Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Математическое моделирование переходных электрических процессов в тонкопленочном электролюминесцентном конденсаторе в схеме управления индикаторами

Диссертация: Математическое моделирование переходных электрических процессов в тонкопленочном электролюминесцентном конденсаторе в схеме управления индикаторами
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Апробация работы. Основные положения диссертационной работы докладывались на научно-практической конференции 8-й, 9-й и 10-й школы-семинара «Актуальные проблемы физической и функциональной электроники» (Ульяновск 2005;2008 гг.) — Шестой Всероссийской научно-практической конференции «Современные проблемы создания и эксплуатации радиотехнических систем» (с участием стран СНГ) (Ульяновск, 2009 г… Читать ещё >

Содержание

  • Раздел 1. АНАЛИЗ СВОЙСТВ И ХАРАКТЕРИСТИК ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ И ИНДИКАТОРНЫХ УСТРОЙСТВ
    • 1. 1. Тонкопленочные электролюминесцентные конденсаторы
    • 1. 2. Электрические характеристики тонкопленочных электролюминесцентных источников излучения
    • 1. 3. Светотехнические характеристики тонкопленочных электролюминесцентных структур
    • 1. 4. Анализ влияния форм возбуждающего напряжения в тонкоплёночных электролюминесцентных излучателях
    • 1. 5. Выводы и постановка задач исследований
  • Раздел 2. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПЕРЕХОДНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В ТОНКОПЛЕНОЧНОМ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНОМ КОНДЕНСАТОРЕ В СХЕМАХ УПРАВЛЕНИЯ ИНДИКАТОРАМИ ПРИ ВОЗБУЖДЕНИИ ИМПУЛЬСНЫМ НАПРЯЖЕНИЕМ
    • 2. 1. Основы математической модели
    • 2. 2. Математическое моделирование переходных электрических процессов в тонкопленочном электролюминесцентном конденсаторе при возбуждении знакопеременным импульсным напряжением
    • 2. 3. Переходные электрические процессы в тонкопленочном электролюминесцентном конденсаторе при возбуждении напряжения в форме меандра
    • 2. 4. Разработка программного комплекса моделирования переходных электрических процессов в тонкопленочном электролюминесцентном конденсаторе
    • 2. 5. Анализ влияния неидеальности переднего фронта импульса возбуждающего напряжения на переходные процессы в ТПЭЛК

Математическое моделирование переходных электрических процессов в тонкопленочном электролюминесцентном конденсаторе в схеме управления индикаторами (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность проблемы. Математическое моделирование является наиболее удобным аппаратом для разработки, исследования и оптимизации технических объектов и процессов, поскольку значительно сокращает время и расходы на проведение экспериментальных работ, получая при этом достаточно полный объем интересующей нас информации. К таким техническим объектам относятся средства отображения информации на основе плоских твердотельных активных индикаторов. Основным элементом таких индикаторов и является тонкопленочный электролюминесцентный конденсатор (ТПЭЛК).

Разработанная еще 30 лет назад технология электролюминесцентных индикаторов остается актуальной и сегодня. Уникальные эксплуатационные качества и визуальные характеристики индикаторов позволяют создавать решения, способные работать в тяжелых климатических условиях.

За последние 20 лет качественные характеристики электролюминесцентных индикаторов были значительно улучшены, увеличена яркость излучения люминесцентных пленок, а также контрастность изображения. В дополнение к обычным монохромным электролюминесцентным индикаторам выпускаются и многоцветные индикаторы.

Электролюминесцентные индикаторы обладают следующими возможностями и преимуществами:

• работа при низких температурах без использования дополнительного обогрева;

• широкий угол обзора — свыше 160°;

• быстрый отклик дисплея — менее 1 мс;

• компактный корпус и обрамление;

• конструкция, снижающая уровень электромагнитного излучения;

• надежная работа, долговечность;

• радиационная стойкость.

Индикаторные элементы на основе тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов нашли своё применение в таких областях, как промышленность, контрольно-измерительное оборудование, транспорт, в горном оборудовании, авиационной электронике, морском флоте, буровых установках, специальных транспортных средствах, системах безопасности, медицинском оборудовании, также в торговых терминалах и военных системах вооружения. Также применяются в компьютерах, предназначенных для работы в жестких условиях эксплуатации. На транспортном рынке дисплеи идеальны для бортовых компьютеров грузовиков, в системах навигации, на поездах.

Сравнительно высокая цена электролюминесцентных дисплеев объясняется главным образом стоимостью управляющей электроники.

