Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Поляризационные исследования рекомбинационного излучения монокристаллов тройных полупроводников с анизотропной структурой

Диссертация: Поляризационные исследования рекомбинационного излучения монокристаллов тройных полупроводников с анизотропной структурой
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Получены монокристаллы твердых растворов с решеткой халькопирита, пригодные для проведения поляризационных исследований. Проведены исследования РИ в области температур 4.24−300 К и ФЧ впервые созданных поверхностно-барьерных структур на их основе. Установлено, что эффективность РИ кристаллов ТР такая же, как и для соединения д его аналога 1пР. Показано, что краевое РИ кристаллов ТР имеет… Читать ещё >

Содержание

  • ВВЕДЕНИЕ. б
  • ГЛАВА I. ТРОЙНЫЕ АЛМА30П0Д0БНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ обзор литературы). ^
    • 1. 1. Кристаллическая структура кристаллов соединений//"!//-^ и НМ
    • 1. 2. Строение энергетических зон тройных полупроводников. /
      • 1. 2. 1. Межзонные оптические переходы. 1В
      • 1. 2. 2. Структура валентной зоны
      • 1. 2. 3. Строение энергетических зон приТ≤
    • 1. 3. Экспериментальные результаты исследований ре-комбинационного излучения некоторых тройных полупроводников Л-IV- У
      • 1. 3. 1. Исследования РИ р -С<19А$?
      • 1. 3. 2. Исследования Ш&&еР2 и. 4О
        • 1. 3. 2. 1. Излучательные свойства (И&е
        • 1. 3. 2. 2. Излучательная рекомбинация Сс15пР
        • 1. 3. 2. 3. Свойства твердых растворов в системе Сс15п^ и СШе%
        • 1. 3. 2. 4. Экспериментальное исследование упорядочения на физические свойства кристаллов2/?Зл/^
    • 1. 4. Физические свойства и энергетическая структура зон кристаллов X — и ск-^Щ
    • 1. 5. Постановка задачи
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Характеристика методов получения и легирования кристаллов р- .вб
    • 2. 2. Характеристика методов получения кристаллов р-?Ы9пРг
    • 2. 3. Характеристика методов получения и легирования кристаллов твердых растворов С^Яп^е,^ ^
    • 2. 4. Характеристика метода выращивания кристаллов
    • 4. ромбической модификации
      • 2. 5. Методика подготовки образцов к исследованиям
      • 2. 6. Методика поляризационных исследований спектров ФЧ и РИ
  • Краткие
  • выводы по главе
  • ГЛАВА 3. ИССВДОЕАНИЕ РИ монокристаллов р- и я — типа проводимости. 823.1. Исследование РИ кристаллов р- типа проводимости, выращенных без легирования по- 0>2. сторонними химическими примесями
    • 3. 1. 1. Спектры РИ в зависимости от температуры и уровня возбуждения
    • 3. 1. 2. Влияние концентрации дырок и условий термообработки на люминесценцию р-(2с!$ 1^
    • 3. 2. Исследование РИ кристаллов р-типа проводимости, однородно легированных посторонними химическими примесями в процессе получения
    • 3. 2. 1. Излучательные свойства кристаллов, содержащих примеси первой группы. ?
    • 3. 2. 2. Рекомбинационное излучение кристаллов р
    • 3. 2. 3. Рекомбинационное излучение кристаллов р
    • 3. 2. 4. Рекомбинационное излучение кристаллов р
    • 3. 2. 5. Рекомбинационное излучение кристаллов р-С/^/А,, содержащих примеси/л и
    • 3. 2. 6. Рекомбинационное излучение кристаллов р-ШЛД^ легированных переходными элементами. 10Т
    • 3. 2. 7. Анализ особенностей поведения примесей в кристаллах р
    • 3. 3. Исследование поляризационных свойств краевого
  • РИ монокристаллов р.11°
    • 3. 4. Исследование РИ слоев п-СЛ&Аь^
  • Краткие
  • выводы по главе 3
    • ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПОЗИЦИОННОГО РАЗУПОРДДОЧЕ-НИЯ И ЛЕГИРОВАНИЯ НА ПОЛЯРИЗАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА ОДНООСНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
    • 4. 1. ^Исследование фотоэлектрических и лшинесцентных свойств кристаллов
    • 4. 1. 1. Электрические свойства кристаллов П типа
    • 4. 1. 2. ФоточуЕствительность поверхностно-барьерных структур на основе кристаллов р-Зл^л^
    • 4. 1. 3. Исследование РИ кристаллов р- ."з
    • 4. 1. 4. Природа излучательных переходов в кристаллах. рЛп$пР2 .ЩИ
    • 4. 1. 5. Влияние ТО на спектры РИ кристаллов р
    • 4. 1. 6. Спектры РИ слоев Л — типа проводимости
    • 4. 2. Исследование анизотропии ФЧ и РИ ТР Сс/?пх:&е/.х^ /
    • 4. 2. 1. Поляризационные исследования ФЧ поверхностно-барьерных структур. ^
    • 4. 2. 2. Исследование РИ монокристаллов ТР. У
    • 4. 2. 3. Поляризационные свойства РИ кристаллов ТР
    • 4. 2. 4. Закономерности анизотропии фотоактивного поглощения и РИ при позиционном разупоря-дочении атомов в РХ
    • 4. 3. Исследование поляризации РИ кристаллов
  • Краткие
  • выводы по главе 4. ^
    • ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛОВ ТЕТРАГОНАЛЬНОЙ И РОМШЧЕСКОЙ МОДИФИКАЦИИ
    • 5. 1. Исследование РИ кристаллов. /
    • 5. 2. Исследование оптоэлектронных свойств монокристаллов^^?^ в зависимости от типа позиционного упорядочения атомов. ^^
    • 5. -2.1. Влияние фазового перехода 7,-* с1г на РИ ^^
      • 5. 2. 2. Влияние фазового перехода на фотопроводи
  • Ао1п?п. из мость
    • 5. 3. Исследование РИ кристаллов с/?^^^^
    • 5. 4. Исследование поляризации РИ монокристаллов,/^/7^^
      • 5. 4. 1. Азимутальные зависимости интенсивности РИ. №
      • 5. 4. 2. Поляризация РИ монокристаллов и
      • 5. 4. 3. Спектральные зависимости степени линейной поляризации РИ монокристаллов и
  • Краткие
  • выводы по главе

