Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Многокомпонентные нанокомпозиты на основе SnO2: Y2O3, SnO2: SiO2 и их электрофизические и газочувствительные свойства

Диссертация: Многокомпонентные нанокомпозиты на основе SnO2: Y2O3, SnO2: SiO2 и их электрофизические и газочувствительные свойства
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

По материалам диссертации опубликованы 30 научные работы, в том числе 3 — в изданиях, рекомендованных ВАК РФ. В работах, опубликованных в соавторстве и приведенных в конце автореферата, лично соискателем выполнены: исследования электрофизических и газочувствительных свойств нанокомпозитов 8п02: У2Оз, морфологии и размера зерна пленок, обработка и аппроксимация результатов измерений при помощи… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. СОВРЕМЕННЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О СТРОЕНИИ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИХ СВОЙСТВАХ ДИОКСИДА ОЛОВА И НАНОКОМПОЗИТОВ НА ЕГО ОСНОВЕ
    • 1. 1. Атомная структура и строение кристаллической решетки 8п
    • 1. 2. Физико-химические свойства диоксида олова
    • 1. 3. Спектр энергий на поверхности металлооксидных полупроводников
    • 1. 4. Модели газовой чувствительности
    • 1. 5. Механизмы протекания тока в тонких пленках диоксида олова
      • 1. 5. 1. Закон Ома и токи, ограниченные пространственным зарядом (ТОПЗ)
      • 1. 5. 2. Эффект Шоттки
      • 1. 5. 3. Эффект Пула-Френкеля
      • 1. 5. 4. Механизмы туннельного прохождения электронов
    • 1. 6. Влияние легирования на микроструктуру и газочувствительные свойства пленок диоксида олова
  • ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 1
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ И ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СВОЙСТВ ПЛЕНОК 8п02: У203 И ТЕСТОВЫХ СТРУКТУР ДАТЧИКОВ ГАЗОВ НА ОСНОВЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК 8п
    • 2. 1. Изготовление пленок — композитов 8п02: У20з методом ионно-лучевого распыления
    • 2. 2. Изготовление чувствительных элементов тестовых структур датчиков газов методом реактивного магнетронного распыления
    • 2. 3. Конструкция и изготовление тестовых структур датчиков газа
    • 2. 4. Измерение толщины пленок
    • 2. 5. Измерение электрических параметров пленок
      • 2. 5. 1. Температурные зависимости электрических параметров и измерение сопротивления с помощью четырехзондового метода
      • 2. 5. 2. Измерение сопротивления с помощью метода Ван-дер-Пау
      • 2. 5. 3. Измерение электрических параметров пленок с помощью эффекта Холла
    • 2. 6. Методы исследования структуры металлооксидных композитов на основе диоксида олова
      • 2. 6. 1. Исследование структуры пленок-композитов с помощью рентгеновского микроанализа
      • 2. 6. 2. Исследование морфологии пленок — композитов с помощью атомно-силового микроскопа
      • 2. 6. 3. Метод просвечивающей электронной микроскопии
    • 2. 7. Термостабилизация пленок — композитов 8п02: У
    • 2. 8. Термостабилизация электрических параметров тестовых структур микроэлектронного датчика газа
    • 2. 9. Методика исследования газовой чувствительности пленок-композитов и тестовых структур датчиков газа
  • ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 2
  • ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК — НАНОКОМПОЗИТОВ 8п02: У
    • 3. 1. Состав пленок — композитов 8п02: У
    • 3. 2. Термостабилизация пленок-нанокомпозитов 8п02: У
    • 3. 3. Морфология пленок — композитов 8п02: У
    • 3. 4. Исследование температурных зависимостей электрических параметров пленок — композитов 8п02: У
    • 3. 5. Исследование электрических параметров композитов 8п02: У20з
    • 3. 6. Газовая чувствительность пленок-композитов 8п-У-0 к парам различных веществ в воздухе
  • ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 3
  • ГЛАВА 4. ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ СВОЙСТВА ТЕСТОВЫХ СТРУКТУР ДАТЧИКОВ ГАЗА НА ОСНОВЕ 8п02: 8Ю
    • 4. 1. Термостабилизация электрических параметров тестовых структур датчиков газа
    • 4. 2. Электрофизические характеристики сенсорных слоев датчиков газа
    • 4. 3. Исследование газовой чувствительности сенсорных слоев датчиков газа с помощью вольт-амперных характеристик
  • ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 4
  • ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

