Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Компьютерное моделирование роста наноструктур: нанокластеров и нанокристаллов

Диссертация: Компьютерное моделирование роста наноструктур: нанокластеров и нанокристаллов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Комбинируя осаждаемые материалы, тип подложки, и задавая условия роста, можно получать как массивы нанокластеров (а в дальнейшем, тонкие пленки), так и массивы нитевидных нанокристаллов. При этом' типг формирующейся кристаллическойструктуры иморфология нанокластеров или нанокристаллов будет в значительной^ степени1 определяться, процессами, протекающимина-начальной стадии их роста. Кроме этого… Читать ещё >

Содержание

  • наноструктур
    • 1. 1. Роль наноструктур в полупроводниковой технологии
    • 1. 2. Механизмы роста наноструктур
    • 1. 3. Теоретические исследования наноструктур
      • 1. 3. 1. Теория зародышеобразования
      • 1. 3. 2. Методы компьютерного моделирования
        • 1. 3. 2. 1. Методы расчета из первых принципов
        • 1. 2. 3. 2. Метод молекулярной динамики 38 1.3.2.3 Метод Монте-Карло 44 1.3.2.4. Метод кинетических уравнений
    • 1. 4. Цели и задачи работы
  • Глава 2. Начальная стадия роста нанокластеров на неактивированной подложке [А1-А5]
    • 2. 1. Физическая модель формирования нанокластеров карбида кремния на подложке кремния
    • 2. 2. Определение поверхностных барьеров миграции адатомов кремния и углерода на кремнии
      • 2. 2. 1. Поверхность кремния без кластера
      • 2. 2. 2. Поверхность кремния с кластером карбида кремния
    • 2. 3. Расчет упругих напряжений в подложке кремния под кластером карбида кремния
  • Глава 3. Формирование и рост нитевидных нанокристаллов арсенида галлия на активированной подложке [А6-А10]
    • 3. 1. Физическая модель роста нитевидных нанокристаллов арсенида галлия
    • 3. 2. Моделирование роста массива нитевидных нанокристаллов арсенида галлия на поверхности (111) арсенида галлия
    • 3. 2. Влияние флуктуаций состава раствора капли на формирование квазипериодических кристаллических структур

Компьютерное моделирование роста наноструктур: нанокластеров и нанокристаллов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

В настоящее время полупроводниковые нанокластеры и нанокристаллы имеют большое значение для микрои оптоэлектроники. Нанокластеры ~ это группы атомов с размерами, не превышающими 100 нм вдоль каждого направления. Нанокристаллы — кристаллы, у которых размер хотя бы вдоль одного направления меньше 100 нм. При создании наноструктур на основе массивов нанокластеров или нанокристаллов большое значение играет процесс роста, поскольку именно он определяет качество и физические свойства получаемых структур: Формирование и эволюция массива нанокластеров происходит на1 начальной стадии эпитаксиального роста слоя (тонкой пленки) на поверхности подложки. При этом первые несколько атомных слоев выращенной-пленки формируютсяв- результате зарождения, эволюции и последующей коалесценции системы кластеров на поверхности. Поэтому итоговое состояние тонкой пленки: ее структура, однородность, наличие упругих напряжений и дефектов во многом’определяется процессом роста массива нанокластеров. При росте массива нанокристаллов. можно выделить две стадии: зарождение и последующая эволюция, массива нанокристаллов. При этом кристаллическая, структура массивов нанокристаллов, а. значит, и физические свойства наноструктур на их основе, будут зависеть от условий роста и локального окружения каждого нанокристалла (наличия поблизости других нанокристаллов, ступеней или дефектов).

На сегодняшний день значительный интерес для микрои оптоэлектронных технологий представляет карбид кремния (как в виде тонких пленок, так и массивов нанокластеров * карбида кремния на кремнии): Карбид кремнияширокозонный материал, позволяющий создавать на своей основе* приборы, выдерживающие высокие мощности, и более стойкий к условиям высокой температуры, жесткого облучения, агрессивной окружающей среды, чем кремний. Другим привлекательными для микрои оптоэлектроники, объектами являются массивы нитевидных нанокристаллов соединений П1-У. Отличительной особенностью этих нанокристаллов является высокое отношение длины (1 — 10 мкм) к поперечному размеру (10 — 100 нм). Также эти материалы представляют интерес для создания на их основе эмиссионных катодов и газоанализаторов.

Комбинируя осаждаемые материалы, тип подложки, и задавая условия роста, можно получать как массивы нанокластеров (а в дальнейшем, тонкие пленки), так и массивы нитевидных нанокристаллов. При этом' типг формирующейся кристаллическойструктуры иморфология нанокластеров или нанокристаллов будет в значительной^ степени1 определяться, процессами, протекающимина-начальной стадии их роста. Кроме этого в ходе4 эволюции? нанокластеров и нанокристаллов может происходить изменение их кристаллической структуры или. морфологии, что также: будет оказывать сильной влияние на свойства получаемых наноструктур. В этой связи задача изучения ранних этапов эпитаксиального роста массивов нанокластеров и нанокристаллов, и процессов1 их. эволюции" представляется весьма актуальной: При этом большое влияние на свойства микро-и. оптоэлектронных устройств1, оказывают размер, форма, плотность и однородность используемых длящих создания*наноструктур.