Поляризационные исследования рекомбинационного излучения монокристаллов тройных полупроводников с анизотропной структурой (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность. В последнее время все большее внимание уделяется исследованию полупроводниковых веществ с анизотропной кристаллической структурой. Интерес к анизотропным полупроводникам определяется возможностью получения устройств с разнообразными и зачастую совершенно новыми функциональными возможностями, которыми не ооладают приборы на основе элементарных и простейших бинарных полупроводников с решеткой типа сфалерита. В частности, значительный интерес представляет изучение алмазоподобных полупроводниковых соединений типа П-1У-У2 и 1-Ш-У12, которые в упорядоченном состоянии кристаллизуются в структуре типа халькопирита. Такие свойства этих материалов, как большое значение нелинейной восприимчивости, двулучепре-ломление, анизотропия фотоактивного поглощения и излучатель-ных переходов могут найти широкие применения в полупроводниковой оптоэлектронике. В принципе уже показана перспективность кристаллов П-1У-У2 и 1-Ш-У12 с решеткой халькопирита при создании фотопреобразователей, солнечных элементов, источников спонтанного и стимулированного излучения, устройств преобразования и параметрического смещения частот Ик-диапазона, поляриметрических детекторов и т. д.

В связи с возможностью применения сложных анизотропных полупроводников актуальным является как совершенствование лабораторной технологии их выращивания, так и изучение фундаментальных и структурно-чувствительных свойств получаемых кристаллов, в частности энергетического спектра образующихся дефектов решетки. Этот вопрос важен, поскольку дефекты решетки оказывают влияние на физические свойства кристалла, а изучение их взаимосвязи открывает пути к освоению методов получения данных веществ с требуемыми свойствами. Особый интерес в случае анизотропных полупроводников представляет определение численных характеристик их поляризационных свойств.

В данной работе исследуется группа сложных веществ (СУЗ^, относящихся к алмазоподоб-ным полупроводникам с тетраэдрическими связями между образующими их атомами.

Кристаллографической особенностью этих веществ, определяемой спецификой межатомных взаимодействий наряду с различием химического состава, является то, что все они кристаллизуются в структуре халькопирита и различаются величиной тетрагонального сжатия, а также характером позиционного упорядочения. В случае ЛдТпЗ^, в отличие от остальных тройных соединений имеется возможность двух вариантов позиционного упорядочения атомов Лд и Т/г с переходом от средней кристаллографической категорий к низшей. Все это обуславливает особенности анизотропии физических свойств и делает их интересными объектами для исследований.

Экспериментальное изучение анизотропии энергетического спектра в исследуемых кристаллах проводилось на основании поляризационных измерений рекомбинационного излучения (РЮ с проведением в ряде случаев поляризационных измерений фотоактивного поглощения. Применение этих методов актуально в связи с получаемой информацией о дефектах решетки, поляризационных параметрах и их связи со спецификой кристаллического строения и позиционного упорядочения атомов в исследуемой группе полупроводников.

Решение этих вопросов представляет актуальную задачу поля.

— 8 ризационной оптоэлектроники, так как определяет в итоге требования к материалу пр создании источников линейно-поляризованного излучения и поляриметрических фотодетекторов с контролируемым спектральным диапазоном.

Лель работы. Настоящая работа посвящена поляризационным исследованиям РИ в сложных алмазоподобных полупроводниках с анизотропной кристаллической решеткой, анализу влияния позиционного упорядочения и тетрагонального сжатия на степень линейной поляризации РИ и коэффициент фотоплеохроизма, а также исследованию влияния термообработки и однородного легирования примесями на свойства исследуемых веществ.

Научная новизна диссертации заключается в следующих результатах:

I* Выращены монокристаллы И jyinS2, пригодные для проведения поляризационных исследований.

2. Установлено, что эффективность РИ кристаллов р

GjSiJIs^ определяется отклонениями от стеохиометрии. Впервые обнаружено краевое излучение, определена температурная зависимость ширины запрещенной зоны* Легирование примесями позволяет контролировать спектральный состав РИ,.

3. Обнаружено, что введение примеси G^ позволяет поднять эффективность РИ GJSiJis^ до уровня Gajfs.

4. Детально изучено влияние условий выращивания на люминесцентные свойства кристаллов р -<2л5л§. Установлено, что наиболее совершенные кристаллы рSnSnf^ образуются при кристаллизации стационарным методом, обеспечивающим проявление краевого РИ и получение высокочувствительных поверхностно-барьерных структур. Показано, что процесс упорядочения атомов 2?/z и Sn ответственен за широкую примесную полосу РИ, энергетическое положение которой зависит от скорости охлаждения расплава.

5. Установлено, что позиционное разупорядочение атомов в структуре твердого раствора с решеткой типа халькопирита при тетрагональном сжатии Ф 0 не снижает численных характеристик анизотропии РИ и ФЧ. Это открывает возможность путем изменения состава твердого раствора управлять спектральным диапазоном устройств поляризационной оптоэлектроники.

6. Показано, что при однородном легировании анизотропных кристаллов с решеткой халькопирита при ^ ^ 0 степень линейной поляризации РИ Сна примере д р

САСгеР2<�Си>) с участием уровней глубоких центров положительна и не уступает величине Э для межзонных А-переходов.

7. Обнаружено, что степень линейной поляризации краевого РИ от температуры практически не зависит.

8. Установлено, что термообработка кристаллов р -^¿-пЗп^ совместно с 1п позволяет получить слои |г — типа проводимости" При этом образуются уровни мелких доноров, а эффективность РИ находится на характерном для исходных образцов уровне.

9. доказана возможность осуществления фазового перехода ромбической модификации в тетрагональную с сохранением монокристаллической структуры. ФЧ и эффективность РИ обеих фаз такая же, как у аналогов из числа соединений П-У1. Краевое излучение обеих фаз имеет экситонную природу. Получена температурная зависимость Е&обеих фаз*.

