Процессы роста на чистой и модифицированной бором поверхности кремния
Диссертация
В ЭОС, атомы поверхностного слоя приводят в возбужденное состояние путем взаимодействия их с первичным пучком. Атом, имеющий вакансию на внутреннем уровне, может перейти в невозбужденное состояние безрадиационным путем, с испусканием электрона. Конечное состояние при оже-процессе — атом с двумя вакансиями. Метод ЭОС основан на изучении распределения ожэ-электронов по энергиям. Поскольку большая… Читать ещё >
Содержание
- 1. Кристаллизация аморфного) кремния на 81(111) п
- Введение
- 12. Влияние температуры отжига на процесс кристаллизации 31 12.1 Изотермический отжиг, Тотж = 600°С
- 1. 2. 2. Изотермический отжиг Тотж = 700−800°С
- 1. 2. 3. Изотермический отжиг Т = 900−1000°С
- 13. Двухступенчатый отжиг
- 1. 4. Особенности кристаллизации тонких аморфных пленок
- 1. 5. Влияние температуры осаждения на структуру напыленных пленок
- 1. 5. 1. «Переходный» слой
- 1. 5. 2. Структура разупорядоченного слоя
- 1. 6. Влияние температуры осаждения на стуктуру аморфного кремния
- 1. 7. Влияние структуры аморфного кремния на процесс кристаллизации
- 1. 8. Выводы
- 2. Твердофазная эпитаксия кремния
- 2. 1. Введение
- 2. 2. Влияние ориентации подложки на процесс ТФЭ
- 2. 2. 1. Ориентационная зависимость скорости эпитаксиальной кристаллизации
- 2. 2. 2. Влияние ориентации подложки на качество эпитаксиальных слоев
- 2. 3. Кинетика ТФЭ слоев кремния, легированных сурьмой
- 2. 4. Выращивание сильно легированных слоев кремния методом ТФЭ
- 2. 4. 1. Эффективность легирования при применении метода ТФЭ
- 2. 4. 2. Получение сверхвысоких уровней легирования
- 2. 5. Выводы
- 3. Взаимодействие В2О3 с поверхностью Si (Ш)
- 3. 1. Введение
- 3. 2. Изменение структуры поверхности 81(111) от времени осаждения В2О
- 3. 3. Температурная зависимость адсорбции бора на поверхности 81(111)-7х
- 3. 4. Влияние потока В2О3 на процесс адсорбции бора
- 3. 5. Релаксация поверхности Si (l 11) при прерывании потока В2О
- 3. 6. Соосаждение В2О3 и
- 3. 7. Выводы
- 4. Особенности формирования поверхностной фазы 3xV3-B на 81(111)
- 4. 1. Введение
- 4. 2. Формирование 81(111)-л/Зхл/3-В на поверхности сильно легированного бором кремния
- 4. 2. 1. Изотермический высокотемпературный отжиг
- 4. 2. 2. Сегрегация бора на поверхности кремния ИЗ
- 4. 2. 2. 1. Изотермический отжиг
- 4. 2. 2. 2. Изохронный отжиг
- 4. 3. Формирование 81(11 l) V3xV3-B на поверхности кремния при разложении В2О
- 4. 3. 1. Экспериментальные кривые качания интенсивности зеркального рефлекса картины ДБЭ
- 4. 3. 2. Сравнение расчетных кривых качания с экспериментальными кривыми качания
- 4. 3. Влияние осаждения В2О3 на морфологию поверхности 81(111)
- 4. 4. Выводы
- 5. 1. Введение
- 5. 2. Эпитаксиальный рост 81 на 81(111)УЭхл/3-В в режиме МЛЭ
- 5. 2. 1. Сегрегация бора в процессе осаждения 81 на 81(111)л/Эхл/3-В
- 5. 2. 2. Влияние начального покрытия бора на механизм роста
- 5. 2. 3. Влияние начального покрытия бора на качество эпитаксиальных слоев
- 5. 3. Эпитаксиальный рост 81 на 81(11 1^3Х'М3-В в режиме ТФЭ
- 5. 4. Выводы
- 6. 1. Введение
- 6. 2. Одновременная адсорбция кислорода и азота из атмосферы воздуха
- 6. 2. 1. Зависимость состава и структуры поверхности от режима экспозиции
- 6. 2. 2. Зависимость состава поверхности от степени модификации
- 6. 2. 3. Зависимость состава поверхности от температуры отжига
- 6. 3. Термическая стабильность островков нитрида бора
- 6. 4. Циклическая нитридизация модифицированной бором поверхности кремния
- 6. 4. 1. ОЭС наблюдения
- 6. 4. 2. СХПЭЭ наблюдения
- 6. 4. 3. ДБЭ наблюдения
- 6. 5. Выводы
Список литературы
- Александров Л.Н. Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок. // Новосибирск: Наука. — 1978. — 280 с.
- Александров Л.Н. Кинетика кристаллизации и перекристаллизации полупроводниковых пленок. // Новосибирск: Наука. 1985. — 224 с
- Вяткин А.Ф. Твердофазный эпитаксиальный рост кремния. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1991. -N. 4. — Р. 5−26.
- Вяткин А.Ф., Фарбер Л. Э., Авилов A.C., Орехов СВ., Аленков В. В. Зависимость параметров ближнего порядка тонких слоев аморфного кремния от температуры подложки при их осаждении. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1991. -N. 10.-Р. 105−108.
- Гегузин Я.Е. Физика спекания // 2-е изд. М.: Наука. 1984. — 312 с.
- Гленг Р. Вакуумное испарение. // В кн.: Технология тонких пленок. Справочник, т. 1 Под ред. Л. Майссела, Р. Гленга. // М.: Советское радио. 1977. — с. 9−174.
- Гомоюнова М.В. Вторично-электронная спектроскопия твердого тела. // ЖТФ. -1976.-46.-N6.-P.1137−1170.
- Городецкий А.Е. Исследование атомных поверхностных структур методом дифракции быстрых электронов на отражение. // Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твердых тел. Москва, Наука, С. 222−280
- Горелик СС Рекристаллизация металлов и сплавов. 2-е изд. // М.: Металлургия. -1978.- 568 с.
- Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. // Москва, Радио и связь.1991.- 528 с.
- Заводинский В.Г., Зотов A.B., Коробцов В. В. Твердофазная эпитаксия аморфньгх пленок S1, напыленных на 81(100). // Поверхность. Физика, химия, механика. -1983.-N. 10.-Р. 129−133.
- Зи СМ. Физика полупроводниковых приборов. // Мир: Энергия. 1974. — 656 с.
- ИошиА., Дэвис Л., Пальмберг П. Электронная оже-спектроскопия. // В кн.: Методы анализа поверхностей. Под ред. А. Зандерны // М: Мир. 1979. — с 200−275.
- Зотов A.B., Коробцов В. В., Лифшиц В. Г., Шенгуров В. Г. Формирование упорядоченной поверхностной структуры 81(111)л/3-В и эпитаксия в системе Si/Sl (l 11) л/3-В. // Тезисы докладов I Всесоюзной конф. Диагностика поверхности, Черноголовка. 1986. — с. 87.
