Разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии квантоворазмерных гетероструктур на основе полупроводников AIIIBV для приборов оптоэлектроники и ИК-техники
Диссертация
Современные ГС отличают высокие требования к соблюдению геометрии, энергетической диаграммы, профиля легирования и наличие одной или более квантовых ям (КЯ) с заданными параметрами. Изготовление многих приборов оптоэлектроники и ИК-техники последнего поколения, среди которых, в первую очередь, лазерные диоды (ЛД), суперлюминесцентные диоды (СЛД) и ИК-фотоприемники (ИК-ФП) с КЯ, невозможно без… Читать ещё >
Содержание
- 1. Гетероструктуры на основе полупроводников AmBv для приборных применений
- 1. 1. Основные свойства соединений AmBv и их твердых растворов
- 1. 2. Гетероструктуры для лазерных диодов
- 1. 3. Гетероструктуры для суперлюминесцентных диодов
- 1. 4. Гетероструктуры для фотоприемников с квантовыми ямами
- 1. 5. Гетероструктуры для полупроводниковых фотокатодов
- 2. Методика и техника эксперимента
- 2. 1. Оборудование МОС-гидридной эпитаксии
- 2. 2. Измерительная и аналитическая техника
- 3. Разработка технологии получения гетероструктур для лазерных диодов
- 3. 1. Гетероструктуры в системе AlGaAs/GaAs (^.=750−850нм)
- 3. 1. 1. Получение эпитаксиальных слоев GaAs
- 3. 1. 1. 1. Общие закономерности эпитаксиального роста
- 3. 1. 1. 2. Легирование GaAs
- 3. 1. 1. 3. Дельта-легирование
- 3. 1. 2. Получение эпитаксиальных слоев AlGaAs
- 3. 1. 3. Проблема получения резких гетеропереходов и квантовых ям
- 3. 1. 4. Получение приборных гетероструктур
- 3. 1. 4. 1. Оптимизация легирования гетероструктур для лазерных диодов
- 3. 1. 4. 2. Лазерные диоды спектрального диапазона 740−770 нм
- 3. 1. 4. 3. Лазерные диоды спектрального диапазона 770−860 нм
- 3. 1. 4. 4. Линейки лазерных диодов спектрального диапазона 770−860нм
- 3. 1. 1. Получение эпитаксиальных слоев GaAs
- 3. 1. Гетероструктуры в системе AlGaAs/GaAs (^.=750−850нм)
- 3. 2. Гетероструктуры в системе InGaAs/AlGaAs (1=870−1 ЮОнм)
- 3. 2. 1. Проблема получения напряженных квантовых ям
- 3. 2. 1. 1. Критическая толщина и особенности дефектообразования
- 3. 2. 1. 2. Оптимизация условий получения напряженных квантовых ям
- 3. 2. 2. Сегрегация атомов индия и формирование резких гетерограниц
- 3. 2. 2. 1. Особенности распределения In в квантоворазмерных ГС
- 3. 2. 2. 2. Разработка практических подходов к повышению резкости гетерограниц квантовых ям
- 3. 2. 2. 3. Модель сегрегации в квазижидком приближении
- 3. 2. 3. Получение приборных гетероструктур
- 3. 2. 3. 1. Влияние сегрегации In на получение одномодовых лазерных диодов на основе гетероструктур InGaAs/(Al)GaAs
- 3. 2. 3. 2. Получение лазерных диодов с малой расходимостью
- 3. 2. 3. 3. Лазерные диоды спектрального диапазона 860−920 нм
- 3. 2. 3. 4. Лазерные диоды спектрального диапазона 920−1000 нм
- 3. 2. 3. 5. Лазерные диоды спектрального диапазона 1000−1100 нм
- 3. 2. 1. Проблема получения напряженных квантовых ям
- 3. 3. 1. Получение эпитаксиальных слоев InP
- 3. 3. 2. Получение эпитаксиальных слоев InGaAs
- 3. 3. 3. Получение эпитаксиальных слоев GalnAsP
- 3. 3. 4. Получение гетероструктур GalnAsP/GalnAsP с квантовыми ямами
- 3. 3. 5. Получение приборных гетероструктур
- 3. 3. 5. 1. Лазерные диоды спектрального диапазона 1300−1550 нм
- 3. 3. 5. 2. Лазерные диоды спектрального диапазона 1600−2000 нм
- 3. 4. 1. Получение эпитаксиальных слоев AlGalnAs
- 3. 4. 2. Оптимизация получения гетероструктур (Al)GaInAs/AlGaInAs с квантовыми ямами
- 3. 4. 3. Получение приборных гетероструктур
- 4. 1. Гетероструктуры AlGaAs/GaAs (Я=750−850нм)
- 4. 2. Гетероструктуры InGaAs/AlGaAs (?i=870−1080hm)
- 4. 3. Гетероструктуры GalnAsP/InP и AlGalnAs/InP (1=1300−1800нм)
- 5. 1. Гетероструктуры GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами (8−12 мкм)
- 5. 2. Гетероструктуры InGaAs/AlGaAs с квантовыми ямами (3−5 мкм)
- 5. 3. Двухспектральные гетероструктуры InGaAs/GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами (3−5 и 8−12мкм)
- 6. 1. Гетероструктуры AlGaAs/GaAs
- 6. 2. Гетероструктуры GalnP/AlGalnP/GaAs
- 6. 3. Гетероструктуры GaAsP/AlGaAsP/GaAs
- 6. 4. Гетероструктуры InGaAs/AlGalnAs/GaAs
Список литературы
- Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетеросгруктур // Физика и техника полупроводников. 1998. Т. 32. № 1. С. 3 18.
- Алферов Ж.И., Гарбузов Д. З., Долгинов JI.M., Елисеев П. Г., Мильвидский М. Г. Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в оптоэлектронике // Вестник АН СССР. 1978. № 4. С. 31 — 38.
- Акчурин Р.Х. МОС-гидридная эпитаксия: современное состояние и основные тенденции развития // Материалы электронной техники. Известия вузов. 1999. № 2. С. 4−12.
- Razeghi М. The MOCVD chalange. Adam Hilger.: Bristol, 1989.
- Stringfellow G.B. Organometallic vapor-phase epitaxy: theory and practice. 2nd ed. Academic Press. San Diego. 1999. 572 p. (1st ed. 1989.)
- Landolt-Bornstein. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology/edited by Madelung О. V. 17a. N. Y.: Springer, 1982. — 427 p.
- Соединения A3B5. Стрельченко C.C., Лебедев B.B.: Справ, изд. М.: Металлургия 1984. 144 с.
- Semiconductors. Group IV Elements and III-V Compounds/Editor Madelung O. -Berlin Heidelberg.: Springer-Verlag, 1991. 164 p.
- Физические величины: Справочник / А. П. Бабичев, Н. А. Бабушкина, A.M. Братковский и др.- Под ред. И. С. Григорьева, Е. З. Мелихова. М.: Энергоатомиздат, 1991. — 1232 с.
- Материаловедение полупроводников и диэлектриков. Горелик С. С., Дашевский М. Я. Учебник для вузов. М.: Металлургия, — 1988. — 574 с.
- Glisson Т.Н., Hauser J.R., Littlejohn М.А., Williams С.К. // J. Electron. Mater. 1978. V. 7. P. 1.
- Krijn M.P.C.M. Heterojunction band offsets and effective masses in III-V quaternary alloys // Semicond. Sci. Technol. 1991. V. 6. P. 27−31.
- Vurgaftman I., Meyer J.R., Ram-Mohan L.R. Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys // J. Appl. Phys. 2001. V.89. № 11. P. 5815−5875.
- Li E.H. Material parameters of InGaAsP and InAlGaAs systems for use in quantum well structures at low and room temperatures // Physica E. 2000. V. 5. P. 215−273.
- Hamoudi A., Ougazzaden A., Krauz Ph., Rao E.V.K., Juhel M., Thibierge H. Cation interdiffusion in InGaAsP/InGaAsP multiple quantum wells with constant P/As ratio // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. № 6. P. 718.
- Hirayama Y., Choi W.Y., Peng L.H., Fonstad S.H. Absorption spectroscopy on room temperature excitonic transitions in strained layer InGaAs/InGaAlAs multiquantum-well structures// Jpn. J. Appl. Phys. 1993. V. 74. № 1. P. 570.
- Nahorny R.E., Pollak M.A., Johnston W.D. Band gap versus composition and demonstration of Vegard’s law for In^GaxAsyPi-y lattice matched to InP // Appl. Phys. Lett. 1978. V. 33. № 7. P. 659.
- Moon L., Antypas G.A., James L.W. // J. Electron. Mater. 1974. V. 3. P. 635.
- Van de Walle C.G. Band lineups and deformation potentials in the model-solid theory//Phys. Rev. B. 1989. V. 39. № 3. P. 1871−1882.
- Guden M., Piprek J. Material parameters of quaternary III-V semiconductors for multilayer mirrors at 1.55 im wavelength // Modelling Simul. Mater. Sci. Eng. 1996. V. 4. P. 349−357.
- Hall R.N., Fenner G.E., Kingley J.D., Soltys T.J., Carlson R.O. Coherent Light Emission From GaAs Junctions // Phys. Rev.Lett. 1963. V. 9. № 9. P. 366.
- Nathan M.I., Dumke W.P., Burns G., Dill J.H., Lasher G.J. Stimulated emission of radiation from GaAs р-n junction // Appl. Phys. Lett. 1962. V. 1. № 3. P. 62.
- Наследов Д.Н., Рогачев A.A., Рыбкин C.M., Царенков Б. В. // Физика твердого тела. 1962. Т. 4. С. 1062.
- Багаев B.C., Басов Н. Г., Вул Б.М., Копыловский Б. Д., Крохин О. Н., Попов Ю. М., Маркин Е. П., Хвощов А. Н., Шотов А. П. // ДАН СССР. 1963. Т. 150. № 2. С. 275.
- Kressel Н., Nelson Н. Improved red and infrared light emitting AlxGa. xAs laser diodes using the close-confinement structure // Appl. Phys. Lett. 1969. V. 15. № ]. p. 7.
- Panish M.B., Hayashi I., Sumski S. A technique for the preparation of low-threshold room-temperature GaAs laser diode structures // IEEE J. Quantum Electron. 1969. V. 5. № 4. P. 210.
- Алферов Ж.И., Андреев B.M., Гарбузов Д. З., Жиляев Ю. В., Морозов Е. П., Портной Е. Л., Трофим В. Г. // Физика и техника полупроводников. 1970. Т. 4. С. 1826.