Многокомпонентные нанокомпозиты на основе SnO2: Y2O3, SnO2: SiO2 и их электрофизические и газочувствительные свойства (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Нанокомпозиты на основе диоксида олова являются перспективными материалами газочувствительной сенсорики, их можно использовать в качестве сенсорных элементов датчиков газов для мониторинга окружающей среды, обнаружения токсичных и взрывоопасных газов, в медицине и других областях обеспечения безопасной жизнедеятельности человека. Принцип работы таких сенсоров основан на чувствительности электрофизических свойств поверхности полупроводника к составу окружающей атмосферы. Для исследования окружающей среды чаще всего используются относительно дешевые, малогабаритные, но при этом обладающие высокой чувствительностью полупроводниковые датчики газов [1]. Мировые производители (Rilken Keiki, Nippon Monitors, Figaro, Taguchi и др.) занимаются исследованиями, разработкой и производством сенсоров такого типа. Серийно выпускаемые в мире сенсоры изготавливают в основном по толстопленочной технологии на основе керамики. Недостатками таких датчиков являются: необходимость нагрева до высоких температур порядка 500 °C при определении газовой чувствительности и для десорбции газовнедостаточная селективность к различным газамдрейф электрических параметров сенсорных слоев при длительном хранении на воздухе — это ограничивает их использование для контроля легковоспламеняющихся и взрывоопасных газов [2].

Известно, что величиной газовой чувствительности можно управлять за счет изменений размеров зерен поликристалла и исходной электропроводности пленок [3−5]. Уменьшение размеров зерен приводит к тому, что увеличивается вклад поверхности поликристаллов в общую электропроводность образца. Кроме того, повышение поверхностной активности наноразмерных поликристаллов может привести не только к увеличению их газовой чувствительности, но и к снижению энергетического порога реакции ионов газов с поверхностными состояниями, то есть к уменьшению температуры максимальной чувствительности пленки к различным газам в воздухе [5].

Для повышения селективности в состав полупроводникового чувствительного элемента вводят легирующий материал — металл, полупроводник, диэлектрик или их соединения. При этом легирующий материал обеспечивает увеличение концентрации групп ионов, более активно взаимодействующих с контролируемым газом. Улучшение газочувствительных свойств полупроводниковых тонких пленок и использование их в качестве чувствительных слоев для датчиков газа и является на сегодняшний день актуальным направлением в исследовании материалов.

В работе рассмотрены условия получения новых перспективных нано-композитов на основе газочувствительных металлооксидных элементов 8п02 и У203, которые не образуют между собой химических соединений. Оксид иттрия будет препятствовать росту больших зерен 8п02 при термообработке. Нанокомпозиты 8п02: У2Оз могут проявлять повышенную активность поверхностных состояний, что улучшит газочувствительные свойства пленок. Ранее было установлено, что у нанокомпозитов 8п02: 8Ю2 с 1 ат.% Б! улучшаются газочувствительные свойства 8п02, поэтому для работы были выбраны тестовые структуры датчиков газа на их основе, удобные для исследования вольт-амперных характеристик (ВАХ).

Цель работы заключалась в синтезе и исследовании пленок-нанокомпозитов на основе 8п02 с оксидами иттрия и кремния для получения материалов с наименьшим размером зерна и исследовании газочувствительных свойств тестовых структур датчиков газов с использованием вольт-амперных характеристик.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

1) выбрать методику изготовления пленок-композитов с различным содержанием Бп02 и У203;

2) определить состав и структуру тонких пленок на основе диоксида олова методами рентгеновского микроанализа, атомно-силовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии;

3) исследовать влияние температурной обработки тонких пленок-композитов 8п02: УгОз на их структуру и стабилизацию электрических параметров, исследовать электрофизические свойства пленок с различным содержанием примеси иттрия;

4) исследовать газовую чувствительность пленок-композитов 8п02: У203 с различным содержанием иттрия к парам различных газов в воздухе;

5) исследовать механизмы протекания тока и реакционную способность чувствительных слоев тестовых структур микроэлектронных датчиков газа на основе 8п02: 810? с использованием вольт-амперных характеристик;

6) исследовать газовую чувствительность тестовых структур микроэлектронных датчиков газа с использованием вольт-амперных характеристик.

Объектами исследований служили тонкие пленки 8п02: У203 с содержанием примеси иттрия до 6 ат.%, изготовленные методом ионно-лучевого распыления, а также тестовые структуры микроэлектронных датчиков газов на основе 8п02: 8Ю2 (1% 81), изготовленные методом реактивного магнетронного распыления олова на постоянном токе.

Научная новизна работы.

