Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Структура и свойства функциональных слоев нитрида кремния на различных стадиях их формирования в технологии устройств нано-и микросистемной техники

Диссертация: Структура и свойства функциональных слоев нитрида кремния на различных стадиях их формирования в технологии устройств нано-и микросистемной техники
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Влияние поверхности полиимида на состав и свойства слоев нитрида кремния, осажденных на его поверхность, распространяется на 4 — 10 нм, приводит к повышенной концентрации атомов кислорода и азота вблизи границы раздела и обусловлено адсорбционными эффектами и химическим взаимодействием реакционных газов с активными группами полиимида. Плазмохимическая обработка полиимидных слоев, проводимая перед… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Литературный обзор
    • 1. 1. Конструкции исполнительных элементов устройств микро- и наносистемной техники на основе тонких слоев нитрида кремния, выполняемых с применением полиимидных «жертвенных» слоев
    • 1. 2. Технологические процессы изготовления исполнительных элементов устройств микро- и наносистемной техники на основе слоев нитрида кремния с применением полиимидных «жертвенных» слоев
    • 1. 3. Структура и свойства тонких слоев нитрида кремния
  • Глава 2. Исследование закономерностей формирования структуры и свойств слоев нитрида кремния на полиимидных покрытиях и пленках
    • 2. 1. Объекты исследования, способы получения и обработки образцов
    • 2. 2. Методы исследования
    • 2. 3. Влияние соотношения реакционных газов на химическое строение и модуль упругости слоев нитрида кремния
    • 2. 4. Влияние подложки на состав и структуру осажденных слоев нитрида кремния
    • 2. 5. Влияние подложки на морфологию осажденных слоев нитрида кремния
    • 2. 6. Влияние плазмохимической обработки на поверхностную энергию полиимидного покрытия
    • 2. 7. Влияние плазмохимической обработки полиимидного покрытия на поверхностную энергию и расчетную работу адгезии осажденных I слоев нитрида кремния различной толщины в сухом и увлажненном состоянии
  • Глава 3. Исследование закономерностей травления полиимидных «жертвенных» слоев из зазоров, состава и свойств освобожденных травлением слоев нитрида кремния
    • 3. 1. Объекты и методы исследования
    • 3. 2. Кинетика травления полиимидных «жертвенных» слоев при различной топологии слоя нитрида кремния и длительности травления
    • 3. 3. Состав продуктов травления полиимидного «жертвенного» слоя
    • 3. 4. Состав освобожденной травлением полиимидного «жертвенного» слоя поверхности нитрида кремния
    • 3. 5. Влияние толщины слоя нитрида кремния на остаточные деформации тестовых балочных элементов на его основе
  • Глава 4. Использование полученных результатов в разработке технологии изготовления компонентов устройств нано- и микросистемной техники
    • 4. 1. Формирование структур на основе наноразмерных слоев нитрида кремния с использованием полиимидных «жертвенных» слоев для матричных микроболометрических приемников ИК-излучения
    • 4. 2. Формирование защитных слоев на основе нитрида кремния для газового сенсора на основе композиционных покрытий «полиимид -многостенные углеродные нанотрубки»

Структура и свойства функциональных слоев нитрида кремния на различных стадиях их формирования в технологии устройств нано-и микросистемной техники (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Устройства нанои микросистемной техники находят все более широкое практическое применение и являются одними из основных результатов развития нанои микротехнологий. Основными задачами при их создании являются уменьшение массогабаритных характеристик, расширение функциональных возможностей, увеличение степени интеграции, быстродействия и снижение себестоимости. Наиболее эффективным путем решения указанных задач является применение технологии поверхностной микрообработки для формирования исполнительных элементов микросистем на одной подложке с системой считывания или управления. Эта технология базируется на использовании как основных функциональных, так и вспомогательных технологических, или «жертвенных», слоев, удаляемых на определенных стадиях технологического процесса. В качестве функциональных слоев наиболее перспективным является использование слоев нитрида кремния, наносимых низкотемпературным газофазным плазмохимическим осаждением, в частности методом СВЧ-плазменного стимулирования реакций моносилана SiHf и азота N2 в условиях электронно-циклотронного резонанса, и обладающих высокими показателями физико-механических и электрофизических свойств, а в качестве «жертвенных» — полиимидных слоев, получаемых из растворов преполимеров на поверхности подложки и обладающих высокой термостойкостью и повышенной, по сравнению с функциональными слоями нитрида кремния, скоростью травления «сухими» (плазменными) методами, в первую очередь в высокочастотной плазме воздуха.

В литературе отсутствуют систематизированные данные о структуре и свойствах слоев нитрида кремния, сформированных на полиимидных «жертвенных» слоях указанным методом, механизме и кинетике процесса травления «жертвенного» слоя из зазора между функциональным слоем и подложкой в высокочастотной плазме воздуха, а имеющиеся данные носят разрозненный характер и относятся, в основном, к характеристикам нитрида кремния, осажденного на кремниевую подложку. Работы, относящиеся к разработкам устройств с применением систем «нитрид кремнияполиимидный „жертвенный“ слой», не содержат описаний результатов исследований, посвященных свойствам материалов и выявлению закономерностей травления «жертвенных» слоев. Сочетание практической необходимости исследований и отсутствие литературных данных по теме диссертации обуславливает актуальность работы.