Свечение люминофора твердотельной структуры электролюминесцентных индикаторов очень стабильно. Срок службы дисплеев достигает 15 лет непрерывной эксплуатации. По длительности эксплуатационного периода электролюминесцентные дисплеи также превосходят конкурирующие технологии. Особенно это существенно при низких и экстремально низких температурах.

Электролюминесцентные индикаторы характеризуются широким углом обзора, как в горизонтальном, так и в вертикальном направлении. При этом уровни яркости и контраста остаются неизменными при всех углах обзора. Широкий угол обзора индикаторов наилучшим образом соответствует использованию их там, где чтение дисплея может происходить под острым углом, давая возможность пользователю не быть привязанным к точке наилучшего обзора.

К настоящему времени достигнуты значительные успехи в проектировании и производстве индикаторов на основе тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов: определены материалы с требуемыми свойствами и разработаны конструкции, технологии получения элементов и устройств, методы контроля свойств материалов и источников излучения.

Однако отсутствуют достаточно полные математические модели, описывающие основные функциональные и электрические характеристики индикаторных устройств на основе тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов, которые необходимы для разработки их режимов возбуждения. Существующие модели являются упрощенными и характеризуют отдельные эффекты в многослойной структуре.

В Ульяновском государственном техническом университете в течение ряда лет проводились работы по исследованию параметров тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов и режимов возбуждения электролюминесценции в них, а также разрабатывались методы и устройства управления индикаторными приборами и их применение в средствах отображения информации. Дальнейшее развитие работ обусловило как необходимость теоретического анализа и экспериментальных исследований указанных проблем, так и математического моделирования электрических и светотехнических характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов, работающих на знакопеременном импульсном напряжении.

Цель и задачи исследований. Целью данной диссертационной работы является математическое моделирование переходных электрических характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов, как элементов электрической цепи в составе схемы управления при возбуждении знакопеременным импульсным напряжением, для проектирования индикаторных устройств на основе ТПЭЛК и повышения эффективности преобразования электрической энергии в световое излучение.

Для достижения этой цели в ходе выполнения диссертационной работы были поставлены и решены следующие задачи.

1. Теоретический анализ и математическое моделирование переходных электрических процессов в ТПЭЛК в составе схемы управления индикатором с последовательным резистором, имитирующим внутреннее сопротивление источника напряжения и сопротивление проводников, при возбуждении импульсным напряжением.

2. Анализ и математическое моделирование процессов рассеяния мощности в ТПЭЛК с последовательным резистором при воздействии импульсного напряжения.

3. Схемотехническое моделирование переходных электрических характеристик ТПЭЖ с использованием пакетов прикладных программ моделирования и проектирования электронных схем Electronics Workbench.

4. Макетное моделирование переходных электрических характеристик реализовано с применением натурного макета схемы замещения созданного нами на базе эквивалентной схемы ТПЭЛК.

5. Экспериментальное исследование электрических и светотехнических характеристик ТПЭЛК в составе схемы управления индикатором.

Научная новизна основных положений, выносимых на защиту.

Впервые проведенные исследования электрических характеристик тонкопленочного электролюминесцентного конденсатора, как элемента электрической цепи, и эффективности его возбуждения при воздействии знакопеременным импульсным напряжением позволили вынести на защиту следующие основные положения:

1. На основе теории электрических цепей разработано математическое описание и программный комплекс моделирования переходных электрических процессов в тонкопленочном электролюминесцентном конденсаторе при возбуждении знакопеременным импульсным напряжением.

2. Математическое моделирование процессов рассеяния энергии в тонкопленочном электролюминесцентном конденсаторе и последовательном резисторе позволило изучить и оценить эффективность процесса преобразования электрической энергии в световое излучение при воздействии импульсного напряжения.

3. Результаты математического моделирования переходных электрических процессов и процессов рассеяния мощности в тонкопленочном электролюминесцентном конденсаторе с применением численных методов позволяют определить требования к значениям параметров элементов цепи управления индикаторами на основе тонкопленочного электролюминесцентного конденсатора.

4. Закономерности протекания переходных электрических процессов при возбуждении симметричным импульсным напряжением в тонкопленочном электролюминесцентном конденсаторе, обнаруженные при математическом моделировании, подтвердились результатами схемотехнического и макетного моделирования, а также экспериментальных исследований.

