Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Формирование электронных нанообъектов на основе модифицированных углеродных структур

Диссертация: Формирование электронных нанообъектов на основе модифицированных углеродных структур
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Целью диссертационной работы является разработка моделей формирования электронных нанообъектов на основе модифицированных углеродных структур и создание на их основе технологий осаждения сверхтонких диэлектрических алмазоподобных пленок в вакууме из газовой фазы на металлизированную поверхность подложек и получения стабильных, механически прочных электропроводных объектов нанометрового диапазона… Читать ещё >

Содержание

  • ВВЕДЕНИЕ
  • 1. ОБЗОРНО-АНАЛИТИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ НАНООБЪЕКТОВ В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУРАХ
    • 1. 1. Основная задача и состояние работ в области формирования электронных нанообъектов на основе модифицированных структур
    • 1. 2. Физические аспекты формирования наноструктур
    • 1. 3. Технологические особенности получения тонких алмазоподобных пленок
    • 1. 4. Формирование электронных нанообъектов фрактального типа
  • Постановка задачи исследований
  • 2. ФИЗИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ НАНООБЪЕКТОВ НА ОСНОВЕ МОДИФИЦИРОВАННЫХ УГЛЕРОДНЫХ СТРУКТУР.,
    • 2. 1. Термодинамика образования зародышей наноструктур
    • 2. 2. Термодинамика поверхностных наноструктур
    • 2. 3. Корпускулярно-волновые аспекты полевого взаимодействия в кристаллах
    • 2. 4. Способы получения атомарно чистой поверхности и оценка скорости адсорбции
    • 2. 5. Распределение наночастиц по возможным энергетическим состояниям статистика Максвелла-Больцмана и распределение Ферми-Дирака)
  • Выводы по главе 2
  • 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ НАНООБЪЕКТОВ НА ОСНОВЕ МОДИФИЦИРОВАННЫХ УГЛЕРОДНЫХ СТРУКТУР
    • 3. 1. Экспериментальное оборудование и методика формирования нанообъектов
    • 3. 2. Результаты экспериментальных исследований
    • 3. 3. Сравнительный анализ полученных результатов
  • Выводы по главе 3
  • 4. РАЗРАБОТКА ПЕРСПЕКТИВНЫХ СПОСОБОВ И УСТРОЙСТВ ДЛЯ РЕАЛИЗАЦИИ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ НАНООБЪЕКТОВ НА ОСНОВЕ МОДИФИЦИРОВАННЫХ УГЛЕРОДНЫХ СТРУКТУР
    • 4. 1. Технологическое устройство для наноперемещения изделий
    • 4. 2. Устройство для регистрации отклонения острия зонда
    • 4. 3. Устройство перемещения для нанотехнологий
    • 4. 4. Устройство для получения наноструктур на подложке
  • Выводы по главе 4

Формирование электронных нанообъектов на основе модифицированных углеродных структур (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Интерес к наноструктурам связан с возможностью существенной модификации свойств известных веществ, а также новыми возможностями, которые открывает нанотехнология в создании материалов и изделий из структурных элементов нанометрового диапазона.

Развитие технологии изготовления приборов микроэлектроники связано, прежде всего, с уменьшением геометрических размеров микросхем, микрочипов, элементов электронной памяти и микродатчиков различного назначения. Современные средства традиционных технологических операций позволяют получать размеры элементов субмикронной области: ведущие зарубежные компании достигли результата 0,13 мкм и переходят к 0,09 мкм. Однако существует предел, определяемый длиной волны используемого в технологии фотолитографии излучения (для электронной литографии — длиной волны излучения электронаЛ=Ь 4neve).

С изобретением сканирующего туннельного микроскопа — СТМ (Рорер, Биннинг — 1981 г.) появилась возможность не только наблюдать и исследовать поверхность различных веществ с атомарным разрешением, но и активно воздействовать на нее, то есть получать объекты из конечного числа молекул, удаляя, перемещая или замещая молекулы одного вещества другим. Появилась перспектива работать с отдельными атомами.