- Коробцов В.В., Фидянин О. Н., Шапоренко А. П., Балашев В В. Влияние способа химической обработки на смачиваемость поверхности 81(111). // ЖТФ. -1996. -66. -N12. -С.134−137.
- КристианДж. Теория превращений в металлах и сплавах. 4.1. Термодинамика и общая кинетическая теория. // М.: Мир. 1978. — 808 с.
- Мотт К, Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Т. 2. //М: Мир. 1982. -342 с
- Лау С, Ван дер Вег В. Эпитаксиальный рост твердой фазы. // В кн.: Тонкие пленки, взаимная диффузия и реакции. // М.: Мир. 1982. — с. 435−483.
- Лифшиц В.Г. Оже-спектры и электронная структура наружной энергетической полосы кремния. // В кн.: Процессы на поверхности полупроводниковых структур при вакуумном методе эпитаксии. // Владивосток: изд. ДВНЦ АН СССР. 1981. -с. 3−9.
- Лифшиц В.Г. Электронная спектроскопия и атомные процессы на поверхности кремния. // М.: Наука. 1985. — 200 с.
- Овсяников М.И., Толомасов В. А. Субмикронные эпитаксиальные слои и многослойные структуры кремния (метод молекулярной эпитаксии). // В кн.: Многослойные полупроводниковые структуры и сверхрешетки. // Горький: ИПФ АН СССР. 1984.-с. 5−19.
- ПайнсД. Элементарные возбуждения в твердых телах. // М.: Мир. -1965. -382с.
- Пак В., Кринский Ю. П. Измерение температуры поверхности твердых тел. // Приборы и системы управления. 1978. — N. 7. С. 23−24.
- ПалатникЛ.С, Черемской П. Г., Фукс М. Я. Поры в пленках. // М.: Энергоиздат.1982. -216 с.
- Постников В.В., Кузнецов В. П. О переносе донорных и акцепторных примесей из сублимирующихся источников кремния в эпитаксиальные слои. // Кристаллография. 1975. — 20, — N. 1. — с. 127−130.
- Самсонов Г. В. Физико-химические свойства окислов, Справочник // Москва, Металлургия. 1978. — 471 с.
- Смит A.M. Диффузия. // В кн.: Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия. Под ред. Р. Бургера и Р. Донована // М: Мир.- 1969.-с. 189−251.
- Толомасов В.А., Абросимова Л. Н., Горшенин Г. Н. Получение эпитаксиальных слоев кремния и-типа сублимацией в вакууме.// Кристаллография, 1970. — 15, — N. 6.-с. 1233−1238.
- Толомасов В.А., Васъкин В. В., Овсянников М. И., Логинова Р. Г., Рубцова Р. А. Обогащение бором приповерхностной области кремния в процессе сублимации. // ФТП. 1981.-1 5.-с. 104−108.
- Чернов А.А., Гиваргизов Е. И., Багдасаров Х.С и др. Современная кристаллография. Т. З Образование кристаллов. // М.: Наука. 1980. — 407 с.
- Шулъман А.Р., Фридрихов С. А. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела. // М.: Наука. -1977. -552 с.
- Янке Е., Эмде Ф., Леш Ф. Специальные функции (Формулы, графики, таблицы). // М.: Наука.- 1968.-344 с.
- АЬЫпкН. С, Broudy R. М, Мс Carthy С. Р. Surface processes In the growth of siliconon (111) silicon In UHV. // J. Appl. Phys. 1968. -39. — P.46−73.
- AgrawalP.M., Thompson D.L., Raff L.M. Variational phase-spase theory studies ofslllcon-atom diffusion on reconstructed Si (l 1 l)-(7×7) surfaces. // J.Chem. Phys. -1989. -91,-N10. -P.6463−6472.
- Akimoto K, Mizuki J., Hirosava I., Tatsumi Т., Hirayama K, Aizaki N., Matsui J.1.terfaclal super structure between epitaxial Sl (lll) layers and B (V3xV3)/Sl (lll) substrates studies by synchrotron X-ray diffraction // Extended Abstracts of the 19*
- Conference on Solid State Devices and Materials, Tokyo. 1987. — P. 463−466.
- Akimoto K., Hirosawa l, Tatsumi T., Hirayama H. Structure of V3xV3R30°-B at the SIinterface studied by granzing incidence X-ray diffraction. // Appl. Phys. Lett. -1990. -56,-N13. -P.1225−1227.
- AleksandrovL.N., LovyaginR.N., SafronovL.N. Luminescence analysis of an Impyrltyin the near-surface layers ofthermally evaporated silicon. // Appl. Surf Sei. 1982. — N 11/12.-P. 375−384.
- Allen F.G. Emisslvity of 0.65 micron of silicon and germanium at high temperatures. // L Appl. Phys. 1957.-28.-P. 1510−1511.
- Archer R.J., Gobeli G. W. Measurement of oxygen adsorption on silicon by ellipsometry. // J. Phys. Chem. 1965. — 26. — P. 343−349.
- AvourisPh., LyoI.W., Bozso F., KaxirasE. Adsorption of boron on Si (lll). Physics, chemistry and atomic scale electronic devices. // J. Vac. Sei. Technol. A -1990. 8, — N. 4.-P. 3405−3411.
- BahlS.K., BhagatS.M., GlosserR Properties of amorphous sihcon films: dependence of deposition rate. // Sol. State Comm. 1973. — 13. — P. 1159−1163.
- BarnettS.A., Green J.E. Si molecular beam epitaxy: a model for temperature dependent incorporation probabilities and depth distribution of dopants exhibiting strong surface segregation // Surf Sei. 1985. — 151. — P. 67−90.
- Bauer E., Wei Y., Muller T., Pavlov ska, A. Tsong. I.S.T. Reactive crystal growth in twodimensions: Sihcon nitride on Si (ll 1). // Phys. Rev. B. 1995. — 51, — N. 24 — P. 1 789 117 901.
- Bean J.C. Growth of doped silicon layers by molecular beam epitaxy. // in: Impyrlty doping/ Ed. By F. F. Y. Wang- N. Y.: North-Hohand. 1981. — P. 177−215.
- Bean J. C, Poate J.M. Evidence for void interconnection in evaporated amorphous silicon from epitaxial crystallization measurements. // Appl. Phys. Lett. 1980. — 35, -N. l. -R 59−51.
- Becker G. E., Hagstrum H. D. Diffraction peaks in secondary-electron energy spectra // L Vac. Sei. Technol. 1974. — 11, — N. 1. — P. 284−287.
- Bedrossian P., Mortensen K., Chen D.M., Golovchenko J.A. Adatom registry on Si (l 11)
- VSxVs R30-B. // Phys. Rev. B. -1990. -41, -Nl 1 -P.7545−7548.
- Bedrossian R.D., Meade R.D., Mortensen K., Chen D.M., Golovchenko J.A., Vanderbilt
- D. Surface doping and stabilization of Si (l 11) with boron. // Phys. Rev. Lett., -1989. -63. -P.1257−1260.
- Bozso F., Avouris Ph. Thermal and photochemical oxidation of Si (lll): Doping effect and the reaction mechanism. //Phys. Rev. B 1991. — 44, -N. 16. — P. 9129−9132.
