Разработка процессов осаждения из газовой фазы и устройства для получения защитных износостойких покрытий
Диссертация
Наиболее широко применяются защитные покрытия: коррозионнои жаростойкие, теплозащитные, износостойкие, включая упрочняющие и др. Можно выделить общие закономерности в формировании покрытий. К ним относятся: различие в химическом составе, структуре и свойствах материала для нанесения покрытия, адгезионное взаимодействие на границе раздела покрытие — изделие, образование несплошностей различного… Читать ещё >
Содержание
- 1. Покрытия. Методы нанесения покрытий и оборудование для получения карбидохромовых покрытий (литературный обзор)
- 1. 1. Общая характеристика методов нанесения покрытий
- 1. 2. Покрытия на основе хрома и его соединений
- 1. 2. 1. Напыление чистого хрома
- 1. 2. 2. Напыление металлических сплавов на основе хрома
- 1. 2. 3. Напыление карбида хрома
- 1. 3. Пиролитическое осаждение карбидохромовых покрытий
- 1. 4. Оборудование для нанесения защитных пиролитических карбидохромовых покрытий
- 1. 5. Оценка эксплуатационных характеристик пиролитических карбидохромовых покрытий
- 2. Постановка задачи и методики экспериментальных исследований
- 2. 1. Постановка задачи
- 2. 2. Методики экспериментальных исследований
- 2. 2. 1. Предварительная подготовка и приготовление образцов
- 2. 2. 2. Определение условий проведения технологического процесса нанесения ПКХП
- 2. 2. 3. Металлографический анализ
- 2. 2. 4. Определение физико-механических свойств
- 2. 2. 5. Микрорентгеноспектральный анализ
- 2. 2. 6. Рентгенографический анализ
- 2. 2. 7. Оже-электронная спектроскопия
- 3. 1. Требования к разрабатываемому устройству
- 3. 2. Состав устройства и его краткие технические данные
- 3. 3. Реакционная камера
- 3. 4. Система дозированной подачи МОС
- 3. 5. Испаритель
- 3. 6. Вакуумная система откачки
- 3. 7. Система улавливания отработанных продуктов
- 3. 8. Система контроля толщины покрытия
- 3. 8. 1. Экспериментальные исследования индуктивного метода контроля толщины пленочных покрытий
- 3. 8. 2. Индукционный датчик контроля толщины покрытия
- 3. 9. Автоматизированная система контроля и управления
- 3. 9. 1. Техническое задание на проектирование АСКУ
- 3. 9. 2. Назначение и краткая характеристика АСКУ
- 3. 9. 3. Состав и краткое техническое описание АСКУ
- 3. 10. Порядок работы установки в режиме автоматизированного контроля
- 3. 11. Соблюдение мер безопасности
- 4. 1. Исследования карбидохромовых покрытий на чугунных изделиях
- 4. 2. Исследования карбидохромовых покрытий на изделиях из технической керамики
- 4. 3. Исследование трибологических свойств ПКХП на стальных дисках трения
- 4. 3. 1. Подготовка образцов для исследований
- 4. 3. 2. Оборудование для проведения исследований
- 4. 3. 3. Методика измерения износа и коэффициента трения
- 4. 3. 4. Результаты исследований
- 4. 3. 4. 1. Исследование влияния скорости скольжения
- 4. 3. 4. 2. Исследование влияния нагрузки
- 4. 3. 4. 3. Результаты испытаний на износ
- 4. 3. 5. Анализ результатов трибологических исследований
- 4. 3. 6. Анализ металлографических исследований покрытий на образцах из стали 40Х
- 4. 3. 7. Оценка теплового режима пар трения при буксовании
- 4. 3. 8. Оценка потенциальных рисков
Список литературы
- В.В.Кудинов, Г. В. Бобров. Нанесение покрытий напылением. Теория, технология и оборудование, М. Металлургия, 1992 432 с. 2. www. xumulc. ru
- Анциферов В.Н., Бобров Л.К.Порошковая металлургия и напыленные покрытия. М. Металлургия, 1987. — 792 с.
