Масочные ПЗУ. 
Архитектура ЭВМ и систем

В масочные ЗУ типа ROM (M) данные заносятся при изготовлении микросхем фотолитографическим способом с помощью маски (шаблона) на завершающем этапе технологического процесса. Пользователь не может изменить содержимое памяти. Элементом памяти или связи между строками и столбцами могут быть полупроводниковые диоды, биполярные транзисторы, МОП-транзисторы и др. В матрице с диодными элементами в узлах, символизирующих логическую единицу, изготавливается полноценный диод, а в узлах, символизирующих логический нуль, присутствует неработоспособный диод. Это позволяет использовать один шаблон при изготовлении микросхемы и удешевить производство. Для матриц с МОП-транзисторами при изготовлении транзисторов, символизирующих логический нуль, увеличивают толщину подзатворного слоя. В таких транзисторах рабочие напряжения ЗУ не в состоянии открыть транзистор, что равноценно его отсутствию. На рис. 8.1 изображен фрагмент матрицы с МОП-транзисторами. Штриховкой обозначен утолщенный подзатворный слой транзисторов . При активизации адресной шины через резисторы , включенные в цепи этих транзисторов, ток не протекает. С выхода ЗУ снимается код 1001.

Рис. 8.1. Фрагмент матрицы с МОП-транзисторами.

Достоинство масочных ЗУ — высокий уровень интеграции, высокое быстродействие (время доступа 30−70 не), низкая стоимость при массовом производстве. Однако в компьютерах микросхемы ROM широкого применения не получили ввиду невозможности модификации содержимого (такая модификация осуществляется только путем изготовления новых микросхем). Раньше они применялись в качест ве знакогенераторов в некоторых моделях графических адаптеров CGA, MDA, HGC.