Фотоэлектромагнитные и магнитооптические методы определения электрофизических и рекомбинационно-диффузионных параметров носителей заряда в узкозонных полупроводниках
Экспериментальными методами измерения холловского напряжения и маг-нитосопротивления определялись концентрации и подвижности основных носителей заряда в ГЭС ЖФЭ КРТ и InSb n-типа. Для эпитаксиальных плёнок ГЭС МЛЭ КРТ р-типа с приграничными варизонными областями концентрации и подвижности основных носителей заряда определялись по результатам измерений магнитополевых зависимостей холловского… Читать ещё >
Содержание
- Список условных сокращений и обозначений
1. МЕТОДЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ И РЕКОМБИНАЦИОННО-ДИФФУЗИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В УЗКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
1.1. Введение.
1.2. Методы определения времени жизни носителей заряда.
1.3. Методы определения подвижности электронов в КРТ р-типа
1.4. Методы определения параметров рекомбинационных центров
1.5. Фотомагнитный эффект и фотопроводимость в магнитном поле
1.6. Фотопроводимость и фотомагнитный эффект в варизонных полупроводниках
1.7. Свойства полупроводников в квантующих магнитных полях
1.8. Выводы и постановка задач.
2. АППАРАТУРНЫЕ СРЕДСТВА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЙ СИГНАЛОВ МАГНИТООПТИЧЕСКИХ РЕЗОНАНСОВ И ФОТОЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ЭФФЕКТОВ В УЗКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
2.1. Введение.
2.2. Экспериментальный комплекс для регистрации магнитооптических резонансов и измерений сигналов фотоэлектромагнитных эффектов в геометрии Фойгта.
2.3. Лазеры на окиси углерода.
2.4. Автоматизированный комплекс для измерений сигналов фотоэлектромагнитных эффектов в геометрии Фарадея или Фойгта
2.5. Подготовка исследуемых образцов.
2.6. Выводы.
3. МЕТОДИКИ ПРОВЕДЕНИЯ ИЗМЕРЕНИЙ В УЗКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ.
3.1. Введение.
3.2. Модуляционные методики измерений в узкозонных полупроводниках
3.2.1. Зондовая модуляционная методика измерений ФМЭ и ФП в магнитном поле при модуляции света и синхронном детектировании
3.2.2. Методика модуляции магнитного поля и синхронного детектирования на второй гармонике резонансов магнитооптических эффектов в узкозонных полупроводниках.
3.3. Методики определения концентрации и подвижности основных носителей заряда
3.3.1. Методика определения параметров по холловским измерениям
3.3.2. Определение концентрации вырожденного электронного газа из осцилляций Шубникова-де Гааза.
3.3.3. Определения концентраций и подвижностей разного сорта носителей заряда в ГЭС МЛЭ р-КРТ.
3.4. СВЧ-методика определения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда.
3.5. Выводы.
4. МЕТОДЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОДВИЖНОСТИ ННЗ, ОТНОШЕНИЯ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ОБЪЕМЕ И КОНЦЕНТРАЦИИ РЦ ДЛЯ ГЭС МЛЭ Р-КРТ ИЗ ФП В ГЕОМЕТРИИ ФАРАДЕЯ.
4.1. Введение.
4.2. Изменение проводимости образца в магнитном поле при освещении в случае доминирующей рекомбинации носителей заряда Шокли-Рида-Холла.
4.3. Теоретический и экспериментальный анализ сигналов ФП в р-КРТ при низких температурах.
4.4. Метод определения подвижности ННЗ в ГЭС р-КРТ.
4.5. Влияние концентрации рекомбинационных центров на ФП в геометрии Фарад ея.
4.6. Определения отношения времени жизни носителей заряда и концентрации РЦ в МЛЭ р-КРТ.
4.7. Выводы.
5. МЕТОД ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И СКОРОСТИ ПОВЕРХНОСТНОЙ РЕКОМБИНАЦИИ ННЗ НА ПОВЕРХНОСТЯХ ПЛЁНКИ КРТ Р-ТИПА ИЗ ФМЭ И ФП В ГЕОМЕТРИИ ФОЙГТА.
5.1. Введение.
5.2. Теоретическая модель поведения фотогенерированных носителей заряда в пленках ЖФЭ КРТ, помещенных в стационарные скрещенные электрическое и магнитное поля
5.3. Теоретический и экспериментальный анализ ФМЭ и ФП в магнитном поле для геометрии Фойгта на ГЭС ЖФЭ КРТ
5.3.1. ФМЭ и ФП в магнитном поле для пленок п-типа.
5.3.2. ФМЭ в пленках р-типа.
5.3.3. ФП в магнитном поле для пленок р-типа.
5.4. Фотопроводимость в магнитном поле в геометрии Фойгта и фотомагнитный эффект в ГЭС МЛЭ р-КРТ с приграничными варизонными слоями.
5.4.1. Поведение неравновесного электронно-дырочного газа в скрещенных стационарных электрическом и магнитном полях
5.4.2. Теоретический и экспериментальный анализ магнитополевых зависимостей ФП и ФМЭ.
5.5. Определение времени жизни неосновных носителей заряда в объеме и их скоростей поверхностной рекомбинации в ГЭС КРТ р-типа
5.6. Выводы.
6. РЕЗУЛЬТАТЫ, ПОЛУЧЕННЫЕ ДЛЯ МЛЭ КРТ Р-ТИПА НА РАЗРАБОТАННОМ КОМПЛЕКСЕ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ И РЕКОМБИНАЦИОННО-ДИФФУЗИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В УЗКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ.
6.1. Введение.
6.2. Зависимость подвижности электронов от температуры
6.3. Оценка параметров рекомбинационных центров.
6.3.1. Оценка параметров РЦ из температурной зависимости времени жизни электронов.
6.3.2. Оценка параметров РЦ по зависимости отношения времени жизни носителей заряда от концентрации равновесных дырок
6.4. Фотопроводимость в геометрии Фарадея в условиях смешанной проводимости.
6.5. Измерения нормальной и латеральной компонент темнового тока п-р-фотодиодов на основе ГЭС МЛЭ р-КРТ.
6.6. Фотомагнитный эффект и фотопроводимость в магнитном поле для геометрии Фарадея на ГЭС р-КРТ со встроенными нанослоями в варизонных приграничных областях.
6.7. Выводы.
7. МЕТОД БЕСКОНТАКТНОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭНЕРГИИ ИОНИЗАЦИИ РЦ В ВЫРОЖДЕННЫХ УЗКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ.
7.1. Введение.
