондовая микроскопия -2000. Материалы Всероссийского совещания. Нижний Новгород. 2000. С. 282 286.
  59. Hertel Tobias, Walkup Robert E., and Avouris Phaedon. Deformation of carbon nanotubes by surface van-der-Waals forces // Phys. Rev. B. 1998. Vol. 58. N. 20.
  60. Wong E.W., Sheehan P.E., Lieber C.M. Nanobeam mechanics: elasticity, strength, and toughness of nanorods and nanotubes // Science. 1997. V. 277. P. 19 711 975.
  61. Muster J., Burghard M., Roth S. et al. SFM characterization of individual carbon nanotubes on electrode arrays // J. Vac. Sci. Technol B. 1998. V. 16. N. 5. P. 2796−2801.
  62. Krishnan A., Dujardin E., Ebbesen Т. E. et al. Young’s modulus of singlewalled nanotubes // Phys. Rev. B. 1998. V. 58. N. 20. P. 14 013 -14 019.
  63. Poncharal P., Wang Z.L., Ugarte D. et al. Electrostatic deflections and electromechanical resonances of carbon nanotubes // Science. 1999. V. 283. P. 1513 -1516.
  64. Villarubia J.S. Algorithm for scanned probe microscope image simulation, surface reconstruction, and tip estimation // J. Res. Natl. Ins. Stand. Technol. 1997. Vol. 102. N. 4. P. 425−454.
  65. И.И., Неволин B.K. Микромеханика углеродных нанотрубок на подложках // Микросистемная техника. 2002. № 4. С. 20 -21.
  66. Liu К., Avouris Ph., Martel R, Hsu W. K. Electrical transport in doped multiwalled carbon nanotubes // Phisical Rev B. 2001. Vol. 63. P. 63−68.
  67. И.И., Строганов A.A. Микромеханика углеродных нанотрубок как элементов наноэлектроники // Тезисы докладов IV международной научно-технической конференции «Электроника и информатика -2002″. 2002. С. 21−22.
  68. Yu М., Lourie О., Dyer М. et al. Strength and breaking mechanism of multiwalled carbon nanotubes under tensile load // Science. 2000. V. 287. P. 637−640.
  69. Avouris Ph., Hertel Т., Martel R., Schmidt T.,. Shea H. R, Walkup R.E. Carbon nanotubes: nanomechanics, manipulation, and electronic devices // Applied Surface Science. 1999. Vol. 141. P. 201−209.
  70. Roschier L., Pentilla J., Martin M. et al. Single-electron transistor made of multiwalled carbon nanotube using scanning probe manipulation // Appl. Phys. Lett. 1999. V.75.N. 5. P. 728−730.
  71. Kopanski J.J., Marchiando J.F., Lowney J.R. Scanning capacitance microscopy measurements and modeling: Progress towards dopant profiling of silicon // J. Vac. Sci. Technol. В. V. 14. N. 1. 1996. P.242−247.
  72. Brintlinger Т., Chen Yung-Fu, Durkop T. et al. Rapid imaging of nanotubes on insulating substrates // Appl. Phys. Lett. 2002. V.81. N. 13. P. 2454−2456.
  73. И.И., Неволин В. К., Строганов А. А. „Засвечивание“ углеродных нанотрубок в атомно-силовом микроскопе // Известия ВУЗов. Электроника. 2004. №.3. С. 83−85.
  74. И.И., Неволин В. К., Петрик В. И. Ветвящиеся нанотрубки из углеродной смеси высокой реакционной способности // Известия ВУЗов. Электроника. 2002. №.2 С. 105−106.
  75. Scuseria G.E. Negative curvature and hyperfullerenes // Chem. Phys. Lett. 1992. V. 195. N. 5−6. P. 534 -536.
  76. Chernozatonskii L.A. Carbon nanotube connectors and planar jungle gyms // Phys. Lett. A. 1992. V. 172. N. 3. P. 173−176.
  77. И.И., Неволин В. К., Петрик В. И., Строганов А. А., Чаплыгин Ю. А. Атомная структура нанотрубок из углеродной смеси высокой реакционной способности // Письма в журнал технической физики. 2003. Том 29. Вып 8. С 8490.
