Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Направленное регулирование процесса фотолиза азидов свинца, серебра, таллия металлами и неорганическими полупроводниками

Диссертация: Направленное регулирование процесса фотолиза азидов свинца, серебра, таллия металлами и неорганическими полупроводниками
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Одновременно, анализ полученных данных ставит для дальнейшей разработки в этой новой и очень интересной области ряд задач, связанных, прежде всего, со спецификой объектов исследования. Действительно, интересные особенности процессов в рассматриваемой группе контактов, по сравнению с процессами в гетеропереходах и барьерах Шоттки состоят в том, что при освещении систем «азид тяжелого металла… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА I. ОПТИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА, ЗОННАЯ СТРУКТУРА И ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ АЗИДОВ СВИНЦА, СЕРЕБРА И ТАЛЛИЯ
    • 1. 1. Спектры оптического поглощения азидов свинца, серебра и таллия
    • 1. 2. Фотоэлектрические свойства азидов свинца, серебра и таллия
      • 1. 2. 1. Определение типа основных носителей тока в азидах свинца, серебра и таллия
      • 1. 2. 2. Фотопроводимость азидов свинца, серебра и таллия
    • 1. 3. Диаграммы энергетических зон азидов свинца, серебра и таллия
    • 1. 4. Изменение фоточувствительности азидов свинца, серебра и таллия
  • ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ. ОПИСАНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ УСТАНОВОК
    • 2. 1. Синтез препаратов и приготовление образцов для исследования
      • 2. 1. 1. Методы синтеза азидов свинца, серебра и таллия
      • 2. 1. 2. Приготовление образцов для исследований
    • 2. 2. Методы исследования скорости фотолиза
      • 2. 2. 1. Установка для изучения термостимулированного газовыделения
      • 2. 2. 2. Установка для изучения фотохимической чувствительности твердых неорганических солей
    • 2. 3. Количественный анализ серебра — продукта фотолиза азида серебра
      • 2. 3. 1. Метод инверсионной вольтамперометрии
      • 2. 3. 2. Метод экстракционно-фотометрического определения серебра с дитизоном
    • 2. 4. Электрофизические методы исследования
    • 2. 5. Методика измерения контактной разности потенциалов
    • 2. 6. Актинометрия источника излучения
    • 2. 7. Измерение спектров диффузного отражения и определение топографии твердофазного продукта фотолиза
  • ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ МЕТАЛЛОВ НА ФОТОХИМИЧЕСКУЮ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ АЗИДОВ СВИНЦА, СЕРЕБРА И ТАЛЛИЯ
    • 3. 1. Закономерности фотолиза азидов свинца, серебра и таллия при глубоких степенях превращения
      • 3. 1. 1. Кинетические особенности фотолиза и фототока азидов свинца, серебра и таллия
      • 3. 1. 2. Спектральные распределения скорости фотолиза и фототока азидов свинца, серебра и таллия
      • 3. 1. 3. Электрофизические свойства гетеросистем «азид — металл (продукт фотолиза)»
    • 3. 2. Фотохимические и фотоэлектрические свойства гетеросистем «азид -металл»
      • 3. 2. 1. Кинетические закономерности фотолиза и фототока гетеросистем «азид — металл»
      • 3. 2. 2. Спектральное распределение скорости фотолиза и фототока гетеросистем «азид — металл»
      • 3. 2. 3. Фотохимические и фотоэлектрические свойства предварительно прогретых гетеросистем «азид — металл»
      • 3. 2. 4. Влияние способа приготовления азидов свинца и серебра на фоточувствительность гетеросистем «азид — металл»
    • 3. 3. Фотолиз гетеросистем «азид таллия — металл» в электрическом поле
    • 3. 4. Особенности термостимулированного газовыделения из предварительно возбужденных азидов свинца, серебра, таллия и гетеросистем «азид — металл»
  • ГЛАВА 4. ФОТОЛИЗ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОСИСТЕМ «АЗИД — ПОЛУПРОВОДНИК»
    • 4. 1. Влияние полупроводников на фоточувствительность азидов свинца, серебра и таллия
      • 4. 1. 1. Кинетические закономерности фотолиза и фототока в гетеросистемах «азид — полупроводник»
      • 4. 1. 2. Спектральные распределения скорости фотолиза, фототока и фотоЭДС гетеросистем «азид — полупроводник»
    • 4. 2. Фотохимические и фотоэлектрические свойства предварительно прогретых гетеросистем «азид — полупроводник»
    • 4. 3. Влияние способа приготовления азидов на фоточувствительность гетеросистем «азид — полупроводник»
    • 4. 4. Исследование темнового постгазовыделения
  • ГЛАВА 5. ЗАКОНОМЕРНОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ТВЕРДОФАЗНЫХ ПРОДУКТОВ ФОТОЛИЗА АЗИДОВ СВИНЦА, СЕРЕБРА, ТАЛЛИЯ И ГЕТЕРОСИСТЕМ «АЗИД — МЕТАЛЛ», «АЗИД — ПОЛУПРОВОДНИК»
    • 5. 1. Идентификация твердофазных продуктов фотолиза азидов свинца, серебра и таллия
    • 5. 2. Топография твердофазных продуктов фотолиза азидов свинца, серебра и таллия
    • 5. 3. Закономерности формирования твердофазных продуктов фотолиза азидов свинца, серебра и таллия
    • 5. 4. Определение фотолитического серебра методом экстракционной фотометрии и инверсионной вольтамперометрии
    • 5. 5. Закономерности формирования твердофазных продуктов фотолиза гетеросистем «азид — металл»
    • 5. 6. Закономерности формирования твердофазных продуктов фотолиза гетеросистем «азид — полупроводник»
    • 5. 7. Определение лимитирующей стадии процесса роста частиц фотолитического металла
    • 5. 8. Определение некоторых кинетических параметров фотолиза азидов свинца, серебра, таллия и гетеросистем «азид — металл», «азид -полупроводник»
  • ГЛАВА 6. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ГЕТЕРОСИСТЕМАХ «АЗИД — МЕТАЛЛ» И «АЗИД -ПОЛУПРОВОДНИК»
    • 6. 1. Диаграммы энергетических зон гетеросистем «азид — металл» и «азид -полупроводник»
      • 6. 1. 1. Определение работы выхода азидов свинца, серебра, таллия, металлов и полупроводников
      • 6. 1. 2. Диаграммы энергетических зон гетеросистем «азид — металл», «азид — полупроводник»
    • 6. 2. Фотоэлектрические и фотохимические процессы в гетеросистемах «азид — металл»
      • 6. 2. 1. Темновые и фотопроцессы в предварительно прогретых гетеросистемах «азид — металл»
      • 6. 2. 2. Темновые и фотопроцессы в гетеросистемах «азид — металл»
    • 6. 3. Темновые и фотопроцессы в гетеросистемах «азид — полупроводник»
    • 6. 4. Темновые и фотопроцессы в предварительно прогретых гетеросистемах «азид — полупроводник»

Направленное регулирование процесса фотолиза азидов свинца, серебра, таллия металлами и неорганическими полупроводниками (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Изучение фотохимического разложения твердых неорганических соединений, поиски новых методов направленного регулирования фотохимической чувствительности солей относятся к числу основных, актуальных задач, стоящих перед физикой и химией твердого состояния.

Исторически сложившаяся в фотохимии твердых неорганических систем обстановка характерна тем, что основная часть исследований процессов фотораспада и сопряженных с ними физических (в частности фотофизических) работ, направленных на выяснение механизма фотолиза, проведена на галогенидах серебра (традиционных объектах фотохимии), имеющих важное практическое применение [1−3]. Фотолиз же других соединений изучен в разной степени недостаточно.

Исследование фотохимического разложения и фотофизических процессов в неорганических солях различных типов представляется необходимым как для решения группы научных задач, в частности, выяснения степени общности механизмов и закономерностей фотолиза различных соединений, так и для решения практических задач, связанных с разработкой новых систем записи и хранения оптически переданной информации.

Среди разнообразных фотолизирующихся соединений особое место занимают азиды тяжелых металлов [1,4,5]. Относительно несложный состав и структура азидов тяжелых металлов, высокая фоточувствительность, значительный внутренний фотоэффект, простой состав конечных продуктов фоторазложения (обычно металл и азот), не реагирующих друг с другом, делают азиды тяжелых металлов удобными объектами исследований [6−8]. Предпринятые небезуспешные попытки создания на основе некоторых азидов тяжелых металлов фотографических материалов как с сухим [9,10], так и с обычным [11] способами проявления дают основание полагать, что азиды тяжелых металлов являются перспективными системами для создания на основе их новых фотоматериалов, обладающих, в частности, фотохимической чувствительностью при 4,4 К [12].

В этой связи представляется необходимым, наряду с проведением широких исследований фотохимического разложения различных неорганических соединений, развертывание работ по их очуствлению (сенсибилизации) с целью выяснения общих закономерностей этого явления на широком круге объектов и выработки конкретных рекомендаций по регулированию фотохимической чувствительности различных интересующих практику систем.

