Перестраиваемые лазеры на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP, работающие в спектральном диапазоне 3-4 мкм
Диссертация
Перестраиваемые полупроводниковые лазеры, работающие в спектральном диапазоне 3−4 мкм, становятся в последнее время ключевым элементом молекулярной спектроскопии высокого разрешения. Дело в том, что в данная область спектра уникальна. С одной стороны, здесь находится большее количество характеристических линий поглощения природных и промышленных газов таких, как метан СИ", сероводород НгБ, аммиак… Читать ещё >
Содержание
- Глава 1. Перестраиваемые по частоте диодные лазеры в средней ИК области спектра. Обзор литературы
- 1. 1. Предварительные замечания. Полупроводниковые диодные лазеры средней ИК области спектра
- 1. 1. 1. Лазеры на основе соединений А1УВУ
- 1. 1. 2. Лазеры на основе соединений АШВ
- 1. 2. Тепловая перестройка частоты диодных лазеров
- 1. 3. Применение лазеров в диодно-лазерной спектроскопии
- 1. 4. Выводы
- 1. 5. Постановка задачи
- 1. 1. Предварительные замечания. Полупроводниковые диодные лазеры средней ИК области спектра
- Глава 2. Методика изготовления диодных лазеров на основе гетероструктур
- 1. пА$ 8Ь/1пА$$ЬР
- Предварительные замечания
- 2. 1. Технология выращивания лазерных гетероструктур ЬгАзБЬ/ЬгАБЗЬР
- 2. 1. 1. Использование твердых растворов соединений А3В5 для 51 изготовления полупроводниковых приборов
- 2. 1. 2. Методы получения твердых растворов А3В
- 2. 1. 3. Технология постростовой обработки лазерных гетероструктур 53 ЬгАзЗЬЛпАзБЬР
- 2. 2. Конструкция гетеролазеров
- 2. 3. Описание исследованных образцов
- 2. 3. 1. Лазеры на основе двойных гетероструктур
- 2. 3. 2. Лазеры с раздельным электрическим и оптическим ограничением
- 2. 4. Методика измерений спектрального и пространственного распределения 62 излучения лазеров
- 2. 4. 1. Схема питания и модуляции
- 2. 4. 2. Схема механической развертки по длинам волн
- 2. 4. 3. Схема механической развертки по углам
- 2. 4. 4. Схема регистрации диаграмм направленности и спектров излучения
- 2. 4. 5. Методика измерения перестройки лазера
- 2. 1. Технология выращивания лазерных гетероструктур ЬгАзБЬ/ЬгАБЗЬР
- Глава 3. Токовая перестройка длины волны излучения диодных лазеров на 68 основе гетероструктур 1пА58Ь/1п
- 3. 1. Электрические и электролюминесцентные свойства лазерных диодов на 68 основе гетероструктур ГпАбЗЬРЛпАзЗЬЛпАзЗЬР
- 3. 1. 1. Вольт-амперные характеристики лазеров на основе ДГС 68 ¡-пАбЗЬЛпАзЗЬР и лазеров с раздельным ограничением
- 3. 1. 2. Вольт-фарадные характеристики гетеропереходов 70 ЬгАзЗЬРЛпАвЗЬЛпАзЗЬР
- 3. 1. 3. Электролюминесцентные характеристики лазеров на основе 71 ЬгАвЗЬРЛпАзБЬЛпАзЗЬР
- 3. 2. 1. Зависимость порогового тока лазеров на основе ДГС 74 ШАзЗЬЛпАвЗЬР от геометрических параметров мезаполоска
- 3. 2. 2. Максимальная рабочая температура лазеров
- 3. 2. 3. Поляризация когерентного излучения лазеров на основе 79 гетероструктур Ь^вЗЬЛпАвБЬР
- 3. 2. 4. Дифференциальная квантовая эффективность лазеров
- 3. 3. 1. Температурная перестройка спектра излучения лазеров
- 3. 4. 1. Пространственное распределение лазерного излучения в 90 зависимости от тока (пространственные колебания,)
- 3. 4. 2. Быстрая перестройка длины волны излучения лазеров с током
