Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Физико-химические закономерности получения плёнок твёрдых растворов Pb1-xSnxSe методом ионообменного синтеза

Диссертация: Физико-химические закономерности получения плёнок твёрдых растворов Pb1-xSnxSe методом ионообменного синтеза
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

T Л i ношения констант стойкости комплексных соединений ионов РЬ и Sn с цитрати гидроксид-ионами, приводящим к сдвигу равновесия изучаемой ионообменной реакции в сторону образования селенида олова. Во-вторых, интенсификацией твердофазной диффузии олова (П) вглубь пленки по второй и третьей стадиям диффузии (зерногранич-ной и внутрикристаллитной), приводящей к ускорению изучаемой реакции… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. СИНТЕЗ ТВЁРДЫХ РАСТВОРОВ РЪ^п^е. ИОННЫЙ ОБМЕН В СИСТЕМАХ С УЧАСТИЕМ ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ (литературный обзор)
    • 1. 1. Твёрдые растворы РЬ^дЗп^е: свойства, применение, получение
      • 1. 1. 1. Состав, структура и функциональные свойства селенидов свинца (П), олова (П) и твёрдых растворов замещения на их основе
      • 1. 1. 2. Функциональные свойства и применение твёрдых растворов РЬ^Бп^е
      • 1. 1. 3. Методы получения РЬ8е, БпЭе и твёрдых растворов РЬ^^п^е
    • 1. 2. Ионный обмен на межфазной границе «халькогенид металла — водный раствор»: условия проведения и механизмы процесса
      • 1. 2. 1. Сущность ионного обмена на межфазной границе «халькогенид металла -водный раствор»
      • 1. 2. 2. Представление о трехстадийной диффузии в тонких поликристаллических плёнках
      • 1. 2. 3. Практика ионного обмена в различных системах с участием халькогенидов металлов
  • Выводы
  • ГЛАВА 2. ИСХОДНЫЕ МАТЕРИАЛЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
    • 2. 1. Реактивы и материалы
    • 2. 2. Методика гидрохимического синтеза плёнок РЬ!$е
    • 2. 3. Измерение толщины плёнок
    • 2. 4. Методика термодинамического анализа ионообменных реакций
    • 2. 5. Методика проведения ионообменного синтеза
    • 2. 6. Методика термообработки плёнок
    • 2. 7. Методы исследования состава, структуры и морфологии плёнок
      • 2. 7. 1. Растровая электронная микроскопия и элементный микроанализ
      • 2. 7. 2. Рентгеновский дифракционный анализ
      • 2. 7. 3. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия
    • 2. 8. Измерение электрических параметров плёнок
  • Глава 3. ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ПРОТЕКАНИЯ ИОНООБМЕННОЙ РЕАКЦИИ РЬБе Бп8е В СИСТЕМЕ «РЬ8ета — ВОДНЫЙ РАСТВОР БпСЬ»
    • 3. 1. Анализ величин произведений растворимости РЬБе и 8п8е
    • 3. 2. Анализ произведений растворимости РЬ8е и 8п8е «с учётом комплексообразования в водных растворах
    • 3. 3. Расчёт эффективных произведений растворимости РЬ8е и 8п8е с учётом комплексообразования в водных растворах с различным лигандным фоном
    • 3. 4. Расчёт изменения свободной эТгерТйй Гйббса ионообменной реакций в системе
  • РЬ8етв — водный раствор 8пС12» в растворах с различным лигандным фоном
  • Выводы
  • ГЛАВА 4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ИОНООБМЕННОГО ЗАМЕЩЕНИЯ НА МЕЖФАЗНОЙ ГРАНИЦЕ «РЬ8етв — ВОДНЫЙ РАСТВОР 8пС12» В АЦЕТАТНОЙ РЕАКЦИОННОЙ СИСТЕМЕ
    • 4. 1. Морфология поверхности, элементный состав и структура плёнок РЬ (8п)8е, полученных из ацетатного раствора соли олова (П) в слабокислой среде
    • 4. 2. Исследования плёнок РЬ (8п)8е, полученных из ацетатного раствора соли олова (П) в сильнокислой среде
      • 4. 2. 1. Влияние температуры на морфологию поверхности, элементный состав и структуру плёнок РЬ (8п)8е, полученных из сильнокислых ацетатных растворов соли олова (П)
      • 4. 2. 2. Влияние концентрации соли олова (П) на элементный состав и структуру плёнок РЬ (8п)8е, полученных из сильнокислых ацетатных растворов
    • 4. 3. Распределение концентрации элементов по глубине плёнок РЬ (8п)8е по данным РФЭС-анализа с послойным ионным травлением
      • 4. 3. 1. Обзорные РФЭ-спектры поверхности плёнок РЬ (8п)8е, РЬ8е и 8п8е
      • 4. 3. 2. РФЭС-оценка состава поверхности плёнок РЬ (8п)8е, РЬ8е и 8п8е
      • 4. 3. 3. Профили распределения элементов по глубине плёнок РЬ (8п)8е
    • 4. 4. Расчёт коэффициента диффузии олова в тонкой поликристаллической плёнке РЬ8е при 368 К
    • 4. 5. Химические состояния элементов на различной глубине плёнок РЬ (8п)8е по данным РФЭС-анализа
    • 4. 6. Механизм внедрения олова в плёнку селенида свинца при контакте с водным раствором соли олова (И)
    • 4. 7. Исследования фотоэлектрических свойств плёнок Pb (Sn)Se, полученных из адёШЖгх растворов солй олова (1Т)
  • Выводы
  • ГЛАВА 5. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ИОНООБМЕННОГО ЗАМЕЩЕНИЯ НА МЕЖФАЗНОЙ ГРАНИЦЕ «PbSeTB — ВОДНЫЙ РАСТВОР SnCl2» В ЦИТРАТНОЙ РЕАКЦИОННОЙ СИСТЕМЕ
    • 5. 1. Морфология поверхности, элементный состав и структура плёнок Pb (Sn)Se, полученных из цитратного раствора соли олова (И)
      • 5. 1. 1. Морфология поверхности, элементный состав и структура плёнок Pb (Sn)Se, полученных из цитратного раствора соли олова (П) при комнатной температуре
      • 5. 1. 2. Структурные исследования плёнок Pb (Sn)Se, полученных из цитратного. раствора соли олова (П) при повышенных температурах
    • 5. 2. Распределение концентрации элементов по поверхностным слоям плёнок Pb (Sn)Se по данным РФЭС-анализа с послойным ионным травлением
      • 5. 2. 1. Обзорные РФЭ-спектры поверхности плёнок Pb (Sn)Se, PbSe и SnSe
      • 5. 2. 2. РФЭС-оценка состава поверхности плёнок Pb (Sn)Se, PbSe и SnSe
      • 5. 2. 3. Профили распределения элементов по глубине поверхностных слоёв плёнок Pb (Sn)Se
      • 5. 2. 4. Химические состояния элементов на поверхности плёнок Pb (Sn)Se
    • 5. 3. Химические состояния элементов по глубине и модель поверхности плёнок Pb (Sn)Se по данным РФЭС-анализа
      • 5. 3. 1. Химические состояния элементов на различной глубине плёнок Pb (Sn)Se по данным РФЭС-анализа
      • 5. 3. 2. Модель поверхности плёнок Pb (Sn)Se, построенная на основании РФЭС-данных
  • Выводы

