Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Широкополосные спектроделители на основе широкозонных полупроводниковых материалов

Диссертация: Широкополосные спектроделители на основе широкозонных полупроводниковых материалов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Эти свойства во многом определяются отступлением состава пленок от стехиометрии в сторону дефицита кислорода и дефектов структуры, поэтому пленки данного класса находятся в неравновесном состоянии. Электропроводность полупроводниковых оксидных пленок сильно зависит от степени дефектности и может различаться на несколько порядков. Наблюдается сильный разброс оптических параметров пленок от условий… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ОБЗОР ТЕОРЕТИЧЕСКИХ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ РАБОТ ПО ОПТИЧЕСКИМ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ СВОЙСТВАМ ПОКРЫТИЙ НА ОСНОВЕ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ. И
    • 1. 1. Область применения широкополосных спектроделительных
    • 1. 2. покрытий
    • 1. 2. Характерные особенности оксидов р — металлов с точки зрения получения тонкослойных прозрачных токопроводящих покрытий
  • Выводы
  • ГЛАВА 2. ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ И СВОЙСТВА ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ In203(Sn)
    • 2. 1. Технологическое оборудование и измерительная техника
    • 2. 2. Условия получения пленок
    • 2. 3. Оптические характеристики
    • 2. 4. Функция качества для определения технологических параметров изготовления пленок
    • 2. 5. Электрические свойства пленок In203(Sn)
    • 2. 6. Оценка механической прочности слоев In203(Sn)
    • 2. 7. Оценка координат цветности (х, у) прозрачных токопроводящих покрытий
  • Выводы
  • ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ ОТЖИГА НА ОПТИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛЕНОК In203(Sn)
    • 3. 1. Исследование влияния отжига на воздухе
    • 3. 2. Исследование влияния отжига в вакууме
  • Выводы
  • ГЛАВА 4. РАЗНОВИДНОСТИ ОПТИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ НА ОСНОВЕ
  • СЛОЕВ In203(Sn)
    • 4. 1. Прозрачные в видимой области спектра электроды и нагревательные элементы
      • 4. 1. 1. Оптимизация толщины покрытия с целью обеспечения максимальной прозрачности и минимального поверхностного сопротивления
      • 4. 1. 2. Зависимость поверхностного сопротивления и прозрачности от скорости роста пленки и давления кислорода в камере
      • 4. 1. 3. Теплофизические характеристики прозрачных нагревателей
    • 4. 2. Широкополосные спектроделительные покрытия
      • 4. 2. 1. Спектроделительные покрытия на основе металлодиэлектрических слоев
      • 4. 2. 2. Оптимизация конструкции спектроделительного покрытия на основе слоя ЬпгОзСБп)
      • 4. 2. 3. Просветление в видимой области спектра спектроделительного покрытия на основе 1п2Оз (8п)
    • 4. 3. Влияние поверхностной проводимости пленки In203(Sn) на отражение в инфракрасном диапазоне спектра
  • Выводы

Широкополосные спектроделители на основе широкозонных полупроводниковых материалов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

В последнее десятилетие началось интенсивное развитие многоспектральных и многофункциональных оптоэлектронных систем. Эти системы требуют обработки оптических сигналов во многих спектральных областях. Анализ поступающего сигнала проводится в видимом и инфракрасном диапазонах спектра раздельно. Оптические элементы для этих областей различаются применяемыми материалами, прозрачными только в одной из областей. Поэтому поступающий сигнал, прежде всего, необходимо разделить по этим диапазонам. Успешное решение этой проблемы в значительной степени определяется прогрессом в технологии тонкопленочных оптических покрытий.

Необходимость использования в современной многоспектральной технике оптических покрытий для выделения определенных спектральных областей, разделения спектра падающего излучения на два широких диапазона определяет задачи исследования и разработки новых типов покрытий и требует повышения их параметров. Проблему разделения полного спектра падающего излучения на две равноправные части (видимый и инфракрасный диапазоны) решить обычными интерференционными системами слоев практически невозможно. Это, во-первых, связано с необходимостью использования пленкообразующих материалов, прозрачных в широком спектральном диапазоне, с определенными показателями преломления, ассортимент которых очень ограниченво-вторых, интерференционные системы по своей природе не обеспечивают высокого отражения в широкой спектральной области при сохранении прозрачности в видимом диапазонев-третьих, эксплуатационные характеристики многослойных интерференционных покрытий для инфракрасного диапазона из-за большой толщины чередующих слоев невысоки.

Наиболее эффективное разделение падающего излучения на две широкие спектральные области достигается использованием однослойных электропроводящих покрытий на основе сильнолегированных широкозонных полупроводниковых оксидов индия, олова, цинка и кадмия. В частности, особое внимание уделяется изучению свойств пленок оксида индия, легированного оловом (так называемые ITO — пленки). Возможность использования покрытий из данного класса материалов в качестве широкополосных спектродели-телей объясняется их особыми свойствами. Во-первых, в силу того, что эти оксиды характеризуются малыми значениями энергий связи металл — кислород и повышенной летучестью оксидов с низкой степенью окисления, получаемые конденсаты имеют большое число кислородных вакансий. Вследствие этого появляются электроны проводимости, концентрация которых только на один — два порядка ниже, чем у металлов. Наличие высокой концентрации свободных носителей и их достаточной подвижности определяет большие значения коэффициента отражения в инфракрасном (ИК) диапазоне спектра. Во-вторых, эти материалы обладают широкой запрещенной зоной (Eg =*3.7эВ), что обеспечивает высокую прозрачность в видимой области спектра. Наряду с этими качествами следует отметить механическую прочность, химическую стойкость и хорошую адгезию пленок ко многим типам подложек.