- Hayashi I., Panish М.В., Foy P.W., Sumski S. Junction lasers which operate continuously at room temperature // Appl. Phys. Lett. 1970. V. 17. № 3. P. 109.
- Panish M.B. at al. Reduction of threshold current density in GaAsAlx Ga^ As heterostructure lasers by separate optical and carrier confinement // Appl. Phys. Lett. 1973. V. 22. P. 590.
- Kirkby P.A., Thompson G.H.B. // Opto-Electronics. 1972. V. 4. № 3. P. 323.
- Holonyak N., Kolbas R.M., Dupius R.D., Dapkus P.D. Quantum-well heterostructure lasers // IEEE J. Quantum. Electron. 1980. V. 16. № 2. P. 170.
- Tsang W.T. Extremely low threshold (AlGa)As modified multiquantum well heterostructure lasers grown by molecular-beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1981. V. 39. № 10. P. 786.
- Зайцев С.В., Гордеев Н. Ю., Устинов В. М. и др. Исследование свойств низкопороговых гетеролазеров с массивами квантовых точек // Физика и техника полупроводников. 1997. Т. 31 № 5. С. 539−544.
- Holonyak N., Kolbas R.M., Dupuis R.D., Dapkus P.D. Quantum-well heterostructure lasers // IEEE J. Quantum Electron. 1980. V. QE-16. № 2. P. 170 185.
- Кейси X., Паниш M. Лазеры на гетероструктурах в 2-х томах. М.: Мир, 1981 299 и 364 с.
- Елисеев П.Г. Введение в физику инжекционных лазеров. М.: Наука, 1983 -294 с.
- Голоньяк Н.Н. Полупроводниковые лазеры с квантовыми размерными слоями // Физика и техника полупроводников. 1985. Т. 19. № 9. С. 1529−1557.
- Елисеев П.Г., Попов Ю. М. Полупроводниковые лазеры // Квантовая электроника. 1997. Т. 24. № 12. С. 1067−1079.
- Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // Физика и техника полупроводников. 1998. Т. 32. № 1. С. 3−18.
- Zou W.X., Chuang Z.M., Law К-К., Dagli N., Coldren L.A., Merz J.L. Analysis and optimization of graded-index separate-confinement heterostructure waveguides for quantum well lasers // J. Appl. Phys. 1991. V. 69. № 5. P. 2857−2861.
- York P.K., Langsjoen S.M., Miller L.M., Beernink K.J., Alwan J.J., Coleman J.J. Effect of confining layer aluminum composition on AlGaAs-GaAs-InGaAs strained-layer quantum well heterostructure lasers // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. № 9. P. 843−845.
- Choi H.K., Wang C.A. AlGaAs/InGaAs strained single quantum well diode lasers with extremely low threshold current density and high efficiency // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. № 4. P. 321−323.
- Williams R.L., Dion M., Chatenoud F., Dzurko K. Extremely low threshold current strained InGaAs/AlGaAs lasers by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. № 17. P. 1816−1818.
- Алферов Ж.И., Антошкис Н. Ю., Арсентьева И. Н., Гарбузов Д. З., Тикунов А. В., Халфин В. Б. // Физика и техника полупроводников. 1987. Т. 21. № 8. С. 1501−1503.
- Chand N., Becker Е.Е., van der Ziel J.P., Chu N.G., Dutta N.K. Exelent uniformity and very low (<50 A/cm) threshold current density strained InGaAs quantum well diode lasers on GaAs substrate // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. № 16. P. 1704−1706.
- Алферов Ж.И., Васильев А. И., Иванов C.B., Копьев П. С., Леденцов Н. Н., Луценко М. Э., Мельцер Б. Я., Устинов В. М. // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. С. 1803.
- Welch D.F., Chan В., Streifer W., Scifres P.R. High-power, 8 W CW, single-quantum-well laser diode array // Electron. Lett. 1988. V. 24. № 2. P. 113−115.
- Takeshita Т., Okayasu M., Uehara S. High-Output Power and Fundamental Transverse Mode InGaAs/GaAs Strained-Layer Laser with Ridge Waveguide Structure // Jpn. J. Appl. Phys. 1991. V. 30. № 6. P. 1220.
- Hayakawa Т., Matsmoto K., Morishima M. et al. High power AlGaAs quantum well laser diodes prepared by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 63. № 13. P. 1718.
- Yoo J.S., Lee S.H., Park G.T., et al. Peculiarities of catastrophic optical damage in single quantum well InGaAsP/InGaP buried-heterostructure lasers// Jpn. J. Appl. Phys. 1994. V. 75. № 3. P. 1840.
- Garbuzov D.Z., Abeles J.H., Morris N.A., Gardner P.D., Triano A.R., Harvey M.G., Gilbert D.B., Connoly J.C. High power separate confinement heterostructure
- AlGaAs/GaAs laser diodes with broadened waveguide // Proc. of SPIE. V. 2682. P. 20−26.
- Mawst L.J., Bhattachaiya A., Lopez J., Botez D., Garbuzov D.Z., Demarko L., Connoly I.C., Jansen M., Fang F., Nabiev R.F. 8W front-facet power from broad-waveguide Al-free 980 nm diode lasers // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69. № 11. P. 1532−1534.
- Sakamoto M., Welch D.F., Yao H., Endriz J.G., Scifres D.R. High power, high brightness 2 W (200 цт) and 3 W (500 цгп) CW AlGaAs laser diode arrays with long lifetimes //Electron. Lett. 1990. V. 26. P. 729−730.
- Choi H.K., Wang C.A., Kolesar D.F., Aggarwal R.L., Walpole J.N. High-power, high-temperature operation of AlInGaAs-AlGaAs strained quantum well // IEEE Photon. Technol. Lett. 1991. V. 3. P. 857−859.
- Emanuel M.A., Carlson N.W., Skidmore J.A. High-Efficiency AlGaAs-Based Laser Diode at 808 nm with Large Transverse Spot Size // IEEE Photonics Technol. Lett. 1996. V. 8. № 10. P. 1291−1293.
- Waters R.G., Hill D.S., Yellen S.L. Efficiency enhancement in quantum well lasers via tailored doping profiles // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. № 24. P. 20 172 018.
- Liu D.C., Lee C.P., Tsai C.M., Lei T.F., Tsang J.S., Chiang W.H., Tu Y.K. Role of cladding layer thicknesses on strained-layer InGaAs/GaAs single and multiple quantum well lasers // J. Appl. Phys. 1993. V. 73. № 12. P. 8027−8034.
- Dutta N.K., Lopata J., Berger P.R., Sivco D.L., Cho A.Y. Performance characteristics of GalnAs/GaAs large optical cavity quantum well lasers // Electron. Lett. 1991. V. 27. № 8. P. 680−682.
- Veridiell J.M., Ziari M., Welch D.F. Low-loss coupling of 980 nm GaAs laser to cleaved singlemode fibre//Electron. Lett. 1996. V. 32. № 19. P. 1817−1818.
- Jeon H., Verdiell J-M. Ziari M., Mathur A. High-power low-divergence semiconductor lasers for GaAs-based 980-nm and InP-based 1550-nm applications // IEEE J. Selected Topics in Quantum Electronics. 1997. V. 3. № 6. P. 1344−1350.
- Авруцкий И.А., Дианов E.M., Звонков Б. Н., Звонков Н. Б., Малкина И. Г., Максимов Г. А., Ускова Е. А. Полупроводниковые лазеры на длину волны 980 нм с туннельно-связанными волноводами // Квантовая электроника. 1997. Т. 24. № 2. С. 123−126.
- Chen Y.K., Wu М.С., Hobson W.S., Chin M.A., Choquette K.D., Freund R.S., Sergent A.M. High-temperature operation of periodic index separate confinement heterostructure quantum well laser // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. № 22. P. 27 842 786.
- Temmyo J., Sugo M. Design of high power strained InGaAs/AlGaAs quantum-well lasers with a vertical divergency angle of 18° // Electron. Lett. 1995. V. 31. № 8. P. 642−644.
- Dion M., Li Z.M., Ross D., Chatenoud F., Williams R.L., Dick S. A study of the temperature sensitivity of GaAs-(Al, Ga) As multiple quantum-well GRINSCH lasers // IEEE J. Selected Topics of Quantum Electronics. 1995. V. 1. № 2. P. 230−233.
- Waters R.G. Diode laser degradation mechanisms: a review // Prog. Quant. Electr. 1991. V. 15. P. 153−173.
- Wang C.A., Groves S.H. New materials for diode laser pumping of solid-state lasers // IEEE. J. Quantum Electronics. 1992. V. 28. № 4. P. 942−951.
- Fisher S.E., Waters R.G., Fekete D., Ballantyne J.M., Chen Y.C., Soltz B.A. Long-lived InGaAs quantum well lasers // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. P. 18 611 862.
- Bour D.P., Gilbert D.B., Fabian K.B., Bednarz J.P., Ettenberg M. Low degradation rate in strained InGaAs/AlGaAs single quantum well lasers // IEEE Photon. Technol. Lett. 1990. V. 2. P. 173−174.
- Yellen S.L., Waters R.G., Chen Y.C., Soltz B.A., Fischer S.E., Fekete D., Ballantyne G.M. 20,000 h InGaAs quantum well lasers // Electron. Lett. 1990. V. 26. P. 2083−2084.
- Waters R.G., Dalby R.J., Baumann J.A., De Sanctis J.L., Shepard A.H. Dark-line-resistant diode laser at 0.8 |im comprising InAlGaAs strained quantum well // IEEE Photon. Technol. Lett. 1991. V. 3. № 5. P. 409−411.
- Голикова Е.Г., Дураев В. П., Козиков C.A., Кригель В. Г., Лабутин О. А., Швейкин В. И. Лазеры на основе InGaAsP/InP с квантово-размерными слоями // Квантовая электроника. 1995. Т. 22. № 2. С. 105−107.
- Fang R.Y., Bertone D., Meliga M., Montrosset I., Oliveti G., Paoletti R. Low-cost 1.55-цт InGaAsP-InP spot size converted (SSC) laser with conventional active layers // IEEE Photonics Technol. Lett. 1997. V. 9. № 8. P. 1084−1086.
- Borchert В., Gessner R., Stegmuller B. Advanced 1.55 цт quantum-well GalnAlAs laser diodes with enhanced performance // Jpn. J. Appl. Phys. 1994. V. 33. № 2. P. 1034−1039.