7.2. Влияние магнитного поля на энергию электронных состояний в полупроводниках
7.3. Осцилляции магнитосопроотивления и магнитопропускания при монохроматической подсветке с энергией фотонов меньше ширины запрещённой зоны.
7.4. Выводы.
Список литературы
- Рогальский, А. Инфракрасные детекторы / А. РогальскиЙ. Новосибирск: Наука, 2003. — 636 с.
- Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона / В. Н. Овсюк и др. Новосибирск: Наука, 2001. — 376 с.
- Сапцов, В. И. Гармоники циклотронного резонанса с участием глубокого уровня в n-InSb / В. И. Сапцов, Э. М. Скок//ФТТ. 1985. — Т. 27, № 11. — С. 3481−3484.
- Воробьёв, Ю. В. Методы исследования полупроводников / Ю. В. Воробьёв, В. Н. Добровольский, В. И Стриха. Киев.: Выща Школа, 1988. — 232 с.
- Рыбкин, С. М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках / С. М. Рыбкин. М.: Физматгиз, 1963. — 496 с.
- Nimitz, G. Transient carrier decay and transport properties in Hgi. xCdxTe / G. Nimitz, G. Bauer, R. Dornhaus, K.H. Muller // Phys. Rev. B. 1974. — Vol. 10. -P. 3302−3310.
- Lopes, V. С. Characterization of (Hg, Cd) Te by the photoconductive decay technique / V. C. Lopes, W. H. Wright, A. J. Syllaios // J.Vac.Sci.Technol. A. 1990. -Vol. 8.-P. 1167.
- Zucca, R. Minority carrier lifetimes of metalorganic chemical vapor deposition long-wavelength infrared HgCdTe on GaAs / R. Zucca, D.D. Edwall, J.S. Chen, S.L. Johnson, C.R. Younger // J.Vac.Sci.Technol. B. 1991. — Vol. 9. -P.1823.
- Время жизни носителей заряда в структурах на основе Hgi. xCdxTe (х = 0,22), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Вой-цеховский, Ю. А. Денисов, А. П. Коханенко, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий,
- B. Т. Либерман, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Сидоров // ФТП. 1997. — Т. 31, № 7.1. C. 774−776.
- Kunst, N. The study of charge carrier kinetics in semiconductors by microwave conductivity measurements / N. Kunst, G. Beck // J. Appl. Phys. 1986. — Vol. 60, N 10. — P.945−947.
- Chen, M. C. Photoconductivity lifetime measurements on HgCdTe using a contactless microwave technique // J. Appl. Phys. 1988. — Vol. 6, N 2. -P. 3558−3566.
- Бородовский, П. А. СВЧ-методы измерения параметров эпитаксиальных пленок КРТ / П. А. Бородовский, А. Ф. Булдыгин, С. А. Студеникин // Автометрия. 1996. — № 4. — С. 59−72.
- Chang, Y. Carrier recombination lifetime characterization of molecular beam epitaxially grown HgCdTe / Y. Chang, С. H. Grein, J. Zhao, C. R. Becker, M. E.
- Flatte, P.-K. Liao, F. Aqariden, S. Sivananthan // Appl. Phys. Lett. 2008. — Vol. 93. -192 111−3pp.
- Механизмы рекомбинации неравновесных носителей в эпитаксиальных слоях CdxHgl-xTe (х=0,20−0,23) / Д. Г. Икусов, Ф. Ф. Сизов, С. В. Старый, В. В. Тетеркин // ФТП. 2007. — Т. 41, вып. 2. — С. 134−139.
- Lopes, V. С. Minority carrier lifetime in mercury cadmium telluride / V.C. Lopes, A.S. Syllaios, M.C. Chen//Sem. Sci. Technol. 1993. — Vol. 8. -P. 824−841.
- Kinch, M. A. Recombination mechanisms in 8−14-ц HgCdTe / M. A. Kinch,
- M. J. Brau, A. Simmons // J. Appl. Phys. 1973. — Vol. 44. — P. 1649−1663.I
- Nemirovsky, Y. Growth and properties of Hgi. xCdxTe epitaxial layers / Y. Nemirovsky, S. Margalit, E. Finkman, Y. Shacham-Diamand, I. Kidron// J. Electron. Mater.- 1982.-Vol. 11.-P. 133−153.
- Fastow, R. Transient and steady-state excess carriers lifetimes in p-type HgCdTe/R. Fastow, Y. Nemirovsky//Appl. Phys. Letters. 1989. — Vol. 55. -P. 1882−1884.
- Schacham, S. E. Light-modulated Hall effect for extending characterization of semiconductors materials / S. E. Schacham, E. Finkman // J. Appl. Phys. 1986. -Vol. 60, N8.-P. 2860−2865.
- Fastow, R. Shockley-Read recombination and trapping in p-type HgCdTe / R. Fastow, D. Goren, Y. Nemirovsky // J. Appl. Phys. 1990. — Vol. 68. -P. 3405−3412.
- Barton, S. C. Determination of Shockley-Read trap parameters in n- and p-type epitaxial CdxHgixTe / S. C. Barton, P. Capper, C. J. Jones, N. Metcalfe, D. Duffon // Sem. Sei. Technol. 1996. — V. 11. — P. 1163−1167.
- Gopal, V. Surface recombination in photoconductors // Infr. Phys. 1985. -Vol. 25.-P. 615−618.
- Properties of Narrow Gap Cadmium-based Compounds // EMIS Datareviews Series / edited by P. Capper. London: IEE, 1994. — N 10.
- Chattopadhyay, D. Mobility of electrons in Hgi. xCdxTe / D. Chattopadhyay, B. Nag // J. Appl. Phys. 1974. — Vol. 45, N 3. — P. 1463−1465.
- Yadava, R. D. S. Hole scattering mechanisms in Hg!.xCdxTe / R. D. S. Yadava, A. K. Gupta, A. V. R. Warrier // J. Electron. Mater. 1994. — Vol. 23, N 12.-P. 1359−1378.
- Gold, M. C. Variable magnetic-field hall-effect measurements and analyses of high-purity, Hg vacancy (p-type) HgCdTe / M. C. Gold, D. A. J. Nelson // Vac. Sei. Technol. A. 1986. — Vol. 4. — P. 2040−2046.
- Moravec, P. Galvanomagnetic and thermoelectric properties of p-Hgi.xCdxTe (x approximate to 0.22) / P. Moravec, R. Grill, J. Franc, R. Varghova, P. Hoschl, E. Belas // Sem. Sei. Technol. 2001. — Vol. 16. — P. 7−13.