10. Впервые среди анизотропных полупроводников обнаружена возможность достижения предельной 100% степени линейной поляризации РИ для кристаллов Л^.1п.ромбической модификации.

Приведенные результаты получены впервые и составляют существо положений, выносимых на защиту.

Практическая ценность полученных в работе результатов заключается в следувдем:

1″ Найдены условия получения кристаллов ¡-Дь^, и Л}!/7^ с эффективностью РИ на уровне их бинарных аналогов.

2. Предложено использование азимутальных зависимостей интенсивности РИ при сканировании возбуждающим лучом в качестве метода экспрессного определения разориеятации в структуре анизотропных материалов.

3. Обоснован метод определения степени упорядочения атомов и 2>п по положению максимума примесного РИ кристаллов р -2/7 в зависимости от уровня возбуждения,.

4. Предложен способ управления спектральным диапазоном? Ф и^ путем изменения состава твердого раствора с решеткой халькопирита.

5. Созданы поверхностно-барьерные структуры на основе кристаллов и ТР, а также П. -р-переходы из <2/г 5/г и показана возможность их использования*.

6. Предложено использование спектров РИ образцов (1с1 Зп^&е,.^^ для экспрессного определения ос .

7. Доказана возможность применения примесного легирования анизотропных по^проводников с целью управления спектральным составом РИ при сохранении высокого значения степени линейной поляризация.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались нанаучных семинарах лаборатории физико-химических свойств полупроводников ФТИ им, А. Ф. Иоффе АН СССР;

— на П-м Всесоюзном совещании по глубоким уровням в полупроводниках (Ташкент, 1980 г.);

— на У-й Всесоюзной конференции по физико-химическим основам легирования полупроводников (Москва, 1982 г.);

— на Всесоюзной конференции по физике полупроводников (Баку, 1982 г.);

— на 1У Всесоюзной конференции «Тройные полупроводники и их применение» (.Кишинев, 1У83 г.).

Объем работы. Диссертация включает введение, пять глав и заключение. Первая глава представляет собой обзор литературы. В этой главе рассмотрены вопросы изучения зонного спектра сложных алмазоподобных полупроводников и экспериментальные результаты по РИ исследуемых в работе соединений. Во второй главе освещены методы выращивания кристаллов, подготовки образцов к измерениям и экспериментальные методики, применяемые при выполнении работы. В третьей, четвертой и пятой главах представлены результаты экспериментального исследования люминесцентных свойств, а в ряде материалов и фоточувствительности-кристаллов тройных полупроводников и твердых растворов тетрагональной сингонии. Общие выводы по работе приводятся в заключении.

Основные результаты диссертационной работы можно сформулировать следующим образом:

1. Выполнены комплексные исследования РИ специально не легированных монокристаллов (У?/Ук2 р-типа проводимости в зависимости от температуры (4.2+200 К) и уровня возбуждения (до та р то то о.

10 кв/см .с) на образцах с изменяющейся от 10 до 10 см при Т = 300 К концентрацией свободных дырок. Обнаружена тонкая структура спектров краевого РИ. Наиболее коротковолновая полоса.

1.632 эВ (77 К) связывается с рекомбинацией свободного экситонакрутизна длинноволнового экспоненциального края этой полосы достигает ~120 эВ-^ и не зависит от температуры. Длинноволновые полосы объясняются излучательной рекомбинацией с участием уровней дефектов решетки, контролируемых отклонениями от стехиометрии Г. Впервые для определена температурная зависимость экситонной ширины запрещенной зоны, которая подчиняется формуле Варшни с параметрами = 3.6"10″ ^ эВ/К, Еех (0) = = 1.635 эВ, Ф = 120 К. Экстраполированное к 300 К значение ширины запрещенной зоны ШЯ’Л^ - 1.577 эВ согласуется с опубликованными данными других работ.

2. Обнаружено, что эффективность РИ кристаллов р

Т7 -ч после выращивания максимальна для образцов с р =10 см.

300 К) и падает с понижением р^Ю17 см" 3. Исследование влияния термообработки на РИ кристаллов р-типа показали, что отклонения состава от стехиометрии в направлении увеличения концентрации7 или СУ вызывают снижение эффективности РИ GJ?/J7s?. Установлено, что-ТО кристаллов CcfS/J7s2 в парах Cd практически не влияет на структуру спектров РИ, тогда как термообработка в парах? s гасит краевое РИ и приводит к появлению широких длинноволновых полос. Обсуждается природа излучательных переходов и образующихся центров. Обнаруженная чувствительность параметров РИ к отклонениям от стехиометрии может быть испольщована для контроля совершенства получаемых кристаллов.

3. Приведены систематические исследования РИ монокристаллов рQclStfls^, однородно легированных различными примесными элементами. Показано, что однородное легирование позволяет контролировать спектральный состав РИ. Обсуждается природа образующихся центров и их энергетический спектр. Обнаружено, что введение примеси G-q вызывает увеличение ЭИР кристаллов QdSiJJs& до характерного для его электронного аналога G^dfs уровня, что позволило впервые расширить интервал исследований РИ.

Od&jfe, до 300 К.

4. Выполнены поляризационные исследования краевого РИ специально не легированных кристаллов рGci, 9/Jsz с решеткой халькопирита в широкой области температур 4.2+200 К. Исследования азимутальной зависимости РИ при сканировании излучения из малых объемов показали, что примененный метод выращивания приводит к получению кристаллов с совершенной кристаллической структурой. Установлено, что в диапазоне температур 4.2+200К.

РИ доминирует в поляризации ЕНс. Энергетическое положе-ние^максимумов, формирующих краевое РИ, в поляризациях ИПс и совпадает. Максимальное значение степени линейной поляризации краевого Ш 3 = 75+80% практически не зависит от температуры. Сделан вывод о том, что изменения параметров решетки С&Я'&л с температурой не влияют на правила отбора излучательных А-переходов.