Цель работы заключалась в исследовании закономерностей формирования структуры и свойств нанои микроразмерных слоев нитрида кремния на полиимидных «жертвенных» слоях, процессов травления последних в высокочастотной плазме воздуха и разработке на этой основе технологических процессов, используемых при изготовлении устройств нанои микросистемной техники.

Для достижения поставленной цели в работе необходимо было решить следующие задачи:

— исследовать влияние объемного соотношения реакционных газов, моносилана SiH4 и азота N2, при осаждении слоев нитрида кремния на их химическое строение и модуль упругости;

— выявить влияние полиимидного слоя на химический состав и морфологию осаждаемых слоев нитрида кремния;

— определить влияние режимов осаждения и толщины слоев нитрида кремния на энергетические свойства их поверхности и адгезию к полиимидным слоям до и после дополнительной плазмохимической обработки последних;

— исследовать кинетику травления полиимидных «жертвенных» слоев в высокочастотной плазме воздуха, состав и структуру выделяющихся.

1 продуктов, а также установить влияние процесса травления на состав освобождаемой поверхности нитрида кремнияt ?

— установить влияние толщины слоев нитрида кремния на остаточные деформации балочных элементов на их основе после травления полиимидного «жертвенного» слоя;

— разработать технологию формирования слоев нитрида кремния на полиимидных покрытиях для изготовления исполнительных элементов устройств нанои микросистемной техники: микроболометрических приемников ИК-излучения и газового сенсора на основе композиционных покрытий «полиимид — многостенные углеродные нанотрубки».

Тема и содержание диссертации являлись составной частью завершенных работ, выполненных на основании Постановления Правительства РФ по Государственному оборонному заказу на 2001 год, Федеральной целевой программе «Национальная технологическая база» на 2002;2006 годы, Федеральной целевой программе «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007 — 2012 годы», а также инициативных работ.

Научная новизна.

Впервые проведенными систематическими комплексными исследованиями наноразмерных слоев нитрида кремния (толщиной от 1 до 500 нм), осажденных на поверхности полиимидных покрытий методом СВЧ-плазменного стимулирования в условиях электронно-циклотронного резонанса из смеси реакционных газов — моносилана Sifij и азота N2, установлено, что структура и свойства слоев в решающей степени определяются соотношением реакционных газов и влиянием поверхности полиимида.

Показано, что с увеличением соотношения Sifit/TSb от 0,3 до 1,06 полярная составляющая свободной поверхностной энергии слоев нитрида кремния уменьшается от 27,1 до 1,3 мДж/м вследствие замещения полярных (Si-N) на неполярные (Si-Si) связи. Модуль упругости слоев нитрида кремния слабо зависит от соотношения реакционных газов и, соответственно, от химического состава слоев вследствие их аморфной структуры и пористости. Различия в модуле упругости, определенном по кривым «нагрузка — деформация» слоистой пленки нитрид «кремния — полиимиднитрид кремния» (60−70 ГПа) и методом наноиндентирования (75−80 ГПа), обусловлены меньшим влиянием пористости в локальном методе.

Влияние поверхности полиимида на химический состав и свойства слоев нитрида кремния, обусловленное адсорбционными эффектами и химическим взаимодействием реакционных газов с активными группами полиимида, распространяется на 4 — 10 нм и приводит к повышенной концентрации атомов кислорода и азота вблизи границы раздела. Плазмохимическая обработка поверхности полиимида сопровождается увеличением по сравнению с необработанной поверхностью расчетной работы адгезии к ним слоев нитрида кремния на 5−12% в сухом состоянии и ее уменьшением в присутствии воды на границе раздела на 32−63% в зависимости от состава слоев нитрида кремния.

Параметры шероховатости поверхности слоев нитрида кремния, осажденных на поверхность полиимида, соответственно, в 2 и в 11 раз ниже^ по сравнению со слоями, осажденными на поверхности кремния и алюминия, вследствие меньшего агрегирования структурных единиц осаждаемого слоя на поверхности полиимида.

Впервые проведенными комплексными исследованиями травления в высокочастотной плазме воздуха полиимидных «жертвенных» слоев в зазоре между слоем нитрида кремния и кремниевой подложкой в сравнении с открытой поверхностью полиимида, а также состава и свойств высвобождаемых слоев нитрида кремния, выявлены зависимости механизма и кинетики травления «жертвенных» слоев от их толщины и топологии тестовых элементов, а состава и свойств высвобождаемых функциональных слоев, соответственно, от длительности травления и их толщины.

Впервые показана возможность получения сплошной свободной пленки нитрида кремния толщиной 4 нм плазмохимическим травлением полиимидного «жертвенного» слоя. Установлено, что скорость травления полиимидных «жертвенных» слоев толщиной меньше 10 мкм при заданных условиях сначала возрастает до максимума, высота и положение которого зависит от толщины слоя, а затем уменьшается практически до нуля при увеличении длительности и глубины травления. Скорости травления «жертвенных» слоев толщиной больше 10 мкм и открытой поверхности полиимидного покрытия практически одинаковы, не зависят от продолжительности процесса и определяются только температурой в установке. Продукты травления тонких «жертвенных» слоев характеризуются повышенным содержанием азота и кислорода по сравнению с продуктами травления открытой поверхности полиимида.