- Блатт, Ф. Физика электронной проводимости в твердых телах / Ф. Блатт. М.: Мир, 1971.-470 с.
- Beck, W. A. Determination of electrical transport properties using a novel magnetic field-dependent Hall technique / W. A. Beck, J. R. Anderson // J. Appl. Phys. 1987. — Vol. 62. — P. 541−554.
- Antoszewski, J. Analysis of magnetic field dependent Hall data in narrow bandgap Hgi. xCdxTe grown by molecular beam epitaxy / J. Antoszewski, L. Faraone // J. Appl. Phys. 1996. — Vol. 80, N 7. — P. 3881−3892.
- Meyer, J.R. Quantitative mobility spectrum analysis of multicarrier conduction in semiconductors / J. R. Meyer, C. A. Hoffman, J. Antoszewski, L. Faraone // J. Appl. Phys. 1997.-Vol. 81, N2.-P. 709−713.
- Baturina, T.I. Microwave waveguide method for the measurement of electron mobility and conductivity in GaAs/AlGaAs heterostructures / Т. I. Baturina, P. A. Borodovski, S. A. Studenikin // Appl. Phys. A. 1996. — Vol. 63. — P. 293−298.
- Shim, J. C. The minority carrier mobility of HgCdTe measured by the modulated Hall effect / J. C. Shim, Y. G. Kim, Y. T. Song, J. K. Hong, S. K. Hong, S. U. Kim, M. J. Park // J. Cryst. Growth. 2000. — Vol. 214/215. — P. 260−264.
- Chu, J. Physics and properties of narrow gap semiconductors / J. Chu, A. Sher // New York: Spinger, 2008. 605 p.
- Schacham, S. E. Magnetic filed effect on the RoA product of HgCdTe diodes / S. E. Schacham, E. Finkman // J. Vac. Sci. Technol. A. 1989. — Vol. 7, N 2. -P. 387−390.
- Gordon, N. T. Electron-mobility in p-type epitaxially grown HgixCdxTe / N. T. Gordon, S. Barton, P. Capper, C. L. Jones, N. Metcalfe // Sem. Sci. Technol. -1993. Vol. 8. — P. S221-S224.
- Barton, S. Electron-mobility in p-type epitaxially grown CdxHgixTe / S. Barton, P. Capper, C. L. Jones, N. Metcalfe, N. T. Gordon // Sem. Sci. Technol. -1995.-Vol. 10.-P. 56−60.
- Sang Dong Yoo. Analysis of carrier concentration, lifetime, and electron mobility on p-type HgCdTe / Sang Dong Yoo, Kae Dal Kwack // J. Appl. Phys. 1998. -Vol. 83, N5.-P. 2586−2592.
- Yongsheng Gui, Biao Li, Guozhen Zheng, Yong Chang, Shanli Wang, Li He and Junhao Chu. Evaluation of the densities and mobilities for heavy and light holes in p-type Hgl-xCdxTe molecular beam epitaxy films from magnetic-field-dependent
- Hall data / Yongsheng Gui, Biao Li, Guozhen Zheng, Yong Chang, Shanli Wang, Li He, Junhao Chu // J. Appl. Phys. 1998. — Vol. 84, N 8. — P. 4327−4331.
- Lang D. V. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors // J. Appl. Phys. -1974. Vol. 45, N 7. — P. 3023−3032.
- Polla, D. L. Deep level transient spectroscopy in HgixCdxTe / D. L. Polla, C. E. Jones // Solid State Commun. 1980. — Vol. 36. — P. 809−812.
- Polla, D. L., Jones C. E. Deep level studies of Hgi.xCdxTe. I: narrow-bandgap space-charge spectroscopy / D. L. Polla, C. E. Jones // J. Appl. Phys. 1981. -Vol. 52.-P. 5118−5131.
- Cotton, V. A. Effects of ion implantation on deep electron traps in Hgo.7Cdo.3Te / V. A. Cotton, J. A. Wilson. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1986. — Vol. 4. -P. 2177−2180.
- Chen, M. C. Observation of a deep level in p-type Hgo.78Cdo.22Te with high dislocation density / M. C. Chen, R. A. Schiebel. // J. Appl. Phys. 1992. — Vol. 71. -P. 5269−5271.
- Zachman, S. J. Adaptation of deep level transient spectroscopy for narrow bandgap semiconductor materials / S. J. Zachman, E. Finkman, G. Bahir // Semicond. Sci. Technol. 1993. — Vol. 8. — P. S90-S94.
- Zhou Jiey. Characterization of recombination centres in n-type HgixCdxTe / Zhou Jiey, Feng Songliny, Lu Liwuy, Si Chengcaiz, Li Yanginz, Hu Xiaoning // Semicond. Sci. Technol. 1996. — Vol. 11. — P. 1878−1881.
- Polla, D.L. Admittance spectroscopy of deep levels in HgixCdxTe / D. L. Polla, C. E. Jones // J. Appl. Phys. 1980. — Vol. 51. — P. 6233−6237.
- Hu, X. W. A deep level induced by gamma irradiation in HgixCdxTe / X. W. Hu, J. X. Fang, Q. Wang, J. Zhao, H. Q. Lu, H. M. Gong, S. K. Zhang, F. Lu // Appl. Phys. Lett. 1998. — Vol. 73. — P. 91−92.
- Hu, X. W. Gamma irradiation on room temperature short-wavelength HgCdTe photovoltaic device studied by admittance spectroscopy / X. W. Hu, J. Zhao, H. Q. Lu, X. Y. Li, J. X. Fang // Acta Physica Sinica. 1999. — Vol. 48, Iss. 6. — P. 1107−1112.
- Elliott, C. T. Carrier freeze-out and acceptor energies in nonstoichiometric p-type HgCdTe / C. T. Elliott, I. Melngailis, T. C. Harman, A. G. Foyt // J. Phys. Chem. Solids. 1972.-Vol. 33.-P. 1527−1531.
- Polla, D. L. Below band-gap photoluminescence of HgixCdxTe / D. L. Polla, R. L. Aggarwa // Appl. Phys. Lett. 1984. — Vol. 44. — P. 775−779.
- Yue, F. Deep/shallow levels in arsenic-doped HgCdTe determined by modulated photoluminescence spectra / F. Yue, J. Wu, J. Chu // Appl. Phys. Lett. 2008. -Vol. 93.-P. 131 909−3.
- Robin I. С. Photoluminescence Studies of HgCdTe Epilayers / I. C. Robin, M. Taupin, R. Derone, P. Ballet, A. Lusson // J. Electron. Mater. 2010. — Vol. 39, N. 7.-P. 868−872.