- РадюкА.Г. Процессы нанесения и обработки газотермических покрытий и технологии изготовления деталей металлургического оборудования и металлопродукции.//автореферат дис., 2003,39 с. 5. www.portalnano.ru
- Г. А.Домрачев. Получение неорганических материалов и покрытий разложением1 металлоорганических соединений — перспективный процесс для промышленности.
- Тез. докл. 5 Всесоюзного совещания по применению металлоорганических соединений для получения неорганических покрытий и материалов, М. Наука, 1987. с. З
- Применение металлоорганических соединений для неорганических покрытий и материалов/
- Под ред.акад. Г. А. Разуваева, М: Наука. 1986. 256 с.
- Домрачев Г. А. Металлоорганические соединения и радикалы. Под ред. Акад. М. И. Кабачника, М. Наука, 1985. с. 138
- Осаждение из газовой фазы. Под ред. К. Пауэла, Дж. Оксли и др. М, Атомиздат, 1970, 479 с.
- Грибов Б.Г., Домрачев Г. А., Жук Б.В. и др. Осаждение пленок и покрытий разложением металлоорганических соединений. М.: Наука, 1981.
- В.Ф.Горбань, В. Ф. Бритун, И. А. Косско Изменение состава и структуры газотермических хромовых покрытий при трении в результате контактного взаимодействия//порошковая металлургия 1995, № 5/680−84с.
- В.Ф.Горбань Исследование структуры превращений в напыленном слое хромовых покрытий при трении//Трение и износ, ноябрь-декабрь 1996,'том 17 № 6.С.810−815.
- З.Соколов В. Ф., Юрченко А. Д., Аржанникова Е. В., Шипигина JI.C. Защитное пиролитическое хромовое покрытие. Технология, свойства, применение: обзор. М.: ЦНИИатоминформ, 1989.
- Юршев В.И. Пиролитические хромовые покрытия и усовершенствование технологии осаждения.//Вестник ОГУ 2003,№ 5,141−143 с.
- Домрачев Г. А., Суворова О. Н. Получение неорганических покрытий при разложении металлоорганических соединений// Труды по химии. Горький: Институт химии АН СССР, 1980. Т. XLIX, вып. 9. С. 1671−1686.
- Джейер М.М. Требования, предъявляемые к защитным покрытиям, и последние достижения в работке покрытий// Исследования при высоких температурах/Под ред. В. А. Кириллина. М.: Наука, 1967. С.442−462.
- Иванов Е. Р. Нечипоренко Е.П., Криворучко В. М. и др. Кристаллизация тугоплавких металлов из газовой фазы. М.: Атомиздат, 1974.
- Уэльский A.A. Некоторые примеры аппаратурно-технологического оформления процесса металлизации образцов карбонильным методом//
- Термическая диссоциация металлоорганических соединений. М.: 1988. С.13−27.
- Артемьева В.Я., Власов Г. М., Власова М. И. и др. Технические требования к хромоорганической жидкости// Тезисы докладов II Всесоюзного совещания по металлоорганическим соединениям для получения металлических оксидных покрытий. М.: Наука. 1977. С. 6.
- Горгораки Е.И. Исследование покрытий, полученных пиролизом бис-аренхромовых комплексов: Автореф. Дис. на соиск. учен. степ. канд. хим. наук. М.: МХТИ, 1973.
- Мельников В.В., Максимов Г. А., Каверин Б. С. и др. Состав и структура покрытий, осажденных из паровой фазы при термораспаде бис-аренхромовых комплексов// Докл. АН СССР, 1974. Т.219, вып.4. С. 929 931
- Грибов Б.Г., Румянцева В. П., Травкин Н.н. и др. Получение пленок хрома термическим разложением галоидных производных бис-ареновых соединений хрома// Электронная техника, 1971. Т. 3, вып. 1. С. 21−24.