- Bozso F., Avouris Ph. Photoemlssion studies of the reactions of ammonia and N atoms with Si (100)-(2xl) and Si (lll)-(7×7) surfaces. // Phys. Rev. B. 1988. — 38, — N. 6. — P. 3937−3942.
- Britze K., Meyer-Ehmsen G. High-energy electron diffraction at Si (lOO) surfaces. // Surf. Sci. -1978. -77, -Nl. -R131−141.
- BroadheadP., Newman GA. The structures of orthoboric acid and its thermal decom position products. // Inorganic Macromolecules Review. 1970. — N. l. — P. 191−201.
- Brodsky M.H., Tittle R.S., Weiser K., Pettit GD. Structural, optical, and electrical properties of amorphous slHcon films. // Phys. Rev. B. 1970. — 1, -N. 6. — P. 2632−2641.
- Brodsky M.H., Kaplun D., Zeigler J.F. Densities of amorphous Si films by nuclear backscattering. // Appl. Phys. Lett. 1972. — 21. — P.305−307.
- Brommer K., Galvan M., Dal Pino A., Jr., Joannopoulos J.D. Theory of adsorption of atoms and molecules on Si (l 11)7×7. // Surf Sci. 1994. — 314. — P.57−70.
- Caber J., Ishiwara H., Furukawa S. Solid phase epitaxy of highly-doped Si: B films deposited on Si (lOO) substrates. // Jap. J. Appl. Phys. 1982. — 21, — N. 11. — P. L712-L714.
- Cao R., YangX., Pianetta P. Characterization of the B/Si surface electronic structures. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1993. — 11, — N. 4. — P. l817−1822.
- Cao R., YangX, Pianetta P. Atomic and electronic structure of B/Si (100). // J. Vac. Sci. Technol. A. 1993. — 11, — N. 4. — P. 1455−1458.
- Chen P.J., Colaianni M.L., Yates J.T., Jr. The thermal dissociation of decaborane on Si (l 1 l)-(7×7) and doping effects in the neat surface region. // J. Appl. Phys. 1992.72,-N. 7. P. 3155−3160.
- Chen P.J., Colaianni ML, Yates J.T., Jr. Inhibition of atomic hydrogen etching of Si (lll)by boron doping. // J. Appl. Phys. 1991. — 70, -N. 6. — P. 2954−2957.
- Colella R N-beam dynamical diffraction of high-energy electrons at glancing incidence. General theory and computational methods. // Acta Cryst. A. -1972. -28. -P.l 1−15.
- ColellaR., Menadue J.F. Comparison of experimental and n-beam calculated intensities for glancing incidence high-energy electron diffraction. // Acta Cryst. A. -1972, 28. -P. 16−22.
- Corallo C.F., Hoflund G.B. Ion scattering spectroscopy and temperature-programmed desorption study of the interaction of N2 with Si (l 11). // J. Vac. Sei. Technol. A. 1987. — 5,-N. 4.-P. 713−717.
- Csepregy L, Mayer J.W., Sigmon T.W. Channeling effect measurement of the recrystallization of amorphous Si layers on crystal Si. // Appl. Phys. A 1975. — 54, — N. 2. — P. 157−158
- Csepregi L, Chu W.K., Muller K, Mayer J.W., Sigmon T.W. Influence of thermal history on the residual disorder in implanted 111 silicon. // Rad. Eff. 1976. — 28. — P. 227−233.
- Csepregi L, Mayer J.W., Sigmon T.W. Regrowth behaviour of ion-implanted amorphous layers on 111 Si. Appl.Phys.Lett. — 1976. — 29, — N. 2. — P. 92−93.
- CsepregiL, KennedyE.F., Gallagher T. G, MayerJ.W., Sigmon T.W. Reordering of amorphous layers of Si implanted with -A'P, AAAs, «B ions // J. Appl. Phys. 1977. — 48, -N. 10.-P. 4234−4240.
- Csepregi L, Kennedy E.F., Mayer J. W., Sigmon T. W. Substrate-orientation dependenceof the epitaxial regrowth rate from Si-implanted amorphous Si, // J. Appl. Phys. 1978. -49,-N. 7.-P. 3906−3911.
- D’AvitayaF.A., DeLage S. RosencherE. Silicon MBE: recent developments. // Surf
- Sei. 1986.- 168,-P. 483−497.70. 40 de Fresart E., Rhee S.S., Wang K. Boron oxide interaction with silicon in silicon molecular beam epitaxy. // Appl. Phys. Lett. -1986. 49, — N. 14. — P. 847−849.
- DavidsonS.M., Booker G.R. Ion implantation. London: Cordon and Breach. — 1971.510p.
- DavisL. E, MacDonaldN. C, PalmbergP. W, RiachH.E., WeberR.E. Handbook of Auger electron spectroscopy. // Eden: Phys. Electron. Idustr. 1976. — 252 p.
- DelordJ.F., SchrottA.G., FainS.C.Jr. Nltridation of silicon (111): Auger and LEED results. // J. Vac. Sei. Technol. 1980. — 17. — P. 517−520.
- DirksA.C., LeamyH.J. Columnar microstructure in vapor-deposited thin films. // Thin Solid Films. 1977. — 47. — P. 219−233.
- DonovanE.P., SpaepenP., TurnbullD., Poate J.M., JacobsonD. GHeat of crystallization and melting point of amorphous silicon. // Appl. Phys. 1983. — 42, — N. 8. — P. 698 700.
- Dorn R., Luth H., Russell G.J. Adsorption of oxygen on clean cleaved (110) galliumarsenide surfaces. Phys. Rev. B. 1974. — 10, — N. 12. — P. 5049−5056.
- Doyle P.A., TurnerP.S. Relativistic Hartree-Fock X-ray and electron scattering factors. // Acta Cryst. A. -1967. -24. -P390−397.
- Drosd B., Washburn J. A new technique for observating the amorphous to crystalline transformation in thin surface layers on silicon wafers. // J.Appl. Phys. 1980. — 51, — N. 3.-P. 4105−4110.
- Drosd R., Washburn J. Some observations on the amorphous to crystalline transformation in silicon. // J. Appl. Phys. 1982. — 53, — N. 1. — P. 397−403.
- EdamotoK., TanakaS., OnchiM., NishijimaM. Electron-energy-loss spectra ofSl (l 11) surface reacted with nitrogen atoms // Surf Sei. 1986. — 167. — P. 285−296.
- Florio J. v., Robertson W.D. Phase transformations of the Si (l 11) surface. // Surf Sei.1970.-22.-P. 459−464.
- Foti G, Bean J. C, Poate J.M., Magee CW. Effect of structure and impurities on the epitaxial regrowth of amorphous silicon. // Appl. Phys. Lett. 1980. — 36, — N. 10. — P. 840−842.
- FujiwaraK., OgataH, NishijimaM. Adsorption of H2S, H2O and O2 on Si (lll)surfaces. // Solid State Commun. 1977. — 21. — P. 895−897.
- Gandolfo D., Ruiz J., Thibaudau F., Zagrebnov V. A. Cooperative phenomenon in B/Si (l 11) segregation // Europhys. Lett. 1995. — 30, — N. 3. — P. 145−150.