Эти свойства во многом определяются отступлением состава пленок от стехиометрии в сторону дефицита кислорода и дефектов структуры, поэтому пленки данного класса находятся в неравновесном состоянии. Электропроводность полупроводниковых оксидных пленок сильно зависит от степени дефектности и может различаться на несколько порядков. Наблюдается сильный разброс оптических параметров пленок от условий их получения. Сравнительный анализ результатов многочисленных публикаций, посвященных свойствам пленок полупроводниковых оксидов, свидетельствует о том, что попытки до конца объяснить физические явления и целенаправленно управлять свойствами затрудняются разнообразием методов и технологических условий получения. Многие сведения носят случайный, иногда и противоречивый характер. По сути отсутствуют комплексные и систематические исследования по влиянию таких технологических параметров, как парциальное давление кислорода во время получения пленок, скорость роста пленки, на электрические и оптические свойства. Недостаточность достоверной информации о влиянии технологических режимов формирования пленок на их параметры затрудняет разработку эффективной промышленной технологии изготовления оптических покрытий с высокой степенью воспроизводимости параметров.

При практических применениях данных пленок в качестве оптических элементов, работающих в широком спектральном диапазоне, возникает проблема оптимизации конструктивных параметров покрытия, удовлетворяющих с заданным приближением требуемым спектральным характеристикам. Строгого последовательного общего метода решения этой проблемы, применимого во всех случаях конструирования, не существует. На практике проблема оптимизации параметров покрытия решается часто применительно к каждому конкретному случаю и к определенному классу покрытий.

Оптимизация параметров широкополосных спектроделительных покрытий и технологических условий их изготовления заключается в определении этих величин, удовлетворяющих требованиям максимальной прозрачности в одной области спектра и высокого отражения в другой. Однако одновременное удовлетворение этих требований вызывает некоторые принципиальные затруднения, связанные с тем, что малые значения толщины пленки не обеспечивают высокого отражения в ИК — области спектра, а увеличение толщины из-за потерь на поглощение снижает прозрачность в видимой области. Поэтому для успешного прогнозирования оптических параметров широкополосных спектроделителей должен быть разработан критерий оценки и выбора оптимальных параметров покрытия и режимов изготовления, удовлетворяющих требованиям достаточности в обоих спектральных диапазонах. В литературе при рассмотрении прозрачных тонкопленочных электродов часто применяют функцию качества, накладывающую одновременно требование высокой прозрачности и высокой удельной проводимости пленок в зависимости от толщины. Применение этого критерия к спектроделителям оказывается недостаточно корректным, так как в требуемых оптических параметрах спектроделителя проводимость в явном виде не фигурирует.

Учитывая, что уникальные свойства прозрачных электропроводящих покрытий реализуются при условии нарушения стехиометрического состава в сторону дефицита кислорода, возникает закономерный вопрос о стабильности параметров в условиях воздействия внешних факторов, в частности, высокотемпературного отжига. В большинстве работ этот аспект рассматривался, в основном, с точки зрения качественного изменения параметров. Хотя во многих экспериментальных работах по получению подобных пленок последующий высокотемпературный отжиг является составной частью технологического процесса.

Целью настоящей диссертационной работы является:

1. Комплексное исследование оптических и электрических свойств прозрачных в видимой области спектра электропроводящих пленок оксида индия, легированного оловом, в зависимости от технологических факторов изготовления.

2. На основе полученных результатов — разработка оптимизированных конструкций широкополосных спектроделительных покрытий и прозрачных нагревательных элементов, а также технологий их изготовления.

Для достижения этой цели были поставлены основные задачи работы:

1. Исследование влияний технологических параметров изготовления на оптические и электрические свойства пленок оксида индия, легированного оловом.

2. Разработка критерия оценки оптимальности конструктивных и технологических параметров получения широкополосных спектроделительных покрытий, удовлетворяющих требованиям максимальных значений прозрачности и отражения в соответствующих спектральных диапазонах.

3. Разработка оптимизированных конструкций и технологий изготовления спектроделительного покрытия с учетом его конкретного применения.

Научная новизна работы заключается в следующем: 1 Проведено комплексное исследование влияния конструктивных и технологических параметров (толщины пленки, парциального давления кислорода, температуры и условий проведения последующего отжига) на оптические и электрические свойства пленок на основе оксида индия, легированного оловом.

2. Впервые введен критерий, позволяющий определить оптимальные значения конструктивных параметров токопроводящих пленок и технологических режимов их изготовления для одновременного получения максимального пропускания в видимой области спектра и отражения в инфракрасном диапазоне длин волн.

3. Впервые установлено, что последующим отжигом изготовленных пленок на основе 1п2Оз (8п) можно, в зависимости от условий его проведения, целенаправленно скорректировать спектральные характеристики прозрачности и отражения.

4. Методом синтеза посредством введения дополнительных, обрамляющих пленку In203(Sn), слоев разработана конструкция спектроделительного покрытия с повышенной прозрачностью в видимой области спектра при сохранении отражательной способности в ИК-диапазоне.

5. На базе полученных результатов и введенного критерия оценки впервые разработана оптимальная технология изготовления широкополосных спектроделительных покрытий со значительно улучшенными характеристиками прозрачности в видимой области спектра и высоким отражением в инфракрасном диапазоне.

6. Впервые разработан метод оценки и численного сравнения механической прочности тонкопленочных покрытий на базе испытаний микротвердости вдавливанием алмазного бицилиндрического индентора Егорова.

7. Показано, что коэффициент отражения пленок In2C>3(Sn) в ИК и СВЧ-диапазонах ограничивается поверхностной проводимостью.

Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения.

Выводы.

1. Для практической реализации прозрачных нагревательных элементов определены оптимальные толщины пленки, обеспечивающие максимальную прозрачность и минимальное сопротивление. Показано, что при оптимальной толщине, равной 420 или 540 нм, интегральное пропускание в видимой области спектра составляет (83^-85) %, а поверхностное сопротивление — (44−5) Om/d.

2. Установлено, что оптические и электрические свойства пленок 1п20з (8п) существенно зависят от парциального давления кислорода в вакуумной камере в процессе испарения и скорости роста конденсата. По результатам экспериментально определенных закономерностей найдены оптимальные значения парциального давления кислорода. Высококачественные слои 1п2Оз (8п) могут быть изготовлены при следующих рекомендуемых условиях: температура подложки — ЗОО-ьЗЗО °Спарциальное давление кислорода в вакуумной камере в процессе испарения — (4 4−5)-10″ 4 мбарскорость роста конденсата — 2ч-3 нм/мин. Эти параметры положены в основу разработанных нами техпроцессов промышленного изготовления оптических покрытий на основе пленок 1п20з (8п).