Практическая значимость диссертационной работы заключается в следующем:

1. Проведенное математическое моделирование переходных электрических процессов в тонкопленочном электролюминесцентном конденсаторе с последовательным резистором цепи в схеме управления и получены аналитические соотношения для падения напряжения на ТПЭЛК и тока через него, при возбуждении знакопеременным импульсным напряжением, позволяют определить требования к значениям параметров элементов цепи управления индикаторами на основе тонкопленочного электролюминесцентного конденсатора.

2. Реализованное схемотехническое и макетное моделирование, а также проведенное моделирование процессов рассеяния энергии в тонкопленочном электролюминесцентном конденсаторе могут быть непосредственно использованы в лабораториях и конструкторских бюро, занимающихся проектированием и исследованием электролюминесцентных источников излучения.

3. Полученные аналитические соотношения электрических параметров тонкопленочного электролюминесцентного конденсатора применимы для разработки методик производственного контроля и определения функциональных характеристик, описывающих свойства тонкопленочных электролюминесцентных элементов и индикаторных приборов.

4. Определенные по данным теоретических и экспериментальных исследований, по результатам математического моделирования рекомендации по выбору режимов возбуждения и управления электролюминесцентными излучателями обеспечивают требуемые выходные параметры индикаторных устройств.

Достоверность научных положений, выводов и рекомендаций обеспечивается совпадением результатов математического, схемотехнического и макетного моделирования, корректностью допущений модели, совпадением расчетных данных с результатами экспериментальных исследований.

Личный вклад. В диссертации изложены результаты работ, которые были выполнены соискателем лично под научным руководством профессора Самохвалова М. К. Автор разрабатывал методики исследований, проводил теоретические анализ и осуществлял расчеты, моделирование и эксперименты, осуществлял обработку, анализ и обобщение полученных результатов.

Апробация работы. Основные положения диссертационной работы докладывались на научно-практической конференции 8-й, 9-й и 10-й школы-семинара «Актуальные проблемы физической и функциональной электроники» (Ульяновск 2005;2008 гг.) — Шестой Всероссийской научно-практической конференции «Современные проблемы создания и эксплуатации радиотехнических систем» (с участием стран СНГ) (Ульяновск, 2009 г.) — ХЬ-, 42-, 43-, 44-й научно-технической конференции «Вузовская наука в современных условиях» (Ульяновск 2006, 2008;2010 г.) — 12-й Международной конференции «Опто -, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» (Ульяновск 2010 г.), а также на ежегодных научно-технических конференциях УлГТУ в 2005;2011 гг.

Публикации. Содержание работы изложено в 16 печатных работах, в том числе в 2 статьях в журналах, входящих в Перечень российских рецензируемых научных журналов.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, пяти разделов, заключения, списка используемых источников и приложения. Она изложена на 133 листах, содержит 43 рисунка и 10 таблиц. Библиографический список содержит 134 наименования.

5.4. Основные результаты и выводы.

1. Изучена технология получения тонкопленочных электролюминесцентных структур и методика измерения их электрических и светотехнических характеристик.

2. Проведены экспериментальные исследования переходных электрических процессов на реальных образцах тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторных структур, с учетом влияния паразитного элемента цепи — последовательного резистора, при возбуждении знакопеременным напряжением.

3. Экспериментально измерены зависимости постоянных времени релаксации г и тв тонкопленочного электролюминесцентного конденсатора от величины сопротивления последовательного паразитного резистора цепи на частотах симметричного знакопеременного возбуждающего напряжения 1 кГц и 100 Гц. Экспериментальные результаты соответствуют данным теоретического анализа, математического, схемотехнического и макетного моделирования.

4. Экспериментально исследованы вольт-яркостные характеристики тонкопленочного электролюминесцентного конденсатора. Получены экспериментальные зависимости яркости свечения тонкопленочной электролюминесцентной структуры от величины сопротивления последовательного резистора. Для увеличения яркости свечения индикаторных устройств на основе тонкопленочного электролюминесцентного конденсатора необходимо уменьшать величину внутреннего сопротивления источника напряжения и проводников до уровня, не превышающего 800 кОм на частоте входного возбуждающего напряжения 1 кГц и 1МОм при 100 Гц.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Проведенные теоретические и экспериментальные исследования для проведения математического моделирования переходных электрических характеристик в тонкопленочном электролюминесцентном конденсаторе в схеме управления индикаторными устройствами позволили сформулировать следующие основные результаты и выводы:

1. Проведен теоретический анализ и математическое моделирование переходных электрических процессов в ТПЭЛК с последовательным резистором в схеме управления индикатором. Получены аналитические соотношения для падения напряжения на электролюминесцентном конденсаторе и тока через него при возбуждении знакопеременным симметричным импульсным напряжением. Определены значения напряжения переключения конденсатора в проводящее состояние, времени переключения и постоянных времени релаксации ТПЭЛК. Осуществлено моделирование переходных процессов ТПЭЛК в программной среде Ма&ЬаЬ.