- Gamer CM., Lindau L, Pianetta C.Y., Spicer W.E. Electron-spectroscopic studies of the early stages of the oxidation of Si. // Phys. Rev. B. 1979. — 19, — N. 8. — P. 39 443 956.
- Ghostagore R.N. Method for determining silicon diffusion coefficients in silicon and in some disilicon compounds. // Phys. Rev. Lett. -1966. 16, — N. 20. — P. 890−892.
- Golanski A., Piderkiewicz A., Rzewuski H., Lefeld-SosnosnovskaM, Grotzshcel R, Kreissing V. Particularities of crystalline to amorphous state conversion in silicon heavily damaged by 140 KeV Sf+ ions. // Phys. Stat. Sol. (a). 1976. — 38. — P. 139−149.
- Gonzalez-Hernandez J., Martin D., Chao S.S., Tsu R. Crystallization temperature of ultrahigh vacuum deposited silicon films. // Appl. Phys. Lett. 1984. — 45, — N. 1. — P. 101−103.
- Grimaldi M.G., Maenpaa M, Paine B.M., Nicolet M.-A., Lau S.S., Tseng W. F. Epitaxial grov1-h of amorphous Ge films deposited on single-crystal Ge. // J. Appl. Phys. 1981. -52.-P. 1351−1355.
- HaJ.S, ParkK.-H, Xun W.S., Ko Y.-J., KimSK. Interaction ofnitrogen with Si (l 11)7×7) surfaces at elevated temperatures. // Surf Sei. 1999. — P. 373−383.
- HanadaT, Ino S, Daimon H. Study of the Si (l 11)7×7 surface by RHEED rocking curve analysis. // Surf Sei. 1994. — 313, — N. 1−2. — P. 143−154.
- Hanke G, Muller K. Low energy Auger transitions of boron in several boron compounds. // J. Vac. Sei. Technol. A 1984. — 2, — N. 2. — P. 964−968.
- HeadrickR.L. Weir B.E., LeviA.F.J., Eaglesham D.J., Feldman L. C Si (100)-(2xl)boron reconstruction: self-limiting monolayer doping. // Appl. Phys. Lett. 1990. — 57, -N.26.-R 2779−2781.
- Headrick R.L., Weir B.E., BevkJ., Freer B. S, Eaglesham D.J., Feldman L.C. Influenceof surface reconstruction on the orientation of homoepitaxial silicon films. // Phys. Rev. Lett. 1990.-65,-N. 9.-P. 1128−1131.
- HeadrickR.L., Feldman L. C, Robinson LK. Stability of boron and gallium-inducedsurface structures on Si (lll) during deposition and epitaxial growth of silicon. // Appl. Phys. Lett. 1989. — 55, — N. 6. — P. 442−444.
- Hedrick R.L., Levi A.F.J., Luftman H.S., Kovalchick J., Feldman L.C. Electrical condition in the Si (l 1 l):B-(V3xV3)i?307a-Si interface reconstruction // Phys. Rev. B -1991. 43,-N. 18.-R 14 711−14 714.
- HeadrickR.L., Weir B.E., Levi A.F.J., Eaglesham D.J., Feldman L.C. Burled, orderedstructures: boron on Si (l 11) and Si (lOO). // J. Cryst. Growth. -1991, -111, -P.838−842.
- Henzler M Defects in surface structure: information with LEED, Festkorperprobleme. — 1979.- 19,-P. 193−208.
- HenzlerM. LEED studies of surface imperfections. // Appl. Surf Sei., 11/12, P. 450 469.
- Henzler M. Spot profile analysis (LEED) of defects at silicon surfaces. // Surf Sei. -1983.- 132.-P. 82−91.
- Hibino H, Sumitomo K., Ogino T., Growth process of twinned epitaxial layers on Si (lll)V3xV3-B and their thermal stability. //Appl. Surf Scl., 1998, 130−132, P.41−46.
- Hibino H, Ogino T. Formation of twinned two-bllayer-high Islands during initial stages ofSi growth on Si (lll)V3xV3-B// Surf Sei. 1998. — 412/413. — P. 132−140.
- HibinoH, SumitomoK., Ogino T. Twinned epitaxial layers formed on Si (l 11) V3xV3-B // J. Vac. Sei. Technol. A -1998. — 16, — N. 3. — P. 1934−1937.
- HildenbrandD.L., Hall W.F., Potter N.D., Thermodynamics of vaporisation of lithium oxide, boric oxide, and lithium metaborate. // J. Chem. Phys. 1963. — 39, — P. 296−301.
- Hirayama H, Tatsumi T., Aizaki N. Reflection high energy electron diffraction and Auger electron spectroscopic study on B/Si (l 11) surfaces. // Surf Sei. 1988. — 193. — P. 47−52.
- Ho K. T., Suni L, Nicolet M.-A. Substrate orientation dependence of enhanced epitaxial regrowth of silicon. // J. Appl. Phys. 1984. — 56, — N. 4. — P. 1207−1212.
- Horio Y., IchimiyaA., Dynamical diffraction effect for RHEED intensify oscillations for glancing angles. // Surf Sei. 1993. — 298. — P.261−272.
- T/ono Y., IchimiyaA. RHEED intensity analysis of Si (l 11)7x7A3xA3R30°-Ag surfaces. I. Kinematic diffraction approach. // Surf Sei. -1983. 133, — N. 2−3. P. 393−400.
- Hottier F., Theeten J.B., Masson A., Domange J.L. Comparative LEED and RHEED examination of steppedsurfaces, application to Cu (l 11) and GaAs (OOl) vicinal surfaces. II Surf. Sei-1977. -65. -P.563−577.
- Houston J.E., Park R.L. Low-energy electron diffraction from Imprfect structures. // Surf Sei. -1970. -21. -P.209−223.
- HuangH, TongS Y. Quinn J., Jona F. Atomic structure of Si (l 1 l) V3xV3R30-B by dynamical low-energi electron diffraction. // Phys. Rev. B 1990. — 41, — N. 5. — P. 32 763 278.
- Hung LS, Lau S. S, Von Allmen M., Mayer JW, Ullrich P.M., Baker JE., Williams P. Tseng W.P. Epitaxial growth of Si deposited on (100) Si. // Appl. Phys. Lett. 1980. -37. -P.909−911.
- Ibach H, Horn K., Dorn R., Luth H. The adsorption of oxygen on silicon (111) surfaces. I. // Surf Sei. -1973. 38. — P. 433−454.
- Ibach H, Rowe J.E. Electron orbital energies of oxygen adsorbed on silicon surfaces and silicon dioxide. //Phys. Rev. B. 1974. — 10, — N. 2. — P. 710−718.
- Ibach H, Rowe J.E. Electronic transition of oxygen adsorbed on clean silicon (111) and (100) surfaces. // Phys. Rev. B. 1974. — 9, — N. 4. — P. 1951−1957.
- Ui.Ichimiya A. RHEED intensity analysis of Si (l 11)7×7 at one-beam condition. // Surf Sei. Lett 1987. — 192. — P. 893−898.
- Ichimiya A. Many-beam calculation of reflection high energy electron diffraction (RHEED) intensities by the multi-slice method. // Jap. J. Appl. Phys. 1983. — 22, — N. l. -P. 176−180
- Ichimiya A. One-beam RHEED for surface structure analysis. // The Structure of
- Ilias S., Stambouli V., Pascallon J., et al. Microstructure and stress investigations of cubic boron nitride thin films. // Diamond and Related Materials. 1998. — 7. — P. 391 396.
