Исследование и модификация локальных свойств тонкопленочных структур
Диссертация
Предложена оригинальная СТМ методика регистрации спектральных зависимостей локального фототока в полупроводниковых квантоворазмерных структурах с высоким пространственным разрешением. Исследованы СТМ спектры фототока в гетероструктурах ГпхОа^АзЛЗаАз с квантовыми ямами и квантовыми точками, расположенными на различной глубине относительно приповерхностной области пространственного заряда. Для… Читать ещё >
Содержание
- ГЛАВА 1. Методы зондовой микроскопии в изучении локальных свойств тонкопленочных структур. Методы получения ориентированных пленок на неориентирующих подложках (Обзор литературы)
- 1. 1. Сканирующая зондовая микроскопия (СЗМ) гетероэпитаксиальных тонкопленочных структур
- 1. 1. 1. Применение методов СЗМ для исследования полупроводниковых структур с квантовыми ямами и точками
- 1. 1. 2. Зондовая микроскопия морфологии и неоднородности структуры эпитаксиальных пленок высокотемпературного сверхпроводника УВа2Сиз
- 1. 2. Методы получения ориентированных пленок на неориентирующих подложках
- 1. 1. Сканирующая зондовая микроскопия (СЗМ) гетероэпитаксиальных тонкопленочных структур
- ГЛАВА 2. Аппаратура и методы сканирующей зондовой микроскопии
- 2. 1. Принципы сканирующей зондовой микроскопии
- 2. 2. Устройства для прецизионных микроперемещений объекта
- 2. 3. Конструкции сканирующих туннельных микроскопов (СТМ)
- 2. 3. 1. Вакуумный СТМ с атомарным разрешением
- 2. 3. 2. СТМ с большим полем обзора
- 2. 3. 3. СТМ, совмещенный с ближнепольным оптическим микроскопом
- 2. 4. Аппаратные и программные средства системы управления сканирующими зондовыми микроскопами
- 2. 4. 1. Общая характеристика аппаратных средств системы управления
- 2. 4. 2. Программные средства системы управления
- 2. 5. Краткие
- выводы
- ГЛАВА 3. Исследование локальных свойств тонкопленочных структур методами зондовой микроскопии
- 3. 1. Исследование локального фототока в полупроводниковых структурах ОаАз/ОаЫАБ с квантовыми ямами и точками
- 3. 2. Исследование локальной фотолюминесценции в гетероструктурах ОаАз/ОаГпАБ с квантовыми ямами
- 3. 3. Исследование неоднородностей в эпитаксиальных пленках УВа2Сиз07.5, обусловленных частицами вторичной фазы СиО, методами сканирующей зондовой микроскопии
- 3. 4. Краткие
- выводы
- ГЛАВА 4. Влияние анизотропных упругих напряжений на процессы ориентированного роста пленок на неориентирующих подложках
- 4. 1. Химический потенциал упруго напряженного твердого тела
- 4. 1. 1. Химпотенциал в одномерной модели твердого тела
- 4. 1. 2. Химпотенциал однородно деформированного твердого тела
- 4. 1. 3. Химпотенциал неоднородно деформированного твердого тела
- 4. 1. 4. Анизотропия кристаллизационного давления
- 4. 2. Роль упругих напряжений в процессах ориентированного роста пленок на неориентирующих подложках
- 4. 2. 1. Механизм ориентированного роста пленок под действием анизотропных упругих напряжений
- 4. 2. 2. Влияние упругих напряжений на процессы рекристаллизации пленок на подложках с поверхностным рельефом
- 4. 2. 3. Ориентированный рост пленок в поле упругих напряжений при лазерном отжиге с неоднородным распределением интенсивности
- 4. 2. 4. Ориентирующее действие упругих напряжений в процессе твердофазной рекристаллизации тонкопленочных структур
- 4. 3. Краткие
- 4. 1. Химический потенциал упруго напряженного твердого тела
- выводы
Список литературы
- G.Binnig, H. Rohrer Scanning tunneling microscopy. // Helv. Phys. Acta, 1982, v. 55, № 6, p. 726 -735.
- G.Binnig, H. Rohrer, Ch. Gerber, E. Weibel Tunneling through a controllable vacuum gap. // Appl. Phys. Lett., 1982, v. 40, p. 178.
- D.W.Pohl Optical near-field scanning microscope. // European patent application No. 112 401, December 27, 1982.
- D.W.Pohl, W. Denk, M. Lanz Optical spectroscopy: image recording with resolution X/20. //Appl. Phys. Lett., 1984, v. 44, p. 651 — 653.
- J.R.Matey, J. Blanc Scanning capacitance microscopy. // J. Appl. Phys., 1985, v. 57, № 5, p. 1437 — 1444.
- C.C.Williams, H.K.Wickramasinghe // Appl. Phys.Lett., 1986, v. 49, № 23, p. 1587.
- G.Binnig, C.F.Quate, Ch. Gerber Atomic force microscope. // Phys. Rev. Lett., 1986, v. 56, № 9, p. 930 — 933.
- Y.Martin, H.K.Wickramasinghe Magnetic imaging by force microscopy with 1000 A resolution. // Appl. Pys. Lett., 1987, v. 50, № 20, p. 1455 — 1457.
- W.J.Kaizer, L.D.Bell Direct investigation of surface interface electronic structure by ballistic-electro-emission microscopy. // Phys. Rev. Lett., 1988, v. 60, № 14, p. 1406 — 1409.
- K.Takata, T. Hasegawa, S. Hosaka, S. Hosoki, T. Komoda Tunneling acoustic microscope. // Appl. Pys. Lett., 1989, v. 55, № 17, p. 1718 — 1720.