Состав поверхности высвобождаемого слоя нитрида кремния, обращенной' к «жертвенному» слою, зависит от продолжительности воздействия на нее плазмы воздуха: чем оно больше, тем выше содержание атомов кислорода на поверхности и тем больше различие в их распределении по глубине вытравливания. Напряженно-деформированное состояние высвобождаемых слоев при заданных режимах их осаждения и травления «жертвенного» слоя сложным образом зависит от их толщины.

Практическая значимость.

Результаты комплексных исследований, проведенных в работе, использованы при разработке технологии плазмохимического осаждения слоев нитрида кремния на полиимидные «жертвенные» слои и травления последних, что позволило воспроизводимо получать микромостиковые структуры с минимальными остаточными напряжениями для матричных микроболометрических приемников ИК-излучения с высоким уровнем его поглощения. Разработана методика измерения теплофизических характеристик микромостиковых структур для контроля качества матричных микроболометрических приемников ИК-излучения.

Полученные в работе результаты исследований использованы также при разработке технологии изготовления газовых сенсоров на основе композиционных покрытий «полиимид — многостенные углеродные нанотрубки», в результате чего получены эффективные защитные слои от проникновения влаги при работе сенсора во влажной атмосфере.

Результаты работы использованы в учебном процессе при подготовке магистров по направлению 150 600 «Материаловедение и технологии новых материалов» и инженеров по специальности 150 601 «Материаловедение и технологии новых материалов» в «МАТИ» — РГТУ им. К. Э. Циолковского.

Практическая значимость результатов работы подтверждена заключениями об использовании ОАО «ЦНШТ'Циклон», «МАТИ» -РГТУ им. К. Э. Циолковского, ФГУП «НИФХИ им. JL Я. Карпова».

ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ.

1. Исследованиями слоев нитрида кремния толщиной от 1 до 500 нм, осажденных методом СВЧ-плазменного стимулирования в условиях электронно-циклотронного резонанса на поверхность полиимидных «жертвенных» слоев установлено, что значительное влияние на их структуру и свойства оказывает соотношение реакционных газов — моносилана и азота. Повышенное содержание моносилана в смеси реакционных газов сопровождается замещением полярных (Si-N) на неполярные (Si-Si) связи и резким уменьшением полярной составляющей свободной поверхностной энергии слоев нитрида кремния: от 27,1 до 1,3 мДж/м2 при увеличении соотношения SiH4/N2 от 0,3 до 1,06. Различия в модуле упругости, определенном «глобальным» методом по кривым «нагрузка — деформация» слоистой пленки нитрид «кремния — полиимид — нитрид кремния» (60−70 ГПа) и «локальным» методом наноиндентирования (75−80 ГПа), обусловлены меньшим влиянием пористости в «локальном» методе. При этом модуль упругости слоев нитрида кремния слабо зависит от соотношения реакционных газов и, соответственно, от химического состава вследствие аморфной структуры и пористости.

2. Влияние поверхности полиимида на состав и свойства слоев нитрида кремния, осажденных на его поверхность, распространяется на 4 — 10 нм, приводит к повышенной концентрации атомов кислорода и азота вблизи границы раздела и обусловлено адсорбционными эффектами и химическим взаимодействием реакционных газов с активными группами полиимида. Плазмохимическая обработка полиимидных слоев, проводимая перед осаждением слоев нитрида кремния в среде воздуха, азота и аргона, приводит к увеличению свободной поверхностной энергии полиимидных слоев за счет полярной (электронно-донорной) компоненты. При обработке в высокочастотной плазме воздуха достигается предельное значение поверхностной энергии, равное 77,5 мДж/м. При этом в начальный момент плазмохимической обработки на поверхности полиимида происходит образование карбоксильных групп, а при увеличении длительности обработки до 900 с, их концентрация снижается от 1,4×10″ 15 до 0,2×10″ 15 моль/см. Плазмохимическая обработка поверхности полиимида сопровождается также увеличением расчетной работы адгезии слоев нитрида кремния на 5−12% в сухом состоянии и ее уменьшением в присутствии воды на границе раздела на 32−63% (в зависимости от соотношения реакционных газов) по сравнению с необработанным состоянием. Параметры шероховатости поверхности слоев нитрида кремния, осажденных на поверхность полиимида, соответственно, в 2 и в П раз. ниже по сравнению со слоями, осажденными на поверхности кремния и алюминия вследствие меньшей степени агрегирования структурных единиц осаждаемого слоя на поверхности полиимида.