3. Экспериментально показана эффективность использования прозрачных пленок In2C>3(Sn) в качестве обогревательных элементов с возможностью регулирования и стабилизации их температуры.

4. Рассмотрены принципы построения и полученные реальные результаты меташюдиэлектрических спектроделительных покрытий. На основе анализа существенных недостатков подобных покрытий и исследований оптических свойств пленок In2C>3(Sn) в широком спектральном диапазоне предлагается оптимизированная конструкция более эффективного спектроделителя на основе слоев In2C>3(Sn).

5. Методом синтеза посредством введения дополнительных, обрамляющих пленку In203(Sn), прозрачных слоев разработана конструкция спектроделительного покрытия с повышенной прозрачностью в видимой области спектра и сохранением отражательной способности в ИК-диапазоне. В этом направлении достигнуто повышение прозрачности на (10−5-12) % по сравнению с непросветленными слоями 1п2Оз (8п).

6. На основе экспериментально полученных значений концентраций свободных носителей заряда и их эффективной массы в пленках 1п20з (8п) с привлечением модели проводимости металлов Друде проведен теоретический анализ дисперсии оптических постоянных, получены расчетные спектральные характеристики. Показано, что отражение в ИК-диапазоне целиком определяется передней границей пленки. Более того, на отражательную способность пленок в длинноволновой области спектра влияет поглощение, связанное с поверхностной проводимостью. Этот вывод подтвержден оценочными измерениями коэффициента отражения в субмиллиметровом диапазоне длин волн.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В результате проведенных исследований оптических и электрических свойств пленок на основе оксида индия, легированного оловом, разработаны и реализованы на практике новые конструкции широкополосных спектроде-лительных покрытий, обеспечивающих наиболее эффективное разделение падающего излучения на видимую и инфракрасную спектральные области. Основные результаты работы заключаются в следующем:

1. Проведен анализ экспериментальных и теоретических работ в мировой практике по состоянию исследований оптических и электрических свойств пленок на основе широкозонных полупроводниковых материалов. Сравнение характеристик представителей этой группы материалов и тенденций исследований в этом направлении показывает, что наиболее пристальный интерес, благодаря своим уникальным свойствам, проявляется к оксиду индия, с оптимальным уровнем легирования оловом.

2. С целью оптимизации характеристик спектроделительных покрытий впервые введена функция качества, связывающая интегральные значения прозрачности в видимой области спектра и отражения в ИК-диапазоне. Аргументом этой функции могут быть как параметры покрытия, так и параметры технологических режимов изготовления. Целесообразность и полезность введения подобной функции качества заключается в том, что она позволяет проанализировать влияние технологических факторов и найти единственное компромиссное решение построения спектроделительного покрытия.

3. Экспериментально, в широком спектральном диапазоне, исследованы спектры пропускания, отражения и поглощения пленок оксида индия, легированного оловом, полученных методом электроннолучевого испарения в вакууме. Расчетом цветовых характеристик установлено, что пленки 1п20з (8п) практически не искажают проходящую через покрытие цветовую информацию.

Изучены зависимости таких электрических параметров, как поверхностное и удельное сопротивления, концентрация электронов проводимости и их подвижность от толщины пленок, полученных на специально разработанной подколпачной арматуре, позволившей за один технологический цикл получить пленки с разными, но конкретно определенными значениями толщины.

4. Разработан метод оценки механической прочности тонких пленок, основанный на статическом вдавливании алмазного индентора в поверхность испытуемого материала. Для удобства сравнения механической прочности пленок из разных материалов или одного и того же материала, полученных в разных условиях, и идентичности условий испытаний впервые на графике зависимости микротвердости от величины нагрузки введено понятие линии равной глубины проникновения индентора.

5. Проведено комплексное изучение кинетики изменения оптических и электрических свойств пленок 1п20з (8п) от температуры последующего отжига на воздухе. Определена область температурной стабильности (до 300 °С), выше этого предела происходит расширение области прозрачности в длинноволновую часть спектра и снижения отражения в ИК-диапазоне.

Впервые установлено, что характер изменения оптических и электриче-, ских свойств пленок при последующем высокотемпературном отжиге зависит от парциального давления кислорода в процессе изготовления исходных образцов. Показано, что наиболее существенным изменениям подвергаются пленки, полученные при низких значениях парциального давления кислорода в вакуумной камере.

6. Температурные эксперименты, проведенные в условиях вакуума, дали результаты, качественно отличные от результатов отжига на воздухе: наблюдалось сужение области прозрачности в видимой части спектра, повышение отражения в ИК-диапазоне, снижение поверхностного сопротивления. Установлено, что приведенные изменения оптических и электрических параметров являются обратимыми и восстанавливаются при соответствующих условиях отжига.

7. Разработаны прозрачные нагревательные элементы на основе использования оксида индия, легированного оловом. На основе использования предложенной функции качества определены оптимальные значения толщины пленки, парциальное давление кислорода и скорость роста конденсата, обеспечивающие максимальную прозрачность и минимальное электрическое сопротивление. Экспериментально показана эффективность использования исследуемых пленок в качестве нагревательных элементов с возможностью регулирования температуры и стабилизации достигнутого значения.

8. Методом синтеза посредством введения дополнительных, обрамляющих пленку 1п2Оз (8п), прозрачных слоев разработана конструкция спектро-делительного покрытия на основе слоев с повышенной прозрачностью в видимой области спектра и сохранением отражательной способности в ИК-диапазоне. В этом направлении достигнуто повышение прозрачности на (10−12)% по сравнению с непросветленными слоями In203(Sn).

9. На основе экспериментально полученных значений концентраций свободных носителей заряда и их эффективной массы в пленках In203(Sn) с привлечением модели проводимости металлов Друде был проведен теоретический анализ дисперсии оптических постоянных и получены расчетные спектральные характеристики. Показано, что отражение в ИК-диапазоне целиком определяется передней границей пленки. Более того на отражательную способность пленок в длинноволновой области спектра влияет поглощение, связанное с поверхностной проводимостью. Этот вьюод подтверждается оценочными измерениями коэффициента отражения в субмиллиметровом диапазоне длин волн.

