Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Оптические свойства полупроводниковых соединений ZnIn2S4, CdGa2S4 и CdGa2Se4

Диссертация: Оптические свойства полупроводниковых соединений ZnIn2S4, CdGa2S4 и CdGa2Se4
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Материалы диссертационной работы докладывались на Международном совещании по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в твердом теле (НРБ, Варна, 1974 г.), У1 Международной конференции по аморфным и жидким полупроводникам (Ленинград, 1976 г.), У Международной конференции по тройным и многокомпонентным соединениям (Италия, Кальяри, 1982 г.)" ХХУ совещании по люминесценции (Львов, 1978 г… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА. — I. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ АЧЦ
  • Литературный обзор)
    • 1. 1. Кристаллическая структура анизотропных соединений
    • 1. 2. Оптические свойства широкозонных соединений ¿пЫ^,

Оптические свойства полупроводниковых соединений ZnIn2S4, CdGa2S4 и CdGa2Se4 (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

В «Основных направлениях экономического и социального развития СССР на 1981;1985 годы и на период до 1990 года», принятыми ХХУ1 съездом КПСС, особое внимание уделяется развитию производства сверхчистых, полупроводниковых, сверхпроводящих и других материалов и изделий из них с комплексом заданных свойств. Решение этой задачи невозможно без применения новых полупроводниковых материалов. Это стимулирует работы по получению и исследованию сложных полупроводниковых соединений, чьи свойства изменяются в значительно более широком интервале, чем у элементарных и бинарных веществ.

Об интересе исследователей к тройным соединениям свидетельствует издание ряда монографических работ /1−4/" организация международных и всесоюзных конференций. Среди большого числа этих материалов особое место занимает группа дефектных соединений Апв|с^. Их практическая ценность обусловлена уникальными свойствами: радиационной стойкостью, слабой чувствительностью к примесям, большим диапазоном прозрачности, интенсивной люминесценцией, высокой фоточувствительностью, эффектом переключения и памяти. В этом заключается их перспективность в качестве материалов для оптоэлектроники и нелинейной оптики. В частности, большая ширина запрещенной зоны и высокая фоточувствительность сульфидов позволяют изготовить на их основе твердотельные детекторы ультрафиолетового излучения /5/ для применения в медицине, биологии, сельском хозяйстве, изучении космоса. При разработке таких приборов, работа которых основана на взаимодействии излучения с веществом, необходимо иметь точные сведения о фундаментальных оптических свойствах этих соединений.

В качестве объектов исследования из 27 соединений А%йсР выбраны 1п ^¡-СЛва^ 5^ и ве^. Эти полупроводники являются широкозонными, обладают анизотропией свойств, обусловленной некубической криссталлической решеткой, для них достаточно детально разработана технология получения совершенных монокристаллов. является единственным слоистым веществом в этом классе соединений и проявляет множество политипных форм. Нами исследован трехпакетный политип, являющийся наиболее технологичным.

Целью настоящей работы было изучение оптических свойств названных полупроводников. Для выполнения поставленной цели был выдвинут ряд конкретных задач:

— исследовать краевое поглощение трех соединений и определить типы оптических переходов в этой области спектра;

— в естественном и поляризованном свете изучить спектры отражения в области фундаментального поглощения. С учетом теоретических расчетов и краевого поглощения установить величины оптических переходов в актуальных точках зон Бриллюэна соединений;

— исследовать фотолюминесценцию /л $ 4 в зависимости от различных факторов.

Научная новизна работы заключается в следующем. При различных температурах исследован коэффициент поглощения в широком интервале его значений в области /н) ~. Впервые показано, что для Сс^Скраевое поглощение описывается правилом Урбаха и обусловлено экситон-фононным взаимодействием, В ¿-п Iп^З/, частотная зависимость коэффициента поглощения также является экспоненциальной, однако наклон края не зависит от температуры, что обусловлено протяженными хвоставми плотности состояний. Различными методами определено распределение этих состояний по энергии.

Впервые обнаружен эффект увеличения прозрачности монокристаллов 1п1пгв^ под действием мощного лазерного излучения и измерена его спектральная зависимость. Определен параметр нелинейности этого эффекта.

Измерены спектры отражения в интервале 2−6 эВ. Рассмотрен вопрос о расположении соединений CdGa^SjSz)^ в ряду их ближайших изоэлектронных аналогов АПВ1Ус| и.

А*ВшСр* Показано, что свойства и зонные структуры этих матеп yt т iii yt риалов более близки к таковым для, А В, А и АХВ С^, чем для iii у tt tv y ашв" и, А В С£, что предполагает их прямозонность. Спектры отражения интерпретированы с учетом этой аналогии и теоретических расчетов зонных структур. Впервые в этом классе соединений обнаружены прямые переходы в экситонные состояния. Определены некоторые параметры экситона, А и валентной зоны тиогаллата кадмия.

Комплексно исследованы различные аспекты фотолюминесценции ZnIn2S^. Измерены температурные зависимости полуширины и максимума полосы излучения, определены энергии активации без-ызлучательных процессов. Спад излучения во времени происходит по степенному закону. Обнаружен сдвиг полосы излучения в зависимости от интенсивности возбуждения и времени задержки после прекращения возбуждения. Впервые предложена модель рекомбинации донорно-акцепторных пар с учетом квазинепрерывного распределения донорноподобных состояний по энергиям.

Практическая ценность работы состоит в том, что полученные результаты были использованы в ИПФ АН МССР при создании солнечно-слепых приемников излучения. На основе упомянутых монокристаллов могут быть изготовлены просветляющиеся оптические фильтры и затворы. Предложенный нами подход может быть с успехом применен при исследовании зонных структур других аналогичных соединений. Фундаментальные исследования краевого поглощения, зонной структуры и фотолюминесценции//-/^могут быть полезными при изучении свойств слоистых соединений, которые образуются при катионном замещении.