- Kito M., Otsuka N., Ishino M., Matsui Y. Barrier composition dependence of differential gain and external differential quantum efficiency in 1.3-цт strained-layer multiquantum-well lasers // IEEE J. Quantum Electronics. 1996. V. 32. № 1. P. 3842.
- Matsui Y., Murai H., Arahira S., Kutsuzawa S., Ogawa Y. 30-GHz bandwidth 1.55-цт strain-compensated InGaAlAs-InGaAsP MQW laser // IEEE Photonics Technol. Lett. 1997. V. 9. № 1. P. 25−27.
- Mathur A., Dapkus P.D. Fabrication. Characterization and analysis of low threshold current density 1.55-)im-strained quantum-well lasers // IEEE J. Quantum Electron. 1996. V. 32. № 2. P. 222−226.
- Belenky G.L., Donetsky D.V., Reynolds C.L., Kazarinov R.F., Stengel G.E., Luryi S., Lopata J. Temperature performance of 1.3-jim InGaAsP-InP lasers with different profile of p-doping // IEEE Photonics Technol. Lett. 1997. V. 9. № 12. P. 1558−1560.
- Kasukawa A., et al. 1.3цт InAsyPi. y-InP Strained-Layer Quantum-Well Lasers Diodes Crown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition // IEEE J. Quantum Electron. 1993. V. 29. № 6. P. 1528−1534.
- Park S.H. High-temperature Characteristics of Strained InGaAs/InGaAlAs Quantum Well Lasers //Jpn. J. Appl. Phys. 1997. V. 36. P. 3528−3530.
- Kazarinov R.F., Belenky G.L. Novel design of AlGalnAs-InP laser operating at 1.3 pm // IEEE J. Quantum Electron. 1995. V. 31. № 3. P. 423−425.
- Stegmuller В., Borchert В., Gessner R. 1.57 jim strained-layer quantum-well Gain AlAs ridge-waveguide laser diodes with high temperature (130°C) andultrahigh-speed (17 GHz) performance // IEEE Photon. Technol. Lett. 1993. V. 5. № 6. P. 597.
- С. E. Zah, et al. High temperature operation of AlGalnAs/InP lasers // Proc. of 7th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials. Sapporo, Japan. 1995, May 9−13. P.14−17.
- T.R. Chen, et al. Low-threshold and high temperature operation of InGaAlAs-InP lasers // IEEE Photon. Technol. Lett. 1997. V. 9. P. 17−18.
- Bi W.G. et al. Improved High-Temperature Performance of 1.3−1.5-pm InNAsP-InGaAsP Quantum-Well Microdisk Lasers // IEEE Photonics Technol. Lett. 1997. V. 9. № 8. P. 1072−1074.
- Kondow M., Uomi K., Niwa A., Kitatani Т., Watahiki S., Yazawa Y. GalnNAs: A novel material for long-wavelength-range laser diodes with excellent high-temperature performance // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. V. 35. № 2B. P. 1273−1275.
- Kondow M., Nakatsuka S., Kitatani Т., Yazawa Y., Okai M. Room-temperature pulsed operation of GalnNAs laser diodes with excellent high-temperature performance//Jpn. J. Appl. Phys. 1996. V. 35. № 11. P. 5711−5713.
- Андреев B.M., Долгинов Jl.M., Третьяков Д. Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Советское радио, 1975. 328 с.
- Уфимцев В. Б., Акчурин P. X. Физико-химические основы жидко-фазной эпитаксии. М.: Металлургия, 1983. 222 с.
- Кузнецов В.В., Москвин П. П. Сорокин B.C. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия. 1991,176 с.
- Алферов Ж.И., Гарбузов Д. З., Арсентьев И. Н., Бер Б.Я., Вавилова Л. С., Красовский В. В., Чудинов А. В. // Физика и техника полупроводников. 1985. Т. 19. С. 1108.
- Алферов Ж.И., Андреев В. М., Воднев А. А., Конников С. Г., Ларионов В. Р., Погребицкий К. Ю., Румянцев В. Д., Хвостиков В. П. // Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. С. 1089.
- Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры / под ред. Ченга J1. и Плога К. М.: Мир, 1989. 580 с.
- Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки. М.: Мир, 1989. 240 с.
- Денисов А.Г., Кузнецов Н. А., Макаренко В. А. Оборудование для молекулярно-лучевой эпитаксии. // Обзоры по ЭТ, серия 7 «Технология, организация производства и оборудование». 1981. Вып. 17 (828). 52 с.
- Ludowise M.J. Metalorganic chemical vapor deposition of III-V semiconductors //J. Appl. Phys. 1985. V. 58. № 8. P. R31-R55.
- Razeghi M. The MOCVD chalange. Adam Hilger.: Bristol, 1989.
- Stringfellow G.B. Organometallic vapor-phase epitaxy: theory and practice. 2nd ed. Academic Press. San Diego. 1999. 572 p. (1st ed. 1989.)
- Behet M., Hovel R., Kohl A., Mesquida Kusters A., Opitz В., Heime K. MOVPE growth of III-V compounds for optoelectronic and electronic applications // Microelectronics Journal. 1996. V. 27. P. 297−334.
- Bugge F., Erbert G., Procop M., Rechenberg I., Zeimer U., Weyers M. Effect of growth temperature on performance of AlGaAs/InGaAs/GaAs QW laser diodes // J. Electron. Materials. 1996. V. 25. № 2. P. 309−312.
- Wang C.A., Walpole J.N., Choi H.K., Missaggia L.J. AlInGaAs-AlGaAs strained single-quantum-well diode lasers // IEEE Photon. Technol. Lett. 1991. V. 3. № 1. P. 4−5.
- Chelny A.A., Zalevsky I.D., Bulaev P.V., Kobyakova M.Sh. High power laser diodes at 1.06 im grown by MOCVD // Proc. of SPIE. V. 2683. P. 146−152.
- Zalevsky I.D., Bulaev P.V., Padalitza A.A., Gorbylev V.A. High reliable 808 nm laser diodes with alGalnAs strained quantum well grown by MOCVD // Proc. of SPIE. V. 2886. P. 50−58.
- Hirata S., Narui H., Kumagai O. 780 nm AlGaAs DFB lasers fabricated by MOCVD // Electron. Lett. 1988. V. 24. № 4. P. 239.
- Chand N., Chu S.N.G., Geva M. Effects of substrate misorientation on incorporation, of ambient oxygen and interfacial roughness in AlGaAs/GaAs heterostructures grown by MBE // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. P. 2167−2169.
- Chand N., Jordan A.S., Chu S.N.G., Geva M. Residual oxygen levels in AlGaAs/GaAs QW laser structures: Effects of Si and Be doping and substrate misorientation //Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. P. 3270−3272.
- Mihashi Y., Miyashita M., Kaneno N., Tsugami M., Fujii N., Takamiya S., Mitsui S. Influence of oxygen on the threshold current of AlGaAs multiple quantum well lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition // J. C. G. 1994. V. 141. P. 22−28.
- Kuech T.F., Potemski R., Cardone F., Scilla G. // J. Electron. Materials. 1992. V. 21. № 3. P. 341−344.
- Kuphal E., Burkhard H., Pocker A. Composition analysis and distributed feedback lasers of strained InGaAsP quantum wells with constant As/P ratio // Jpn. J. Appl. Phys. 1995. V. 34. № 7A. P. 3486−3490.
- Glew R.W., Greene P.D., Henshall G.D., Lowney C., Stagg J.P., Whiteaway J.E.A., Garret В., Norman A.G. Growth and assessment of InGaAs/AnGaAlAs/InP multiple quantum well lasers // J. Cryst. Growth. 1991. V. 107. P. 784−789.
- Alphonse G.A., Gilbert D.B., Harvey M.G., Ettenberg M. High-power superluminescent diodes // IEEE J. Quantum Electron. 1988. V. 24. № 12. P. 2454.
- Safin S.A., Semenov A.T., Shidlovsky V.R., Zhukov N.R., Kurnyavko Yu.V. High-power 0.82 jim superluminescent diodes with extremely low Fabry-Perot modulation depth// Electron. Lett. 1992. V. 28. № 2. P. 127.
- Olsson N.A., Oberg M.G., Tzeng L.D., Cella T. Ultra-low reflectivity 1.5 jim semiconductor laser preamplifier// Electron. Lett. 1988. V. 24. № 9. P. 569.
- Chang J.T.K., Vukusic J.I. Active mode locking of InGaAsP Brewster angled semiconductor lasers // IEEE J. Quantum Electron. 1987. V. 23. № 8. P. 1329.
- Lin C.F. Superluminescent diodes with angled facet etched by chemically assisted ion beam etching // Electron. Lett. 1991. V. 27. № 11. P. 968.
- Burns W.K., Chen C.L., Moeller R.P. Fiber optic gyroscopics with broad-band sources // J. Lightwave Technol. 1983. V. LT-1. P. 98−105.
- Huang D. Optical coherence tomography// Science. 1991. V. 253. P. 1178−1181.
- Semenov A.T., Shidlovski V.R., Safin S.A. Wide spectrum single quantum well superluminescent diodes at 0.8 im with bent optical waveguide // Electron. Lett. 1993. V. 29. № 10. P. 854.
- Semenov A.T., Batovrin V.K., Garmash I.A., Shidlovski V.R., Shramenko M.V., Yakubovich S.D. (GaAl)As SQW superluminescent diodes with extremely low coherence length // Electron. Lett. 1995. V. 31. № 4. P. 314.
- Chen T.R., Eng L., Zhuang E.H., Yariv A., Kwong N.S., Chen P.C. Quantum well superluminescent diode with very wide emission spectrum // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. № 14. P. 1345−1346.
- Mikami O., Yasaka H., Noguchi Y. Broader spectral width InGaAsP stacked active layer superluminescent diode // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. № 11. P. 987 989.
- Lin C.F., Lee B.L., Lin P.C. // IEEE Photonics Technol. Lett. 1996. V. 8. P. 1456.
- Lin C.F., Lee B.L. Extremely broadband AlGaAs/GaAs superluminescent diodes // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. № 12. P. 1598−1600.
- Ерофейчев В.Г., Мирошников M.M. Перспективы использования ИК матриц в тепловидении // Оптич. Журнал. 1997. Т. 64. № 2. С. 5−13.
- Levine B.F. Quantum-well infrared photodetectors// J. Appl. Phys. 1993. V. 74. № 8. P. R1-R81.