В настоящее время' перспективным подходом' при рассмотрении роста полупроводниковых структур являются методы компьютерного моделирования. Характерной особенностью таких методов является возможность детально описать физику процесса роста, выявить роль структурных параметров системы в формированиинанокристаллов и нанокластеров, а также предложить способы оптимизации технологических процессов. Во многих ситуациях компьютерное моделирование оказывается единственно возможным подходом при исследовании процесса роста массивов нанокластеров и нанокристаллов. Моделирование позволяет получать подробную информацию о протекающих физических процессах, что делает возможным не только решение физических задач, но и детальное изучение их особенностей и эффектов.

В работе рассмотрены физические процессы методами компьютерного моделирования: динамическим и кинетическим.

Целью работы является исследование физических процессов роста наноструктур: нанокластеров карбида кремния на поверхности кремния и нитевидных нанокристаллов арсенида галлия под каплями-катализаторами золота при молекулярно-пучковой эпитаксии'.

Диссертационная работа состоит из введения, трех глав и заключения.

Результаты работы позволили выявить влияние: на диффузию адатомов деформации подложки кремния под воздействием нанокластеров карбида кремния;

— на процесс формирования кристаллической структуры нитевидных нанокристаллов арсенида галлия изменения состава раствора в капле-катализаторе при молекулярно-пучковой эпитаксии.

Автор выражает особую признательность научному руководителю д.ф.-м.н, профессору Ю. В. Трушину за постановку задач, плодотворные идеи и всестороннюю помощь в работе.

Автор искренне благодарен сотруднику технического университета Ильменау доктору Йоргу Пецольдту (7оег§Рего1<�й) и д.ф.-м.н Г. Э. Цырлину за экспериментальные данные, продуктивные обсуждения работы и большое количество полезных советов.

Автор искренне признателен д.ф.-м.н. В. Г. Дубровскому, к.ф.-м.н. Д. В. Куликову, к.ф.-м.н. В. С. Харламову, к.ф.-м.н. А. А. Шмидту, к.ф.-м.н. Н. В. Сибиреву за помощь и поддержку в работе.

Диссертант благодарит сотрудников кафедр Физики и технологии наноструктур Академического университета РАН и Физики твердого тела СПбГПУ, а также сектора Теоретических основ микроэлектроники ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН за помощь в работе.

Работа выполнялась при поддержке: Российского фонда фундаментальных исследованийГранта для поддержки ведущих научных школСанкт-Петербургского Научного Центра РАНФонда поддержки образования и науки (Алферовского фонда).

Результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

Al] Lubov M.N. Modelling of surface diffusion of Si and С adatoms on Si surfaces / M.N. Lubov, V.S.Kharlamov, Yu.V.Trushin, E.E.Zhurkin, J. Pezoldt // Proc. of 7th International Moscow School of Physics, Moscow, 2004, p. 129−134.

A2] Трушин Ю. В. Исследование начальных стадий роста нанокластеров карбида кремния на подложке кремния / Е. Е. Журкин, К. Л. Сафонов, А. А. Шмидт, В. С. Харламов, С. А. Королев, М. Н. Лубов, Й. Пецольдт // Письма в ЖТФ, 2004, т. ЗО, в. 15, с.48−54.

A3] Kharlamov V.S. Molecular Dynamics study of diffusion barriers of Si and С adatoms on Si surfaces / V.S. Kharlamov, M.N. Lubov, J. Pezoldt, Yu. V. Trushin, E.E. Zhurkin //Proc. of SPIE, 2005, v.5831, pp 51−55.

A4] Харламов B.C. Исследование методом молекулярной динамики барьеров диффузии адатомов кремния и углерода на поверхности (111) кремния / В. С. Харламов, М. Н. Лубов, Е. Е. Журкин, Ю. В. Трушин // Письма в ЖТФ, 2006, т.32, в. 15, с.88−94.

А5] Харламов B.C. Исследование методом молекулярной динамики адатомов Si и С и кластеров SiC на поверхности кремния / B.C. Харламов, Ю. В. Трушин, Е. Е. Журкин, М. Н. Лубов, Й. Пецольдт // ЖТФ, 2008, т.78, в.11, с.104−118.

А6]Лубов М. Н. Компьютерное моделирование роста нитевидных нанокристаллов GaAs с неоднородной кристаллической структурой / М. Н. Лубов, Д. В. Куликов, Ю. В. Трушин // Письма в ЖТФ, 2008, т.35, в. 3, с 1−8.

А7] Лубов М. Н. Квазипериодические структуры в нитевидных нанокристаллах. GaAs, активированные каплями золота / М. Н. Лубов, Д. В. Куликов, Ю. В. Трушин // Письма в ЖТФ, 2009, т. 35, вып. 8, стр. 67−72.

А8] Лубов М. Н. Кинетическая модель роста нитевидных нанокристаллов GaAs /.