- Wong, J. Y. Effect of trap tunneling on the performance of long-wavelength HgCdTe photodiodes // IEEE Trans. Electron. Device. 1980. — ED-27, N. 1. — P. 48−52.
- Anderson W. W. Tunnel contribution to HgCdTe and PbSnTe p-n junction diode characteristics // Infrared Phys. 1980. — Vol. 20. — P. 353−361.
- Anderson W. W. Field induced tunneling in HgCdTe photodiodes // Appl. Phys. Lett. 1982. — Vol. 41. — P. 1080−1082.
- Кравченко, А. Ф. Механизмы переноса носителей заряда в диффузионных n-р переходах, изготовленных на основе CdHgTe / А. Ф. Кравченко, В. Н. Овсюк, Л. Н. Ромашко // Автометрия. 1998. — № 4. — С. 78−87.
- Туринов, В. И. Исследование глубоких уровней в CdHgTe методом туннельного тока фотодиодов / В. И. Туринов // ФТП. 2004. — Т. 38, Вып. 9. — С. 1129−1134.
- Trapping effect in HgCdTe / Y. Nemirovsky, R. Fastow, M. Meyassed, A. Unikovsky//J. Vac. Sci. Technol. B. 1991. — Vol. 9, N 3. — P. 1829−1839.
- Кикоин, И. К. О новом фотоэлектрическом эффекте в закиси меди / И. К. Кикоин, М. М. Носков // Phys. Zs. Sow. Un. 1934. — № 5. — С. 586.
- Френкель, Я. И. Объяснение фотоэлектромагнитного эффекта в полупроводниках /Я. И Френкель // Phys. Zs. ol. Sow. Un. 1934. — № 5. — С. 597.
- W. van Roosbroeck. Theory of the Photoelectromagnetic Effect in Semiconductors//Phys. Rev. 1956.-Vol. 101, N6.-P. 1713−1725.
- Равич, Ю. И. Фотоэлектромагнитный эффект в полупроводниках и его применение / Ю. И. Равич. М.: Сов. радио, 1967. — 93 с.
- Nowak, М. Photoelectromagnetic effect in semiconductors and its application // Prog. Quant. Electr. 1987. — Vol. 11. — P. 205−346.
- Гринберг, А. А. Фотомагнитный эффект в изотропных полупроводниках и его использование для измерения времени жизни неосновных носителей тока / А. А. Гринберг // ФТТ. 1960. — Т. 11, № 5. — С. 836−847.
- Lile, D. L. Generalized photoelectromagnetic effect in semiconductors // Phys. Rev. В. 1973.-Vol. 8, N 10.-P. 4708722.
- Лягушенко, P. И. Фотомагнитный эффект в квантующем магнитном поле при разогреве электронов светом / Р. И. Лягушенко, И. Н. Яссиевич // ЖЭТФ. 1969. — Т. 56, № 4. — С. 1432−1440.
- Finkman, E. Surface recombination velocity of anodic sulfide and ZnS coated p-HgCdTe / E. Finkman, S. E. Schacham // J. Vac. Sei. Technol. A. 1989. -Vol. 7, N 2. — P. 464−468.
- Konczak, S., Nowak, M. Some comments on the photoelectromagnetic effect / S. Konczak, M. Nowak // Surf. Sei. 1979. — N 87. — P. 228−238.
- Mordovich, D. Photoelectromagnetic effect in p-type HgCdTe layers grown by liquid phase epitaxy / D. Mordovich, A. Zemel, A. Zussman, D. Eger // J. Appl. Phys. 1987. — Vol. 51, N 26. — P. 2239−2241.
- Kumar, V. A CdTe passivation process for long wavelength infrared HgCdTe photo-detectors / V. Kumar, R. Pal, P. K. Chaudhury, B. L. Sharma, V. Gopal // J. Electr. Mater. 2005. — Vol. 34, N 9. — P. 1225−1229.
- Welker, H. Zur Theorie der galvanomagnetischen Effekte bei gemischten Leitung // Zs. Naturforsch. 1951. — Vol. 6a, N 1. -P. 184−191.
- Weisshaar, E. Magnetische Sperrschihten in Germanium/ E. Weisshaar, H. Welker // Zs. Naturforsch. 1953. — Vol. 8a, N 11. — P. 681−686.
- Madelung, O. Zur Theorie der magnetischen Spperschischte in Halbleitern / O. Madelung, L. Tewordt, H. Welker //Zs. Naturforsch. 1955. — Vol. 10a, N 7. -P. 476−488.260 ff
- Бойко, И. И. Электрический пинч в полупроводниках с анизотропной биполярной проводимостью в случае биомолекулярной рекомбинации носителей тока / И. И. Бойко, В. К. Малютенко //УФЖ. 1969. — Т. 14, № 9. — С.1449−1457.
- Malyutenko, V. К. Magnetoconcentration effect at nonlinear recombination of current carriers / V. K. Malyutenko, S. S. Bolgov, Y. M. Malozovsky // Phys.Stat.Sol. (a). 1978. — Vol. 50, N 2. — P. 723−732.
- Кравченко, А. Ф. Магнитоконцентрационный размерный эффект в ан-тимониде индия / А. Ф. Кравченко, Б. В. Морозов, Э. М. Скок // ФТП. 1974. -Т. 8,№ 10.-С. 2035−2038.
- Малютенко, В. К. Новые методы определения параметров неравновесных носителей заряда в узкозонных полупроводниках / В. К. Малютенко, Л. Л. Федоренко //Оптоэл-ка и полупр. техн. Киев: Наук. Думка. — 1988. -№ 13.-С. 1−13.
- Богданов, Е. В. Неустойчивости в электронно-дырочной плазме полупроводников / Е. В. Богданов, Л. С. Флейшман // Вестник МГУ. М.: Физ., ас-трон. — 1985. — Т. 26, № 2. — С. 91−94.
- Schneider, W. Application of photoconductivity mesurements in n-InSb under crossed field/W. Schneider, K. Behler // Appl. Phys. 1978. — Vol. 17. -P. 249−256.
- Cristoloveanu, S. The field-assisted photoelectromagnetic effect: theory and experiment in semi-insulating GaAs / S. Cristoloveanu, K.N. Kang // J. Phys. C: Solid State Phys. 1984. — Vol. 17. — P. 699−712.
- Kurnick, S.W. Photoconductive and Photoelectromagnetic Effects in InSb/S. W. Kurnick, R. N. Zitter//J. Appl. Phys. 1956. — Vol. 27, N 3. — P. 278−285.