- Фотоприемники видимого и ИК диапазонов / Р.Дж. Киес, П. В. Крузе, Э. Г. Патли и др.- Под ред. Р.Дж. Киеса: Пер. с англ. М.: Радио и связь, 1985. — 328 с.
- Бовина JI.A., Стафеев В.И Узкозонные твердые растворы (CdHg)Te // в кн. «Физика соединений AnBVI «под ред. А. Н Георгобиани и М. К. Шейнкмана, М.: Наука, 1986.-С. 56.
- Rogalski A., Jozwikowski К. GaAs/AlGaAs quantum well infrared photoconductors versus HgCdTe photodiodes for long-wavelength infrared applications // Optical Engineering. 1994. V. 33. P. 1477−1484.
- Liu H.C. Recent progress on GaAs quantum well intersubband infrared photodetectors//Optical Engineering. 1994. V. 33. P. 1461−1467.
- Sizov F.F., Rogalski A. Semiconductor superlattices and quantum wells for infrared optoelectronics // Progress in Quantum Electronics. 1993. V. 17. P. 93−164.
- Levine B.F., Choi K.K., Bethea C.G., Walker J., Malik R.J. New 10 pm infrared detector using intersubband absorption in resonant tunneling GaAlAs superlattices // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 50. № 16. P. 1092.
- Gunapala S.D., Levine B.F., Logan R.A., Tanbun-Ek Т., Humphrey D.A. GaAs/GalnP multiquantum well long-wavelength infrared detector using bound-to-continuum state absorption // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. № 17. P. 1802.
- Zhou X., Bhattacharya P.K., Hugo G., Hong S.C., Gulari E. Intersubband absorption in strained InxGaixAs/Al0.4Ga0.6As (0
- Shakuda Y., Katahama H. Intersubband Absorption in Ino.15Gao.85As/Alo.35Gao.65As Multiple Quantum Wells // Jpn. J. Appl. Phys. 1990. V. 29. P. L552.
- Gunapala S.D., Levine B.F., Ritter D., Hamm R.A., Panish M.B. InGaAs/InP long wavelength quantum well infrared photodetectors // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. № 18. P. 2024.
- Andersson J.Y., Lundvist L., Paska Z.F., Streubel K., Wallin J. // Proc. of SPIE.1992. V. 1762. P. 216.
- Gunapala S.D., Levine B.F., Ritter D., Hamm R.A., Panish M.B. Lattice-matched InGaAsP/InP long-wavelength quantum well infrared photodetectors // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60. № 5. P. 636.
- Hoff J., Kim S., Erdtmann M., Williams R., Piotrowski J., Bigan E., Razeghi M. Background limited performance in p-doped GaAs/Gao.7iIn0.29As0.39P0.6i quantum well infrared photodetectors // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. № 1. P. 22.
- Levine B.F., Cho A.Y., Walker J., Malik R.J., Kleinman, D.A., Sivco D.L. InGaAs/InAlAs multiquantum well intersubband absorption at a wavelength of ^=4.4 jim // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. № 18. P. 1481.
- Hasnain G., Levine B.F., Sivco D.L., Cho A.Y. Mid-infrared detectors in the 3−5 jim band using bound to continuum state absorption in InGaAs/InAlAs multiquantum well structures // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. № 8. P. 770.
- Levine B.F., Gunapala S.D., Kuo J.M., Pei S.S., Hui S. Normal incidence hole intersubband absorption long wavelength GaAs/AlxGa!xAs quantum well infrared photodetectors //Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. № 15. P. 1864.
- Gunapala S.D., Levine B.F., Ritter D., Hamm R., Panish M.B. InGaAs/InP hole intersubband normal incidence quantum well infrared photodetector // J. Appl. Phys. 1992. V.71.P. 2458.
- Xie H., Katz J., Wang W.I., Chang Y.C. Normal incidence infrared photoabsorption in p-type GaSb/GaxAl!xSb quantum wells // Jpn. J. Appl. Phys. 1992. V 71. № 6. P. 2844.
- Wang Y.H., Sheng S., Chu J., Ho P. Ultralow dark current p-type strained-layer InGaAs/InAlAs quantum well infrared photodetector with background limited performance for T<100 K// Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. № 6. P. 727.
- Levine B.F., Hasnain G., Bethea C.G., Chand N. Broadband 8−12 im high-sensitivity GaAs quantum well infrared photodetector // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. № 26. P. 2704.
- Choi K.K., Levine B.F., Bethea C.G., Walker J., Malik R.J. Photoexcited Coherent Tunneling in a Double-Barrier Superlattice // Phys. Rev. Lett. 1987. V. 59. № 21−23. P. 2459.
- Levine B.F., Bethea C.G., Choi K.K., Walker J., Malik R.J. Bound-to-extended state absorption GaAs superlattice transport infrared detectors // Jpn. J. Appl. Phys. 1987. V. 64. № 3. P. 1591.
- Levine B.F., Bethea C.G., Hasnain G., Shen V.O., Pelve E., Abbott R.R., Hsieh S.J. High sensitivity low dark current 10 цт GaAs quantum well infrared photodetectors // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. № 9. P. 851.
- Andersson J.Y., Lundqvist L. Near-unity quantum efficiency of AlGaAs/GaAs quantum well infrared detectors using a waveguide with a doubly periodic grating coupler//Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. № 7. P. 857.
- Andrews S.R., Miller B.A. Experimental and theoretical studies of the performance of quantum-well infrared photodetectors// Jpn. J. Appl. Phys. 1991. V. 70. № 2. P. 993.
- Steele A.G., Liu H.C., Buchanan M., Wasilewski Z.R. Importance of the upper state position in the performance of quantum well intersubband infrared detectors // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. № 27. P. 3625.
- Wu C.S., Wen C.P., Sato R.N., Ни M., Tu C.W., Zhang J., Flesner L.D., Pham L., Nayer P. S. Novel GaAs/AIGaAs multiquantum-well Schottky-junction device and its photovoltaic LWIR detection // IEEE Trans. Electron Devices. 1992. V. 39. № 2. P. 234.
- Kiledjian M.S., Schulman J.N., Wang K.L. Absorption in GaAs/Gai.xAlxAs quantum wells with resonant barriers for improved responsivity // Phys. Rev. B. 1991. V. 44. № 11−15. P. 5616.
- Liu H.C. Dependence of absorption spectrum and responsivity on the upper state position in quantum well intersubband photodetectors// Jpn. J. Appl. Phys. 1993. V. 73. № 6. P. 3062.
- Levine B.F., Zussman A., Kuo J.M., de Jong J. 19 цт cutoff long-wavelength GaAs/AlxGaixAs quantum-well infrared photodetectors // Jpn. J. Appl. Phys. 1992. V. 71. № 10. P. 5130.
- Bandara S.V., Gunapala S.D., Liu J.K., Luong E.M., Mumolo J.M., Hong W., Sengupta D.K., McKelvey M.J. 10−16 jim Broadband quantum well infrared photodetector// Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. № 19. P. 2427.
- Ritter D. et al. Metalorganic molecular beam epitaxial growth of InP/GalnAs multiquantum wells for infrared photodetection // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. № 5. P. 552.
- Mii Y.J. et al. Large Stark shifts of the local to global state intersubband transitions in step quantum wells // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. № 20. P. 1986.
- Martinet E., Luc F., Rosensher E., Bois Ph., Delaitre S. Electrical tunability of infrared detectors using compositionally asymmetric GaAs/AlGaAs multiquantum wells // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60. № 7. P. 895.
- Fraenkel A., Brandel A., Bahir G., Finkman E., Livescu G., Asom M.T. Bias dependence of responsivity and transport in asymmetric quantum well infrared detectors // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 61. № 11. P. 1341.
- Goossen K.W. et al. Photovoltaic quantum well infrared detector // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. № 20. P. 1701.
- Levine B.F., Bethea C.G., Shen V.O., Malik R.J. Tunable long-wavelength detectors using graded barrier quantum wells grown by electron beam source molecular beam epitaxy//Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. № 4. P. 383.
- Buyngsug O.J. et al. Long-wavelength infrared detection in a Kastalsky-type superlattice structure //Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. № 5. P. 503.
- Серженко Ф.Л., Шадрин В. Д. // ФТП. 1991. Т. 25. С. 1579.
- Gunapala S.D., Levine B.F., Chand N. Bound to continuum superlattice miniband long wavelength GaAs/AlxGaixAs photoconductors // Jpn. J. Appl. Phys. 1991. V. 70. № 1. P. 305.
- Bandara K.M.S.V., Coon D.D., О В., Lin Y.F., Francombe M.H. Exchange interactions in quantum well subbands // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 53. № 20. P. 1931.
- Kastalsky A.A., Duffield Т., Allen S.J., Harbison J. Photovoltaic detection of infrared light in a GaAs/AlGaAs superlattice // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. № 16. P. 1320.
- Wu C. S, Wen C.P., Sato R. N, Ни M, Tu C. W, Zhang Tu. J, Flesner L. D, Le Pham, Nayer P. S. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1992. V. ED-39. № 6. P. 1320.
- Yu L. S, Li S.S. A metal grating coupled bound-to-miniband transition GaAs multiquantum well/superlattice infrared detector // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. № 11. P. 1332.
- Yu L. S, Wang Y. H, Li S. S, Ho P. Low dark current step-bound-to-miniband transition InGaAs/GaAs/AlGaAs multiquantum-well infrared detector // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60. № 8. P. 992.
- Borenstain S. J, Grave I, Larsson A, Rich D. H, Jonsson B, Andersson I. // Long-wavelength infrared spectroscopy of an asymmetrically structured Gao.6Alo.4As/GaAs superlattice // Phys. Rev. B. 1991. V. 43. № 11−15. P. 9320.
- Gunapala S. D, Bandara S. V, Singh A, Liu J. K, Luong E. M, Mumolo J. M, McKelvey M.J. // Proc. of SPIE. 1998. V. 3379. P. 225.
- Kheng K, Ramsteiner J. M. E, Schheider H. Two-color GaAs/(AlGa)As quantum well infrared detector with voltage-tunable spectral sensitivity at 3−5 and 812 jim// Appl. Phys. Lett. 1992. V. 61. № 6. P. 666.
- Gunapala S. D, Bandara S. V, Liu J. K, Hong W., Sundaram M, Maker P.D. Muller R. E, Shott C. A, Carralejo R. Long-wavelength 640×486 GaAs-AlGaAsquantum well infrared photodetector snap-shot camera // IEEE Trans. Electron Devices. 1998. V. 45. № 9. P. 1890.