Физико-химические закономерности получения плёнок твёрдых растворов Pb1-xSnxSe методом ионообменного синтеза (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность работы. Регистрация инфракрасного излучения является основой современного тепловидения. Материалы, чувствительные в ПК-диапазоне спектра, находят широкое применение для изготовления фотоприемных устройств, используемых в металлургии, робототехнике, медицине, экологии, в космической и военной технике. Среди материалов, чувствительных к дальнему ИК-диапазону спектра, особое место занимают твердые растворы замещения на основе халькогенидов металлов. Используемые в настоящее время для этих целей СсУ^^Те и РЬ^п^Те требуют для своего получения сложного технологического оборудования и имеют высокую коммерческую стоимость. Актуальной задачей является создание и разработка технологии синтеза альтернативных им соединений. К числу последних следует отнести твердые растворы замещения в системе РЬ8е-8п8е. Для их получения используются традиционные высокотемпературные методы синтеза, а также активно разрабатываемый метод химического осаждения из водных растворов. Анализ выполненных работ по гидрохимическому синтезу пленок РЬ^Бп^е показывает, что он сопряжен с трудностями, обусловленными высокой устойчивостью гидроксокомплексов олова в водных растворах. Достигнутый на сегодня верхний предел содержания олова в составе РЬ^Бп^е при гидрохимическом осаждении составляет всего -12 ат.%.

В этой связи перспективным и интересным направлением является метод ионообменного синтеза РЬ^п^е путем замещения ионов свинца в кристаллической решетке РЬ8е на ионы олова (П) при выдерживании пленки селенида свинца в специально приготовленном водном растворе соли олова.

К настоящему времени отсутствуют сведения по ионообменному синтезу пленок твердых растворов замещения РЬ^дЗПдЗе. Не продемонстрирована возможность реализации указанного процесса, не определены физико-химические закономерности и условия его проведения, не исследованы структура, состав и функциональные свойства получаемых соединений.

В связи с изложенным, целью диссертационной работы являлось изучение физико-химических закономерностей получения пленок твердых растворов РЬ1×8пх8е методом ионообменного замещения в системе «РЬ8ета — водный раствор 8пС12», установление взаимосвязей между условиями синтеза, составом, структурой и свойствами.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие экспериментальные и теоретические задачи.

1. Расчетным путем определить термодинамическую вероятность протекания ионообменной реакции в системе «РЬ^етв — водный раствор 8пС12» в реакционных «системах, содержащих в качестве комплексообразующих агентов ацетат, цитрат, тартрат, нитрат, хлорид натрия, трилон Б в зависимости от рН и концентрации лигандов.

2. Провести анализ изменения свободной энергии Гиббса ионообменной реакции на межфазной Транйце «РЬ8ета — «водный раствор 8пС12» с «возможным формированием твердых растворов замещения РЬ^Бп^е в присутствии различных комплексообразующих добавок и выбрать оптимальные условия проведения ионообменного замещения.

3. Методом ионообменного синтеза получить пленки твердых растворов РЬм ^п^е, изучить их состав, структуру и морфологию.

4. Определить коэффициент твердофазной диффузии ионов олова (И) в пленке се-ленида свинца в ходе ионообменного синтеза из водного раствора соли олова.

5. Предложить механизм ионообменного процесса на межфазной границе «РЬ8еТвводный раствор соли олова (П)».

6. Изучить фотоэлектрические и оценить спектральные характеристики термообра-ботанных пленок РЬ^Бп^е и плёнок РЬ (8п)8е, модифицированных добавкой олова.

Научной новизной обладают следующие результаты диссертационной работы.

1. Расчетом изменения энергии Гиббса оценена термодинамическая вероятность реакции ионообменного замещения в системе «селенид свинца — водный раствор соли олова (П)» с учетом побочных реакций комплексообразования, основанная на расчетах эффективных произведений растворимости РЬ8е и 8п8е.

2. Впервые для целенаправленного получения пленок твердых растворов замещения в халькогенидных системах был применен метод ионообменного синтеза в системе «халькогенид металла М1- водный раствор ионов металла Мп» при температуре до 100 °C.

3. Впервые методом ионообменного синтеза в системе «пленка селенида свинца-водный раствор соли олова (П)» были сформированы пленки твердых растворов замещения РЬ^^п^е с содержанием олова 0 < х < 0,316.

4. Состав, структура, морфология и фотоэлектрические свойства полученных ионообменным синтезом пленок РЬ]х8пх8е, а также слоев РЬ8е, поверхность которых модифицирована соединениями олова.

5. Экспериментально определена величина кшффицйёнТа таёрдофазной диффузий олова (П) в селениде свинца в процессе ионного обмена из водного раствора, равная при 368 К (4,8 ± 0,5)-10−16 см^/с.

6. Предложен механизм и сформулированы общие физико-химические закономерности рёаЩйй йонообмённоТо замещения на межфазной границе «РЬ8етв — водный раствор соли олова (П)».

Практическая ценность.

1. Продемонстрирована возможность ионообменного синтеза из водных сред пленок твердых растворов замещения РЬ^Бп^е широкого диапазона составов (0<�х< 0,316).

2. Определены оптимальные условия ионообменного синтеза (концентрация ком-плексообразующего агента, температура, рН среды) пленок твердых растворов замещения.

РЬ^БпдЗе в ацетатной реакционной системе.

3. Экспериментально определен коэффициент диффузии олова (П) в пленке РЬБе (4,8-Ю-16 см2/с при 368 К) в ходе ионообменной реакции на межфазной границе «РЬ8етв — водный раствор соли олова (П)», имеющий справочный характер.

4. Получены фоточувствительные пленки селенида свинца, модифицированные примесью олова, которые могут быть использованы в качестве чувствительных элементов фото детекторов и фотоприемных устройств.

Положения диссертации, выносимые на защиту.