- 1. пА$ 8Ь/1пА$$ЬР для записи линий поглощения газов. Предварительные замечания
- 4. 1. Основные требования, предъявляемые диодно-лазерной спектроскопией 116 высокого разрешения к перестраиваемым диодным лазерам
- 4. 2. Ширина лазерной линии в перестраиваемых диодных лазерах
- 4. 3. Методика исследований
- 4. 4. Диодная лазерная спектроскопия на основе одномодового перестраиваемого на 100А лазера
- 4. 4. 1. Характеристики одномодового перестраиваемого на 100A лазера на 123 основе InAsSb/InAsSbP
- 4. 4. 2. Спектры пропускания газов вблизи длины волны 3,2^т, измеренные 128 при сканировании лазерным лучом
- 4. 5. Диодная лазерная спектроскопия в двух модах на основе лазера
- I. nAsSb/InAsSbP вблизи длины волны 3,6мкм
- 4. 5. 1. Характеристики перестраиваемого в двух модах лазера на основе 131 InAsSb/InAsSbP
- 4. 5. 2. Спектры пропускания газов вблизи длины волны 3,6цт, измеренные 134 при сканировании лазерным лучом
Список литературы
- J.H.Park, L.S.Rothman, C.P.Rinsland, H.M.Pickett, D.J.Richardson and J.S.Nankung «Atlas of Absorption Lines From 0 to 17900cm"1″ NASA Reference Publication, 1987
- AShotov „Development of lead-chalcogenide tunable diode lasers for 3 to 40 цт spectral region at Lebedev institute“. SPIE Vol.1724 Tunable Diode Laser Application, pp.64−77
- H.Preier „Recent adventages in lead-chalcogenide diode lasers“ Appl. Phys., Vol.20, pp. 1826, 1979.
- А.Шотов, И. Кучеренко, Ю. Королев, Е. Чижевский „Электрические свойства Pbi. xSnxSe, выращенного газотранспортным методом“ ФТП Т. 18 стр.732−736,1974.
- И.Засавицкий, В. Мацонашвили, А. Шотов „Инжекционный лазер непрерывного действия на основе PbSe“ ПЖТФ Т.1, стр.341−343, 1975.
- М.Мурашов, А. Шотов ПЖТФ Т.20, стр.34−37,1993
- А.П.Шотов, О. И. Даварашвили, А. В. Бабушкин „Лазерные гетероструктуры на основе твердых растворов Pbi-xSnxSei.yTey“ ПЖТФ Т.5, в.24 стр. 1488,1979.
- А.П.Шотов, О. И. Даварашвили, А. В. Бабушкин „Гетеролазеры с двухсторонним ограничением на основе твердых растворов Pbi.xSnxSei.yTey“ ПЖТФ Т.7, в.23 стр. 14 441 447,1981.
- А.Шотов, А. Синятинский „Pbj .xSex лазеры с контролируемым профилем концентрации носителей, изготовленные методом молекулярной эпитаксии“ ПЖТФ Т.9, стр.881−884, 1983.
- А.Шотов, Ю. Селиванов „Гетеролазеры PbS/PbSSe/PbSnSe с квантовым размерным эффектом в активной области“ ПЭЖТФ Т.45, стр.5−7,1987.
- A.Shotov and Yu. Selivanov „PbS/PbSSe/PbSnSe heterostructure laser with a guantum well active region“ Semicond.Sci.Technol., vol.5, pp. S27-S29,1990.
- A.Fach, H. Bottner and M. Tacke „Embossed Grating DFB-BH lead salt diode lasers“ Proceeding of International Symposium „Monitoring of Gaseous Pollutants by Tunable Diode Lasers“ p.63−68, 1992.
- M.Tacke, B. Spranger, A. Lambrecht, P.R.Norton, H. Bottner „Infrared double heterostructure diode lasers made by Molecular beam epitaxy of Pb (.xEuxSe“ Appl.Phys. Lett., 53, 23, 22 602 262 (1988).
- Kobayashi, Y. Horikishi. „DH Lasers Fabricated by New III-V Semiconductor Material InAsSbP“. Japan. J. Appl. Phys., 19, L641-L644 (1980).
- М.Ш.Айдаралиев, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин „Инжекционное когерентное излучение в ДГС InAsSbP/InAs/InAsSbP“. Письма в ЖТФ 13 (9), 563−565 (1987).