- G.Binnig, H. Rohrer Scanning tunneling microscopy — from birth to adolescence. // Rev. Mod. Phys., 1987, v.59, № 3, p. 615 — 625.
- В.И.Панов Сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия поверхности.//УФН, 1988, т.155,№ 1,с.155 — 158.
- В.С.Эдельман Сканирующая туннельная микроскопия. // ПТЭ, 1989, № 5, с. 25 -49.
- В.С.Эдельман Развитие сканирующей туннельной и силовой микроскопии. //ПТЭ, 1991, № 1, с. 24−42.
- J.E.Griffith, D.A.Grigg Dimensional metrology with scanning probe microscopes. // J. Appl. Phys., 1993, v.74, № 9, p. R83 — R109.
- D.Courjon, C. Bainier Near field microscopy and near field optics. // Rep. Prog. Phys., 1994, v. 57, p. 989- 1028.
- R.J.Hamers Scanning probe microscopy in chemistry. // J. Phys. Chem., 1996, v. 100, p. 13 103 — 13 120.
- С.Н.Магонов Сканирующая силовая микроскопия полимеров и родственных материалов. // Высокомолекулярные соединения, 1996, т. 38, № 1, с. 143 — 182.
- В.А.Быков, М. И. Лазарев, С. А. Саунин Сканирующая зондовая микроскопия для науки и промышленности. // «Электроника: наука, технология, бизнес»., 1997, № 5, с. 7 — 14.
- А.П.Володин Новое в сканирующей микроскопии. // Приборы и техника эксперимента, 1998, № 6, с. 3 — 42.
- D.L.Abraham, A. Veider, Ch. Schonenberg, H.P.Meier, D.J.Arent, S.F.Alvarado -Nanometer resolution in luminescence microscopy of III-V heterostructures. // Appl. Phys. Lett., 1990, v. 56, № 16, p. 1564 1566.
- R.Berndt, J.K.Gimzewski Injection luminescence from CdS (1120) studied with scanning tunneling microscopy. // Phys. Rev., v. В 45, № 24, p. 14 095 — 14 099.
- L.Samuelson, A. Gustafsson, J. Lindahl, L. Montelius, M.-E.Pistol, J.-Q.Malm, G. Vermeire, P. Demeester Scanning tunneling microscope and electron beam induced luminescence in quantim wires. // J. Vac. Sci. Technol., 1994, v. В12, № 4, p. 2521 -2526.
- T.Tsuruoka, Y. Ohizumi, S. Ushioda, Y. Ohno, H. Ohno Light emission spectra of AIGaAs/GaAs multiquantum wells induced by scanning tunneling microscope. // Appl. Phys. Lett., 1998, v. 73, № 14, p. 1544 — 1446.
- O.J.Glembocki, E.S.Snow, C.R.K.Marrian, S.M.Prokes, D.S.Katzer Nanoscale photovoltaic imaging using the scanning tunneling microscope. // Ultramicroscopy, 1992, № 42−44, p. 764 — 770.
- R.J.Hamers, K. Markert Surface photovoltage on Si (111) — (7×7) probed by optically pumped scanning tunneling microscopy. // J. Vac. Sci. Technol., 1990, v. A8,№ 4, p. 3524- 3530.
- D.G.Cahill, R.J.Hamers Surface photovoltage of Ag on Si (111) — (7×7) by scanning tunneling microscopy. // Phys. Rev. В., 1991, v. 44, № 3, p. 1387 — 1390.
- T.Takahashi, M. Yoshita Laser irradiation effects on tunneling properties of n-type GaAs and InAs by scanning tunneling microscopy. // Appl. Phys. Lett., 1996, v. 68, № 24, p. 3479−3481.
- S.Gwo, A.R.Smith, K.-J.Chao, C.K.Shih, K. Sadra, B.G.Streetman Cross-sectional scanning tunneling microscopy and spectroscopy of passivated III-V heterostructures. // J. Vac. Sci. Technol., 1994, v. A 12, № 4, p. 2005 — 2008.
- H.Chen, R.M.Feenstra, R.S.Goldman, C. SilfVenius, G. Landgren Strain variation in InGaAsP/InGaP superlattices studied by scanning probe microscopy. // Appl. Phys. Lett., 1998, v. 72, № 14, p. 1727 — 1729.
- H.Yamamoto, T. Takahashi Cross-sectional observation of p-n GaAs multilayers by STM under laser irradiation. // Proceedings of 10th Conference on scanning tunneling microscopy STM' 99, 19−23 July 1999, Seul, Korea, p. 287 — 288.
- R.D.Grober, T.D.Harris, J.K.Trautman, E. Betzig, W. Wegscheider, L. Pfeiffer, K. West Optical spectroscopy of GaAs/AIGaAs quantum wire structure using near-field scanning optical microscopy. // Appl. Phys. Lett., 1994, v. 64, № 11, p.1421 — 1423.
- M.S.Unlii, B.B.Goldberg, W.D.Herzog, D. Sun, E. Towe Near-field optical induced current measurements on heterostructures. // Appl. Phys. Lett., 1995, v. 67, № 13, p. 1862- 1864.
- Н.Н.Леденцов, В. М. Устинов, В. А. Щукин, П. С. Копьев, Ж. И. Алферов, Д.Бимберг. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры. // ФТП, 1998, том 32, № 4, с. 385 — 410.
- V.Bressel-Hill, S. Varma, A. Lorke, B.Z.Nosho, P.M.Petroff, W.H.Weinberg -Island scaling in strained heteroepitaxy: InAs/GaAs (001). // Phys. Rev. Lett., 1995, v. 74, № 16, p. 3209−3212.