- Tidrow M.Z., Chiang J.C., Li Sheng S., Bacher K. A two-stack two-color high strain quantum well infrared photodetector // Proc. of SPIE. 1997. V. 3061. P. 772 780.
- Bois Ph., Costand E., Dubuz J.Y., Nagle J. Technology of Multiquantum Well Infrared Detectors // Proc. of SPIE. 1997. V. 3061. P. 764−771.
- Avetisjan G.H., Kulikov V.B., Kotov V.P., Erkin A.K., Zalevsky I.D. Quantum Well Infrared Photodetectors array on a basis of GaAs/AlGaAs MQW grown by MOCVD // Proc. of SPIE. 1995. V. 2790. P. 30−37.
- B.F. Levine, C.G. Bethea, K.G. Glogovsky et al. Long-wavelength 128×128 quantum well infrared photodetector arrays// Semicond. Sci. Techn. 1991. V. 6. P. 114.
- Chen C.J., Choi K.K., Chang W.H., Tsui D.C. Corrugated Quantum Well Infrared Photodetectors // Proc. of SPIE. 1997. V. 3061. P. 728−739.
- Andersson J.Y., Alverbo J., Borglind J., Helander P., Martijin H., Ostland M. 320×240 Pixels Quantum Well Infrared Photodetector (QWIP) Array for Thermal Imaging: Fabrication and Evaluation // Proc. of SPIE. 1997. V. 3061. P. -740−748.
- Behet M., Hovel R., Kohl A., Mesquida Kusters A., Opitz В., Heime K. MOVPE growth of III-V compounds for optoelectronic and electronic applications // Microelectronics Journal. 1996. V. 27. P. 297−334.
- Kock A., Gornik E., Absreiur G., Bohm G., Walther M., Weimann G. Double wavelength selective GaAs/AlGaAs infrared detector device // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60. № 16. P. 2011.
- Li W.J., McCombe B.D. Coupling efficiency of metallic gratings for excitation of intersubband transitions in quantum-well structures // Jpn. J. Appl. Phys. 1992. V. 71. № 2. P. 1038.
- Hobson W.S., Zussman A., Levine B.F., de Jong J., Geva M., Luther L.S. Carbon-doped long wavelength GaAs/AlxGaixAs quantum well infrared photodetectors grown by organometallic vapor phase epitaxy // J. Appl. Phys. 1992. V. 71. № 7. P. 3642−3644.
- Pham L., Jiang X.S., Yu P.K.L. High-responsivity intersubband infrared photodetector using InGaAsP/InP superlattice // IEEE Electron Device Lett. 1993. V. 14. № 2. P. 74.
- Аветисян Г. Х., Залевский И. Д., Кузнецов Ю. А., Куликов В. Б. Фотоприемники на основе сверхрешеток // Электронная промышленность. 1993. № 6−7. С. 69−70.
- Tsai K.L., Lee C.P., Chang K.H., Chen H.R., Tsang J.S. Influence of oxygen on the performance of GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetectors // J. Appl. Phys. 1994. V. 76. № 1. P. 274−277.
- Hardtdegen H., Hollfelder M., Ungermanns Ch., Wirtz 1С., Carius R., Guggi D., Luth H. // Inst. Phys. Conf. Ser. 1993. V. 136. P. 625.
- Allenson M.B., King P.G.R., Rowland M.C., Steward G.J., Symc C.H.A. An improved GaAs transmission photocathode // J. Phys. D. 1972. V. 5. № 10. P. L89-L92.
- Guttierrez W.A., Wilson H.L., Yee E.M. GaAs transmission photocathode grown by hybrid epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1974. V. 25. № 9. P. 482−483.
- Antypas G.A., Edgecumbe J. Glass-sealed GaAs-AlGaAs transmission photocathode // Appl. Phys. Lett. 1975. V. 26. № 7. P. 371−372.
- James L.W., Antypas G.A., Edgecumbe J., Moon R.L., Bell R.L. Dependence on Crystalline Face of the Band Bending in Cs2 O-Activated GaAs // Jpn. J. Appl. Phys. 1971. V. 42. № 12. P. 4976.
- Olsen G.H., Szostak D.J., Zamerowski T.J., Ettenberg M. High-performance GaAs photocathodes //J. Appl. Phys. 1977. V. 48. № 3. P. 1007−1008.
- Антонова Л.И., Бирюлин Ю. Ф., Вуль А. Я., Денисов В. П., Забелина Л. Г., Ичкитзе P.P., Климин А. И., Козлов С. Е., Шмарцев Ю. В. Арсенид-галлиевый фотокатод с интегральной чувствительностью 3200 мкА/лм // Письма в ЖТФ. 1985. Т. 11. № 10. С. 602−605.
- Bell R.L., Uebbing J.J. Photoemission from InP-Cs-0 // Appl. Phys. Lett. 1968. V. 12. № 3. P. 76.
- Simon R.E., Sommer A.H., Tietjen J.J., Williams B.F. GaAsixPx as a new high quantum yield photoemissive material for the visible spectrum // Appl. Phys. Lett. 1969. V. 15. № 2. P. 43.
- James L.W., Uebbing J.J., Yep Т.О., Bell R.L. Optimization of the InAsxPjx-Cs20 Photocathode // Jpn. J. Appl. Phys. 1971. V. 42. № 2. P. 580.
- Shade H., Nelson H., Kressel H. Efficient photoemission from Ge-doped GaAs grown by liquid-phase epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1971. V. 18. № 4. P. 121.
- Liu Y.Z., Hollish C.D., Stein W.W., Bolger D.E., Greene P.D. LPE GaAs/(Al, Ga) As/GaAs transmission photocathodes and a simplified formula for transmission quantum yield // J. Appl. Phys. 1973. V. 44. № 12. P. 5619−5621.
- James L.W., Antypas G.A., Moon R.L., Edgecumbe J., Bell R.L. Photoemission from cesium-oxide-activated InGaAsP // Appl. Phys. Lett. 1973. V. 22. № 6. P. 270.
- Esher J.S., Antypas G.A., Edgecumbe J. High-quantum-efficiency photoemission from an InGaAsP photocathode // Appl. Phys. Lett. 1976. V. 29. № 3. P. 153−155.
- Fisher D.C., Enstrom R.E., Williams B.F. Photoelectron surface escape probability of (Ga, In) As: Cs0 in the 0.9 to 1.6 im range// Jpn. J. Appl. Phys. 1972. V. 43. № 9. P. 3815.
- Fisher D.G., Enstrom R.E., Escher J.S., Williams B.F. // J. Appl. Phys. 1972. V. 43. P. 3815.
- Петров H.H. Эмиттеры с отрицательным сродством к электрону. (Обзор) // Журнал технической физики. 1971. Т. 41. № 12. С. 2473−2491.
- Соболева Н.А. Новый класс электронных эмиттеров // Успехи физических наук. 1973. Т. 111. № 2. С. 331−353.
- Spicer W.E. Negative affinity III-V photocathode: their physics and technology // J. Appl. Phys. 1977. V. 12. № 2. P. 115−123.
- Белл P.JI. Эмиттеры с отрицательным электронным сродством.: Пер. с англ. -М.: Энергия, 1978.- 192 с.
- Цвиккер Г. Р. Фотоэмиссионные приемники излучения / в кн. Фотоприемники видимого и ИК диапазонов / Р.Дж. Киес, П. В. Крузе, Э. Г. Патли и др.- под. ред Р. Дж. Киеса: пер. с англ. М.: Радио и связь, 1985. -328с.
- Spicer W.E. Photoemissive, Photoconductive, and Optical Absorption Studies of Alkali-Antimony Compounds // Phys.Rev. 1958. V. 112. № 1−1. P. 114.
- James L.W. Calculation of the minority-carrier confinement properties of III-V semiconductor heterojunctions (applied to transmission-mode photocathodes) // J. Appl. Phys. 1974. V. 45. № 3. P. 1326−1335.
- Astles M.G., Smith F.G.H., Williams E.W. // J. Electrochem. Soc. 1973. V. 120. P. 1750.
- Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М.: Наука. Гл. ред. физ.-матем. лит-ры, 1977. — 672 с.
- Fisher D.G., Enstrom R.E., Escher J.S., Gossenberger H.F., Appert J.R. Photoemission charactristics of transmission-mode negative electron affinity GaAsand (In, Ga) As vapor-grown structures // IEEE Trans. Electron Devices. 1974. P. 641 649.
- Enstrom R., Fisher D. The effect of lattice parameter mismatch in NEA GaAs photocathodes grown on GaP/InGaP substrates // J. Appl. Phys. 1975. V. 46. № 5. P. 1976−1982.
- Fisher D.G., Martinelli R.U./ in «Advances in Image Pickup and Display». V. 1. New York.: Academic Press, 1974. P. 71.
- Мильвидский М.Г., Освенский В. Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. -М.: Металлургия, 1984. 159 с.
- Estrera J., Sinor Т., Passmore К., Rector М. Development of extended red (1.01.3 цт) image intensifiers//Proc. of SPIE. 1994. V. 2551. P. 135−144.
- Antypas G.A., Escher J.S., Edgecumbe J., Enck R.S. Broadband GaAs transmission photocatode // J. Appl. Phys. 1978. V. 49. № 7. P. 4301.
- Costello K.A., Aebi V.W., MacMillan H.F. Imaging GaAs Vacuum Photodiode with 40% Quantum Efficiency at 530 nm //Proc. of SPIE. 1992. V. 1665. P. 163−171.
- Sinor T.W., Estrera J.P., Phillips D.L., Rector M.K. Extended blue GaAs image intensifiers//Proc. of SPIE. 1995. V. 2551. P. 130−134.
- Edgecumbe J.P., Aebi V.W., Davis G.A. A GaAsP photocathode with 40% QE at 550 nm // Proc. of SPIE. 1992. V. 1655. P. 204−210.
- Oirschot T.G.J. Liquid-phase epitaxial growth of (AlGa)As on polished and roughened GaP substrates for transmission photocathodes // Appl. Phys. Lett. 1974. V. 24. № 5. P. 211−213.
- Забелина Л.Г., Петров A.C., Поляков А. Я., Саксеев Д. А., Шульбах В. А. Поверхностные свойства гетероструктур GaAs-In(x)Ga (l-x)As для ОЭС фотокатода // Электронная техника. Сер. 4. 1987. № 8. (4)257. С. 8.