1. Установлены режимы изотермического отжига, необходимые для образования нанокристаллов с размером зерен от 5 до 10 нм в пленках-композитах на основе 8п02 с добавками оксида иттрия (Т = 400 °C, I > 2 ч.).

2. Определены состав и морфология пленок-композитов 8п02: У20з с различным содержанием примеси иттрия, изготовленных методом реактивного ионно-лучевого распыления. Установлено, что с увеличением примеси иттрия от 0,36 ат.% до 6 ат.% в композите 8п02: У20з размер зерна уменьшается от 40 нм до 5 нм соответственно.

3. Уменьшение размера зерна в композите 8п02: У20з приводит к снижению температуры максимальной газовой чувствительности к парам этанола, ацетона, формальдегида и изопропилового спирта на несколько десятков градусов Цельсия.

4. Определен характер температурных зависимостей газовой чувствительности тестовых структур датчиков газа на основе Sn02: Si02 с помощью вольт-амперных характеристик. Показано, что максимальная газовая чувствительность к парам этанола наблюдается при температуре 150 °C. Эта температура на 200 °C меньше, чем температура максимальной газовой чувствительности датчика, определенная по измерению сопротивления чувствительного элемента в парах исследуемого газа.

Практическая значимость работы.

1. Новые данные об электрофизических и газочувствительных свойствах пленок-композитов на основе диоксида олова в зависимости от их состава могут быть использованы для улучшения газочувствительных параметров датчиков газов и снижения их потребляемой мощности.

2. Предложена методика определения газовой чувствительности по измерению вольт-амперных характеристик тестовых структур датчиков газа Sn02: Si02 с Pt-контактами.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. В нанокомпозите на основе диоксида олова с добавкой оксида иттрия в количестве до 6 ат. % размер зерна уменьшается от 40 до 5 нм с ростом концентрации иттрия.

2. Температура максимальной газовой чувствительности у пленок-нанокомпозитов Sn02: Y203 к парам этанола, ацетона, изопропилового спирта и формальдегида в воздухе по сравнению с нелегированной пленкой Sn02 уменьшается на несколько десятков градусов Цельсия.

3. Механизм газовой чувствительности пленок-композитов SnO?: У20з при взаимодействии с этанолом, ацетоном, формальдегидом и изопропило-вым спиртом в воздухе описывается моделью ультрамалых частиц для пленок-композитов с размером зерна меньшим, чем удвоенная дебаевская длина экранирования.

4. Из измерений ВАХ тестовых структур датчиков газа на основе Sn02: Si02 с Pt-контактами установлено, что температура максимальной газовой чувствительности к парам этанола на 200 °C ниже, чем температура максимальной газовой чувствительности тестовых структур датчиков газа, определенная по измерению сопротивления чувствительного элемента.

Апробация работы.

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и семинарах: ежегодных научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный технический университет» (Воронеж, 2006 — 2009) — 37 Международном научно — методическом семинаре «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» (Москва 2006) — VI Всероссийской школе-конференции «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении (индустрия наносистем и материалы) (Воронеж 2007, 2008) — VII, VIII, IX Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микрои нанотехнологии» (Кисловодск,-2007 — 2009) — Международной научной конференции «Актуальные проблемы физики твердого тела» (Минск, 2007 -2009) — VII Международной научно-практической конференции «Технические средства противодействия террористическим и криминальным взрывам» (Санкт-Петербург, 2011) — II Всероссийской научно-практической конференции с международным участием «Пожарная безопасность: проблемы и перспективы» (Воронеж, 2011) — Международной научно-практической конференции молодых ученых и специалистов «Проблемы техносферной безопасности — 2012» (Москва, 2012) — III Всеросийской научно-практической интернет-конференции курсантов, слушателей, студентов и молодых ученых с международным участием (Воронеж, 2012).

Публикации.

По материалам диссертации опубликованы 30 научные работы, в том числе 3 — в изданиях, рекомендованных ВАК РФ. В работах, опубликованных в соавторстве и приведенных в конце автореферата, лично соискателем выполнены: [3, 5 — 11, 13, 14, 16, 17, 19, 20] исследования электрофизических и газочувствительных свойств нанокомпозитов 8п02: У2Оз, морфологии и размера зерна пленок, обработка и аппроксимация результатов измерений при помощи персонального компьютера (ПК) — [23 — 28, 30] исследования электрофизических и газочувствительных свойств тестовых структур датчика газа с использованием вольт-амперных характеристик.

Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы из 104 наименований. Основная часть работы изложена на 137 страницах, содержит 4 таблицы и 64 рисунка.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ.

1. Апробирован способ изготовления пленок-композитов 8п02: У20з методом ионно-лучевого реактивного распыления на переменном токе составной металлической мишени в атмосфере аргон-кислород. Установлено, что содержание примеси иттрия в изготовленных образцах изменяется от 6,15 ат.% до 0,36 ат.%.

2. Экспериментально определен режим термообработки образцов для формирования нанокристаллической структуры и стабилизации электрических параметров: Т = 400 °C, г > 2 часа. Время отжига определялось полной стабилизацией сопротивления исследуемых образцов.

3. По данным атомно-силовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения экспериментально установлено, что с увеличением концентрации примеси У от 0,36 ат.% до 6,15 ат.% в пленке 8п02: У20з размер зерна кристаллов уменьшается от 40 нм до 5 нм. В на-нокомпозите 8п02: У203 (5 ат.% иттрия) определен интервал между смежными рядами атомов, который составляет 0,33 нм, что с точностью ~ 4% соответствует значению С = 0,3185 нм ориентации (110) 8п02 кристаллической решетки типа рутила. Таким образом, показано, что микрокристаллиты представляют собой кристаллы 8п02. Отдельную кристаллическую фазу У20з на микрофотографиях обнаружить не удалось. Величина шероховатости и данные НЯТЕМ соответствуют среднему размеру зерен в пленке.

4. С помощью эффекта Холла по методу Ван дер Пау найдены подвижность и концентрация свободных носителей заряда и удельное сопротивление пленок 8п02: У20з. Определено, что значение подвижности увеличивается с увеличением концентрации примеси иттрия от 9,27 см /В с до 59,99 см /В с, а значение концентрации свободных носителей заряда в образцах с ростом процентного содержания примеси уменьшается на три порядка от 5,03 1019 см" 3 для 0,36 ат.% иттрия до 1,63−1016 см" 3 для 6 ат.% иттрия. Удельное сопротивление с ростом содержания примеси иттрия увеличивается от 496,48 Ом/п до 21 306 Ом/п.

5. Из экспериментальных значений электрических параметров пленок-композитов Sn02: Y203 выполнен расчет дебаевской длины экранирования и оценка механизмов газовой чувствительности. Установлено, что для пленок с содержанием примеси 0,36 ат.% иттрия справедлива зернограничная модель газовой чувствительности, для содержания примеси иттрия от 1 до 2 ат.% работает модель «узкого горла», а от 2 ат.% до 6 ат.% примеси иттрия справедлива модель ультрамалых частиц.

6. Исследована газовая чувствительность пленок-композитов Sn — YО на основе диоксида олова к парам этанола, ацетона, изопропилового спирта, формальдегида в воздухе. Установлено, что наибольшей чувствительностью ко всем исследуемым веществам в воздухе обладает образец с концентрацией 4,7 ат.% иттрия. Показано, что при легировании диоксида олова иттрием максимальная температура газовой чувствительности снижается на 100 — 160 °C.

7. Из исследуемых ВАХ тестовых структур Sn02: Si02 микроэлектронных датчиков газа определены механизмы протекания тока и напряженность электрического поля. Отработана методика определения газовой чувствительности тестовых структур микроэлектронных датчиков газов на основе Sn02: Si02 (1% Si) с помощью вольт-амперных характеристик.

8. Исследование газовой чувствительности с помощью ВАХ тестовых структур датчика газа к парам этанола в воздухе показало, что максимальная газовая чувствительность наблюдается при 150 °C при напряжении 15 В. Эта температура на 200 °C меньше, чем температура максимальной газовой чувствительности датчика определенной по измерению сопротивления чувствительного элемента в парах исследуемого газа.