В то время как исследованию оптической сенсибилизации органическими красителями неорганических соединений (в том числе и азидов тяжелых металлов) посвящено значительное количество работ [2,3,13−16], обнаруженный и рассматриваемый в [17−23], новый эффект — контактный катализ фотопроцессов в системах «светочувствительная соль — неорганический полупроводник» — изучен недостаточно. Изучение контактного катализа металлами и полупроводниками фотопроцессов в азидах тяжелых металлов, которые сочетают достоинства модельных соединений, обладающих высокой чувствительностью к воздействию света, тепла и ионизирующей радиации, с широким использованием их в технике, актуально, в этой связи, как в научном, так и в практическом отношениях.

Химически неактивные конечные продукты разложения азидов, не разрушающие, в отличие от галогенидов серебра, сенсибилизаторы, облегчают изучение контактного катализа металлами и полупроводниками этих веществ, а наличие хорошо контролируемого внутреннего фотоэффекта дает возможность изучать физические закономерности и причины этого явления.

Отмеченные практическая ценность и возможность использования азидов тяжелых металлов в качестве модельных объектов, с одной стороны, низкая степень изученности явлений на контактах «светочувствительная соль — полупроводник (металл)» и практически полное отсутствие в литературе (до проведения настоящего цикла работ) сведений по исследованию свойств гетеросистем на основе азидов тяжелых металлов, позволяют сформулировать цель настоящего исследования.

Целью данной работы является изучение темновых и фотопроцессов в гетеросистемах «азид — металл (РЬ, Сё, Ag, N1, Си)», «азид — полупроводник (СёБ, СсГГе, СсЮ, СёБе, Си20)» на основе азидов свинца, серебра и таллия в широком спектральном диапазоне (300 — 2500 нм), а также эффектов автокаталитического и сенсибилизирующего влияния металлов (продуктов фоторазложения азидов) для разработки общих подходов к направленному регулированию металлами и неорганическими полупроводниками фотопроцессов в азидах тяжелых металлов.

В качестве основных задач исследования определены следующие: -установить основные закономерности влияния условий синтеза азидов свинца, серебра и таллия, интенсивности и спектрального состава падающего света, предварительных тепловой и световой обработок на фотохимические и фотоэлектрические свойства гетеросистем «азид — металл», «азид — полупроводник» ;

— установить природу и основные закономерности автокаталитического влияния твердофазных продуктов фотолиза азидов свинца, серебра, таллия и гетеросистем «азид — металл», «азид — полупроводник» ;

— определить качественный и количественный состав продуктов фотолиза азидов свинца, серебра, таллия и гетеросистем «азид — металл», «азидполупроводник» ;

— выяснить природу термостимулированного газовыделения в гетеросистемах «азид — металл» и оценить энергетические параметры центров захвата генерированных при 77 К «неравновесных» носителей заряда;

— разработать эффективный способ управления фоточувствительностью гетеросистем «азид — металл» (на примере «азид таллия — металл»);

— определить значения термоэлектронных работ выхода азидов свинца, серебра, таллия, металлов и полупроводников при различных внешних условиях (Р, Т).

Научная новизна:

— впервые установлено, что создание гетеросистем «азид — металл», «азид — полупроводник», наряду с изменением фоточувствительности в собственной области поглощения азидов свинца, серебра и таллия, приводит к расширению области спектральной чувствительности;

— впервые установлено, что характер влияния металлов и полупроводников на фотолиз азидов свинца, серебра и таллия в разных спектральных областях определяется состоянием поверхности азидов и полупроводников;

— впервые установлен качественный и количественный состав продуктов фотолиза гетеросистем «азид — металл», «азид — полупроводник» ;

— впервые обнаружен эффект «автопроявления» при растворении предварительно экспонированного азида серебра в тиосульфате натрия;

— установлено, что автокаталитическое влияние твердофазных продуктов фотолиза азидов свинца, серебра, таллия и гетеросистем «азид — металл», «азид — полупроводник» связано с формированием в процессе фотолиза мик-рогетеросистем «азид — металл (продукт фотолиза)» ;

— впервые разработан способ регулирования фоточувствительности гетеросистем «азид таллия — металл» постоянным электрическим полем;

— впервые определены значения термоэлектронных работ выхода азидов свинца, серебра и таллия в зависимости от внешних условий (Р, Т);

— впервые установлено, что фотолиз азидов свинца, серебра, таллия и гетеросистем «азид — металл», «азид — полупроводник» имеет общие кинетические закономерности;

— установлено, что продукты фотолиза азидов свинца, серебра, таллия и гетеросистем «азид — металл», «азид — полупроводник» — азот и металл — образуются в стехиометрических соотношениях;

— впервые установлен факт термостимулированного газовыделения из предварительно охлажденных до 77К и возбужденных светом различного спектрального состава гетеросистем «азид — металл» .

Практическая значимость работы определяется следующим:

Обнаруженные и исследованные закономерности влияния металлов и полупроводников на фотохимическую и фотоэлектрическую чувствительности азидов свинца серебра и таллия являются продуктивной основой для создания систем с регулируемым уровнем фоточувствительности, а также позволяют направленно изменять реакционную способность инициирующих взрывчатых веществ в процессе хранения и эксплуатации при различных внешних воздействиях.

Основными положениями, выносимыми на защиту являются.

Создание гетеросистем «азид — металл», «азид — полупроводник», наряду с изменением фотохимической и фотоэлектрической чувствительности в собственной области поглощения азидов свинца, серебра и таллия, приводит к расширению области спектральной чувствительности.

Характер влияния металлов и полупроводников на фотолиз и фотоэлектрические свойства зависит от состояния поверхности и способа синтеза азидов свинца, серебра и таллия.

Способ направленного регулирования фотохимической чувствительности гетеросистем «азид таллия — металл» постоянным электрическим полем.

Термостимулированное газовыделение из гетеросистем «азид — металл» связано с термическим освобождением генерированных светом и захваченных при температуре 77 К «неравновесных» дырок и последующим образованием газообразного азота.

Термоэлектронная работа выхода из азидов свинца, серебра и таллия зависит от способа синтеза и состояния поверхности азидов.

Автокатализ фотолиза азидов свинца, серебра, таллия и гетеросистем «азид — металл», «азид — полупроводник» связан с формированием микрогете-росистем «азид — металл (продукт фотолиза)» .

Основными продуктами фотолиза гетеросистем «азид — металл», «азидполупроводник» являются металл и газообразный азот.

Объем и структура работы.

Представляемая работа состоит из шести глав.

В первой главе на основании анализа литературных данных приведен обзор оптических и фотоэлектрических свойств азидов свинца, серебра и таллия, рассмотрено энергетическое положение электронных уровней (диаграммы энергетических зон) в азидах, а также обобщены и проанализированы результаты исследований, направленные на изменение фотохимической чувствительности азидов свинца, серебра и таллия.

Во второй главе рассмотрены методы синтеза азидов свинца, серебра, таллия и методики приготовления гетеросистем «азид — металл», «азид — полупроводник» для исследования, а также приведены блок-схемы и описание установок для исследования фотохимической чувствительности и термости-мулированного газовыделения масс-спектрометрическим методом, термоэлектронных работ выхода и состояния поверхности методом контактной разности потенциалов, электрофизических свойств образцов. Для определения количества серебра, выделяющегося при фотолизе азида серебра, применяли методы инверсионной вольтамперометрии и экстракционной фотометрии с дитизоном. Топографию твердофазных продуктов фотолиза азидов изучали методом электронной микроскопии. Актинометрию источников излучения проводили используя радиационный термоэлемент RT-0589.

Третья глава состоит из четырех разделов. В первом разделе рассматриваются кинетические и спектральные закономерности фотолиза и фототока азидов свинца, серебра и таллия до и после световых обработок. Во втором разделе приведены результаты цикла работ, направленного на исследование кинетических и спектральных закономерностей фотолиза и фототока гетеро-систем «азид — металл» до и после тепловой и световой обработок гетероси-стем «азид — металл» в высоком вакууме (1*10″ 5 Па). Рассмотрено влияние способа синтеза азидов на фотохимические и фотоэлектрические свойства гетеросистем «азид — металл». В третьем разделе приведены результаты исследований фотолиза гетеросистем «азид таллия — металл» в постоянном электрическом поле. В четвертом разделе приведены результаты исследований термостимулированного газовыделения из предварительно охлажденных до 77 К и облученных светом гетеросистем «азид — металл» .

В четвертой главе приведены результаты исследований влияния предварительной тепловой и световой обработок, способа приготовления азидов свинца, серебра и таллия на темновые и фотопроцессы в гетеросистемах «азид — полупроводник» .

В пятой главе приведены данные по топографии и идентификации твердофазных продуктов фотолиза, а также рассматриваются закономерности формирования твердофазных продуктов фотолиза в азидах свинца, серебра, таллия и гетеросистемах «азид — металл», «азид — полупроводник» .

В шестой главе приведены результаты исследований влияния вакуумной и тепловой обработок на значения термоэлектронных работ выхода металлов, полупроводников и азидов свинца, серебра, таллия. Рассмотрены темновые и фотопроцессы до и после предварительной тепловой обработки в высоком вакууме (1*10″ 5 Па) гетеросистем «азид — металл», «азид — полупроводник», а также автокаталитическое и сенсибилизирующее влияние металлов (продуктов фотолиза) на фотолиз азидов свинца, серебра и таллия.

Апробация работы.