10. Результаты проведенных исследований использованы в процессе разработки конструкций и технологии промышленного изготовления широкополосных спектроделителей, прозрачных обогреваемых окон и электродов.

Автор считает своим долгом выразить признательность действительному члену АИН РФ, доктору технических наук, профессору И.С. Гайнутдино-ву, которому принадлежит общая постановка задачи и участие в обсуждении результатов, и члену-корреспонденту АИН РФ, доктору физико-математических наук Е. А. Несмелову за участие в консультациях, теоретических расчетах и постоянную помощь в процессе выполнения работы.

Показать весь текст

Список литературы

  1. И.Б., Краснов В. Г., Шаплыгин И. С. Электропроводность окисных систем и пленочных структур. — М.- Наука, 1979. -168 с.
  2. И.Б., Соболев В. В., Шаплыгин И. С. Химические и физические свойства простых оксидов металлов. М.- Наука, 1983. -240 с.
  3. D.E. //Sol. Energy Mater. 1980. — Vol.3. — P. 503 — 520.
  4. О., Нагатомо Т. Методика нанесения прозрачных электродов на сегнетоэлектрическую керамику и их использование. // Изв. АН СССР. Сер. Физическая. -1977. -Т.41. № 3. -С. 637−643.
  5. Т.А., Моррис Э. Н. Здания, климат и энергия. -Л.: Гидрометеоиздат, 1985.- 543 с.
  6. И.В., Калинин Ю. Е., Самохина О. И., Ситников А. В. Влияние водорода на электропроводность оксида олова легированного иттрием //Письма в ЖТФ. -2004. -Т. 30. Вып. 11. -С. 78 84.
  7. С.И., Свистова Т. В., Рембеза Е. С., Борсякова О. И. Микроструктура и физические свойства тонких пленок SnC>2 // ФТП. -2001. -Т. 35. Вып. 7. -С. 796−799.
  8. В.В., Кучеренко Н. И., Кисин В.В.Текстурированные пленки оксида олова для микросистем распознавания газов // Письма в ЖТФ. — 2004. -Т. 30. Вып. 18.-С. 14−20.
  9. В.В., Якушева О. В., Гребенников А. И., Кисин В. В. Вольтампер-ные характеристики тонкопленочных газочувствительных структур на основе оксида олова // Письма в ЖТФ. 2005. -Т. 31. Вып. 8.-С. 52−56.
  10. Korotchenkov G., Brinzari V., Cerneavschi A., Ivanov М., Golovanov V., Cornet A., Morante J., Cabot A., Arbiol J. The influence of film structure on ln203 gas response // Thin Solid Films. 2004. — Vol. 460. — P. 315 — 323.
  11. Jachimowski M. The wide band transparent filters reflecting infrared radiation, their preparation and some applications. //Scientific bulletins of the Stanislaw Staszic university of mining and metallurgy. No. 902, Cracow -1982.
  12. Jin Z.-C., Hamberg I., Granqvist C.G. Optical properties of sputter-deposited ZnO: Al thin films // J.App. Phys. -1988. -Vol.64. No. 15. -P. 5117−5131.
  13. К., Дас С. Тонкопленочные солнечные элементы. -М.: Мир, 1986. 440 с.
  14. Minami Т., Ida S., Miyata Т., Minamino Y. Transparent conducting ZnO thin films deposited by vacuum arc plasma evaporation // Thin Solid Films.- 2003, -Vol. 445.-P. 268−273.
  15. Ye Z.-Z., Tang J.-F. Transparent conducting indium doped ZnO films by dc reactive S-gun magnetron sputtering // Applied Optics. 1989. -Vol. 28. No. 14.-P. 2817−2819.
  16. Herrero J., Guillen C. Improved ITO thin films for photovoltaic applications with a thin ZnO layer by sputtering // Thin Solid Films. 2004. — Vol. 451 452. — P. 630−633.
  17. Utsumi K., Iigusa H., Tokumaru R., Song P.K., Shigesato Y. Study on ln203 -Sn02 transparent and conductive films prepared by d.c. sputtering using high density ceramic targets // Thin Solid Films. 2003. -Vol.445. — P. 229−234.
  18. Pan C.A., Ma T.P. High-quality transparent conductive indium oxide films prepared by thermal evaporation // Appl. Phys. Lett. -1980. Vol. 37. No.2. -P. 163−165.
  19. Mizuhashi M. Electrical properties of vacuum-deposited indium oxide and indium tin oxide films // Thin Solid Films. 1980. -Vol. 70. -P. 91−100.
  20. Girtan M., Risu G.I., Rusu G.G., Gurlui S. Influence of oxidation conditions on the properties of indium oxide thin films // Applied Surface Science. — 2000.-Vol. 162−163.-P. 492−498.
  21. Jung Y.S., Seo I.Y., Lee D.W., Jeon D.Y. Influence of magnetron sputtering parameters on the properties of amorphous indium zinc oxide thin film // Thin Solid Films. 2003. — Vol.445. — P. 63−71.
  22. Hiramatsu H., Seo W.-S., Koumoto K. Electrical and Optical Properties of Radio-Frequency-Sputtered Thin Films of (Zn0)5In203 // Chem. Mater. -1998. Vol.10. — P. 3033−3039.
  23. А.Я., Круглова А. В., Крыжановский Б. П. Пленки полупроводниковой двуокиси олова с повышенной проводимостью // Ж. прикл. Химии. -1959, Т. 32. № 5. — С. 1161−1165.
  24. .П., Окатов М. А. Повышение проводимости слоев Sn02 и 1п20з с помощью фторорганических соединений // Ж. прикл. Химии. -1966. -Т. 39. № 12. -С. 2832−2837.
  25. Shanthi Е., Baneijee A., Dutta V., Chopra K.L. Electrical and optical properties of tin oxide films doped with F and (Sb +F) // J. Appl. Phys. 1982. -Vol.53. No.3. — P. 1615−1621.