Эта возможность, называемая в современных источниках информации нанотехнологией, позволяет значительно расширить диапазон геометрических параметров искусственно созданных объектов применительно к микроэлектронике, которую в этом случае целесообразно называть наноэлектроникой.

В данной работе используются углеродные (алмазоподобные) тонкие пленки, полученные плазменным осаждением из газовой фазы в вакууме. Целесообразность выбора углерода в качестве подложки и объекта модификации определяется множественностью его аллотропных форм, соединений и широкого диапазона электрофизических свойств: от диэлектрических до проводниковых. Поэтому формирование электронных нанообъектов на основе модифицированных углеродных структур является задачей актуальной и своевременной, так как при использовании подобных наноструктур появляется возможность получать как изолирующие, полупроводниковые так и электропроводящие объекты.

Целью диссертационной работы является разработка моделей формирования электронных нанообъектов на основе модифицированных углеродных структур и создание на их основе технологий осаждения сверхтонких диэлектрических алмазоподобных пленок в вакууме из газовой фазы на металлизированную поверхность подложек и получения стабильных, механически прочных электропроводных объектов нанометрового диапазона на поверхности гидрогенизированных тонких углеродных пленок. В соответствии с поставленной целью на защиту выносится:

1. Технология формирования стабильных, механически прочных, электропроводных объектов на углеродной основе в зазоре «зонд-подложка» сканирующего туннельного микроскопа с минимальными размерами 3 нм из газовой фазы С2НО3+АГ с образованием устойчивых химических С — Н связей, созданная на основе физико-химической модели образования зародышей наноструктур на поверхности гидрогенизированных тонких пленок а-СН.

2. Способы формирования особых структур нанообъектов в виде фрактальных конфигураций радикалов трихлорэтилена с образованием устойчивых химических связей с атомами подложки.

3. Модель образования химических связей с учетом влияния различных технологических факторов (температуры, давления, скорости ламинарного потока рабочих газов) на структуру, морфологию и наиболее вероятный состав искусственно созданных модифицированных углеродных структур.

4. Эффект повышения эмиссии электронов у искусственно-созданных объектов нанометрового диапазона на модифицированных углеродных поверхностях методом сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии.

5. Результаты патентно-лицензионных исследований и разработанные на их основе устройства нанотехнологических установок, защищенные патентами Российской Федерации.

На основе физико-химической модели образования зародышей наноструктур впервые создана технология формирования стабильных, механически прочных, электропроводных объектов на углеродной основе в зазоре «зонд-подложка» сканирующего туннельного микроскопа с минимальными размерами 3 нм.

Впервые выявлены особые формы роста нанообъектов в виде фрактальных конфигураций радикалов трихлорэтилена с образованием устойчивых химических связей с атомами подложки.

На основе полученных углеродных наноструктур предложена модель механизма образования химических связей с учетом влияния различных технологических факторов (величины порогового напряжения, плотности тока, температуры, давления, скорости ламинарного потока смеси рабочих газов, состава смеси) на структуру, морфологию и наиболее вероятный состав искусственно созданных неоднородностей поверхности алмазоподобных тонких пленок.

В соответствии с экспериментальными данными предложен алгоритм межмолекулярного взаимодействия на границе раздела, образованной гидрогенизированной туннельнопрозрачной пленкой а-СН и радикалами трихлорэтилена, установлено влияние этого взаимодействия на спектроскопические характеристики образованных углеродных структур, что позволило целенаправленно формировать нанообъекты с заданными характеристиками.

Впервые обнаружен и теоретически обоснован малоразмерный эффект увеличения эмиссионных свойств объектов нанометрового диапазона на модифицированных углеродных поверхностях методом сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии. Предложена соответствующая физическая модель.

Предложены способы и технические решения устройств для реализации процесса модификации поверхности углеродных структур.

Разработана технология осаждения алмазоподобных тонких плёнок в вакууме из газовой фазы (CVD), пригодных для осуществления процесса локальной модификации поверхности с последующим получением механически прочных образований нанометрового диапазона.