- Ishizaka A. Growth mode transitions in Si molecular beam epitaxy on (100) and (111) substrate surfaces // Phil. Mag. B. 1991. — 64, — N. 2. — P. 219−232.
- Jackman T.E., Houghton D.C., Jackman J.A., DenhoffM.W., KechangS., McCaffrey J., RockettA. Annealing studies of highly doped boron superlattices. // J. Appl. Phys. -1989.-66,-N. 5.-R 1984−1992.
- Jorke H. Surface segregation of Sb on Si (lOO) during molecular beam epitaxy growth // Surf Sei. 1988. — 193, — N. 3. — P. 569−578.
- JoynerD.J., Hercules D.M. Chemical bonding and electronic structure of B2O3, H3 BO3, and BN: An ESCA, Auger, SIMS, and SXS study. // J. Chem. Phys. 1980. — 72, — N. 2. -N. 1095−1108.
- Kandel D., Kaxiras E. Surfactant mediated crystal growth of semiconductors // Phys. Rev. Lett. 1995. — 75, — N. 14. — P. 2742−2745.
- Kaverina I.G., Korobtsov V.V., Lifshits V.G., Zavodinskii V.G., Zotov A.V. The influence of the structure of amorphous Si deposited in ultrahigh vacuum on the solid phase epitaxial growth rate. // Thin Solid Films. 1984. — 117. — P. 101−106.
- Kaverina I.G., Korobtsov V. V., Zavodinskii V.G., Zotov A. V. SPE growth anisotropy of vacuum-deposited amorphous silicon. // Phys. Stat. Sol. (a). 1984. — 82. — P. 345−353.
- KasperE. Growth kinetics of Si molecular beam epitaxy // Appl. Phys. A. 1982. — 28. -P. 129−135.3'A.Kaxiras E. Atomic aspects of diffusion and growth on the Si and Ge (lll) surfaces // Thin Solid Films 1996. 272. — P. 386−398.
- Kaxiras E., Pandey K.C., Himpsel F.J., Tromp R.M. Electronic states due to surface doping: Si (lll)V3xV3-B. //Phys. Rev. B. -1990. -41, -P.1262−1265.
- Kerkow H, Kreysch G., Lukasch B. The influence of foreign atoms on the epitaxial annealing of ion-implanted sihcon. //Phys. Stat. Sol. (a). 1984. — 82. — P. 125−133.
- Kohler U., Demutth J.E., Hamers R.J. Scanning tunneling microscopy study of low-temperature epitaxial growth of silicon on Si (l 1 l)-(7×7). // J. Vac. Sei. Technol. A. -1989.-7,-N. 4.-P. 2860−2867.
- Korobtsov V.V., Zavodinskii V.G., Zotov A.V. Epitaxial regrowth of amorphous Si deposited on Si (l 11). // Phys. Stat. Sol. (a). 1982. — 72. — P. 391−398.
- Korobtsov VV, Zavodinskii V.G., Zotov A.V. LEED analysis of solid phase epitaxy of SI. // Surf Sei. 1983. -130, -P.325−328.
- Korobtsov V. V., Lifshits V.G., ZotovA. V. Formation of Si (lll)V3xV3-B and Si epitaxy on Si (l 1 l) V3xV3-B: LEED-AES study // Surf Sei. 1988. — 195. — P. 466−476.
- Korobtsov V. V., Lifshits V.G., ShaporenkoA.P., FidjaninO.N., Balashev V. V. Recovery of Sl (l 11) surface after Si growth interruption. // Phys. Low-Dim. Struct. 1998. — ¾. -P. 175−182.
- Koster U. Crystallization of amorphous silicon films. // Phys. Stat. Sol. (a). 1978. — 48. -P.313−321.
- Korte U., Meyer-Ehmsen G. The structure of the Pt (l 10)1×2 surface and its 1×2 to or from 1×1 structural transition. I. RHEED from the periodic part of the structure. // Surf. Sei.-1992. -271.-P.616−640.
- Kshirsagar S.T., Lannin J.S. Structural order in anneal-stable amorphous silicon. // Phys. Rev. B, 1982. — 25. — P. 2916−2919.
- KubiakR., Parry C. An overview of doping strategies in Si: MBE. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc, Materials Research Society. 1991. — 220. — P.63−74.
- Kumagai Y., Mori R., Ishimoto K, Hasegawa F. Infuence of boron adsorption over Si (lll) surface on Si molecular beam epitaxial growth studied by reflection high-energy electron diffraction. // Jap. J. Appl. Phys. 1994. — 33. — P. 817−819.
- Kumagai Y., Ishimoto K, Mori R., Hasegawa F. Temperature dependence of boron adsorption during HBO2 irradiation on Si (lll) surface evaluated by reflection high-energy electron diffraction. // Jap. J. Appl. Phys. 1994. — 33. — P. 1−14.
- Kumagai Y., Ishimoto K., Mori R, Hasegawa F. Temperature dependence of boron surface segregation in Si molecular beam epitaxial growth on the Si (11 l) V3xV3-B surface. // J. Cryst. Growth. 1995. — 150. — P. 989−993.
- LegallyM.G. The present status of low-energy electron diffraction. // Appl. Surf Sci. -1982.-13. P. 260−281.
- Lange G., Meli C.A., Toennies J.P., Green E.F. Helium atom scattering from the Si (lll) surface at high temperatures. // Phys. Rev. B. 1997. — 56, — N. 8, — P. 46 424 646.
- LatyshevA. V., KrasilnikovA.B., AseevA.L. Self-diffusion on Si (l 11)// Phys. Rev. B. -1996.-54,-N. 4.-R 2586−2589.
- Levi A.F.J., McCall S.L., Platzman P.M. Nonrandom doping and elastic scattering of carriers in semiconductors. // Appl. Phys. Lett. -1989. -54, N10. -P.940−942.
- Lifshits V.G., Akilov V.B., Churusov B.C., Gavriljuk Yu. L, Zavodinskii V.G. The formation of InSi sufce phase. // Sol. St. Comm. 1985. — 55. — P. 717−720.
- Lin T.L., Fathauer R.W., Grunthaner P.J. Maximum boron doping concentrations without oxygen incorporation for silicon molecular beam epitaxy using h b o 2 and b 2 o 3 as dopant sources. // Thin Solid Films. 1990. — 184. — P. 31−35.
- LloydJ. R., Nakahara S. Formation and growth of voids and/or gas bubbles in thin films. // Thin Solid Films. 1982. — 93. — P. 231−286.
- Lu T.M., LagallyM. G. The resolving power of a low-energy electron diffactometer and the analysis of sufce defects. // Surf Sci. 1980. — 99. — P. 695−713.
- LyoI. W., Kaxiras E., AvourisPh. Adsorption ofboron on Sl (l 11): Its effect on surface electronic states and reconstruction. // Phys. Rev. Lett. 1989. — 63, — N. 12. — P. 1264.
- MaksymP.A., BeebyJ.L. A theory of RHEED. // Surf Sci. -1981. -11. -P.423−438.