- Лузин A.C., Поликарпов В. Б., Додонов В. А. и др. Получение равномерных хромкарбидных покрытий на поверхности труб пиролизом промышленной хромоорганической жидкости «БАРХОС»// Тр. по химии и химической технологии. Горький: ГГУ, 1988. С. 52−56.
- Димант А.Б., Севастьянов О. И., Лахтин Ю. М. и др. Исследование некоторых свойств хромовых покрытий и процесса их осаждения из газовой фазы// Тр. НИИавтоприбора. М., 1981. Вып. 51. С. 78−93.
- Лузин A.C., Поликарпов В. Б., До донов В. А., Клементьев Е. К. и др. Пленки хрома, полученные пиролизом его бис-ареновых комплексов в присутствии серосодержащих добавок// Журнал прикладной химии, 1988. Вып.6. с. 1235−1239.
- Ванчагов В.К., Умилин В. А., Дягилев Л. М. и др. Влияние примесей органических веществ на скорость термораспада бис-ареновых соединений металлов// Химия элементорганических соединений. Горький: ГГУ, 1080. С. 86.
- Димант А.Б., Севастьянов О. И., Лахтин Ю. М. и др. Исследование некоторых свойств хромовых покрытий и процесса их осаждения из газовой фазы// Тр. НИИавтоприбора. М., 1981. Вып. 51. С. 78−93.
- Ванчагова В.К., Умилин В. А., Зорин А. Д. и др. Закономерности образования и распределения углеродсодержащих примесей в хромовых покрытиях//Докл. АН СССР, 1984. Т. 20, вып., 10. С. 1661−1664.
- Сыркин В.Г. Газофазная металлизация через карбонилы. М.: Металлургия, 1985. С. 27−66.
- Костенков В.А., Крашенинников В. Н. Эксплуатационные свойства пиролитических карбидохромовых покрытий// Применение МОС для получения неорганических покрытий и материалов. М.: Наука, 1986. С.234−243.
- Костенков В.А., Крашенинников В. Н. Эксплуатационные свойства пиролитических карбид хромовых покрытий// Применение МОС для получения неорганических покрытий и материалов. М.: Наука, 1986. С.234−243.
- Умилин В.А., Ванчагова В. К. Влияние состава бис-ареновых соединений хрома и условий их термораспада на содержание углерода в покрытиях// Применение МОС для получения неорганических покрытий и материалов. М.: Наука. 1986. С.58−67.
- Карпов В.И. Опыт промышленного применения пиролитических покрытий// Тез. докл. YI Всесоюзного совещания по применению металлоорганических соединений для получения покрытий и материалов. Нижний Новгород: Ин-т химии АН СССР, 1991. С. 104−106.
- А.С. 1 092 208 СССР, С23с 11/02. Устройство для нанесения покрытий из паровой (газовой) фазы/ Ляндаев Е. А., Сафонов Л. М., Нестерова Л.А.// Открытия. Изобретения, 1984. № 18. С. 68.
- Умилин В.А., Кудрявцев В. К., Девятьяров М. Ю. Нанесение хромовых покрытий на внутреннюю поверхность труб малого диаметра// Материалы особой чистоты (получение, анализ, применение в новой технике): Межвуз. Сб. Горький: ГГУ, 1987
- А.С. 1 420 068 СССР, С23сю Устройство для нанесения покрытий из газовой фазы/ Севастьянов О. И., Димант А. Б., Санежинский и др.// Открытия. Изобретения, 1988, № 32. С. 109.
- Патент РФ № 2 194 088 от 11.12.2002 г. Устройство для осаждения покрытий из парогазовой фазы / Шабалинская JI.A., Сомов О. В., Пашкин В. А., Линн Хорст, Крашенинников В. Н., Костенков В.А.
- Патент РФ № 2 112 919 от 19.07.1996 г. Индукционный датчик контроля толщины металлических покрытий /Васин В.А., Невровский В. А., Сухих Л. Л., Козырев С.П.
