Разработка литографических методов и спецоборудования для создания СБИС и транзисторных структур с субмикронными размерами элементов
Диссертация
В пятой главе рассматривается применение методов самоформирования и литографии для изготовления МИС на ЦМД емкостью 4 — 32 Мбит, полевых транзисторов с длиной затвора (0.1 мкм и других приборов с субмикронными и нанометровыми размерами элементов. Для оптимизации процессов формирования микроструктур • используется математическое моделирование операций фотолитографии и химического травления… Читать ещё >
Содержание
- Глава I. Разработка контактной установки рентгеновского экспонирования
- 1. 1. Методы литографии в производстве СБИС (обзор)
- 1. 2. Точечные источники рентгеновского излучения
- 1. 3. Разработка контактной рентгенолитографической системы 09ФСР-1−001 «Рентгенотрон»
- 1. 4. Сравнение источников рентгеновского излучения, определение оптимальных параметров технологического источника синхротронного излучения
- 1. 5. Выводы
- Глава II. Разработка технологии изготовления рентгеношаблонов на основе кремния, легированного бором
- 2. 1. Требования, предъявляемые к рентгеношаблонам
- 2. 2. Сравнение методов изготовления мембран рентгеношаблонов
- 2. 3. Разработка конструкции и технологии изготовления шаблонов для рентгенолитографии
- 2. 4. Исследование способов формирования рентгенопоглощающего рисунка шаблонов
- 2. 5. Выводы
- Глава III. Исследование литографических свойств резистов, разработка резистов для рентгенолитографии
- 3. 1. Особенности рентгенорезистов их свойства и характеристики
- 3. 2. Синтез и исследование чувствительности сополимеров глицидилметакрилата
- 3. 3. Синтез и исследование чувствительности сополимеров метилмета-крилата
- 3. 4. Расчет сенсибилизации резистов. Зависимость свойств резистов от длины волны рентгеновского излучения
- 3. 5. Исследование чувствительности, контрастности, разрешающей способности рентгенорезистов к синхротронному излучению
- 3. 6. Выводы
- Глава IV. Разработка технологии изготовления
- СБИС ЦМД емкостью
- 1−16 Мбит
- 4. 1. Постановка задачи
- 4. 2. Разработка планарной технологии изготовления кристаллов
- СБИС ЦМД типа К1605РЦ
- 4. 3. Разработка новых технологических процессов и оборудования изготовления фотошаблонов для
- СБИС ЦМД емкостью свыше
- 1. Мбит
- 4. 4. Разработка субмикронной технологии изготовления
- 1. Мбит
- 4. 4. 1. Выбор структуры
- 4. 4. 2. Особенности формирования рисунка элементов
- 4. 4. 3. Применение ПХТ для формирования субмикронных структур с размерами элементов 0,1−1,0 мкм
- 4. 5. Выводы
- 5. 1. Самоформирование в технологии СБИС
- 5. 2. Создание МДП- транзисторов на Si и GaAs с длиной затвора «0,1 мкм
- 5. 3. Магнитометр с длиной мостика «0.1 мкм
- 5. 4. ЗУ на ЦМД с плотностью записи более 4 Мбит/см
- 5. 5. Формирование рисунка линии задержки на ПАВ с периодом
- 0. 2. — 0,6 мкм
- 5. 6. Способы создания шаблонов с размерами «0.1 мкм
- 5. 7. Выводы
Список литературы
- Чиркин Г. К. Исследование и разработка элементов и системы проектирования СБИС на ЦМД. Док. Дис. Москва. 1987.
- Symp. On VLSI Tech., 1986, p. 9.
- Solid State Technology, march 1995, p. 57 -62.
- Валиев К.А., Орликовский A.A. Основные тенденции развития технологии СБИС. Электроника: наука, технология, бизнес. 1996, № 5−6, с. 3−11
- Валиев К.А. Физика субмикронной литографии. Москва. Наука. 1990, с. 528
- Solid State Technology, 1986, Vol. 29, N 5, p. 249 -255.