2. Разработан программно-аппаратный комплекс моделирования переходных электрических процессов ТПЭЛК в составе схемы управления индикаторами при возбуждении импульсным напряжением, позволивший провести комплексные исследования и сравнительный анализ полученных результатов.

3. Проведено математическое моделирование переходных электрических процессов в ТПЭЛК при неидеальном виде переднего фронта импульса входного возбуждающего напряжения с применением численных методов. Было установлено, что время нарастания переднего фронта импульса возбуждающего напряжения не будет влиять на напряжение и ток в ТПЭЛК, если будет меньше 1 мс на частоте 100 Гц и 1 мкс при 1кГц для обоих видов возбуждающего напряжения.

4. В результате математического моделирования процессов рассеяния энергии в ТПЭЛК при возбуждении импульсным напряжением получены аналитические выражения для расчета активной и средней мощности рассеяния и коэффициента эффективности свечения. В среде MathCAD программно реализована задача поиска экстремума функции численным методом, а именно определение максимального значения коэффициента эффективности свечения ТПЭЛК и активной мощности рассеяния.

5. Максимальное значение активной мощности рассеяния в ТПЭЛК достигает значения Р¿-=0,082 Вт при импульсном напряжении и напряжении в форме меандра. Максимальное значение коэффициента эффективности тонкопленочного конденсатора Г}=99,39% становится при входном возбуждающем напряжении в форме меандра. Количественные результаты соответствуют данным, полученным по объемным поверхностным диаграммам.

6. Впервые с использованием программы схемотехнического моделирования Electronics Workbench проведены исследования влияния сопротивления последовательного резистора на переходные электрические процессы в ТПЭЛК при возбуждении знакопеременным импульсным напряжением. Полученные результаты согласуются с данными математического моделирования.

7. Проведено макетное моделирование переходных процессов ТПЭЛК в составе схемы управления с использованием натурного макета электрической схемы замещения. Графики постоянных времени релаксации т и zD тонкопленочного электролюминесцентного конденсатора, полученные при макетном моделировании имеют линейный характер и совпадают с аналогичными зависимостями, определенными при математическом и схемотехническом моделировании, что подтверждает возможность исследования характеристик ТПЭЛК с использованием макета схемы замещения.

8. Впервые проведены экспериментальные исследования переходных электрических процессов на реальных образцах ТПЭЛК структур с учетом влияния сопротивления последовательного резистора. Полученные зависимости соответствуют данным математического, схемотехнического и макетного моделирования. Получены экспериментальные зависимости яркости свечения ТПЭЛК от величины сопротивления последовательного резистора.

9. На основе полученных результатов выработаны рекомендации к значениям параметров элементов цепи управления индикаторами на основе ТПЭЛК. Для увеличения яркости свечения индикаторных устройств на основе тонкопленочного электролюминесцентного конденсатора необходимо уменьшать величину внутреннего сопротивления источника напряжения и проводников до уровня, не превышающего 800 кОм на частоте входного возбуждающего напряжения 1 кГц и 1МОм при 100 Гц.