- V.Bressel-Hill, C.M.Reaves, S. Varma, S.P.DenBaars, W.H.Weinberg -Characterization of InP islands on InGaP/GaAs (001): Effect of deposition temperature. // Surface Science, 1995, v. 341 (½), p. 29 39.
- G.E.Cirlin, G.M.Guryanov, A.O.Golubok, N.N.Ledentsov, P. S.Kop'ev, M. Grundman, D. Bimberg Ordering phenomena in InAs strained layer morphological transformation on GaAs (100) surface. // Appl. Phys. Lett., 1995, v. 67, № l, p. 97−99.
- А.О.Голубок, С. А. Маслов, Н. Б. Пономарева, В. Н. Петров, С. Я. Типисев, Г. Э. Цирлин Исследование квантовых точек на поверхности эпитаксиальных полупроводников А3В5 методом сканирующей туннельной микроскопии. // Поверхность, 1998, № 2, с. 70−75.
- А.Н.Титков Исследование закономерностей роста и испарения квантовых точек InAs на вицинальных поверхностях GaAs (001), разориентированных в направлении 001], методом атомно-силовой микроскопии. // Поверхность, 1998, № 2, с. 64−69.
- Р.З.Бахтизин, К.-К.Щуе, Ю. Хасегава, Т. Сакурай СТМ исследование атомарной структуры напряженных эпитаксиальных слоев InAs на поверхности GaAs (001). // Труды всероссийского совещания «Зондовая микроскопия — 99», Н. Новгород, 1999, с. 7−13.
- Y.Hasegawa, H. Kiyama, Q.K.Xue, T. Sakurai Atomic structure of faceted planes of three-dimensional InAs islands on GaAs (001) studied by scanning tunneling microscope. // Appl. Phys. Lett., 1998, v. 72, № 18, p. 2265 — 2267.
- Р.З.Бахтизин, Т. Сакурай, Т. Хашицуме, К.-К.Щуе, Атомные структуры на поверхности GaAs (001), выращенной методами молекулярно-лучевой эпитаксии. // УФН, 1997, т. 167, № 11, с. 1227 — 1241.
- I.Tanaka, I. Kamiya, H. Sakaki, N. Qureshi, S.J.Allen, P.M.Petroff Imaging and probing electronic properties of self-assembled InAs quantum dots by atomic force microscope with conductive tip. // Appl. Phys. Lett., 1999, v. 74, № 6, p. 844 — 846.
- M. Grundman, J. Christen, N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, Y. Gosele, J. Heydenreich, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov,
- A.E. Zhukov, P. S. Kop’ev, Zh.I. Alferov Ultranarrow luminescence lines from single quantum dots. Phys. Rev. Lett., 74(1995), p. 4043−4046.
- M.Markmann, A. Zrenner, G. Bohm, G. Abstreiter STM-cathodoluminescence of self-assembled InGaAs quantum dots. Physica Status Solidi A — Applied Research 1997, Vol 164, Iss 1, PP 301−305.
- J.Lindahl, M.-E.Pistol, L. Montelius, L. Samuelson Stark effect in individual luminescent centers observed by tunneling luminescence. // Appl. Phys. Lett., 1996, v. 68, № 1, p. 60−62.
- J.-Y.Marzin, J.-M.Gerard, A. Izrael, D. Barrier, G. Bastard Photoluminescence of single InAs quantum dots obtained by self-organized growth on GaAs. // Phys. Rev. Lett, 1994, v. 73, № 5, p. 716 — 719.
- P.Castrillo, D. Hessman, M.-E.Pistol, S. Anand, N. Carlsson, W. Seifert Band filling at low optical power density in semiconductor dots. // Appl. Phys. Lett., 1995, v. 67, № 13, p. 1905 — 1907.
- A.Chavez-Pirson, J. Temmyo, H. Kamada, H. Gotoh, H. Ando Near-field optical spectroscopy and imaging of single InGaAs/AlGaAs quantum dots. // Appl. Phys. Lett., 1998, v. 72, № 26, p. 3494 — 3496.
- G.A.Alvarez, M. Matsuda, M. Koyanagi Structural and morphological characterization of high quality YiBa2Cu3Ox epitaxial films by atomic force and high resolution scanning electron microscopies. // Cryogenics, 1995, v. 35, № 6, p. 361 -366.
- M.Ece, E.C.Gonzalez, H.-U.Habermeier, B. Oral Evolution of morphology, crystallinity, and growth modes of thin supercinducting YBa2Cu307. x films on SrTi03 and NdGa03 substrates. // J. Appl. Phys., 1995, v. 77, № 4, p. 1646 — 1653.
- S.L.Penny cook, M.F.Chisholm, D.E.Jesson, R. Feenstra, S. Zhu, X.Y.Zheng, D.J.Lowndes Growth and relaxation mechanisms of YBa2Cu307. x films. // Physica C, 1992, v. 202, p. 1 — 11.
- C.L.Bai, C.F.Zhu, X.W.Wang, P.C.Zhang, Q. Li, C. Wang, B.R.Zhao, L.Z.Zheng, L. Li Atomic force microscopy study of the growth mechanism of ultrathin YBa2Cu307 (YBCO) films. // Thin Solid Films, 1996, v. 289, p. 70−73.
- L.Luo, M.E.Hawley, C.J.Maggiore, R.C.Dye, R.E.Muenchausen Spiral growth in epitaxial YBa2Cu305 thin films produced by high deposition rate chemical vapor deposition. // Appl. Phys. Lett., 1993, v. 62, № 5, p. 485 — 486.