- Semiconductor International, 1987, Vol. 10, N 2, p. 54 -55.
- Кириленко А.Г., Кривоспицкий А. Д., Семин Ю.Ф.
- Рентгенолитография в микроэлектронике. Зарубежнаярадиоэлектроника, 1980.№ 3, с. 36 57.
- А. Zacharias, Solid St. Technol., 1981, Vol. 24, N 8, p. 57 59.
- Y. Tarui, IEEE Trans, on El. Dev., 1980, Vol. ED 27, N 8, p. 1321 -1331.
- L. Kreuzer, G.P. Hughes, C. La-Fiandra, Proc. SPIE, 1984, Vol. 471, p. 84 89.
- Работы по созданию производственной установки рентгеновской литографии. Электроника, 1986, т. 59, № 6, с. 45 52.
- В.Fay, Revue Technique Tomson-CSF, 1981, Vol. 13, N 3, p. 542 -575.
- S. Harrel, Microelectronic Manufacturing and Testing, 1984, Vol. 7, «N1, p. 62−64.
- Microelectronic Manufacturing and Testing, 1986, Vol. 9, N 8, p. 18. щ 16. Экспресс информация по зарубежной электронной технике. Вып.247 249 (5156 — 5158) от 21 — 25 декабря 1990 г.
- Гош, Дис, Лидирующее положение ФРГ в области рентгенолитографии. Электроника, 1987, т. 60, с. 46 50.
- Александров Ю.М., Кривоспицкий А. Д., Семин Ю.Ф.
- Рентгенолитография с использованием ускорителя С 60. Тезисы III Всесоюзной научно-технической конференции по прецизионной литографии. Москва. 1980, с. 31.
- Гревцев Н.В., Кривоспицкий А. Д., Семин Ю. Ф. Источники „мягкого“ рентгеновского излучения в промышленном производстве СБИС. Электронная промышленность, 1980, № 5, с. 36 -41.
- Боков Ю.С., Кривоспицкий А. Д., Лаврищев В. П., Мазуренко С. Н. Рентгенолитография и ее применение. Электронная промышленность. 1977, Вып. 6 (60), с. 93 99.
- A.C. 1 501 841 (СССР). Способ получения рельефного изображения. Кривоспицкий А. Д., Мшенская Т. А., Селиванов Г. К., 1989.
- Александров Ю.М., Кривоспицкий А. Д., Семин Ю. Ф. Якименко М.Н. Использование синхротронного излучения в рентгеновской литографии. Электронная промышленность, 1980, вып. 5, с. 41 -45.
- Александров Ю.М., Кривоспицкий А. Д., Лаврищев В. П., Якименко М. Н. Использование синхротронного излучения в рнтгенолитографии. Письма в ЖЭТФ, 1979, том 5, вып. 14, с. 840.
- Александров Ю.М., Кривоспицкий А. Д., Якименко М. Н. Рентгенолитография в пучках синхротронного излучения. УФН, 1977, т. 128, Вып. 1, с. 180.• 25. Якименко М. Н. УФН, 1974, т. 114, Вып.1, с.55
- Кулипанов Г. Н., Скринский А. И. УФЫ, 1977, т. 122, Вып. 3, с. 369 -418.
- E.Spillet, D.E. Eastman, R. Federetal, J. of Appl. Phys., 1970, Vol. 47, N 12, p. 5450.
- W.Gudat. Desy Report, NSR-77/21, 1970.
- D.Maydan- G.A.Coquin, J.R.Maldonado, S. Somekh, D.I.Lou, G.N.Taylor, High Speed Replication of Submicron Features on Large Areas by X-Ray Lithography, IEEE Tr. Electron Devices, vol. ED-22,p.429 (1975).
- J.S.Greeneich, X-Ray Lithography Part II Pattern Replication with Polymer Masks, IEEE Tr. Electron Devices, ED-22.p.434.
- W.D.Buckley, J.F.Nester, H. Windischmann, X-Ray Lithography Mask Technology, J.Electrochem.Soc.vol.l28.p.l 116 (1981).