5. Исследованы люминесцентные свойства слоев ¡-гтипа проводимости, полученных в результате изменения отклонения состава от стехиометрии, а также диффузионного введения примеси 1а из паровой фазы. Установлено, что конверсия типа проводимости р-*п обусловлена образованием мелких доноров. Показано, что РИ слоев определяется донорно-акцепторными переходами. Азимутальная зависимость РИ при сканировании возбуждающим зондом указывает на высокое совершенство структуры слоев. Обнаружено, что степень линейной поляризации РИ слоев в примесной области достигает 75+82 $. Полученные результаты свидетельствуют о возможностях использования легирования ОсК/Д^ с целью управления спектральным составом РИ при сохранении численных характеристик анизотропии РИ на характерном для А-переходов уровне.

6. Проведено комплексное исследование РИ кристаллов р—?мЪпР^ в зависимости от условий получения, а также созданы и изучены свойства поверхностно-барьерных структур на их основе. Показано, что с понижением скорости охлаждения расплава в случае спонтанной кристаллизации улучшается совершенство кристаллов р-^/7• Наиболее совершенные кристаллы получены методом стационарной кристаллизации из подпитываемых растворов. Установлено, что для обеих типов кристаллов ширина запрещенной зоны одинакова. На кристаллах Ц типа впервые обнаружено краевое излучение, а в спектрах ФЧ диодов на их основе наблюдается тонкая структура. Определены параметры зонного спектра5уг.

7. Экспериментально доказана возможность получения слоев с¡-1 — типа проводимости. Показано, что КТП обусловлена диффузионным процессом, протекающим в процессе ТО кристаллов рсовместно с индием.

8. Получены монокристаллы твердых растворов с решеткой халькопирита, пригодные для проведения поляризационных исследований. Проведены исследования РИ в области температур 4.24−300 К и ФЧ впервые созданных поверхностно-барьерных структур на их основе. Установлено, что эффективность РИ кристаллов ТР такая же, как и для соединения д его аналога 1пР. Показано, что краевое РИ кристаллов ТР имеет экситонную природу. В области температур 4.2+300 К впервые измерена температурная зависимость энергетического положения максимума краевой полосы кь}, которая следует известной формуле Варшни. Установлено, что в области з: = 0.4*1 выполняется закон Ьь) А = (1.66−0.43X)эВ. Анализ поляризационных измерений РИ кристаллов ТР и ФЧ диодов показывает, что позиционное разупорядочение атомов и 6-с> в структуре халько пирита с тетрагональным сжатием И 0 не изменяет правила отбора для межзонных переходов, характерные для исходных соединений. Показано, что значения ^ и ^ такие же, как и для упорядоченных фаз д. Определены параметры зонного спектра кристаллов ТР и сделан вывод о существовании прямых оптических переходов.

9. Исследовано влияние однородного легирования примесью меди на спектры РИ кристаллов с решеткой халькопирита. Показано, что спектр РИ таких кристаллов состоит из широкой примесной полосы, спектральный контур которой сложный и контролируется условиями легирования. Установлена донорно-акцеп-торная природа наблюдаемой полосы. Впервые для кристаллов обнаружена высокая степень линейной поляризации до — 76% в области примесного РИ. Положительный знак 5 соответствует правилам отбора для А-переходов.

10. Получены монокристаллы с ромбической и халько-пиритной решетками, пригодные для проведения полного набора поляризационных измерений. Установлено, что фазовый переход Ъ*ск. протекает при ТО кристаллов Т-фазы с сохранением монокристаллической структуры при 600 °C и акспрессно контролируется по спектрам РИ. Показано, что кристаллы обеих фаз обна.

П У1 руживают ЭИР и ФЧ на уровне бинарных аналогов, А В. Установлено, что краевое РИ имеет экситонную природу, а ФЧ максимальна в области фундаментального поглощения. Фазовый переход 7сопровождается снижением Е^. Впервые определены температурные зависимости Е^ кристаллов обеих фаз, особенностью которых является постоянство при Т120 К.

11. Обнаружена и исследована линейная поляризация РИ кристаллов обеих модификаций. Установлено, что АЗ соответствуют сингонии кристаллических решеток. Для кристаллов С-к — фазы максимальная степень линейной поляризации краевого РИ5−90% практически не зависит от температуры, а ее знак соответствует правилам отбора для А-переходов.

12. Впервые среди анизотропных полупроводников обнаружено, что в результате понижения симметрии кристаллической решетки ск ^ степень линейной поляризации РИ двуосных кристаллов достигает предельного значения 100% для краевой линии с максимумом «Ь-сЭ = 2.026 эВ (77 К) в направлении ?010]. На основании сопоставления спектров в монокристаллов X-и С-к. -^Тп^ и с решеткой вюрцита обсуждается взаимосвязь степени линейной поляризации лкминесценции и расщепления валентной зоны кристаллическим полем.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В данной работе проведены экспериментальные исследования из-лучательных свойств монокристаллов сложных алмазоподобных полупроводниковых соединений с различным позиционным упорядочением атомов в кристаллической решетке двух типов — халькопиритной () и орторомбической ().