- М.Ш.Айдаралиев, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин „Стимулированное излучение (3,3мкм 77К) при инжекции тока в пластически деформированных ДГС InAsSbP/InAs“. Письма в ЖТФ 14 (17), 1617−1620 (1988)
- М.Ш.Айдаралиев, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин „Низкопороговые лазеры 3−3,5мкм на основе ДГС InAsSbP/bii-xGaxAsi-ySby“. Письма в ЖТФ 15 (15), 49−52 (1989)
- Н. Mani, A. Jolee, G. Boissier, Е. Tournie, F. Pitard, A.-M. Joullie, С. Albert. Electron. Lett. 24,1542 (1988).
- А.Н.Баранов, А. А. Гусейнов, А. М. Литвак, А. А. Попов, Н. А. Чарыков, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев „Получение твердых растворов bixGai.xAsySbi.y, изопериодных к GaSb, вблизи границы области несмешиваемости“. Письма в ЖТФ 16 (5), 33−38 (1990)
- Т.Н.Данилова, О. Г. Ершов, А. Н. Именков, И. Н. Тимченко, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев „Лазеры на основе InAsSbP для спектрального диапазона 2,7−3,0цм (Т=77К)“ Письма в ЖТФ 20 (4), 87−93 (1994)
- N.K. Choi, G.W. Turner, N.J. Manfra, M.K. Connor „175K Contituous wave operation of InAsSb/InAlAsSb quantum well diode lasers emitting at 3,5цт“. Appl.Phys. Lett., 68, 29 362 938 (1996).
- N.K. Choi, S.J. Eglash, G.W. Turner. „Double-heterostructure diode lasers emitting at Зцт with metastabile GalnAsSb active layer and AlGaAsSb cladding layers“. Appl. Phys. Lett., 64(19), 2474−2476 (1994).
- Р.Ф.Казаринов, Р. А. Сурис „О возможности усиления электромагнитных волн в полупроводникае со сверхрешеткой“. ФТП 5,797−800 (1971).
- J. Faist, F. Capasso, С. Sirtori, D. Sivco, A.L. Hutchinson, F.Y. Cho „Quantum cascade laser“. Science, 264,553 (1994).
- С. Gmachi, F. Capasso, J. Faist, A.L. Hutchinson, A.Y. „Continuous-wave and high-power pulsed operation of index-coupled distributed feedback quantum cascade laser at А,"8.5|лт“ Cho.Appl. Phys. Lett., 72(12), 1430−1432 (1998).
- J.L. Brodshaw, R.Q. Yang, J.D. Bruno, J.T. Pham, D.E. Wortman. „High-efficiency interband cascade lasers with peak power exceeding 4W/facet“ Appl. Phys. Lett., 75, 2362−2364(1999)
- I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. „High-power/low-threshold type-П interband cascade mid-IR laser-design and modeling“ IEEE Photon. Techn. Lett., 9(2), 170 (1997).
- В.Г.Аветисов, А. Н. Баранов, А. Н. Именков, А. И. Надеждинский, А. Н. Хуснутдинов, Ю. П. Яковлев. „Измерение ширины линии излучения длинноволновых инжекционных лазеров на основе GalnAsSb“. Письма в ЖТФ 16(14), 66−70, (1990)
- А.Н.Баранов, Т. Н. Данилова, О. Г. Ершов, А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев. „Длинноволновые лазеры на основе InAsSb/InAsSbP для спектроскопии метана“. Письма ЖТФ 18(22), 6−10, (1992)
- Ю.П.Яковлев, А. Н. Баранов, А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, Е. В. Степанов, А. Я. Понуровский „Инжекционные лазеры на основе InAsSb/InAsSbP для спектроскопии высокого разрешения“. Квантовая электроника, 20 839−842 (1993)
- Ю.В.Косичкин, А. И. Надеждинский. Известия Академии Наук СССР, серия „Физика“, 47(10)2037(1983)
- И.И.Засавицкий, А. И. Кузнецов, Ю. В. Косичкин, П. В. Крюков, А. И. Надеждинский, А. Н. Перов, Е. В. Степанов и А. П. Шотов. „Стабилизация температурного режима перестраиваемого диодного лазера с точностью ~10"5К“. Письма в ЖТФ 8(19), 1168−1171,(1982)