- B.B.Triplett, S. Jones, X-Ray LitographyiFabrication of Masks and Very Large Scale Itegrated (VLSI) Devices, Proe. SPIE, vol.333, p. l 18 (1982).
- D.Maydan, G.A.Coquin, H.J.Levinstein, A.K.Sinha, D.N.K.Wang, Boron Nitride Mask Structure for X-Ray Lithography, J.Vac. Sci.Technol., vol. 16, p.1959 (1979).
- HP Gives Peek at X-Ray Aligner, Semiconductor Int., vol.17, May 1983.
- D.Hofer, J. Powers, W.D.Grohman, X-Ray Litographic Patterning of Magnetic Bubble Circuits with Submicron Dimensions, J.Vac.Sci.Technol., vol.16, p.1968 (1979).
- D.C.Flanders, X-Ray lithography at 100A Linewidths Using X-Ray Masks Fabricated by Shadowing Techniques, J.Vac.Sci. Technol., vol.16, p.1615.
- T.Wada, S. Sakurai, K. Kawabuohi, Fabrication of Polyimide X-Ray Masks with High Dimensional Stability, J.Vac.Sci.Teehnol., vol.19, p.1207 (1981).
- P.Parrens, E. Tabouret, M.C.Tacussel, Preparation of X-Ray Lithograph Masks with 0.1 mem Structures, J.Vao.Soi.Technol., vol.16, p. 1965 (1979).
- D.C.Flanders, A.M.Hawryluk, H.J.Smith, Spatial Period Division a New Technique for Exposing Submicrometer Line — width Periodic and Quaaiperiodic Patterns, J.Vac.Sci.Technol., vol. 16, p. 1949 (1979).
- B.M.Yong, J.D.Je, Fabrication of Polilmide Masks for X-Ray Lithography, J.Vac.Sci.Technol., vol.19, p.1204 (1981).
- T.Fqnayama, J. Takayama, T. Ynagaki, M. Nakamura, New X-Ray Mask of A1 A1203 Structure, J.Vac.Sci.Technol., vol.12, 9,1234, (1975).
- E.Bassons, R. Feder, E. Spiller, J. Topelian, High Transmission X-Ray Masks for Lithographic Applications, Solid State Technol. vol.19, no.9, p.55, Sept. 1976.
- K.Suzuki, J. Matsui, T. Kadota, T. Ono, Preparation of X-Ray Lithography Masks with Large Area Sandwich Structure Membrane, Japanese J.Appl.Phys., vol.17, p. 1447 (1976).
- T.Ebata, M. Sekimoro, T. Ono, K. Suzuki, J. Matsui, S. Nakayama, Transparent X-Ray Lithography Masks, Japanese J.Appl.Phys., vol.21, p.762 (1982).
- T.Ono, A. Ozawa, High Contrast X-Ray Mask Preparation, J.Vac. Sci.Technol., vol. B2, p.68 (1984).
- H.J.Smith, S.E.Bernacki, Prospects for X-Ray Fabrication of Si IC Devices, J.Vao.Sci.Technol., vol.12, p.1321 (1975)
- D.L.Spears, H.J.Smith, E. Stern, X-Ray Replication of Electron Microscope Generated Patterns, 5th lnt.Conf.on Electron and Ion Beam Sciense and Technology, p.80, (1972).
- R.E.Acosta, J. R, Maldonado, L.K.Towart, J.R.Warlaumont, B-Si Masks for Storage Ring X-Ray Lithography, Proo. SPIE, vol. 448, p. l 14 (1983)
- E.J.Bromley, J.N.Randall, D.C.Flanders, R.W. Mountain, A Technique for the Determination of Stress in Thin Films, J.Vac.Sci. Technol., vol. Bl, p. 1364 (1983).
- K.Suzuci, J. Matsui, T. Torikai, SIN Membrane Masks for X-Ray Lithography, J.Vae.Sci.Technol., vol.20, p. 191 (1982).