1. Результаты термодинамического расчета вероятности ионообменной реакции в системе «РЬ8ехв — водный раствор соли олова (П)» в зависимости от рН и концентрации различных комплексообразующих агентов.

2. Элементный и фазовый состав, структура, морфология и концентрационные профили распределения элементов по глубине полученных пленок твердых растворов РЬ^^п^е, а также слоев РЬ (8п)8е, поверхность которых модифицирована примесью олова.

3. Взаимосвязь между условиями ионообменного синтеза и свойствами получаемых твердых растворов Pb]xSnxSe или слоев Pb (Sn)Se, модифицированных примесью олова.

4. Механизм ионообменного синтеза, обешечивающйй формирование Твёрдых растворов замещения Pb^Sn^Se.

Личный вклад автора состоял в постановке задач исследования, планировании экспериментов, непосредственном участии в их проведении, обработке, анализе и обобщений полученного эксперШентальноТо материала по синтезу й изучению свойств изготовленных тонких пленок селенида свинца и твердых растворов замещения на его основе.

Апробация работы. Основные результаты и положения диссертационных исследований докладывались и обсуждались на региональной студенческой научной конференции «Студент и научно-технический прогресс» (Екатеринбург, 2008), VIII Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные ми1фои нанотех-нологии» (Кисловодск, 2008), XVII Международной конференции по химической термодинамике в России" (Казань, 2009), IX Международной научной конференции «Химия твердого тела: монокристаллы, наноматериалы, нанотехнологии» (Кисловодск, 2009), Всероссийской конференции «Химия твердого тела и функциональные материалы — 2012» (Екатеринбург, 2012), XI Международной научной конференции «Химия твердого тела: наноматериалы, нанотехнологии» (Ставрополь, 2012), III Международной научной конференции «Наноструктурные материалы 2012 — Россия-Украина-Беларусь» (Санкт-Петербург, 2012).

Публикации. По результатам исследования опубликовано 14 печатных работ, в том числе 1 патент РФ, 5 статей в журналах, рекомендуемых ВАК, 1 статья в научном сборнике, тезисы 7 докладов на конференциях регионального, Всероссийского и Международного уровней.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав с выводами, общих выводов и библиографического списка, включающего 194 наименования цитируемой литературы. Работа изложена на 157 страницах, содержит 57 рисунков и 7 таблиц.

Выводы.

Экспериментальные исследования процессов на межфазной границе «PbSeTB ~~ водный раствор SnCl2» при выдержке тонких пленок PbSe в цитратном растворе хлорида олова (П) позволяют сделать следующие выводы.

1. Выдержка пленок PbSe в цитратном 0,05 M растворе SnCl2 при комнатной температуре 290 К даже в течение трех месяцев не приводит к образованию твердого раствора замещения, что коррелирует с положительной величиной изменения свободной энергии Гиббса ионообменной реакции. Однако при этом наблюдается модификация пленок селенида свинца, выражающаяся во вхождении в их состав олова в количестве менее одного атомного процента, изменении морфологии их поверхности, преимущественной ориентации кристаллитов фазы PbSe в направлении (200), а также немонотонном изменении размеров областей когерентного рассеяния (от ~10 до -40 нм).

2. Образование твердых растворов замещения становится возможным только при повышении температуры до 363 К. Это можно объяснить, во-первых, изменением соот.

-}t Л i ношения констант стойкости комплексных соединений ионов РЬ и Sn с цитрати гидроксид-ионами, приводящим к сдвигу равновесия изучаемой ионообменной реакции в сторону образования селенида олова. Во-вторых, интенсификацией твердофазной диффузии олова (П) вглубь пленки по второй и третьей стадиям диффузии (зерногранич-ной и внутрикристаллитной), приводящей к ускорению изучаемой реакции. Максимальное достигнутое содержание олова в составе твердых растворов Pb^Sn^Se, полученных путем выдержки пленок селенида свинца в цитратном растворе SnCl2 при 363 К в течение трех часов, составило 2,2 ат. % и 1,9 ат. % для базовых пленок PbSe, синтезированных методом гидрохимического осаждения из цитратно-аммиачной и этилендиамин-ацетатной реакционной систем, соответственно.

3. Рентгеноэлектронный анализ с послойным Аг±травлением пленок PbSe, выдержанных в 0,05 М цитратном растворе SnCl2 при 353 К в течение трех часов без образования твердого раствора PbixSnxSe показал, что на глубине уже 21 нм от поверхности пленок концентрация олова составляет всего 0,4 ат. %. Эффективной глубиной внедрения олова в пленку можно считать только первые ~4 нм поверхности, где его концентрация равна 5,4 ат. %. Таким образом, наблюдается модификация поверхности пленок PbSe примесью олова, что может оказывать влияние на их фотоэлектрические свойства.

4. На основе данных РФЭС-анализа с послойным ионным травлением предложена качественная модель состава поверхностных слоев пленок PbSe, модифицированных в 0,05 М растворе SnCl2 при 353 К в течение трех часов без образования твердого раствора Pbi^SncSe. В соответствии с моделью, поверхностные слои модифицируются на глубину до ~21 нм за счет вхождения в них олова в виде кислородсодержащих химических соединений. На поверхности материала и в более глубоких слоях олово присутствует в виде оксида со связью Sn-О либо смешанного оксида Pb-Sn-O. Степень окисления олова при переходе от поверхности к более глубоким слоям изменяется. Основным соединением свинца во всех исследованных слоях пленок является PbSe. Дополнительно на поверхности образуется оксид РЬО (либо смешанный оксид Pb-Sn-O) и, возможно, гидрок-сид РЬ (ОН)2. В более глубоких слоях обнаруживается оксид РЬ02, помимо которого возможно присутствие смешанного оксида Pb-Sn-O и гидроксида РЬ (ОН)2. Следует помнить, что химический состав слоев пленки, отличных от поверхностных, может быть обусловлен взаимодействием ионного пучка с материалом в ходе ионного травления.

Таким образом, синтез пленок твердых растворов PbixSn^Se из цитратной реакционной системы возможен, как в случае ацетатной системы, при повышенных температурах. При низких температурах вхождение олова в пленку по сравнению с ацетатной реакционной смесью практически отсутствует. Это согласуется с теоретическими выводами о влиянии соотношения прочностей комплексных соединений олова (П) и свинца (П) на механизм процессов на межфазной границе «PbSeTB — водный раствор SnCl2» и проявляется в препятствии вхождению олова из водного раствора в фазу тонкой пленки PbSe за счет связывания ионов олова (П) в прочные комплексные соединения.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

При выполнении работы был проведен цикл теоретических и экспериментальных исследований по установлению физико-химических закономерностей получения пленок твердых растворов замещения Pbi^SnxSe методом ионообменного синтеза в системе «пленка селенида свинца — водный раствор соли олова (П)». Основные результаты можно обобщить в виде следующих выводов.