- Allenson М., Bass S.K. GaAs reflection photocathodes growth by metal akkyl vapor phase epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1976. V. 28. № 3. P. 113−115.
- Boldish S. Production considerations necessary to produce large quantities of optoelectronics devices by MOCVD epitaxy // Proc. of SPIE. 1991.
- Narayanan A.A., Fisher D.G., Erickson L.P., O’CIock G.D. Negative electron affinity gallium arsenide photocathode grown by molecular beam epitaxy // J. Appl. Phys. 1984. V. 56. № 6. P. 1886−1887.
- Залевский И.Д., Горбылев B.A. Камера для осаждения слоев методом МОС-гидридной эпитаксии // заявка № 95 112 214/20(21 298), приоритет от 18.07.95, положительное решение на полезную модель.
- Залевский И.Д., Кириленко Н. И., Коваленко М. В. Подложкодержатель // заявка № 95 112 266/25(21 312), приоритет от 18.07.1995 г., положительное решение на изобретение.
- Manasevit Н.М., Simpson V.I. //J. Electrochem. Soc. 1968. V. 116. P. 1968.
- Dapkus P.D., Manasevit H.M., Hess K.L. High purity GaAs prepared from trimethylgallium and arsine//J. Cryst. Growth. 1981. V. 55. № 1. P. 10.
- Kuo C.P., Cohen R.M., Stringfellow G.B. OMVPE growth of GalnAs// J. Cryst. Growth. 1983. V. 64. № 3. P. 461.
- Krautle H., Roehle H., Escobosa A., Beneking H. // J. Electron. Mater. 1983. V. 12. P. 215.
- Reep D.H., Chandhi S.K. Electrical Properties of Organometallic Chemical Vapor Deposited GaAs Epitaxial Layers // J. Electrochem. Soc. 1984. V. 131. № 11. P. 2697.
- Plass C., Heinecke H., Kayser O., Luth H., Bulk P. A comparative study of Ga (CH3)3, Ga (C2H5)3 and Ga (C4H9)3 in the low pressure MOCVD of GaAs // J. Cryst. Growth. 1988. V. 88. P. 455.
- Ghandhi S.K., Field R.J. A re-examination of boundary layer theory for a horizontal CVD reactor//J. Cryst. Growth. 1984. V. 69. № 2−3. P. 619.
- Мармалюк А.А. Получение GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии // Материалы электронной техники. Известия вузов. 2004. № 4. С. 21−24.
- Мармалюк А.А. Закономерности образования трехкомпонентных твердых растворов в условиях МОС-гидридной эпитаксии // Материалы электронной техники. Известия вузов. 2005. № 1. С. 17−23.
- Мармалюк А.А. Получение четырехкомпонентных твердых растворов методом МОС-гидридной эпитаксии // Материалы электронной техники. Известия вузов. 2005. № 2. С. 25 31.
- Крапухин В. В, Соколов И. А, Кузнецов Г. Д. Технология материалов электронной техники. Теория процессов полупроводниковой технологии. 2-е изд. перераб. и доп. — М.: «МИСИС», 1995. — 493 с.
- Stringfellow G. B, Hall Н.Т. VPE growth of AlxGaixAs // J. Cryst. Growth. 1978. V. 43. № 1.Р. 47.
- Seki Y, Tanno K, Iida K, Ichiki E. Properties of Epitaxial GaAs Layers from a Triethyl Gallium and Arsine System // J. Electrochem. Soc. 1975. V. 122. № 8. P. 1108.
- Nakanisi T. The growth and characterization of high quality MOVPE GaAs and GaAlAs//J. Ciyst. Growth. 1984. V. 68. № 1. P. 282.
- Kuech T. F, Veuhoff E, Kuan T. S, Deline V, Potemski R. The influence of growth chemistry on the MOVPE growth of GaAs and AlxGaixAs layers and heterostructures// J. Ciyst. Growth. 1986. V. 77. № 1−3. P. 257.
- Kuech T. F, Veuhoff E. Mechanism of carbon incorporation in MOCVD GaAs // J. Cryst. Growth. 1984. V. 68. № 1. P. 148.
- Yoshida M, Watanabe H, Uesugi F. Mass Spectrometric Study of Ga (CH3)3 and Ga (C2H5) з Decomposition Reaction in H2 and N2// J. Electrochem. Soc. 1985. V. 132. № 3. P. 677.
- Hanna M. C, Lu Z. H, Oh E.G., Mao E, Majerfeld A. Atmospheric pressure organometallic vapor phase epitaxy growth of high-mobility GaAs using trimethylgallium and arsine // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. № 11. P. 1120.
- Shastry S. K, Zemon S, Kenneson D. G, Lambert G. Control of residual impurities in very high purity GaAs grown by organometallic vapor phase epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. № 2. P. 150.
- Razeghi M., Omnes F., Nagle J., Defour M., Archer O., Bove P. High-purity GaAs layers grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 55. № 16. P. 1677.
- Мармалюк A.A. Легирование GaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии //Материалы электронной техники. Известия вузов. 2004. № 3. С. 14 18.
- Hanna М.С., Lu Z.H., Majerfeld A. Very high carbon incorporation in metalorganic vapor phase epitaxy of heavily doped p-type GaAs // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. № 2. P. 164.
- Watanabe N., Ito H. Saturation of hole concentration in carbon-doped GaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition // J. Cryst. Growth. 1997. V. 182. № 1−2. P. 30.
- Bass S.J. Silicon and germanium doping of epitaxial gallium arsenide grown by the trimethylgallium-arsine method // J. Cryst. Growth. 1979. V. 47. № 5−6. P. 613.
- Kuech T.F., VeuhofTE., Meyerson B.S. Silicon doping of GaAs and AlxGaixAs using disilane in metalorganic chemical vapor deposition // J. Cryst. Growth. 1984. V. 68. № 1. P.48.
- Field R.J., Ghandhi S.K. Doping of gallium arsenide in a low pressure organometallic CVD system: I. Silane//J. Cryst. Growth. 1986. V. 74. № 3. P. 543.
- Glew R.W. Zinc Doping of MOCVD GaAs// J. Cryst. Growth. 1984. V. 68. № 1. P. 44.
- Hageman P.R., te Nijenhuis J., Anders M.J., Gilling L.J. Dependence of impurity incorporation upon substrate misorientation during GaAs growth by metalorganic vapour phase epitaxy //J. Cryst. Growth. 1997. V. 170. № 1−4. P. 270.
- Stockman S.A., Hanson A.W., Colomb C.M., Fresina M.T., Baker J.E., Stillman G.F. //J. Electron. Mater. 1994. V. 23. P. 791.
- Kim S., Kim Y., Kim M., Kim Ch.K., Min S., Lee Ch. Carbon doping characteristics of GaAs and Alo.3Gao.7As grown by atmospheric pressure metalorganic chemical vapor deposition using CC14 // J. Cryst. Growth. 1994. V. 141. № 3−4. P. 324.
- Hong K., Pavlidis D. // J. Electron. Mater. 1996. V. 25. P. 449.
- Shastry S.K., Zemon S., Kenneson D.G., Lambert G. Control of residual impurities in very high purity GaAs grown by organometallic vapor phase epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. № 2. P. 150.
- Razeghi M., Omnes F., Nagle J., Defour M., Archer 0., Bove P. High-purity GaAs layers grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 55. № 16. P. 1677.
- Tsai M.J., Tashima M.M., Moon R.L. // J. Electron. Mater. 1984. V. 13. P. 437.
- Lewis C. R, Hamaker H.C., Green R.T. // J. Electron. Mater. 1987. V. 16. P. 365.
- Stringfellow G.B. A critical appraisal of growth mechanisms in MOVPE// J. Cryst. Growth. 1984. V. 68. № 1. P. 111.
- Stringfellow G.B. The role of impurities in III/V semiconductors grown by organometallic vapor phase epitaxy// J. Ciyst. Growth. 1986. V. 75. № 1. P. 91.
- Richter E., Kurpas P., Gutsche D., Weyers M. // J. Electron. Mater. 1995. V. 24. P. 1719.
- Buchan N.I., Kuech T.F., Scilla G., Cardone F. Carbon incorporation in metalorganic vapor phase epitaxy grown GaAs using CHyX4 y, TMG and AsH3// J. Cryst. Growth. 1991. V. 110. № 3. P. 405.
- Kuech T.F., Redwing J. Carbon doping in metalorganic vapor phase epitaxy // J. Cryst Growth. 1994. V. 145. № 1−4. P. 382.
- Begarney M.J., Warddrip M.L., Kappers M.J., Hicks R.F. Kinetics of carbon tetrachloride decomposition during the metalorganic vapor-phase epitaxy of gallium arsenide and indium arsenide // J. Cryst. Growth. 1998. V. 193. № 3. P. 305.
- Gong Y., Mo J., Yu H., Wang L., Xia G. Quantitative study of carbon doping of GaAs grown by metalorganic vapor-phase epitaxy// J. Cryst. Growth. 2000. V. 209. № l.P. 43.
- Shubert E.F. Delta doping of III-V compound semiconductors: Fundamentals and device applications//J. Vac. Sci. Technol. A. 1990. V. 8. № 3. P. 2980−2996.
- Li. G., Jagadish C. Recent progress in d-doping of III-V semiconductors grown by metal organic vapour phase epitaxy // Solid-State Electronics. 1997. V. 41. № 9. P. 1207−1225.
- Батукова JI.M., Батушкина T.C., Дроздов Ю. Н., Звонков Н. Н., Малкина И. Г., Янькова Т. Н. Свойства d-легированных углеродом слоев GaAs, полученных МОС-гидридной эпитаксией // Неорганические материалы. 1993. Т. 29. № 3. С. 309−312.
- Davidson B.R., Hart L., Newman R.C., Joyce T.B., Billough T.J., Button C.C. // J. Mater. Sci.: Matters in Electronics. 1996. V. 7. P. 355.
- Makimoto Т., Kobayashi N. Carbon Atomic Layer Doping in AlGaAs by Metalorganic Chemical Vapor Deposition and Its Application to a P-Type Modulation Doped Structure // Jpn. J. Appl. Phys. 1993. V. 32. № 9B. P. L1300−1303.
- Jagadish C., Li G., Johnston M.B., Gal M. Si and С d-doping of GaAs grown by metal organic vapour phase epitaxy for fabrication of nipi doping superlattices // Materials Sci. and Eng. B. 1998. V. 51. P. 103−105.