Получены механически прочные и электрофизически стабильные объекты нанометрового диапазона на поверхности тонких алмазоподобных структур из газовой фазы.

Достоверность проведенных теоретических исследований и экспериментальных результатов обеспечивается строгим математическим обоснованием предлагаемых подходов, а также сравнением с теоретическими и экспериментальными данными, известными в литературе.

Разработана методика исследования поверхности сверхтонких диэлектрических углеродных (алмазоподобных) слоев: электронное зондирование диэлектрических материалов с использованием сканирующего туннельного микроскопа без прохождения тока между зондом и исследуемой поверхностью подложки, который целесообразно использовать для создания информационно-измерительных систем на основе многозондовой СТМ.

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих научно-технических конференциях и научных сессиях:

— на Международной конференции NANO — 4 в 1996 г.,.

— на научных сессиях МИФИ в 2001;2002 г. г.,.

— научно-технической конференции «Датчики и преобразователи информации систем измерения, контроля и управления» в 2003 г., на 13-той Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммутационные технологии» в 2003 г.,.

— на Международной конференции по микроробототехнике, микромашинам и микросистемам IARP-2003.

По теме диссертации имеется 16 печатных работ, в том числе 4 патента.

В соответствии с результатами, полученными при выполнении настоящей работы, можно сформулировать ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ:

1. На базе выполненных обзорно-аналитических и патентно-лицензионных исследований показано, что разработка технологии модификации поверхности углеродных структур посредством образования химических связей с молекулами газовой фазы в нанометровом диапазоне является необходимой задачей для решения научно-технических проблем, стоящих перед и микрои наноэлектроникой.

— 2. Предложенная модель формирования объектов нанометрового диапазона на поверхности алмазоподобных туннельнотонких пленок позволяет теоретически оценивать влияние технологических параметров (величины порогового напряжения, плотности тока, температуры, давления, скорости ламинарного потока смеси рабочих газов, состава смеси) на структуру, морфологию и наиболее вероятный состав искусственно созданных неоднородностей.

3. Разработанная технология осаждения алмазоподобных тонких пленок в вакууме из газовой фазы (CVD) на металлизированных подложках реализует процесс локальной модификации поверхности с последующим получением механически прочных и электрофизически стабильных объектов нанометрового диапазона.

4. Разработанная методика исследования поверхности сверхтонких диэлектрических углеродных (алмазоподобных) наноструктур обеспечивает возможность создания информационно-измерительных систем на основе многозондовой СТМ без прохождения тока между зондом и исследуемой поверхностью подложки.

5. На основе созданной технологии получения стабильных, механически прочных электропроводных объектов нанометрового диапазона исследованы свойства углеродных структур, которые позволят создавать элементы различных электронных приборов, такие как точечные источники электронов для электронных микроскопов, электронные голографические устройства, элементы систем квантовой логики, эффективные фотокатоды.

6. Предложены способы и технические решения устройств для реализации процесса модификации поверхности углеродных структур, которые включают:

— технологическое устройство для наноперемещений изделия, применение которого обеспечивает возможность работы в заданной токопроводящей рабочей среде, в качестве которой используется жидкость или газ;

— устройство для получения наноструктур на подложке, позволяющее фокусировать ионный луч итем самым обеспечивать более точную обработку поверхности подложки независимо от изношенности острия зонда;

— устройство регистрации отклонения острия зонда, позволяющее повысить чувствительность при отклонении острия зонда;

— устройство перемещения для нанотехнологии, позволяющее одновременно и независимо зондировать несколько точек на поверхности подложки, расположенных на близком расстоянии друг от друга при выполнении различных нанотехнологических операций.

— способ определения нанорельефа подложки, позволяющий определять нанорельеф подложки из любого материала.

Новизна предложенных технических решений защищена патентами РФ.