  26. Т.П. Природа проводимости и оптические свойства легированных пленок двуокиси олова: Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук. Свердловск- 1977. -18 с.
  27. Kim Н., Pigue A., Horwitz J.S., Mattoussi Н., Murata Н., Kafafi Z.H. Indium tin oxide thin films for organic light-emitting devices // Appl. Phys. Lett. -1999. -Vol.74. No.23. -P.3444−3446.
  28. Rauf I.A. Extraction of free carrier density and mobility from the optical transmission data of tin-doped indium oxide thin films // Materials Lett. -1995. -Vol.23.-P.73−78.
  29. Craciun V., Craciun D., Wang X., Anderson T.J., Singh R.K. Highly conducting indium tin oxide films grown by ultraviolet-assisted pulsed laser deposition at low temperatures // Thin Solid Films. 2004. -Vol.453−454. -P. 256−261.
  30. Han Y., Kim D., Cho J.-S., Koh S.-K. Ultraflat indium tin oxide films prepared by ion beam sputtering // Thin Solid Films. -2005. -Vol.473. P. 218−223.
  31. Ю.Д. Химия нестехиометрических окислов. М.: Изд-во МГУ, 1974.-364 с.
  32. Юм-Розери В. Электроны и металлы. М.: Металлургиздат, 1950. — 275 с.
  33. Kostlin Н., Jost R., Lems W. Optical and Electrical Properties of Doped 1п2Оз Films// Phys. Status solidi. 1975. -Vol.29. — P. 87 — 93.
  34. Huang K.F., Uen T.M., Gou Y.S., Huang C.R., Yang H.C. Temperature dependence of transport properties of evaporated indium tin oxide films // Thin Solid Films. 1987. -Vol. 148. — P. 7 — 15.
  35. Chen Z., Yang K., Wang J. Preparation of indium tin oxide films by vacuum evaporation // Thin Solid Films. -1988. -Vol.162. P. 305 — 313.
  36. Nagatomo Т., Maruta Y., Omoto O. Electrical and optical properties of vacuum-evaporated indium-tin oxide films with high electron mobility// Thin Solid Films. 1990. -Vol. 192. — P. 17 — 25.
  37. Rauf LA. Low resistivity and high mobility tin-doped indium oxide films // Material Letters. 1993. -Vol. 18. — P. 123 — 127.
  38. Yamaguchi M., Ide-Ektessabi A., Nomura H., Yasui N. Characteristics of indium tin oxide films prepared using electron beam evaporation // Thin Solid Films. -2004. -Vol.447−448. P. 115 — 118.
  39. Kanazawa J., Haranoh Т., Matsumoto K. Effect of chemical state of doped Sn on the electrical properties of sputtered ITO films // Vacuum. -1990. No. 4−6. — P. 1463 -1465.
  40. Wu W.F., Chiou B.S. Mechanical properties of r.f. magnetron sputtered indium tin oxide films // Thin Solid Films. -1997. -Vol.293. P. 244 — 250.
  41. И.И., Крыжановский Б. П., Дубков B.M. Получение прозрачных окисных электропроводящих покрытий импульсным лазерным напылением // ОМП. -1981. № 5. -С. 30 32.
  42. Nishimura E., Ohkawa H., Song P.K., Shigesato Y. Microstructures of ITO films deposited by r.f. magnetron sputtering with H20 introduction // Thin Solid Films.-2003.-Vol.445.-P. 235−240.
  43. Kawada A. Indium-tin oxide deposition by d.c. reactive sputtering on a low softening point material // Thin Solid Films. -1990. -Vol.191. P. 297 — 303.
  44. Kim S.H., ParkN.-M., Kim T.Y., Sung G.Y. Electrical and optical characteristics of. ITO films by pulsed laser deposition using a 10 wt. % Sn02-doped ln203 ceramic target//Thin Solid Films. -2005. Vol.475. — P. 262−266.
  45. Park J.-O., Lee J.-H., Rim J.-J., Cho S.-H., Cho Y.K. Crystallization of indium tin oxide thin films prepared by RF-magnetron sputtering without external heating//Thin Solid Films. -2005.-Vol.474. P. 127−132.
  46. Qiao Z., Latz R., Mergel D. Thickness dependence of In203: Sn film growth // Solid Films. -2004. -Vol.466. P. 250 — 258.
  47. El Akkad F., Punnoose A., Prabu G. Properties of ITO films prepared by rf magnetron sputtering //Appl. Phys. -2000. -Vol. A71. P. 157−160.
  48. Martin P.J., Netterfield R.P. Properties of indium tin oxide films prepared by ion-assisted deposition // Thin Solid Films. -1986. -Vol.137. P. 207 — 2214.
  49. Laix S., Kaiser N., Zoller A., Gotzelmann R., Lauth H., Bermitzki H. Room-temperature deposition of indium tin oxide thin films with plasma ion-assisted evaporation // Thin Solid Films. -1998. -Vol.335. P. 1−5.
  50. Paine D.C., Whitson Т., Janias D., Beresford R., Yang C.O. A study of low crystallization of amorphous thin film indium-tin-oxide // J. Appl. Phys. -1999. -Vol. 85.No. 12.-P. 8445−8450.
  51. Theuwissen A.J.P., Declerck G.J. Optical and electrical properties of reactively d.c. magnetron-sputtered In203: Sn films // Thin Solid Films. 1984. -Vol.121. -P. 109−119.
  52. Weijens C.H.L., Van Loon P.A.C. Influence of annealing on the optical properties of indium tin oxide // Thin Solid Films. -1991. -Vol. 196. P. 1−10.
  53. Zhang K., Zhu F., Huan C.H.A., Wee A.T.S. Indium tin oxide films prepared by radio frequency magnetron sputtering method at a low processing temperature // Thin Solid Films. -2000. -Vol.376. P. 255 — 263.
  54. Zhang K., Zhu F., Huan C.H.A., Wee A.T.S. Effect of hydrogen partial pressure on optoelectronic properties of indium tin oxide thin films deposited byradio frequency magnetron sputtering method // J. Appl. Phys. -1999. -Vol. 86. No.2. -P. 974−980.