Показать весь текст

Список литературы

  1. H.A. Химия алмазоподобных полупроводников.- Л.: ЛГУ, 1963, с. 222.
  2. H.A. Сложные алмазоподобные полупроводники.- М.: Сов. радио, 1964, с. 267.
  3. H.A. Некоторые вопросы образования сложных тетраздри-ческих фаз. Вестник ЛГУ. Серия физ. и химии, 1966, № 10, с.112−114.
  4. Rupprecht J., Maier R.G. Heuere Untersuchungen an halbleitenden Mischkristallen unter besonderer Beruchsichtigung von Zustand sdiagrammen. -Phys.st. sol., 1965, v.8, III, p.3−39.п tv v
  5. Полупроводники AB C?. M. Сов. радио, 1974, с. 375.
  6. Ю.В. Получение и комплексное исследование свойств кристалп ту vлов тройных соединений типа, А В С£ . Капд.дисс., Л., ФТИ АН СССР, 1965, с. 185.
  7. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник. М., Наука, 1979, с. 339.
  8. М.П. Кристаллография. М., Высшая школа, 1976, с. 391.
  9. A.A., Горюнова H.A., Лошакова Г. В. О некоторых особенностях полупроводникового соединения ZnSn?2 . Ж. Неорган, материалы, 1968, т.4, № 6, с.878−880.
  10. И.И., Тепловое расширение ряда соединений A B C?! . В сб.: Тезисы докл. Всесоюзной конф. «Тройные полупр. и их применение». Кишенев, Штиинца, 1976, с. 20.
  11. Spring Thorpe А. J., Pamplin B.K., Grovrth of some Single crystals II-IV-V2 Semiconducting Compounds. — J.Cryst.Growth, 1968, t.34, N2, p.313−316.
  12. B.M., Трифонова Э. П., Радул В. А., Вайполин A.A., Цвет-коваЕ.В., Горюнова H.A. Получение и исследование твердых растворов в системе GdSnAs2-CdSnP2. В кн.: Физика. Краткое содержание докл. на 27 конф., Л., ЛИСИ, 1969, с.18−20.
  13. Pamplin B.R., Shah J.S., Sullivan R.A.L. The Zr^Cd^SnAsg Semiconducting alloy sistem. J. Electrochem Soc., 1965, t.112, И 12, p.1249−1250.
  14. H.A., Мамаев С., Прочухан В. Д. Твердые растворы в системе CdSnAs2-CdGeAs2.- Изв. АН КСР $ с.физ., хим. и геолог, наук, 1966, № 3, с.29−32.
  15. В.А., Покровский В. Н., Свойства симметрии энергетических зон кристаллов со структурой халькопирита. Известия ВУЗов, «Физика», i960, № 2, с.173−181.
  16. В.А., Караваев Г. Ф. К вопросу о структуре валентной зоны соединений типа халькопирита. Известия ВУЗов, «Физика», 1963, № 5, с.103−105.
  17. Sandrock R., Treusch I. Simmetrie eigenschaften der Energiebander der chalkopyritgitter nach der k-p-Storungsrechnung.z.Haturforsch, 1964, 19-a, N 7/8, 844−850.
  18. Г. Ф., Поплавной А. С. Исследование энергетического спектра электронов в полупроводниковых соединенияхс решеткой халькопирита по теории возмущений. ФТТ, 1966, 8, № 7, 2143−2148.
  19. А.С., Полыгалов Ю. И., Чалдышев В. А. Структура энергетических зон полупроводников с решеткой халькопирита: ZnSiP2.- Известия ВУЗов, «Физика», 1969, II, 58−66.
  20. А.С., Полыгалов Ю. И., Чалдышев В. А. Структура энергетических зон полупроводников с решеткой халькопирита: CdSiP2, MgSiP2, ZnGeP2, ZnSiAs2. Известия ВУЗов, «Физика», 1970,6, 95−100.
  21. А.С., Полыгалов Ю. И., Чалдышев В. А. Структура энергетических зон полупроводников с решеткой халькопирита: ZnSnP2, CdSnP2, ZnGeAs2, CdGeAs2, ZnSnAs2, CdGeP2, CdSiAs2 .- Известия ВУЗов, «Физика», 1970, 7, 17−22.
  22. Г. Ф., Кривайте Г. З., Полыгалов Ю. И., Чалдышев В. А., Шилейка А. Ю. Зонная структура и спектры электроотражения CdSnAs2 ФТП, 1972, 6., с.2211−2215.
  23. Hopfield I.I. Pine structure in the optical absoption edge of anisotropic crystals. I.Phys. Chera.Sol., 1960, 15, p.97-Ю7.
  24. Rowe I.E., Shay I.L., Extension of the quasicubic model to ternary chalcopyrite crystals. -Phys.Rev., 1971, B3} p.451−453.
  25. Shay I.L., Buchler E., iiernick I.II. Electroreflectance study of the energy-bands structure of CdSnP2. Phys.Rev.B.Solid State. Ser.3, 1970, 2, II 10, p.4Ю4−4Ю9.
  26. А.Ю. Оптические исследования зонной структуры соедине4 5ний, А В . В кн.: Многодолинные полупроводники (серия-2−16
  27. Электроны в полупроводниках"). Вильнюс. Моклас.1979,с.143−193.
  28. Shay I.L. and Wernick I.H. Ternary Chalcopyrite Semiconductors: Growth, Electronic Properties and Applications, Pergamon Press, Oxford, 1975, p.244.
  29. Hubner K. and Unger K. Spin-orbit aplittings in Il-IV-Vg compounds. Phys.St.Sol. (b), 1972, v.50, I’T2, p. K105-K107.
  30. H.A., Белле H.M., Златкин JI.Б., Лошакова Г. Б., Поплав-ной А.С., Чалдышев В. А. Оптические свойства и зонная структура ZnSnP2 (халькопирит и сфалерит). ФТП, 1968, т.2, й 9, I344-I35I.
  31. А.С., Караваев Г. Ф. Энергетический спектр электронов ZnGeAs2 и znSi?2 . Известия АН СССР: Неорг. материалы, 1968, т.4, Ш I, с.196−200.
  32. А.С. Структура энергетических зон ZnSnAs2 . Известия АН СССР: Неорг. материалы, 1969, т.5, № I, с.498−501.