- V.G.Avetisov. A.I.Nadezhdinskii, A.N.Khusnutdinov, P.M.Omarova, M.V.Zyrianov „Diode laser spectrometer for line profile measurements“ SPIE 1724 Tunable Diode Laser Applications, 212 (1992)
- G.B.Stringfellow, P.Green. Elecrochem. Soc. 95, 911 (1971)
- Маделунг О /Физика полупроводниковых соединений элементов Ш и V групп/, Пер. с англ., М. Мир, 1977, стр.311
- D.T.Cheung, Y.G.Andrews, E.R.Gertner, G.M.Williams, J.E.Clark, J.E.Pasko and J.T.Longo. „Backside-illuminated InAsi. xSbx-InAs narrow-band photodetectors“ Appl. Phys. Lett. 30, 587−589(1977)
- Т.Н.Данилова, О. Г. Ершов, А. Н. Именков, М. В. Степанов, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев. „Максимальная рабочая температура диодных лазеров на основе InAsSb/InAsSbP“. ФТП 30(7), 1265−1273, (1996)
- Д.З.Гарбузов, А. В. Тикунов, В. Б. Халфин. „Влияние насыщения усиления и квантово-размерных эффектов на пороговые характеристики лазеров с супертонкими активными областями“. ФТП, 21(6), 1085−1094, (1987)
- Г. Г.Зегря, А. Д. Андреев „Теория рекомбинации неравновесных носителей в гетероструктурах типа II“. ЖЭТФ 109,615−638, (1996)
- А.А.Андаспаева, А. Н. Баранов, Б. А. Гельмонт, Б. Е. Джуртанов, Г. Г.Зегря» А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, С. Г. Ястребов. «Исследование температурной зависимости плотности тока ДГС лазеров на основе GalnAsSb». ФТП 25(3), 394−401, (1991)
- Т.Н.Данилова, О. Г. Ершов, Г. Г. Зегря, А. Н. Именков, М. В. Степанов, В. В. Шерстнев, Ю.ПЯковлев. «Поляризация излучения лазеров на основе двойной гетероструктуры InAsSb/InAsSbP». ФТП 29,1 стр. 604−1610, (1995)
- A. Popov, V. Sherstnev, Yu. Yakovlev, R. Mucke, P.Werle. «High-power InAsSb/InsSbP double-heterostructure laser for continuous wave operation at 3,6pm». Appl.Phys. Lett., 68, 2970 (1996).
- А.П. Данилова, Т. Н. Данилова, А. Н. Именков, Н. М. Колчанова, М. В. Степанов, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев «Лазеры на основе InAsSb/InAsSbP гетероструктур с большим диапазоном токовой перестройки частоты генерации». Письма ЖТФ 25(19), стр. 17−23, (1999)
- А.П.Астахова, А. Н. Баранов, А. Висе, А. Н. Именков, Н. М. Колчанова, Н. Д. Стоянов, Ю. ПЯковлев «Тепловая и токовая перестройка длины волны излучения квантово-размерных лазеров диапазона 2.0−2.4 мкм». ФТП 37(4), 502−507, (2003)
- А.Н.Именков, Н. М. Колчанова, П. Кубат, С. Цивиш, Ю. ПЯковлев «Уширение линии генерации в перестраиваемых током лазерах на основе гетероструктур InAsSbP/InAsSb/InAsSbP». ФТП 34(12), стр. 1468−1471, (2000)
- А.Н.Именков, Н. М. Колчанова, П. Кубат, К. Д. Моисеев, С. Цивиш, Ю.ПЯковлев. «Перестраиваемые током лазеры на 3.3 мкм с узкой линией излучения». ФТП 35, стр. 375−379, (2001)
- А.П.Данилова, А. Н. Именков, Н. М. Колчанова, С. Цивиш, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев «Одномодовый перестраиваемый на 100 Angstrem лазер на основе InAsSb/InAsSbP (lambda ~ 3.2 мкм)». ФТП 34(2), стр. 243−248, (2000)
- П.Г.Елисеев, А. П. Богатов «Явления в полупроводниковых лазерах, связанные с нелинейной рефракцией и влиянием носителей заряда на показатель преломления». Труды ФИАН, 116, стр. 15−51 (1986)
- F.Stem. Radiative recombination in semiconductors (1965), p. 165.