М.Н. Лубов, Д. В. Куликов, Ю. В. Трушин // ЖТФ, 2010, т.80, н.1, с.85−91 [A9]Lubov M.N. G rowth and crystal phase of III-V nanowire / M.N.Lubov, Yu.V.Trushin, D.V. Kulikov, V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev // Proc. of 17 International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, 2009, 22−26 June, Minsk, Belorussia, pp. 285−286. [A 10] Lubov M.N. Influence of wurtzite-zinc-blende interfacial energy on growth and crystal phase of the III-V nanowires / M.N. Lubov, D.V. Kulikov, Yu. V. Trushin //Phys. Status Solidi C, 2010, v.7, n. 2 pp. 378−381.

Заключение

.

В диссертационной работе получены следующие основные результаты:

1. Методом молекулярной динамики определены барьеры миграции кремния и углерода на поверхностях кремния как при наличии нанокластера карбида кремния, так и без него.

2. Рассчитано распределение величины деформации в подложке кремния под кластерами карбида кремния разного размера.

3. Разработана самосогласованная кинетическая модель нестационарного роста нитевидных нанокристаллов арсенида галлия на поверхности арсенида галлия под каплями-катализаторами золота при молекулярно-пучковой эпитаксии.

4. Методом компьютерного решения системы кинетических уравнений показана последовательная смена кристаллических фаз в нитевидных нанокристаллах арсенида галлия.