Показать весь текст

Список литературы

  1. О.И., Лямичев И. Я., Соркин Ф. В. Прикладная электролюминесценция. Под редакцией М. В. Фока. М.: Советское Радио, 1974.-414 с.
  2. Ф.М., Троицкий Ю. В. Средства отображения информации. -М.: Высшая школа, 1985. 200 с.
  3. Г. Электролюминесценция. Перевод с английского под редакцией B.C. Вавилова. -М.: Мир, 1964. 455 с.
  4. В.П., Корсунский В. М. Электролюминесцентные устройства. -Киев: Наукова думка, 1968. 302 с.
  5. М.К. Конструкции и технология тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов. Ульяновск: УлГТУ, 1997. — 56 с.
  6. М.К. Тонкопленочные электролюминесцентные источники излучения. Ульяновск: УлГТУ, 1999. — 117 с.
  7. М.К. Электрическое моделирование тонкопленочных электролюминесцентных излучателей. Микроэлектроника, 1994. -Т.23-№ 1- С.70−75.
  8. Д.Д., Бараненков И. В. Тонкопленочные электролюминесцентные индикаторные устройства. Зарубежная радиоэлектроника, 1985. — № 7 — С.81−94.
  9. В. Электролюминесцентные плоскопанельные дисплеи. -Электронные компоненты, 2003. № 7 — С.97−100.
  10. Wager J.F., Keir P.D. Electrical characterization of thin-film electroluminescent devices // Annu. Rev. Sci. 1997. — Vol.27.- P.223−248.
  11. H.M., Кокин C.M., Беккер Б. Г. и др. Влияние диэлектрика на параметры тонкопленочных электролюминесцентных структур. Известия ВУЗов. Физика, 1986. -Т.29,-№ 4.-С. 119−120.
  12. Howard W.E. The importance of insulator properties in a thin-film electro luminescent device. JEEE Trans., 1977. — Vol. ED-24.- № 7, — P.903−908.
  13. Herman M.A. High-field thin-film electroluminescent displays. Electron. Technol, 1986. — Vol.19.- № 1−2.- P.23−58.
  14. И.К., Колотилова В. Г., Острый И. Е., Пауткина А. В. Влияние толщины электрических слоев на характеристики электролюминесцентных плёночных излучателей // Известия ВУЗов. Физика. 1989. № 9 — С.117−118.
  15. Sutton S., Shear R. Recent developments and trends in thin-film edisplay drivers. Springer Proceedings in Physics, 1989. — Vol.38.- P.318−323.
  16. Smith D. H. Modeling a. c. thin-film electroluminescent devices. J. Luminescence, 1981.- Vol.23. — № 1.- P.209−23 5.
  17. Miiller G.O., Mach R. Physics of electroluminescence devices // J. of Lumintsctnce. 1988. — Vol.40&41.- P.92−96.
  18. M.K. Исследование свойств цинк-сульфидных люминофоров в тонкопленочных структурах // Журн. прикл. спектроскопии. 1995. — Т.62, Вып. З- С. 182−185.
  19. А.Н., Пипинис П. А. Туннельные явления в люминесценции полупроводников. М.: Мир, 1994. — 224 с.
  20. Singh V.P., Krishna S., Morton D.C. Electric field and conduction current in ac thin-film electroluminescent display devices // J. Appl. Phys. 1991. -Vol.70.-№ 3.-P.1811−1819.
  21. И.К., Электролюминесценция кристаллов. M.: Наука, 1974. -280с.
  22. Т.М., Вигдоров Д. И., Кривошеев В. П. Системы отображения информации. М.: Высшая школа, 1988. — 223 с.
  23. Н.Ф. Электронные элементы на основе структур полупроводник диэлектрик. — М.- Энергия, 1976. — 184 с.
  24. Aberg M. An electroluminescent display simulation system and its application for developing grey scale driving methods // Acta Polytechnica Scandinavica. Electrical Enginering Series. 1993. — № 74- 76 p.
  25. М.К., Гусев А. И. Тонкопленочные электролюминесцентные индикаторные устройства. Известия ВУЗов. Радиоэлектроника. Военные электронные технологии, 2002. — Т.45. — № 3−4 — С.58−63.
  26. Ю.Г., Андриянов A.B., Миронов B.C. Кинетика электрического поля, волны тока и яркости в тонкопленочных электролюминесцентных структурах. Журнал технической физики, 1994, Т.64- № 8 — С.48−54.
  27. H.A., Гурьянов С. Н. Электролюминесценция тонких пленок. Состояние исследований и нерешенные проблемы // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1985. — Т.49.- № 10.- С. 1909−1915.
  28. Neyts К.A., De Visschere P. Measuring the current-voltage characteristics of thin-film electroluminescent devices // Acta Polytechnica Scandinavica: Appl. Phys. Series. 1990. -№ 170. -P.291−294.