- L.Csepregi, A. Heuherger, Fabrication of Silicon Oxinitride Masks for X-Ray Lithography, J.Vac.Sci.Technol., vol.16, p. 1962 (1979).
- A.C.Adams, C.D.Capio, The Chemical Deposition of Boron-Nitrogen Films, J.Electrochem.Soc., vol.127, p.399 (1980).
- B.B.Triplett, R.F.Hollman, X-Ray Lithography for VLSI, Tree. IEEE, vol.71, p.585 (1983).
- A.C.Adams, C.D.Capio, H.J.Livinstem, A.K.Sinha, D.N.Wang Radiation Mask Structure, U.S.Patent 4, 171, 489 (1979).
- S.Harrell, X-Ray Source Technology for Microlithography, Semicon.lnt., Sept. 1983.
- P.Blais, T. O'Keefle, D. Tremere, M. Gresswell, A Practical System for X-Ray Lithography, SEMICON/West 1982.Tech.Prog.Proc., May 26−28, Son Mateo, CA.
- D.E.Fraser, D.J.K.Lou, High-Resolution Sputter Etching U.S. Patent 3, 975, 252 (1976).
- G.E.Georgiern, C.A.Yankosky, T.A.Palumbo, DC Electroplating of Submicron Gold Patterns on X-Ray Masks, Proc. SPIE, vol.471, p.96 (1984).
- A.P.Neukermans, Status of X-Ray Lithography at HP, Proc. SPIE, vol. 393, p.93 (1983).
- G.A.Coquin, J.R.Maldonado, D. Maydan, S.R.Somech, Mask Structures for X-Ray Lithography, U.S.Patent 4,037,111 (1977).
- J.L.Bartelt, C.W.Slayman, J.E.Wood, J.Y.Chen, C.M.McKenna, C.P.Minning, J.F.Coaoley, R.E.Holman, C.M.Perrigo, Masked Ion-Beam Lithography: a Feasibility Demonstration for Submicrometer Device Fabrication, J.Vao.Sei.Technol., vol.19,p.1166 (1981).
- H.Aritome, S. Matsui, K. Moyikawi, S. Namba, X-Ray Lithography by Synchrotron Radiation of the SOR-Ring Storage Ring, J.Vac.Sci.Technol., vol.16, p. 1939 (1979).
- K.Kawabuchi, S. Sakurai, M. Yobhimi, High-Voltage Electron Beam Writing, Electronic Letters, vol.19, p.287 (1983).
- T.Hayasaka, X-Ray Lithography, SEMI Technology Symp., 1982, Tokyo, Japan, Dec. 7−8.
- K.Suzuki, J. Lida, J. Matsui, Fabrication of Submicron Au Patterns for X-Ray Masks Using an SIN Spacer, 21 st.Symp. on Semiconductors and IC Technology, 1981.
- D.L.Broers, X-Ray Mask Fabrication, Proc.SPIE.vol.333.p.lll (1982).
- F.Yamagishi, J. Nakamara, Y. Pnrukawa, Fabrication of Silicon-Polyimid Complex X-Ray Mask, Fujitsu Scientific and Technical Journal, p.85, Dec. 1980.
- M.P.Lepselter, D.A.Alles, H.Y.Levinstein. G.E.Smith, H.A.Watson, A Systems Approach to 1-micrometer NNOS, Proc. IEEE, vol.71, p.640 (1983).
- R.P.Jaeger, B.H.Heflinger, Linewidth Control in X-Ray Lithographyithe Influence of the Penumbral Shadow, Proc. SPIE, vol.471, P. l 10 (1984).
- D.K.Atwood, G.J.Fisaniek, W.A.Jonnson, A. Wagner, Defect Repaire Techniques for X-Ray Masks, Proc. SPIE, p. 127 (1982).
- P.A.Sullivan, J.H.MoCoy, Determination of Wavelength and Exication Voltage for X-Ray Lithography, IEEE, Trans. Electron Devices, vol. ED-23. p.412 (1976).