- Патент РФ № 2 188 877 от 18.05.2000 г. Способ нанесения покрытий пиролитических карбидохромовых на поверхность чугунных деталей/Васин В.А., Шабалинская Л. А., Сомов О. В., Пашкин В. А., Линн Хорст.
- Справочник по триботехнике. В 3-х т. Т. З. Триботехника антифрикционных, фрикционных и сцепных устройств. Методы и средства триботехнических испытаний. / Под общ. ред. М. Хебды, A.B. Чичинадзе. М.: Машиностроение, 1992. — 730 е.: ил.
- ПатентРФ № 97 731 опубл.20.09.20Юг. Композиционное покрытие для защиты поверхности стальных изделий от износа/Сомов О.В., Пашкин В. А., Васин В. А., Суминов И. В., Эпельфельд A.B. и др.
- Г. Карслоу и Д. Егер, Теплопроводность твёрдых тел, «Наука», 1964 г. с. 80.
- Анциферова И.В. Наноматериалы и потенциальные экологические риски. //Известия Вузов. Порошковая металлургия и функциональные покрытия, № 1,2010.
- Принципиальная электрическая схема макетного датчика контролятолщины пленочного покрытия
- Принципиальная электрическая схема датчика контроля толщиныпленочного покрытия Перечень элементов частей автоматизированной системы контроля иуправленияи1. Выходо-12В
- Ш= 91 кОм 112=5,6 кОм 113=5,6 кОм 114=1,2 кОм 115=10 кОм 116=4,7кОм 117=10к0м 118=56 кОм 119=10 кОм1. С 1=4700 пФ УТ1 КТ315А61. С2=4700 пФ УБ1 -Д9А1. С3=4700 пФ УР2 -Д9А1. С4=0,01мкФ РА1 -140УД6А1. С5=22 нФ
- Принципиальная электрическая схема макетного датчика контролятолщины пленочного покрытия1. И ВАРИАНТю 510 Ом Ш0 180 кОм С1 10 000 пФ С9 50.0 мкФ УТ1 КТ3102Е1*2 1,5 кОм Ш1 ЮкОм С2 50 пФ СЮ 56 пФ УГ2 КТ3102Е
- Ю 18 кОм Ю2 47 кОм СЗ 6800 пФ С11 10 000 пФ ОБ1 Ш555ЛАЗ114 75 Ом ШЗ ЮкОм С4 22 000 пФ С12 20,0 мкФ Ш2 КМ555ЛАЗ
- И5 5,1 кОм Ш4 5,0 Ом С5 10 000 пФ С13 100 пФ БА1 140УД6А116 100 кОм Ш5 4,7 кОм С6 15 000 пФ С14 47 000 пФ ЭА2 142ЕН1А
- Е17 1,3 кОм Ш6 1,2 кОм С7 0,068 мкФ С15 22 000 пФ 2,01 100 кГц
- Ы8 10 кОм Ш7 1,8 кОм С8 0,068 мкФ У01 Д9Л119 910 Ом Ш8 2,2 кОм Ш9 2,0 кОм УБ2 Д9А
- Принципиальная электрическая схема датчика контроля толщиныпленочного покрытия
- ПЕРЕЧЕНЬ ЭЛЕМЕНТОВ ЧАСТЕЙ АСКУ
- Модуль логики управления Перечень элементов