  55. Kawashima Т., Matsui H., Tanade N. New transparent conductive films: FTO coated ITO // Thin Solid Films. -2003. -Vol.445. P. 241 — 244.
  56. Maki K., Komiya N., Suzuki A. Fabrication of thin films of ITO by aerosol CVD // Solid Films. -2003. -Vol.445. P. 224 — 228.
  57. Yu D., Yu W., Wang D., Qian Y. Structure, optical, and electrical properties ofindium tin oxide films with corundum structure fabricated by a sol-gel route based on solvothermal reactions//Thin Solid Films. -2002. -Vol.419. — P.166 — 172.
  58. Daoudi K., Canut В., Blanchin M.G., Sandu C.S., Teodorescu V.S., Roger J.A. m Densification of In203: Sn multilayered film elaborated by the dip-coating solgel route // Thin Solid Films. -2003. -Vol.445. P. 20 — 25.
  59. Rauf I.A., Structure and properties of tin-doped indium oxide thin films prepared by reactive electron-beam evaporation with a zone-confining arrangement // J. Appl. Phys. -1996. -Vol. 79. No.8. P. 4057 — 4065.
  60. George J., Menon S. Electrical and optical properties of electron beam evapo-^ rated ITO thin films // Surface and Coatings Technology. -2000. -Vol. 132. P.45.48.
  61. B.B., Демчина JI.A., Ковалюк З. Д. Получение и некоторые свойства электропроводящих прозрачных пленок на основе индия и олова // Неорган. Материалы. -1980. Т. 16. № 6. — С. 1120 — 1121.
  62. Н.В. Химические методы получения тонких прозрачных пленок. Л.: Химия, 1971.200 с.
  63. Рябова J1.A., Салун B.C., Сербинов И. А. Оптические свойства пиролити-ческих пленок окиси индия, легированной оловом // Опт. и спектр. -1982. Т. 5. № 5. — С. 956 — 959.
  64. Jarzebski Z.M. Preparation and Physical Properties of Transparent Conducting Oxide Films // Phys. stat. sol.(a). 1982. -Vol. 71. — P. 13 — 41.
  65. Осаждение пленок и покрытий разложением металлорганических соединений / Б Р. Грибов, Г. Ф. Домрачеев, Б. В. Жук и др. / Под ред. Г. Ф. Разуваева. М.: Наука, 1981. — 322 с.
  66. Chen Z., Yang К., Wang Н. Preparation of indium tin oxide films by vacuum evaporation // Thin Solid Films. -1988. -Vol.162. P. 305 — 313.
  67. Nath P., Bunshah R.F., Basol B.M., Staffsud O.M. Electrical and optical properties of In203: Sn films prepared by activated reactive evaporation // Thin Solid Films. -1980. -Vol.72. P. 463 — 468.
  68. Dobrowolski J.A., Menagh F.C., Simpson R., Waldorf A. Transparent, conducting indium tin oxide films formed on low or medium temperature substrates by ion-assisted deposition // Appl. Optics. 1987. -Vol. 26. No. 24. — P. 5204−5210.
  69. Quaas M., Eggs C., Wulff H. Structural studies of ITO thin films with Rietveld method // Thin Solid Films. -1998. -Vol.332. P. 277 — 281.
  70. .П., Орел E.H. Электропроводящие покрытия двуокиси олова, полученные вакуумным испарением // ОМП. — 1974. № 10. — С. 53 -56.
  71. .П., Колчев Б. С., Иванова И. С. Получение прозрачных проводящих покрытий трехокиси индия // ПТЭ. 1978. № 6. — С. 176 -177.
  72. Roessler U. Energy bands of А2В6 // Phys. Rev. 1969. — Vol. 184. No. 3. — P. 733−737.
  73. Pantelides S.T., Yarrison W.H. Valence bands of crystals // Phys. Rev. 1975. -Vol. 11. No. 10.-P. 3006−3013.
  74. Gupta L., Mansingh A., Srivastava P.K. Band gap narrowing and band structure of tin doped indium oxide films // Thin Solid Films. -1989. -Vol.176. P. 33−44.
  75. E.A., Гормин C.A., Петроченко И. В., Шадрина Л. П. Метод определения удельной статической проводимости полупроводниковых прозрачных тепловых зеркал. //Опт.и спектр.- 2000. -Т. 89. № 6.- С. 969−973.
  76. Jarzebski Z.M. Prearation and Physical of Conducting Oxide Films // Phys. stat. sol. (a). -1982. Vol. 71. — P. 13 — 41.
  77. Tahar R., Ban Т., Ohya Y., Takahashi Y. Tin doped indium thin films: Electrical properties // J. Appl. Phys. 1998. — Vol. 83. — P. 2631 — 2645.
  78. З.Г. Несплошные и керметные пленки. // В кн. Физика тонких пленок. М.: Мир, 1978. -Т.8. -С. 106 -179.
  79. Haacke G. New figure of merit for transparent conductors.// J. Appl. Phys. -1976. Vol. 47. -№ 9. — P.4086 — 4089.
  80. Fan J.C.C., Bachner F.J., Foley G.H. Effect of 02 pressure during deposition on properties of rf-sputtered Sn-doped bi203 films // Appl. Phys. Lett. -1977. -Vol. 31.No.ll.-P. 773 775.
  81. Jun S.-I., McKnight Т.Е., Simpson M.L., Rack P.D. A statistical parameter study of indium tin oxide thin films deposited by radio-frequency sputtering // Thin Solid Films. -2005. -Vol.476. P. 59 — 64.
  82. Baneijee R., Ray D.D.S., Batabyal A.K., Barua A.K. Preparation of indium tin oxide films by vacuum evaporation // Sol. Energy Mater. — 1986. -Vol.13. P. 11−16.
  83. OCT 3−1901−95. Покрытия оптических деталей. Типы, основные параметры и методы контроля. Издание официальное, 1995. — 191с.
  84. Heitman W. Reactiwes Aufdampfen in ionisierten Gasen. // Vakuum Technik. -1972. No 1. -S. 1−11.