- M.P.Lepseltor, H.J.Levinstein, D. Maydan, Mask Structure for X-Ray Lithography, US Patent 4, 253, 629 (1981).
- T.Matsukawa, Mask System for X-Ray Lithography, Jap. Patent, applied for Aug. 9, 1976.
- J.Saito, H. Yoshikawa, J. Watanabe, S. Nakayama, Submicron Patterns Replication Using a High Contrast Mask and Two-Layer Resist in X-Ray Lithography, J.Vac.Sci.Technol., vol. B2, p.63, (1984).
- M.Sekimoto, H. Yoshikawa, T. Ohkubo, Silicon Single-Layer X-Ray Mask J.Vac.Sci.Technol., vol.21, p.1017 (1982).
- А.с. № 588 854 (СССР). Шаблон для рентгенолитографии. Кривоспицкий А. Д., Мазуренко Н. С. и др. -заявл. 1977.
- А.с. № 830 957 (СССР). Способ изготовления шаблона для рентгенолитографии. Кривоспицкий А. Д., Симонов В. А., Шокин Е. В. и др. заявл. 1981.
- Гревцев Н.В., Кривоспицкий А. Д., Семин Ю. Ф. Некоторые особенности конструкции и технологии изготовления рентгеношаблонов Электронная техника, сер. 3, Микроэлектроника, 1982, вып. 4(100), с. 97 100.
- A.c. № 1 586 462 (СССР). Рентгеношаблон. Кривоспицкий А. Д., Спиваков Д. Д., Скиданов В. А. заявл. 1990.
- Кривоспицкий А.Д., Семин Ю. Ф. и др. Разработка и внедрение технологического процесса изготовления фотошаблонов для изделий „Ц“. Отчет по ОКР, НИИМВ, 1988, инв. № 4284.
- Spller Е., Feder R. and Topallan J. Lithography and microscopy with X-ray. Physics in Technology, 1977, v. 8, № I, p. 22.
- Taylor G. N. X-ray Reslsterlals. Solid State Technology, 1980, p. 7380.
- Tompson L.F., Felt E.D., Bowden M.L., Lenso P.Y., Spencer E.G. Pollmeric Resist forX-ray Lltography J. Electrochem. Soc., v. 121, p. 1500−1502, 1974.
- Mailer 1., Feder R., Hatzakis M., Spiler E. J. Electrochem. Soc., v. 126, p. 126, 1979.
- Taylor G.N. X-ray Resist Trands. Solid State Teclulol., v. 27, № 6, p. 124−131, 1984.
- Лаймен Д.Ж. Рентгенолитсграфия претендент на ведущую роль в производстве ПС с элементами субмикронного размера. Электроника, т. 58, № 25, с. 55−59, 1985.
- New materials developed on Japan, Tokyo, p. 165, 1984.
- Neukermans A.P., Status of X-ray litography at H-P- Proc. SPIE, v. 393, p. 93−98, 1983.
- Патент США № 4 556 619, 1982.
- Neukermans A.P. Current Status ofX-ray Lithography.- Solid State Technol., v. 27, № 9, p. 185−188, 1984.
- Suzuki Y., Nobuguki Y., Teruniko Y. Negative resists profiles in X-ray litography, J. Vac. Sci. Tec., v. 82, № 3, p. 301−305, 1984.
- Choong H., K-ahn F.J. Polytclormethylstyrene: A higt performance X-ray resists. J. Vac. Sci. Techn., v. BI, № 4, p. 1066−1071, 1983.
- Microelectronic Manuf. and Test, v. 6, № 10, p. 67, 1983.
- Electronics Abstr., v. 46, p. R/6736, 1980.
- Solid State Techn., v. 21, № 5, p. 79, 1980.
- Semicond. Int., v. 3, № 5. p. 61, 1980.
- Таруи Я., Основы технологии СБИС, М. Радио и связь, стр. 400, 1985.
- Денек дзайре, v. 20, № 6, р. 173, 1981.
- Леней дзайре, v. 22, № 7, р. 22, 1983.
- Solid State Techh., v. 21 № 5, p. 79, 1980.