Материалы диссертационной работы докладывались на Международном совещании по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в твердом теле (НРБ, Варна, 1974 г.), У1 Международной конференции по аморфным и жидким полупроводникам (Ленинград, 1976 г.), У Международной конференции по тройным и многокомпонентным соединениям (Италия, Кальяри, 1982 г.)" ХХУ совещании по люминесценции (Львов, 1978 г.)" Всесоюзной конференции «Материалы для оптоэлектроники» (Ужгород, 1980 г.), Всесоюзных конференциях «Тройные полупроводники и их применение» (Кишинев, 1979, 1983 г. г.). По материалам диссертации опубликовано 16 печатных работ, в том числе 4 в международной и 8 в центральной печати.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы и приложения.

Основные результаты исследования оптических свойств полупроводниковых соединений 2п In^^f/н), CdGa2S? i и CdGa2Se? i можно сформулировать в виде следующих выводов:

1. Коэффициент поглощения монокристаллов 1п 1пг О11) в области 2,1 — 2,8 эВ экспоненциально зависит от энергии фотонов. Изменение температуры приводит к параллельному сдвигу края поглощения с температурным коэффициентом — 4,7*Ю" ^эВ/К. Различными методами показано, что в запрещенной зоне ниже дна зоны проводимости имеются состояния, экспоненциально распределенные по энергиям: М (Е) ^ No екр (-Е/а) гдеД^ 0,1 эВ. При энергиях больше Е^ = 2,86 эВ поглощение обусловлено прямыми межзонными переходами. Впервые при интенсивном лазерном свете обнаружен и исследован эффект насыщения поглощения, который проявляется в относительно широкой области 450 — 480 нм и слабо зависит от температуры. Спектральные зависимости этого эффекта и коэффициента поглощения совпадают. Оценен параметр нелинейности эффекта.

2. Впервые показано, что краевое поглощение соединений CdGtigS^vi CdGa2описывается правилом Урбаха. Анализ температурной зависимости края фундаментального поглощения позволяет заключить, что в его формировании участвуют экситоны, взаимодействующие с фононами. Приведены рекомендации по созданию детекторов ультрафиолетового излучения (акты прилагаются).

3. В естественном и поляризационном свете исследованы спектры отражения? п1пг ^(ш), CdGa? S{/ и Ce/Ga2 Se?,. Для более надежной их интерпретации рассмотрен вопрос о ближайших изоэлектронных аналогах. Показано, что по физическим свойет.

П YT вам и химическому составу тиогаллаты наиболее близки к A BJX: Определена последовательность уровней в точках Г,/V и Т зоны Бриллюэна. Показано, что рассмотренные соединения являются прямозонными. Интерпретация оптических спектров проведена с учетом количественных расчетов зонной структуры и правил отбора.

4. Впервые на примере Сс/ваг показана возможность существования экситонов в широкозонных соединениях А^вЩс^. Исследованы прямые переходы из трех валентных подзон в экситон-ные состояния с п = I. Определены энергия связи экситона, его радиус, параметры расщепления валентной зоны и предложена зонная схема («к = О, Т = 77 К).

5. Исследована фотолюминесценция монокристаллов 1п1пг при различных условиях опыта. Впервые показано, что положение максимума излучения зависит от интенсивности возбуждения и времени задержки после прекращения накачки. Спад послесвечения происходит по степенному закону. Наблюдаемые особенности характерны для излучательной рекомбинации донорно-акцепторных пар. Предложена модель механизма излучательных процессов, учитывающая экспоненциальное распределение донорноподобных состояний по энергии и взаимодействие электронов с колебаниями решетки.

По результатам диссертации опубликованы следующие работы:

1. Житарь В. Ф., Райлян В. Я. Некоторые электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов Cd. Ga2Se4. — В кн.: Физические свойства сложных полупроводников. Кишинев, Шти-инца, 1973, с.64−69.

2. Радауцан С. И., Житарь В. Ф., Райлян В. Я. Длинноволновый край поглощения монокристалловCdGa2Se4. Изв. АН МССР, Сер. физ.-техн. и матем. наук, 1973, N23, с. 41−46.

3. Радауцан С. И., Житарь В. Ф., Дону B.C., Райлян В. Я. Край основного поглощения монокристаллов CdGagS^. ~ Резкие докладов Международного совещания по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в твердом теле. Варна, 1974, с. 18.

4. Радауцан С. И., Житарь В. Ф., Райлян В. Я. Оптическое поглощение монокристаллов ZnlngS^. — ФТП, 1975, т.9, вып. 12, с. 2278 — 2283.

5. Житарь В. Ф., Райлян В. Я. Оптическое поглощение и отражение тиогаллата кадмия. — В кн.: Полупроводниковые материалы и их применение. Кишинев, Штиинца, 1976, с. 192 — 195.

6. Гицу Д. В., Житарь В. Ф., Райлян В. Я., Дону B.C., Попович Н. С., Чебручан Е. В. Краевое поглощение и фотопроводимость некоторых дефектных и недефектных соединений в кристаллическом и аморфном состояниях. — В кн.: Структура и свойства некристаллических полупроводников (Труды У1 Международной конференции по аморфным и жидким полупроводникам). Ленинград, Наука, 1976, с. 287−290.

7. Житарь В. Ф., Мачуга А. И., Райлян В. Я., Струмбан Э. Е. Люмин несценция и фотопроводимость слоистых монокристаллов двойного сульфида цинка. — Тезисы докладов ХХУ совещания по люминесценции. Львов, 1978, с. 217.