3. Исследованиями кинетики и состава продуктов плазмохимического травления в высокочастотной плазме воздуха полиимидных «жертвенных» слоев толщиной от 5 нм до 15 мкм в тонком зазоре между функциональным слоем нитрида кремния и кремниевой подложкой выявлена зависимость механизма и кинетики травления «жертвенных» слоев от их толщины и топологии тестовых элементов. Скорость травления полиимидных «жертвенных» слоев толщиной менее 10 мкм при заданных условиях проходит на начальных стадиях через максимум, высота и положение которого зависят от толщины слоя, и уменьшается практически до нуля* при увеличении глубины травления, тогда как скорость травления открытой поверхности полиимидного покрытия не зависит от продолжительности процесса и определяется только температурой в установке. Такой характер зависимостей длины вытравленного полиимидного «жертвенного» слоя от его толщины объясняется изменением условий теплообмена и массопереноса в «жертвенном» слое с изменением его толщины. При толщине «жертвенного» слоя более 10 мкм скорость травления этого слоя и свободной поверхности полиимида практически одинаковы. Продукты травления тонких полиимидных «жертвенных» слоев характеризуются повышенным содержанием азота и кислорода по сравнению с продуктами травления открытой поверхности полиимида.

4. Поверхность слоя нитрида кремния, обращенная при формировании к «жертвенному» слою и высвобождаемая при его травлении, неоднородна по составу и распределению' элементов. Неоднородность зависит от длительности травления: чем дольше происходит воздействие компонентов плазмы на поверхность нитрида кремния, тем выше в ней содержание атомов кислорода.

5. Выявлена корреляция напряженно-деформированного состояния высвобождаемых слоев нитрида кремния, осажденных при соотношении SiH|/N2, равном 0,69, от их толщины в диапазоне от 100 до 500 нм. Показано, что с ростом толщины величины деформаций увеличиваются, изменяют свой знак от отрицательных к положительным при толщине порядка 300 нм и достигают максимума при толщине около 400 нм. При дальнейшем увеличении толщины до 500 нм величины деформаций снижаются, вторично изменяя, знак от положительных к отрицательным при толщине порядка 450 нм.

6. Показана возможность получения методом плазмохимического травления полиимидного «жертвенного» слоя сплошной свободной пленки нитрида кремния толщиной около 4 нм.