5. Выявлена роль флуктуаций состава раствора капли-катализатора в процессе формирования квазипериодических кристаллических структур в нитевидных нанокристаллах.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Kroemer. Н. Theory of a wide-gap emitter for transistors / H. Kroemer. //Proc. JRE. — 1957. — V. 45.- P. 1535−1537.
  2. Kroemer. H. Quasi-electric and quasi-magnetic fields in a non-uniform semiconductor / H. Kroemer. // RCA Rev. 1957. — V. 28. — P. 332−335.
  3. .И. Об одной особенности инжекции в гетеропереходах. / Ж. И. Алфёров, В. Б. Халфин, Р. Ф. Казаринов // ФТТ. 1966. — Т. 8. — С. 3102−3105.
  4. .И. О возможности создания выпрямителя на сверхвысокие плотности тока на основе p-i-n (p-n-n), (n-p-p) структуры с гетеропереходами / Ж. И. Алфёров // ФТП. — 1967. — Т. 1. — С. 436−439.
  5. Peter Y. Yu. Fundamentals of semiconductors: physics and materials properties. / Y. Yu. Peter, M. Cardona. Springer-Verlag Telos, 1999. — 620 P.
  6. .И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур / Ж. И. Алфёров. // ФТП. 1998. — Т. 32. — С. 3−18.
  7. . И. Высоковольтные р-п-переходы в кристаллах GaxAlixAs / Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, В. И. Корольков, Д. Н. Третьяков, В. М. Тучкевич. // ФТП.-1967.-Т. 1.-С. 1579−1581.
  8. Rupprecht H.S. Efficient visible electroluminescence at 300°K from Gai. xAlxAs p-n junctions grown by liquid-phase epitaxy / H.S. Rupprecht, I.M. Woodall, G.D. Pettit. // Appl. Phys. Lett. 1967. — V. 11. — P.81−83.
  9. . И. Инжекционные свойства гетеропереходов n-AlxGai.xAs-pGaAs / Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, В. И. Корольков, Е. Л. Портной, Д. Н. Третьяков. // ФТП. 1968. — Т. 2. — С. 1016−1019.
  10. . И. Когерентное излучение в эпитаксиальных структурах с гетеропереходами в системе AlAs-GaAs / Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев,
  11. B. И. Корольков, Е. Л. Портной, Д. Н. Третьяков. // ФТП. 1968. — Т. 2.1. C. 1545−1548.
  12. . И. Источники спонтанного излучения на основе структур с гетеропереходами в системе AlAs-GaAs / Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, Е. Л. Портной, Д. Н. Третьяков. // ФТП. 1969. — Т. 3. — С. 930−933.
  13. . И. Инжекционные лазеры на основе гетеропереходов в системе AlAs-GaAs с низким порогом генерации при комнатной температуре / Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, В. И. Корольков, Е. Л. Портной, А. А. Яковенко. // ФТП.- 1969.- Т.З.- С. 1328−1331.
  14. . И. Двойные гетероструктуры: концепция и применение в физике, электронике и технологии / Ж. И. Алфёров. // УФН 2002. — Т. 172. — В. 9. -С.1068−1089.
  15. Antipas G.A. in Gallium arsenide and related compounds / G.A. Aritipas, R.L. Moon, L.W. James, J. Edgecumbe, R.L. Bell.// Conf. Ser. IOP. -'1973. V.17. -P. 48.
  16. Chang L. L. Resonant tunnelling in semiconductor double barriers / L. L. Chang, L. Esaki, R. Tsu. // Appl. Phys. Lett. 1974. — V. 24. — P. 593−595.
  17. Pamplin B. R. Molecular Beam epitaxy / B. R. Pamplin. Elsevier, 1979. -178 P.
  18. Parker E. H. The Technology and Physics of Molecular Beam Epitaxy / E. H. Parker. Springer, 1985. — 706 P.
  19. Herman M.A. Molecular Beam Epitaxy Fundamentals and Current Status / M. A. Herman, H. Sitter. — Springer, 1996. — 453 P.
  20. Stringfellow G. B. Organometallic Vapor-Phase Epitaxy: Theory and Practice /
  21. G. B. Stringfellow. San Diego: Academic Press, 1999. — 572 P.
  22. Dingle R. Quantum states of confined earners in very thin AlxGaixAs-GaAs-AlxGai.xAs heterostructures / R. Dingle, W. Wiegmann, C. H. Henry // Phys. Rev. Lett. 1974. -V. 33. — P. 827−830.
  23. Klitzing K. V. New method for high-accuracy determination of the fine-structure constant based on quantized hall resistance / K. V. Klitzing, G. Dorda, M. Pepper // Phys. Rev. Lett. 1980. — V. 45. — P. 494-^97.
  24. Petroff P. M. Toward quantum well wires: Fabrication and optical properties / P. M. Petroff, A. C. Gossard, R. A. Logan, W. Wiegmann // Appl. Phys. Lett. 1982. -V.41.-P. 635−638.
  25. Kapon E. Stimulated emission in semiconductor quantum wire heterostructures / E. Kapon, D. M. Hwang, R. Bhat // Phys. Rev. Lett. 1989. — V. 63. — P. 430−433.
  26. Pfeiffer L. Formation of a high quality two-dimensional electron gas on cleaved GaAs / L. Pfeiffer, K. W. West, H. L. Stormer, J. P. Eisenstein, K. W. Baldwin, D. Gershoni, J. Spector // Appl. Phys. Lett. 1990. — V. 56. — P. 1697−1699.
  27. Wang X.-L. Epitaxial growth and optical properties of semiconductor quantum wires / X.-L. Wang, V. Voliotis // J. Appl. Phys. 2006. — V. 99. -P. 121 301−1-121 301−38.