  33. А.С. Структура энергетических зон ZnSiAs2 и ZnGe?2. Известия ВУЗов, «Физика», 1968, № 9, 142−145.
  34. Pollak F.H., Cardona И. Pieso-Electroreflectance in Ge, GaAs and Si. Phys.Rev., 1968, Ц2, p.816−837.
  35. Gavini A., Cardona Ы. Modulated Piezoreflectance in Semiconductors. Phys.Rev., 1970, B1, p.672−682.
  36. Thomas D.G., Excitons and Band Splitting Produced by Uniaxial Stress in CdTe. J.Appl.Phys., 1961, v.?2, 2298−2304.
  37. Yu P.Y., Cardona M., Pollak F.H. Intrinsis Piezobirefringence in CaSb, InAs, and InSb. Phys.Rev., 1971, B3, p.340−346.
  38. Г. З., Корнеев Е. Ф., Шилейка А. Ю. Спектры электроотражения ZnSnAs2. ФТП, 1971, т.5, № II, с.2242−2244.
  39. Капе Е.О. Band structure of indium antimonide. J.Phys.Chem. Solids, 1957, v.1, IT 1, p.249−261.
  40. Kildal H. Band structure of CdGeAs2 near к = 0. Phys.Rev. B. 1974, Ю, p.5082−5087.
  41. Ehrenveih H. Band Structure and Transport Properties of Some 3−5 Compounds. J.Appl.Phys., 1961, v.32, p.2155−2166.
  42. JI.Б., Марков Ю. Ф., Полушина И. К. Значения эффективной массы электронов проводимости в CdGeAs2~ ФТП, 1969, т.З, № 10, с.1590−1591.
  43. О.В., Кесаманлы Ф. П., Полушина И. К., Скрипкин В. А. Термо-э.д.с. и эффективная масса носителей тока в CdGeAs2 .- ФТП, 1971, т.5, №. 2, с.351−353.
  44. Г. П., Исследование оптических свойств тройных алмазоподобных соединений. Канд.дис., Л., ФТИ АН СССР, 1968, с. 115.
  45. Ю.А., Горюнова Н. А., Османов Э. О., Рывкин С. М., Шпенвксв Г. П. Излучательная рекомбинация в кристаллах cdGeAs2H CdSiAs2 .- ФТП, 1968, т.2, № 9, 1367−1369.
  46. М. Получение и исследование физических свойств монокристаллов тройного соединения CdSiAs2 . Канд.дис., Баку, Ин-т физики АН Аз. ССР, 1971, с. 153.
  47. Г. К., Г0рюнова Н.А., Прочухан В. Д., Рывкин С. М., Сергинов М., Шретер Ю. Г. Вынужденное рекомбинационное излучение CdSiAs2. ФТП, 1971, т.5, fe I, с.174−176.
  48. И.А., Прочухан В. Д., Рудь Ю. В., Сергинов М. Поляризация фотолюминесценции в кристаллах cd.SiAs2. ФТП, 1976, 10, с.1222−1224.
  49. Goryunova IT.A., Ryvkin S.M., Shpenkov G.P., Tychina I.I., Fedotov V.G. Investigations of some properties of vitreous and crystalline CdGePg.- Phys.Stat.Sol., 1968, v.28, If 2, p.489−492.
  50. Willey J.D., Buchler E., Shay J.L., Y/ernick J.H., ссылка на (-30) J. Electronic Materials, 1973, v.2,lT4,p.601−603.-2П
  51. И.А. Исследования излучателыюй рекомбинации кристаллов АПВ1УС2 . Канд.дис., Горький, ГИФТИ при ГГУ им. Лобачевского Д. Н., 1977, с. 228.
  52. Maltseva I.A., Ivlamedov A., Rud Yu.V., Undalov Yu.K. Luminescence of In-Doped CdGePp Crystals. Phys.Stat.Sol. (a), 1978, v.50, N 1, p.139−146.
  53. И.А., Рудь Ю. В., Ундалов Ю. К., Краевое излучение кристаллов CdGeP2.- Укр.физ.журнал, 1976, т.21, № 9, с.1503-- 1507.
  54. И.А., Рудь Ю. В., Ундалов Ю. К. Поведение меди в кристаллах CdGeP2.- ФТП, 1976, т.10, в.6, c. II0I-II03.
  55. И.А., Рудь Ю. В., Ундалов Ю. К. Люминесцентные свойства кристаллов CdGeP2 : In. ФТП, 1976, т.10, в.2, с.400−402.
  56. Ю.В., Мальцева И. А. Поляризация люминесценции кристаллов CdGeP2. ФТП, 1977, т. II, в.1, с.201−204.1. П TV У
  57. Н.И. Тепловое расширение кристаллов, А В . Вестник ЛГУ, 1975, № 22, C. II3-II8.
  58. Shag J.L., Buchler Е., Wernick J.H. Electroreflectance, absorption coefficient, and energy-band structure of CdGeP2 near the direct energy gar.- Phys.Rev., В., 1971, v.4, II8, p.2479−2485.
  59. Ю.В., Мальцева M.А. Анизотропия рекомбинационного излучения кристаллов АПВ1Ус| . ФТТ, 1977, т.19, в. З, с.870−873.
  60. Шпеньков Г. П., Спектральное распределение фотоэдс и излучательной рекомбинации в кристаллах cdSnP2. Hеорг. материала, 19®, т.15, № 6, c. II43-II45.
  61. Ф.М., Г0рюнова Н.А., Рыбкин С. М., Орлов В. М., Соколова В. И., Цветкова Л. В., Шпеньков Г. II. Оптический квантовый генератор на CdSnP2 с возбуждением электронным пучком. ФТП, 1968, т.2, № 8, с.1218−1220.-219
  62. Shay J.L., Leheny R.F., Buchler E., Wernick J.H. CdSnP2 emission and detection of near infrared radiation. — Appl.Phys. Letters, 1970, v.16, IT 9, p.357−359.
  63. Shay J.L., Johnston V/.D., Buchler E., Wernick J.H. Plasmaron coupling and laser emission in Ag doped CdSnP2. Phys.Rev. Lett., 1971, v.27, IT 11, p. 711−714.
  64. Shay J.E., Schiavone L.M., Buchler E., V/ernick J.H. Spontancous--and stimulated- emission spectra of CdSnP2.
  65. J.Appl.Phys., v. 43, N 6, p.2805−2807.
  66. Leonov E.I., Orlov V. L1., Sokolova V.I., Shreter Yu.G. Luminescence of CdSnPg doped with different impurities. Phys. Stat. Sol. (a), 1971, v.8, IT 2, p.387−391.