8. Грибковский В. П., Житарь В. Ф., Зимин Л. Г., Радауцан С. И., Райлян В. Я., Самуйлова Н. К. Насыщение поглощения в монокристаллах Znln2S4. — ЖПС, 1979, т. 30, вып.2, с.353−354.

9. Арешкин А. Г., Житарь В. Ф., Радауцан С. И., Райлян В. Я., Суслина Л. Г. Прямые экситоны в тиогаллате кадмия. — ФТП, 1979, т.13, вып. 2, с.337−340.

10. Житарь В. Ф., Молдовян H.A., Райлян В. Я. Детектор ультрафиолетового излучения. — Электронная обработка материалов,.

1979, Ш 3, с. 86−87.

11. Райлян В. Я. Спектры отражения монокристаллов Zn^s^, CdGa2(s, Se)4* ~ в кн*: Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение» .Кишинев, Штиннца, 1979, с. 125 — 126.

12. Радауцан С. И., Житарь В. Ф., Райлян В. Я., Струмбан Э. Е. Излучательные свойства легированного Znin2S4.. — Тезисы докладов Всесоюзной конференции «Материалы для оптоэлект-роники». Ужгород, 1980, с.74−75.

13. Zhitar V.3P., Raylyan V. Ya. The peculiarities of ZnIn2S^ th luminescence. — Abstracts of 5 International Conference on Ternary and Multinary Compounds. Cagliari, 1982, p. 65.

14. Райлян В. Я., Житарь В. Ф. Исследование локализованных состояний в Zn3n2S^. — В кн.: Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение» .Кишинев, Штиинца, 1983, с. 148.

15. Zhitar Y.F., Raylyan V.Ta. and Radautsan S.I. The peculiarities of ZnIn2S^ luminescence.-II Nuovo Cimento D,.

1983, v.2, No 6, p. 1919 — 1922.

16. Райлян В.я., Житарь В. Ф. Особенности зонной структуры соединений CdGa2(s, Seij. — Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук, 1984, № I, с. 57−59.