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на III Всесоюзном совещании по фотохимии (Ростов на Дону, 1977) — VII Всесоюзном совещании по кинетике и механизму химических реакций в твердом теле (Черноголовка, 1978) — IV Всесоюзном совещании по радиационной физике и химии ионных кристаллов (Рига, 1978) — II Всесоюзном совещании «Воздействие ионизирующего излучения на гетерогенные системы» (Кемерово, 1979) — III Всесоюзной конференции по бессеребряным и необычным фотопроцессам (Вильнюс, 1980) — Всесоюзном совещании по фотохимии (Ленинград, 1981) — Всесоюзном совещании по усилению фоточувствительности твердых неорганических веществ (Минск, 1981) — I Всесоюзном совещании по фотохимии (Суздаль, 1985) — IV Всесоюзном совещании «Воздействие ионизирующего излучения на гетерогенные системы» (Кемерово, 1986) — VI Всесоюзной конференции по физике диэлектриков (Томск, 1988) — V Всесоюзной конференции «Бессеребряные и необычные фотопроцессы» (Суздаль, 1988) — Всесоюзном совещании по фотохимии (Новосибирск, 1989) — V Всесоюзном совещании «Радиационные гетерогенные процессы» (РГП-5) (Кемерово, 1990) — Международной конференции по фотохимии (Киев, 1992) — Российской научно-технической конференции по физике диэлектриков (Санкт-Петербург, 1993) — IV Международной конференции «Прочность и пластичность материалов в условиях внешних энергетических воздействий» (Новокузнецк, 1995) — VI Международной конференции «Радиационные гетерогенные процессы» (Кемерово, 1995) — IX Международной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов (РФХ-9) (Томск, 1996) — II Международной конференции «Природные и интеллектуальные ресурсы.

Сибири" (Кемерово, 1997) — Международной конференции «Физико-химические процессы в неорганических материалах» (ФХП-7) (Кемерово, 1998) — X Международной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов (РФХ-10) (Томск, 1999).

Список литературы

приведен в конце диссертации.

Автор выражает глубокую благодарность научному консультанту, учителю, основателю школы «Физико-химии твердого тела», доктору химических наук, профессору, чл.-корр. РАН Захарову Ю. А. за внимание, поддержку и консультации на всех этапах выполнения работы, доктору химических наук, профессору Невоструеву В. А., доктору физико-математических наук, профессору Алукеру Э. Д., доктору физико-математических наук, профессору Колесникову JI.B., доктору химических наук, доценту Крашенинину В. И., кандидату физико-математических наук, профессору Кригеру В. Г., кандидату физико-математических наук, ведущему научному сотруднику Ханефту A.B., кандидату физико-математических наук, доценту Колпакову O. JL, кандидату химических наук, доценту Мохову А. И., кандидату химических наук Миклину М. Б. за проявленный интерес к работе и полезные обсуждения результатов, а также кандидату химических наук, доценту Бугерко Л. Н., кандидату химических наук, старшему преподавателю Сирик С. М., кандидату химических наук, ассистенту Шурыгиной Л. И., инженеру Расматовой C.B. за помощь в выполнении отдельных экспериментов и оформлении работы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Установлено, что создание гетеросистем «азид — металл» и «азид — полупроводник», наряду с изменением фоточувствительности в области собственного поглощения азидов свинца, серебра и таллия, приводит к появлению новых спектральных областей, длинноволновые пороги которых совпадают с энергетическими барьерами для фотоэмиссии электронов (дырок) из металлов в азиды (для гетеросистем «азид — металл») и зависят от состояния поверхности и способа синтеза азидов, а для гетеросистем «азид — полупроводник» соответствуют областям поглощения и фотоэлектрической чувствительности полупроводников, контактирующих с азидами.

2. Установлено, что характер влияния металлов и полупроводников на фоточувствительность азидов свинца, серебра и таллия в различных спектральных областях зависит от направления перераспределения «неравновесных» носителей заряда на границе раздела гетеросистем «азид — металл», «азид — полупроводник» и определяется несоответствием работ выхода и энергетическим состоянием поверхности азидов, металлов и полупроводников.

3. Установлен качественный и количественный состав продуктов фотолиза гетеросистем «азид — металл» и «азид — полупроводник». Показано, что продукты фотолиза (металл и газообразный азот) азидов, гетеросистем «азид — металл» и «азид — полупроводник» образуются в стехиометрических соотношениях. Выяснены кинетические и спектральные закономерности образования конечных продуктов фотолиза. Установлено, что эффективные константы скорости фотолиза, определенные по кинетическим кривым образования конечных продуктов разложения, совпадают.

4. Установлено, что наблюдаемое автокаталитическое (для азидов свинца, серебра, таллия и гетеросистем «азид — металл» и «азид — полупроводник») и сенсибилизирующее (для азидов свинца, серебра и таллия) влияние твердофазных продуктов связано с формированием в процессе фотолиза микрогетеросистем «азид — металл (продукт фотолиза)» .

5. Установлено, что термостимулированное газовыделение из предварительно охлажденных до 77 К и возбужденных светом различного спектрального состава гетеросистем «азид — металл» связано с захватом и последующим термическим освобождением «неравновесных» дырок с образованием газообразного азота.

6. Методом контактной разности потенциалов определены значения термоэлектронных работ выхода азидов свинца, серебра, таллия, металлов и полупроводников при различных внешних условиях (Р=1*105 1*10″ 5 Па, Т=293+400 К). Установлено наличие поверхностных электронных состояний и определены значения поверхностных потенциалов у азидов свинца, серебра и таллия различных методов синтеза. Показано, что величина и знак поверхностного потенциала азидов свинца, серебра и таллия определяются адсорбцией на поверхности донорных и акцепторных газов.

7. Разработан способ управления фотохимической чувствительностью гетеросистем «азид таллия — металл» постоянным электрическим полем.

8. Показано, что при растворении предварительно обработанных светом Х=365 нм образцов азида серебра в растворе тиосульфата натрия наблюдается эффект «автопроявления» серебра. Количество «автопроявленного» металла зависит от интенсивности падающего света и времени облучения.

9. Предложена экспериментально обоснованная модель фотолиза гетеросистем «азид — металл» и «азид — полупроводник», включающая стадии генерации, рекомбинации, перераспределения «неравновесных» носителей заряда в контактном поле, образования конечных продуктов фотолиза, формирования микрогетероструктур «азид — металл (продукт фотолиза)» .

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В работе представлены и обсуждены полученные автором результаты по обнаружению и исследованию природы и основных закономерностей контактного катализа и ингибирования металлами и полупроводниками фотохимической и фотоэлектрической чувствительности азидов свинца, серебра и таллия в достаточно широкой спектральной области, данные по энергетическому строению и типам контактов «азид тяжелого металла — металл (полупроводник)», состоянию поверхности контактирующих партнеров, а также сопряженные с этими вопросами материалы по исследованию природы автокатализа и спектральной сенсибилизации фотораспада азидов металламипродуктами реакции.

К числу основных итогов работы следует отнести разработку подхода к объяснению фотохимических эффектов в системах «светочувствительная соль — металл (полупроводник)», основанного на теории фотоэлектронных явлений на контактах, учитывающей разделение фотоносителей в поле контактной разности потенциалов, оптические и термические электронные переходы на контакте. Корректность такого подхода показали результаты изучения группы фотофизических явлений в гетерогенных системах на основе азидов тяжелых металлов и особенностей фотохимических процессов на контактах, вскрывающие глубокую взаимосвязь между фотохимическими и фотоэлектрическими свойствами. В рамках этих представлений нашли объяснение практически все основные закономерности изменения металлами и полупроводниками фотохимической и фотоэлектрической чувствительности азидов тяжелых металлов.

К числу основных, полученных в настоящей работе, данных относится также вывод о существовании зависимости характера влияния металлами и полупроводниками на фотохимическую и фотоэлектрическую чувствительность азидов тяжелых металлов от состояния поверхности контактирующих партнеров. При формировании контактов азидов тяжелых металлов с металлами и полупроводниками были реализованы два существенно различных случая, соответствующие низкой и высокой плотности поверхностных электронных состояний на границе раздела двух фаз. При этом, фотохимические и фотоэлектрические свойства для систем с различной плотностью поверхностных электронных состояний контактов существенно различаются.

Далее, наличие поверхностных электронных состояний на границе раздела систем «азид тяжелого металла — металл (полупроводник)», наряду с отрицательной (независимость характера влияния металлов и полупроводников на фотохимическую и фотоэлектрическую чувствительность азидов тяжелых металлов и длинноволновых порогов фоточувствительности от соотношений значений термоэлектронных работ выхода контактирующих партнеров), играет и положительную роль. Действительно, такие системы обладают более управляемыми фотохимической и фотоэлектрической чувствительностью. Изменяя (различными способами) величину (и знак) потенциального барьера, обусловленного поверхностными электронными состояниями контакта, можно направленно (в широких пределах) регулировать как характер влияния металлов и полупроводников на фотохимическую и фотоэлектрическую чувствительность азидов тяжелых металлов (в разных спектральных областях), так и положение длинноволновых порогов фоточувствительности систем «азид тяжелого металла — металл» .