7. Основным результатом диссертационной работы можно считать создание качественной физической модели, методических и технологических основ формирования электронных нанообъектов, в том числе с фрактальной конфигурацией, на основе модифицированных углеродных структур с целью последующего получения электронных компонентов интегральных наносхем.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Ю.И.Головин. Введение в нанотехнологию. М.: «Издательство Машиностроение 1″. 2003. 112 с.
  2. К.А. Физика субмикронной литографии. М.: Наука, 1990.
  3. К.А.Валиев, А. А. Орликовский. От микро и наноэлектроники к твердотельным квантовым компьютерам. Успехи современной радиоэлектроники, № 5−6, 2004, стр. 106−117.
  4. Chou S.Y., P.P.Krauss and PJ.Renstrom. 1996. Inprint lithography with 25-nanometer resolution. Science 272: 85.
  5. Chou S.Y., P.P.Krauss, W. Zhang, L. Guo and L. Zhuang. 1997. Sub-10 nm inprint lithography and applications. Invited, J.Vac. Sci. Technol. B 15(6): 2897.
  6. Chou S.Y. and L. Zhuang. 1999. Lithographically induced self-assembly of periodic polymer micropillar arrays. J.Vac. Sci. Technol. B 17(6): 31 973 202.
  7. П.Н., Ананян M.A., Дадан E.B., Кузькин В. И. и др. Нанотехнологические процессы и установки. Труды научного семинара „Математическое моделирование нанотехнологических процессов и наноструктур“, 2001, вып.1, с. 30−47.
  8. Feynman R. There’s plenty of room at the bottom: an invitation to enter a new field of physics. Eng. Sci. 23, 22 (1960).
  9. Taniguchi N. On the basic concept of nanotechnology. Proc. Int. Conf. Prog. Eng. Part II. Tokyo: Jap. Soc. of Prec. Eng., 1974.
  10. Eigler D.M., Schweizer E.K. Positioning single atoms with a scanning tunneling microscope. Nature (1990) v.344, No. Pt. p.524−526.
  11. Drexler K.E. Molecular engineering: an approach to the development of general capabilities for molecular manipulation. Proc. Natnl. Acad. Sci. USA 78, 5275(1981).
  12. New Scientist 1992, 133 (1811), pp. 42−46.
  13. S., Cachen D., Cohen S.R., Gartsman K., Lyakhovistskaya V., Nanassen V. // Appl. Phys. Lett. 1998. V 73. P. 1868.
  14. R.E., Shenoy V.B. // Nanotechnology. 2000. V. 11. № 3. P. 139 147
  15. Dryakhlushin V.F., Klimov A.Yu., Rogov V.V., ShashkinV.I., SuchodoevL.V., Volgunov D.G., Vostokov N.V. // Nanotechnology. 2000. V. 11. № 3. P. 188−191.
  16. Коммерсантъ, понедельник 2 февраля 2004 № 17/п.19. „National Nanotechnology Initiative: Leading to the Next Industrial Revolution“, Internal government report, supplement to the President’s FY 2001 Budget, February 2000.20. http://www.zwex.com/nanotech
  17. А.И., Ремпель А. А. Нанокристаллические материалы. M.: Физматлит, 2000.
  18. .Ф., Введение в физическую химию и кристаллохимию-полупроводников. Издание второе, переработанное и дополненное. М- Высшая школа. 1973. стр. 389.
  19. Ю.И. Кластеры и малые частицы. М.: Наука. 1986.
  20. Abraham F.F. CRC Crit. Revs Solid State and Mater. Sci., 1981, May, 169.
  21. Wunderlich W., Ishida Y., Maurer R. Scripta Metall. Mater. 1990, 24, No. 2, P. 403.
  22. Thomas G.J., Siegel R.W., Eastmen J.A. Scripta Metall. Mater. 1990, 24, No. 1, P. 201.