- Mathiez Ph., Roge T.P., Dumas Ph., Salvan F. Early stages of Cu growth on B-Si (lll)V3xV3R30°. //Appl. Surf Sci. 1992. — 56−58. — R 551−557.
- MaleyK., PilioneL, J., KshirsagarS.T., Lannin J.S. Structural order and optical properties oftetrahedral amorphous soHds. // Physica B. 1983. -117−118. — P. 880−882.
- Mayer J.W., Eriksson L, Picraux S.T., Davies J.A. Ion implantation of silicon and germanium at room temperature. Analysis by means of 1.0-MeV helium ion scattering. // Canadian Journal of Physics. -1968 -45. -P.563−673.
- McLean D., Grain Boundaries in Metals II Oxford U.P., London, 1957.
- Martin J.ML., Francois J. P., Gijbels R Ab initio study of boron, nitrogen, and boron-nitrogen clusters. I. Isomers and thermochemistry of B3, B2N, BN2, and N3. // J. Chem. Phys. 1989. — 90, — N. 11. -P. 6469−6485.
- Mazey D.J., Nelson R.S., Barnes B.S. Observation of ion bombardment damage of silicon. //Phil. Mag, -1968, -17. -N150. -P.l 145−1161.
- McLeanA.B., TerminelloL.J., HimpselF.J. Electronic structure of Si (l 11) on Si (l 11)-bV3X-/3 R30 studied by Si 2p and b Is core-level photoelectron spectroscopy // Phys. Rev. B -1990, -41, -Nil. -P.7694−7700.
- Meloni G., Viswanathan R., Gingerich K.A. Experimental and theoretical investigations of the structure and the stabolity of the BNSi molecule. // J. Chem. Phys. 1999. — 111, -N. 20. — P. 9325−9329.
- Meloni G., Sai BabaM., Gingerch K.A. Knudsen cell mass spectrometric investigation of the B 2 N molecule. // J. Chem. Phys. 2000. — 113, — N. 20. — P. 8995−8999.
- Menadue F. Si (lll) surface structure by glancing incidence high-energy electron diffraction. // Acta Cryst. A, 1972. — 28, — P. 1−11.
- Mo Y.-W., KariotisR., SwatzetruberB.S., WebbM.B., LagallyM.G. Scanning tunneling microscopy study of diffusion, growth and coarsening of Si on Si (OOl) // J. Vac. Sci. Technol. A. 1990.-8,-N. l.-R 201−206.
- Nakahara H, Ichimiya A., RHEED intensity rocking curves from Si (lll) surface during MBE growth. // J. Cryst. Growth. 1989. — 95. — P. 472−475
- ANarayan J. Interface structures during solid-phase-epitaxial growth in ion-implanted semiconductors and a crystallization model. // J. Appl. Phys. 1982. — 53, — N. 12. — P. 8607−8614.
- Narayan J., HollandO. W., AppletonB.R. Solid-phase-epitaxial grow1-h and formation of mrtastable alloys in ion implanted siUcon. // J. Vac. Sci. Technol. B. -1983. -1, -N4. -P.871−887.
- NishijimaM., FujiwaraK. Electron energy-loss spectroscopy ofNO, O2 and NH3 on
- Si (l 11) surfaces. // Solid State Commun. 1977. — 24 — P. 101−103.19. No garni J. •n/sxvb reconstruction of Si (lll) studied by scanning turmellng microscopy. // Surf Rev. Lett. 1994. — 1, N283, P.395−410.
- Nogami J., YoshikawaS., Glueckstein J.C., PianettaP. Boron reconstructed Si (lll) surfaces produced by B2O3 decomposition. // Scanning Microscopy. 1994. — 8, — N. 4. -P. 835−840.
- Nutzel J. E., Abstreiter G. Segregation and diffusion on semiconductor surfaces. // Phys. Rev. B. 1996. — 53, — N. 20. — R 13 551−13 557.
- OlshanetskyB.Z., ShklyaevA.A. Phase transitions on clean Si (l 10) surfaces. // Surf Sci. 1977.-67.-P. 581−583.
- Olson G. L, Roth J.A. Kinetics of solid phase crystallization in amorphous silicon // Material Sci. Reports -1988. 3. — P. 1−78.
- Ostrom R.M., AllenE. G. Boron doping in Si molecular beam epitaxy by co-.evaporation of B2O3 or doped silicon. //Appl. Phys. Lett. -1986 -48, -N3, -P.221−223.
- Paul W, Connell G.A.N, Temkin R.J. Amorphous- germanium. I. A model for the structural and optical properties. // Advances in Physics. 1973. — 22. — P. 531−580.
- Peto G, Lohner T., Kanaki J., Gyulai J. Investigation of ion-bombarded and annealed Si by UPS and RBS methods. // Nucl. lustrum, and Meth. Phys.Res. 1982. — 199, — N. 1−2. — P. 445−449.
- Pianetta P., Lindau /., Garner CM., Spicer W.E. Chemisorption and oxidation studiesof the (110) surfaces of GaAs, GaSb, and InP. // Phys. Rev. B. 1978. — 18, — N. 6. — P. 2792−2806.
- PianettaP., LindauL, Garner CM., Spicer W.E. Oxidation Properties of GaAs (llO) Surfaces. Phys. Rev. Lett. 1976. — 37, — N. 17. — P. 1166−1168.
- Qian G.-X., Chadi D. L Si (l 11)7×7 surface. Energy minimization calculation for the dimer-adatom-stacking fauh model. // Phys. Rev. 1987. — 35, — N. 3, — P. 1288−1293.
- Revesz P., Wittmer M., Roth J., Mayer J.W. Epitaxial regrowth of Ar-implanted amorphous silicon. II J. Appl. Phys. 1978. — 4, — N. 10. — P. 5199−5205.
- Saito T., Ohdomari L, Quantitative analysis of the bond rearrangement process during solid phase epitaxy of amorphous silicon. // Phil. Mag. B. 1984. — 49, — N. 5. — P. 471 479.
- SaitohS., Sugii T., IshiwaraH, FurukawaS. Growth conditions of deposited Si films in solid phase epitaxy. // Jap. J. Appl. Phys. 1981. — 20, — N. 2. — P. L130-L132.
- SardellaM.R., Ni W.-X., Ekberg J.O., Sundgren J.E., Hansson G. V. Surface segregation of boron during Si-MBE growth. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc, Materials Research Society.- 1991.-220. P. 109−114.
- ScheerM.D. The gas phase condition ofboric oxide. // J. Phys. Chem. 1957. — 61. P. 1184−1191.
- Schins W.J.H., Bezemer J., HoltropH., RadelaarS. Recrystallization of poly crystalline CVD grown silicon. // J. Electrochem. Soc. -1980. -127. -PI 193−1199
- Seah M.P. Chemstry of solid-solid interfaces- A review of its characterization, theory, and relevance to materials science/ //. J/ Vac. Sei. Technol. -1980. -17, N1. P. 16−24.
- Schrott A. G, FainS.C., Jr. Nltridation of Si (lll)by nitrogen atoms. // Surf. Sei. 1981. -111.-P. 39−52.