  78. Future trends in microelectronics. Edited by S. Luryi, J. Xu and A. Zaslavsky. 1999. John Wiley & Sons, Inc. 435 p.
  79. H.B. Формирование и электрофизические свойства двухэлектродных планарных элементов наноэлектроники. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. Москва. 2001. 107 с.
  80. Radosavljevic М., Lefebvre J., Johnson A. High-field electrical transport and breakdown in bundles of single-wall carbon nanotubes // Phys. Rev. B. 2001. Vol. 64. N. 24. P.241 307−1 -241 307−4.
  81. И.И., Неволин B.K., Петрик В. И., Чаплыгин Ю. А. Вольтамперные характеристики двухэлектродных элементов с углеродными нанотрубками // Микроэлектроника. 2003. Том 32. N 2. С 102 104.
  82. Yao Z., Kane C.L., Dekker С. High-field electrical transport in single-wall carbon nanotubes // Phys. Rev. Lett. 2000. V. 84. №. 13. 2941−2944.
  83. Nakanishi Т., Bachtold A., Dekker C. Transport through the interface between a semiconducting carbon nanotube and a metal electrode // Cond. Matt. B. 2002. V. 66. P. 37 703−1-37 703−4.
  84. Poncharal P., Frank S., Wang Z.L., De Heer W.A. Conductance quantization in multiwalled carbon nanotubes // European Physical Journal D. 1999. V. 9. P. 77−79.
  85. Bobrinetskii 1.1., Chaplygin Yu.A., Nevolin V.K., Petrick V.I. Current voltage characteristics of two-electrode devices with carbon nanotubes // Book of abstract
  86. Nano and Giga Challenges in Microelectronics research and Opportunities in Russia» symposium and summer school Moscow. Russia. 2002. P. 187.
  87. Tans S.J., Devoret M.H., Dai H. et al. Individual single-wall carbon nanotubes as quantum wires // Nature. 1997. Vol. 386. N. 6624. P. 474 -477.
  88. B.A. Приборы и методы сканирующей зондовой микроскопии для исследования и модификации поверхностей. Диссертация на соискания ученой степени доктора технических наук. Москва. 2000.-393 с.
  89. Shon H.N., Ando Т. Quantum Transport in Two-Dimensional Graphite System // Journal of the Physical Society of Japan. 1998. Vol. 67. No. 7. P. 2421−2429.
  90. Electronic Properties of Novel Materials —Molecular Nanostructures, edited by H.Kuzmany. Theory of Quantum Transport in Carbon Nanotubes. T. Ando. American Inst. Of physics. 2000. P.325−340.
  91. Landauer R., Bennet Ch.H. Fundamental physical limits of computation // Scientific American. Vol. 253. N. 1. 1985. P. 8−56.
  92. Nygard J., Cobden D.H., Bockrath M. et al. Electrical transport measurements on single-walled carbon nanotubes // Appl. Phys. A 1999. V. 69. P. 297−304.
  93. Nakanishi T. and Ando T. Contact between Carbon Nanotube and Metallic Electrode // Journal of the Physical Societ of Japan. 2000. Vol.69. No.7. P. 2175 -2181.
  94. Landauer R. Irreversibility and heat generation in the computing process // IBM J.Res.Dev. 1961. Vol. 5. P. 183−191.
  95. Hansson A., Paulsson M., Stafstrom S. Effect of bending and vacancies on the conductance of carbon nanotubes // Phys. Rev. B. 2000. Vol. 62. N. 11. P. 7639 -7644.
  96. Postma H.W.Ch., Dekker С., Teepan Т., Yao Z., Grifoni M. Carbon Nanotube SET at room temperature // Science. 2001. V. 293. P. 76−79.
  97. Tans S.J., Verschueren A.R.M., Dekker C. Room-temperature transistor based on a single carbon nanotube // Nature. 1998. V. 393. N. 1. P. 49−52.
  98. Freitag M., Radosavljevic M., Zhou Y. et al. Controlled creation of a carbon nanotube diode by a scanned gate // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. N. 20. P. 33 263 328.
  99. Derycke V., Martel R., Appenzeller J. et al. Controlling doping and carrier injection in carbon nanotube transistors // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 80. N. 15. P. 2773−2775.