- H.Haefke, H.P.Lang, R. Sum, H.J.Giinterdodt, L. Berthold, D. Hesse Growth and structure of YBa2Cu307.§ thin films studied by scanning tunneling microscopy and electron microscopy. // Thin Solid Films, 1993, v. 228, p. 173 — 177.
- C.S.Chuang, H.T.Chen, T.T.Chen Scanning tunneling microscopy study of surface morphology and tunneling spectroscopy on YBa2Cu307. s thin films. // Physica C, 1995, v. 255, p. 30 — 36.
- J.Gao, W.H.Wong Investigation on surface morphology of sputtered YBa2Cu3Ox thin and ultrathin films. // Physica C, 1995, v. 251, p. 330 — 336.
- J.Gao, W.H.Wong, J. Xhie Formation of outgrowths at the initial growing stage of YBa2Cu3Ox ultrathin films on Zr02 substrates. // Appl. Phys. Lett., 1995, v. 67, № 15, p. 2232−2234.
- B.Schulte, M. Maui, P. Husser, H. Adrian Compositional effects in YxBayCu207.§ thin films prepared by metalorganic chemical vapor deposition. // Appl. Phys. Lett., 1993, v. 62, № 6, p. 633 — 635.
- Y.J.Tian, L. Li, L.P.Guo, et al. Correlation between distribution of outgrowth and microwave resistance for YBa2Cu307 thin films. // Appl. Phys. Lett., 1994, v. 65, № 18, p. 2356−2358.
- J.A.AIarco, G. Brorsson, H. Olin, E. Olsson Early stages of growth of YBa2Cu307.5 high Tc superconducting films on (001) Y-Zr02 substrates. // J. Appl. Phys., 1994, v. 75, № 6, p. 3202 — 3204.
- Е.И.Гиваргизов Искусственая эпитаксия. // M., Наука, 1988, 176 с:
- E.I.Givargizov Oriented crystallization on amorphous substrates. // New York, Plenum Press, 1991, 370 p.
- Н.Н.Шефталь, Н. А. Бузынин Преимущественная ориентация кристаллитов и влияние царапин // Вестн. Моск. ун-та., Сер. геол., 1972, т. 27, № 3, с. 102−104.
- Н.Н.Шефталь Закономерности реального кристаллообразования и некоторые принципы выращивания монокристаллов. // в кн. — Рост кристаллов -М.: Наука, 1974, т. 10, с. 1471 — 1480.
- В.И.Клыков, Р. Н. Шефталь, Н. Н. Шефталь Ориентированная кристаллизация на аморфных и поликристаллических подложках: Искусственная эпитаксия. // в кн. — Процессы реального кристаллообразования / Под ред. Н. В. Белова. — М.: Наука, 1977, с. 144 — 150.
- V.I.Klykov, N.N.Sheftal, E. Hartman Artificial epitaxy (diataxy) of silicon and germanium//Acta Phys. Sci. Hung., 1979, v. 47, № 1−3, p. 167 — 183.
- E.I.Givargizov, N.N.Sheftal, V.I.Klykov, Diataxy (graphoepitaxy) and other approaches to oriented crystallization on amorphous substrates /7 Current Topics in Material Science / Ed. Ekaidis. — Amsterdam, 1982, v.10, p. 687 — 691.
- H.I.Smith, D.C.Flanders Oriented crystallization on amorphous substrates using artificial surface-relief gratings. // Appl. Phys. Lett., 1978, v. 32, № 6, p. 349−350.
- M.W.Geis, D.C.Flanders, H.I.Smith Crystallographic orientation of silicon on an amorphous substrates using artificial surface-relief grating and laser crystallization. // Appl. Phys. Lett., 1979, v. 35, № 1, p. 71 — 74.
- H.Mori 2-D grating graphoepitaxy of silicon films from silicon — gold supersaturated solution. // Jpn. J. Appl. Phys., 1981, v. 20, № 12, p. L 905.
- M.Tomura, H. Tomura, T. Tokuyama Si bridging epitaxy from Si windows onto Si02 by Q-switched ruby laser pulse annealing. // Jpn. J. Appl. Phys., 1980, v. 19, № 1, p, L 23 — L 26.
- J.Sakurai, S. Kawamura, H. Mori, M. Nakane Lateral epitaxy growth in poly — Si film over Si02 from single — Si seed by scanning cw laser annealing. // Jpn. J. Appl. Phys., 1981, v. 20, № 3, p. L 176 — L 178.
- B.-Y.Tsaur, J.C.C.Fan, M.W.Geis et al. Improved techniques for growth of large — area single — crystal Si sheets over Si02 using lateral epitaxy by seeded solidification. // Appl. Phys. Lett., 1981, v. 39, № 7, p. 561 — 563.
- Y.Hayafuji, T. Yanada, S. Usui et al. Laterally seeded regrowth of silicon over Si02 through strip electron beam irradiation // Appl. Phys. Lett., 1983, v. 43, № 5, p. 473−475.
- D.R.Bradbury, T.I.Kamins, C.-W.Tsao Control of lateral epitaxial CVD of silicon over insulators. // J. Appl. Phys., 1984, v. 55, № 2, p. 519 — 623.
- L.Jastrzebski, J.F.Corboy, J.T.McGinn, R. Pagliaro Growth process of silicon over Si02 by CVD: epitaxial lateral overgrowth technique. // J. Electrochem. Soc., 1983, v. 130, № 7, p. 1571 — 1580.
- Y.Ohmura, Y. Matsushita, M. Kashiwagi Solid-phase lateral epitaxial growth onto adjacent Si02 film from amorphous silicon deposited on single-crystal silicon substrate. // Jpn. J. Appl. Phys., 1982, v. 21 № 3, p. LI52 — LI54.