Нам представляется, что рассматриваемые в работе системы следует обособить в отдельный подкласс гетеросистем, отличающихся от широко известных и используемых в физике и технике полупроводников гетеропереходов и переходов «металл — полупроводник» наличием практически необратимых фотохимических превращений в одном из контактирующих партнеров. Эти системы в последние годы начинают привлекать все больший интерес исследователей — как физиков, так и химиков, в основном, в силу возможности создания на их основе новых типов систем фотозаписи и хранения информации. Настоящая работа, являющаяся одним из первых комплексных исследований фотоявлений такого типа, закладывает продуктивные основы как в направлении разработки твердых неорганических многослойных систем фиксации информации, так и в направлении понимания механизмов явлений.

Одновременно, анализ полученных данных ставит для дальнейшей разработки в этой новой и очень интересной области ряд задач, связанных, прежде всего, со спецификой объектов исследования. Действительно, интересные особенности процессов в рассматриваемой группе контактов, по сравнению с процессами в гетеропереходах и барьерах Шоттки состоят в том, что при освещении систем «азид тяжелого металла — металл (полупроводник)» один из компонентов — азид необратимо (см. выше) разлагается. Таким образом, наряду с общими (для гетеропереходов и переходов «металлполупроводник») физическими процессами перераспределения фотоносителей в системах «азид тяжелого металла — металл (полупроводник)» имеют место физико — химические процессы (образования и выделения газообразного азота и металла), вызывающие практически необратимый расход дырок и электронов в процессе облучения.