1. Впервые продемонстрирована возможность использования реакций ионного обмена на границе «халькогенид металла М1 — водный раствор ионов металла М11» для целенаправленного синтеза плёнок твердых растворов замещения при температурах до 373°К.

2. Впервые методом ионообменного замещения при контакте тонкой пленки PbSe с водным раствором соли олова (П) получены пленки твердых растворов PbixSnxSe с содержанием олова до 31,6 ат. % при синтезе из ацетатной реакционной системы и до 2,2 ат. % при синтезе из цитратной реакционной системы. Твердые растворы Pbi xSnxSe с х = 0,316 получены при синтезе из водных сред впервые в настоящей работе.

3. Рассчитано изменение энергии Гиббса реакции ионообменной трансформации PbSe в SnSe при комнатной температуре с учетом побочных реакций комплексообразо-вания для реакционных систем, содержащих ацетат-, цитрат-, тартрат-, хлорид-, нитрат-ионы или трилон Б. Показано, что вероятность ионообменного процесса с увеличением рН среды и ростом соотношения прочности комплексных соединений, образуемых различными лигандами с ионами Sn2+ и РЬ2+, уменьшается в ряду.

С2Н302- > N03~ > СГ ~ ЭДТА > С6Н5073~ > С4Н4062~.

4. Установлено, что процесс накопления олова в пленках PbSe в ходе выдержки в водном растворе SnCl2 значительно ускоряется с повышением температуры, что связано с интенсификацией зернограничной диффузии и преодолением активационного барьера внутрикристаллитной топохимической реакции при образовании твердых растворов замещения Pbi-jSn^Se. Синтез твердых растворов Pb, xSnxSe в ацетатной реакционной системе возможен при температурах не ниже 358 К, в цитратной реакционной системе-при температурах не ниже 363 К.

5. По концентрационным профилям распределения элементов по толщине пленок установлено, что эффективная глубина внедрения олова в пленку PbSe при выдержке в ацетатном растворе соли олова (П) в течение 9 часов при 368 К составляет более 210 нм.

1 /г л.

Значение коэффициента диффузии олова при этом й = (4,8 ± 0,5)-10 см /с. Эффективная глубина внедрения олова в пленку РЬ8е при выдержке в течение 3 часов при 353 К в цитратном растворе соли олова (П) не превышает 3 нм.

6. Предложен механизм ионообменного синтеза пленок твердых растворов РЬ^^п^е, основанный на представлении о трехстадийности диффузии в тонких поликристаллических пленках: сорбция на поверхности, диффузия по границам зерен пленки и диффузия внутрь зерен. Отличие предложенной модели от традиционной состоит в том, что на фронте протекания внутрикристаллитной топохимической реакции формируется не узкая, а относительно широкая реакционная зона, внутри которой происходит образование твердых растворов замещения на основе селенида свинца. Это расширяет господствующие представления о топохимических процессах в твердых телах.

7. После выдержки пленок РЬ8е в ацетатном растворе соли олова (П) с последующей термообработкой на воздухе при 673 К получены слои с высокой величиной фотоответа. С увеличением длительности выдержки в растворе 8пС12 до 9 часов доля сигнала фотоответа пленок за фильтром 4,5 мкм возрастала примерно в 5 раз по сравнению с индивидуальным РЬ8е. Полученные пленки могут быть использованы в качестве чувствительных элементов фотодетекторов и фотоприемных устройств в более длинноволновой области ИК-спектра по сравнению с индивидуальным селенидом свинца.

Физико-химические закономерности ионообменного синтеза пленок твердых растворов РЬ^^ПдЗе, установленные в настоящей работе, могут быть использованы для получения методом ионного обмена тонкопленочных твердых растворов замещения в системах на основе других халькогенидов металлов.

Выражаю искреннюю признательность и благодарность своему научному руководителю, д.х.н., профессору Маскаевой Л. Н., а также д.х.н., профессору Маркову В.Ф.