- Поз. обозн. Кол-во Наименование Примечание1. РЕЗИСТОРЫ
- Ю 1 МЛТ-0,25 100 кОм ± 10%
- К2, Я8 2 МЛТ-0,25 1,5 кОм ± 10%
- Ю, Я9 2 МЛТ-0,25 1,0 кОм ± 10%
- Я4 1 МЛТ-0,25 430 Ом ± 10%1. Я5 1 МЛТ-0,25 10 Ом ± 10%
- Кб, Я7 2 МЛТ-0,25 510 Ом ± 10%
- ШО 1 МЛТ-0,25 2,0 кОм ± 10%1. КОНДЕНСАТОРЫ
- С1,С2, С4. С5 4 КМ-5а Н90−0,068 мкФ1. СЗ 1 К50−16−25−6,81. С6 1 КМ-5а Н90−0,022 мкФ1. С7 1 К50−16−25−5001. ДИОДЫ 1. УБ1, УБ2 2 КД522Б1. ТРАНЗИСТОРЫ 1. УТ1 1 КТ315 В ИМС3 К555ЛАЗ1 К555ТМ21 К155ТВ11. ОА1, ОА2 2 К554САЗ1. БАЗ 1 АОТ128А
- Поз. обозн. Кол-во Наименование Примечание1. РЕЗИСТОРЫ 111,115 2 МЛТ-0,25 100 кОм ± 10%112, ЯЗ 2 МЛТ-0,25 — 1 мОм + 10%
- Я4 1 С 1−4-0,25 10 мОм ± 10%
- Я6,Ю 2 МЛТ-0,25 1,0 кОм ± 10%1. КОНДЕНСАТОРЫ
- С1,С2, 2 КМ-5а Н30−0,01 мкФ1. СЗ 1 КД2 М47−22 пФ *1. С4 1 КД2 — М47−18 пФ *1. С5 1 КТ4−21 -4−15 пФ
- С6, С7 2 КМ-5а Н90−0,022 мкФ1. С8 1 К50−16−25−10 001. ТРАНЗИСТОРЫ 1. УТ1 1 КТ315 В ИМС1 КР145ИК19 011. ВВ2, ЭБЗ 2 К555ЛАЗ
- ZQ1 1 Кварцевый резонатор РВ-72— подбирается при регулировке
- Поз. обозн. Кол- Наименование Примечаниево 1. РЕЗИСТОРЫ
- Ю, Б2, КЗ, 5 МЛТ-0,25 1,0 кОм ± 10%1. Л4, Ы13
- Я5 1 МЛТ-0,25 2,0 кОм ± 10%
- Кб 1 МЛТ-0,25 100 кОм ± 10%
- Я7 1 С2−14−0,25 2,0 кОм ± 1% *
- Я8 1 С2−14−0,25 1,0 кОм ± 1% *
- Я9 1 С2−14−0,25 500 Ом ± 1% *
- ЮО 1 С2−14−0,25 250 Ом ± 1% *
- ЯП 1 С2−14−0,25 10 Ом + 1% *
- Ш2, 1121 9 МЛ Г-0,25 510 Ом ± 10%1114−1120 7 МЛТ-0,25 330 Ом ± 10% *1. КОНДЕНСАТОРЫ 1. С1 1 КМ-5а-НЗ0−1,0 мкФ1. С2 1 КМ-5а Н90−0,022 мкФ1. ДИОДЫ 1 КД522Б1. ИМС3 К555ЛАЗ1. ВВЗ 1 К155ИЕ61 К155РЕЗ1 К554САЗ1. БА1 1 АЛС324Б1. НЮ1
- Поз. обозн. Кол- Наименование Примечаниево 1. РЕЗИСТОРЫ
- Ю, Л2,113, Ш5 4 МЛТ-0,25 1,0 кОм ± 10%
- Я4 1 МЛТ-0,25 510 Ом ± 10%
- Я5 1 С2−14−0,25 3,9 кОм±- 1% *
- Я6, Я11 2 С2−14−0,25 4,8 кОм ± 1% *117, Ю2 2 С2−14−0,25−2,4 кОм±- 1% *
- Я8, ЮЗ 2 С2−14−0,25 1,2 кОм ± 1% *
- Я9, Ы14 2 С2−14−0,25 600 Ом + 1% *
- ШО 1 С2−14−0,25 2,0 кОм ± 1% *
- Ю6 1 МЛТ-0,25 1,5 кОм ± 10%
- К17 1 МЛТ-0,25 47 Ом + 10% *