- Seki H., Koukitu A. Thermodynamic analysis of metalorganic vapor phase epitaxy of III-V alloy semiconductors // J. Cryst. Growth. 1986. V. 74. № 1. P. 172.
- Tirtowidjojo M., Pollard R. Equilibrium gas phase species for MOCVD of AlxGaixAs //J. Cryst. Growth. 1986. V. 77. № 1−3. P. 200.
- Mizuta M., Iwamoto Т., Moriyama F., Kawata S., Kukimoto H. AlGaAs growth using trimethyl and triethyl compound sources // J. Cryst. Growth. 1984. V. 68. № 1. P. 142.
- Dapkus P.D., Manasevit H.M., Hess K.L. High purity GaAs prepared from trimethylgallium and arsine// J. Cryst. Growth. 1981. V. 55. № 1. P. 10.
- Kuo C.P., Cohen R.M., Stringfellow G.B. OMVPE growth of GalnAs // J. Cryst. Growth. 1983. V. 64. № 3. P. 461.
- Krautle H., Roehle H., Escobosa A., Beneking H. // J. Electron. Mater. 1983. V. 12. P. 215.
- Reep D.H., Chandhi S.K. Electrical Properties of Organometallic Chemical Vapor Deposited GaAs Epitaxial Layers // J. Electrochem. Soc. 1984. V. 131. № 11. P. 2697.
- Plass C., Heinecke H., Kayser O., Luth H., Bulk P. A comparative study of Ga (CH3)3, Ga (C2H5)3 and Ga (C4H9)3 in the low pressure MOCVD of GaAs // J. Cryst. Growth. 1988. V. 88. № 4. P. 455.
- Shastry S.K., Zemon S., Kenneson D.G., Lambert G. Control of residual impurities in very high purity GaAs grown by organometallic vapor phase epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. № 2. P. 150.
- Razeghi M., Omnes F., Nagle J., Defour M., Archer O., Bove P. High-purity GaAs layers grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 55. № 16. P. 1677.
- Agnello P.D., Ghandhi S.K. The composition dependence of GalnAs grown by organometallic epitaxy //J. Cryst. Growth. 1989. V. 97. № 3−4. P. 551.
- Trush E., Whiteaway J., Wale Evans G., Wight D., Cullis A. Compositional Transients in MOCVD Grown III-V Heterostructures // J. Cryst. Growth. 1984. V. 68. P. 412−421.
- Clark I., Fripp A., Jesser W. MOCVD manifold switching effects on growth and characterization//J. Cryst. Growth. 1991. V. 109. P. 246−251.
- Roberts J., Mason M., Robinson M. Factors Influencing Doping control and Abrupt Metallurgical Transitions During Atmospheric Pressure MOVPE Growth of AlGaAs and GaAs // J. Cryst. Growth. 1984. V. 68. P. 422−430.
- Мармалюк А.А. Формирование гетероструктур с квантовыми ямами для ИК-фотоприемников на внутризонных переходах методом МОС-гидридной эпитаксии // Материалы симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, Россия. 25−29 марта 2005 г. С. 82 85.
- Andronov А.А., Drozdov M.N., Zinchenko D.I., Nozdrin Y.N., Sosnin A., Ustinov A., Shashkin V.I., Marmalyuk A.A., Padalitsa A.A. Transport in Narrow
- Minigap Superlattices and the Terahertz Bloch Oscillator // Semicond. Sci. Technol. 2004. V. 19. № 4. P. S96-S98.
- В.В.Безотосный, И. Д. Залевский, Х. Х. Кумыков, Н. В. Маркова, Квантовая электроника. 1998. т. 25, №. 7. с. 611.
- Безотосный В. В, Кумыков Х. Х, Маркова Н. В. Предельные выходные параметры линеек и матриц лазерных диодов // Квантовая электроника. 1997. Т. 24. № 6. С. 495−498.
- Волноводная оптоэлектроника / под ред. Т. Тамира. М.: Мир, 1991. 576 с.
- T.Ahlgren, J. Likonen, et al Concentration dependent and independent Si diffusion in ion-implanted GaAs // Phys. Rev. B. 1997. V. 56. P. 4597.
- Y.Kim, M.S.Kim, et al, Dislocation-accelerated diffusion of Si in delta-doped GaAs grown on silicon substrates by metalorganic chemical vapor deposition // Jpn. J. Appl. Phys. 1991. V. 69. № 3. P. 1355.
- А.Д.Полянин, А. В. Вязьмин, А. И. Журов, Д. А. Казенин, Справочник по точным решениям уравнений тепло- и массопереноса. М.: Факториал, 1998. — 368 с.
- С.С.Стрельченко, В. В. Лебедев, Соединения АЗВ5: Справ, изд. М.: Металлургия, 1984. 144с.
- J.E.Bisberg, A.K.Chin, et al. Zinc diffusion in III-V semiconductors using a cubic-zirconia protection layer // Jpn. J. Appl. Phys. 1990. V. 67. № 3. P. 1347.
- H.G.Hettwer, N.A.Stolwijk, et al, Defect and Diffusion Forum, 1997. V. 143 147. P. 1117.
- M.P.Chase, M.D.Deal, et al. Diffusion modeling of zinc implanted into GaAs // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. V. 81. № 4. P. 1670
- F.Agashi, К.М. Lau, Н.К. Choi, A. Baliga, N.G. Anderson Anderson High-performance 770-nm AlGaAs-GaAsP tensile-strained quantum-well laser diodes // IEEE Photonics Technol. Lett. 1995. V. 7. № 2. P. 140−143.
- G. Erbert, F. Bugge, A. Knauer, J. Sebastian, A. Thies, H. Wenzel, M. Weyers, G. Trankle High-power tensile-strained GaAsP-AlGaAs quantum-well lasers emitting between 715 and 790 nm // IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron. 1999. V. 5. № 3. P. 780−784.
- Mawst L.J. High power, Al-free active region (ALFA) lasers for the 0.70−0.81 pm wavelength lasers // Proc. of Conference on Lasers and Electro Optics. 19−24 May, 2002. Long Beach, CA, USA. V. 1. P. 43−44.
- S.L.Chuang, Physics of Optoelectronic Devices. John Wiley & Sons, New York. 1995.
- Пихтин H.A., Слипченко C.O., Соколова 3.H., Тарасов И. С. Внутренние оптические потери в полупроводниковых лазерах // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38. № 3. С. 374 381.
- Livshits D.A., Kochnev I.V., Lantratov V.M., Ledentsov N.N., Nalyot T.A., Tarasov I.S., Alferov Zh.I. High Catastrophic Optical Mirror Damage Level in InGaAs/AlGaAs Laser Diodes // Electron. Lett. 2000. V. 36. P. 1848−1849.
- Bugge F., Erbert G., Fricke J., Gramlich S., Staske R., Wenzel H., Zeimer U., Weyers M. 12 W continuous-wave diode lasers at 1120 nm with InGaAs quantum wells //Appl. Phys. Lett. 1998. V. 79. P. 1965−1967.
- Kuo С.Р., Cohen R.M., Fry K.L., Stringfellow G.B. // J. Electron. Mater. 1985. V. 14. P. 231.
- Kuphal E., Pocker A. Phase Diagram for Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of Strained and Unstrained InGaAsP/InP //Jpn. Jpn. J. Appl. Phys. 1998. V. 37. P. 632.
- Ludowise M.J., Cooper C.B., Saxena R.R. // J. Electron. Mater. 1981. V. 10. P. 1051.
- Matthews J.W., Blakeslee A.E. Defects in epitaxial multilayers: I. Misfit dislocations // J. Cryst. Growth. 1974. V. 27. P. 118.
- Houghton D.C., Davies M., Dion M. Design criteria for structurally stable, highly strained multiple quantum well devices // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. № 4. P. 505−507.
- Dodson B.W., Tsao J.Y. Relaxation of strained-layer semiconductor structures via plastic flow //Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. № 17. P. 1325.
- Tsao J.Y., Dodson B.W. Excess stress and the stability of strained heterostructures // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 53. № 10. P. 848 850.
- Bugge F., Zeimer U., Gramlich S. et al. Effect of growth conditions and strain compensation on indium incorporation for diode lasers emitting above 1050 nm // J. Cryst. Growth. 2000. V. 221. № 1−4. P. 496−502.
- Дроздов Ю.Н., Байдусь H.B., Звонков Б. Н. и др.// ФТП, 2003, Т. 37, вып. 2, С 203−208.
- Орлов Л.К., ИвинаН.Л.// ФТП, 2002, т. 36, вып. 2, С. 199−204.
- Jamaquchi К., Okada Т. and Hiwatashi F.// Appl. Surf. Sci., 1997, Vol. 117−118, P. 700−704.
- Potin V., Hahn E., Rozenauer A et al. Comparison of the In distribution in InGaN/GaN quantum well structures grown by molecular beam epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy // J. Cryst. Growth. 2004. V. 262. № 1−4. P. 145 150.
- Pitts O.J., Watkins S.P., Wang C.X. et al. Antimony segregation in GaAs-based multiple quantum well structures // J. Cryst. Growth, 2003, V. 254, P. 28−34.
- Dussaigne A., Damilano В., Grandjean N. In surface segregation in InGaN/GaN quantum wells//J. Cryst. Growth. 2003. V. 251. P. 471−475.
- Zheng Y.J., Lam A. M. and Eugstram J. R. Modeling of Ge surface segregation in vapor-phase deposited Sii xGex thin films // Appl. Phys. Lett., 1999. V. 75. № 6. P. 817−819.
- Grenet G., Bergignet E., Gendry M. et al.// Surf. Sci., 1996, Vol. 352−354, P. 734−739.
- Mesrine M., Massies J., Deparis C. et al. Indium surface segregation during chemical beam epitaxy of Gai xInxAs/GaAs and Gai xInxP/GaAs heterostructures // J. Cryst. Growth. 1997. V. 175−176. P. 1242−1246.
- Moison J. M., Guille C., Houzay F., Barthe F., Van Rompay M. Surface segregation of third-column atoms in group III-V arsenide compounds: Ternary alloys and heterostructures // Phys. Rev. 1989. V. B40. № 9. P. 6149 6162.
- Акчурин P.X., Андреев А. Ю., Говорков О. И., Мармалюк А. А., Петровский А. В. Влияние напряжений на перераспределение индия в квантовых ямах InGaAs/GaAs // Труды VIII Международной научно-технической конференции
- Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Дивноморское, Россия. 14−19 сентября 2002 г. С. 32 35.