  67. И.А., Рудь Ю. В., Соколова В. И., Смирнова А. Д. Люминесцентные свойства кристаллов CdSnP2 Укр.физ.журнал, 1978, т.23, Ш I, с.46−50.
  68. И.А., Мамедов А., Рудь Ю. В., Смирнова А. Д. Поляризация излучательных переходов на глубокие центры в кристаллах P-CdSnP2 . Укр.физ.журнал, 1978, т.23, № 8, с.1355−1359.
  69. И.А., Рудь 10.В. Поляризация-краевого излучения CdSnP2. Письма в ЖТФ, 1976, Т.2, в.6, с.266−271.
  70. Shay J.L., Buchler Е., V/ernick J.H., Negative crystal-field splitting of the valence bands in CdSnPg. Phys.Rev., Letters, 1970, v.24″ IT 10, p.1301−1304.
  71. А.А., Леонов Е. И., Орлов B.M., Шихтин A.H., Разбега-ев В.Н., Малгоков Б. А., Украинский Ю. М., Ярмаркин В. А. Получение и некоторые свойства твердых растворов в системеи ту у И 111 ТТ
  72. CdSnP2-CdGeP2- В кн.: Тройные полупроводники, А В С£ и, А Б^С^, (Физ.-хим. и физ. свойства), Кишенев, Штиинца, 1972, с.93−96.-¿-20
  73. Г. В. Получение кристаллов полупроводникового соединения ZnSnP2 и исследование его свойств. Канд.дис., Л., Ленин/ градский пединститут им. А. И. Герцена, 1967, с. 141.
  74. А.С. Структура энергетических зон некоторых полупроводников АШВУ и АПВ1Ус| • Канд.дис., Томск, Томский ГУ им. В. В. Куйбышева, 1967, с. 173.
  75. Н.А., Кесаманлы Ф. П., Лошакова Г. В. Электрические свойства кристаллов ZnSnP2. ФТП, 1967, т.1, № 7, с. ЮЮ--1012.
  76. Ф.М., Гарбузов Д. З., Горюнова Н. А., Лошакова Г. В., Рывкин G.M., Шпеньков Г. П. Излучательная рекомбинация в кристаллах ZnSnP2 ФТП, 1968, т.2, № 5, с.744−747.
  77. Ю.В., Мальцева И.А. Анизотропия люминесцентных свойств
  78. ZnSnP2. ФТП, 1977, т. II, № 6, с.1033−1037.
  79. Shileika A., Energy band structure and modulation spectra ofsemiconductors. Surfase Science, 1973, v.37, N 5, p.730−747.
  80. Shay J.L., Tell В., Shiavone, Kasper H.M., Thiel P. Energy bands of AgInS2 in the chalcopyrite and orthorombic structures, — Phys.Rev., B, 1974, v.$, IT 4, p.1719−1723.
  81. И.В., Кароза А. Г., Лукомский А. И., Смирнова Г.Ф.
  82. Исследование оптических свойств тройного соединения AginS2 .- Ш1С, 1979, т.31, в.5, с.880−882.
  83. И.В., Кароза А. Г., Смирнова Г. Ф. Исследование оптических СВОЙСТВ ТВерДЫХ раСТВОрОВ AgGa^Iib s0 .л I —X с.- ЖПС, 1980, т.33, № 4, с.718−722.
  84. Chelma D.S., Kypecek P.J., Robertson D.S., Smith R.C. Silver thiogallate, a new materiel with potential for infrered device- Optics Communications, 1971, v.3, IT 1, p.29−31.
  85. Boyd G.D., Kasper H.M., Hefee J.H. Linear and Nonlinear Optical Properties AgGaSg, CuGaSg, CulnSg and Theory of the Wedge Technique for the Measurements of ITonlinear Coefficient .-IEEE J. Quantum Electron, 1971, QE7, n 12, p.563−573.
  86. В.Д. Исследования в области химии тройных полупровод1. П TY Yников типа, А В • Докт.дис., Ленинград, Институт химии силикатов им. И. В. Гребенщикова АН СССР, 1972, с. 408.
  87. Ю.К. Получение и исследование полупроводникового соединения CdGeP2 . Канд.дис., Ленинград, ЛПИ им. М. И. Калинина, 1974, с. 183.
  88. В.Д., Рудь Ю. В. Перспективы практического применения полупроводников АПВ1УС2 . ФТП, 1978, т.12, № 2, с.209−233.
  89. А., Паримбеков З. А., Рудь Ю. В., Сергинов М. Люминесцентные свойства специально легированных кристаллов
  90. P-CdSiAs2. ФТП, 1982, т.16, в.4, с.722−725.
  91. З.А., Рудь Ю. В., Сергинов М. Поляризация фотолюминесценции монокристаллов CdSiAs2 . В сб.: Труды Всесоюзной конференции по физике полупроводников. Баку, 12−14 октября 1982, т.2, с.257−258.
  92. З.А., Рудь Ю. В. Фотолюминесценция кристалловр CdSiAs2 . — Ш1С, 1983, т.38, в.6, с.1005−1008.
  93. В.Д., Рудь Ю. В., Сергинов М. Получение и физические свойства соединения CdSiAs2 . Изв. АН СССР «Неорг.материалы», 1973, 9, № 7, c. II57-II6I.
  94. Ч., Овезов К., Прочухан В. Д., Рудь Ю. В., Сергинов М. Фотоэлектрические свойства и возможности практического использования гомодиодов из CdSiAs2 . ФТП, 1976, т.10, № 9, с.1659−1663.
  95. Leite R.G.G., Digiovanni, А.Е. frequency Shift with Temperature as Evidence for Donor-Acceptor Pair Recombination in Relatively Pure n-Type GaSa.- Phys. Rev., 1967,153, Ii 3, p.841−843.
  96. I ее J.H., Gondas G.A. The Excitation Intensity Effect in the Band-Edge Emission of GaAs and GdSe (E/T). J.Appl. Phys., 1968, v.39, P, 351−353.
  97. Ф.П., Наследов Д. Н. (ред.).Арсенид галлия. Получение, свойства и применение. М., Наука, 1973, с. 472.
  98. М.И., Колесник Л. И., Мильвидский М. Г., Шершакова Н. И. Влияние стехиометрии и процессы рекомбинации в кристаллах GaAs . ФТП, 1980, т.14, Ш I, с.159−163.