- ШБ-ЯЗЗ 16 МЛТ-0,25 330 Ом ± 10% *1. КОНДЕНСАТОРЫ 1. С1 1 КМ-5а- Н90−0,022 мкФ1. ДИОДЫ 2 КД522Б1. ТРАНЗИСТОРЫ 1. УТ1 1 КТ814А1. ИМС1. ОБЗ 4 К555ЛАЗ1. ВВ4 1. ВВ5 1 К555ИЕ51. DD6 1 К155ТМ51. Ш>1 1 К155ИЕ71. ОБ8, ВВ9 2 К155РЕЗно1, Н02, тез 3 АЛС324Б
- Поз. обозн. Кол-во Наименование Примечание1. РЕЗИСТОРЫ
- Ы2, КЗ 3 МЛТ-0,25 1,0 кОм ± 10%114 1 МЛТ-0,25 510 Ом ± 10%
- Я5 1 С2−14−0,25 3,0 кОм + 1% *
- Я6. Ш1 2 С2−14−0,25 4,8 кОм + 1% *
- Я7, К12 2 С2−14−0,25 2,4 кОм ± 1% *
- Я8, ЮЗ 2 С2−14−0,25 1,2 кОм±- 1% *
- Я9, Ю4 2 С2−14−0,25 600 Ом ± 1% *
- ШО 1 С2−14−0,25 2,2 кОм ± 1% *1. Я15 1 МЛТ-1 47 Ом ± 10% *
- Юб-ЯЗ! 16 МЛТ-0,25 330 Ом + 10% *1. КОНДЕНСАТОРЫ 1. С1 1 КМ-5а Н90−0,022 мкФ1. ДИОДЫ 1 КД522Б ИМС001,002, ББЗ 4 К555ЛАЗ1. ОБ4 1 К555ИЕ51. ЭОб 1 К155ИЕ71 К155ТМ52 К155РЕЗ1. Ш1, Н02, НйЗ 3 АЛС324Бподбирается при регулировке
- Поз. обозн. Кол-во Наименование Примечание1. РЕЗИСТОРЫ
- Ю 1 С2−14−0,25 — 300 Ом±- 1% *
- Я2 1 С2−14−0,25 100 кОм ± 1% *113.1110, Ю1 3 С2−14−0,25 10 кОм +1% *
- И4,115,1112, Ы13 4 МЛТ-0,25 10 кОм ± 10%1. Ы6, Ш4 2 СП5−14 —10 кОм117, Ш5 2 СП5−14 — 2,2 кОм *
- Я8 1 С2−14−0,25−200 Ом±-1% *
- Я9 1 С2−14−0,25 200 КОм ± 1%1. КОНДЕНСАТОРЫ
- С1, С4, СЗ 3 КМ-5а Н30−0,022 мкФ1. С2, С5 2 КД-М1500−33 пФ1. ИМС1. ВА1, ЭА2 2 140УД6А1. ВАЗ 1 К157УД2подбирается при регулировке
- Тактовый генератор Перечень элементов
- Поз. обозн. Кол-во Наименование Примечание1. РЕЗИСТОРЫ
- Ю 1 МЛТ-0,25−510 Ом + 10% *
- К2 1 МЛТ-0,25 270 кОм ± 10%1. КОНДЕНСАТОРЫ 1. С1 1 КМ-5а-НЗ0−0,15 мкФ1. С2 1 КМ-5а НЗ 0−1000 пФ1. ИМС1. ОБ! 1 К555ЛАЗ
- Поз. обозн. Кол-во Наименование Примечание1. РЕЗИСТОРЫ 1. Ш 1 СП5−14 —1,0 КОм1 МЛТ-0,25 22 кОм ± 10%113,115 2 МЛТ-0,25 270 Ом ± 10%1. Я4, 1 С2−14−1 -2 Ом±- 1% *116 1 СП5−14 — 10 кОм1. КОНДЕНСАТОРЫ
- С1,С2 2 КМ-5а Н30−0,068 мкФ1. ДИОДЫ 1. УБ1 1 Д818Е1. ТРАНЗИСТОРЫ 1. УТ1 1 КТ3102Е1. УТ2 1 КТ815А1. ИМС1. ЭА1 1 140УД6Аподбирается при регулировке
- Модуль блокировки ТП Перечень элементов
- Поз. обозн. Кол-во Наименование Примечание1. РЕЗИСТОРЫ т 1 МЛТ-0,25 820 кОм ± 10%
- Я2 1 МЛТ-0,25 1,3 кОм ± 10%1. МЛТ-0,25 510 Ом + 10%1. ЯЗ 1 1. КОНДЕНСАТОРЫ 1. С1 1 КМ-5а Н90−0,022 мкФ1. С2 1 КМ6 Н90−0,47 мкФ1. ИМС1 К555ЛАЗ1. ВВ2 1 К555ТМ2-Продолжение приложения 1 Ключи управления ТЭНом и электроприводом дозатора Перечень элементов