7. Результаты исследований, полученные в работе, использованы для разработки технологии плазмохимического осаждения слоев нитрида кремния на полиимидных «жертвенных» слоях и травления последних при изготовлении матричных микроболометрических приемников ИК-излучения, что позволяет воспроизводимо получать слои нитрида кремния с высокой адгезией к полиимиду и микромостиковые структуры с минимальными остаточными напряжениями и высоким уровнем поглощения ИК-излучения. Разработана оригинальная методика измерения теплофизических характеристик микромостиковых структур для контроля качества матричных микроболометрических приемников ИК-излучения. Полученные в работе экспериментальные данные использованы при разработке технологии изготовления газовых сенсоров на основе композиционных покрытий «полиимид — многостенные углеродные нанотрубки» с эффективной защитой от проникновения влаги при работе сенсора во влажной атмосфере.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Madou M.J. Fundamentals of Microfabrication. CRC Press, 1997, 576 p.
  2. Ко vacs G.T. A Micromachined Transducers Sourcebook. McGraw Hill Text. 1998, 944 p.
  3. Maluf N. An Introduction to Microelectromechanical Systems Engineering (Artech House MEMS Library). Artech House, 1999, 290 p.
  4. А. И., Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Высшая школа, 1979, 367 с.
  5. И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии. Под ред. Шальнова А. В. М.: Мир, 1982, 496 с.
  6. В. Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров: Учебник для вузов. М.: Радио и связь, 1987, 464 с.
  7. Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем: Пер. с англ. М.:. ¦ Мир, 1989, 630 с.
  8. Burns D. W., Guckel Н. Thin films for micromechanical sensors // J. Vac. Sci. Technol., 1990, v. 8, № 4, pp. 3606−3613.
  9. D., Рука A., Dziuban J., Puers R. Corrugated silicon nitride membranes as suspensions in micromachined silicon accelerometers // J. Micromech. Microeng., 1996, № 6, pp. 73−76.
  10. Himmer P., Dickensheets D. Dynamic behavior of high speed, silicon nitride deformable mirrors // Proc. SPIE., 2004, v. 5348, pp. 150−159.
  11. Kim S.J., Cho Y.H., Nam H.J., Bu J.U. Piezoelectrically pushed rotational micromirrors for wide-angle optical switch applications // Proceeding of the IEEE 16th International Conference on MEMS, 2003, pp. 263−266.
  12. Folkmer В., Steiner P., Lang W. A pressure sensor based on a nitride membrane using single-crystalline piezoresistors // Sensors and Actuators A: Physical, 1996, v. 54, № 1−3, pp 488−492.
  13. Smith J. H., Barron С. C., Fleming J. G., Montague S., Rodriguez J. L., Smith В. K., Sniegowski J. J. Micromachined sensor and actuator research at the Microelectronics Development Laboratory // Proc. SPIE., 1995, v. 2448, pp. 152−157.
  14. Scheeper P. R., Voorthuyzen J. A., Bergveld P. PECVD silicon nitride diaphragms for condenser microphones // Sensors and Actuators B: Chemical, 1991, v. 4, № 1−2, pp. 79−84.
  15. A. W., Ning Y. В., Tait N. Fabrication of a surface micromachined capacitive microphone using a dry-etch process. Patent US 5 573 679, 1996.
  16. Oberhammer J., Stemme G. Low-voltage high isolation DC-to-RF MEMS switch based on S-sharped film actuator // IEEE Trans. On Electron Devices, 2004, pp. 149−155.
  17. Sun X. Folded spring based microelectromechanical (mem) RF swith. Patent US 6 307 452 В 1,2001.
  18. Cole B.E. Microstructure design for high IR sensivity. Patent US 5 286 976^ 1994.
  19. Anderson J. Structures for temperature sensors and infrared detectors. Patent US 6 292 089 Bl, 2001.
  20. Higashi R. E. Thermal sensor and method of making same Patent US 6144 285, 2000.
  21. Fitzgibbons E. T. Pixel structure having a bolometr with spaced apart absorber and transducer layrs an associated fabrication method. Patent US, 6 307 194 Bl, 2001.
  22. Morris H. B. High responponsivity thrmochromic infrared detector. Patent US 5 900 799, 1999.
  23. Butler D. P., Celik-Butler Z., Shan P.-C. Uncooled YBACuO thin film infrared detector. Patent US 5 672 903, 1997.
  24. Higashi R. E., Holmen J. O., Johnson R. G. Thermal sensor. Patent US 5 300 915, 1994.
  25. Е., Чернокнижии В. Матричные ИК приемники для малогабаритных телевизионных камер // Электронные компоненты, 2001. № 1, с. 32−36.
  26. Jerominek Н., Pope Т. D., Renaud М., Swart N. R., Picard F. Lehoux M., Saward S., Bilodeau G., Audet D., Phong L. N., Qui C. N. 64×64, 128×128, 240×320 pixel uncooled IR bolometric detector arrays // Proc. SPIE, 1997, v. 3061, pp. 236−247.
  27. Antoszewski J., Wichester K. J, Keating A. J., Nguyen Т., Silva К. К. M. B. D., Huang H., Musca C. A., Dell J. M., Faraone L. MEMS based tunable infrared sensors // Proc. SPIE, 2005, v. 5840, pp. 91−100.
  28. Faraone L. MEMS for tunable multi spectral infrared sensor arrays // Proc. SPIE, v. 5957, pp. 59 570 °F.
  29. Kouba J., Eberhardt W., Loechel B. Wavelength filter for visiable wavelength based on photonic crystal // Proc. SPIE, v. 6182, pp. 61820R.
  30. Нано- и микросистемная техника. От исследований к разработкам. Сборник статей под ред. д.т.н., профессора Мальцева П. П. М.: Техносфера, 2005, 592 с.
