Другие типы постоянной памяти

Энергонезависимая память с произвольным доступом (non-volatile random access memoiy — NVRAM). К этому классу относят память, обладающую способностью обычным шинным циклом микросхемы изменить информацию не только во всей ее области или блоке, но и в отдельной ячейке. Флеш-память к этому классу относить нельзя, поскольку изменение информации в этой памяти осуществляется специальной программной процедурой. Истинно произвольный доступ обеспечивает ферроэлектрическая память (ferroelectric RAM — FRAM). Это энергонезависимая память, операции записи и чтения в которой осуществляются, как в обычных микросхемах статической памяти. При ее изготовлении используется железо. Запись производится без предварительного стирания данных. FRAM-память используется в портативных системах класса PDA {personal digital assistants — персональный цифровой ассистент). В настоящее время выпускаются микросхемы емкостью от 4 до 256 Кбит с параллельным интерфейсом (как SRAM) и временем доступа 70—120 нс, а также с последовательным интерфейсом Г2С [83]. Кроме массивов памяти FRAM используется в специальных энергонезависимых регистрах. Выпускаются микросхемы FRAM, имеющие интерфейс КМОП, с питанием на 2,7 и 5 В. Гарантируется до 1010 циклов перезаписи.

Флеш-память. Этот тип энергонезависимой памяти в последнее время получил широкое распространение и заслуживает отдельного рассмотрения.