  85. Пат. № 369 591 США. Method of applying a multilayer antireflection coating to substrate. Заявл. 21.01.69- опубл. 14.09.71. МКИ В 29 11/00.
  86. Р.Д., Сабиров Р. С., Гайнутдинов И. С. Первеев А.Ф. О влиянии электронной бомбардировки на поглощение пленок.// В сб.: Тезисыдокладов на III Всесоюзной конференции «Оптика лазеров». Л.: ГОИ, 1981,-С. 369−370.
  87. Р.Д., Гавриленко О. Ф., Гайнутдинов И. С., Первеев А. Ф., Сабиров Р. С. О влиянии ориентации электроннолучевого испарителя на поглощение пленок, напыляемых на установках с масляной системой откачки.// ОМП. 1984. № 6. — С. 47−49.
  88. В.К. Григорович. Твердость и микротвердость металлов. -М.: Наука, 1976, -230 с.
  89. Сб. Исследование в области измерения твердости, под ред. Б. И. Полинчука. Труды метрологических институтов СССР, вып. 91, (151), М. Стандартиздат, 1967.
  90. Л.П. Павлов. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. -М.: Высшая школа, 1975. -206 с.
  91. J. С., De Murcia М., Fillard J.P. Optical and electrical properties of Sn02 thin films in relation to their stoichiometric deviation and their crystalline structure // Thin Solid Films. -1977. -Vol.41. P. 127 — 135.
  92. H.A., Верещагин В. Г., Валидов M.A. Инфракрасные фильтры. — Минск: Наука и техника, 1971.-122с
  93. А.А. Плазменные возбуждения в полупроводниках. // Сб. Оптические исследования полупроводников. Свердловск: УНЦ АН СССР, -1980. -С.3−6.
  94. Г. В. Оптика тонкослойных покрытий.-М.: Физматгиз,-1958−570 с.
  95. Т.Н. Интерференционные покрытия.-Л.: Машиностроение, 1973.-224с.
  96. .М., Шапочкин Б.Ф.Измерение параметров оптических покрытий. — М.: Машиностроение, 1986.-136 с.
  97. И.С., Несмелое Е. А., Алиакберов Р.Д Функция качества для определения оптимальных параметров широкополосных спектроде-лителей. //Оптический журнал. 2003. -Т. 70. № 5 — С. 83−86.
  98. Н.Н., Михайлов А. В., Муранова Г. А., Калугин Ф. И. Расчет и корректировка цветности многолинзовых оптических трубок для эндоскопов. //Оптический журнал. -2003. -Т. 70. № 10. -С. 54−61
  99. Г. А., Воробьев Ю. В., Зинченко В. Ф. Получение тонкослойных конденсатов на основе оксидов олова со стабильным валентным состоянием// Неорг. материалы. 1992. -Т.28. № 9. — С. 1896−1901.
  100. Haitjema Н., Elich J. Physical properties of pyrolytically sprayed tin-doped oxide coantings // Thin Solid Films. 1991. — Vol.205. — P. 93−100.
  101. Nath P., Bunshah R. Preparation of ln203 and tin-doped 1п2Оз films by a novel activated reactive evaporation technique.// Thin Solid Films. 1980. -Vol.69. -P.63−68.
  102. Hamberg I., Hjortsberg A., Granqvist C.G. High quality transparent heat reflectors of reactively evaporated indium tin oxide // Appl. Phys. Lett. 1982. -Vol.40. — No.5. — P. 362−364.
  103. И.С., Несмелое E.A., Алиакберов P.Д., Михайлов А. В. Метод оценки механической прочности тонкослойных покрытий // Оптический журнал. 2004. — Т.71. №.8. — С. 84 — 87.
  104. И.В., Добычин М. Н., Комбалов B.C. Основы расчетов на трение и износ. М.: Машиностроение. 1977.421 с.
  105. B.C., Морозов Е. М. Механика упругопластического разрушения. М.: Наука, 1974. 325 с.
  106. Г. М. Механика разрушения композиционных материалов. М.: Наука, 1983.289 с.
  107. В.А. Механогидролитические процессы и прочность твердых тел. JL: Наука, 1987.451с.
  108. А.Г., Несмелов Е. А., Никитин А. С., Гайнутдинов И. С. Внутренние напряжения в тонких пленках Ge, ZnS, ZnSe // ОМП. 1982. № 8. -С. 35−37.
  109. Е.А., Никитин А. С., Гусев А. Г., Иванов О. Н. Измерение энергии адгезии тонких пленок // ОМП. -1982. № 10. -С. 34 -37.
  110. Международный светотехнический словарь. 3-е изд. — М.: Русский язык, 1979. 451с.
  111. М.М., Мурашко М. П. Изменение цветовых характеристик света, отраженного изотропной непоглощающей плоскопараллельной пластинкой, в зависимости от условий ее освещения // Оптический журнал. 2000. — Т. 67. № 6. -С. 15 — 18.
  112. Л.И., Вайнпггейн В. М. и др. Исследование структурных, электрических и оптических свойств пленок Sn02 и 1п2Оз // Неорг. матер. 1969. — Т.5. № 3. — С. 551- 555.
  113. Н., Мермин Н. Физика твердого тела. М.: Мир, 1979, Т.1, 422 с.
  114. Я.А. Введение в химию полупроводников. М.: Высшая школа, 1965,245 с.
  115. В.М., Фистуль В. И. Инфракрасное отражение сильнолегированных пленок 1п203 // ФТП. 1970. — Т. 4. № 8. — С. 1495 — 1499.
  116. И.С., Несмелов Е. А., Алиакберов Р. Д., Михайлов А. В., Абзалова Г. И. Прозрачные в видимой области спектра нагревательные элементы на основе слоев In203(Sn) // Оптический журнал. 2004. — Т. 71, № 10.-С. 69−73.
  117. Lee J-H, Lee S-H, Yoo K-L, Kim N-Y, Hwangbo C.K. Deposition of a conductive near-infrared cutoff filter by radio-frequency magnetron sputtering. //Appl. Opt. 2002. -Vol. 41. No. 16. -P. 3061−3067.
  118. A.P., Несмелов E.A., Сафин Р. Г. Простой метод расчета металлодиэлектрических теплоотражающих фильтров. //Оптический журнал. -1995. № 2. -С. 72−73.