Автор выражает свою искреннюю благодарность научным руководителям академику АН МССР, доктору технических наук Рада-уцану С.И., кандидату физико-математических наук, старшему научному сотруднику Житарю В. Ф. за полезные советы и постоянное внимание к данной работе, кандидатам физико-математических наук Дону B.C. и Арама Е. Д. за предоставление кристаллов и кандидату Физико-математических наук Молдовяну H.A. за полезные дискуссии.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. H.A. Сложные алмазоподобные полупроводники. -М.: Советское радио, 1968. — 267 с.
  2. Л.И., Прочухан В. Д. Тройные алмазоподобные полу -проводники. М.: Металлургия, 1968. — 152 с.
  3. Shay J.L., Wernick J.H. Ternary chalcopyrite semiconductors: growth, electronic properties and applications. 1975.
  4. Ф.Г., Житарь В. Ф., Радауцан С. И. Полупроводники системы ZnS in2s5. — Кишинев: Штиинца, 1980. — 147 с.
  5. С.И., Житарь В. Ф. Фоторезистор ультрафиолетового излучения. Авт.св. СССР № 458 041. Бюллетень изобретений и открытий, 1975, № 3.
  6. H.A., Котович В. И., Франк-Каменецкий В.А. О совместной кристаллизации CdSe с ZnS, inAs и In2Se^ ЖТФ, 1955, т. 25, № 14, с. 2419−2421.
  7. Hahn Н., Frank G., Klingler W. et al. Chalkogenide des Aluminium, Gallium und Indium mit Zink, Cadmium und Quecksilber. Z. anorg. allg. ehem., 1955, v. 279, No 5/6, s.241−270.
  8. ю.М., Генделев С. Ш. Монокристаллы ферритов в радиоэлектронике. М.: Советское радио, 1975. — 360 с.
  9. Т.И., Дону B.C., Житарь В. Ф., Мочарнюк Г. Ф. Рентгенографические исследования CdGa^ в широком интервале температур. Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук, 1981, № 2, с. 72−74.
  10. Г. Г., Керимов Т. Г., Нани Р. Х. Уточнение кристал -лической структуры CdGa2S4 . Изв. АН АзССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук, 1980, № 4, с. 59−61.
  11. Badautsan S.I., Donika E.G., Kyosse G.A., Mustya I.G. Polytypism of Ternary Phasas in the System Zn-In-S.- Phys. stat. sol., 197o, v. 37, p. K123-K127.
  12. Ф.Г., Радауцан С. И., Киоесе Г. А., Мустя И. Г. Кристаллическая структура двухпакетного политипа Zni^S^. (П) и уточнение структуры трехпакетного политипа Zni^s^IIOa.- Кристаллография, 1971, т. 16, № I, с. 235−241.
  13. Ф.Г., Радауцан С. И., Семилетов С. А., Киоссе Г. А., Доника Т. В., Мустя И. Г. Кристаллическая структура двух -пакетного политипа Znir^s^ (П)ь. Кристаллография, 1972, т. 17, Ш 3, с. 663−670.
  14. Berni J., Witsche R., Lichtensteiger М. Optical and electrical properties of ternary chalcogenides. Physica, 1961, v. 27, p. 448−452.
  15. Л.Н., Черных В. Я., Петров В. М. Влияние температуры и электрического поля на оптические свойства cdGa2Se^.- ФТП, 1967, т.1, вып. 5, с. 793−795.
  16. Г. Б., Агаев В. Г., Антонов В. Б., Нани Р. Х., Сала-ев Э.Ю. Оптическое поглощение монокристаллов CdGa^e^.- ФТП, X97I, т.5, вып. П, с. 2132−2135.
  17. С.И., Житарь В, Ф., Косничан И. Г., Шмиглюк М. И. Спектры фотопроводимости CdGa2Se^. ФТП, 1971, т.5, вып. П, с.2240−2242.
  18. Г. Б., Гусейнова Д. А., Керимова Т. Г., Нани Р. Х. Оптические свойства CdGa2s4 и CdGa2Se4 в области 200 -600 нм. ФТП, 1973, т.7, вып. 4, с. 840−842.
  19. Abdulaev G.B., Guseinova D.A., Kerimova T.G., Nani R.Kh. Reflection spectra of CdGa2S^ and. CdGa2Se^ in polarized light. Phys. stat. sol.(b), 1972, v. 54, p. K115-K11?.
  20. ТырзиуВ.Г., Тырзиу М. П. Исследование монокристаллов итонких слоевGdGa2Sei|.- В кн.: Тройные полупроводники АПВ1Ус| И A^fc1. Кишинев, Штиинца, 1972, с. 220 222.
  21. Л.Т., Джураев H.Д., Нани P.I. Оптическое погло -щение монокристаллов Cdln2S4 и CdGa2S4 . В кн.:Тройные полупроводники АПВ1Ус| и Aijc1. Кишинев, Штиинца, 1972, с.228−230.
  22. Sprinsford M. The luminescence of some ternary chalcogeni-des and mixed systems of group III-V compounds: The nature of luminescence centres in group III-V compounds. Proc. Phys. Soc., 1963, v. 82, No б, p. 1026−1037.
  23. В.Ф., Таран H.И., Доника Т. В. Спектры излучения монокристаллов CdGa2s^ . В кн.: Исследование сложных полупроводников. Кишинев, Штиинца, 1970, с. 89−97.
  24. Kivits P., Wiinakker M., Claassen J. and Geerts J. Photoluminescence and photoconductivity measurements on CdGa2S4. J. Phys. C: Solid State Phys., 1978, v. 11, p. 2361−2370.
  25. A.H., Илюхина Э. П., Радауцан С. И., Тигиняну И. М. Исследование фотоэлектрических и люминесцентных свойств монокристаллов CdGa^^jZnin^^ и системы ZnS:in, полученной ионным внедрением. Препринт № 259. М.: ФИАН, 1981,47 с.
  26. Г. Б., Агаев В. Г., Антонов В. Б., Нани Р. Х., Сала -ев Э.Ю. Фотопроводимость и процессы прилипания и рекомбинации в монокристаллах CdGa2Se4 ФТП, 1972, т.6, вып.9, с. 1729−1734.
  27. Г. Б., Агаев В. Г., Антонов В. Б., Мамедов А. А., Нани Р. Х., Салаев Э. Ю. Фотопроводимость, процессы прилипания и рекомбинации в монокристаллах CdGa2Se^, легированных золотом. ФТП, 1973, т.7, вып.6, с. I05I-I057.
  28. Т.Г., Мамедов Ш. С., Салаев Э. Ю. Краевая люминес -ценция CdGa^e^- ФТП, 1982, т. 16, вып. 10, с. 1904−1906.