  29. В.П., Уйбо JI.Я. Об эквивалентной схеме электролюминесцентного конденсатора. Оптика и спектроскопия, 1985. -Т. 18. — № 2 — С.341−343.
  30. М.К., Эквивалентная электрическая схема тонкопленочных электролюминесцентных излучателей. Письма в ЖТФ, 1993. — Т. 19 — № 9-С.14−18.
  31. И.В., Петров В. Н. Электролюминесцентные индикаторные устройства с памятью // Заруб, радиоэлектроника, 1985. Т.9.- С.61−69.
  32. М.К. Вольт-яркостная характеристика и светоотдача тонкопленочных электролюминесцентных структур // ЖТФ. 1996. — Т.66-Вып.10- С.139−144.
  33. И.К., Ковалев Б. А., Косяченко JI.A., Кокин С. М. Электролюминесцентные источники света. М.: Энергоатомиздат, 1990. -168 с.
  34. В. Дисплеи для военных применений. Электронные компоненты, 2003. — № 4.- С.75−76.
  35. Suyama Т., Sawada N., Okamoto К., Hamakawa Y. Multi-coloring of thin-film electroluminescent device. Jap. J. Appl. Phys, 1982. — V.21- Suppl.21−1-P.383−387.
  36. Ю.А. Оптоэлектронные приборы и устройства. М.: РадиоСофт, 2001. — 256 с.
  37. И.В. Перспективы создания плоских панелей дисплеев с полной цветовой гаммой на основе тонкоплёночных электролюминесцентных устройств. Зарубежная радиоэлектроника, 1988. -С.60−67.
  38. Schmalenberg R. et al. A large area 1024×864 line ACTFEL display // SID Conf. Digest. 1989. — P.58−60.
  39. Электролюминесцентные источники света / Под ред. И. К. Верещагина. -М.: Энергоатомиздат, 1990. 168 с.
  40. H.A. Тонкопленочные электролюминесцентные излучатели // Физические основы полупроводниковой электроники. Киев: Наукова думка, 1985. — С.254−268.
  41. М.К. Исследование свойств цинк-сульфидных люминофоров в тонкопленочных структурах // Журнал прикладной спектроскопии 1995 Т. 62 — № 3. — С. 182−185.
  42. Н.Т. Энергетический анализ тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов // ЖТФ- 1996. Т.66. — № 5. -С.77−85.
  43. Davidson J.D. Wager J.F. et all. Electrical Characterization and Modeling of alternating-current thin-film electroluminescent devices // IEEE transaction on electron devices.- 1992. Vol.39.- № 5, — P. 1122−1128.
  44. Chen Y.S., Krupka D.C. Limitation imposed by field clamping on the efficiency of high-field ac electroluminescence in thin films // J. Appl. Phys-1972.- Vol.43.- № 10.- P.4089−4096.
  45. H.T., Сабитов О. Ю. Влияние формы возбуждающего напряжения на яркость свечения тонкопленочных электролюминесцентных излучателей // Журн. техн. физ.- 1999. Т.69.- № 2.- С.64−69.
  46. Мах Р. Электролюминесценция в поликристаллических полупроводниках // Поликристаллические полупроводники: Физические свойства и применения / Под ред. Г. Харбеке. Пер. с англ. М.: Мир, 1989. — 344 с.
  47. Н.Т., Сабитов О. Ю. Определение параметров и характеристик электролюминесценции в тонкопленочных излучателях на основе ZnS:Mn // Журн. техн. физ.- 2006.- Т.76.- № 8, — С.50−62.
  48. Douglas А.А., Wager J.F. Electrical characterization and modeling of ZnS: Mn ACTFEL devices with various pulse waveforms // SID Conf. Digest. 1992. -P.356−359.
  49. Keir P.D., Ang W.M., Wager J.F. Modeling space charge in ACTFEL devices using a single-sheet-charge model // SID Conf. Digest. 1995. — P.476−479.
  50. Aberg M. et al. Modeling and simulation of an ACTFEL display // SID Conf. Digest. 1990. -P.242−245.
  51. А.И. Способы управления тонкопленочными электролюминесцентными индикаторными устройствами // Тез. докл. 4-й школы-семинара «Акт. проблемы физ. и функц. электроники». Ульяновск: УлГТУ, 2001.-С.8−9.
  52. М.К. Перенос заряда в тонкопленочных электролюминесцентных структурах // Письма в ЖТФ, 1995. — Т.21 — № 15-С.78−82.
  53. Г. М. Механизм поляризационной электролюминесценции // Физика и техника полупроводников. 1968. — Т.2.- № 3- С.300−305.
  54. М.К. Кинетика токопереноса в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях при возбуждении переменным напряжением // Письма в ЖТФ, 1994. Т.20.- № 6.- С.67−71.