  99. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ (справочник). М., Наука, 1979, с. 340.
  100. Morgan Т.Н., Plaskett T.S., Petit G.D. Pair Spectra Involving-Si Donors in GaP. Phys.Rev., 1969, 180, N3, p.845−851.
  101. Д. Люминесценция кристаллов. М., ИЛ., 1961, с. 199.
  102. А.А., Мамедов А., Полушина Й. К., Рудь Ю. В., Сергинов М., Довлетмурадов Ч. Энергетический спектр дырок в легиро-225 ванных кристаллах p-casiAs2 . Изв. АН ?CCP, сер.физ.-техн., хим. и геол. наук, 1981, № 5, с.12−17.
  103. А., Полушина И. К., Рудь Ю. В., Сергинов М. Электрические свойства специально не легированных монокристаллов p-CdSiAs2. Изв. АН ТССР, сер.физ.-техн., хим. и геол. наук, 1981, Ш 4, с.31−39.
  104. Aven M., Prener J.S. Physics and Chemistry of II-VI Gompounds, North Holland Publ. Go., Amsterdam, 1967, p.575.
  105. A.A., Крадинова JI.В., Паримбеков З. А., Рудь Ю. В. Диоды Шотки на основе p-ZnSnP^ ФТП, 1982, т. 16, в.2, с.248--253.
  106. Г. А., Паримбеков З. А., Рудь Ю. В., Поляризованная люминесценция CdSnP2 через глубокие центры. В сб.: Тезисы докладов П Всесоюзного совещания по глубоким уровням в полупроводниках. Ташкент, 1980, ч.2, с. 72.
  107. Ю.В., Вайполин А. А., Калевич Е. С., Медведкин Г. А., Паримбеков З. А., Соколова В.И. Анизотропия фотоактивного поглощения и излучательной рекомбинации твердых растворов
  108. CdSn Ge- PQ .- ФТП, 1981, т.15, в.12, с.2366−2372.
  109. Дж. Статистика электронов в полупроводниках. М., Мир, 1964, с. 392.
  110. Growell C.R., Sze S.M. Current transport in metal-semiconductor barriers. -Sol. Stat. Electron, 1966, 9, p.1035 -2 -1048.
  111. Г. З., Крадинова Л. В., Шилейка А. Ю. Спектры электроотражения ZnSnP2 . ФТП, 1972, т.6, Ш II, с.2306−2308.
  112. Г. А., Овезов К., Рудь Ю. В., Соколова В. И. Поляризационные свойства диодов из CdSnP2 . ФТП, 1976, т.10, МО, с.2081−2086.
  113. Maltseva I.A., LTaitiedov A., Rud Yu.V., Undalov Yu.K. The photosensitivity of diodes based on CdGeP2: In crystals.-Phys.Stat.Sol. (a). 1978, ?0, 445−448.
  114. . Оптические процессы в полупроводниках. М., Мир, 1973, с.45б.
  115. Ю.Ф., Ичкитидзе P.P., Кригель В. Г., Чалдышев В. В., Шмарцев Ю. В. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны нелегированного твердого раствора GaAs- .Sb (х ©.05).i ~'1 ji. jv- ФТП, 1979, т.13, KS II, с.2276−2279.
  116. A.M., Воляр A.B., Кучиян JI.M. Поляризационная модуляция света в многомодовом световоде. Письма в ЖТФ, 1981, 7, с.55−57.
  117. A.A., Паримбеков З. А., Рудь Ю. В. Энергетический спектр монокристаллов AginS2 тетрагональной модификации.- Укр. физический журнал, 1983, т.28, в.1, с.121−125.
  118. Ю.В., Паримбеков З. А. Поляризация люминесценции монокристаллов AgInS2. ФТП, 1983, т.17, в.2, с.281−287.
  119. З.А., Рудь Ю. В. Фотолюминесценция кристаллов ромбической модификации AgInS2. ФТП, 1983, т.17, в.2, с.341--344.
  120. Ю.В., Абдурахимов A.A., Вайполин A.A., Паримбеков З. А., Прочухан В.Д."Анизотропия фотопроводимости ромбической модификации AgInS2. ЖПС, 1983, т.38, в.5, с.814−818.
  121. Н.В., Зиновьев Н. Н., Матвеев О. А., Ярошецкий И. Д., Рекомбинационное излучение экситонов высокой плотности в кристаллах теллурида кадмия. ФТП, 1980, т.14, № I, с.55−61.
  122. Т., Хансел Дж., Филлипс Т., Томас Г. Электронно-дырочная жидкость в полупроводниках. М., Мир, 1980, с. 349.
  123. В.Н., Бондарь И. В., Недзвецкий Д. С. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны cuGaSg • ~ ФТП, 1982, т.16, ?й I, с.180−182.
  124. Segall В., Ilarple D.T.F. In Physics and Chemistry of II-VI Compounds, edited by M. Aven and J.S.Prener, North-Holland, Amsterdam, 1967, p.319.
  125. Collins R.J., Hopfield J.J. Polarization of the Edge Emission in CdS.- Phys.Rev., 1960, 120, p.840−842.
  126. В.В., Остапенко С. С., Тапатар М. А., Шейнкман Оптическая анизотропия центров красной люминесценции в cdS, облученном тепловыми нейтронами. ФТТ, 1981, т.23, № II, с.3320−3325.
  127. Ю.В., Овезов 1С. Фотоэлектрические свойства диодов на основе n-ZnSiAs2. ФТП, 1975, т.9, Ш 5, с.951−957.
  128. ОСНОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ
  129. Г электрический вектор световой волны РИ
  130. Е^-г- электрический вектор световой волны в возбуждавшем луче- угол между ?* и Су- фототок при заданном значении сринтеноивнооть РИ при заданном угле у Е^- ширина запрещенной зоны
  131. TQ температура термообработки < ^
  132. J- угол отклонения оси С от плоскости (112) ¿-Г — отклонение состава от стехиометрии Еех — Экситонная ширина запрещенной зоны
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?