  31. J. W., Varadan V. К. Microsensors, MEMS and smart devices. John Wiley & Sons, 2001,503 p.
  32. Lescouzeres L., Guillemet J. P., Lavigne A. P. Method for forming a semiconductor sensor device. Patent US 5 907 765, 1999.
  33. В., Виной К., Джозе К. ВЧ МЭМС и их применение. М.: Техносфера, 2004, 528 с.
  34. Huang S., Li В., Zhang X. Elimination of stress-induced curvature in microcantilever infrared focal plane arrays // Sensors and actuators A, 2006, v. 130−131, pp. 331 -339.
  35. Li B. Design and simulation of an uncooled double-cantilever microbolometr with potential for mk NETD // Sensors and actuators A, 2004, v. 112, pp. 351 -359.
  36. Memmi D., Foglietti V, Cianci E., Caliano G., Pappalardo M. Fabrication of capacitive micromechanical1 ultrasonic transducers by low-temperature process // Sensors and actuators A, v. 99, № 1 2, pp. 85 — 91.
  37. А.А. Физико-химические и технологические основы получения полиимидных струкур для микроэлектронных устройств микромеханики и микросенсорики / Дисс. на соиск. уч. ст. д.т.н. -М., ПроСофт-М, 2003. -315 с.
  38. М.И., Котон М. М., Кудрявцев В. В., Лайус JT.A. Полиимиды -класс термостойких полимеров. Л.: Наука, 1983.
  39. Polyimides: Fundamental and applications. Edited by M. Ghosh, K. Mittal, Marcel Decker Inc., New York, Basel, Hong Kong, 1996.
  40. Bagolini A., Pakula L. Scholtes T. L. M., Pham H. Т. M., French P. J., Sarro P. M. Polyimide sacrificial layer and novel materials for post processing surface micromachining // J. Micromech. Microeng., 2002, № 12, pp. 385 -389.
  41. Ahmed A. H. Z., Tait R. Z. Fabrication of self absorbing, self — suppotered complementary metal — oxide — semiconductor compatible micromachined bolometers // J. Vac. Sci. Technol., 2004, v. A 22, № 3, pp. 842 — 846.
  42. Ни M., Chen J., Lai Z., Mao H., Sheng D. Research for polyimide sacrificial layer in MEMS device // Proc. SPIE, 2004, v. 5774, pp. 642 645.
  43. A., Pisani M. В., Tsamados D., Csaaet F., Ancey, Ionescu A. M., MEMS tunable capacitors with fragmented electrodes and rotational electrothermal drive // Microsystem Technologies, 2007. v. 13, № 11−12, pp. 1589−1594.
  44. Kim Y. — J., Allen M. G. Surface micromachined solenid inductors for high frequency applications // Proc. SPIE, v. 3235, pp. 1−6.
  45. Silverbook K. Method of manufacture of a thermally actuated ink jet including s tapered heating element. Patent US 6 180 427 Bl, 2001.
  46. Becher D., Chan R., Hattendorf M., Feng M. Reliability study of low-voltage RF MEMS switches // GaAs MANTECH Conference Digest of Papers, Vancouver, Canada, 2002, pp. 54−57.
  47. Sato N., Shigematsu S., Morimura H., Yano M., Kudou K., Kamei Т., Machida K. Novel surface structure and its fabrication process for MEMS fingerprint sensor // IEEE trans, electron devices, 2005, v. 52, № 5, pp. 10 261 032.
  48. M.JI. Исследование' ориентации и механических свойств аморфной и кристаллической пленок полиимида на основе пиромеллитового диангидрида и 4,4'-диаминодифенилоксида / Дисс. на соиск. уч. ст. к.т.н. М., НИИПМ им. Г. С. Петрова, 1973. — 171 с.
  49. Kazinczi R., Mollinger J. R., Bossche A. Reliability of silicon nitride as structural material in MEMS // Proc. SPIE, 1999, v. 3875, pp. 174−183.
  50. Mastrngelo G. H. Adhesion related failure mechanisms in microelectromechanical device // Tribology Letters, 1997, v. 3, № 3, pp. 223 -238.
  51. Chinn J. D., Gopal V., Soukane S., Leung T. Y. B. Dry etch release of MEMS structures. Patent US 6 666 979, 2003.
  52. А. А., Здобников A. E., Тарасов В. В., Четверов Ю. С. Микромашинная технология формирования мостиковых структур микроболометрической матрицы формата 64×64 // Прикладная Физика, 2003, № 3,48−51.
  53. С. А. Структурные эффекты плазмохимической обработки тонких полиимидных пленок и покрытий в технологии устройств' микросистемной техники / Дисс. на сосиск. уч. ст. к.т.н. -М., «МАТИ» -РГТУ им. К. Э. Циолковского, 2004. -180 с.
  54. А. А., Жукова С. А., Корнеева Г. А., Четверов Ю. С. Влияние плазмохимического травления на свойства тонких полиимидных покрытий различного химического состава и молекулярной массы // Прикладная физика, 2004, № 2, с. 53 —58.
  55. Нитрид кремния в электронике. Под ред. Ржанова А. В. Новосибирск: Наука. Сиб. Отделение, 1982, 200 с.
  56. В. Ю., Столяров А. А. Технологии- микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы. М.: Техносфера, 2006, 192 с.
  57. Shapoval S.Y., Petrashov V.T., Popov OA., Yoder M.D. Maciel Jr., P.D., Lok C.K.C. Electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition of large area uniform silicon nitride films // J. Vac. Sci. Technol. A, v. 9, № 6, 1991, pp. 3071−3076.
  58. Walmsley В. A., Liu Y., Hu Z, Bush M. В., Winchester K. J., Martyniuk M, Dell J. M, Faraone L. Effects of deposition temperature on mechanical and physical properties of silicon nitride thin films // J. Appl. Phys., 2005, v. 98, pp. 44 904.
  59. Mackenzie K.D., Reelfs В., DeVre M.W., Westerman R., Johnson D.J. Characterization and Optimization of Low Stress PECVD silicon nitride for Production GaAs Manufacturing http://www.mantech.Org/Digests/2004/2004Papers/12.4.pdf.