- Schrott A.G., FainS.C., Jr. Nltridation of Si (lll) by nitrogen atoms. II. // Surf Sei. -1982.- 123.-P. 204−222.
- Simko S.J., MilitelloM. Hexagonal phase ofboron nitride by AES// Surf Sei. Spectra. -1993.- 1,-N. 3.-R 288−291.
- Simko S.J., Militello M. Cubic phase of boron nitride by AES// Surf Sei. Spectra. -1993.- 1,-N.3.-P. 284−287.
- Solmi S., Landi E., Buraffaldi F. High-concentration boron diffusion in silicon: Simulation of the precipitation phenomena // J. Appl. Phys. 1990. — 68, — N. 7. — P. 3250−3258.
- Spaepen F. A structural model for the Interface between amorphous and crystalline Si and Ge. // Acta Metall. 1978. — 26. — P. 1167−1177.
- Spaepen F., Turnbull D. Kinetics of motion of crystal-meh interfaces. // In: Laser Solid Interactions and Laser Processing 1978 / Eds. Ferris S. D., Leamy H. J. and Poate J. M- N. Y.: American Institute ofPhysics. 1979. — P. 73−83.
- SrivastavaR.D., Farber M., Thermodynamic properties of group 3 oxide. // Chem. Rev.- 1978. 78. — P. 627−638.
- Stimpel T, Hosier HE., Schulze J., Baumgarther H, Eisele I. Boron surface phase on Si (lll): atomic structure and Si overgrowth studied by scanning tunneling microscopy and work function measurement. // Thin Solid Films. 2000. — 380. — P. 29−31.
- StolkP.A., GossmannH.-J., EagleshamD.J., Jacobson, D.C. Poate J.M., LuftmanHS. Trap-limited interstitial diffusion and enchanced boron clustering in silicon // Appl. Phys. Lett. 1995. — 66, — N. 5. — P. 568−570.
- Streit D., Metzger R.A., Allen F. G. Doping of silicon in molecular beam epitaxy systems by solid phase epitaxy. // Appl. Phys. Lett. 1984. — 44, — P. 234−236.
- StreitD.C, AllenE.G. Thermal and Si-beam assisted desorption of SiOi from silicon in ultra-high vacuum. // J. App. Phys. -1987. -61, -P.2894−2828.
- Suemasu T, YamamotoM., TakakuraK., Hashimoto S., Kumagai Y., HasegawaF. Sl-molecular beam epitaxial growth over an atomic-layer boron adsorbed Si (OOl) substrate and its electrical properties. // Jap. J. Appl. Phys. 1997. — 36. — P. 7146−7151.
- Sun Y.-K., BonserD.J., Engel T, Spatial ingomogeneity and void-growth kinetics in the decomposition of ultrathin oxide overlayers on Si (lOO). // Phys. Rev. B. -1991. -43. -P.14 309−14 312.
- SuniI., Goltz G, NicoletM.-A., Lau S.S. Effect of electrically active impurities on the epitaxial regrowth rate of amorphized silicon and germanium. // Thin Solid Films. -1982.-93-R 171−178.
- Suni L, Goltz G, Grimaldi M.G., NicoletM.-A., Lau S.S. Compensating Impurity effect on epitaxial regrowth rate of amorphous Si. // Appl. Phys. Lett. -1982. 40, N. 3. — P. 269−271.
- Taguchi Y., Date M, Takagi N., Aruga T., Nishijima M. Chemical reactivity of the Si (lll)V3xV3R30°-B surface: an electron-energy-loss spectroscopy study. // Appl. Surf Sci.- 1994.-82/83.-P. 434−436.
- Taguchi Y, DateM., Takagi N., Aruga T, NishijimaM. Adsorbed states ofNH3 and CeHe on the Si (lll)V3xV3R30°-B surface: Thermal-desorption and electron-energy-loss-spectroscopy studies. // Phys. Rev. B. 1994. — 50, — N. 23. — P. 17 440−17 449.
- Tanuma S., Powell C.J., Penn D.R. Calculations of electron inelastic mean free paths. // Surf Interface Anal -1994.-21 -P. 165−176.
- Tarrio C, Schnatterly S.E. Interband transitions, plasmons, and dispersion in hexagonal boron nitride. // Phys. Rev. B. 1989. — 40, — N. 11. — P. 7852−7858.
- Tatsumi T, Hirayama K, Aizaki N. Surface segregation at boron planar doping in silicon molecular beam epitaxy. // Jap. J. Appl. Phys. 1988. — 27, — N. 6. — P. 954−956.
- Tatsumi T, Hirosava L, Niino T, Hirayama K, Mizuki J. Activation efficiency of a BV3xV3/Si (lll) structure covered with molecular beam deposited amorphous Si and SlOx // Appl. Phys. Lett. 1990. — 57, — N. 1. — P. 73−75.
- Tatsumi T, HirayamaH, Aizaki N. Boron heavy doping for Si molecular beam epitaxy using HBO2 source. // Appl. Phys. Lett. 1987. -50, -N18, -P. 1234−1236.
- Temkin R.J., Paul W, Connell G.A.H. Amorphous germanium. II. Structural properties. // Advances in Physics. 1973. — 22. — P. 581−642.
- Terminello L.J., Chaiken A., Lapiano-Smith D.A., et al. Morphology and bonding measured from boro-nitride powders and films using near-edge x-ray adsorption fine structure. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1994. — 12, — N. 4. — P. 2462−2466.
- ThapliyalH. V., Unertl W.N. Diffraction features in secondary electron emission. // J. Vac. Sci. Technol. 1979.16, — N. 2. — P. 523−526.
- TheyM.L., CandaisM., Fisson S. On the defects- of amorphous Ge films. // Phys. Stat. Sol. (a). 1973.- 17.-P. 643−652.
- Thibaudau F., Roge T. P., Mathiez Ph., Dumas Ph., Salvan F., Cooperative segregation of boron at Si (l 11). // Europhys. Lett. 1994. — 25. — P. 353.
- Thibaudau F., Dumas Ph., Mathiez P., Humbert A., Satti D., Salvan F. A3xA3 structure of boron enriched Si (l 11) surface investigated by Auger, LEED and scanning tunneling microscopy. // Surf Sci. -1989. 211 212 -P. 148−155.
- Thomas P. A., BrodskyM.K., KaplanD., Lepine D. Electron spin resonance of ultra-high vacuum evaporated amorphous silicon: In situ and ex situ studies. // Phys. Rev. B. -1978.- 18.-P. 3059−3073.
- Thutupalli G.K.M., Tomlin S.G. The optical properties of amorphous and crystalline silicon. // J. Phys. C. 1977. — 10. — P. 467−477.
- TongS.Y, HuangH, Wei CM. Packard W.E., Men F.K., Glander G, Webb M.B. Low-energy electron diffraction analysis of the Si (l 11)7×7 structure // J. Vac. Sci. Technol. A. 1988.-6,-N. 3.-P. 615−624.
- Trehan R., Lifshitz ?., Rabalais J. W. Auger and x-ray electron spectroscopy studies of hBN, cBN, and N2"A ion Irradiation of boron and boron nitride. // J. Vac Sci. Technol. A. 1990.-8,-N. 6.-R 4026−4032.