  55. Ono Y.A. et al. Transferred charge in the active layer and EL device characteristics ofTFEL cell //Jap. Appl. Phys. 1987. — Vol.26.-P. 1482−1492.
  56. Е.Е., Самохвалов М. К. Математическое моделирование тонкопленочных электролюминесцентных индикаторных устройств // Вестник Ульян, гос. тех. ун-та. Сер. Информ. технологии. 1998. — № 1-С.95−104.
  57. .П., Марон И. А., Шувалова Э. З. Численные методы анализа. -М.: Наука, 1967.-368 с.
  58. М.К. Электрические характеристики тонкопленочных излучателей при возбуждении электролюминесценции переменным напряжением // Письма в ЖТФ, 1997. Т.23.- № 6.- С.1−4.
  59. Е.Е., Самохвалов М. К. Моделирование электрических характеристик тонкопленочных электролюминесцентных индикаторных устройств // Микроэлектроника, 1999. Т.28 — № 2 — С.117−125.
  60. JI.P., Демирчян К. С. Теоретические основы электротехники, Том 1. JL: Энергоиздат, 1981.-536 с.
  61. Ю.П., Цветнов В. В. Математическое моделирование радиотехнических систем и устройств. М.: Радио и связь, 1985. — 176 с.
  62. .Ф. Теория электрорадиоцепей. Часть II. Линейные и нелинейные цепи, преобразования сигналов // Учебник для курсантов ВВВИУРЭ. -Воронеж: ВВВИ-УРЭ, 1990. 420 с.
  63. М.К., Морозов C.B. Математическое моделирование электрических характеристик тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов // Материалы всероссийского научно-практического семинара «Сети и системы связи» Рязань: РВВКУС, 2005. — С.139−142.
  64. М.К., Гусев А. И. Переходные электрические процессы в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах с последовательным сопротивлением цепи в схемах управления // Сб. научных трудов «Электронная техника», Ульяновск: УлГТУ, 2003. С.79−83.
  65. Н. С. Дифференциальное и интегральное исчисления: Учеб. для втузов. В 2-х т. Т.2:-М.: Интеграл-Пресс, 2001.- 544 с.
  66. Н. С. Дифференциальное и интегральное исчисления: Учеб. для втузов. В 2-х т. Т.1:-М.: Интеграл-Пресс, 2001.- 416 с.
  67. М.П., Рагулина М. И., Хеннер Е. К. Численные методы: Учеб. пособие для студ. вузов. /Под редакцией М. П. Лапчика. М.: Издательский центр «Академия», 2004.- 384 с.
  68. Ono Y.A., Kawakami H., Fuyama M., Onisava K. Transferred charge in the active layer and EL device characteristics of TFEL cells //Jap. J. Appl. Phys. -1987. Vol.26.- № 9.- P.1482−1492.
  69. И.Ю., Самохвалов М. К. Влияние условий получения сульфида цинка на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов // Лазер, техн. и оптоэлектрон. 1993. — № 1−2.- С. 48−50.
  70. И.Ю., Самохвалов М. К. Получение и свойства диэлектрических и люминесцентных пленок электролюминесцентных композиций на основе сульфида цинка. Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, 1998. — № 3 — С.64−68.
  71. М. К. Эффективность электролюминесценции в тонкоплёночных структурах при возбуждении переменным напряжением // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1990. — № 3-С.86−89.
  72. Е.Е., Фокин О. С. Расчет мощности рассеивания, Ульяновск: УлГТУ, 1998. Ч.2.- С.4−5.
  73. А.И. Анализ рассеяния электрической мощности в тонкоплёночных электролюминесцентных конденсаторах // Актуальные проблемы физической и функциональной электроники: мат. школы-семинара / Ульяновск, гос. тех. ун-т. Ульяновск, 2004. — С.9.
  74. М.О. Анализ рассеяния энергии в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах // Материалы школы-семинара: Актуальные проблемы физической и функциональной электроники. -Ульяновск, 2007. С. 18−19.
  75. В.П. и др. Выбор длительности возбуждающих импульсов электролюминесцентной тонкопленочной матрицы // Изв. вузов. Физика. -1987. № 12 — С.59−62.
  76. П.Б., Афанасьевский Л. Б., Горин А. Н., Фадин А. Г. Основы компьютерного проектирования и моделирования РЭС. Лабораторный практикум / Под редакцией проф. А. Г. Фадина. Воронеж: ВИРЭ, 2002. -268 с.