Автор выражает признательность и благодарность профессору С. И. Рембезе, а также A.B. Ситникову, Б. Л. Агапову, М. В. Гречкиной и В.А. Бу-слову за помощь и сотрудничество при изготовлении образцов и исследовании физических параметров пленок-композитов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Г. Датчики: устрйство и применение / Г. Виглеб. М.: Мир, 1989. 196 с.
  2. Figaro: датчики газов. М.: Издательский дом «Додэка XXI», 2002.64 с.
  3. С. Xu, J. Tamaki, N. Miura, N. Yamazoe. Grain size effects on gas sensitivity of porous Sn02 based elements / C. Xu, J. Tamaki, N. Miura, N. Yamazoe // Sensor and Actuators. — 1991.- Vol. B. — № 3. — P. 147 — 155.
  4. Электрические и оптические свойства полупроводниковых пленок на основе Sn02 и Si02 / С. И. Рембеза, Т. В. Свистова, Е. С. Рембеза, Г. В. Горлова // Электротехника.- 2004.- Т.10.-С. 10−14.
  5. Структура и электрофизические свойства нанокомпозита SnOx: MnOy/ Е. С. Рембеза, Т. В. Свистова, С. И. Рембеза, А. С. Комарова, Н. Н. Дырда // Нано- и микросистемная техника. -2006. -Т.4. -С. 27−29.
  6. В. Б. Аналитическая химия олова. В. Б. Спиваковский.-М., 1975.
  7. Физико-химические свойства окислов. Справочник / Г. В. Самсонов и др.- М.: Металлургия, 1978.-390 с.
  8. В.Б. Химические и физические свойства простых оксидов металлов / В. Б. Лазарев, В. В. Соболев, И. С. Шаплыгин. -М.: Наука, 1983.-239 с.
  9. Bertrand J. Etude electrique et spectroscopique de l’influence de l’electrode sur les capteurs de gaz a base de Sn02. Pour obtenir le grade de Docteur, 2008.
  10. Adler D. The properties of oxides / D. Adler // Solid State Phys.-1968.-Vol. 21.-P. 1 -79.
  11. Dahl J.P. Energy bands of Cu20 / J.P. Dahl, A.C. Switendick // J. Phys. Chem. Solids.-1966. -Vol. 27. -No. 6, — P. 931 942.
  12. FierroJ.L.G. Metal Oxides/J.L.G. Fierro. New York, 2006. Chapter 6,178 p.
  13. E.M. Технология полупроводниковых слоев двуокиси олова / Е. М. Панкратов, В. П. Рюмин, Н. П. Щелкина.-М.: Энергия, 1969.-56 с.
  14. С.З. Адсорбция и катализ на неоднородных поверхностях / С. З. Рогинский. М.: АН СССР, 1948. — 278 с.
  15. Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции / Ф. Ф. Волькенштейн. -М.: Наука, 1987.-432 с.
  16. Ф. Ф. Физико-химия поверхности полупроводников / Ф. Ф. Волькенштейн. М.: Наука, 1973. — 400 с.
  17. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях / И. А. Мясников, В. Я. Сухарев, Л. Ю. Куприянов, С. А. Завьялов. М.: Наука, 1991.-327 с.
  18. . Ф. Химические сенсоры: возможности и перспективы / Б. Ф. Мясоедов, А. В. Давыдов // Журнал аналитической химии.- 1990.- Т. 45. С. 1259−1266.
  19. Ф. Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводника при хемосорбции / Ф. Ф. Волькенштейн // Успехи физических наук. Т. 90.-Вып. 2. — 1966.
  20. М. Н. Химическое модифицирование и сенсорные свойства нанокристаллического диоксида олова: автореф. дис. на соискание ученой степени д.т.н. М. Н. Румянцева. Москва, 2009.
  21. A.M. Румянцева М. Н. Выбор материалов для твердотельных газовых сенсоров / A.M. Гаськов, М. Н. Румянцева // Неорганические материалы, — 2000.- № 3, — С. 369−378.
  22. Influence of oxygen backgrounds on hydrogen sensing with Sn02 nano-materials / M. Hubner, R.G. Pavelko, N. Barzan, U. Weimar // Sensor and Actuators В: Cem.-2011.
  23. N. Barsan. Conduction model of oxide gas sensors / N. Barsan, U. Weimar//J. Electroceramics-2001.- № 7.-P.143 167.
  24. Y. Shimizu. Basic Aspects and Challenges of Semiconductor Gas Sensors / Y. Shimizu, M. Egashira // J. MRS Bulletin. 1999.- V.24. — № 6.- P. 18−24.
  25. Modeling of sensing and transduction for p-type semiconducting metal oxide based gas sensors / N. Barsan, C. Simon, T. Heine, S. Pokhrel, U. Weimar // J. Electroceramics.-2010.- № 25.-P. 11−19.