  23. Mutschele Т., Kirchheim R. Scripta Met. 1987, 21, No. 2, P. 135.
  24. Sleptsov V.V., Elinson V.M., Baranov A.M., Tereshin S.A. Optical and Electrical properties of quantum-dimensional Multilayer Structures Based on Carbon Films. Wide Band Gap Electronic Materials NATO ASI Series. 3 High Technology, 1995,1, P. 257−264.
  25. Polyakov V.I., Perov P.I., Ermakov M.G., Ermakova O.N., Sleptsov V.V., Elinson V.M. Thin Solid Films, 1992,212, P. 226−231.
  26. A.M., Елинсон В. М., Кондратов П. Е., Слепцов В. В. » Влияние толщины пленок а-С на механизм переноса носителей заряда". Письма в ЖТФ, 1989,16(3), С. 36−39.
  27. Sleptsov V.V., Kyzin А.А., Baranov A.M., Elinson V.M. Optical absortion in a-C:H multilayer periodic structures, Diamond and Related Materials, 1992,1, P. 570−571.
  28. Sleptsov V.V., Kyzin A.A., Baranov A.M., Elinson V.M. Electrical and optical properties of carbon films. In Book «Physics and Technology of Diamond Materials», Poland Publishers, Moscow, 1994, p.80−87.
  29. Meng F., Schlup J.R., Fan L.T. Chem Mater., 1997, 9,2459
  30. .М. Физика фрактальных кластеров. М.: Наука, 1991.- Усп. физ. наук, 1991. 161. N6. 141- 1993. 163. N7. 51.
  31. Hou J.G., Wu Z.Q. Phys. Rev., В., 1990,42,3271
  32. Dan Nir, Intrinsic stress in diamond-like carbon films and its dependens on deposition parameters. Thin Solid Films, 1987,146, P. 27−43.
  33. Rossi E., Andre B. Low-temperature synthesis of diamond films in termoassisted RF-plasma CVD. Japaness J. Appl. Phys., 1992, 31(3), C. 872−879.
  34. Johnson A.L., Joyce S.A., Madey Т.Е., Electron-stimulated-deposition ion angular distributions of negative ions. Phys. Rev. Let., 1988, 61(22), C. 2578−2581.
  35. Grolub N.A., Pavelyev V.S. Optics and Laser Technology, 1995, 27(7), C. 223−228.
  36. B.P. и др. Кинетическая природа прочности твердых тел. М., «Наука», 1974, стр. 110.
  37. Vossmeyer Т., Katsikas L., Giersig М., Popovic I., J. Chem. Phys., 1994, 98, P.7665—7673.
  38. C.H. Полимерные нанокомпозиты. Природа, 2000, № 7
  39. A.M., Елинсон В. М., Кондратов П. Е., Слепцов В. В. Влияние толщины пленок а-С на механизм переноса носителей заряда. Письма в ЖТФ, 1990,16, в. З, С. 36−39. '
  40. Ivanovsky G.F., Sleptsov V.V., Elinson V.M., Baranov A.M., Kuzin A.A., Kondrashov P.E. Properties of diamond-like films forced by ion-assisted methods for multiplayer structures. Surface and coating Technology, 1991,48, P. 189−191.
  41. Ю.В. Плесков, «Электрохимия алмаза». УРСС. Москва, 2003.
  42. М. Сандер, Фрактальный рост, пер. с англ., В мире науки, 1987, т. З, с. 62.
  43. Г. А. Фрактальные среды. СПб.: Изд-во СП6ГТУ, 2001. 24 с.
  44. B.B.Mandelbrot, The Fractal Geometry of nature. San Francisco: Freeman 1982.55. http ://www. ghcube. com/ fractal s/
  45. В.А., Дольников В. Л. Фрактальное сжатие изображений по Барнсли-Слоану. Автоматика и телемеханика.-1994.-N5.-с. 12−20.
  46. Д. Применение фракталов в машинной графике. Computerworld-Россия.-1995.-N15 .-с. 11.
  47. А.И. Вейник. Техническая термодинамика и основы теплопередачи. Изд-во «Металлургия», М. 1965.
  48. Дж. Блёйкмор. Физика твердого тела. Пер. с англ. под ред. д.ф.-м'.н., проф. Д. Г. Андрианова и д.ф.-м.н., проф. В. И. Фистуля. М., Мир, 1988.