- Поз. обозн. Кол-во Наименование Примечание1. РЕЗИСТОРЫ 111,115 2 МЛТ-0,25 1,5 кОм ± 10%112, Яб, И.9 3 МЛТ-0,25 10 кОм ±, 10%113 1 МЛТ1 510 кОм ± 10%114, Я8 2 МЛТ-0,25 75 Ом + 10% *
- Ы7 1 МЛТ-0,25 130 Ом ± 10%1. ДИОДЫ 1. Т)1, УБ2, УБЗ п О КД522Б1. ТРАНЗИСТОРЫ 1. УТ1, УТ2 2 КТ503А1. ИМС1. БА1, БА2 2 АОУЮЗВподбирается при регулировке
- Ключи управления пускателя вакуумного насоса и электроприводом испарителя1. Перечень элементов
- Поз. обозн. Кол-во Наименование Примечание1. РЕЗИСТОРЫ 111,112,113 3 МЛТ-0,25 1,5 кОм ± 10%
- Ы4,115 2 МЛТ-0,25−10 Ом ±10% *1. КОНДЕНСАТОРЫ 1. С1 1 К53−21 -25−2201. ДИОДЫ
- УБ1, УБ2, УБЗ УБ4, УБ5, УБб 3 Д226Б Д2061. ТРАНЗИСТОРЫ 1. УТ1, УТ2, УТЗ 3 КТ815А
- К1,К2, КЗ 3 РЭС-22 РФ4.500.131
- Поз. обозн. Кол- Наименование Примечаниево 1. РЕЗИСТОРЫ
- Я1 Я8 8 МЛТ-0,5 — 2,0 кОм ± 10% *119.1112 4 МЛТ-0,25 49 кОм ± 10%1. ТРАНЗИСТОРЫ 1. УТ1 -УТ4 4 КТ503Г1. ИМС1. Ш1 Н04 4 АЛС324А— подбирается при регулировке
- Модуль сигнализации и индикации Перечень элементов
- Поз. обозн. Кол-во Наименование Примечание1. РЕЗИСТОРЫ
- Ю.Ю 2 МЛТ-0,25 2,2 кОм + 10%
- К2,114, Я5 3 МЛТ-0,25 1,0 кОм + 10%
- Я6 1 МЛТ-0,25 510 Ом ± 10% *117.1113 7 МЛТ-0,25 470 Ом ± 10% *1. КОНДЕНСАТОРЫ 1. С1 1 К50- 16−25−5001. С2 1 КМ6 Н30−0Д5 мкФ1. ТРАНЗИСТОРЫ 1. УТ1 1 КТ315В1. УТ2 1 КТ815А1. НЬ1, НЬ6, НЬ7 3 АЛ307БМ1. НЬ2, НЬЗ, НЬ4, 4 АЛ360А1. НЬ5
- Поз. обозн. Кол-во Наименование Примечание1. РЕЗИСТОРЫ
- Би, Б15 2 МЛТ-1 -51 Ом±- 10%112,113 2 МЛТ-0,5 680 Ом ± 10% *
- Я4 1 МЛТ-0,5 430 Ом ± 10% *1. КОНДЕНСАТОРЫ 1. С1 1 К50−35−25−4700
- Протоколы измерений профиля поверхности образцов Протоколы исследований трибологических свойств ПКХП
- Dp filter 37Х: р=33* (3 29 мкм) v|
- Класс шероховатости «6б Г0СТ278Э-731/ 8 (IS01302)
- Ra (среднеарифм отклонен).мкм «189
- Rz (высота неровн по 10 точк).мкм 8 99
- Rmax, Ry (макс высота неров).мкм =12 2
- S m (средний шаг неровности), мкм 23 8
- S (ср шаг местных выступов) мкм «8 48
- Rpk (высота выступов повти).мкм = 1 30
- Rk (толщина опорной пов-ти).мкм = 7 00