Наряду с этим представляется необходимым решить ряд физических (физико — химических) и технологических задач, в частности, исследовать механизм переноса носителей заряда через реальные контакты, а также создать управляемую и контролируемую технологию изготовления систем «светочувствительная соль — металл (полупроводник)» с заданными параметрами.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В. В. Фотохимия и радиационная химия твердых неорганических веществ. Минск.: Высшая школа, 1964. — 390 с.
  2. Миз К., Джеймс Т. Теория фотографического процесса. Л.: Химия, 1973. -576 с.
  3. П. В. Физические процессы при образовании скрытого фотографического изображения. М.: Наука, 1972. — 399 с.
  4. Янг Д. Кинетика разложения твердых веществ. М.: Мир, 1969. — 264 с.
  5. Deb S. К., Yoffe A. D. Reactivity of ionic azides in the solid state. I. Optical properties and photodecomposition of thallious azide // Proc. Roy. Soc. 1960. -Vol. 256.-P. 514−527.
  6. Dedman A. I., Lewis Т. I. Photoconductivity in a-PbN6 // Trans. Faraday Soc. -1966.-Vol. 62.-P. 881−886.
  7. Evans B. L., Yoffe A. D., Grey P. Physics and chemistry of certain inorganic azides // Chem. Rev. 1959. — Vol. 59, № 4. — P. 515−568.
  8. Murray R. D., Robbilard J. J. Field controlled photodecomposition of certain metallic azides and its potential application of photography // I SPSE Symposium on Uncombational Photographic System. 1964. — P. 61−62.
  9. Robbilard J. J. Possible Use of Certain Metallic Azides for the Development of Dry Photographic Process // J. Photog. Science. 1971. — Vol. 19. — P. 25−37.
  10. Tomoda J. Sensitiv. materials // Bull. Soc. Scient. Phot. Japan. 1965. — Vol. 15. — P. 30−32.
  11. P. В., Williams F. Photodecomposition and electron Structure of Lead Azide // J. Chem. Phys. 1973. — Vol. 58, № 3. — P. 1023−1042.
  12. Ю. А. Электронно-ионные процессы при термическом и фотохимическом разложении некоторых твердых неорганических соединений: Дисс.. д-ра хим. наук: 02.00.04. Томск, 1975. -481 с.
  13. Ю. В. Фотолиз азидов тяжелых металлов и оптическая сенсибилизация этого процесса органическими красителями: Дисс.. канд. хим. наук. 02.00.04. Томск, 1969. — 135 с.
  14. И. А., Черкасов Ю. А., Черкашин М. И. Сенсибилизированный фотоэффект. М.: Наука, 1980. — 384 с.
  15. А. Н. Фотоника молекул красителей. JL: Наука, 1967. — 616 с.
  16. W. С. Zinc oxide-phosensitied photolysis of lead chloride // J Phys. Chem. 1966. — Vol. 70. — P. 3523−3528.
  17. Tennant W. C. The action of lead monoxide as an inorganic photosensitizer // J. Phys. Chem. 1968. — Vol. 72. — P. 1078−1080.
  18. Konnov V. M., Plotnikov A. F., Sokolova A. A., Todorov G., Zhelev V. Photoelectric properties of silver bromide semiconductor structures // Phys. Stat. Soc. — 1973. — Vol. 17, № 1. p. 185−190.
  19. Zhelev V., Paritskiv L. G., Malinowski J. Photographic registration of field injected electrons //Phys. Stat. Sol. 1972. — Vol. 10, № 1. — P. K5-K7.
  20. Levy В., Lindsey M. Semiconductor sensitization of photosensitive materials. Part I. Theory // Phot. Sci. and Eng. 1972. — Vol. 16, № 6. — P. 389−394.
  21. Levy В., Lindsey M. Semiconductor sensitization of photosensitive materials. Part II. Spectral sensitization silver halides with PbO photographic diode // Phot. Sci. and Eng. — 1973,-Vol. 17, № 2.-P. 135−141.
  22. Mc Laren A. C. The absorption spectra of single crystals of pure and partially decomposed silver azide // Proc. Roy. Soc., London. 1957. — Vol. 70. -P.147−153.
  23. Mc Laren A. C., Rogers G. F. The optical and electrical properties of silver azide and their relations to its decomposition // Proc. Roy. Soc. A. London. -1958. A246, № 1245. — P. 250−253.
  24. Mc Laren А. С., Rogers G. F. The optical and electrical properties of silver azid and their relations to its decomposition // Proc. Roy. Soc. London. 1957. -A240. -P. 484−498.
  25. Evans B. L., Yoffe A. D. Structure and stability of inorganic azides. II. Some physical and optical properties and the fast decomposition of solid monovalent inorganic azides // Proc. Roy. Soc. London. 1959. — Vol. 250. — P. 364−366.
  26. Deb S. K. Optical absorption spectra of azides // Trans. Faraday Soc. 1969. -Vol. 65.-P. 3187−3194.
  27. E. П., Захаров Ю. А., Титов Б. А. Начальные стадии фоторазложения азидов свинца и серебра // Материалы III обл. науч. конф. ВХО им. Д. И. Менделеева, посвящ. 75-летию хим. технол. ф-та ТПИ. -Томск: Изд-во ТГУ, 1972. — С. 86−89.
  28. Ю. А., Колесников JI. В., Черкашин А. Е., Баклыков С. П. Структура энергетических зон и природа некоторых энергетических переходов в PbN6 // Оптика и спектроскопия. 1978. — Т. 45, № 4. — С. 725−730.
  29. Ю. А., Руколеев С. И., Лоскутов В. С. Низкотемпературный фотолиз и люминисценция азидов свинца, серебра и таллия // Химия высоких энергий. 1979. — Т. 13, № 1. — С. 61−65.
  30. Г. М., Сидорин Ю. Ю., Дзюбенко Ф. А. Оптические характеристики кристаллов азида серебра // Журнал прикладной спектроскопии. -1987. Т. 46, № 5. — С. 864−865.
  31. Ф. И. Структурно-деформационные дефекты в нитевидных кристаллах азидов тяжелых металлов и их роль в электрополевом разложении: Автореф. дисс.. д-ра хим. наук. Кемерово, 1997. 43 с.
  32. Г. М. Неравновесная проводимость в процессе фотохимической реакции в азиде серебра // Автореф. дисс.. канд. физ-мат. наук. Кемерово: КемГУ, 1986.-22 с.
  33. Collton R. I., Rabalais I. W. Elektronic structure of some inorganic azides from X-ray electron spectroscopy // J. Chem. Phys. 1976. — Vol. 64, № 8. — P. 3481−3486.
  34. Downs D. S., Christoc C. W. Pressure and Optical Absorption of T1N3 // J. Chem. Phys. 1975. — Vol. 63. — P. 3372−3378.
  35. Ю. А., Колесников JI.B., Черкашин A.E. Энергетика и природа энергетических зон азида серебра // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. -1978. Т. 14, № 7. — С. 1283−1288.
  36. P., Waddington Т. С. Temiochemistry and reactivity of the azides. II Lattice energies of ionic azides, electron affinity and heat of formation the azide radical and the related properties // Proc. Roy. Soc. 1956. — Vol. 235. — P. 481−489.
  37. Faer H. D., Forsyth A. C. Optical and Electrical Properties of Thin Films of a-PbN6 // J. Phys. Chem. Solids. 1969. — Vol. 30. — P. 2559−2570.
  38. Garret W. L., Wigand D. A. Photodecomposition Kinetic of a-PbN6 Studied by Optical Extinction and N2 Gas Evolution // J. Phys. Chem. 1982. — Vol. 86. -P. 3880−3894.
  39. Gora Т., Downs D. S., Kemmey P. I., Shanna I. Electronic structure of the azide ion and metal azide // Energetic materials. New York and London: Plenum Press. — 1977. — Vol. 1. — P. 193−249.
  40. А. В., Прохорин E. В., Яковлев В. В., Манелис Г. Б. Исследование фотохимического разложения азида серебра // Химия высоких энергий. 1976. — Т. 10, № 1.-С. 59−63.
  41. Evans В. L., Yoffe A. D. Absorption Spectrum and Associated Photoconductivity of pure and decomposed crystalls of thallium azide // Nature. 1959. -Vol. 183, № 4670.-P. 1241−1244.
  42. Shanna J. Photodecomposition results Fluorescence in Thallium Azide // Bull. Amer. Phys. Soc. 1968. — Vol. 13. — P. 421−429.
  43. Faer H. D., Downs D. S. Optical Absorption of T1N3 Thin Films // Bull. Amer. Phys. Soc. 1971, — Vol. 16. — P. 519−525.
  44. Wiegand D. A. Photoproduction of disorder in a-PbN6 and T1N3 // Phys. Rew. B. 1974. — Vol. 10. № 4. — P. 1241−1247.
  45. Bartlett В. E., Tomkins F. C., Jong D. A. The decomposition of silver azide // Bull. Am. Phys. Soc. 1960. — Part 1. — Vol. 5, № 7. — P. 206−216.
  46. Ю. А., Гасьмаев В. К., Колесников Л. В. О механизме процесса ядрообразования при термическом разложении азидов серебра // Журнал физической химии. 1976. — Т. 50, № 7. — С. 1669−1673.
  47. В. К., Захаров Ю. А. Характер электропроводности и термическое разложение азида серебра // Журнал физической химии. 1972. — Т. 46, № П.- С. 2967. — Деп. в ВИНИТИ 4.07.1972г&bdquo- № 4559−72.
  48. В. К. Исследование механизма термического разложения азида серебра электрофизическими методами: Дисс.. канд. хим. наук: 02.00.04. Томск, 1973. — 176 с.
  49. Ю. А., Сидорин Ю. Ю., Кучис Е. В. Холловская подвижность носителей заряда в азиде серебра // Неорганические материалы. 1979. — Т. 15, № 8.-С. 1397−1401.
  50. Ю. Ю. Особенности эффекта Холла в полупроводниках со смешанной ионной и электронной проводимостью //В сб.: Химия твердого состояния. Кемерово: КемГУ, 1980. — 60 с.
  51. Ю. Ю. Механизмы электронного переноса в AgN3 // В сб.: Химия твердого состояния. Кемерово: КемГУ, 1980. — 152 с.
  52. Ю. Ю. Эренбург Б. Г., Захаров Ю. А. Полиморфное приближение в AgN3 // Журнал физической химии. 1981. — Т. 1. — С. 254−255.
  53. С. П. Изучение дырочной и ионной проводимости в поляризационной ячейке Вагнера. 4.II. // В сб.: Химия твердого состояния. Кемерово: КемГУ, 1980. — С. 14−21.