  49. Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел. М.: Наука. 1964.-488 с
  50. Worthing A.G. Atomic heats of tungsten and of carbon at incandescent temperatures. // Phys. Rev. 1918. Vol.12, p. 199−225.
  51. Wallace D.C., Sidles P.H. and Danielson G.C. Specific heat of high purity iron by a pulse heating method. // J. Appl. Phys. 1960. Vol. 31. P. 168 -176.
  52. Rasor N.S., Mc Clelland J.D. Thermal properties of graphite, molybdenum and tantalum to their destruction temperatures. // J. Phys Chem. Sol. 1960. Vol. 15.P.17.
  53. Parker R. Rapid phase transformations in titanium induced by pulse heating. // Trans. Met. Soc. AIME. 1965. Vol. 233. P. 1545 1549.
  54. И.Я., Лебедев С. В. Теплоёмкость вольфрама вблизи точки плавления. // ТВТ. 1970. т.8. № 1. с. 55 58.
  55. О.М. // Phys. Z. 1910. Vol. l 1. р. 413 -417.
  56. . Z. 1912. Vol.13, p. 375 379.
  57. Kraftmakher Ya.A. The modulation method for measuring specific heat. // High Temp. High Press. 1973. Vol.5, p.433 454.
  58. Л.П. Измерение тепловых свойств твердых и жидких металлов при высоких температурах. М.: Изд-во МГУ, 1967. — 325 с.
  59. Gaehr P.F. The specific heat of tungsten at incandescent temperatures. // Phys. Rev. 1918. Vol.12, p.390 423.
  60. M.M. Исследование теплоемкости вольфрама методом периодического импульсного нагрева. // ТВТ. 1983. Т.21, № 6, c. l 115 -1121.
  61. В.П. Лазерная обработка пленочных элементов. Л.: Машиностроение, 1975. — 290 с.
  62. Дж. Промышленное применение лазеров. М.: Мир, 1981. — 604 с.
  63. У. Лазерная технология и анализ материалов. М.: Мир, 1986. -504 с.
  64. Веденеев J1.A., Гладун Г. Т. Физические процессы при лазерной обработке материалов. М.: Энергоатомиздат, 1985. — 208 с.
  65. А.Л., Селищев С. В. Автоколебательные процессы при воздействиии концентрированных потоков энергии. М.: Наука, 1987.-149 с.
  66. Compendium thermophysical property measure method. N.Y. — L. 1984. -789 p.
  67. В.Э., Карабутов А. А. Лазерная оптоакустика. M.: Наука, 1991. -304 с.
  68. Л.П. Исследование теплопроводности жидкостей. М.: Изд-во МГУ, 1970 — 230 с.
  69. А.В. Теория теплопроводности. М.: Высшая школа, 1967. — 599 с.
  70. А.Л., Любов Б. Я. Импульсно-периодический нагрев металлов. // ИФЖ. 1987. Т.53, № 4. С. 642 648.
  71. Н.И., Углов А. А., Макаров И. И. Об оценке влияния частоты следования пичков в лазерном импульсе на нагрев металлических листов.//ДАН. 1967. т. 174. № 5. С. 1068−1071.
  72. В.А., Прудников А. П. Операционное исчисление. М.: Высшая школа, 1975. — 407 с.
  73. К., Вацек И. Вольфрам и молибден. М. — Л.: Энергия, 1964. — 456 с.
  74. Jaeger J.C. Pulsed surfaces heating of a semi-infinite solid. // Quart. Appl. Mathematics. 1953. Vol. XI. № 1. P. 132 137.
  75. Ч.Киттель. Квантовая теория твердых тел. (пер. с англ. А.А.Гусева) М. Наука, 1967. 492 стр.
  76. И.В. Курс физики: Учеб.: В 3-х т. Т.1: Механика. Молекулярная физика.- М.: Наука, 1989.- 352 с.
  77. Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок.- М.: Мир, 1989.- 564 с
  78. Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Изд. 2 — перераб. и доп. — М.: Мир, 1982. — 368 е., ил.