- H.Ishiwara, H. Yamamoto, S. Furukawa et al. Lateral solid phase epitaxy of amorphous Si films on Si substrates with Si02 pattern. // Appl. Phys. Lett., 1983, v. 43, № 11, p. 1028- 1030.
- Л.К.Бейзитер, И. К. Витол Об условиях выращивания тонких монокристаллических слоев полупроводников на немонокристаллической подложке. // Кристаллография, 1964, т. 9, № 2, с. 308 — 310.
- J.C.C.Fan, B.-Y.Tsaur, R.L.Chapman, M.W.Geis Zone melting recrystallization of 3-in-diam Si films on Si02 coated Si substrates. // Appl. Phys. Lett., 1982, v. 41, № 2, p. 186- 188.
- J.C.C.Fan, B.-Y.Tsaur, M.W.Geis Graphite-strip-heater zone-melting recrystallization of Si film. // J. Cryst. Growth, 1983, v. 63, № 3, p. 453 — 483.
- M.W.Geis, H.I.Smith, C.K.Chen Characterization and entrainment of subboundaries and defect trails in zone-melting-recrystallized Si films. // J. Appl. Phys., 1986, v. 60, № 3, p. 1152−1160.
- J.P.Colinge, E. Demoulin, D. Bensahel, G. Auvert Use of selective annealing for growing very large grain silicon on insulator. // Appl. Phys. Lett., 1982, v. 41, № 4, p. 346−347.
- J.P.Colinge p-i-n photodiode made in laser-recrystallized silicon-on-insulator. //IEEE Trans. Electron Dev., 1986, v. ED 33, № 2, p. 203 — 205
- W.D.Dozier, C.E.Piatt Graphoepitaxy of YBa2Cu307.8 thin films. // Appl. Phys. Lett., 1993, v. 62, № 17, p. 2048 — 2050.
- S.Miyazawa, M. Mukaida Atomic graphoepitaxy: A growth model for c-axis in-plane-aligned, a-axis oriented YBa2Cu3Ox thin films. // Appl. Phys. Lett., 1994, v. 64, № 16, p. 2160−2162.
- S.Miyazawa, M. Mukaida Formation of stacking-fault in atomic graphoepitaxy a -axis YBa2Cu3Ox thin films on SrLaGa04 substrates. // Jpn. J. Appl. Phys., 1996, v. 35, part 2, № 9B, p. LI 177 — LI 180.
- S.Miyazawa, M. Mukaida, MSasaura Thin film crystallinity and substrate materials in atomic graphoepitaxy of YBa2Cu3Ox. И Acta Phys. Polonica, 1997, v. 92, № l, p. 85−97.
- E.I.Givargizov Oriented crystallization on amorphous substrates. // Heterogeneous Chemistry Reviews, 1995, v. 2, p. 69 — 78.
- Д.И.Блохинцев Основы квантовой механики. // Москва, «Наука», 1983 г.
- Л.Д.Ландау, Е. М. Лифшиц Теоретическая физика том 3 — Квантовая механика. //М.: Физматгиз, 1963.
- J.Simmons General fdormula for the electric tunnel effect between similar electrodes separated by a thin insulating film. // J. Appl. Phys., 1963, v. 34, p. 1793.
- G.Binnig, H. Rohrer Scanning tunneling microscopy. // IBM J. Res. Development, 1986, v.30, № 4, p. 355 — 369.
- М.С.Хайкин, А. М. Трояновский Сканирующий туннельный микроскоп с модуляцией туннельного промежутка в жидкой среде. // Письма в ЖТФ, 1985, т. 11, № 20, с. 1236 — 1241.
- А.А.Бухараев, Д. В. Овчинников, А. А. Бухараева Диагностика поверхности с помощью сканирующей силовой микроскопии. 7/ Заводская лаборатория, 1997, № 5 с. 10−27
- U.T.Durig, D.W.Pohl, F. Rohner Near field optical-scanning microscopy. // J. Appl. Phys., 1986, v. 59, № 10, p. 3318 — 3327.
- U.Ch.Fisher, U.T.Durig, D.W.Pohl Scanning near field optical microscopy (SNOM) in reflection or scanning optical tunneling microscopy (SOTM). // Scanning Microscopy, 1989, v. 3, № 1, p. 1 — 7.
- D.Courjon, C. Bainier Near field microscopy and near field optics. // Rep. Prog. Phys., 1994, v. 57, № 10, p. 989 — 1028.
- E.Betzig, P.L.Finn, J.S.Weiner Combined shear force and near-field scanning optical microscopy. // Appl. Phys. Lett., 1992, v. 60, № 20, p. 24 842 486.
- E.Betzig, J.K.Trautman, T.D.Harris et al. // Science, 1991, V. 251. p.1468.
- E.Betzig, J.K.Trautman, R. Wolfe et al. // Appl. Phys. Lett., 1992, v. 61, p. 142.
- T.D.Harris, R.D.Grober, J.K.Trautman, E. Betzig // Appl. Spectroscopy, 1994, v. 48, p. 14a.
- R.Uma, Maheswari, H. Tatsumi, Y. Katayama, M. Ohtsu // Opt. Commun., 1995, v. 120, p. 325.
- M.H.Jerricho, D.C.Dahn, B.L.Blackford Scanning tunneling microscope with micrometer approach and thermal compensation // Rev. Sci. Instrum., 1987, v. 58, № 8, p. 1349- 1352.
- O.Marti, B. Drake, P.K.Hansma Atomic force microscopy of liquid — covered syrfaces: atomic resolution images. // Appl. Phys. Lett., 1987, v. 51, № 7, p. 484−486.