  28. D. Bimberg. Quantum Dot Heterostructures / D. Bimberg, M. Grundmann, N. N. Ledentsov. Chichester: Wiley&Sons, 1999. — 338 P.
  29. Reimann S. M. Electronic structure of quantum dots / S. M. Reimann, M. Manninen // Rev. Mod. Phys. 2002. — V. 74. — P. 1283−1342.
  30. Lutskii V. V. Quantum size effect present state and perspectives of experimental investigations IV. V. Lutskii // Phys. St. Sol. (a). — 1970. — V. 1. — P. 199−200.
  31. Grundmann M. Nano-optoelectronics: concepts, physics, and devices / M. Grundmann, ed. Berlin: Springer, 2002. — 415 P.
  32. Ledentsov N. N. Quantum dots for VCSEL applications at % = 1.3 |un / N. N. Ledentsov, D. Bimberg, V. M. Ustinov, Z. I. Alferov, J. A. Lott // Physica E. -2002.-V. 13.-P. 871−875.
  33. Duan X. Synthesis and optical properties of gallium arsenide nanowires / X. Duan, J. Wang, CM. Lieber // Appl. Phys. Lett.- 2000. V. 76. — P. 1116−1118.
  34. Cui Y. Diameter-controlled synthesis of single-crystal silicon nanowires / Y. Cui, J. L. Lauhon, M. S. Gudiksen, J. Wang, C.M.Lieber // Appl. Phys. Lett. 2001. — V. 78. -P. 2214.
  35. Cui Y. Functional nanoscale electronic devices assembled using silicon nanowire building blocks / Y. Cui, CM. Lieber // Science. 2001. — V.291. — P. 851−853.
  36. Kamins T. I. Thermal stability of Ti-catalyzed Si nanowires / T. I. Kamins, X. Li, R. Stanley Williams // Appl. Phys. Lett. 2003. — V. 82. — P. 263−265.
  37. Zheng G. Synthesis and fabrication of high-performance n-type silicon nanowire transistors / G. Zheng, W. Lu, S. Jin, C. M. Lieber // Adv. Mater. 2004. — V. 16. -P. 1890−1893.
  38. Greytak A. B. Growth and transport properties of complementary germanium nanowire field-effect transistors / A. B. Greytak, L. J. Lauhon, M. S. Gudiksen, G. M. Lieber // Appl. Phys.Lett. 2004. — V. 84. — P. 4176−4178.
  39. Johnson J. C. Single gallium nitride nanowire lasers / J. C. Jolinson, H.-J. Ghoi, K. P. Knutsen, R. D. Schaller, P. Yang, R. J. Saykally // Nat. Mater. 2002 — V. 1 — P. 106−110.
  40. Patolsky E. Electrical detection of single viruses / E. Patolsky, G. Zheng, O. Hayden, M. Lakadamyali, X. Zhuang, C. M. Lieber./ZProc. Nat. Acad. Sci. USA. 2004. -V. 101.-P. 14017D141022.
  41. Friedman R. S. Nanotechnology: high-speed integrated nanowire circuits / R. S. Friedman, M. G. McAlpine, D. S. Ricketts, D. Ham, C. M. Lieber//Nature. 2005. — V. 434.-P. 1085−1089.
  42. Bryllert N. Vertical high-mobility wrap-gated InAs nanowire transistor / N. Bryllert, L.-E. Wernersson, L. E. Froberg and L. Samuelson // IEEE Elec. Dev. Lett.2006. V. 27. — P. 323−325.
  43. Whang D. Large-scale hierarchical organization of nanowires for functional nanosystems / D. Whang, S. Jin, C. M. Lieber // Jap. J. Appl. Phys. 2004. — V. 43.1. P. 4465^4470.
  44. Nalwa H. S. Encyclopedia of nanoscience and nanotechnology / H. S. Nalwa. ASP, 2004. -725 P.
  45. Klimov V. I. Semiconductor and metal nanociystals / V. I. Klimov. NY: Marcell Dekker Inc., 2004.-412 P.
  46. Stingfellow R Epitaxy / R. Stingfellow // Rep. Prog. Phys. 1982. — V. 45. -P. 469−526.
  47. Shchukin V. A. Epitaxy of nanostructures / V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, D. Bimberg. Berlin: Springer, 2003.- 400 P.
  48. Sakaki H. Progress and prospects of advanced quantum nanostructures and roles of molecular beam epitaxy / H. Sakaki // J. Cryst. Growth. 2003. — V. 251. — P. 9−16.
  49. Venables J. A. Atomic processes in crystal growth / J. A. Venables // Surf. Sei. -1994. -V. 299/300. P. 798−817.
  50. Brunner K. Si/Ge nanostructures / K. Brunner // Rep. Prog. Phys. 2002. — V. 65. -P. 27−72.
  51. Frank F. C. One-Dimensional Dislocations. III. Influence of the second harmoniciterm in the potential representation on the properties of the model / F. C. Frank. J. H. van der Merwe // Proc. R. Soc. London. 1949. — V. A200. — P. 125−134.
  52. Duppius RD. Room-temperature operation of Ga (i-X)AlxAs/GaAs double-heterostructure lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition / RD. Duppius, P.D. Dapkus // Appl. Phys. Lett. 1977. — V.31. — P.466G468.
  53. Stranski I. N. Zur Theorie der orientierten Ausscheidung von Ionenkristallen aufeinander / I. N. Stranski, L. Krastanov // Sitzungsber. Akad. Wissenschaft Wien. -1938.-V. 146. -P. 797−810.1.l
  54. Mo Y.-W. Kinetic pathway in Stranski-Krastanov growth of Ge on Si (001) / Y.W. Mo, D. E. Savage, B. S. Swartzentruber, M. G. Lagally.// Phys. Rev. Lett. 1990. -V. 65.-P. 1020−1024.