- Oe буцури, т. 50, № 11, стр. 121 1, 1981.
- Semicond. Int., v. 7, № 13, p. 70, 1984.
- Semicond. Int., v. 8, № 8, p. 242, 1984.
- Tsllda M., Olkawa., Yasuta M. et al., Dry developed negative resist in synchrotron radiation lithography. J. Vac. Sei. Techn., v. 54, № I, p. 256−260, 1986.
- А.с.890 855 (СССР). Негативный рентгенорезист. Новожилов A.B., Кривоспицкий А. Д. и др. заявл. 1981
- Бронштейн И.М., Фрайман Б. С. Вторичная электронная эмиссия. „Наука“, 1969.
- Боков Ю.С., Кривоспицкий А. Д., Мазуренко С. Н. и др. Физические основы сенсибилизации рснтгенорезистов. Специальная электроника, сер. 3, Микроэлектроника, 1977, 2(31), с. 3−5.
- Боков Ю.С., Кривоспицкий А. Д., Лаврищев В. П., Мазуренко С. Н. и др. Физические основы сенсибилизации рентгенорезистов. Тезисы III Всесоюзной научно-техн. конференции, Москва, с. 8, 1980.
- Atomic Data and Nuclear Data Tables, 27, № I, p. I, 1982.
- A.c. 671 545 (СССР). Негативный рентгенорезист. Новожилов A.B., Кривоспицкий А. Д. и др. заявл. 1979.
- Кривоспицкий А.Д., Смирнова О. В., Чиркни Г. К. Улучшение литографических свойств рентгенорезистов на основе эффекта Оже.
- Тезисы 1 Всесоюзной конференции „Физические и физико-химические основы микроэлектроники“, Вильнюс, с. 19−20, 1987.
- A.c. 884 430 (СССР). Позитивный электроно- и рентгенорезист. Новожилов A.B., Кривоспицкий А. Д. и др. заявл. 1981.
- Александров Ю.М., Гревцев Н. В., Кривоспицкий А. Д. и др. Резисты в рентгенолитографии. Тезисы III Всесоюзной научно- техн. конференции, Москва, 1980, с. 23.
- Корсаков B.C., Кривоспицкий А. Д., Кудряшов В.А., Лаврищев
- B.П., Мазуренко С. Н. Влияние фото- и ожэ-электронов подложки на процесс экспонирования в рентгенолитографии. Электронная техника, сер. 3, Микроэлектроника, 1978, 5(77), с. 19−25.
- Кривоспицкий А.Д., Кудряшов В. А., Лаврищев В.П., Мазуренко
- C.Н. Влияние фото- и Ожэ-электронов подложки на процесс экспонирования в рентгенолитографии. Тезисы III Всесоюзной научно-техн. конференции, Москва, 1980, с. 33.
- Кривоспицкий А.Д., Мазуренко С. Н., Смирнова О. В., Яценко.
- B.И. Фото- и Оже-эффект при облучении СИ полиимидной пленки. Тезисы 11 Всесоюзного семинара „Микро литография“ Черноголовка, с. 32, 1988.
- Ломов Л.С., Кривоспицкий А. Д., Чиркни Г. К. и др. Разработка микросхем на ЦМД диаметром 3 мкм емкостью 256 Кбит. Отчет по ОКР „Мера-1“, НИИМВ, 1982, инв. № 3717.
- A.c. № 1 086 953 (СССР). Способ изготовления магнитных интегральных схем. Антонов A.B., Грибов B.C., Дьяков Ю. Н., Иванов С. И., Кривоспицкий А. Д., Чиркни Г. К. заявл. 1983.
- A.c. № 1 103 724 (СССР). Способ изготовления магнитных интегральных схем. Кривоспицкий А. Д., Новиков С. И., Иванов
- C.И., Антонов A.B. заявл. 1984щ 125. A.c. № 1 137 925 (СССР). Способ изготовления магнитныхинтегральных схем. Кривоспицкий А. Д., Новиков С. И., Иванов С. И., Антонов A.B. заявл. 1984.