  60. Martyniuk M., Antoszewski J., Walmsley B. A., Musca C. A., Dell J., Jung Y., Lawn B. R., Huang H., Faraone L. Determination of mechanical properties of silicon nitride films using nanoindentation // Proc. SPIE, 2005, v. 5798, pp. 216−225.
  61. Martyniuk M, Antoszewski J, Musca C. A, Dell J, Faraone L. Determination of residual stress in low temperature PECVD silicon nitride thin films // Proc. SPIE, 2004, v. 5276, pp. 451−462.
  62. Soh M, Savvides N, Musca C. A, Dell J. M, Faraone L. Chemical structure of low-temperature plasma deposited silicon nitride thin films // Proc. SPIE, 2004, v. 5276, pp. 434−441.
  63. Nowling G. R, Babayan S. E, Jankovic V, Hicks R. F. Remote plasma -enchanced chemical vapor deposition of silicon nitrde at atmospheric pressure. //Plasma Sources Sci. Technol, 2002, v. 11, pp. 97−103.
  64. Lee С. C., Wang С. M., Xu C.-L., Chang J. Y., Liao Y. M. Chi G. C. Nano -structured diffractive optical ekements on SiNx membrane for UV-visible regimr application // Proc. SPIE, 2004, v. 5515, pp. 170 179.
  65. Han. G. С., Luo P., Li К. В., Lio Z. Y., Wu Y. H. Growth and characterization of silicon nitride films on various underlying materials // Appl. Phys., 2002, v. A 74, pp. 243−247.
  66. Taylor J. A. The mechanical properties and microstructure of plasma enchanced chemical vapor deposited silicon nitride thin films* // J. Vac. Sci. Technol., 1991, v. A 9, № 4, pp. 2464 2468.
  67. Cai L., Rohatgi A., Yang D., El-Sayed M. A. Effects of rapid thermal anneal on refractive index and hydrogen content of plasma-enchanced chemical vapor deposited silicon nitride films // J. Appl. Phys., 1996, v. 80, № 9, pp. 5384 -5388.
  68. Y. В., Rhee S. W. Bulk and interface properties of low-temperature silicon nitride films deposited by remote plasma enhanced chemical vapor deposition //J. Mater. Sci., 2001, v. 12, pp. 515−522.
  69. Zhou H., Elgaid K., Wilkinson C., Thayne I. Low-Hydrogen-Content Silicon Nitride Deposited at Room Temperature by Inductively Coupled1 Plasma Deposition //Jpn. J. Appl. Phys., 2006, v. 45, № 10 B, pp. 8388−8392.
  70. Panepucci R. R., Diniz J. A., Carli E., Tatsch P. J., Swart W. Silicon nitride deposited by electron cyclotron resonance plasma enchanced chemical' vapor deposition for micromachining application // Proc. SPIE, 1998, v. 3512, pp. 146−151.
  71. Nakayama S. ECR (electron cyclotron resonance) plasma for thin film. technology // Pure and Appl. Chem., 1990, v. 62, № 9, pp. 1751−1756.
  72. Ye C., Ning Z., Shen M., Cheng S., Gan Z. Microstructure and dielectric properties of silicon nitride dilms deposited by electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition // J. Appl. Phys, 1998, v. 83, № 11, pp. 5978−5984.
  73. Barbour J. C., Stein H. J., Popov O. A., Yoder M., Outten C. A. Silicon nitride formation from silan nitrogen electron cyclotrone resonance plasma // J. Vac. Sci. Technol., 1991, v. A 9, № 3, pp. 480−484.
  74. С., Knick D. С., Bailey J. В., Spencer J. E. Silicon nitride films deposited at substrate temperatures <100°C in a permanent magnet electron cyclotron resonance plasma // J. Vac. Sci. Technol., 1999, v. A 17, № 5, pp. 2612−2618.
  75. Flewitt A. J., Dyson A. P., Robertson J., Milne W. I. Low temperature growth of silicon nitride by electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapour deposition // Thin solid films, 2001, v. 383, pp. 172 177.
  76. Leclerc S., Lecours A., Caron M., Richard E., Turcotte G., Currie J. F. Electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposited silicon nitride for micromechanical application // J. Vac. Sci. Technol. A, 1998, v. 16, № 2, pp. 881 884.
  77. Besland M. P., Lapeyrade M., Delmotte F., Hollinger. G. Interpretation of stress variation in silicon nitride films deposited by electron cyclotron resonance plasma // J. Vac. Sci. Technol. A, 2004, v. 22, № 5, pp. 1962 -1970.
  78. Popov O. A. Effects of magnetic field and microwave power on electron cyclotrone resonance-type plasma characteristics // J. Vac. Sci. Technol. A, 1991, v. 9, № 3, pp. 711−716.
  79. Colligon J. S. Energetic condesation: Processes, properties, and products // J. Vac. Sci. Technol. A, 1995, v. 13, № 3, pp. 1649 1657.
  80. Kim J. H., Chung K. W. Microstructure and properties of silicon nitride thun films deposited by reactive bias magnetron sputtering // J. Appl. Phys., 1998, v. 83, № 11, pp. 5831 -5839.
  81. Vila M., Caceres D., Prieto C. Mechanical properties of sputtered silicon nitride thin films // J. Appl. Phys., 2003, v. 94, № 12, pp. 7868 7873.
  82. Janus A. R., Shirn G. A. Preparation and propertie of reactively sputtered silicon nitride // J. Vac. Sci. Technol, 1966, v.4, № 1, pp. 37 40.
  83. Vargheese K. D., Rao G. M. Ion assisted deposition of silicon nitride films using electron cyclotron resonance plasma // J. Vac. Sci. Technol. A, 2001, v. 19, № 4, pp. 1336- 1340.
  84. А. К., Bhattacharyya Т. К., Banerjee R., Batabyal A. K., Ваша A. K. Study of Hydrogenated Amorphous Silicon Nitride Films Prepared by RF Magnetron Sputtering // Appl Phys., 1991, v. A52, pp. 339 -343.