- Houghton D.C., Davies М., Dion М. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. P.505.
- Radhakrishnan К., Yoon S.F., Gopalakrishnan R., Tan K.L. // J. Vac. Sci. Technol. 1994. V. A 12. P. 1124.
- Bugge F., Blister G., Erbert G., Gramlich S., Rechenberg I., Treptow H., Weyers M. // J. Cryst. Growth. 1994. V. 145. P. 907.
- Muraki K., Fukatsu S., Shiraki Y. Surface segregation of In atoms during molecular beam epitaxy and its influence on the energy levels in InGaAs/GaAs quantum wells // Appl Phys. Lett. 1992. V. 61. № 5. P. 557−559.
- Dehaese O., WallartX. and Mollot F. Kinetic model of element III segregation during molecular beam epitaxy of III-III'-V semiconductor compounds // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. № l.P. 52- 55.
- Акчурин Р.Х. // Изв. Вузов. Материалы электронной техники, 2004, № 3, С. 48−51.
- Nakajima К. Calculation of compositional dependence of stresses in GalnAs/GaAs strained multilayer heterostructures // J. Crystal Growth. 1993. V. 126. № 4. P. 511 -524.
- Паниш М.Б., Илегемс M. в кн. «Материалы для оптоэлектроники» (пер. с англ.). М.: Мир, 1976. 405 с.
- Богатов А.П., Дракин А. Е., Стратонников А. А., Коняев В. П. // Квантовая электроника, 30, 401 (2000).
- Utaka К. et al basing characteristics of 1.5 1.6 ptm GalnAsP/InP integrated twin-guide lasers with first-order distributed Bragg reflectors // IEEE J. Quantum Electron. 1981. V. 17. № 5. P. 651.
- Afromowitz M.A. Refractive index of GabxAlxAs // Solid State Comm. 1974. V. 15 P. 59.
- Utaka К. et al GalnAsP/InP Integrated Twin-Guide Lasers with First-Order Distributed Bragg Reflectors at 1.3 |im Wavelength // Jpn. J. Appl. Phys. 1980. V. 19.P.L137.
- Kaufman R.G. Measurement of the refractive index of AlxGa. xAs and the mode indices of guided modes by a grating coupling technique // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. P. 8053.
- Авруцкий И. А, Дианов Е. М, Звонков Б. Н, Звонков Н. Б, Малкина И. Г, Максимов Г. А, Ускова Е. А. Полупроводниковые лазеры на длину волны 980 нм с туннельно-связанными волноводами // Квантовая электроника. 1997. т. 24. № 2. С. 123−126.
- Wenzel H, Bugge F, Erbert G, Hulsewede R, Staske R, Trankle G. High-Power Diode Lasers with Small Vertical Beam Divergence Emitting at 808 nm // Electronics Letters. 2001. V. 37. № 16. P.
- Швейкин В. И, Богатов А. П, Дракин А. Е, Курнявко Ю. В. Даграмма направленности излучения квантоворазмерных лазеров InGaAs/GaAs, работающих на «вытекающей» моде. Квантовая электроника. 1999. Т. 26. № 1. С. 33−36.
- Швейкин В.И., Геловани В. А. Новые диодные лазеры с вытекающим излучением в оптическом резонаторе // Квантовая электроника. 2002. Т. 32. № 8. С. 683−688.
- A.Al-Muhanna, L.J.Mawst, D. Botez, D.Z.Garbuzov, R.U.Martinelly, J.C.Connolly. High-power (> 10 W) continuous-wave operation from ЮО-цт-aperture 0.97-|im-emitting Al-free diode lasers // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. № 9. P. 1182.
- Поповичев В.В., Давыдова Е. И., Мармалюк А. А., Симаков А. В., Успенский М. Б., Чельный А. А., Богатов А. П., Дракин А. Е., Плисюк С.А., Стратонников
- A.А. Мощные поперечно-одномодовые полупроводниковые лазеры с гребневой конструкцией оптического волновода // Квантовая электроника. 2002. Т. 32. № 12. С. 1099- 1104.
- Давыдова Е.И., Зубанов A.B., Мармалюк A.A., Успенский М.Б., Шишкин
- B.А. Одномодовые лазеры с гребневидным элементом, сформированные в источнике трансформаторно-связанной плазмы // Квантовая электроника. 2004. Т. 34. № 9. С. 805 808.
- Schlenker D. et al Growth of highly strained GalnAs/GaAs quantum wells for 1.2 im wavelength lasers // J. Cryst. Growth. 2000. V. 209. № 1. P. 27.
- Schlenker D. Miyamoto Т., Chen Z., Koyama F. and Iga K. Growth of highly strained GalnAs/GaAs quantum wells for 1.2 (im wavelength lasers // IEEE Photonics Technol. Lett. 1999. V. 11. № 1. P. 946.
- BuggeF. et al 12 W continuous-wave diode lasers at 1120 nm with InGaAs quantum wells//Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. P. 1965.
- Lin W., Tu Y., Dai Т., Ho W., Lee G. The In^Ga^A^i-y (0.53
- Pellegrino S., Vitali L. // J. Electron. Mater. 1996. V. 25. P. 519.
- Sugou S., Kameyama A., Miyamoto Y., Furuya K., Suematsu Y. Conditions for OMVPE Growth of GalnAsP/InP Crystal // Jpn. Jpn. J. Appl. Phys. 1984. V. 23. № 13. P. 1182.
- Smeets E.T.J.M. Solid composition of GaAsixPx grown by organometallic vapour phase epitaxy //J. Cryst. Growth. 1987. V. 82. № 3. P. 385.
- Guden M., Piprek J. Material parameters of quaternary III V semiconductors for multilayer mirrors at 1.55 pm wavelength // Modelling Simul. Mater. Sci. Eng. 1994. V. 4. № 6. P. 349.
- Nagorny R.E., Pollak M.A., Johnston W.D., Barns R.I. Band gap versus composition and demonstration of Vegard’s law for InixGaxAsyP. y lattice matched to InP // Appl. Phys. Lett. 1978. V. 33. № 7. P. 659.
- Mircea A., Ougazzaden A., Primot G., Kazmierski C. Highly thermally stable, high-performance InGaAsP: InGaAsP multi-quantum-well structures for optical devices by atmospheric pressure MOVPE // J. Cryst. Growth. 1992. V. 124. № 1−4. P. 737.
- Ishikawa Т., Bowers J.E. Band lineup and in-plane effective mass of InGaAsP or InGaAlAs on InP strained-layer quantum well // IEEE. J. Quantum. Electron. 1994. V. 30. № 2. P. 562.
- Hamoudi A., Ougazzaden A., Krauz Ph., Rao E.V.K., Juhel M., Thibierge H. Cation interdiffusion in InGaAsP/InGaAsP multiple quantum wells with constant P/As ratio // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. № 6. P. 718.
- Мамедов Д.С., Прохоров B.B., Шраменко M.B., Якубович С Д Исследование характеристик излучения маломощных суперлюминесцентных диодовв диапазоне температур -558С.+938С // Квантовая электроника. 2002. Т 32. № 7. С. 593−596.
- Мамедов Д. С, Мармалюк А. А, Никитин Д. Б, Якубович С. Д, Прохоров
- B.В. Двухпроходные суперлюминесцентные диоды с пониженным энергопотреблением на основе многослойной квантоворазмерной (GaAl)As-гетероструктуры // Квантовая электроника. 2004. Т. 34. № 3. С. 206 208.
- Андреева Е. В, Шраменко М. В, Якубович С. Д. Двухпроходный суперлюминесцентный диод с клиновидным активным каналом // Квантовая электроника. 2002. Т. 32. № 2. С. 112−114.
- Мамедов Д. С, Прохоров В. В, Якубович С. Д. Сверхширокополосный мощный суперлюминесцентный диод с длиной волны излучения 920 нм // Квантовая электроника. 2003. Т. 33. № 6. С. 471−473.
- Fercher A. F, Drexler W, Hitzenberger C. K, Lasser Т. Optical coherence tomography principles and applications // Rep. Prog. Phys. 2003. V. 66. № 2. P. 239−303.
- Адлер Д. С, Ко T. X, Конорев А. К, Мамедов Д. С, Прохоров В. В, Фуджимото Дж. Дж, Якубович С. Д. // Квантовая электроника. 2004. Т. 34. № 10.1. C. 915−918.
- Unterhuber A, Povazay B, Herman B, Sattmann H, Shavez-Pirson A, Drexler W. In vivo retinal optical coherence tomography at 1040 nm enhanced penetration into the choroid // Opt. Express. 2005. V. 13. № 9. P. 3252−3258.
- Лапин П. И, Мамедов Д. С, Мармалюк А. А, Падалица А. А, Якубович С. Д. Мощные и широкополосные суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1000—1100 нм // Квантовая электроника. 2006. Т. 36. № 4. С. 315 -318.
- Мармалюк А.А. Формирование гетероструктур с квантовыми ямами для ИК-фотоприемников на внутризонных переходах методом МОС-гидридной эпитаксии // Материалы симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, Россия. 25−29 марта 2005 г. С. 82 85.
- Физика квантовых низкоразмерных структур. / Демиховский В. Я., Вугальтер Г. А. М.: Логос, 2000. — 247 с.
- Razeghi М., Erdtmann М., Jelen С., Guastavinos F., Brown G.J., Park Y.S. Development of quantum well infrared photodetectors at the center of quantum devices // Infrared Physics and Technology. 2001. V. 42. P. 135−148.
- Van de Walle C.G. Band lineups and deformation potentials in the model-solid theory //Phys. Rev. B. 1989. V. 39. № 3. P. 1871−1881.
- Тарасов В.В., Якушенков Ю. Г. Инфракрасные системы «смотрящего» типа. -М.: Логос, 2004.-444 с.
- Косолобов С.Н., Кравченко А. А., Паулиш А. Г., Шевелев С.В., Хатункин
- Aspnes D.E., Kelso S.M., Logan R.A., Bhat R. Optical properties of AlxGa^As //J. Appl. Phys. 1986. V.60. № 2. P. 754.
- Забелина Л. Г, Петров A.C. Гетероэпитаксиальные структуры на основе арсенида галлия для фотокатодов до 1,1 мкм // Прикладная физика. 1999. № 3.1. C. 40.
- Boerree L.E., Chasse D.R., Thamban P.L.S., Glosser R. MBE Grown InGaAs Photocathodes // Proc. of SPIE. 2002.