- Ломов Л.С., Кривоспицкий А. Д., Чиркни Г. К. и др. Разработка микросхем на ЦМД емкостью 256 Кбит, с повышенными характеристиками- Отчет по ОКР „Мера-1М“, НИИМВ, 1983, инв. № 3906.
- Спиваков Д. Д., Кривоспицкий А. Д. и др. Разработка и исследование БИС на ЦМД в планарном варианте. Отчет по НИР „Мера-2П“ НИИМВ, 1983, нив. № 3870.
- Кривоспицкий А.Д., Сорокин М. В., Чиркни Г. К. Разработка и запуск модуля по производству ПФО на базе ЭЛУ „Оталло-44“ -отчет по ОКР „Мул“, НИИМВ, 1984, Г.р. № У 947−26.
- Кривоспицкий А.Д., Сорокин М. В., Чиркни Г. К. Разработкатехнологического модуля для микросхем типа К1605РЦ1 и К1605РЦ2 производительностью 250 комплектов в год отчет по ОКР „Мул-1“, НИИМВ, 1985, Г.р. Л» Ф 22 525.
- A.c. № 1 316 432 (СССР). Способ формирования изображения в светочувствительном слое. Архипов А. И., Кривоспицкий А. Д., Сорокин М. В., Чиркни Г. К. заявл. 1985.
- Пресс Ф.П. Фотолитографические методы в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. «Сов, радио», с. 76, 1978.
- A.c. № 855 792 (СССР). Кл. Н OIL 21/312, заявл. 1979.
- Кривоспицкий А.Д., Чиркни Г. К. и др. Разработка технологии электронной литографии для изготовления БИС на ЦМД емкостью• 1−4 Мбит. Отчет по НИР «Мол», НИИМВ, 1983, Г. р. № Ф166 693.
- Ф 134. Кривоспицкий А. Д., Сорокин М. В. и др. Разработкасубмикронной технологии для изготовления БИС на ЦМД емкостью 1−16 Мбит. Отчет по НИР «Метель», НИИМВ, 1985, инв. № 3970.
- Миляев Ю.К., Кривоспицкий А. Д. и др. Исследование возможности изготовления микросхемы с площадью кристалла более 3 см² и разрешением порядка 0,8 мкм. Отчет по НИР, НИИМВ, 1986, инв. № 1045/9.
- Миляев Ю.К., Кривоспицкий А. Д. и др. Разработка изделий «Ц,» на кристаллах общей площадью более 2 см². Отчет по НИР. НИИМВ, 1986, Г. р. № Ф 26 662.
- Миляев Ю.К., Кол санов В. В., Кривоспицкий А. Д. и др. Разработка изделий «Ц» емкостью 512 у.е. Отчет по НИР, НИИМВ. 1987. инв. № 1013.
- A.c. № 1 169 486 (СССР). Способ изготовления магнитных интегральных схем. Кривоспицкий А. Д., Колсанов В. В., Миляев Ю. К., Чиркни Г. К. заявл. 1984.
- Кривоспицкий А.Д., Семин Ю. Ф. и др. Разработка лабораторной технологии формирования рисунка с размером <0,5мкм. Отчет по НИР, НИИМВ, 1991, инв. № 4451
- Гревцев Н.В., Кривоспицкий А. Д. Критерии чистоты в производстве СБИС и перспективы субмикронной литографии, Электронная промышленность, вып. 10(178), 1988.
- Залуцкий С.Н., Мартынов В. В., Никитин A.B., Уманцева Е. В. Фотолитография на пути к разрешению в 100 нанометров -Электронная техника, сер. 3, Микроэлектроника, вып. 1 (146), стр.• 15, 1992.
- Березин Г. Н., Никитин А. В., Сурис Р. А. Дифракционное фокусирование в фотолитографии Электронная техника, сер. 3, Микроэлектроника, вып. 1 (85), с. 37−41, 1980.
- Янушонис С.С. Самоформирование в полупроводниковой технологии. Вильнюс, 1985.