  119. Azzam R. M. A., Bu-Habib E., Casset J., Chassaing G., Gravier P. Antire-flection of an absorbing substrate by an absorbing thin film at normal incidence // Appl. Opt. -1987. -Vol. 26. No. 4. -P. 719−722.
  120. Lee C.-C., Chy C.-W. High power C02 laser mirror: a design // Appl. Opt. -1987. -Vol. 26. N 3. P. 2544 — 2548.
  121. Н.П., Несмелов E.A., Нагимов И. Х., Валидов P.M., Соболева Н. Н. К теории узкополосных фильтров с индуцированным пропусканием. //ЖПС. — 1991. -Т.55. N6.-С. 1000−1004.
  122. W. Н. Multilayer coating design achieving a broadband 90° phase shift // Appl. Opt. -1980. -Vol. 19. No. 16. -P. 2688 2692.
  123. Granqvist C. G. Radiative heating and cooling with spectrally selective surfaces// Appl. Opt. -1981. -Vol.20. No. 15. -P. 2606 2615.
  124. John C.C.Fan, Frank J. Bacher, George H. Foley, Paul M. Zavracky. Transparent heat-mirror films of Ti02/ Ag / Ti02 for solar energy collection and radiation insulation. // Appl. Phys. Lett. -1974. -Vol.25. No. 12. -P. 693 -695.
  125. О.А., Уханов C.H., Козак B.B., Серебренников В. В. Расчет многослойных теплоотражающих экранов. // Известия ВУЗ’ов, Физика. — 1984.-№ 2.-С. 86−91.
  126. .Т., Ефимовский В. В., Шкалето В. И. Субструктура и аномальные оптические свойства островковых конденсатов серебра //Опт. и спектр.-1974.-Т.37. № 1.-С. 198−201.
  127. Memarzadeh К., Woollam J.A., Bilkind A. Variable angle of incidence spectroscopic ellipsometric characterization of Ti02/Ag/ Ti02 optical coatings // J.Appl. Phys. 1988. — Vol. 64. No7. — P. 3409−3411.
  128. Т.Н. Интерференционные покрытия. — JI.: Машиностроение, 1973. 224 с.
  129. М.А., Конюхов Г. П., Несмелов Е. А. Метод определения оптических постоянных и толщины диэлектрических пленок // Опт. и спектр. -1969. Т.26. Вып. 2. — С. 301 — 309.
  130. Е.А., Гусев А. Г., Иванов О. Н., Матшина Н. П. Метод расчета оптических постоянных тонких диэлектрических пленок // ОМП. 1991. № 9-С. 27−29.
  131. И.С., Несмелое Е. А., Алиакберов Р. Д., Абзалова Г. И., Михайлов А. В. Просветление спектроделительных покрытий на основе легированной оловом окиси индия // Оптический журнал. 2004. — Т.71. № 10. -С.66−68.
  132. Kim S.W., Shin Y.W., Lee D.S., Kim J., Lee H.W. The effect of the amorphous insulator layer on conduction behaviors of the silica/indium tin oxide two-layer films // Thin Solid Films. -2003. -Vol. 437. P. 242−247.
  133. A.c. № 1 489 420 (СССР). Просветляющее покрытие. Авт. изобр. Алиакберов Р. Д., Аубакиров Р. Г., Байгильдин И. Ш., Гайнутдинов И. С. — Заявл. 12.12.1986- выдан 22.02.1989.
  134. А.с. № 1 503 547 (СССР). Интерференционное просветляющее покрытие. Авт. изобр. Алиакберов Р. Д., Гавриленко О. Ф., Гайнутдинов И. С., Мухамедов Р. К., Сабиров Р. С. Заявл. 16.12.1987- выдан 22.04.1989.
  135. Е.М., Гречушников Б. Н., Дистлер Г. И., Петров И. П. Оптические материалы для инфракрасной техники. -М.: Наука, 1965,335 с.
  136. И.С., Несмелов Е. А., Алиакберов Р. Д., Коновалов А. А., Тарасов В. Ф., Михайлов А. В. О влиянии поверхностной проводимости на оптические свойства пленок окиси индия, легированной оловом // Оптический журнал. 2005.-Т.72. № 10 — С.63−68.
  137. Р., Башара Н. Эллипсометрия и поляризованный свет. М.: Мир, 1981.584 с.
  138. Pflug A., Sittenger V., Ruske F., Szyszka В., Dittmar G. Optical characterization of aluminium-doped zinc oxide films by advanced dispersion theories. //Thin Solid Films. -2004. -Vol. 455−456. P. 201−206.
  139. Дж. Принципы теории твердого тела. М.: Мир, 1974.472с.
  140. В.И. Сильно легированные полупроводники. М.: Наука, 1967. 415с.
  141. Tarasov V. F., Shakurov G.S., Submillimetre EPR spectrometer //Applied Magnetic Resonance. -1991. -Vol.2. No.3. -P. 571−576.
  142. В.Ф., Шакуров Г. С., Барышев H.C., Несмелова И. М., Оптические свойства кристаллов кадмий — ртуть — теллур в субмиллиметровом диапазоне. // ЖПС. -1990. -Т.53. № 1. -С. 157−159.
  143. В.П. К вопросу об оптических постоянных проводников. // ЖЭТФ. -1959. -Т.36. Вып. 5. -С. 1443−1450.
  144. В.П., Рухадзе А. А. Электромагнитные свойства плазмы и плаз-моподобных сред. М.: Атомиздат, 1961. 244 с.
  145. Ю.В. Многолучевые интерферометры отраженного света. Новосибирск, Наука, 1985, 207 с.
  146. Ю.В. Проводящая поверхность как модель для описания потерь на границах слоев диэлектрического многослойника.// Оптика и спектроскопия. -1988.-Т.64. Вып.1. -С.140−146.
  147. Зон Б.А. К феноменологическому описанию поверхностного поглощения света металлами //Оптика и спектроскопия. -2003. -Т. 95. № 3. -С. 462−465.
  148. Н.Л., Литовченко В. Г., Стрижевский В. Л. Поверхностные по-ляритоны в полупроводниках и диэлектриках. Киев: Наукова думка, 1989. 375 с.
  149. Robusto P.F., Braunstein R. Optical Measurements of the Surfase Plasmon oflndium-Tin Oxide //Phys. Stat. Sol. (a). -1990. -Vol.119.-P. 155−168.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?