  54. С. П., Захаров Ю. А. Изучение дырочной и ионной проводимости в поляризационной ячейке Вагнера. 4.1 // В сб.: Химия твердого состояния. Кемерово: КемГУ, 1980. — С. 3−13.
  55. Ю. А., Баклыков С. П. Процессы возбуждения и переноса электронов в азиде свинца // Неорганические материалы. 1979. -№ 12. — С. 2146−2152.
  56. Verneker P. V. R., Forsyth А.С. Photodecomposition of a-PbN6 in the Solid State // J. Phys. Chem. 1967. — Vol. 72, № 12. — P.3736−3741.
  57. Ю. А., Савельев Г. Г. Изменение термической, фото- и радиационной устойчивости твердых неорганических соединений // Изв. ТПИ. -1970. Т. 176. — С. 35−59.
  58. В.В. О некоторых особенностях механизма реакций термического распада твердых тел // Кинетика и катализ. 1967. — Т. 8. — С. 11 791 189.
  59. Ю. А., Суровой Э. П., Колесников Л. В. Влияние добавок неорганических полупроводников на фотолиз азида серебра // Деп. в ВИНИТИ. 1976, от 11.03.76. № 726−76. 21с.
  60. Ю. А., Черкашин А. Е., Колесников Л. В., Кагцеев С. В. Исследование методом внешней фотоэмиссии электронной структуры азида серебра // Изв. ВУЗов. Сер. Физика. 1975. — № 6. — С. 44−50.
  61. Л. В. Спектры энергетических состояний и некоторые особенности реакции разложения азидов тяжелых металлов: Дисс.. канд. хим. наук: 02.00.04. Минск, 1978. — 165 с.
  62. Г. Г., Захаров Ю. А., Гаврищенко Ю. В. Фотолиз азидов тяжелых металлов и его оптическая сенсибилизация // Журн. научн. и прикл. фотогр. и кинематогр. 1969. — Т. 14, № 6. — С. 466−468.
  63. Ю. А., Гаврищенко Ю. В., Абакумов Е. П. Стадии переноса зарядов в фотолизе некоторых твердых неорганических азидов // Элементарные процессы химии высоких энергий: II Всесоюзн. совещ.: Тез. докл. -М., 1971. С. 55−56.
  64. Ю. В., Савельев Г. Г., Захаров Ю. А. Сенсибилизация фотопроводимости и фото-ЭДС азидов тяжелых металлов, окрашенных органическими красителями // Изв. ТПИ. 1970. — Т. 185. — С. 69−71.
  65. Ю. В., Савельев Г. Г., Захаров Ю. А. Влияние электрического потенциала поверхности на сенсибилизированный фотолиз азида свинца//Изв. ТПИ. 1969. -Т. 199. -С. 112−115.
  66. Г. Г., Гаврищенко Ю. В., Захаров Ю. А. Фото-ЭДС в азидах свинца и серебра // Изв ВУЗов. Сер. Физика. 1968. — № 7. — С. 71−72.
  67. Кук М. А. Наука о промышленных взрывчатых веществах. М.: Наука. -1980. — 56 с.
  68. Ю. А., Руколеев С. И., Лоскутов В. С. Термостимултрованная люминисценция азида свинца // Томск, политехи, ин-т. Томск. — 1975. -9 с. — Деп. в ВИНИТИ 1975, № 3276.
  69. Ю. А., Руколеев С. И., Лоскутов В. С. Электроника фотохимического разложения азидов и галогенидов тяжелых металлов // Совещ. по хим. кинетике в твердом теле: Материалы. Новосибирск, 1977. С. 45−51.
  70. В. Г. Анализ механизмов и кинетика реакций твердофазного разложения некоторых соединений со сложным анионом: Автореф. дис.. канд. физ.-мат. наук: 02.00.04. Кемерово: КемГУ, 1982. -23 с.
  71. Deb S. К. Optical absorption spectra of azides // Trans. Farad. Soc. 1970. -Vol. 66.-P. 471−476.
  72. Э. П. Катализ металлами и полупроводниками процесса фотолиза азидов свинца и серебра: Автореф. дис.. канд. хим. наук. 02.00.04. Минск: БГУ, 1977.-22 с.
  73. Г. Г., Гаврищенко Ю. В., Щеринский В. Л, Руколеев С. И. О механизме фотолиза азида свинца // Изв. ТПИ. 1960. — Т. 199. — С. 116 118.
  74. J. G., Tompkins F. С. On the Decomposition of Metallic Azides // J. Chem. Phys. 1952. — Vol. 20, № 4. — P.662−666.
  75. Grey P. Chemistry of Inorganic azides // Qwart. Rev. 1963. — Vol. 17, № 1. -P. 441−473.
  76. Ю. А., Абакумов Е. П., Суровой Э. П. Сенсибилизация фотолиза азида серебра // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. Иваново, 1973. -10 с. — Деп. в ВИНИТИ 28.09.73. № 6848−73.
  77. Ю. А., Абакумов Е. П., Суровой Э. П. Фотолиз азидов свинца, серебра и некоторых систем на их основе // Изв. ТПИ. 1970. — № 251. -С. 373−382.
  78. С. М. Радиационная химия азидов тяжелых металлов. Дис.. докт. хим. наук, 02.00.09. Кемерово: КемГУ, 1984.-411 с.
  79. Ю. А., Савельев Г. Г., Вотинова Л. А., Болдырев В. В. Изменение добавками физико-химических свойств твердых тел. 3. Изучение некоторых свойств азида серебра, содержащего добавки РЬ и1. СОз // Кинетикаи катализ. 1964. — Т. 5, № 5. — С. 807−814.
  80. Г. Г., Захаров Ю. А., Шечков Г. Т. Изучение систем «PbN6 -CuN6» в области составов, богатых РЬЫб // Физика и техника полупроводников. 1974. — Т. 8, — С. 384−386.
  81. Г. Г., Захаров Ю. А., Шечков Г. Т., Васютова Р. А. Влияние добавок Си 2+ и Ag+ на термическое разложение, электропроводность и фотопроводимость азида свинца // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. -1967.-Т. 10, № 11.-С. 1191−1194.
  82. Evans В. L. Structure and Stability of Inorganic Azides // Proc. Roy. Soc. -1958.-Vol. 264.-P. 199−202.
  83. Verneker V. R. Pai. Photodecomposition of Solid Metal Azides // J. Phys. Chem. 1968. — Vol. 72, № 5. — P. 1733−1736.
  84. Jacobs R. W. M., Tompkins F. S., Verneker V. R. Pai. The photochemical decomposition of barium azide // J. Phys. Chem. 1962. — Vol. 66. — P. 11 131 118.
  85. Ю. А., Суровой Э. П., Абакумов E. П. Закономерности и схемы фотолиза азидов свинца и серебра на глубоких стадиях превращения // Томск, политехи, ин-т. Томск, 1975. — 20 с. — Деп. в ВИНИТИ 09.01.76, № 61−76.
  86. Э. П., Захаров Ю. А. Катализ металлами продуктами разложения процесса фотолиза азидов свинца и серебра // Сб. «Вопросы кинетики и катализа». Иваново, 1978. — С. 59−62.
  87. Э. П., Грибанова Т. И., Власов А. П. /Фотолиз гетеросистем «азид таллия таллий (продукт фотолиза)» // VI Всесоюзн. совещ. по фотохимии: Тез. докл., 16−18 мая 1989 г., — Новосибирск, 1989. — 4.II. — С. 259.
  88. Э. П., Сирик С. М., Килина И. К., Бугерко Л. Н. Кинетика фотолиза азида серебра в катионной подрешетке / Кемеровский гос. ун-т. -Кемерово. 1996. — 11с. — Деп. в ВИНИТИ от 11.04.97, № 1203-В97.
  89. Э. П., Сирик С. М., Бугерко JI. Н. Катализ фоторазложения азида серебра продуктами реакции // Химическая физика. 1999. — Т. 18, № 2. -С. 44−46.
  90. Э. П., Захаров Ю. А., Бугерко Л. Н., Шурыгина Л. И. Автокатализ фотолиза азида таллия // Химия высоких энергий. 1999. — Т. 33, № 5. -С. 387−390.
  91. С. М. Фотолиз азида серебра и гетеросистем «азид металл», «азид — полупроводник»: Автореф. дис. .канд. хим. наук. 02.00.04. Кемерово: КемГУ, 1999. — 25 с.
  92. Л.И. Фотолиз азида таллия и гетеросистем на его основе: Автореф. дис. .канд. хим. наук. 02.00.04. Кемерово: КемГУ, 2000. 20 с.
  93. Ю. А., Суровой Э. П. Сенсибилизация фотолиза азида свинца неорганическими полупроводниками // Физика и техника полупроводников. 1974. — Т. 8, № 2. — С. 385−387.
  94. Ю. А., Суровой Э. П. Сенсибилизация металлами и полупроводниками фоточувствительности азида свинца // Бессеребряные и необычные фотографические процессы: II Всесоюзн. конф.: Тез. докл., -Кишинев: Кишиневский гос. ун-т, 1975. 4.2. — С. 121−123.
  95. Э. П., Титов Б. А., Абакумов Е. П., Балин В. И. Сенсибилизация фотолиза азида серебра неорганическими полупроводниками // Обл. науч. конф. ВХО им. Д. И. Менделеева: Тез. докл., Томск, 1973. — С. 5152.
  96. Э. П., Кулагин Д. Г., Бараулина Н. П., Петренко И. В. Сенсибилизация полупроводниками фоточувствительности азидов серебра и свинца // Молодые ученые Томской обл. в IX пятилетке: Научн. практ. конф.: Тез. докл., Томск, 1975. — С. 44−47.
  97. Ю. А., Абакумов Е. П., Суровой Э. П., Титов Г. А. Исследование фотолиза азидов свинца, серебра и некоторых систем на их основе // Сб. аннотаций НИР. Томск: ТГУ, 1975. — Вып.6. — С. 83−84.
  98. Ю. А., Суровой Э. П. Контактный катализ полупроводниками фотопроцессов в азидах тяжелых металлов // Воздействие ионизирующего излучения на гетерогенные системы: I Всесоюзн. совещ.: Тез. докл., 11−13 окт. 1976 г., М.: ВНИИОФИ, 1976. — С. 57−58.
  99. Ю. А., Суровой Э. П., Серков Н. В. Катализ металлами фотопроцессов в азидах свинца и серебра // Воздействие ионизирующего излучения на гетерогенные системы: I Всесоюзн. совещ.: Тез. докл., 11−13 окт. 1976 г., -М.: ВНИИОФИ, 1976.-С. 59.
  100. Ю. А., Журавлев В. К., Суровой Э. П. Электронные и ионные процессы при фотолизе и регулировании фотохимической чувствительности // III Всесоюзн. совещ. по фотохимии: Тез. докл., 8−11 июня 1977 г., -Ростов н/Д, 1977. С. 248−249.
  101. Ю. А., Суровой Э. П., Кулагин Д. Г., Шустов М. А. Катализ и ингибирование металлами и полупроводниками фотопроцессовв азидах тяжелых металлов // III Всесоюзн. совещ. по фотохимии: Тез. докл., 8−11 июня 1977 г., Ростов н/Д, 1977. — С. 252.
  102. Ю. А., Суровой Э. П., Кулагин Д. Г., Шустов М. А. Сенсибилизация полупроводниками фоточувствительности азидов свинца и серебра // Томск, политехи, ин-т. Томск. — 1976. — 22 с. — Деп. в ВИНИТИ 10.11.77, № 4203−77