  29. Shionoya S., Ebina A. Fundamental optical propertiesof ZnIn2S^ single crystals. J. Phys. Soc. Japan, 1964, v. 19, No 7, p. 1150−1156.
  30. A.M., Доника Ф. Г., Мустя И. Г., Шмиглюк М.И. Исследование основных физических свойств трехпакетного политипаtt tv v
  31. Znln2s4. В кн.: Тройные полупроводники, А Вх,/С2 и аЩЦс1. Кишинев, Штиинца, 1972, с.225−228.
  32. A.M., Житарь В. Ф., Лерман И. Н., Радауцан С. И., Соболев В. В. Оптические свойства некоторых сплавов тройной системы цинк-индий-сера. Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1967, т. 3, вып. 10, с. I8I2-I8I6.
  33. В.В. Зонная структура кристаллов типа Cdln2s^.- Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук, 1976,№ 2,с.60−63.
  34. Shionoya S., Tomoto V. Luminescence of ZnIn2S^ and ZnIn2S^iCu single crystals. J. Phys. Soc. Japan, 1964, v. 19, No 7, p. 1142−1149.
  35. И.А., Доника Ф. Г., Мустя И. Г., Пышкин С. Л., Радауцан С. И. Люминесценция монокристаллов системы Zn-in-s.- ФТП, 1970, т.4, вып. 10, с. 2009−2011.
  36. В.Ф., Молдовян H.A., Райлян В. Я. Детектор ультра -фиолетового излучения. Электронная обработка материа -лов, 1979, № 3, с.86−87.
  37. B.w., Ворошилов Ю. В., Чепур Д. В. Материалы квантовой электроники на основе полупроводниковых соединений сложного состава. Физические свойства. Квантовая электроника. Киев: Наукова думка, 1981, № 20, с.74−93.
  38. В.В., Матвеев И. Н., Пшеничников С. М., Рычик О. В., Троценко Н. К., Устинов Н. Д. Узкополосный перестраиваемый оптический фильтр на монокристалле CdGa2S/f.. Квантовая электроника, 1981, т.4, № 4, с. 910−912.
  39. И.П. Собственная излучательная рекомбинация в полупроводниках. В кн.: Излучательная рекомбинация в полупроводниках. M., 1972, с. 9 — 124.
  40. ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука, 1977. — Збб с.
  41. Bosacchi A., Bosacchi В., Franchi S, and Hernandez Ь. Optical properties of a*quasi-disordered semiconductor: ZnIn2S4. Solid State Commun., 1973, v. 13, p. 1805−1809.
  42. Л.Г., Грибковский В. П. Изменение пропускания 2пте под действием лазерного воздействия. ФТП, 1973, т. 7, выпуск 7, с. 1252−1254.
  43. С.И., Житарь В. Ф., Райлян В. Я. Оптическое поглощение монокристаллов Znln2s^ . ФТП, 1975, т.9, вып. 12, с. 2278−2283.
  44. С.И., Житарь В. Ф., Райлян В. Я. Длинноволновый край поглощения монокристалловCdGa2Se^. Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук, 1973, № 3, с. 41−46.
  45. В.Ф., Райлян В. Я. Оптическое поглощение и отражение тиогаллата кадмия. В кн.: Полупроводниковые материалы и их применение. Кишинев, Штиинца, 1976, с.192−195.
  46. В.Я. Спектры отражения монокристаллов Znln2s^, CdGa2(S, Se^. В кн.: Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение».Кишинев, Штиинца, 1979, с.125-- 126.
  47. Т.В., Маркус M.M., Натепров А.H., Райлян В. Я. Получение и некоторые физические свойства монокристаллов соединения CdGa2Te^ . В кн.: Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение». Кишинев, Штиин-ца, 1976, с. I4I-I43.
  48. . Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973. — 456 с.
  49. Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристалличес -ких веществах. М.: Мир, 1974, 376 с.
  50. .И., Эфрос А. Л. Хвосты плотностей состояний в сильно-легированных полупроводниках. ФТП, 1970, т.4, вып. 2, с. 305−316.
  51. .И., Гарбузов Д. З., Морозов Е. П., Протасов И. И., Третьяков Д. Н. Энергетический спектр арсенида галлия, легированного кремнием. ФТТ, 1968, т.10, вып. 9, с. 2861 -- 2864.
  52. В.Ф., Молдовяи Н. А., Райлян В.я., Исследование деградации диодов металл-гп^ь^Б^ . В кн.: Первая Все -союзная конференция «Физические основы надежности и дег -радации полупроводниковых приборов», ч.1, Кишинев, Штиин-ца, 1982, с. 99.
  53. В.Я., Житарь В. Ф. Исследование локализованных состояний BZnln2S^. В кн.: Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение». Кишинев, Штиинца, 1983, с. 148.
  54. Spear W.E. Electronic transport and localizatiom in low mobility solids and liquids. Adv. Phys., 1974, v. 23, p. 523−546.
  55. H.A. Фотоэлектрические явления и эффект переключения в двойных сульфидах цинка и индия: Автореф. дисс.канд.физ.-матем.наук. Кишинев, 1981. — 15 с.
  56. В.Ф., Райлян В. Я. Некоторые электрические и фото -электрические свойства монокристаллов CdGa2Se^ . В кн.: Физические свойства сложных полупроводников. Кишинев, Шти-инца, 1973, с.64−69.
  57. А.С., Лубченко А. Ф. Правило Урбаха для локализо -ванных возбуждений в кристаллах. ДАН СССР, 1968, т.179, вып.6, с.1301−1303.
  58. Е.Ф., Новиков Б. В., Разбирин Б. С., Суслина Л. Г. Спектры поглощения кристаллов некоторых халькогенидов галлия.- Оптика и спектроскопия, 1959, т.6, вып. 4, с. 569−572.
  59. Ю.П., Курик М. В. Экситон-фононное взаимодействие в кристаллах CdSe и CdS-CdSe . Оптика и спектроскопия, 1970, т.29, вып. 2, с. 339−341.
  60. Р. Теория экситонов. М.: Мир, 1969. — 220 с.