  100. Heinze S., Tersoff J., Martel R. et al. Carbon nanotubes as Schottky barrier transistors //Phys. Rev. Lett. 2002. V. 89.N. 10. P. 106 801−1-106 801−4.
  101. Guo J., Datta S., Lundstrom M. A Numerical Study of Scaling Issues for Schottky-Barrier Carbon Nanotube Transistors // IEEE transactions on electron devices. 2004. V. 51. N. 2. P. 172−177.
  102. Я.JI. Основы физики полупроводниковых приборов / Я. Л. Федосов. 2-е изд. М.: Советское радио, 1969. 592 с.
  103. Parker G. Introductory semiconductor device physics / G. Parker. Prentice Hall, 1994. 285 p.
  104. Appenzeller J., Knoch J., Radosavljevic M. and Avouris Ph. Multimode Transport in Schottky-Barrier Carbon-Nanotube Field-Effect Transistors // Phisical Review Letters. 2004. V. 92. N. 22. P. 226 802−1-226 802−4.
  105. Appenzeller J., Knoch J., Martel R. et al. Carbon nanotube electronics // IEEE Trans. Nanotechnol. 2002. V. 1. N. 4. P. 184−189.
  106. Stahl H., Appenzeller J., Martel R., Avouris Ph., and Lengeier B. Intertube coupling in ropes of single-wall carbon nanotubes // Phys. Rev. Lett. 2000. V. 85. N 24. P. 5186−5189.
  107. Odom T.W., Huang J.-L., Kim P., Lieber C.M. Structure and electronic properties of carbon nanotubes // J. Phys. Chem. B. 2000. V. 104. N. 13. P. 2794−2809.
  108. Clauss W., Bergeron D.J., Johnson A.T. Atomic resolution STM imaging of a twisted single-wall carbon nanotube // Phys. Rev. B. 1998. V. 58. N. 8. P. 4266−4269.
  109. Collins Ph. G., Arnold M. S., Avouris Ph. Engineering carbon nanotubes and nanotube circuits using electrical breakdown // Science. 2001. V. 292. P. 706−709.
  110. Martel R., Schmidt Т., Shea H. R., Hertel Т., Avouris Ph. Single- and multiwall carbon nanotube field-effect transistors // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. № 17. P. 2447−2449.
  111. Bachtold A., Hadley P., Nakanishi Т., Dekker C. .Logic circuits with carbon nanotube transistors // Science. 2001. V. 249. P. 1317−1320.
  112. Derycke V., Martel R., Appenzeller J., Avouris Ph. Carbon nanotube inter- and intramolecular logic gates // Nano Lett. 2001. V. 1. №. 9. P. 453−456.
  113. Liu X., Lee Ch., Zhou Ch., Han J. Carbon nanotube field-effect inverters // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. № 20. P. 3329−3331.
  114. Rochefort A., Di Ventra M., Avouris Ph. Switching behavior of semiconducting carbon nanotubes under an external electric field // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. №. 17. P. 2521−2523.
  115. И.И., Неволин B.K., Строганов A.A., Чаплыгин Ю. А. Модуляция проводимости пучков однослойных углеродных нанотрубок // Микроэлектроника. 2004 № 5. С. 356−361.
  116. Wind S. J., Appenzeller J., Martel R., Derycke V., Avouris Ph. Vertical scaling of carbon nanotube field-effect transistors using top gate electrodes // Appl. Phys. Lett. 2002 V. 80. №. 20. P. 3817−3819.
  117. И.И., Строганов А. А. Инвертор с линейной нагрузкой на основе углеродных нанотрубок // Тезисы докладов 11-всеросийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика 2004» С. 7.
  118. Khakani М.А.Е1. Yi J.H. The nanostructure and electrical properties of SWNT bundle networks grown by an 'all-laser' growth process for nanoelectronic device applications // Nanotechnology. 2004. V. 15. P.534−539.
  119. Durkop T., Getty S.A., Cabas E. and Fuhrer M.S. Extraordinary mobility in semiconducting nanotubes //Nano letters. 2004. Vol. 4. N. 1. P. 35−39.
  120. Auvray S., Borghetti J., Goffinan M.F. et al. Carbon nanotube transistor optimization by chemical control of the nanotube-metal interface // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84. N. 25. P. 5106−5108.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?