Благодарю сотрудников Института химии твердого тела, Института физики металлов и Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН за помощь в проведении анализов синтезированных материалов и интерпретации полученных результатов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , Ю. И. Методы исследования полупроводников в применении к халькоге-нидам свинца PbTe, PbSe и PbS / Ю. И. Равич, Б. А. Ефимова, И. А. Смирнов. М.: Наука, 1968. — 384 с.
  2. , JI. Е. Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении. Системы на основе халькогенидов Si, Ge, Sn, Pb / Jl. E. Шелимова, В. Н. Томашик, В. И. Грыцив. М.: Наука, 1991.-368 с.
  3. , Т. Полупроводниковая оптоэлектроника/ Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. -М.: Мир, 1976.-431 с.
  4. , Н. X. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI / Н. X. Абрикосов, JI. Е. Шелимова. М.: Наука, 1975. — 195 с.
  5. Палатник, J1. С. Рентгенографическое исследование сплавов Sn-Se, Zn-Se, Cd-Se и Ag-Se / Л. С. Палатник // ДАН СССР. 1954. — Т. 96. — № 5. — С. 975−978.
  6. Wyckoff, R. W. G. Crystal Structures / R. W. G. Wyckoff. 2nd edition. — New York: Interscience Publishers, 1963. — V. 1. — P. 85−237.
  7. Mathews, N. R. Electrodeposited tin selenide thin films for photovoltaic applications / N.R. Mathews // Solar Energy. 2012. — V. 86. — P. 1010−1016.
  8. Noda, Y. Charge distribution and atomic thermal vibration in lead chalcogenide crystals/ Y. Noda, S. Ohba, S. Sato, Y. Saito// Acta Crystallographica В.- 1983.- V. 39.-P. 312−317.
  9. Ramsdell, L. S. The crystal structure of some metallic sulfides / American Mineralogist. 1925. — V. 10. — P. 281−304.
  10. , Я. К. Свойства образцов в системе PbSe-GeSe/ Я. К. Керимов, Ю. В. Андреев, Е. Н. Лаверко, Н. И. Будим // Изв. АН СССР: Сер. Неорганические материалы. 1986. — Т. 22 — № 11. — С. 1584−1587.
  11. , В. Г. Об образовании твердых растворов в системах PbSe-MnSe и PbSe-HgSe / В. Г. Варянко, В. П. Зломанов, А. В. Новоселова // Изв. АН СССР: Сер. Неорганические материалы. 1967. — Т. 3 — № 7. — С. 1127−1128.
  12. , Т. К. High pressure X-ray diffraction study on the structural phase transitions in PbS, PbSe and PbTe with synchrotron radiation / Т. K. Chattopadhyay, H. G. von
  13. Schnering, W. Grosshans, W.B.Holzapfel// Physica В and С (Netherland).- 1986.-V. 139. -P. 356−360.
  14. Okazaki, A. The crystal structure of stannous selenide SnSe / A. Okazaki, I. Ueda// Journal of the Physical Society of Japan. 1956. — № 11. — P. 470.
  15. Wiedemeier, H. Refinement of the structures of GeS, GeSe, SnS, and SnSe/ H. Wiedemeier, H. G. von Schnering// Zeitschrift fuer Kristallographie. 1978.- V. 148.-P. 295−303.
  16. , E. С. Изоморфизм атомов в кристаллах/ Е. С. Макаров. -М.: Атомиздат, 1973. 288 с.
  17. , Я. А. Общая и неорганическая химия: учебник для ВУЗов / Я. А. Угай. -2-е изд., испр. М.: Высшая школа, 2000. — 527 с.
  18. Krebs, Н. Uber struktur und eigenschaften der halbmetalle. XIV. Mischkristallsysteme zwischen halbleitenden chalkogeniden der vierten hauptgruppe / H. Krebs, K. Grun, D. Kallen // Z. Anorg. und Allg. Chem. 1961. — V. 312. — № 5−6. -P. 307−313.
  19. Szczerbakow, A. Investigation of the composition of vapor-grown Pb^Sn^Se crystals (x<0,4) by means of lattice parameter measurements / A. Szczerbakow, H. Berger // J. Cryst. Growth. 1994. — V. 139. — № 1−2. — P. 172−178.
  20. Strauss, A.J. Inversion of conduction and valence bands in Pb^Sn^Se alloys/
  21. A. J. Strauss // Physical Review. 1967. — V. 157. — № 3. — P. 608−611.
  22. Аут, И. Фотоэлектрические явления / И. Аут, Д. Генцов, К. Герман. М.: Мир, 1980.-208 с.
  23. , Р. Полупроводники / Р. Смит. М.: Мир, 1982. — 560 с.
  24. Mukherjee, S. Lead salt thin film semiconductors for microelectronic applications / S. Mukheijee, D. Li, A. Gautam, J. P. Kar, Z. Shi. Trivandrum: Transworld Research Network, 2010. — 88 p.
  25. Rogalski, A. Infrared detectors: status and trends (Review) / A. Rogalski // Progress in Quantum Electronics. 2003. -V. 27. — 59−210.
  26. , В. Г. Фотоприемники и фотоприёмные устройства на основе поликристаллических и эпитаксиальных слоев халькогенидов свинца / В. Г. Буткевич,
  27. B. Д. Бочков, Е. Р. Глобус // Прикладная физика. 2001. — № 6. — С. 66−112.
  28. , В. Д. Матричное фотоприёмное устройство на основе селенида свинца Электронный ресурс. / В. Д. Бочков, Б. Н. Дражников, Г. А. Казанцев,
  29. Э. И. Кафтаненко, М. JI. Храпунов // Прикладная физика. 1999. — № 2. — Режим доступа: http://www.vimi.ru.
  30. , В. Д. Схемотехника многоэлементных фотоприёмных устройств на основе халькогенидов свинца Электронный ресурс. / В. Д. Бочков, И. И. Воропаев, М. J1. Храпунов// Прикладная физика.- 1999.- № 2.- Режим доступа: http://www.vimi.ru.
  31. , Н. Новые октроны для спектрально-аналитической аппаратуры Электронный ресурс. / Н. Горбунов, С. Варфоломеев, JI. Дийков, Ф. Медведев// Компоненты и технологии. 2004. — № 6. — Режим доступа: http://www.kit-e.ru.
  32. Zogg, Н. Lead chalcogenide on silicon infrared focal plane arrays for thermal imaging/ H. Zogg, K. Alchalabi, D. Zimin// Appl. Phys. Lett.- 2001.- V. 51.- № 1.-P. 53−65.
  33. Zogg, H. Pbl jcSnxSe-on-Si LW1R sensor arrays and thermal imaging with JFET/CMOS read-out/ H. Zogg, A. Fach, J. John, J. Masek, P. Muller, C. Paglino, W. Buttler // Journal of Electronic Materials. 1996. — V. 25. — № 8. — P. 1366−1370.
  34. Taylor, S. E. On time delays in lead salt semiconductor diode lasers/ S. E. Taylor// Appl. Phys. A. 1986. — V. 39. — № 9. — P. 91−94.