  61. Bacewicz R., Trykozko R., Borghesi A., Cambiaghi M. and Reguzzoni E. Absorption edge and thermoreflectance studies of CdGa2Se4. Fhys.Lett., 1979, v. 75A, No 1,2, p. 121−124.
  62. С.И., Житарь В. Ф., Дону B.C., Райлян В. Я. Край основного поглощения монокристаллов CdGa2s^ . Резюме докладов Международного совещания по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в твердом теле. Варна, 1974, с. 18.
  63. Д.А., Керимова Т. Г., Нани Р. Х. Оптические спектры и зонная структура монокристаnnoBCdGa2s4 и CdGa2Se^.- ФТП, 1977, т. II, вып. 6, с. II35-II42.
  64. А.Ю. Оптические исследования зонной структуры1. О ?1 с
  65. А В С£. В кн.: Электроны в полупроводниках. I. Многодолинные полупроводники. Вильнюс, 1978, с.143−193.
  66. В.П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках. Минск: Наука и техника, 1975. — 464 с.
  67. В.П., Житарь В. Ф., Зимин Л. Г., Радауцан С. И., Райлян В. Я., Самуйлова Н. К. Насыщение поглощения в моно -кристаллах Znln2S4 . ЖПС, 1979, т.30, вып.2, с.353−354.
  68. Я. Оптические свойства полупроводников. М.: Мир, 1967. 75 с.
  69. Дж. Оптические свойства твердых тел. М.: Мир, 1968. 176 с.
  70. В.А. Отражение света. М.: Мир, 1973. — 351 с.
  71. В.В., Алексеева С. А., Донецких В. И. Расчет оптических функций полупроводников по соотношениям Крамерса -Кронига. Кишинев: Штиинца, 1976. — 123 с.
  72. В.В. Зоны и экситоны соединений АПВУ1. Кишинев: Штиинца, 1980. — 254 с.
  73. Cardona М., Greenaway D. Optical properties and band structure of IV-VI and group V materials. Phys. Rev., 1964, v. 134A, p. 1685−1697.
  74. Ehrenreich H. Band structure, collective excitation andoptical properties of semiconductors. Bull. Amer. Phys. Soc., 1962, v. 7, No 1, p. 65.
  75. Cardona M., and Greenaway D.L. Reflectivity of gray tin single crystals in the fundamental absorption region.- Phys. Rev., 1962, v. 125, No 4, p. 1291−1296
  76. P., Морзе С. Определение кристаллов под микроско -пом. М.: Мир, 1972. — 230 с.
  77. Р.Н. Основы практической петрографии. Л.: Изд. Ленинградского университета, 1977. — 176 с.
  78. В.Ф., Дону B.C., Вальковская М. И., Маркус М. М. По -лучение и некоторые физические свойства соединений CdGa2(S, Se)4. В кн.: Физика и химия сложных полупроводников. Кишинев, Штиинца, 1975, с. 50.
  79. Shay J. Iu, Buchler E. Electroreflectance spectra of CdSiAs2 and CdGeAs2. Phys. Rev., 1971, v. B3, p. 2598−2601.
  80. Т.Г., Мамедов Ш. С., Мехтиев M.H., Нани Р. Х., Сала ев Э.Ю. Структура валентной зоны CdGa2Se4. ФТП, 1979, т. 13, вып. 3, с. 494 — 497.
  81. В.А., Караваев Г. Ф. К вопросу о структуре валентной зоны соединений типа халькопирита. Изв. вузов СССР. Физика, 1963, № 5, с. I03-II2.
  82. A.C., Погыгалов К).И., Чалдышев В. А. Структура энергетических зон полупроводников с решеткой халькопирита. I. ZnSiP2. Изв. вузов СССР. Физика, 1969, !Ш, с.58−62.
  83. A.C., Полыгалов Ю. И., Чалдышев В. А. Структура энергетических зон полупроводников с решеткой халькопири -та. II. MgSiP2, CdSnP2, ZnGeP2, ZnSiAs2, CdSiP2~ Изв. вузов СССР. Физика, 1970, Ш 6, с. 95−100.
  84. A.C., Полыгалов Ю. И., Чалдышев В. А. Структура энергетических зон полупроводников с решеткой халькопирита. III. ZnSnP2, CdSnP2, ZnGeP2, CdGeP2, ZnSnAs2, CdSiASg.- Изв. вузов СССР. Физика, 1970, № 7 с. 17−23.
  85. С.И., Сырбу H.H., Небола И. И., Тырзиу В. Г., Берча Д. М. Структура энергетических зон и двухфононное поглоще -ние в кристаллах CdGa2S4n CdGa2Se4. фтп, 1977, т. II, вып. I, с. 69−74.
  86. В.Л., Понедельников Б. Э., Розенсон А.Э., Чижиков
  87. В.И. Зонная структура полупроводников с решеткой тиогаллата кадмия. Изв. вузов СССР. Физика, 1979, № 8, с. 57−74.
  88. Aymerich F., Meloni Б1, and Muia G. Electron band structure of a-ZnIn2S^ and related politypes. Solid State Commun., 1979, v. 29, p. 235−238.
  89. Manca P., Raga P. and Spiga A. Photoconductivity of Znb^Se^ and Znln^e^. Phys. stat. sol. (a), 1973, v. 16, No 2, p. K105-K108.
  90. Aneda A., Cugusi I., Grilli E., Guzzi M., Raga P. and Spiga A. Fundamental optical constants of the layered semiconductor ZnIn2S4. Solid State Commun., 1979, v. 29, p. 829−834.
  91. Cerrina P., Abbati I., Braicovich L., Levy P. and Margari-tondo G. Valence band photoemission spectroscopy of the ternary layered semiconductor ZnIn2S^. Solid State Commun., 1978, v. 26, No 2, p. 99−102.
  92. А.А., Розенсон А. Э., Щербина О. Б. Расчет линейной восприимчивости кристалла CdGa2s^ в области прозрачности. ФТП, 1980, т. 14, вып. 12, с. 2383−2384.
  93. С.И. Исследование дефектных алмазоподобных полупроводников: Автореферат дисс. докт.техн.наук. Л., 1966, 30 с.
  94. П.И., Клочков В. П., Пстыкевич И. В. Полупровод -никовая электроника. Справочник. Киев: Наукова думка, 1975. — 704 с.
  95. Полупроводники А2В^С2. М.: Советское радио, 1974.-376 с.
  96. Manca P., Muntoni С., Raga P. and Spiga A. Covalent bondingii iii vieffect on Van Vleck paramagnetism in A B2 C^ semicon -ductor compounds. Phys. stat. sol. (b), 1971, v. 44, p. 51−57.