- W.W.Anderson «Mode confinement and gain injunction lasers» IEEE J. Quant. Electron., 1(6), 228−236 (1965)
- P.P.Paskov. Sol.St.Commun., 82,739 (1992)
- А.Н.Баранов, Т. Н. Данилова, О. Г. Ершов, А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев. «Структура пространственных мод в длинноволновых полосковых лазерах на основе InAsSb/InAsSbP». Письма ЖТФ 19(17), 30−36, (1993)
- А.П.Астахова, Т. Н. Данилова, А. Н. Именков, Н. М. Колчанова, М. В. Степанов, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев «Перестраиваемый лазер на основе InAsSb/InAsSbP с высокой направленностью излучения в плоскости р-п-перехода». ФТП 34(9), стр. 1142−1144,(2000)
- А.П. Данилова, Т. Н. Данилова, А. Н. Именков, Н. М. Колчанова, М. В. Степанов, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев. «Коротковолновая токовая перестройка лазеров на основе гетерострукгур InAsSb/InAsSbP, вызванная неоднородностью инжекции». ФТП 33, стр. 1088−1092, (1999)
- Т.Н.Данилова, О. И. Евсеенко, А. Н. Именков, Н. М. Колчанова, М. В. Степанов, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев «Влияние однородности накачки на перестройку током длины волны излучения диодных лазеров на основе InAsSb / InAsSbP». Письма ЖТФ 24(6), стр. 77−84, (1998)
- А.П.Данилова, А. Н. Именков, Н. М. Колчанова, С. Цивиш, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев «Одномодовый перестраиваемый на 100 Angstrem лазер на основе InAsSbflnAsSbP (, lambda ~ 3.2 мкм)». ФТП 34(2), стр. 243−248, (2000)
- A.P.Danilova, A.N.Imenkov, T.N. Danilova, N.M.Kolchanova, V.V.Stepanov, Yu.P. Yakovlev «Fast tuning of З. Зцт InAsSb/InAsSbP diode lasers due to nonlinear optical effects». Spectrochemica Acta, Part A, 55,2077−2082 (1999)
- П.Г.Елисеев, А. П. Богатов. «Вьшужденное рассеяние излучения на волнах населенности вынужденного состояния». Квант. Электрон., 10(4), 865−867 (1983)
- А.П. Данилова, А. Н. Именков, Н. М. Колчанова, М. В. Степанов, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев «Диодно-лазерная спектроскопия в двух модах на основе лазера InAsSb/InAsSb вблизи длины волны 3.6 мкм». ФТП 33(12), стр. 1469−1474, (1999)
- В.Л.Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников, Физика Полупроводников (М., Наука, 1977) с.592
- C.H.Henry. *Theory of spontaneous emission noise in open resonators and its application to lasers and optical amplifiers" IEEE J. Ligthwave Techn., LT-4(3), 288- 297 (1986)
- A.L.Schawlow, C.H.Tawnes. «Infrared and Optical Masers». Phys. Rev., 112, 1940−1949 (1958)
- D.Welford, A. Mooradian. «Observation of linewidth broadening in (GaAl)As diode lasers due to electron number fluctuations». Appl.Phys.Lett. 40, 560−562 (1982)
- Попов А.А., Шерстнев B.B., Яковлев Ю. П., ЦивишС., ЗелингерЗ. «Наблюдение отрицательной характеристической температуры порогового тока диодных лазеров для спектральной области 2.8 мкм». Письма ЖТФ 23(22), стр. 72−79 (1997).
- Arthur G. Maki and Joseph S. Wells «Wavenumber Calibration Tables From Heterodine Freguency Measurements» NIST Special Publication 821, Washington, DC 20 548, December 1991
- G.Guelachvili, K. Narahari Rao «Handbook of Infrared Standards II with Spectral Coverage of 1.4−4p.m and 6.2−7.7|am» (Academic Press, New York, 1993)
- J.-M.Flaud, C. Camy-Peyret and R.A.Toth «Water Vapor Line Parameters From Microwave To Medium Infrared», Preface by J.N.Howard (Pergamon Press, Oxford, 1981)
- A.Popov, V. Sherstnev, Yu. Yakovlev, S. Civis, Z. Zelinger «InAsSbP/InAs lasers (2,9^m) for spectroscopy of ammonia: low temperature investigations) Specrtochemica Acta Part A 54 pp. 821−829(1998)