  79. Hindlei N.K., Journal of non-cryst. Solids, v.5, № 17, p. 31 (1970).
  80. Thornber K.K., Feynmann R.P., Phys. Rev., В 1, p. 4099 (1970).
  81. Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности.- М.: Мир, 1989.- 564 с.
  82. А.Р., Фридрихов С. А. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела.- М.: Наука, 1977.- 551 с.
  83. П.Н.Лускинович, В. Д. Фролов, А. Е. Шавыкин, В. Д. Хаврюченко, Е. Ф. Шека, Е. А. Никитина. Формирование наноразмерных структур на пленке а-СН в присутствии адсорбата. // Письма в ЖЭТФ, 1995. т.62, вып.11, стр. 868−872.
  84. J.Robertson, Advanced Physics, v.35, р.317 (1986).
  85. E.F.Sheka, V.D.Khavryutchenko and V.a.Zayetz, Phys. Low-Dim. Struct. 2/3,59(1995).
  86. Bou Pi, Vandenbulcke L. // J. Electrochem. Soc. 1991. v.138. p.2991−2994.
  87. K., Muraki Y., Baba R., Fujishima A. // J. Electro anal. Chem. 1995. v.397. p.339−341.
  88. B.K. Физические основы туннельно-зондовой нанотехнологии. // Электронная промышленность, 1993. № 10. с.8−15.
  89. V.D. Frolov et al. JETP Letters 62 (11) (1995) 881−886.
  90. V.D. Frolov, A.V. Karabutov, V.I. Konov, S.M. Pimenov, A.M. Prokhorov: J. Phys. D: Appl. Phys., vol. 32,1999, pp. 815−819.
  91. Н.В., Левин В. Л. Макаров Е.Б., Мордвинцев В. Н. СТМ в микролитографии. // Электронная техника, Сер. З, Микроэлектроника, — 1991. В.1(140).с.З-7.
  92. Mc.Cord М.А., Kern D.P., Chang Т.Н.Р. Direct writing of submicron metallic features with STM. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1988. v.6, № 6, p.1877−1880.
  93. Echrich E.E., DeLozanne A.L. Etching of Silicon (111) with a STM. // J. Appl. Phys. 1991. v.69, № 5, p. 2970−2974.
  94. В.К. Нанотехнология в газовых средах с помощью туннельного микроскопа. // Электронная техника, Сер.З. Микроэлектроника. 1990. Вып.1. с.27−29.
  95. В.К. Пластическая нанодеформация образцов в туннельном микроскопе. //Письма в ЖТФ. 1988. т.14, вып.16. с. 1458−1460.
  96. Ryzhikov I.A., Kuzkin V.I., Maklakov S.A., Obukhov I.A., The shade effect of STM stimulated local deposition of the organic nano-objects // Proc. Nano-4, Abstract. Beijing, p. l 11 (1996).
  97. B.B., Кузькин В. И. Квантовые точки как компоненты наноприборов. Сборник научных трудов МИФИ, т.4,2002, с. 186−187.
  98. О. С. Столяров В.В., Кузькин В. И. Особенности спектроскопических измерений в сканирующей туннельной микроскопии. Сборник научных трудов МИФИ, т.4,2002, с.184−185.
  99. Kuzkin V.I., V.D.Frolov. Painting of nanoobjects on the a-C:H film surface by means of STM-nanolithography. INTERNATIONAL WORKSHOP ON MICROROBOT, MICROMASHINES &
  100. MICROSYSTEMS, IARP 2003, Proceed. Moscow, Russia, April 2003, p. 387.
  101. В.П., Алексенко А. Г., Кузькин В. И. и др. Экспериментальное освоение промышленной нанотехнологической установки. Сборник научных трудов МИФИ, т.4,2001, с. 115−116.
  102. M.A.Ananian, A.G.Aleksenko, Kuzkin V.I., P.N.Luskinovich, L.N.Patrikeev, V.V.Stoliarov. Nanotechnological device for creating and exploring quantum structures. 10th INTERNATIONAL LASER PHYSICS WORKSHOPLPHYS Ol Moscow, July 3−7, 2001, p. 523−524.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?