  35. , В. В. Эллипсометрический контроль параметров пленок селенида свинца при окислении / В. В. Томаев, М. Ф. Панов // Физика и химия стекла. 2006. -Т. 32.-№ 3.-С. 511−515.
  36. , Н. В. Фоточувствительные структуры на основе поликристаллических слоев селенида свинца / Н. В. Голубченко, М. А. Иошт, В. А. Мошников, Д. Б. Чеснокова // Перспективные материалы. 2005. — № 3. — С. 31−35.
  37. Radovsky, G. Poly crystalline PbSe on a polyimide substrate / G. Radovsky, Z. Dashevsky, V. Kasiyan, M. Auslender, S. Hava // Journal of Alloys and Compounds. -2010.-V. 501.-P. 61−13.
  38. Khan, S. A. Structural, optical and electrical properties of cadmium-doped lead chal-cogenide (PbSe) thin films / S. A. Khan, Z. H. Khan, A. A. El-Sebaii, F. M. Al-Marzouki, A. A. Al-Ghamdi // Physica B. 2010. — V. 405. — P. 3384−3390.
  39. El-Shazly, E. A. A. Determination and analysis of optical constants for thermally evaporated PbSe thin films / E. A. A. El-Shazly, I. T. Zedan, K. F. Abd El-Rahman // Vacuum. 2011. — V. 86. — P. 318−323.
  40. Arivazhagan, V. Impact of thickness on vacuum deposited PbSe thin films/ V. Arivazhagan, M. M. Parvathi, S. Rajesh // Vacuum. 2012. — V. 86. — P. 1092−1096.
  41. Al-Ghamdi, A. A. Structural, optical and electrical characterization of Ag doped lead chalcogenide (PbSe) thin films / A. A. Al-Ghamdi, S. Al-Heniti, S. A. Khan // Journal of Luminescence. 2013. — V. 135. — P. 295−300.
  42. Ai-Ling, Y. Raman scattering study of PbSe grown on (111) BaF2 substrate / Y. AiLing, W. Hui-Zhen, L. Zhi-Feng, Q. Dong-Jiang, C. Yong, L. Jian-Feng, P. J. McCann, X. M. Fang // Chinese Phys. Lett. 2000. — V. 17. — № 8. — P. 606−608.
  43. Wu, H. F. Scanning tunneling microscopy study of epitaxial growth of PbSe thin film on BaF2(l 11) / H.F. Wu, H.J.Zhang, Y. H. Lu, T. N. Xu, J. X. Si, H.Y.Li, S.N.Bao, H. Z. Wu, P. He // Journal of Crystal Growth. 2006. — V. 294. — P. 179−183.
  44. Xu, Т. N. Observation of triangle pits in PbSe grown by molecular beam epitaxy / T.N. Xu, H.Z. Wu, J. X. Si, C. F. Cao// Applied Surface Science.- 2007.- V.253.-P. 5457−5461.
  45. Zhao, F. MBE growth of PbSe thin film with a 9×105 cm"2 etch-pits density on patterned (lll)-oriented Si substrate / F. Zhao, J. Ma, B. Weng, D. Li, G. Bi, A. Chen, J. Xu, Z. Shi // Journal of Crystal Growth. 2010. — V. 312. — P. 2695−2698.
  46. Mukheijee, S. CaF2 surface passivation of lead selenide grown on BaF2/ S. Mukheijee, D. Li, G. Bi, J. Ma, S. L. Elizondo, A. Gautam, Z. Shi // Microelectronic Engineering. 2011. — V. 88. — P. 314−317.
  47. Li, D. A new in-situ surface treatment during MBE-grown PbSe on CaF2/Si (l 11) het-erostructure / D. Li J. Ma, S. Mukherjee, G. Bi, F. Zhao, S. L. Elizondo, Z. Shi // Journal of Crystal Growth. 2009. — V. 311. — P. 3395−3398.
  48. , Т. А. Электрические и фотоэлектрические свойства анизотропного гетероперехода Pbo, 93Sno, o7Se/PbSe / Т. А. Гаврикова, В. А. Зыков // ФТП. 1997. -Т. 31.-№ 11.-С. 1342−1346.
  49. Khokhlov, D. Lead chalcogenides: physics & applications / Ed. D. Khokhlov. New York: Taylor & Francis, 2003. — 697 p.
  50. Rumianowski, R. T. Growth of PbSe thin films on Si substrates by pulsed laser deposition method / R. T. Rumianowski, R. S. Dygdala, W. Jung, W. Bala // Journal of Crystal Growth. 2003. — V. 252. — P. 230−235.
  51. Ma, D. W. Preparations and characterizations of polycrystalline PbSe thin films by a thermal reduction method / D. W. Ma, C. Cheng // Journal of Alloys and Compounds. -2011. V. 509. — P. 6595−6598.
  52. , В. Ф. Гидрохимическое осаждение пленок сульфидов металлов: моделирование и эксперимент / В. Ф. Марков, Jl. Н. Маскаева, П. Н. Иванов. Екатеринбург: УрО РАН, 2006.-217 с.
  53. Saloniemi, Н. Electrodeposition of PbS, PbSe and PbTe thin films / H. Saloniemi. -Espoo: Technical research centre of Finland, 2000. 135 p.
  54. Ivanou, D. K. Electrochemical deposition of nanocrystalline PbSe layers onto p-Si (100) wafers/ D. K. Ivanou, E. A. Streltsov, A. K. Fedotov, A. V. Mazanik// Thin Solid Films. 2005. — V. 487. — P. 49−53.
  55. Ivanova, Yu. A. Electrodeposition of PbSe onto n-Si (l 0 0) wafers / Yu. A. Ivanova, D. K. Ivanou, E. A. Streltsov // Electrochimica Acta. 2008. — V. 53. — P. 5051−5057.
  56. В. H. Моделирование процессов формирования полупроводниковых слоев из координационных соединений / В. Н. Семенов, Н. М. Овечкина// Конденсированные среды и межфазные границы. 2007. — Т. 9. — № 3. — С. 261−262.
  57. , Г. М. Анализ условий осаждения селенидов металлов из водных растворов селеносульфатом натрия / Г. М. Фофанов, Г. А. Китаев // Журнал неорганической химии. 1969. — Т. 14. — № 2. — С. 616−620.
  58. , А. Б. К вопросу о механизме осаждения тонких пленок селенида свинца/ А. Б. Лундин, Г. А. Китаев// Неорганические материалы. 1965.- Т. 1.- № 12. -С. 2102−2106.
  59. , А. Б. Кинетика осаждения тонких пленок селенида свинца/ А. Б. Лундин, Г. А. Китаев// Неорганические материалы.- 1965.- Т. 1.- № 12.-С. 2107−2112.
  60. , Г. А. Химический способ осаждения тонких пленок селенида свинца / Г. А. Китаев, А. Б. Лундин, С. Г. Мокрушин // Изв. ВУЗов СССР. Химия и химическая технология. 1966. — № 4. — С. 574−576.
  61. , Г. А. Кинетика процесса образования селенида свинца в водных растворах селеносульфата натрия / Г. А. Китаев, А. Ж. Хворенкова // Журнал прикладной химии. 1999. — Т. 72. — № 9. — С. 1440−1443.