- Rvk (глубина впадин пов-ти.мкм 3.851р1 (верх опорной поверхности).* «516tp2 (низ опорной поверхности).* «90 7
- Rv.Rm (глуб.макс.впадины).мкм = 7 27
- Rp (высота макс. выступа).мкм «4 88
- Да (среднеарифм наклон проФ).гр = 27 9
- Aq (среднеквадр наклон проф).гр = 34.90.7932 мм (49 46 мкм) 2.74*0* 6703* 0? i 100*1.(длина трассы) = 0 2714 мм Dp=60 57* tp-57.71*1. Все трассы целиком0. WрасчетJ
- Фильтр JlS=2 5UMKM 4 > «ich X ≤>1. Ra меры = 1 050 мкм ≤>2 (мкм) -21 1036±0 0252 Г Звук «> подстройка «0»
- Трасса Серия из 20 -) через — 00с? авто Доп трасса 1 «> Удалить Отсечь '
- Шкала 100 мкм (хЮО) * «по Иа ≤> «» Аетошкала Скорость 1.0 (0.98) мм/с ≤>Iс®- m m? авто О Стоп
- Протокол измерения профиля поверхности образцов после точения
- Программа профилометра ПРОФИ 130 (всрсия4.1). Файл: C: Oocumcnts and ЗеЖп^УАдминистраторХРабочий ст.0 8644 мкм (2 3873 мкм)
- Трасса 1 из 1 (227 измерений с шагом 0 976 мкм)29 09 2009 13 47
- Opiner 37*: р=33*(0 788 мкм) :0 0 м ре р д. <0 4380 мм 0 4880 мм0*.0 01' L (длина трассы) «0 2207 мм70.04* 0* Dp=6916%юой:
- Класс шероховатости = 8б (Г0СТ2789−73)/ 6 (1 501 302)
- Ра (среднеарифм отклонен) мкм = 0.409
- Яг (высота неровн по 10 точк).мкм =2.53
- Ятах.Яу (макс высота неров).мкм =3.09
- Бгп (средний шаг неровности), мкм =117
- Э (ср шаг местных выступое).мкм = 5 03
- Ярк (высота выступов повти1. мкм = 0 927
- Як (толщина опорной пов-ти), мкм = 1 07
- Рук (глубина впадин пов-ти), мкм = 1 09р1 (верх опорной поверхности). * = 6 87р2 (низ опорной поверхности).* = 79 4
- Яу.Ят (глуб макс впадины) |."км • 1 53
- Яр |высота макс выступа|мкм = 1 55
- Да (среднеарифм наклон проФ) гр 12.5
- Дд (среднеквадр наклон проФ) гр =16 31. Все трассы Г целикомрасчет1. Z (мкм) = -21 8354+0.1 141. V авто йв=0 08мм'5 ≤>
- Фильтр. is=2 50 мкм i > inch * V Lc/Ls1. R-линия спрямлена
- Калибровка по Ra > Ra меры = 1 050 мкмtest 368tp=5242*1. Звук подстройка «О"расса Серия из 20 «. через 00с v авто1. Трасса
- Доп трасса j 1 <.> i Шкала 100 мкм (х100)1. Удалить Отсечьno Ra- <
- V- Автошкала Скорость 1 0 (0 98) мм/с < j «ф El Q авто О Стоп