- Климашаускас К.Ю., Шеркувене В. К., Янушонис С. С. Самоформирование структур в технологии изготовления интегральных схем Электронная промышленность, вып. 1(85), с. 10−12, 1980.
- Goel J. Method of making a short gate field effect transistor Патент 4.31 1.533 (США), 1979, Int. CI. A 01 L 21/28.
- Lmld C.A. et al. Method of quaking self-aligned device Патент 4.319.395 (США), 1982, Int. CI. H 01 L 21/441.
- Umebachi S. et al. Junction gate type GaAs field-effect transistor and method of forming ~ Патент 4.075.652 (США), 1978, Int. CI. H 01 L 29/80.
- Tetsushl Sakal et al. High speed bipolar IC’s using super self-aligned process technology Proceedings of the 12th Conference on Solid State Devices, Tokyo, p. 155−159, 1980.
- Tetsushi Sakal et al. Elevated electrode integrated circuits IEEE Trans, on Electr. Dev, v. ED-26, № 4, p. 379−382, 1979.
- Hideyuki Matsuoka et al. Mesoscopic transport In Si metal-oxide semiconductor field-effect transistors with dual-gate structure J. Appl. Phys., I November, v. 76(9), p. 55−61, 1994
- Илькаев Д.P., Кривоспицкий А. Д., Окшин А. А., Орликовский А. А., Семин Ю. Ф. Нестандартные методы формирования субмикронных структур в микроэлектронике. Микроэлектроника, т. 25, № 5, с. 339−345, сентябрь-октябрь 1996.
- Dill F.H., Hornberger W.P., Hange P. S. et al. Characterization of Positive Photoresists IEEE Trans, on Electr. Dev., v. ED-22, No 7, p. 455−459, 1975.
- Macu C.A. Development of Positive Photoresists J. Electrochem. Soc.,№ t.p. 148−152, 1987.
- Jevett R.E., Haquuuel Р.1., Neureutha' A.R. et al. Line Profile Resist Development Simulation Techniques Polym. Eng. Scl., v. 17, № 6, p. 381−384, 1977.
- Барышев Ю.П., Валиев K.A., Дмитриев JI.JI., Кривоспицкий А. Д., Лукичев В. Ф., Лукьянова И. Ю., Орликовский A.A. Джозефсоновские субмикронные мостики переменной толщины Nb-AI-Nb Микроэлектроника, том. 16, выл. 2, с. 186, 1987.
- Ono R.H., Savauge J.E., Jain Л.К., Schwarts B.D., Springer К.Т., Lukens J.E. J. Vac. Scl. Technol., v. B3, № I, p. 282, 1985.
- De Lozanne A.L., Auk-law W.J., Beasley M.R. Proc. 17 Int. Conf. on Low Temp. Phys., pt. I, p. 19, 1984.
- K-odoma J., Hontsu et al. J. Appl. Phys., v. 54, № 6, p. 3295, 1983.
- Скиданов В.А. Область устойчивой работы каналов продвижения ЦМД на основе ассиметричных шевронов. Микроэлектроника, том 20, вып. 6, с. 545−553, 1991.
- Kodama N, Toyooka Т, Takeuchl Т, Takeshlta М, Suzuki R. A new Junction Design on a Permalloy Comer Pattern for Ion-implanted and Permalloy Hybrid Bubble Memory Devices IEEE Trans, on Magn., vol. 28, № 4, pp. 1978−1983, 1992.
- Березин Г. Н., Никитин A.B., Сурис P.A. Оптические основы контактной литографии Москва, 1982.
- Барышев Ю.П. Роль ионно-возбуждаемых гетерогенных процессов в ПХТ материалов микроэлектроники. Диссертация на соискание ученой степени к.ф.-м.н. -Москва, 1988.
- Барышев Ю.П., Кривоспицкий А. Д., Орликовский A.A., Пискун Н. Ю. 60-нанометровые тренчи в SiCh, полученные ПХТ. Микроэлектроника, т. 23, вып. 5, 1994.