  103. Э. П., Захаров Ю. А. Влияние металлов на фотохимическую и фотоэлектрическую чувствительность азидов свинца и серебра // Томск, политехи, ин-т. Томск. — 1976. — 23 с. — Деп. в ВИНИТИ 11.10.77, № 4065−77.
  104. Э. П., Захаров Ю. А. Исследование методом контактной разности потенциалов состояния поверхности и энергетики электронных уровней в AgN3 и PbN6 // Томск, политехи, ин-т. Томск. — 1977. — 21 с. -Деп. в ВИНИТИ 21.02.78, № 644−78.
  105. Ю. А., Суровой Э. П., Кулагин Д. Г. Фотолиз азида таллия в электрическом поле // Химия твердого состояния. Кемерово: КемГУ, 1980. — С. 42−47.
  106. Ю. А., Суровой Э. П. Сенсибилизация металлами фотохимической и фотоэлектрической чувствительности азидов серебра и свинца // Журн. научн. и прикл. фотогр. и кинематогр. 1981. — Т. 26, № 1. — С. 2429.
  107. Э. П. Катализ полупроводниками фотопроцессов в азидах свинца и серебра // Томск, политехи, ин-т. Томск, 1980. — 18 с. — Деп. в ОНИИТЭХИМ, г. Черкассы, 22.02.81, № 169 хп — Д81.
  108. Э. П., Шустов М. А., Лоскутов В. С. Влияние полупроводников на фоточувствительность азидов и иодидов тяжелых металлов // Всесоюзы. совещ. по фотохимии: Тез. докл., 18−20 нояб. 1981 г., Ленинград, 1981. — С. 266−267.
  109. Э. П., Ляшко А. П., Лоскутов В. С. Фотостимулированная проводимость гетерофазных систем на основе азида таллия // Материалы Менделеевской конф., Томск, 1983. — С. 6−8. — Деп. в ОНИИТЭХИМ г. Черкассы, № 919хп — Д84.
  110. Э. П., Черников Е. В., Вичканов А. П., Лоскутов В. С. Фотолиз азидов тяжелых металлов в электрическом поле // Материалы Менделеевской конф., Томск, 1983. — С. 9−10. — Деп. в ОНИИТЭХИМ г. Черкассы, № 919хп- Д84.
  111. Э. П., Шустов М. А., Лоскутов В. С. Фотостимулированные процессы в системах «светочувствительная соль металл (полупроводник)» //1 Всесоюзн. совещ. по фотохимии: Тез. докл., 18−22 февр. 1985 г., -Суздаль, 1985. — С. 270.
  112. Э. П., Черников Е. В., Лоскутов В. С. Стимулированные процессы фоторазложения нестабильных систем электрополем // I Всесоюзн. совещ. по фотохимии: Тез. докл., 18−22 февр. 1985 г., Суздаль, 1985. — С. 271.
  113. Э. П., Ляшко А. П., Лоскутов В. С. О природе длинноволновой фоточувствительности структур «азид металл» // 1 Всесоюзн. совещ. по фотохимии: Тез. докл., 18−22 февр. 1985 г., — Суздаль, 1985. — С. 273.
  114. Э. П., Грибанова Т. И., Степанчук Е. А. Особенности термо-стимулированных процессов в гетеросистемах на основе азида таллия //
  115. Воздействие ионизирующего излучения на гетерогенные системы: IV Всесоюзн. совещ.: Тез. докл., 28−30 нояб. 1979 г., Кемерово: КемГУ, 1986.-Ч. I.-С. 96.
  116. Э. П., Грибанова Т. И. Кинетические особенности фотолиза систем «азид металл» // Воздействие ионизирующего излучения на гетерогенные системы: IV Всесоюзн. совещ.: Тез. докл., 28−30 нояб. 1979 г., -Кемерово: КемГУ, 1986. — Ч. II. — С. 128.
  117. Томск, 1985. С. 303−308. — Деп. в ОНИИТЭХИМ, г. Черкассы, 26.09.86, № 1075 хп — Д86.
  118. Э. П., Бугерко JI. Н. Фотохимические процессы в фоточувствительных системах «азид таллия металл» // Бессеребряные и необыч. фотограф, процессы: V Всесоюзн. конф.: Тез. докл., 5−9 дек. 1988 г., -Суздаль, 1988. — Ч. II. — С. 198.
  119. Э. П., Макарова И. Ю., Серков Н. В., Шустов М. А., Лоскутов В. С. Катализ металлами фотопроцессов в иодидах свинца и висмута //
  120. Воздействие ионизирующего излучения на гетерогенные системы: II Все-союзн. совещ.: Тез. докл., 28−30 нояб. 1979 г., — Кемерово: КемГУ, 1979. -С. 114.
  121. Э. П., Грибанова Т. И. Определение параметров газового потока при фотолиз азидов тяжелых металлов и систем на их основе // Томск, политехи, ин-т. Томск. — 1988. — 7 с. — Деп. ОНИИТЭХИМ, г. Черкассы, от 25.05.89, № 491 хп — Д89.
  122. Э. П., Власов А. П. Фотоэлектрическая чувствительность ге-теросистем «азид таллия алюминий» в поле излучения // Радиационные гетерогенные процессы: V Всесоюзн. совещ.: Тез. докл., 28−31 мая 1990 г., -Кемерово: КемГУ, 1990. — Ч. II. — С. 23−24.
  123. А. П., Суровой Э. П. Фотоэлектрическая чувствительность ге-теросистем «азид таллия алюминий» в поле излучения // Журнал физической химии. — 1991. — Т. 65, № 6. — С. 1465−1469.
  124. Э. П., Захаров Ю. А., Грибанова Т. И., Власов А. П. Термо-стимулированное газовыделение из фоточувствительных систем «азид таллия металл» // Журнал физической химии. — 1991. — Т. 65, № 6. — С. 1547−1551.
  125. Э. П., Бугерко Л. Н. Фотолиз гетеросистем «азид таллия металл» // Международ, конф. по фотохимии: Тез. докл., 6−8 окт. 1992 г., -Киев, 1992. — С. 80.
  126. Э. П., Бугерко Л. Н., Захаров Ю. А. Низкотемпературный фотолиз гетеросистем «азид свинца металл» // Международ, конф. по фотохимии: Тез. докл., 6−8 окт. 1992 г., — Киев, 1992. — С. 81.
  127. Э. П., Захаров Ю. А., Бугерко Л. Н. Переходы в гетеросисте-мах «азид свинца полупроводник» // Российская научн. — техн. конф. по физике диэлектриков: Тез. докл., — Санкт-Петербург, 1993. — Ч. I. — С. 145 146.
  128. Э. П., Сазонова С. Ю. Изучение кинетических особенностей фототока в гетеросистемах «азид таллия металл» // Научн. конф. посвящ. 40-летию КГПИ-КемГУ: Тез. докл., — Кемерово, 1994. — Ч. II. — С. 101.
  129. Э. П., Захаров Ю. А., Бугерко Л. Н., Сирик С. М. Кинетика фотолиза азида серебра // Радиационные гетерогенные процессы: VI Международ. конф.: Тез. докл., 29 мая 1 июня 1995 г., — Кемерово: КемГУ, 1995.-Ч. I.-С. 39−40.
  130. Э. П., Бугерко Л. Н., Захаров Ю. А., Сирик С. М. Фотолиз гетеросистем «азид серебра полупроводник» // Радиационные гетерогенные процессы: VI Международ, конф.: Тез. докл., 29 мая 1 июня 1995 г., — Кемерово: КемГУ, 1995. — Ч. I. — С. 203−204.
  131. Э. П., Захаров Ю. А., Бугерко Л. Н. Определение работы выхода электрона из азидов серебра, свинца и таллия // Неорганические материалы. 1996. — Т. 32. — № 2. — С. 162−164.
  132. Э. П., Сирик С. М., Бугерко Л. Н., Захаров Ю. А. Фотолиз ге-теросистем «азид серебра СёБ» // IX Международ, конф. по радиационной физике и химии неорган, материалов (РФХ-9): Тез. докл., 23−25 апр. 1996 г., — Томск, 1996. — С. 369.
  133. Э. П., Сирик С. М., Бугерко Л. Н. Определение количественных характеристик газового потока методом полного разложения // Кемеровский гос. ун-т. Кемерово. — 1996. — 15 с. — Деп. в ВИНИТИ 24.05.96, № 1677-В96.
  134. Э. П., Сирик С. М., Бугерко JI. Н. Кинетика фотолиза азида серебра // Кемеровский гос. ун-т. Кемерово. — 1996. — 15 с. — Деп. в ВИНИТИ 23.07.96, № 2517-В96.
  135. Э. П., Шурыгина Л. И., Бугерко JI. Н. Изучение фотоэлектрических свойств «азид таллия алюминий (индий)» // Кемеровский гос. унт. — Кемерово. — 1996. — 21 с. — Деп. в ВИНИТИ 04.09.96, № 2766-В96.
  136. Э. П., Сирик С. М., Бугерко Л. Н. Кинетика фотолиза гетеро-систем «AgN3 CdS» // Кемеровский гос. ун-т. — Кемерово. — 1996. — 18 с-Деп. в ВИНИТИ 29.01.97, № 266-В97.
  137. Э. П., Бугерко Л. Н., Шурыгина Л. И. Фотоэлектрические явления в гетеросистеме «азид таллия сульфид кадмия» // Кемеровский гос. ун-т. — Кемерово. — 1997. — 21 с. — Деп. в ВИНИТИ 03.12.97, № 3549-В97.
  138. Э. П., Шурыгина Л. И. Изучение процессов на границе раздела «T1N3 CdTe» // Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-7): VII Международ, конф.: Тез. докл., 6−9 окт. 1998 г., -Кемерово. 1998. — Ч. III. — С. 247.
  139. Э. П., Кулагин Д. Г., Шустов М. А. Светочувствительные характеристики систем иодид висмута металл // Томск, политехи, ин-т. -Томск. — 1980. — 5 с. — Деп. в ВИНИТИ 10.02.81, № 145 хп — Д81.
  140. Э. П., Макеев М. А., Адушев Г. П., Кравцов А. В. Темновые и радиационные процессы в системах на основе неорганических азидов // Материалы Менделеевской конф., Томск, 1983. — С. 13−14. — Деп. в ОНИИТЭХИМ, г. Черкассы, № 919 хп — Д84.
  141. Э. П., Сирик С. М., Бугерко Л. Н. Кинетика фотолиза гетеро-систем азида серебра с теллуридом кадмия и оксидом меди (1) // Журнал физической химии. 2000. — Т. 74, № 5. — С. 927−933.
  142. A.B. Электронные процессы на поверхности полупроводников. -М.: Наука, 1971. -480 с.
  143. А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник. М.: Мир, 1975. — 432 с.
  144. В. И., Бузанева Е. В., Радзиевский И. А. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. М.: Советское радио, 1974. — 248 с.
  145. . И., Зимогорова Н. С., Трукан М. К., Тучкевич В. М. Некоторые фотоэлектрические свойства р-n переходов фосфид галлия-арсенидгаллия // Физика и техника полупроводников. 1965. — Т. 7, № 4. — С. 1235−1236.
  146. . И., Андреев В. М., Зимогорова Н. С., Третьяков Д. Н. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов // Физика и техника полупроводников. 1969. — Т. 3,№ 11. — С. 1633−1637.
  147. . В., Голдберг Ю. А., Изерчин А. П., Поссе Е. А., Равич В. Н., Рафиев Т. Ю., Сильверстова Н. Ф. Свойства поверхностно-барьерных структур металл n-GaP // Физика и техника полупроводников. — 1972. -Т. 6, № 4.-С. 710−714.