- Goodwin, P. W. Reports of Meeting on Semiconductors // Phys. Soc. London. 1956.-P. 137.
- Konczak, S. The estimation of semiconductors parameters using least squares in photomagnetoelectric investigations / S. Konczak, M. Nowak // Phys. Stat. Sol. (a). -1981.-Vol. 63.-P. 305−311.
- Пека, Г. К. Варизонные полупроводники / Г. К. Пека, В. Ф. Коваленко, А. Н. Смоляр // Киев: Выща школа. 1989. — 251 с.
- Kroemer, Н. Quasi-electric and quasi-magnetic fields in nonuniform semiconductors // RCA Review. 1957. — Vol. XVIII, N 3. — P. 332−342.
- Царенков, Г. В. Фотоэффект в варизонной р-n структуре // ФТП. 1975. — Т. 9, № 2. — С. 253−262.
- Константинов, О. В. Фотопроводимость и эффект Дембера в варизон-ных полупроводниках / О. В. Константинов, Г. В. Царенков // ФТП. 1976. — Т. 10, № 4.-С. 720−728.
- О фоточувствительности варизонной структуры / А. Я. Вуль, С. Г. Пет-росян, А. Я. Шик, Ю. В. Шмарцев // ФТП. 1976. — Т. 10, № 4. — С. 673−676.
- Фотоэлектрический эффект в варизонных поверхностно-барьерных структурах (теоретическое рассмотрение) / В. А. Бывалый, А. С. Волков, Ю. А. Гольдберг, А. Г. Дмитриев, Б. В. Царенков // ФТП. 1979. — Т. 13, № 6. -С. 1110−1115.
- Клецкий, С. В. Спектральные характеристики варизонных структур с нелинейным профилем состава / С. В. Клецкий // ФТП. 1992. — Т. 26, № 9. — С. 1631−1634.
- Петросян, С. Г. Теоретическое исследование фотомагнитного эффекта в варизонных полупроводниках / С. Г. Петросян // ФТП. 1977. — Т. 11, № 5. — С. 886−891.
- Габарев, Р. С. Особенности фотомагнитного эффекта в варизонных структурах GaAixySbxPy / Р. С. Габарев, В. А. Калухов, С. И. Чикичев // ФТП. -1985. Т. 19, № 4. — С. 742−744.
- Cohen-Solal, G. Transport of photocarriers in CdxHgixTe graded-gap structures/G. Cohen-Solal, Y. Marfaing// Sol. St. Electr. 1968. — Vol. 11, N 12. — P. 1131−1147.
- Kasprzak, J.F. Spectral characteristic of the PEM-effect in graded-gap CdxHg!.xTe / J. F. Kasprzak, J. M. Pawlikowski, P. Besla, H. Maychrowska // Acta. Phys. Polon. 1980. — Vol. A57. — P. 311−322.
- Genzow, D. Photoelectromagnetic effete in CdxHgj. xTe graded-gap structures / D. Genzow, A. Jozwikowska, K. Jozwikowski, T. Niedzeila, J. Piotrovski // Infrared Phys. 1984. — Vol. 24, N 1. — P. 21−24.
- Studenikin, S. A. Recombination parameters of epitaxial CdxHgixTe/CdTe layers from photoelectromagnetic and photoconductivity effects / S. A. Studenikin, I. A. Panaev // Sem. Sei. Technol. -1993. Vol. 8. — P. 1324−1330.
- Штурбин, A.B. Определение диффузионно-рекомбинационных параметров полупроводников бесконтактным методом / А. В. Штурбин, В. А. Шалыгин, В. И. Стафеев // ФТП. 1995. -Т. 29, № 11. — С. 2039−2052.
- Михайлов, Н. Н. Способ создания варизонных структур на основе твердых растворов CdxHgixTe / Н. Н. Михайлов, А. М. Мищенко, В. Г. Ремесник//ГК по делам изобретений и открытий. Патент № 2 022 402, приоритет от 14.04.98, публ. 30.10.94. БИ. № 20, с 310.
- Осадчий, В. М. Эффективное время жизни носителей заряда в варизонных структурах на основе CdHgTe / В. М. Осадчий, А. О. Сусляков, В. В. Васильев, С. А. Дворецкий // ФТП. 1999. — Т. 33, № 3. — С. 293.
- Ландау, Л. Д. Собрание трудов / Л. Д. Ландау. М.: Наука. — 1969. — Т. 1.-С. 47.
- Landau, L. Diamagnetism des Metalls // Zeitschr. der Physik. 1930. — Bd. 64.-P. 629.
- Ландау, Л. Д. Квантовая механика / Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц. М.: Наука, 1974.-552 с.
- Брандт, Н. Б. Эффект Шубникова де Гааза и его применение для исследования энергетического спектра металлов, полуметаллов и полупроводников/Н. Б. Брандт, С. М. Чудинов//УФН. — 1982. — Т. 137, вып. 3. — С. 479+499.
- Schubnikow, L. W., de Haas W.I. Leiden Comm. Kamerlingh Onnes Lab., 1930, N.207, 207a, 210a, 210b // Proc. Netherlands Roy Acad. Sei. 1930. — Vol. 33. -P. 130,163.
- Titeica, S. Uber die Widerstandsanderung von Metallen im Magnetfeld // Annalen der Physik. 1935. — B. 22. — P. 129.
- Ахиезер, А. Об изменении сопротивления металлов в магнитном поле / А. Ахиезер // ЖЭТФ. 1939. — Т. 9, Вып. 4. — С. 426.
- Румер, Ю. Б. К теории электропроводности металлов в магнитном поле / Ю. Б. Румер // ЖЭТФ. 1952. — Т. 22, вып. 2. — С. 214.
- Клингер, М. И. К теории гальваномагнитных явлений в полупроводниках / М. И. Клингер // ЖЭТФ. 1956. — Т. 31, вып. 6. — С. 1055.
- Зырянов, П. С. Квантовая теория явлений переноса в кристаллических полупроводниках / П. С. Зырянов, М. И. Клингер. М.: Наука, 1976. — 437 с.
- Adams, Е. N. Quantum theory of transverse galvanomagnetic phenomena / E. N. Adams, T. D. Holdstein // J. Phys. Chem. Solids. 1959. — Vol. 10, N 4. — P. 254.
- Kubo, R. Quantum theory of galvanomagntic effect. I. Basic considerations / R. Kubo, H. Hasegawa, N. Hashitsume // J. Phys. Soc. Japan. 1959. — Vol. 14, N l.-P. 56.