- Douglas P.E.Smith, Gerd Binnig Ultrasmall scanning tunneling microscope for use in a liquid-helium storage Dewar // Rev. Sci. Instrum., 1986, v. 57, JSfe 10, p. 2630 — 2631.
- A.P.Fein, J.R.Kirtley, R.M.Feenstra Scanning tunneling microscope for low temperature? High magnetic field, and spatially resolved spectroscopy. // Rev. Sci. Instrum., 1987, v. 58, № 10, p. 1806 — 1810.
- J.G.H.Hermsen, H. van Kempen, B.J.Nelissen, L.L.Soethout et al. New mechanical construction for the scanning tunneling microscope. // Surface Science, 1987, 181, p. 183 — 190. >
- M.Anders, M. Thaer, C. Heiden Simple micropositioning devices for STM. // Surface Science, 1987, 181, p. 176 — 182.
- K.Besocke An easily operable scanning tunneling microscope. // Surface Science, 1987, 181, p. 145 — 153.
- B.L.Blackford, M.H.Jericho, M.G.Boudreau A vertical/horizontal two-dimensional piezoelectric driven inertial slider micropositioner for cryogenic applications. // Rev. Sci. Instrum., 1992, v. 63, № 4, p. 2206 — 2209.
- B.L.Blackford, M.H.Jericho A hammer — action micropositioner for scanning probe microscopes. // Rev. Sci. Instrum., 1997, v. 68, №. 1, p. 133 — 135.
- D.W.Pohl Some design criteria in scanning tunneling microscopy. // IBM J. Res. Development, 1986, v.30, № 4, p. 417 — 427.
- H.van Kempen, G.F.A. van de Walle Applications of a high-stability scanning tunneling microscope. // IBM J. Res. Development, 1986, v.30, № 5, p. 509 — 514.
- B.L.Blackford, D.C.Dahn, M.H.Jerricho High-stability bimorth scanning tunneling microscope. // Rev. Sci. Instrum., 1987, v. 58, № 8, p. 1343 — 1348.
- Ch.Gerber, G. Binnig, H. Fuchs, O. Marti, H. Rohrer Scanning tunneling microscope combined with a scanning electron microscope. // Rev. Sci. Instrum., 1986, v. 57, № 2, p. 221 -224.
- G.Binnig, D.P.E.Smith Single — tube three — dimensional scanner for scanning tunneling microscopy. // Rev. Sci. Instrum., 1986, v. 57, № 8, p. 1688 — 1689.
- S.Vieira the behavior and calibration of some piezoelectric ceramics used in the STM. // IBM J. Res. Development, 1986, v.30, № 5, p. 553 — 556.
- И.Г.Закревский, С. В. Черепов Дилатометр с индукционным датчиком. // ПТЭ, 1987, № 5, с. 223 -225
- P.T.Squire, M.R.J.Gibbs Fibre — optic dilatometr for measuring magnetostriction in ribbon samples. // J. Phys. E: Sci. Instrum., 1987, v. 20, p. 499 — 502.
- J.R.Matey, J. Blanc Scanning capacitance microscopy. // J. Appl. Phys., 1985, v. 57, № 5, p. 1437- 1444.
- P.Hansma, J. Tersoff Scanning tunneling microscopy. // J. Appl. Phys., 1987, v. 61, № 2, p. Rl -R23.
- P.J.Bryant, H.S.Kim, Y.C.Zheng, R. Yang Technique for shaping scanning tunneling microscope tips. // Rev. Sci. Instrum., 1987, v. 58, № 6, p. 115.
- Дж.Фиринг, Ф. Эллис Изготовление игл для растровых туннельных микроскопов методом травления. // ПНИ, 1990, № 12, с. 159 — 161.
- P.Murait, D.W.Pohl, W. Denk Wide range, low-operating-voltage, bimorph STM: Application as potentiometer. // IBM J. Res. Development, 1986, v.30, № 5, p. 443 -450.
- М.С.Хайкин Сканирующий туннельный микроскоп с большим полем обзора. // Приборы и техника эксперимента, 1989, № 1, с. 161 — 165.
- В.Ф.Дряхлушин, А. Ю. Климов, В. В. Рогов, С. А. Гусев Зонд сканирующего блжнепольного оптического микроскопа. // Приборы и техника эксперимента, 1998, № 2, с. 138 — 139.
- M.Aguilar, P.J.Pascual, A. Santisteban Scanning tunneling microscope automation. // IBM J. Res. Develop, 1986, v. 30, № 5, p. 525 — 532.
- S.Park, C.F.Quate Theories of the feedback and vibration isolation systems for scanning tunneling microscope. // Rev. Sci. Instrum., 1987, v. 58, № 11, p. 2004 — 2009.
- А.О.Голубок, Д. Н. Давыдов, Д. В. Нахабцев Аппаратные и программные средства сканирующего туннельного микроскопа. // Сборник «Научное приборостроение», выпуск «Электронно — ионная оптика», 1989, Ленинград, «Наука», с. 77 — 84.
- А.М.Трояновский Цепь обратной связи и управление сканирующим туннельным микроскопом. // ПТЭ, 1989, № 1, с. 165 — 170.
- В.А.Быков, А. В. Иконников, С. Н. Кацур, С. А. Саунин Электроника и программное обеспечение универсальных сканирующих зондовых микроскопов HT — МДТ. // Труды Всероссийского совещания «Зондовая микроскопия — 99», 1999 г., ИФМ РАН, Н. Новгород, с. 327 — 334.
- G.Binnig, H. Rohrer, Ch. Gerber, E. Weibel Tunneling through a controllable vacuum gap. // Phys Rev. Lett., 1982, v. 49, № 1, p. 57 — 61.