  55. Volmer M. Nucleus formation in supersaturated systems / M. Volmer, A. Weber // Z. Phys. Chem. 1926. — V. 119. — P. 277−301.
  56. Rimai L. Pulsed laser deposition of SiC films on fused silica and sapphire substrates / L. Rimai, R. Ager, J. Hangas, E. M. Logothetis, N. AbuDAgeel, M. Aslam // J. Appl. Phys. 1993. — V. 73. — P.8242−8249.
  57. Asaro R. J. Interface morphology development during stress corrosion cracking. 1. Via surface diffusion / RI J. Asaro, W. A. Tiller // Metall. Trans. A. 1972. — V. 3. -P. 1789−1796.
  58. M. А. Неустойчивость границы раздела между негидростатическим напряженным упругим телом и расплавом / М. А. Гринфельд //Докл. АН СССР.-1986.-Т. 290.-С. 1358−1363.
  59. Tersoff J. Competing relaxation mechanisms in strained layers / J. Tersoff, F. K. LeGoues // Phys. Rev. Lett. 1994. — V. 72. — P. 3570−3573.
  60. Vanderbilt D. Elastic energies of coherent germanium islands on silicon / D. Vanderbilt, L. K. Wickham// Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1991. — V. 202. — P. 555 560.
  61. Ratsch C. Equilibrium theory of the Stranski-Krastanov epitaxial morphology / C. Ratsch, A. Zangwill // Surf. Sci. 1993. -V. 293. -P. 123−131.
  62. Хирт Дж. Теория дислокаций / Дж. Хирт, И. Лоте. М.:Атомиздат, 1972. 599 С.
  63. Д. Испарение и конденсация / Д. Хирс, Г. Паунд. М. Металлургия, 1966.-278 С.
  64. Ф.М. Время установления стационарного .режима гомогенной нуклеации / Ф. М. Куни, А. П. Гринин // Коллоидн. Журн. 1984. — Т.46. — С.460−464.
  65. С. А. Процессы конденсации тонких пленок / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов //УФН.- 1998. -Т. 168.-С. 1083−1116.
  66. Feng Z.C. Silicon carbide: materials, processing and devices / Z.C. Feng, JJH. Zhao. New YorlcTaylor and Francis Books, 2004. 387 P.
  67. Masri P. Silicon carbide and silicon carbide-based structures. The physics of epitaxy / P. Masri // Surf. Sci. Rep. 2002. — V. 48. — P. 1−51.
  68. Morkoc H. Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies / H. Morkoc, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns //.J. Appl: Phys. 1994. — V. 76. — P. 1363−1398.
  69. Zetterling C.-M. Process technology for silicon carbide devices / C.-M Zetterling. -London:INSPEC, 2002. 320P.
  70. J. В. .Status of silicon carbide (SiC) as a wide-bandgap semiconductor for, high-temperature applications: a review / J. Bi. Casady, R. W. Johnson // Solid State Electr. 1996. — V. 39. — P. 1409−1422.
  71. Edmond J. A. Blue LEDs, UV photodiodes and high-temperature rectifiers in 6H-SiC / J. A. Edmond, H. S. Kong, С. H. Carter, Jr // Physica B. 1993. — V. 185. — P. 453−460.
  72. Choke WJ. Silicon-carbide. Recent major advantages. / W.J. Choke, H. Matsunami, GPensL Berlin: Springer-Verlag, 2004. 897 P.
  73. Sonoda N. Low-temperature growth of oriented silicon carbide on silicon by reactive hydrogen plasma sputtering technique / N. Sonoda, Y. Sun, T. Miyasato // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. -V. 35. — P. L1023-L1026.
  74. Zekentes K. Early stages of growth of 0-SiC on Si by MBE / K. Zekentes, V. Papaioannou, B. Pecz, J. Stoemenos // J. Cryst. Growth. 1995. — V. 157. — P. 392−399:
  75. Kaneda S. The growth of single crystal of 3C-SiC on the Si Substrate by the MBE method using multi electron beam heating / S. Kaneda, Y. Sakamoto, C. Nishi, M. Kanaya, S. Hannai // Jpn. J. Appl. Phys. 1986. — V.25. — P. 1307−1311.
  76. Fuyuki Т. Atomic layer epitaxy of cubic SiC by gas source MBE using surface superstructure / T. Fuyuki, M. Nakayama, T. Yoshinobu, H. Shiomi, H. Matsunami // J. Cryst. Growth. 1989. — V. 95. — P. 461−463.
  77. C.A. Новый метод твердофазной эпитаксии карбида кремния на кремнии: модель и эксперимент / С. А. Кукушкин, В. А. Осипов // ФТТ. 2008. -V. 50.-Р. 1188−1195.
  78. Scharmann F. Investigation of the nucleation and growth of SiC nanostructures on Si / F. Scharmann, P. Maslarski, W. Attenberger, J. K. N. Lindner, B. Stritzker, Th. Stauden, J. Pezoldt // Thin Solid Films. 2000. — V. 380. — P. 92−96.
  79. Ю. В. Переход от двумерных к трехмерным нанокластерам карбида кремния на кремнии / Ю. В. Трушин, К. JI. Сафонов, О. Амбахер, Й. Пецольдт // ПЖТФ. 2003. — Т. 29.-С. 11−15.
  80. Safonov K. L. Computer simulations of the early stages of SiC growth on Si / K. L. Safonov, Yu. V. Trushin, J. Pezoldt // Proc. of the 7th Moscow Int. ITEP School of -Physics. 2004. — P. 129−134.
  81. Safonov К. L. Computer simulations of the early stages of SiC growth on Si / K. L. Safonov, Yu. V. Trushin, J. Pezoldt // Proc. of the 7th Moscow Int. ITEP School of Physics. 2004. — P. 129−134.