- Шалыт, С. С. К вопросу о квантовой осцилляции гальваномагнитных эффектов в арсениде и антимониде индия / С. С. Шалыт, A. JL Эфрос // ФТТ. -1962.-Т. 4.-С. 1233.
- Bawers, R. Energy levels of conduction in a magnetic field / R. Bawers, Y. Yafet // Phys. Rev. 1959. — Vol. 115, N 5. — P. 1165.
- Аскеров, Б. M. Электронные явления переноса в полупроводниках / Б. М. Аскеров. М.: Наука, 1985. — Гл. 6. — 223 с.
- Капе, О. Band structure of indium antimonide // J. Phys. Chem. Solids. -1957.-Vol. 1, N4. P. 249.
- Маделунг, О. Физика полупроводниковых соединений элементов 3 и 5 группы / О. Маделунг. М.: Мир, 1967. — С. 46.
- Sailer, D. G. Shubnikov-de Haas effect studies on optically heated electrons in n-InSb / D. G. Sailer, L. K. Hanes, M. W. Goodwin, A. E. Stephens // J. of Magnetism and Magnetic Materials. 1979. — Vol. 11. — P. 247.
- Jablonovitch, E. Dispersion of the nonlinear optical susceptibility in n- InSb / E. Jablonovitch, N. Blombergen // Phys. Rev. 1971. — Vol. 3, N 6. — P. 2062.
- Бреслер, M. С. Циклотронный резонанс нелинейной оптической восприимчивости в InSb / M. С. Бреслер, О. Б. Гусев // ЖЭТФ. 1979. — Т. 76, № 2. — С. 724.
- Missell, F. P. Study of the optical Shubnikov de Haas effect / F. P. Missell, M. S. Dresselhaus // Phys. Rev. — 1972. — Vol. 5, N 4. — P. 1364.
- Скок, Э. M. Спиновый резонанс магнитосопротивления и фотоэдс в п-InSb при комбинационном рассеянии / Э. М. Скок, С. А. Студеникин // ФТТ. -1983.-Т. 25, № 11.-С. 3361.
- Природа осцилляций оптических и кинетических коэффициентов в ан-тимониде индия / А. В. Вдовин, Н. А. Калугина, В. И. Сапцов, С. А. Студеникин, Э. М. Скок // Изв. Ак. Наук СССР. 1986. — Т. 50, № 2. — С. 304.
- Оптические свойства полупроводников (полупроводниковые соединения А3В5) / под ред. Р. Уиллардсона и А. Бира- пер. с англ. под. ред. Е. Ф. Гросса. М.: Мир. — 1970. — С. 486.
- Сапцов, В. И. Магнитооптические эффекты в антимониде индия / В. И. Сапцов, Э. М. Скок: Препринт 15, ИФП СО АН СССР. Новосибирск, 1987. -25 с.
- Корнилович, А. А. Способ определения концентрации носителей заряда в вырожденных полупроводниках / А. А. Корнилович, С. А. Студеникин, Е. И. Уваров // A.c. 1 694 018, Б.И. 1991. № 43. с. 228.
- Gui, Y. S. Electrical characterization of subbands in the HgCdTe surface layer / Y. S. Gui, G. Z. Zheng, J. H. Chu, S. L. Guo, X. C. Zhang, D. Y. Tang, Y. Cai // J. Appl. Phys. 1997. — Vol. 82, Iss. 10. — P. 5000−5004.
- Бесконтактные методы исследования нелинейного спинового резонанса и эффекта Шубникова де Гааза в объёмных полупроводниках и низкоразмерных системах / А. В. Вдовин, А. А. Корнилович, Э. М. Скок, Е. И. Уваров // Автометрия. — 2001. — Т. 4. — С. 62−75.
- Kostyuchenko V. Y. Magneto-resonant absorbtion from a local center in degenerate n-InSb / V. Y. Kostyuchenko, E. M. Skok, S. A. Studenikin // Phys. Stat. Sol. (b). 1989. -Vol. 152. — P. k59-k62.
- Студеникин, С. А. Фотомагнитный эффект и фотопроводимость тонких эпитаксиальных слоев CdxHg^x^ Те/ CdTel С. А. Студеникин, И. А. Панаев, В. Я. Костюченко, Х.-М. 3. Торчинов // ФТП. 1993. — Т. 27, № 5. — С. 600−612.
- Thomas, P. Е. Low level second harmonic defection system / P. E. Thomas, J. M. Rowell // Rev. Sci. Instrum. 1965. — Vol. 36, N 9. — P. 1301−1306.
- Kahlert, N. Magnetic field modulation technique for study of hot carrier oscillatory magnetoresistance phenomena / N. Kahlert, D. G. Seiler // Rev. Sci. Instrum.- 1977.-Vol. 48, N8.-P. 1017.
- Бубякин, Б. Б. Лазер на окиси углерода / Б. Б. Бубякин, А. В. Елецкий,
- B. Ф. Папуловский // УФН. 1972. — Т. 106, № 4. — С. 723−735.
- Peters, P. J. Tunable sealed-off СО laser at room temperature / P. J. Peters, W.J. Witterman, Z. Krzyzanovski //Opt.Commun. 1980. — Vol.45, N3. — P. 193−195.
- Todd, Т. H. Infrared emission of 12C160,, 3C160 and 12C180 / Т. H. Todd,
- C. M. Clayton, W. B. Telfair, Т. K. McCubbin, Jr. Pliva, J. Phiva // J. Mol. Spectrosc.- 1976. Vol. 62. — P. 201−227.
- Vdovin, A. V. Spinflip detector-spectrometer of IR laser radiation / A. V. Vdovin, A. V. Rzanov, E. M. Skok, S. A. Studenikin // 13th Intern. Symposium of the Technical Commitee on Photonic Measurements (Photon-Detectors). Braun-schweiy, 1987.-245 p.
- Anderson, W.W. Absorption constant of PbixSnxTe and Hg! xCdxTe alloys// Infr. Phys. 1980. — Vol. 20. — P. 363−372.
- Varavin V. S. HgCdTe epilayers on GaAs: growth and devices / V. S. Varavin, V. V. Vasiliev, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, V. N. Ovsyuk, Yu. G. Sidorov, A. O. Suslyakov, M. V. Yakushev, A. L. Aseev // Proceedings SPIE. -2003.-Vol. 5136.-P. 381−395.
- Spicer, W. E. Metal contacts on Hgi. xCdxTe // J. Vac. Sei. Technol. A. -1990.-Vol. 8.-P. 1174−1176.