- Leitch A.W., Ehlers H.L.// Infrared Phys., 1988, v. 28, № 6, p. 433−440.
- Н.В.Востоков, В. М. Данильцев, Ю. Н. Дроздов, А. В. Мурель, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин Формирование и заращивание квантовых точек InAs в процессе металлоорганической газофазной эпитаксии. // Поверхность, 2000, № 7, с. 17−21.
- S.K.Buratto, J.W.P.Hsu, E. Betzig, J.K.Trautman, R.B.Bylsma, C.C.Bahr, M.J.Cardillo Near-field photoconductivity: Application to carrier transport in InGaAsP. // Appl. Phys. Lett., 1994, v. 65, №. 21, p. 2654 — 2656.
- T.D.Harris, D. Gershoni, R.D.Grober, L. Pfeiffer, K. West, N. Chand Near-field optical spectroscopy of single quantum wires. // Appl. Phys. Lett., 1996, v. 68, № 7, p. 988−990.
- M.Grundmann, O. Stier, D. Bimberg InAs/GaAs pyramidal quantum dots: Strain distribution, optical phonons, and electronic structure. // Phys. Rev. B, 1995, 52, № 16, p. 11 969−11 981.
- O.Stier, M. Grundmann, D. Bimberg Electronic and optic properties of strained quantum dots modeled by 8-band kp theory. // Phys. Rev. B, 1999, v. 59, № 8, p. 11 969−11 981.
- L.R.Fonseca, J.L.Jimenez, J.P.Leburton, R.M.Martin Self-consistent calculation of the electronic structure and electron-electron interaction in self-assembled InAs-GaAs quantum dot structures. // Phys. Rev. B, 1998−1, 57, № 7, p. 4017 — 4026.
- J.Kim, L. Wang, A. Zunger Comparison of the electronic structure of InAs/GaAs pyramidal quantum dots with different facet orientations. // Phys. Rev. Lett., v. 57, № 16, p. R9408 — R9411.
- А.И.Ансельм Введение в теорию полупроводников. // M.: Наука, 1978.
- Д.В.Казанцев, Н. А. Гиппиус, Дж. Ошиново, А. Форхель Спектроскопия микроструктур • GaAs/AlGaAs с субмикронным пространственным разрешением с помощью сканирующего микроскопа ближнего оптического поля. // Письма в ЖЭТФ, 1996, т. 63, вып. 7−8, с. 523 — 527.
- E.Waffenshmidt, K.H.Waffenshmidt, F. Arndt, E. Boeke, J. Musolf, X. He, M. Heuken, K. Heime Local stoicheometry measurement of Y-Ba-Cu-0 thing layers grown by metal organic chemical vapor deposition. // J. Appl. Phys., 1994, v. 75, № 8, p. 4092−4096.
- T.Yoshitake, W. Hattori, S. Tahara Effects of copper deficiency on the structure and microwave properties YBa2Cu307.5 films deposited by laser ablation. // J. Appl. Phys., 84(4), 1998, p. 2176−2180.
- Yu.N.Drozdov, S.V.Gaponov, S.A.Gusev, E.B.Kluenkov, Yu.N.Nozdrin, V.V.Talanov, B.A.Volodin, A.K.Vorobiev Microstructure and electrical properties of YBCO films. // Supercond. Sci. Technol., 1996, № 9, A166 — A169.
- Electronic Applications of Superconductivity in Japan, WTEC Panel Report, July 1998, http://144.126.176.216/scel96/toc.htm.
- Yu.N.Drozdov, S.V.Gaponov, S.A.Gusev, E.B.Kluenkov, Yu.N.Nozdrin, V.V.Talanov, A.K.Vorobiev Morphology, microstructure and electrical properties of Y-Ba-Cu-0 thin films. // IEEE Trans, on Appl. Supercond., 1997, vol. 7, №.2, p. 1642−1645.
- И.И.Голденблат Нелинейные проблемы теории упругости. // М., Наука, 1969.
- Дж.Най Физические свойства кристаллов. // М., Издат иностр. Лит., 1960.
- В.В.Сычев Сложные термодинамческие системы. // М.: Энергия, 1977.
- Л.Д.Ландау, Е. М. Лифшиц Теория упругости. // М., Наука, 1965.
- К.Корренс Рост и растворение кристаллов под действием одноосного давления. // в кн.: Новые исследования по кристаллографии и кристаллохимии. Сборник 2, Рост кристаллов, М., Издат иностр. Лит., 1950, с. 77- 83.
- В.Я.Хаимов Мальков — К термодинамике кристаллизационного давления. // в кн.: Рост кристаллов, т. 2, М., Изд. АН СССР, 1959, с. 5 — 16.
- А.А.Чернов Кристаллизационное давление. // в кн.: Современная кристаллография, т. 3, М., Наука, 1980, с. 12.
- О.Андерсон Определение и некоторые применения изотропных упругих постоянных поликристаллических систем, полученных из данных для монокристаллов. // в кн.: Физическая акустика, т. 3, часть Б, Динамика решетки. М., Мир, 1968, с. 62−121.
- Р.Лодиз, Р. Паркер Рост кристаллов: Пер. с англ. / под ред. А. А. Чернова, А. Н. Лобачева — М.: Мир, 1974, 540 с.
- М.Д.Бернштейн Структура деформированных металлов. -М.: Металлургия, 1977,431 с.
- С.С.Горелик Рекристаллизация металлов и сплавов. — М.: Металлургия, 1978,568 с.
- В.М.Иевлев, Л. И. Трусов, В. А. Холмянский Структурные превращения в тонких пленках. --М.: Металлургия, 1982, 248 с.