  77. К.Л. Системы автоматизированного проектирования (САПР) аналоговых и аналогово-цифровых устройств. Электронные компоненты, 2000.- № 3.-С.61−66.
  78. В.И. Электронная лаборатория на IBM PC. Программа Electronics Workbench и ее применение М.: Солон, 2003. — 726 с.
  79. Д.И., Иванов B.C., Чепурин И. Н. Электротехника и электроника в экспериментах и упражнениях: практикум на Electronics Workbench. М.: Додэка. — Т.1.- 1999. — 304 с. и Т.2.- 2000. — 288 с.
  80. Ф.П., Каратаев В. В., Никифоров В. Ф., Попов B.C. Использование виртуальных инструментов Lab View. М.: Солон/Радио и связь, Горячая линия-Телеком, 1999. — 268 с.
  81. В.Д. Система схемотехнического моделирования Micro-Cap V. -М.: Сол он, 1997.-274 с.
  82. A.M. Оптоэлектронные приборы и их зарубежные аналоги. Справочник. М.: РадиоСофт, 2001.- Т.2.- 544 с.
  83. Е.Е., Гайтан В. В. Методы управления тонкопленочными электролюминесцентными панелями переменного тока. Приборы и системы управления. — 1997. -№ 11- С.56−63.
  84. Е.Е. Влияние элементов схемы управления на работу электролюминесцентных индикаторов // Тез. докл. молодеж. науч. конф. -М.: МГАТУ, 1996.-Ч.4.-С.129−130.
  85. Brunei С., Pecile D. Poinsard P. EL display module modeling // Conf. Rec. -Int. Display Res. Conf, 1985. -P.150−152.
  86. К.JI. Нелинейные цепи в программах схемотехнического моделирования. М.- Солон, 2002. — 368 с.
  87. А.К., Черепанов В. П. Диоды и их зарубежные аналоги. Справочник.- М.: РадиоСофт, 2001. Т.2.- 640 с.
  88. Е.Е. Зависимость электрических характеристик электролюминесцентных индикаторов от схемотехнических факторов // Тез. докл. 30 науч.-техн. конф. Ульяновск: УлГТУ, 1996. — 4.1 — С.83−84.
  89. Neyts К.A. et al. Transient measurements on AC thin-film electroluminescent devices // Prog, of 6th Int. Workshop on Electroluminescence. 1992. — P.140−145.
  90. Zeinert A. et al. Transient measurements of the excitation efficiency in ZnS-based thin-film electroluminescent devices // Jap. J. of Appl. Phys. 1996. -Vol.35. -№ 7.-P.3909−3913.
  91. Samokhvalov M.K., Takhtenkova M.O. Brightness-Voltage Characteristics of ZnS: Mn Luminescent Films // ISSN 1063−7826, Semiconductors, 2010. -Vol.44.- № 13.- P.1634−1636.
  92. М.Я., Родионов B.E., Бойко В. П. Тонкопленочные электролюминесцентные зеленые излучатели с керамическим диэлектриком // Письма в ЖТФ, 1989. Т. 15.- № 17.- С.67−71.
  93. З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. -М.: Радио и связь, 1991.-528 с.
  94. М.К., Давыдов P.P. Определение параметров активаторов в люминофорах тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов // Письма в ЖТФ, 2002. Т.28 — № 24.- С.58−62.
  95. Н.И., Михайлов А. Н. Знакосинтезирующие индикаторы: Справочник / Под редакцией В. П. Балашова. М.: Радио и связь, 1987. -576 с.
  96. И.Ю., Жуков В. Н., Рябинов Е. Б., Самохвалов М. К. Диэлектрические свойства плёнок оксида циркония-иттрия // Электронная техника, сер.6, Материалы. 1990. — № 9- С.5−6.
  97. О.С., Забудский Е. Е. Погрешности измерений характеристик тонкопленочных электролюминесцентных источников излучения // Тез. докл. 30 науч.-техн. конф. Ульяновск: УлГТУ, 1996. — 4.1.- С. 82.
  98. М.К., Давыдов P.P., Хадиуллин Э. И. Определение параметров тонкопленочных электролюминесцентных источников излучения на основе измерений вольт-яркостных характеристик // Ученые записки УлГУ. Сер. физическая. 2000. Вып.2(9), — С.79−83.
  99. М. К. Морозов C.B. Моделирование временных характеристик яркости тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов // V Всероссийская научно-практическая конференция
  100. Современные проблемы создания и эксплуатации радиотехнических систем" Ульяновск: УлГТУ, 2007. — С. 19−21.
  101. М. К. Тахтенкова М.О. Вольт-яркостные характеристики люминесцентных плёнок гп8:Мп // Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА, 2009. -№ 5(79).- С.3−6.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?