  148. В. А., Попов В. Б., Снитко О. В. Определение напряженности электрического поля у контакта металл-полупроводник методом электропоглощения // Физика и техника полупроводников. 1972. — Т. 6, № 1. -С. 179−181.
  149. . А., Кравченко А. Ф., Лобурец А. С., Терехов А. С. Электро-оражение барьеров Шоттки // Физика и техника полупроводников. 1972. -Т. 6. — С. 1754−1759.
  150. Ю. А., Поссе Е. А., Царенков Б. В. Электрические свойства поверхностно- барьерных диодов Au-n-GaP // Физика и техника полупроводников. 1971. — Т. 5. — С. 468−476.
  151. А. А., Дмитриев М. В., Наследов Д. Н. Фоточувствительность поверхностно- барьерных диодов Au-n-GaP в области спектра 1,4−5,2 эВ // Физика и техника полупроводников. 1972. — Т. 6. — С. 502−508.
  152. Meed С. A. Metal-semiconductor surface barriers // Solid Stat. Electron. -1966. Vol. 9.-P. 1023−1033.
  153. Электронные явления на поверхности полупроводников: Сб. статей / Под ред. В. И. Ляшенко. Киев: Наукова думка, 1968. — 364 с.
  154. W. Н., Bardeen I. Surface properties of germanium // Bell. Syst. Teckn. J. 1953. — Vol. 32, № 1. — P. 1−41.
  155. Ф. Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М.: Наука, 1987. — 432 с.
  156. Ф. Ф. Физико- химия поверхности полупроводников. -М.: Наука, 1972.-399 с.
  157. В. Ф., Крылов О. В. Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках. М.: Наука, 1979. — 236 с.
  158. Электронные явления в адсорбции и катализе / Под ред. Ф. Ф. Воль-кенштейна. М.: Мир, 1969. — 398 с.
  159. JI. А., Куракин С. И. Массовая кристаллизация азида серебра // Кемеровский гос. ун-т. Кемерово. — 1994. — 14 с. — Деп. в ВИНИТИ, № 1370−94.
  160. JI. А., Пугачев В. М. Способы получения монодисперсных порошков азида серебра // Кемеровский гос. ун-т. Кемерово. — № 98 100 833- заявлено 19.01.98- Россия, МПК6 G01B 21/08. — 10 с.
  161. Э. С. Термическая устойчивость азидов серебра, свинца и таллия в присутствии гетерофазных добавок: Автореф. дисс.. канд. хим. наук: 02.00.04. Томск. ТГУ, 1973. — 20 с.
  162. М. А., Ерохин А. В. Измерение вакуума. М.: Изд. комитета стандартов, 1967. — 147 с.
  163. Г. А., Захаров Ю. А. О возможности изучения фотолиза и спектральной сенсибилизации этого процесса твердых соединений // Изв. ТПИ. 1969. — Вып. 199. — С. 44−46.
  164. М. А. Определение квантового выхода методом полного разложения // Томск, политехи, ин-т. Томск, 1982. — 10 с. — Деп. в ОНИИ-ТЭХИМ, г. Черкассы, № 52−83.
  165. М. А., Захаров Ю. А. Определение квантового выхода фотолиза по оптическим данным методом полного разложения // Изв. Вузов Химия и хим. технология. 1979. — Т. 22. — № 7. — С. 827−830.
  166. С. М. Автопроявление при растворении облученного азида серебра // Журн. научн. и прикл. фотогр. и кинематогр. 1983. — Т.28, № 1. — С. 42−46.
  167. И. В., Сухан В. В. Аналитическая химия серебра. М.: Наука, 1979.-256 с.
  168. X. 3. Инверсионная вольтамперометрия твердых фаз. М.: Химия, 1972. — С. 44−47.
  169. Ф., Штулик К., Юлакова Э. Инверсионная вольтамперометрия. -М.: Мир, 1980.-240 с.
  170. X. 3., Нейман Е. Я. Твердофазные реакции в аналитической химии. М.: Химия, 1982. — С. 224−228.
  171. Ю. А. Электронная система для вольтамперометрического анализа // Кемеровский гос. ун-т. Кемерово. — № 93 021 666/25- заявлено 26.04.92- Россия, МПК6С0Ш 27(30, 27)/48. — 8 с.
  172. С. М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963. — 494 с.
  173. П. С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа, 1969. -592 с.
  174. А. Ф. Физика полупроводников. М.-Л.: Изд.-во АН СССР, 1955.-96 с.
  175. А. И. Теория выпрямляющего действия полупроводников. -М.: Гостехиздат, 1956. 348 с.
  176. Bardeen I., Morrison S. R. Surface barriers and surface conductance // Physica. 1954. — Vol. 20. — P. 873−884.
  177. A. M., Лансман А. П. Полупроводниковые фотопреобразователи. M.: Советское радио, 1971. — 246 с.
  178. . М. Контактная разность потенциалов и ее влияние на работу электровакуумных приборов. М.-Л.: Гостехиздат, 1949. — 172 с.
  179. М. В. Физика контактной разности потенциалов // Деп. в ВИНИТИ, 1987, № 2270-В 87.
  180. . Л., Пурохит Р. К. Полупроводниковые гетеропереходы. М.: Сов. радио, 1979.-232 с.
  181. Ardashev I.V. and Samoylovich D.M. Silver halide crystals and conception of space charge // Phot. Sei. and Eng. 1973. — Vol. 17. — № 3. — P. 348−350.
  182. Г. Б., Парицкий П. Г., Рыбкин С. Н., Туланов В. Т. Влияние постоянного электрического поля на эффект Роттштейна // Журн. научн. и прикл. фотогр. и кинематогр. 1976. — Т.21. — Вып.1. — С. 59−62.
  183. М. А., Пименов Ю. Д. Управление процессами формирования изображения в неорганических светочувствительных материалах // Успехи научной фотографии. 1980. — Т.20. — С. 96−105.
  184. А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977.-526 с.
  185. В. Н., Сальман Е. Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах. Новосибирск: Наука, 1979. — 336 с.
  186. A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М.: Высшая школа, 1982. — 376 с.
  187. О. Л. Кинетические особенности фото- и радиационных процессов в системах с ростом центров рекомбинации: Автореф. дис.. канд. физ.-мат. наук: 02.00.04. Кемерово: КемГУ, 1990. — 22 с.
  188. С. И., Пугачев В. М. Фотоиндуцированный фазовый переход в азиде серебра // Изв. РАН. Неорган, материалы. 1993. — Т.29. — № 8. — С. 1105−1108.
  189. А. Я. Гетерогенные химические реакции. Кинетика и механизм. М.: Наука, 1980. — 264 с.
  190. . У., Гуревич Ю. Я. Частицы металла в диэлектриках // Физика твердого тела. 1970. — Т. 12. — № 11. — С. 3380−3382.
  191. . У., Гуревич Ю. Я. Связь эффекта Гершеля с электронной фотоэмиссией // Доклады АН СССР. 1970. — Т.191. — № 1. — С. 115 118.
  192. А. М., Гуревич Ю. Я. Теория электронной эмиссии из металлов. М.: Наука, 1973. — 256 с.
  193. А. Ф. Полупроводники в современной физике. M.-JI.: Изд.-во АН СССР, 1954.-355 с.
  194. В. И. Управление процессом медленного разложения в азидах серебра и свинца электрическим и магнитным полями: Автореф. дис.. д-ра физ.-мат. наук: 02.00.04. Кемерово: КемГУ, 1999. — 42 с.
  195. Неменов JI. JL, Соминский М. С. Основы физики и техники полупроводников. Л.: Наука, 1975. — 355 с.
  196. В. С., Подчерняева И. А. Эмиссионые и адсорбционные свойства веществ и материалов: Справочник. М.: Атомиздат, 1975. — 320 с.
  197. В. С. Эмиссионые свойства элементов и химических соединений. Киев.: Наукова думка, 1964. — 103 с.
  198. Г. Г., Захаров Ю. А. Изменение добавками физико-химических свойств твердых тел. 2. Влияние полупроводниковых контактов на термическую устойчивость оксалата серебра // Изв ВУЗов. Химия и хим технология. 1964. — Т. 7, № 5. — С. 786−788.
  199. Ю. А., Курочкин Э. С., Савельев Г. Г., Руфов Ю. Н. Изменение добавками физико-химических свойств твердых тел. 7. Влияние гетеро-фазных примесей на термическую устойчивость азида серебра // Кинетика и катализ. 1966. — Т.7, № 3. — С. 425−431.
  200. В. Г., Ляшенко В. И., Фролов О. С. Поверхностные свойства полупроводников. М.: Изд-во АН СССР, 1962. — 360 с.
  201. В.И., Литовченко В. Г. Влияние адсорбции молекул на работу выхода и проводимость германия // Журн. технической физики. 1958. -Т. 28, № 3, — С. 447−454.
  202. Ю. А., Шечков Г. Т., Савельев Г. Г., Каплин В. А., Свободин Е. Н. Изучение начальной стадии термолиза а- РЬЫб // Кинетика и катализ. -1970. Т. 11, № 3. — С. 623−630.
  203. . Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973. -456 с.
  204. . П., Алукер Э. Д., Белокуров Г. М., Захаров Ю. А., Кречетов А. Г. Взрывное разложение азидов тяжелых металлов // ЖЭТФ. 1999. — Т. 116, В. 5(11).-С. 1676−1693.
  205. Э.П., Сирик С. М., Бугерко Л. Н. Фотолиз гетеросистем AgNЗ (А1) металл // Химическая физика. — 2000. — Т. 19, № 8. — С. 20−23.307
  206. Э.П., Сирик С. М., Бугерко JI.H. Закономерности образования твердофазного продукта фотолиза азида серебра // Химическая физика. -2000. Т. 19, № 10. — С. 68−71.
  207. Э.П., Сирик С. М., Захаров Ю. А., Бугерко J1.H., Килина И. К. Образование серебра в процессе фотолиза азида серебра // Журнал научной и прикладной фотографии. 2000. — Т. 45, № 4. — С. 14−20.
  208. А. с. № 1 325 332 (СССР). Устройство для измерения спектров отражения в вакууме. Турова А. И., Адушев Г. П., Суровой Э. П., Косицин Л. Г., Михайлов М. М., Наумов В. Ф., Рахлина С. А. Б.И., 1987, № 27.
  209. A.c. № 244 284 (СССР), от 1.10.1986. Грибанова Т. Н., Суровой ЭЛ., Шустов М. А. опубликованию не подлежит.
  210. А. с. № 255 657 (СССР), от 1.06.1987. Шустов М. А., Суровой Э. П. -опубликованию не подлежит.
  211. А. с. № 263 316 (СССР), от 1.10.1987. Грибанова Т. Н., Суровой Э. П., Степанчук Е. А. опубликованию не подлежит.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?