- Э.Мелан, Г. Паркус Термоупругие напряжения вызываемые стационарными температурными полями. — М.:Физматгиз, 1958, 167 с.
- M.W.Geis, D.A.Antoniadis, D.J.Silversmith, R.W.Mountain, H.I.Smith Silicon graphoepitaxy using a strip-heater oven. // Appl. Phys. Lett., 1980, v. 37, № 5, p. 454−456.
- А1. Ю. А. Битюрин, С. В. Гапонов, А. А. Гудков, В. Л. Миронов Направленная кристаллизация при лазерном отжиге пленок. // Квантовая электроника, 1984, т. 11, № 1, с. 181 — 183.
- А2. Ю. А. Битюрин, С. В. Гапонов, А. А. Гудков, В. Л. Миронов Кристаллизация в поле упругих деформаций. // Препринт ИПФ АН СССР, N 75, 1983, 28 стр.
- A3. Ю. А. Битюрин, А. А. Гудков, В. Л. Миронов О возможном механизме искусственной эпитаксии на подложках с поверхностным рельефом. // Поверхность, 1986, № 7, с. 105 — 110.
- А4. Yu.A.Bityurin, S.V.Gaponov, A.A.Gudkov, V.L.Mironov Artificial epitaxy in the elastic strain field. // Journal of Crystal Growth, 1986, v. 73, № 3, p. 551 — 558.
- А5. Ю. А. Битюрин, Д. Г. Волгунов, С. В. Гапонов, А. А. Гудков, В. Л. Миронов -Химический потенциал упруго деформированных твердых тел. // Препринт ИПФ АН СССР, № 208, 1988, 20 стр.
- А6. Ю. А. Битюрин, Д. Г. Волгунов, С. В. Гапонов, А. А. Гудков, В.Л.Миронов
- Структурные изменения и массоперенос в упругонапряженных пленках. // В кн. Рост кристаллов т. 17, с. 60−69, М.: Наука, 1987.
- А7. Ю. А. Битюрин, Д. Г. Волгунов, А. А. Гудков, И. А. Каськов, М. Г. Кузеванов, В. Л. Миронов, А. А. Петрухин Сканирующие туннельные микроскопы для исследования поверхности твердого тела."// Препринт ИПФ АН СССР, № 197, 1988, 24 стр.
- А8. Д. Г. Волгунов, А. А. Гудков, В. Л. Миронов Устройство для микроперемещений объекта. // Авторское свидетельство N 1 537 088 от 15.09.88.
- А9. Ю. А. Битюрин, Д. Г. Волгунов, А. А. Гудков, И. А. Каськов, М. Г. Кузеванов, В. Л. Миронов, А. А. Петрухин Сканирующий туннельный микроскоп для исследования процессов роста пленок. // Письма в ЖТФ, 1988, т. 14, в. 24, с. 2273- 2277.
- A.Ю.Лукьянов, В. Л. Миронов, А. И. Панфилов, А. А. Петрухин, Д. Г. Ревин,
- B.В.Рогов Сканирующий комбинированный ближнепольный оптический / туннельный микроскоп. // ПТЭ, 1998, № 2, с. 132−137.
- А16. Д. Г. Волгунов, С. В. Гапонов, В. Ф. Дряхлушин, А. Ю. Климов, Р. Е. Кононов,
- A.Ю.Лукьянов, В. Л. Миронов, А. И. Панфилов, А. А. Петрухин, Д. Г. Ревин,
- B.В.Рогов Ближнепольный оптический микроскоп для исследования и модификации свойств поверхности. // Поверхность, 1998, № 2, с. 28−31.
- А17. А. К. Воробьев, Н. В. Востоков, С. В. Гапонов, Е. Б. Клюенков, В. Л. Миронов -Исследование неоднородностей в тонких пленках высокотемпературных сверхпроводников методами сканирующей зондовой микроскопии. // Письма в ЖТФ, 1999, вып. 4, с. 68−73.
- А21. А. К. Воробьев, Н. В. Востоков, С. В. Гапонов, Е. Б. Клюенков, В. Л. Миронов -Исследование фазовых неоднородностей в Y-Ba-Cu-0 тонких пленках методами сканирующей зондовой микроскопии. // Поверхность, 2000, № 7, с. 79−82.
- Тезисы докладов и доклады в сборниках трудов конференций:
- Т2. Ю. А. Битюрин, С. В. Гапонов, А. А. Гудков, В. Л. Миронов Структурные превращения в твердой фазе в поле упругих деформаций. // Тезисы докладов «VI Всесоюзной конференции по росту кристаллов», т. 3, Цахкадзор, 1985, с. 10 — 11.
- ТЗ. Д. Г. Волгунов, С. В. Гапонов, В. Ф. Дряхлушин, А. Ю. Климов, Р. Е. Кононов,
- A.Ю.Лукьянов, В. Л. Миронов, А. И. Панфилов, А. А. Петрухин, Д. Г. Ревин,
- B.В.Рогов Ближнепольный оптический микроскоп для исследования и модификации свойств поверхности. // Труды Всероссийского совещания «Зондовая микроскопия — 97», Н. Новгород, 1997 г, с. 86 — 90.
- XI7. V.Ya.Aleshkin, A.V.Biryukov, S.V.Gaponov, V.M.Danil'tsev, V.L.Mironov, A.V.Murel, V.I.Shashkin STM investigation of a strong electric field affect onlocal photocurrent spectra in InAs/GaAs quantum dot heterostructures. //th
- Proceedings of 8 International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology» (St. Petersburg, Russia, June 19−23, 2000), p. 326−329.