  62. Hankare, P. P. Synthesis and characterization of chemically deposited lead selenide thin films/ P. P. Hankare, S. D. Delekar, V. M. Bhuse, К. M. Garadkar, S. D. Sabane, L. V. Gavali // Materials Chemistry and Physics. 2003. — V. 82. — P. 505−508.
  63. Kale, R. B. Room temperature chemical synthesis of lead selenide thin films with preferred orientation / R. B. Kale, S. D. Sartale, V. Ganesan, C. D. Lokhande, Y.-F. Lin, S.-Y. Lu // Applied surface science. 2006. — V. 253. — № 2. — P. 930−936.
  64. Osherov, A. Epitaxy and orientation control in chemical solution deposited PbS and PbSe monocrystalline films / A. Osherov, M. Shandalov, V. Ezersky, Y. Golan // Journal of Crystal Growth. 2007. — V. 304. — P. 169−178.
  65. Barrios-Salgado, E. Chemically deposited thin films of PbSe as an absorber component in solar cell structures / E. Barrios-Salgado, M. T. S. Nair, P. K. Nair, R. A. Zingaro // Thin Solid Films. 2011. — V. 519. — P. 7432−7437.
  66. Rao, T. S. Photoconductive relaxation studies of SnSe thin films / T. S. Rao, A. K. Chaudhuri // Bull. Mater. Sci. 1996. — V. 19. — № 3. — P. 449−453.
  67. Padiyan, D. P. Electrical and photoelectrical properties of vacuum deposited SnSe thin films / D. P. Padiyan, A. Marikani, K. R. Murali // Cryst. Res. Technol. 2000. — V. 35. -№ 8.-P. 949−957.
  68. Zainal, Z. Tin selenide films prepared through combination of chemical precipitation and vacuum evaporation technique / Z. Zainal, S. Nagalingam, A. Kassim, M. Z. Hussein, W. M. M. Yunus // Materials Science. 2003. — V. 21. — № 2. — P. 225−233.
  69. Sarma, J. Preparation and characterization of SnSe nanocrystalline thin films /J. Sarma, G. Singh, A. Thakur, G. S. S. Saini, N. Goyal, S. K. Tripathi // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2005. -V. 7. — № 4. — P. 2085−2094.
  70. Indirajith, R. Synthesis, deposition and characterization of tin selenide thin films by thermal evaporation technique / R. Indirajith, T. P. Srinivasan, K. Ramamurthi, R. Gopalakrishnan // Current Applied Physics. 2010. — V. 10. — P. 1402−1406.
  71. Chandra, G. H. Preparation and characterization of flash evaporated tin selenide thin films / G. H. Chandra, J. N. Kumar, N. M. Rao, S. Uthanna // Journal of Crystal Growth. -2007. V. 306. — № 1. — P. 68−74.
  72. Boscher, N. D. Atmospheric pressure chemical vapour deposition of SnSe and SnSe2 thin films on glass / N. D. Boscher, C. J. Carmalt, R. G. Palgrave, I. P. Parkin // Thin Solid Films. 2008. — V. 516. — P. 4750−4757.
  73. Bi?er, M. Electrodeposition and growth mechanism of SnSe thin films / M. Bifer, i. § i§ man // Applied Surface Science. 2011. — V. 257. — P. 2944−2949.
  74. Mariappan, R. Growth and characterization of SnSe thin films prepared by spray py-rolysis technique / R. Mariappan, M. Ragavendar, G. Gowrisankar // Chalcogenide Letters. -2010.-V. 7. -№ 3.~ P. 211−216.
  75. Zainal, Z. Chemical bath deposition of tin selenide thin films / Z. Zainal, N. Saravanan, K. Anuar, M. Z. Hussein, W. M. M. Yunus // Materials Science and Engineering. 2004. — V. B107. — P. 181−185.
  76. Pejova, B. Chemical synthesis, structural and optical properties of quantum sized semiconducting tin (II) selenide in thin film form / B. Pejova, I. Grozdanov // Thin Solid Films. 2007. — V. 515. — P. 5203−5211.
  77. , H. А. Гидрохимическое осаждение, состав и морфология пленок селенида олова (II) / Н. А. Третьякова, В. Ф. Марков, JL Н. Маскаева, М. П. Миронов,
  78. B. Ф. Дьяков // Химия и химическая технология. 2008. — Т. 51. — № 7. — С. 37−40.
  79. Subramanian, В. Brush plating of tin (II) selenide thin films / B. Subramanian,
  80. C. Sanjeeviraja, M. Jayachandran // Journal of Crystal Growth. 2002. — V. 234. — P. 421−426.
  81. , Э. Ю. Особенности роста и электрофизические свойства эпитаксиаль-ных пленок Pbi xSn^SeJn Электронный ресурс. / Э. Ю. Салаев, И. Р. Нуриев, X. Д. Джалилова, Н. В. Фараджев // Прикладная физика. 1999. — № 3. — Режим доступа: http://www.vimi.ru.
  82. Li, С. P. Strain relaxation in PbSnSe and PbSe/PbSnSe layers grown by liquid-phase epitaxy on (lOO)-oriented silicon/ C.P.Li, P. J. McCann, X. M. Fang// Journal of crystal growth. 2000. — V. 208. — № 1−4. — P. 423−430.
  83. , А. П. Гетеролазеры PbS/PbSSe/PbSnSe с квантовым размерным эффектом в активной области / А. П. Шотов, Ю. Г. Селиванов // Письма в ЖЭТФ. 1987. -Т. 45. -№ 1. — С. 5−7.
  84. Lin, S. Nanoscale semiconductor Pb^Sn^Se (x = 0.2) thin films synthesized by electrochemical atomic layer deposition / S. Lin, X. Zhang, X. Shi, J. Wei, D. Lu, Y Zhang, H. Kou, C. Wang // Applied Surface Science. 2011. — V. 257. — P. 5803−5807.
  85. , Н. А. Гидрохимический синтез, состав, структура, морфология и свойства пленок PbSe, SnSe, PbixSnxSe : дис.. канд. хим. наук: 02.00.04 / Третьякова Наталья Александровна. Екатеринбург, 2006. — 164 с.
  86. , В. Ф. Получение твердых растворов замещения в системе свинец-олово-селен соосаждением из водных растворов / В. Ф. Марков, JI. Н. Маскаева, JI. Д. Лошкарева, С. Н. Уймин, Г. А. Китаев// Неорганические материалы.- 1997. — Т. 33.-№ 6.-С. 665−668.
  87. Ионообменные методы очистки веществ: пособие для ВУЗов / под ред. Г. А. Чикина, О. Н. Мягкого. Воронеж: ВГУ, 1984. — 372 с.
  88. , В. Д. Обессоливание воды ионитами / В. Д. Гребенюк, А. А. Мазо. -М.: Химия, 1980. 256 с.
  89. , М. Ионообменники в аналитической химии: в 2 ч. / М. Мархол. М.: Мир, 1985.
  90. , О. А. Ионная хроматография и ее применение в анализе вод/ О. А. Шпигун, Ю. А. Золотов. М.: Изд-во МГУ, 1990. — 199 с.