  26. Study on the sensing mechanism of tin oxide flammable gas ensor using the Hall effect / M. Ippommatsu, H. Ohnishi, H. Saski, T. Matsumoto // J. Appl. Phys. 1991, — Vol. 69(12). — № 15.- P. 8368 — 8374.
  27. Barsan N. MOX semiconductor surfaces & bulk properties (electrical-point of view) & conduction models of MOX semiconductors. Selectivity, Sensit-viti, Stabiliti. Summer shcoll, Igora, Konevets Island, 2011.
  28. Relationship between gas sensitivity and microstructure of porous Sn02/ С. Xu, J. Tamaki, N. Miura, N. Yamazoe // J. Electrochem. Soc. 1990.- Vol.58-№ 12,-P. 1143 -1148.
  29. Effect of Arsenic Segregation on the Electrical Properties of Grain Boundaries in Polycrystalline silicon / C.Y. Wong, C.R. Grovenor, P.E. Batson, P.A. Smith // J. Appl. Phys.- 1985.-V.57.-№ 2.-P.438−442.
  30. К.В. Физика полупроводников / К. В. Шалимова. -М.: Энергоатомиздат, 1985. 392 с.
  31. Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов / С.М. Зи- пер. с англ. под ред. Р. А. Суриса. М.: Мир, 1984. Кн.1 — 456 с.
  32. К.В. Особенности температурных зависимостей электрических характеристик структур Ge2Sb2Te5, измеренных с использованием методов атомно-силовой микроскопии / К. В. Митрофанов, А. П. Авачёв, Н.С. Климов//Вестник РГРТУ. 2010. № 1 (Вып. 31).
  33. Ю. В. Токи утечки в тонких сегнетоэлектрических пленках / Ю. В. Подгорный, К. А. Воротилов, А. С. Сигов // Физика твердого тела, — 2012, — Том 54. Вып. 5.- С.859 862.
  34. М. Инжекционные токи в твердых телах / М. Ламперт, П. Марк.-М.: Мир, 1973.-416 с.
  35. В.Б. Электропроводность окисных систем и пленочных структур / В. Б. Лазарев, В. Г. Красов, И. С. Шаплыгин. М.: Наука, 1979. -168 с.
  36. Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования / Е. В. Кучис. M.: Радио и связь, 1990.- 264 с.
  37. Rckas M., Szklarski Z. Defect chemistry of antimony doped Sn02 thin films / M. Rckas, Z. Szklarski // Bull. Polish Academy Sei. Chem.-1996.-V.44,-№ 3.-P. 155−177.
  38. Э.Е. Влияние адсорбции свободных атомов и радикалов на электрофизические свойства полупроводниковых окислов металлов / Э. Е. Гутман // Журнал физической химии. 1984. — T. LV1II. — Вып.4. — С. 801 -821.
  39. В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках / В. Ф. Киселев. М.: Наука, 1970. — 399 с.
  40. H. Н. Электрофизические и газочувствительные свойства нанокристаллических пленок-композитов на основе диоксида олова: дис. на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / Кошелева Наталья Николаевна. Воронеж, 2008.
  41. Ю. В. Электрофизические свойства нанокомпозитов на основе Sn02 : Zr02 и Sn02 с добавлением многостенных углеродных нанот-рубок: дис. на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / Шматова Юлия Васильевна. Воронеж, 2011.
  42. Song P. Preparation, characterization and acetone sensing properties of Ce-doped Sn02 hollow spheres / P. Song, Qi Wang, Z. Yang // Sensor and Actuators В V. 173. P. 839- 846, 2012.
  43. Влияние водорода на электропроводность оксида индия, легированного иттрием / И. В. Бабкина, И. В. Золотухин, Ю. Е. Калинин, А. В. Ситников // Вестник Воронежского государственного технического университе-та.-Т. 4.-№ 10.- С. 60 62. 2008.
  44. Газовая чувствительность границ раздела в полупроводниковых материалах / Р. Б. Васильев, Л. И. Рябова, М. Н. Румянцева, А. М. Гаськов // Сен-сор.-2005. № 1 (14). — С. 21 — 49.
  45. Korotcencov G. Gas response control through structural and chemical modification of metal oxide films: state of the art and approaches / G. Korotcencov // Sensor and Actuators В 107. 2005. P. 209 232.
  46. И.В. Новые направления физического материаловедения / И. В. Золотухин, Ю. Е. Калинин, О. В. Стогней Воронеж.: ВГУ, — 2000. 360. с.
  47. Д. Ю. Тонкопленочная технология изготовления функциональных элементов газовых сенсоров: дис. на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / Куликов Дмитрий Юрьевич.-Воронеж, 2007.-92 с.