- Мосс, T. Полупроводниковая оптоэлектроника / T. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. M.: Мир, 1976. — 430 с.
- Кикоин, И. К. Фотоэлектромагнитный эффект/ И. К. Кикоин, С. Д. Лазарев // УФН. 1978. — Т. 124, Вып. 4. — С. 597−617.
- Мецик, М. С. Методы обработки экспериментальных данных и планирование эксперимента по физике. Иркутск: Изд-во ИГУ, 1981. — 112 с.
- Измерение резонансов в антимониде индия. Полупроводниковая тензометрия / А. В. Вдовин, С. А. Студеникин, А. А. Корнилович, Е. И. Уваров // Межвуз. сб. науч. тр., НЭТИ. Новосибирск, 1988. — С. 86.
- Kornilovich, A. A. Investigation of semiconductor structures and two-dimensional systems by non-destructive contactless methods // Proc. IEEE-Russia Conference ME-MIA'2001. Novosibirsk, 2001.
- Аскеров, Б. М. Кинетические эффекты в полупроводниках / Б. М. Аскеров. Л.: Наука, 1978. — С. 172−303.
- Argyres, Р. N. Quantum theory of longitudinal magnetoresistance // J. Phys. Chem. Solids. 1958. — Vol. 4, N 1. — P. 19−26.
- Азбель, М. JI. Квантовая теория высокочастотной проводимости металлов // ЖЭТФ. 1958. — Т. 34, № 4. — С. 969−983.
- Dresselhaus Н. S. J. Optical de haas-Spubnikov effect in antimonide/ H. S. Dresselhaus, J. Mavroides //Sol.State Commun. 1964. — Vol.2, N10. — P. 297−301.
- Achard, J. Comments on the appearance of «mirror» peaks in mobility spectrum analysis of semiconducting devices / J. Achard, C. Varenne-Guillot, F. Barbarin, M. Dugay // Appl. Surf. Sci. 2000. — Vol. 158. — P. 345−352.
- Шуп, Т. E. Решение инженерных задач на ЭВМ: Практическое руководство/ Т. Е. Шуп. М.: Мир, 1982. — 235 с.
- Зеегер, К. Физика полупроводников / К. Зеегер. М.: Мир, 1977. -615 с.
- Кучис, Е. В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования / Е. В. Кучис. М: Радио и связь, 1990. — 264 с.
- Jones, С. Е. Effects of deep-level defects in HgixCdxTe provided by DLTS / С. E. Jones, V. Nair, J. Lindquist, D. L. Polla // J. Vac. Sei. Technol. 1982. — Vol. 21, N 1. — P. 187−190.
- Подвижность неосновных носителей заряда в пленках p-HgCdTe / В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, В. Я. Костюченко, В. Н. Овсюк, Д. Ю. Протасов // ФТП. 2004. — Т. 38, №. 5. — С. 532−537.
- Протасов, Д. Ю. Подвижность равновесных и неравновесных неосновных носителей заряда в p-Hg!.xCdxTe / Д. Ю. Протасов, В. Я. Костюченко // Вестник Сиб. гос. геодез. акад. 2002. — Вып. 7. — С. 202−205.
- Овсюк, В. Н. Метод дифференциального магнитосопротивления для определения концентрации и подвижности электронов и легких дырок в CdxHgi.xTe р-типа / В. Н. Овсюк, Д. Ю. Протасов, Н. X. Талипов // Автометрия. 1998. — № 5. — С. 99−107.
- Protasov, D. Yu. Determination of Charge Carriers Mobility in p-HgCdTeby Magnetophoto-conductivity Method / D. Yu. Protasov, V. Ya. Kostuchenko, th
- V. N. Ovsyuk // 5 International Siberian Workshop and Tutorial of Electron Devices and Materials EDM (1−5 July 2004). Russia: Erlagol, 2004. — P. 54−57.
- Tanaka, M. Electrical Properties of HgCdTe epilayers doped with silver using an AgN03 solution / M. Tanaka, K. Ozaki, H. Nishino, H. Ebe, Y. Miyamoto // J. Electron. Mater. 1998. — Vol. 27, N 6. — P. 579−582.
- Nishino, H. Acceptor level related Shockley-Read-Hall centers in p-HgCdTe / H. Nishino, K. Ozaki, M. Tanaka, T. Saito, H. Ebe, Y. Miyamoto // J. Cryst. Growth. 2000. — Vol. 214/215. — P. 275−279.
- Определение времени жизни основных и неосновных носителей заряда в CdHgTe р-типа методом фотопроводимости в магнитном поле / Д. Ю. Протасов, В. Н. Овсюк, В. Я. Костюченко, В. С. Крылов // Прикладная физика. 2007. — № 6. — С. 27−30.
- Малютенко, В. К. Стационарная фотопроводимость электроннодыроч-ной плазмы в скрещенном электрическом и магнитных полях / В. К. Малютенко, Г. И. Тесленко, И. И. Бойко // ФТП. 1974. — № 8. — С. 2120.
- Malutenko, V. К. Photoconductor in transverse sweep-out conditions / V. К. Malutenko, G. I. Teslenko // Infr. Phys. 1985. — Vol. 25, N 1. — P. 337−342.
- Смит, P. Полупроводники / P. Смит // Пер. с англ. M.: Мир. — 1982. -560 с.
- Кичигин, Д. А. Фототермомагнитный эффект в CdxHgixTe в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах / Д. А. Кичигин, И. М. Раренко, Э. Б. Тальянский, Д. Д. Халамейда // ФТП. 1981. — Т. 15, № 2. — С. 375−378.
- Ансельм, А. И. Введение в теорию полупроводников / А. И. Ансельм. -М.: Наука, 1978.-616 с.
- Костюченко, В. Я. Исследование фотомагнитного эффекта и фотопроводимости в слоях p-CdHgTe / В. Я. Костюченко, Д. Ю. Протасов, С. А, Студе-никин // Автометрия. 1996. — № 4. — С. 77−81.
- Протасов, Д. Ю. Эффективные темы оптической генерации и скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда в варизонных плёночных фотоприемных структурах р-КРТ МЛЭ / Д. Ю. Протасов, В. Я. Костюченко // Автометрия. 2008. — Т. 44, № 6. — С. 103−108.
- Protasov, D. Yu. Surface Recombination and Charge Carriers Generation by
- Radiations in MBE p-HgCdTe films with Graded-Gap Near-Border Layth •ers / D. Yu. Protasov, V. Ya. Kostuchenko // 8 International Siberian Workshop and Tutorial of Electron Devices and Materials EDM (1−5 July 2007). Russia: Erlagol, 2007.-P. 54−57.