- Tsaur B.Y., Hung L.S. Epitaxial alignment of polycrystalline Si films on (100) Si. // Appl. Phys. Lett 1980. — 37, — N. 7. — P. 648−651.
- Tuppen CG, Prior K.A., Gibbings C.J. Oxygen incorporation in molecular-beam epitaxial silicon doped using a boric oxide source. // J. Appl. Phys. 1988. — 64, — N. 5. -P. 2751−2753.
- UesugiK, Takiguchi T., YoshimuraM., Yao T. Scanning tunneling microscopy study of the reaction ofAici3 with the Si (ll 1) surface. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1994. — 12, -N.3.-P. 2008−2011.
- Vescan I., Kasper E., Meyer O., MaierM. Characterization of Ga-doped solid phase-MBE silicon. // J. Cryst. Growth. 1985. — 73. — P. 482−486.
- VoightlanderB., ZinnerA., Weber T, BonzelHP. Modification of growth kinetics insurfactant-mediated epitaxy// Phys. Rev. B. 1995. 51, — N. 12. — P. 7583.
- Von Allmen M., Lau S.S., Mayer J.W., Tseng W.F. Solid-state epitaxial growth of deposited Si films. //Appl. Phys. Lett. 1979. — 35. — P. 230−282.
- E. E. And Poate J. M. Princeton: The Electrochem Soc. — 1980. — 80−2. — P. 195−198.
- WangH. -C, LinR.-F., WangX. High temperature nitridation structures of the Sl (l 11)-(7×7) surface. // Surf Sei. 1987. — 188. — P. 199−205.
- Wang S., Radny M.W., Smith P.V. Segregation of boron on the cluster-modified Si (lll)V3xV3R30°-B hydrogenated surface. // Phys. Rev. B. 1997. — 57, — N. 7. — P. 3575−3578.
- Wang S., Radny M.V., Smith P.V. Boron, hydrogen and siUcon adatom on Si (lll) surface an (it ab initio) Hartree-Fock/density functional cluster study. // J. Phys. Condens. Matter. 1997. — 9, — P. 4535−4557.
- Wang S., Radny M. W., Smith P. V. Ab initio cluster calculations of the chemisorption of hydrogen on the Si (l 1 l) V3xV3R30°-B surface. // Surfi Sei. 1997. — 349, — P. 235−249.
- Weir B.E., Eaglesham D.J., Feldman L.C., Luftman H.S., HeadrickR.L. Electron microscopy of the ordered boron 2×1 structure burled in cristalline silicon. // Appl. Surf Sei.- 1995.-84.-R 413−418.
- WeirB.E., HeadrickR. L, Shen Q., Feldman. C, HyberstenM. S, NeedelsM., Schenter M., Hart T. R. Growth and structural analysis of an ordered boron monolayer in Si (lOO).
- Phys. Rev. B. 1992. 46, — N. 19. — P. 12 861−12 864.
- Weir B.E., Feldman L.C., Monroe D., Grossmann HJ., Headrick R. L, Hart TR. Electrical characterization of an ultrahigh concentration boron delta-doping layer. // Appl. Phys. Lett. 1994. — 65, — N. 6. — P. 737−739.
- Welkie D. €., Lagally M.G. Quantitative island size determination in the chemisorbed layer W (l 10) p (2×1)-0. // Surf Sei. 1979. — 81. — P. 69−39.
- Weltner W., Jr., WarnJ.R.W. Matrix isolation of high-temperature vapors: boric oxide. //
- J. Chem. Phys. 1962. — 37. — N. 2. — P. 292.-303
- White D., Mann D.E., Walsh P.N., Sommer A. Infrared emission spectrum of gaseous HBO2. // J. Chem. Phys. 1960. — 32, — N. 2. — P. 488−492.
- White D., Mann D.E., Walsh P.N., Sommer A. Infrared emission spectrum of gaseous B2O3 and B2O2. // J. Chem. Phys. 1960. — 32, — N. 2. — P. 481−487.
- Widmer PI. Epitaxial growth of Si on Si in ultra-high vacuum, // Appl. Phys. Lett. -1964.-5,-N.5,-P. 108−110.
- Widmayer P., Ziemann P., Boy en H.-G. Electron energy loss spectroscopy-an additional tool to characterize thin films of cubic boron nitride. // Diamond and Related Materials.- 1998.-7.-P. 385−390.
- Widmayer P., Boyen H.-G., Ziemann P. Electron spectroscopy on boron nitride thin films: Comparison of near-surface to bulk electronic properties. // Phys. Rev. B. 1999. -59,-N. 7. — P. 5233−5241.
- WigginsM., Baird R.J., WynblattP. Thermal nitridation of Si (l 11) by nitric oxide. // J. Vac. Sci. Technol. 1981. -18, — N. 3. — P. 965−970.
- Williams J.S., Ellimam R.G. Role of electronic processes in epitaxial recrystalllzation of amorphous semiconductors. // Phys. Rev. Lett. 1983. — 51, — N. 12. — P. 1069−1072.
- Williams J.S., ShortK. T. The influence of electronic processes on the epitaxial regrowth rate in ion implanted sihcon. // Nuclear lustrum. Methods. 1983. — 209/210. — P. 767 771.
- Williams J.S. Solid phase epitaxial regrowth phenomena in silicon. // Nuclear Instrum. Methods. 1983. — 209/210. — P. 219−228.
- Wittmer M., Roth J., Mayer J.W. The influence of noble gas atoms on the epitaxial regrowth of implanted and sputtered amorphous silicon. // J.Electrochem. Soc. 1979. -126,-N. 7,-P. 1247−1252.
- Yamamoto T., Ohara S., Ezoe K., Kuriyama H, Ishii K, Matsumoto S., Initial stage of Si (lll)-B surface reconstruction studied by scanning tunneling microscopy. // Appl. Surf Sci. 1998. — 130/132. — P. 1−5.
- Yates J. T., Jr. Surface chemistry of silicon the behaviour of dangling bonds. // J. Phys.:
- Condens. Mater. 1991. — 3. — P. S143- SI56.
- YokotaK., KimuraM., Kojima K. XPS and AES studies of annealing behavior of carbon adsorbed on silicon surfaces. // Jap/. J. Appl. Phys. 1986. — 25, — N. 10. — P. 1608−1609
- X/e Y.H., Wang K.L., Kao YC. An investigation on surface conditions for Si molecular beam epitaxial (MBE) growth. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1985. — 3, — N. 3. — P. 10 351 039.
- Xw Y.-K, Ching W.Y. Calculation of ground-state and optical properties of boron nitrides in the hexagonal, cubic, and wurtzite structures. // Phys. Rev. B. 1991. — 44, -N. 15.-R 7787−7798.
- ZotovA. v., KulakovM.A., BuUemerB., EiseleI. Scanning tunneling microscopy study of Si growth on a Si (111)V3XA/3-B surface. // Phys. Rev. B. 1996. — 53, — n. 19. — P. 12 902−12 906.
- ZotovA.K, KulakovM.A., RyzhkovS. V., SaraninA.A., Lifshits V.G., BuUemerB., Eisele I. Structural defects of the Si (lll) V3xV3-B surface studied by scanning tunneling microscopy // Surf Sci. 1996. — 345. — P. 313−319.