  48. Агрегат непрерывного действия 01НИ-7−006. Техническое описание и инструкция по эксплуатации. дЕМ3.273.038ТО, 1979.
  49. Особенности конструкции и технологии изготовления тонкопленочных металлооксидных интегральных сенсоров газов / С. И. Рембеза, Д. Б. Просвирин, О. Г. Викин, Г. А. Викин, В. А. Буслов, Д. Ю. Куликов // Сенсор.-2004, — № 1(10).- С. 20−28.
  50. Ч.Е. Технология тонких и толстых пленок для микроэлектроники: пер. с англ. / Ч. Е. Джоветт. -М.: Металлургия, 1980.-112 с.
  51. Технологические схемы изготовления микроэлектронных датчиков газов / С. И. Рембеза, Д. Б. Просвирин, О. Г. Викин, Г. А. Викин, В. А. Буслов // Электроника и информатика: материалы IV Междунар. науч.-техн. конф.- М.: МИЭТ, 2002, — С. 342 343.
  52. Инструкция к пользованию. Микроинтерферометр Линника МИИ-4. Л.: ЛОМО, 1978.-23 с.
  53. В.И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники: учебное пособие / В. И. Старосельский. М.: Юрайт, 2011.
  54. Н.Ф. Измерение параметров полупроводниковых материалов/Н.Ф. Ковтонюк, Ю. А. Концевой.-М.: Металлургия, 1972.-432 с.
  55. Физические методы исследования материалов твердотельной электроники / С. И. Рембеза, Б. М. Синельников, Е. С. Рембеза, Н. И. Каргин. -Ставрополь.- 2002.- 32 с.
  56. В.И. Неразрушающие методы контроля параметров полупроводниковых материалов и структур / В. И. Смирнов. Ульяновск: УлГТУ, 2012, — 52 с.
  57. В.Н. Измерения параметров полупроводников с помощью эффекта Холла: описание лабораторной работы / В. Н. Агарев, В. В. Карзанов, В. А. Пантелеев. Нижний Новгород: ННГУ, 2002.
  58. В.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур / В. В. Батавин, Ю. А. Концевой, Ю. В. Федоров. -М.: Радио и связь,-1985, — 284 с.
  59. Рид Б. Электронно-зондовый микроанализ и растровая электронная микроскопия в геологии / Б. Рид. — М.: Техносфера, 2008.- 229 с.
  60. Физические основы методов исследования структур и поверхности твердого тела / В. И. Троян, М. А. Пушкин, В. Д. Борман, В.Н. Тронин- под ред. В. Д. Бормана. М.: МИФИ, 2008. — 260 с.
  61. В.А. Определение параметров ближнего порядка в расположении атомов аморфных веществ по данным электронографических исследований: учеб. пособие / В. А. Воронцов, Н. Д. Васильева.-М.: МЭИ, 2002.-6 с.
  62. Природа изменений физических свойств поликристаллических тонких пленок Sn02, вызванных термообработкой / А. И. Иващенко, И.В. Хоро-шун, Г. А. Киоссе, И. Ю. Марончук, В. В. Попушой // Кристаллография-1997.-Т.42- № 5.-С. 901−905.
  63. Формирование структуры газочувствительных слоев диоксида олова, полученных магнетронным распылением/ P.M. Вощилова, Д. П. Димитров,
  64. Н.И. Долотов, А. Р. Кузьмин, A.B. Махин, В. А. Мошников, Ю. М. Таиров // Физика и техника полупроводников.-1995.-Т.29- № 11 .-С. 1987−1993.
  65. Beensh-Marchwicka G. Influence of annealing on the phase composition, transmission and resistivity of Sn02 thin films / G. Beensh-Marchwicka, L. Krol-Stepniewska, A. Misiuk // Thin Solid Films.-1984.- Vol.113, — P.215 224.
  66. С. И. Термостабилизация микроэлектронных датчиков газов / С. И. Рембеза, Д. В. Русских // Твердотельная электроника и микроэлектроника: межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2005. Вып. 5. С. 125 128.
  67. Высокотемпературный отжиг тестовых структур полупроводниковых датчиков газов / Д. В. Русских, С. И. Рембеза, В. А. Буслов, Д. Ю. Куликов // Актуальные проблемы физики твердого тела: сб. докл. Междунар. науч. конф.- Минск, 2007.- Т. 2.- С. 375 377.
  68. Н.П. Полупроводниковые сенсоры для контроля состава газовых сред / Н. П. Максимович, Д. Е. Дышель, Л. Э. Еремина // Журнал аналитической химии 1990-Т.45-№ 7-С. 1312−1316.