  82. Kim К. C. Formation mechanism of interfacial voids in the growth of SiC films on Si substrates / К. C. Kim, С. I. Park, J. I. Roh, К. S. Nahm, Y. H. Seo // J. Vac. Sei. Techol. A. 2001. — V. 19. — P. 2636−2641.
  83. Е.И. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара / Е. И. Гиваргизов. М. :Наука, 1977. 240 С.
  84. Bhat R. Quantum wire lasers b у OMCVD gro wth on nonplanar substrates / R. Bhat, E. Kapon, S. Simhony, E. Colas, D.M. Hwang, N.G. Stoffel, M.A. Koza // J. Cryst. Growth. 1991. -V. 107.-P. 716−723.
  85. Bhunia S. Systematic investigation of growth of InP nanowires by metalorganic vapor-phase epitaxy / S. Bhunia, T. Kawamura, S'. Fujikawa, Y. Watanabe. // Physica E. 2004. -V.24.- P. 138−142.
  86. Seifert W. Growth of one-dimensional nanostructures in MOVPE / W. Seifert, M. Borgstrom, К. Deppert, К. A. Dick, J. Johansson, M. W. Larsson// J. Cryst. Growth. 2004. V. 272. — P .211−220.
  87. Harmand J. C. Analysis of vapor-liquid-solid mechanism in Au-assisted GaAs nanowire growth / J. C. Harmand, G. Patriarche, N. Рёгё-Lapeme, M-N. Merat-Combes, L. Travers, F. Glas // Appl. Phys. Lett. 2005. — V. 87. — P. 203 101−203 103.
  88. Plante M.C. Growth mechanisms of GaAs nanowires by gas source molecular beam epitaxy / M. C. Plante, R.R. LaPierre.// J. Cryst. Growth. 2006. -V.286 — P.394−399.
  89. Dubrovskii V.G. Theoretical analysis о f the vapor-liquid-solid mechanism of nanowire growth during molecular beam epitaxy / V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, J.C. Harmand, V.M. Ustinov // Phys. Rev. E. 2006. — V.73. — P. 21 603−1 021 603−10.
  90. Person A.I. Solid-phase diffusion mechanism for GaAs nanowire growth / A. I. Persson, M. W. Larsson, S. Stenstroem, B. J. Ohlsson, L. Samuelson, L. R. Wallenberg // Nat. Mater. -2004. V.3. — P.677−681.
  91. В.Г. Полупроводниковые нитевидные нанокристаллы: синтез, свойства, применения/ В. Г. Дубровский, Г. Э. Цырлин, В. М: Устинов // ФТП. 2009. — Т. 43. — С. 1585−1628.
  92. J. С. GaAs nanowires formed by Au-assisted molecular beam epitaxy: effect of growth temperature / J.C. Harmand, M. Tchernycheva, G. Patriarche F. Glas, G. Cirlin // J. Ciyst. Growth. 2007. — V.301−302. — P. 853−856.
  93. Tchernycheva M. Au-assisted molecular beam epitaxy of InAs nanowires: Growth and theoretical analysis / M. Tchernycheva, L. Travers, G. Patriarche, F. Glas, J.C. Harmand, G. Cirlin, V.G. Dubrovskii // J. Appl. Phys. 2007. — V.102. -P. 94 313−94 320.
  94. Dick K.A. Synthesis of branched 'nanotrees' by controlled seeding of multiple branching events / K.A. Dick, K. Deppert, M.W. Larsson, T. Martensson, W. Seifert, L. R. Wallenberg, L. Samuelson //Nat. Mater. -2003. -V. 3. P. 380−384.
  95. Glas F. Why does wurtzite form in nanowires of III-V zinc blende semiconductors? / F. Glas, J.C. Harmand, G. Patriarche // PRL. 2007. — V.99. -P. 146 101−1-146 101−4.
  96. Я. Б. К теории образования новой фазы. Кавитация / Я. Б. Зельдович. // ЖЭТФ. 1942. — Т.12. — С. 525−538.
  97. Д. Испарение и конденсация / Д. Хирс, Г. Паунд. М.?Металлургия, 1966.-234 С.
  98. М. Кинетика образования новой фазы / М. Фольмер. М.:Наука, 1986−227 С.
  99. Kashchiev D. Nucleation: basic theory with applications/ D. Kashchiev. -Oxford: Butterworth Heinemann, 2000. 421 P.
  100. Zinsmeister G.A. A contribution to Frenkel’s theory of condensation / G.A. Zinsmeister. // Vacuum. 1966- V.16. — P. 529−535.
  101. Chakraverti B.K. Grain size distribution in thin films 1. Conservative systems B.K. Chakraverti // J. Phys. Chem. Sol. — 1967. — V. 128. — 2401−2412.
  102. Binder K. Theory for the dynamics of «clusters.» II. Critical diffusion*in binary systems and the kinetics of phase separation / K. Binder // Phys. Rev. B. 1977. -V.15.-P. 4425−4447.
  103. Ф.М. Кинетика гомогенной конденсации на этапе образования основной массы новой фазы / Ф. М. Куни, А. П. Гринин. // Коллоидн. журн. 1984. -Т. 46.-С. 460−465.
  104. Ф.М. Ковариантная формулировка многомерной кинетической теории фазовых переходов первого рода / Ф. М. Куни, А. А. Мелихов, Т. Ю. Новожилова, И. А. Терентьев // ТМФ. -1990. Т.83. — С. 274−290.
  105. S.A.Kukushkin, A.V.Osipov. // Prog. Surf. Sci. 1996, V.51. — P.l.
  106. Marx D. Ab initio molecular dynamics: basic theory and advanced methods / D. Marx, J. Hutter. Cambridge University Press, 2009. — 578 P.
  107. Д. Хартри. Расчёты атомных структур / Д. Хартри. М.: ИИЛ, 1960. -256 С.
  108. Hinchliffe A. Modelling molecular structures / A. Hinchliffe. John Wiley &1. Sons, 2000.-354 P.