  97. Garbato L., Manca P. and Spiga A. Van Vleck paramagnetism and bonding parameters in semiconductors. Printed from Nature Physical Science, 1972, v. 239, No 96, p. 156 -158.
  98. Gupta V.P., Srivastava V.K. and Gupta P.N.L. Electronic properties of chalcopyrites. J. Phys. Chem. Solids, — 15 5 1981, v. 42, No 12, p. 1079-Ю85.
  99. Л.М., Герасименко B.C., Сливка В. Ю. Спектры Ж отражения CdGa2s4 . Оптика и спектроскопия, 1980, т.18, вып. 4, с. 789−795.
  100. T.G. Kerimova, Mamedov Sh.S. and Nani R.Kh. On the band structure of CdGa2S^.-Phys.stat.sol.(b), v.105,p. K39-K44.
  101. Tim W.M. Solid solution in the psevdobinary (III V)
  102. VI) systems and their optical energy gaps. — J. Appl. Phys., 1969, v. 40, No 6, p. 2617−2623.
  103. MacKinnon A., Miller A. and Ross G. Structural effect on the band structure of ternary compounds. Inst. Phys. Ser., 1977, No 35, p. 171−180.
  104. MacKinnon A. Ternary semiconductors. Perstkorperprobleme, XXI, 1981, p. 149−165.
  105. Miller A., MacKinnon A. and Weairet D. Beyond the binaries. The chalcopyrite and related semiconducting compounds.- Solid State Phys.: Adv. Res. and Appl., v. 36, 1981, p. 119−175.
  106. Г. Ф., Поплавной А. С., Чалдышев В. А. Особенности зонной структуры полупроводников с решеткой халькопирита.- ФТП, 1968, т. 2, вып. I, с. 113—115.
  107. А.Э. Расчет линейных оптических характеристик и эффективных масс носителей тока кристалла CdGa2S4.- ФТП, 1981, т. 15, вып. 9, с. 1760−1763.
  108. А.Н., Озеров Ю. В., Радауцан С. И., Тигиняну И.М. Исследование фундаментальных оптических переходов в
  109. GdGa^ методами модуляционной спектроскопии. ФТТ, 1981, т. 23, вып. 7, с. 2094−2099.
  110. Т.Г., Мамедов Ш. С., Нани Р. Х. Спектры моду -лированного отражения и зонная структура CdGa2Se^.- 124 с.
  111. В.M., Атрощенко Л. В. Термодинамическое исследование растворимости примесей в полупроводниках со стехио-метрическими вакансиями. Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1970, т. 6, № 4, с. 714−719.
  112. В.Ф., Мачуга А. И., Радауцан С. И. Стимулированное излучение в тиогаллате кадмия при электронном возбуждении. Оптика и спектроскопия, 1981, т.81, с. 948−950.
  113. GuzzdEUand Baldini G. Recombination centres and traps in ZnIn2S4. J. Luminescence, 1975, v.9, No 6, p. 514−522.
  114. A.H., Илюхина З. П., Тигиняну И.M. Спектры фотолюминесценции монокристаллов Znin2s^ после облучения ионами неона. ФТП, т.16, вып.2, с.366−367 (1982).
  115. Г. Б., Божовская Н. В., Джураев Н. Д., Кушев Д. Б., Мехтиев Т. Р., Нани Р. Х. Исследование краевого поглощения нового полупроводникового соединения CdinGaS^ . ФТП, 1974, т. 8, вып. II, с. 3183−3185.
  116. Razzeti С., Lottici P.P. and Zanotti L. Preparation and Raman spectroscopy of 2пхссЦmixed cation layered compounds. Nuovo Cimento D, 1983, v. 2, No 6, p.2044−2049.
  117. .А. Импульсный нагрев излучениями. Ч. I. M.: Наука, 1974. — 320 с.
  118. М.М. Введение в фотометрию. Л.: Энергия, 1968.- 244 с.
  119. Grilli Е. and Guzzi M. Recombination of photoexcited carriers in ZnIn2S4. -Phys.stat.sol.(a), 1977, v.40, p.69−74.
  120. В.Ф., Мачуга А. И., Райлян В. Я., Струмбан Э. Е. Люминесценция и фотопроводимость слоистых монокристаллов двойного сульфида цинка. Тезисы докладов ХХУ совещания по люминесценции. Львов, 1978, с. 217.- ФТП, 1981, т. 15, вып. I, с. I38-I4I.
  121. В.Я., Житарь В. Ф. Особенности зонной структуры соединений CdGa^S, Se)4- Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук, 1984, № I, с. 57−59.
  122. Фзн Г. Фонон-электронное взаимодействие в кристаллах.- М.: Мир, 1969. 123 с.
  123. А.Г., Житарь В. Ф., Радауцан С. И., Райлян В. Я., Суслина Л. Г. Прямые экситоны в тиогаллате кадмия. -ФТП, 1979, т. 13, вып. 2, с. 337−340.
  124. ПО. Hobden M.V. Optical activity in a non-enantiomorphouscrystal of class CdGa2S4. Acta Cryst., 1969, v. A25, p. 633−638.
  125. Chizhikov V.I., Panyutin V.L., Ponedelnicov B.E. and Rozenson A.E. Energie de laison des exciton direct dans CdGa2(SxSe1x)4. J. Physique, 1981, v.4−2, p.1003−1006.
  126. Т.Г., Нани Р. Х., Салаев Э. Ю. Колебательный спектреша^иCdGagSe^. в кн.: Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение». Кишинев, Шти-инца, 1979, с II-II3.
  127. М. Модуляционная спектроскопия. М.: Мир, 1972.- 416 с.
  128. А.С., Полыгалов Ю. И., Ратнер A.M. Влияние смещений анионов на зонную структуру кристаллов с решеткой халькопирита. В кн.:Химическая связь в кристаллах и их физические свойства. Минск, Наука и техника, 1976, с. 59−66.
  129. Mushinskii V.P., Palaki L.I. and Chebotaru V.V. Optical absorption in a-Ga2S^ single crystals. Phys. stat. solb), 1977, v. 83., P. K149-K153.
  130. В.П. Полупроводниковые материалы. Л.: Наука, 1957.- 158
  131. С.И., Житарь В. Ф., Райлян В. Я., Струмбан Э. Е. Излучательные свойства легированного Znin2s4 . Тезисы докладов Всесоюзной конференции «Материалы для оп-тоэлектроники». Ужгород, 1980, с. 74−75.
  132. Zhitar V.?. and Raylyan V.Ya. The peculiarities of ZnIn2S^ luminescence. Abstracts of 5th International Conference on Ternary and Multinary Compounds. Cagliari, 1982, p. 65.