  69. Е.С. Металлооксидные нанокомпозиты для газовой сенсорики // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика, 2006.- № 1, — с.74−77.
  70. С.И. Нужен ли человечеству искусственный нос? // Природа.- 2005.-№ 2, — с. 5- 12.
  71. В.И. Микроструктура и электропроводность сенсорных слоев диоксида олова / В. И. Кукуев, Е. С. Рембеза, Э. П. Домашевская // Перспективные материалы. 2000. — № 3. — С. 42−48.
  72. Synthesis and Properties of Thin Film Nanocomposites Sn-Y-O for Gas Sensors / S. Rembeza, E. Rembeza, E. Russkih, N. Kosheleva // Sensors & Transducers, V 110, issue 11, November 2009, p. 71 77.
  73. Природа изменений физических свойств поликристаллических тонких пленок Sn02, вызванных термообработкой / Иващенко А. И., Хорошун И. В., Киоссе Г. А. и др. // Кристаллография.- 1997.- Т.42, — № 5.- С.901−905.
  74. Sanon G. Growth and characterisation of tin oxide films prepared by chemical vapour deposition/ G. Sanon, A. Mansingh // Thin Solid Films 1990-Vol.190.-P.287−301.
  75. Gas sensor application of carbon nanotubes, int. Journal of ingineering and technology / M.Y. Faizah, A. Fakhrul-razi, R.M. Sider, A.G. Liew Abdulah // v.4. № 1,2007, P. 106−113.
  76. Е.А. Оксидные нанокомпозиты Sn0x:Y203 перспективный материал для газовой сенсорики / Е. А. Тарасова, С. И. Рембеза, Т. В. Свистова // Твердотельная электроника и микроэлектроника: межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2007.- С. 60−63.
  77. Структура и электрофизические свойства нанокомпозита Sn-Y-0 / Е. С. Рембеза, С. И. Рембеза, Е. А. Ермолина, М. В. Гречкина // Нано- и микросистемная техника. -2008.- № 6. -С. 19−22.
  78. Д. В. Релаксация электросопротивления твердотельных датчиков газов под влиянием внешних воздействий: дис. на соискание ученой степени кандидата техн. наук: 05.27.01 / Русских Дмитрий Викторович.-Воронеж, 2009.-С. 93.
  79. Е.А. Механизмы токопереноса в структуре Al/ZnO/Si / Е. А. Тутов, Ф. А. Тума, В. И. Кукуев // Конденсированные среды и межфазные гра-ницы.-2006. Т. 8, — № 4. С. 334 340.
  80. Е.А. Измерение вольт-амперных характеристик тестовых структур на основе тонких пленок Sn02:l%Si / Е. А. Русских, С. И. Рембеза, Е. С. Рембеза // Вестник Воронежского государственного технического университета. 2012. Т. 8. -№ 10.2.- С. 59 — 62.
  81. A.A. Исследование особенностей переноса зарядав многослойных МДМ и МДП структурах на основе полидифениленфталида: дис. на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук: 01.04.07 / Бунаков Андрей Анатольевич. -Уфа, 2006.
  82. Вольт-амперные характеристики тонкопленочных газочувствительных структур на основе оксида олова / В. В. Симаков, О. В. Якушев, А. И. Гребенников, В. В. Кисин // Письма в ЖТФ. 2005, — Т. 31.- Вып. .8.- С. 52- 56.
  83. Влияние температуры на вольт-амперные характеристики тонкопленочных газочувствительных структур / В. В. Симаков, О. В. Якушев, А. И. Гребенников, В. В. Кисин // Письма в ЖТФ. 2006.-Т. 32. Вып. 2, — С. 52- 58.
  84. П.А. Электропроводность тонких диэлектрических пленок: методическое пособие по лабораторной работе/ П. А. Райкерус.-Петрозаводск, 1984.
  85. Я. Г. Процессы токопереноса в тонких пленках оксидов лютеция и тербия на кремнии / Я. Г. Федоренко, JI. А. Отавина, С. В. Коре-нюк // Письма в ЖТФ, — Т. 26. Вып. 20, — 2000.- С. 46 -51.
  86. Конструктивно-технологические особенности сборки газовых сенсоров / В. В. Зенин, М. С. Котова, С. И. Рембеза, A.B. Рягузов, Е. А. Тарасова // Вестник Воронежского государственного технического университета.- 2007.Т. 3.-№ 2.-С. 209−212.
  87. Е. А. Измерение вольт-амперных характеристик тестовых структур на основе тонких пленок SnCb / Е. А. Русских, С. И. Рембеза, Е.С.
  88. Рембеза // Твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника: межвуз. сб. науч. тр.- Воронеж, 2011. Вып. 10. С. 173 -176.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?