  109. H. Теория неоднородного электронного газа / Н. Марч, В. Кон, П. Вашишта. М.: Мир, 1987. — 427 Р.
  110. Drezler R. Density functional theory / R. Drezler, E. Gross. -New York: Plenum Press, 1995.-386 P.
  111. Martin R. M. Electronic structure: basic theory and practical methods / R. M. Martin. Cambridge University Press, 2004. — 527 P.
  112. Hohenberg P. Inhomogeneous electron gas / P. Hohenberg, W. Kohn. // Phys. Rev. 1964. — V. 136. — P. B864-B871.
  113. Kohn W. Self-consistent equations including exchange and correlation effects W. Kohn, L J. Sham. // Phys. Rev. 1965. — V. 140 — P. A1133-A1138.
  114. Brocks G. Binding and diffusion of a Si adatom on the Si (100) surface / G. Brocks, P.J. Kelly, R. Car // Phys. Rev. Lett. 1991. — V. 66. — P. l729−1732.
  115. Saranin A. A. Atomic dynamics of In nanoclusters on Si (100) / A.A. Saranin, A.V. Zotov, I.A. Kuyanov M. Kishida, Y. Murata, S. Honda, M. Katayama, K. Oura, С. M. Wei, Y. L. Wang // Phys. Rev. B. Vol. 74 — P. 125 304−1-125 304−6.
  116. Allen P. Computer simulation of liquids / P. Allen, D. Tildesley. Oxford: Clarendon Press, 1987. — 527 P.
  117. B.B. ЭВМ-эксперимент в атомном материаловедении / В. В. Кирсанов. -М.:Энергоатомиздат, 1990. 303 С.
  118. Haile J.M. Molecular dynamics simulation / J.M. Haile. -Wiley, 1992. 321 P.
  119. Frenkel D. Understanding molecular simulation / D. Frenkel, B. Smit. -Academic Press, 1996. 664 P.
  120. Ercolessi F. A molecular dynamics primer / F. Ercolessi. ICTO, 1997. — 220 P.
  121. Tersoff J. Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials for multicomponent systems / J. Tersoff// Phys Rev B. 1989 — V.39. — P.5566−5568.
  122. Tersoff J. New empirical approach for the structure and energy of covalentsystems / J. Tersoff// Phys Rev B. 1989 — V.37. — P.6991−7000.
  123. Tersoff J. Empirical interatomic potential for silicon with improved elastic properties / J. Tersoff// Phys Rev B. 1989 — V.38. — P.9902−9905.
  124. С.И. Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методом Монте-Карло / С. И. Стен. Н: Наука, 1991. — 167 С.
  125. Balamane Н. Comparative study of silicon empirical interatomic potentials / H. Balamane, T. Halicioglu, W. A. Tiller// Phys Rev B. 1992 — V.46. — P.2250−2279.
  126. Kotrla M. Numerical simulations in the theory of crystal growth / M. Kotrla // Сотр. Phys. Comm. 1996. — V. 97. — P. 82−100.
  127. Barlett M. Exact island-size distributions for submonolayer deposition: Influence of correlations between island size and separation / M. Barlett, J. Evans // Phys. Rev. B. 1996. — V. 54. — P. R17359- R17362.
  128. К. Моделирование методом Монте-Карло в статистической физике / К. Биндер. -М.:Мир, 1982. 400 Р.
  129. Khor D.S. Quantum dot self-assembly in growth of strained-layer thin films: A kinetic Monte Carlo study / К. E. Khor, S. Das Sarma // Phys. Rev. B. 2000. -V. 62. -P.16 657−16 664.
  130. Kratzer P. First-principles studies of kinetics in epitaxial growth of III-V semiconductors / P. Kratzer, E. Penev, M. Scheffler // Appl. Phys. A. 2002. — V. 75. -P. 79−88.
  131. Ю.В. Радиационные процессы в многокомпонентных материалах.
  132. Теория и компьютерное моделирование / Ю. В. Трушин. СПб.: Наука, 2002. -383 С.
  133. Б.Я. Любов. Теория кристаллизации в больших объемах / Б. Я. Любов. -М.:Наука, 1975. 320 С.
  134. Ю. В. Исследование начальных стадий роста нанокластеров карбидакремния на подложке кремния / Ю. В. Трушин, Е. Е. Журкин, К. JT. Сафонов, А. А. Шмидт, В. С. Харламов, С. А. Королев, М. Н. Лубов, Й. Пецольдт // ПЖТФ. -2004.-Т. 30.-С. 48−54.
  135. Ю. В. Распределение собственных точечных дефектов около сферических выделений второй фазы под облучением / Ю. В. Трушин // ЖТФ. -1987.-Т. 57.-С. 226−231.
  136. Trushin Yu. V. Atomic assembly during ion-beam assisted growth: Kinetic modeling / Yu. V. Trushin, D. V. Kulikov, K. L. Safonov, J. W. Gerlach, Th. Hoche, B. Rauschenbach. // Jour. Appl. Phys. 2008. — V.103. — P. 114 904−114 909.
  137. Kukushkin S.A. Nucleation of pores in brittle solids under load / S. A. Kukushkin // J. Appl. Phys. 2005. — V. 98. — P.33 503−33 564.
  138. Mo Y.-W. Surface self-diffusion of Si on Si (001)/ Y.-W. Mo, J. Kleiner, M.B. Webb, G. Laggaly // Surf. Sci 1992. — V. 268. — P. 275−295.
  139. M. С adsorption and diffusion at the Si(0 0 1) surface: implications for SiC growth / M. Cicera, A Cattelani // Appl. Surf. Sci. 2001. -V.78. — P. 113−117.
  140. Tringides M. Surface diffusion: atomistic and collective processes / M. Tringides. NY: Plenum, 1997.- 263 P.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?