  133. Zhitar V.F., Raylyan V.Ya. and Radautsan S.I. The peculiarities of ZnIn2S^ luminescence. Nuovo Cimento D, 1983, v. 2, No 6, p. 1919−1922.
  134. Cingolani A., Ferrara M., Minafra A., Adduci F. and Tantalo P. Photoelectronic properties of ZnlrujS^. -Phys. stat. sol. (a), 1974, v. 23, p. 367−371.
  135. И.А., Пышкин СЛ., Кобзаренко В. Н. Люминесценция тонких слоев тройных фаз системы ZnS-in^. ЖПС, 1981, т. 34, вып. 5, с. 922−924.
  136. Thomas D.G., Hopfield J.J. and Augustinyak W.M. Kinetics of radiative recombination of randomly distributed donors and acceptors. -Phys.Rev., 1965, v.140,No 1A, p. A202-A222.
  137. Fischer R., Nein U. and Weiser K. Photoluminescence of amorphous 2As2Te^ As2Se^ films. — Phys. Rev. Lett, 1971, v. 26, No 19, p. 1182.1185.
  138. Aicardi J.-P., Leyris J.-P. and Masse G. Cathodolumines-cence in cinnabar. Evidence of donor-acceptor-type transition. Phys. stat. sol.(a), 1977, v. 39, No 1, p. 125*
  139. Leyris J.-P., Aicardi J.-P. and Soule S. A donor-acceptor broad band emission in AgGaS2. j. Luminescence, 1983, v. 28, No 1, p. 65−72.
  140. Grilli E. et al. Radiative recombination in CdIn2Sez}.:Photoluminescence spectra.-Lett.Nuovo Cimento, 1982, v.33,p.246.1. П РИЛОЖЕНИЕ1. Копия
  141. АКТ № 39 о внедрении завершенной научной работы в производствог. Кишинев 28 октября 1982 г.
  142. Предприятию (организации) со стороны ИПФ АН МССР было представлено и передано :
  143. Двадцать приемников излучения ближней ультрафиолетовой области спектра (280−430 нм), изготовленные в соответствии с формулами и содержанием авторских свидетельств N2 730 226 и782 608.
  144. Технические условия на приемники ПИФ-4.3. Паспорт на приемники
  145. Проанализированные результаты измерений спектральных и люксамперных характеристик.
  146. Консультация по перечисленным вопросам.
  147. В соответствии с изложенным, обе стороны считают, что внедрение приемников излучения ближней ультрафиолетовой области спектра (280 430 нм) в приборах для контроля плотности излучения медицинского назначения на предприятии П/Я А-7139 окончено.
  148. В процессе внедрения было выявлено следующее.
  149. Возможность облучения людей ультрафиолетовыми потоками от естественных и искусственных источников света в оптимальной дозе с предупреждением перегревов и ожегов за счет контроля интенсивности излучения.
  150. Применение приемников ПИФ-4, не требующих питающего напряжения, позволило создать простой и надежный прибор для контроля плотности излучения в медицине.
  151. Повышение экономичности прибора за счет нечувствительности приемников ПИФ-4 к видимым и инфракрасным излучениям.1. М.П.
  152. Зам. генерального директора октября 1982 г. 1. Н.Д.ДЕВЯТКОВ1. Замдиректора ИПФ АН МССР1. Т.И.МАЛИНОВСКИЙ23 сентября 1982 г1. Копик*1. Зав. канцелярией ИПФ^&НЖ1. Т. С. Кожухарь1. УТВЕРЖДАЮ"
  153. Зам.директора по научной работе организации п/я А-7139 академик1. Н.Д.Девятков12 октября 1982 г. 1. Копия
  154. Комиссии были представлены следующие материалы:
  155. Утвержденное техническое задание, 2. Технический отчет,
  156. Двадцать приемников ультрафиолетового излучения на основе двойных сульфидов цинка и индия, соответствующие техническим условиям, 4. Паспорт на приемники,
  157. Технические условия на приемники,
  158. Характеристика спектрального распределения фототока,
  159. Вольтамперные и люксамперные характеристики.
  160. Рассмотрев предъявленные материалы, комиссия отмечает:
  161. Разработаны технические условия на приемники ПИФ-4 на основе двойных сульфидов цинка и индия.
  162. Измерены характеристики и определены параметры фотоприемников.
  163. В результате проведенной работы выявлены следующие результаты:
  164. Все приемники на основе двойного сульфида цинка и индия удовлетворяют техническим условиям.
  165. Приемники ПИФ-4 обеспечивают измерение ультрафиолетовой облученности от естественных и искусственных источников света в широком, диапазоне спектра 280−430 нм и интенсивностей IO"8 Вт/2
  166. Совмесно с заказчиком проведена опытно-конструкторская разработка прибора для регистрации ультрафиолетового излучения в медицине .1. Предлагается:
  167. Разработанные и изготовленные фотоприемники применить в приборах контроля плотности излучения медицинского назначения.1. Комиссия постановила:
  168. Работа выполнена качественно и полностью. соответствует требованиям задания^договора / исполнители: ст.н.с. В. Ф. Житарь (ответственный), м.н.с. В. Н. Райлян, м.н.с.Н. А. Молдовян, Е.Д.Арама/.
  169. От ИПФ АН МССР: От п/я A-7I39 :
  170. Зав.лаб.полупроводниковых соединений, академик АН МССР С.И.Радауцан
  171. Ст.научный сотрудник, к.ф.-м.н.1. В.Ф.Житарь
  172. Мл.научный сотрудник, к.ф.-м.н. н.А.Молдовян1. Нач. отдела1. А.С.Дунаев1. Нач. лаборатории1. Н.С.Макеева1. Ст. инженер1. Б.Е.Маханюк1. СЛ-' «¦ 1 л
  173. Копию заверяю Зав. канцелярий^ Ш MG0Pt Н•>'' э г1. Т.С.Кожухарь
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?