- Костюченко, В. Я. Фотопроводимость в магнитном поле и фотомагнитный эффект в варизонных фотоприёмных структурах р-CdHgTe/ В. Я. Костюченко // Автометрия. 2009. — Т. 45, вып. 4. — С. 418.
- Блатт, Фрэнк Дж. Теория подвижности электронов в твердых телах / Фрэнк Дж. Блатт. Д.: Физматгиз, 1963. — 224 с.
- Lou, L.F. Hall effect and resistivity in liquid-phase-epitaxial layers of HgCdTe / L. F. Lou, W. H. Frye // J.Appl. Phys. 1984. — Vol. 56, N 8. — P. 2253−2267.
- Протасов, Д. Ю. Немонотонное поведение магнитофотопроводимости в HgCdTe р-типа / Д. Ю. Протасов, В. Я. Костюченко, В. Н. Овсюк // ФТП. -2006. Т. 40, вып. 6. — С. 663−666.
- Dhar, V. Optimum diode geometry in a two-dimensional photovoltaic array / V. Dhar, V. Gopal // Opt. Eng. 2000. — Vol. 39, N 8. — P. 2022−2030.
- Dhar, V. Dependence of zero-bias resistance-area product and quantum efficiency on perimeter-to-area ratio in a variable-area diode array / V. Dhar, V. Gopal // Sem. Sci. Technol. 2001. — Vol. 16. — P. 553−561.
- Frank, J. Determination of diffusion length of minority carriers in Cdi xZnxTe (x=0,04) by the EBIC method / J. Frank, E. Belas, A. L. Toth, Yu. M. Ivanov, H. Sitters, P. Moravec, P. Hoshl // Sem. Sci. Tech. 1998. — Vol. 13. — P. 314−317.
- Haakenaasen, R. Electron beam induced current study of ion beam milling type conversion in molecular beam epitaxy vacancy-doped CdxHgjxTe / R. Haakenaasen, T. Colin, H. Steen, L. Trosdahl-Iversen // J. Electr. Mat. 2000. — Vol. 29, N 6.-P. 849−852.
- Redfern, D. A. Correlation of laser-beam-induced current with current-voltage measurements in HgCdTe photodiodes / D. A. Redfern, C. A. Musca, J. M. Dell, L. Faraone // J. Electr. Mat. 2004. — Vol. 33, N 6. — P. 560−571.
- Определение нормальной и латеральной компонент темнового тока п-р-фотодиодов на основе гетероэпитаксиальных структур p-CdxHgixTe с х = 0,22 / В. Я. Костюченко, Д. Ю. Протасов и др. // Письма в ЖТФ. 2009. — Т. 35, вып. 12.-С. 32−37.
- Костюченко, В.Я. Влияние профиля варизонных приграничных областей гетероструктур кадмий-ртуть-теллур р-типа на скорость поверхностной рекомбинации / В. Я. Костюченко, Д. Ю. Протасов, А. В. Войцеховский // Известия ВУЗов. 2011. — Т.54, № 7. с. 53−58.
- Agnihotri, О. P. Current status and issues in the surface passivation technology of mercury cadmium telluride infrared detectors / O. P. Agnihotri, C. A. Musca, L. Faraone // Sem. Sci. Technol. 1998. — Vol. 13. — P. 839−845.
- Madarasz, F. L. Barrier formation in graded HgixCdxTe heterojunction / F. L. Madarasz, F. Szmulowicz // J. Appl. Phys. 1987. — Vol. 62, N 8. — P. 3267−3277.
- Meyer, J. R. Method for characterization of IR detector materials / J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, D. J. Arnold, S. Sivananthan, J. P. Faurie // Sem. Sci. Technol. 1993.-Vol. 8.-P. 805−823.
- Студеникин, С. А. Примесное магнитопоглощение в узкозонных полупроводниках / С. А. Студеникин, Е. И. Уваров, В. Я. Костюченко // Материалы 2 Всесоюз. семинара по физике и химии полупроводников. Павлодар, 1989. -Т. З.-С. 19−23.
- Цидильковский, И. М. Зонная структура полупроводников / И. М. Ци-дильковский. М.: Наука, 1978. — 328 с.
- Kaplan, R. Acceptor excitation spectra in InSb // Solid State Commun. -1973.-Vol. 12, N3.-P. 191−194.
- Вдовин, А. В. Спиновый резонанс и зонные параметры InSb / А. В. Вдовин, Э. М. Скок: препринт № 9−86 / Ин-т физики полупроводников СО АН СССР. -Новосибирск, 1986. 16 с.
- Goodwin, М. W. Infra conduction-band magnetooptical studies on InSb / M. W. Goodwin, D. G. Seiler // Phys.Rev.B. 1983. — Vol. 27, N 6. — P. 3451−3459.
- Weiler, M. H. Warping and inversi-on-assymetry-induced cyclotron-harmonic transition in InSb / M. H. Weiler, R. L. Aggarwal, B. Lax // Phys. Rev. B. -1979. Vol. 17, N 8. — P. 3269−3283.
- Сапцов, В. И. Гармоники циклотронного резонанса в зоне проводимости р-типа / В. И. Сапцов, Э. М. Скок //ФТП. 1986. — Т. 20, № 8. — С. 1377−1379.
- Seiler, D. G., Goodwin, Н. W. Laser-induced magneto-optical transitions from deep levels in n-InSb // J.Appl.Phys. 1982. — V. 53. — № 11. — P. 7505−7515.
- Исмаилов, И. H. Примесная фотопроводимость антимонида индия при низких температурах / И. Н. Исмаилов, Д. Н. Наследов, Ю. С. Сметанникова // ФТП. 1968. — Т. 2, № 6. — С. 901−903.
- Penek, J. Recombination Radiation from InSb / J. Penek, H. Levinstein // Phys.Rev. 1965. — Vol. 140, N 2a. — P. A576-A586.
- Engeler, W. Photoconductivity in p-type indium antimonide with deep acceptor impurities / W. Engeler, H. Levinstein, С. Stannard //Phys. Chem. Sol. -1961. Vol. 22. — P. 249−254.
- Выбор экспериментальных условий для фотолюминесцентного контроля структур для гетеробиполярных транзисторов / К. С. Журавлев, Т. С. Шамирзаев, В. В. Преображенский, Б. Р. Семягин, В. Я. Костюченко // ЖТФ. -1997. Т. 67, № 12. — С. 26−30.