  85. Sugimoto I., Yanagisawa K., Kuwano H., Nakano S., Tago A. Characterization of hydrogen and oxygen atoms in SiN films produced by plasma enchanced reactive sputtering // J. Vac. Sci. Technol. A, 1994, v. 12. № 5. pp. 2859−2866.
  86. Vargheese K. D., Rao G. Electrical properties of silicon nitride films prepared by electron cyclotron resonance assisted sputter deposition // J. Vac. Sci. Technol. A, 2001, v. 19, № 5, pp. 2122 2126.
  87. Готра 3. Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. М.: Радио и связь, 1991, 528 с.
  88. Г. И., Мома Ю. А. Твердотельная электроника. М.: Высшая школа, 1986, 304.
  89. Р. А. Нитрид кремния синтез и свойства. Успехи химии. 1995, т.64,№ 3, с. 311 -329.
  90. Tabata O., Kawahata K., Sugiyama S., Igarashi I. Mechanical property measurements of thin films using load-deflection of composite rectangular membranes // Sensors and Actuators A: Physical, 1989, v. 10, № 1 2, pp. 135 -141.
  91. Tsan M. P., Ong С. W., Chong N., Choy C. L., Lim P. K., Huang W. W. Mechanical and etching properties of dual ion beam deposited hydrogen free silicon nitride films // J. Vac. Sci. Technol. A, 2001, v. 19, № 5, pp. 2542 -2548.
  92. Temple-Boyer P., Rossi C., Saint-Etienne E., Scheid E. Residual stress in low pressure chemical vapor deposition SiN x films deposited from silane and ammonia // J. Vac. Sci. Technol. A., 1998, v. 16, № 4, pp. 2003 2007.
  93. Martyniuk M., Antoszewski J., Musca C. A., Dell J. M., Faraone L. Stress in low-temperature plasma enhanced chemical vapour deposited silicon nitride thin films // Smart Mater. Struct., 2006, v. 15, pp. S29-S38.
  94. Ying Y., Zong-zi L., Xin-qiao W. Study on the stress of silicon nitride thin films prepared by PECVD // Proc. SPIE, 2004, v. 5774, pp. 212−215.
  95. Tarraf A., Daleiden J., Irmer S., Prasai D., Hillmer H. Stress investigation of PECVD dielectric layers for advanced optical MEMS // J. Micromech. Microeng., 2004, №. 14, pp. 317 323.
  96. Fang W. Determination of the elastic modulus of thin film materials using self-deformed micromachined cantilevers // J. Micromech. Microeng., 1999, № 9, pp. 230−235.
  97. Fang W., Wickert J. A. Determining mean and gradient stresses in the films using micromachined cantilevers // J. Micromech. Microeng., 1996, № 6, pp. 301 -309.
  98. Huang S., Zhang X. Extension of the stoney formula for film substrate systems with gradient stress for MEMS application // J. Micromech. Microeng., 2006, № 16, pp. 382 — 389.
  99. Диангидрид 1,2,4,5-бензолтетракарбоновой кислоты. ТУ 38.10 227 85.108.4,4-оксидианилин (ОДА). ТУ- 6 09 -335 — 86.
  100. Каталог фирмы Technics. Германия, 1982.
  101. Ю.Гоголинский К. В., Решетов В. Н. Применение сканирующих зондовых микроскопов для анализа с субмикронным и нанометровым разрешением структуры и распределения механических свойств материалов (обзор) //
  102. Заводская лаборатория. Диагностика материалов, 1998, т.64, № 6, с. ЗО-43.11 l. Talystep Руководство по эксплуатации. Материалы фирмы Taylor Hobson, 1983,54 с.
  103. А.С.Усеинов. Измерение модуля сверхтвердых материалов с помощью сканирующего зондового микроскопа «НаноСкан» // Приборы и техника эксперимента, 2003, № 6, с. 1−5.
  104. ПЗ.Кинлок Э. Адгезия и адгезивы: наука и технология. Пер. с англ. М.: Мир, 1991, с. 484.114.van Oss C.J. Ed. MASSON — 1996 — ISBN 2−225−85 191−3 «Forces interfaciales en milieux aqueux».
  105. Казицина JI. A, Куплетская Н. Б. Применение УФ-, ИК-, ЯМР- и масс-спектроскопии в органической химии. М.: Химия, 1983, 272 с.
  106. Л. Инфракрасные спектры сложных молекул. М.: Иностр.лит. 1963.
  107. А. Прикладная ИК-спектроскопия: Пер. с англ. М.: Мир, 1982, 328 с. 120.1nagaki N, Tasaka S, Hibi К. Surface Modification of Kapton Film by Plasma Treatments // J. Polymer Sci. Part A: Polym. Chem, 1992, v. 30, № 4, p. 1425−1431.
  108. А.Б., Кузнецов А. А., Лопухова Г. В., Тузов Л. С., Потапов В. К. Структура и свойства поверхности ламинированной полиимидно-фторопластовой пленки, модифицированной в плазме тлеющего НЧ-разряда // Химия высоких энергий. 1995, т.29, № 4, с.294−298.
  109. А.Н., Василец В. Н. Энциклопедия низкотемпературной плазмы. Книга III. М: Наука, 2000.
  110. А.В., Покровский В. Я. Микросистемная техника / Материалы Международной научной молодежной школы. Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2004, с. 37−42.
  111. Дж. Техника сверхвысокого вакуума: Пер. с англ. М.: Мир, 1988, 366 с.
  112. Д.И. Механизмы плазмохимического травления материалов. Энциклопедия низкотемпературной плазмы. Книга III. Гл.ред. В. Е. Фортов. М.: Наука, 2000, с. 346.
  113. Анализ поверхности методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Под ред. Д. В. Бриггса и М. П. Сиха: М.: Мир, 1987, 598 с.
  114. И.А., Маляров В. Г. Неохлаждаемые матричные приемники ИК излучения // Оптический журнал, 1997, т. 64. № 6, с. 3 -14.
  115. Kruse P.W. The design of uncooled infrared imaging arrays // Proc. SPIE, 1996. v. 2746, pp. 34−37.
  116. Hovard P.V., Han C.J., Clarke J.E., Stevens J.C., Ely P., Fitzgibbons E.T. Advances in microbolometer focal plane technology at Boeing // Proc. SPIE, 1998, v. 3379, pp. 47−57.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?