  91. , Н. А. Радиохимическое исследование халькогенидных пленок. V. Исследование сорбции палладия пленками сульфида меди / Н. А. Сулейманова, Н. Д. Бетенеков, Г. А. Китаев // Радиохимия. 1981. — Т. 23. — № 1. — С. 30−32.
  92. , Е. В. Химия сорбции 110Ag сульфидом никеля в системе NaN03-NaCl-Na2S-HCl—Н20 / Е. В. Поляков // Радиохимия. 1993. — Т. 35. — № 1. — С. 90−97.
  93. Music, S. Sorption of small amounts of silver (I) on lead sulfide / S. Music // Isopo-tenpraxis. 1985. — V. 21. — № 4. — P. 143−146.
  94. , M. В. Механизмы массопереноса в сорбционных процессах, сопровождающихся образованием новых кристаллических фаз / М. В. Зильберман, В. В. Вольхин, Н. Ф. Калинин // Коллоидный журнал. 1978. — Т. 40. — № 5. — С. 982 985.
  95. , К. М. Руководство по ионообменной, распределительной и осадочной хроматографии / К. М. Олыпанова, М. А. Потапова, В. Д. Копылова, Н. М. Морозова. М.: Химия, 1965. — 200 с.
  96. , В. Б. Стехиометрия и синтез твердых соединений/
  97. B. Б. Алесковский. М.: Наука, 1976. — 142 с.
  98. , Н. И. Исследование реакций обмена при синтезе сульфидов в гетерогенной среде / Н. И. Глистенко // Тр. хим. факультета Воронеж, ун-та. 1953. — Т.32.1. C. 79−85.
  99. , В. В. Кинетика и равновесие гетерогенных ионообменных реакций / В. В. Вольхин, Б. И. Львович // Кинетика и катализ. 1970. — Т. 11. — С. 1337−1340.
  100. , В. В. О гетерогенных ионообменных реакциях/ В. В. Вольхин, Б. И. Львович // Журнал физической химии. 1975. — Т. 49 — № 6. — С. 1512−1515.
  101. , А. Г. Физическая химия: учебник для хим. спец. ВУЗов/ А. Г. Стромберг, Д. П. Семченко- под ред. А. Г. Стромберга. 4-е изд., испр. -М.: Высшая школа, 2001. — 527 с.
  102. , Г. Экспериментальные методы неорганической химии/ Г. Луке. -М.: Мир, 1965.-658 с.
  103. , В. В. Взаимодействие в системах NiS-CdS04-H20 и NiS-CdS04-H2S04-H20 / В. В. Вольхин, Б. И. Львович // Журнал неорганической химии. 1968. -Т. 13-№ 7.-С. 1992−1997.
  104. , В. В. Роль жидкой фазы в сорбционных процессах с участием неорганических сорбентов / В. В. Вольхин, Т. С. Соколова, Е. А. Шульга // Журнал прикладной химии. 1979. — Т. 52. — № 3. -С. 529−532.
  105. , Ю. Ю. Справочник по аналитической химии / Ю. Ю. Лурье. 6-е изд., перераб. и доп. — М.: Химия, 1989. — 448 с.
  106. , Р. А. Глубокий ионный обмен в металлосульфидных имплантантах/ Р. А. Юсупов, О. В. Михайлов. Казань: Фэн, 2004. — 220 с.
  107. , Б. С. Диффузия атомов и ионов в твердых телах / Б. С. Бокпггейн, А. Б. Ярославцев. М.: МИСИС, 2005. — 362 с.
  108. Тонкие пленки: взаимная диффузия и реакции / под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера. М.: Мир. — 1982. — 576 с.
  109. , Р. А. Расчет параметров трехстадийной диффузии ионов металлов в тонких поликристаллических пленках/ Р. А. Юсупов, В. С. Цивунин, Н. Н. Умарова, Р. Ф. Абзалов // Журнал физической химии. 1997. — Т. 71. — № 3. — С. 539−541.
  110. , Р. Ф. Диффузия ионов металлов в поликристаллических пленках сульфидов металлов и процессы их формирования из щелочных растворов тиоамидов : автореф. дис.. канд. хим. наук: 02.00.04/ Абзалов Равиль Фаритович.- Казань, 1999.-18 с.
  111. , М. Р. Сорбция ионов металлов агар-иммобилизованными металло-сульфидами / М. Р. Гафаров, О. В. Михайлов, Р. А. Юсупов // Химическая технология. -2002. Т. 4. — № 4. — С. 37−40.
  112. , Р. А. Ионный обмен при контакте фаз водный раствор электролита -наноструктурированная агар-иммобилизованная металлосульфидная матрица /
  113. Р. А. Юсупов, M. P. Гафаров, О. В. Михайлов // Журнал физической химии. 2003. -Т. 77.-№ 11.-С. 2030−2035.
  114. , Н. Н. Влияние комплексообразующих агентов на ионный обмен Ag(I)/Pb (II) в тонких поликристаллических пленках PbS / Н. Н. Умарова, Н. И. Мовчан, Р. А. Юсупов, В. Ф. Сопин // Журнал физической химии. 2002. — Т. 76. — № 8. -С. 1485−1488.
  115. , Р. А. Расчет констант диффузии серебра(1) в тонких пленках сульфида свинца в процессе ионного обмена / Р. А. Юсупов, В. С. Цивунин, Н. Н. Умарова, Н. И. Мовчан // Журнал физической химии. 1990. — Т. 64. — № 12. — С. 3312−3315.
  116. , Н. Н. Расчет коэффициента диффузии при ионном обмене Pb(II)/Ag (I) на тонкопленочном сорбенте PbS / Н. Н. Умарова, Н. И. Мовчан, Р. А. Юсупов, В. Ф. Сопин // Журнал физической химии. 2000. — Т. 74. — № 9. -С. 1707−1709.
  117. , Н. Н. Кинетика и механизм ионного обмена Ag(I)/Pb (II) в поликристаллических пленках сульфида свинца и влияние на него комплексообразующих агентов: автореф. дис.. канд. хим. наук: 02.00.04 / Умарова Наиля Нуриевна. Казань, 2000. -18 с.
  118. Hodes, G. Chemical Solution Deposition of Semiconductor Films / G. Hodes. -New York: Marcel Dekker, 2002. 382 c.
  119. Pfisterer, F. The wet-topotaxial process of junction formation and surface treatments of Cu2S-CdS thin-film solar cells / F. Pfisterer // Thin Solid Films. 2003. — V. 431−432. -P. 470−476.
  120. Sam, M. Growth of Cu2S/CdS nano-layered photovoltaic junctions for solar cell applications / M. Sam, M. R. Bayati, M. Mojtahedi, K. Janghorban // Applied Surface Science. -2010. V. 257. — P. 1449−1453.
  121. Taur, V. S. Effect of annealing on photovoltaic characteristics of nanostructured p-Cu2S/n-CdS thin film / V. S. Taur, R. A. Joshi, A. V. Ghule, R. Sharma // Renewable Energy. 2012. — V. 38. — P. 219−223.
  122. Ristova, M. Silver doping of thin CdS films by an ion exchange process/ M. Ristova, M. Ristov, P. Tosev, M. Mitreski// Thin Solid Films.- 1998.- V. 315.-P. 301−304.
  123. , M. К. Photoconductive properties of dip-deposited CdS: Cu, Cl thin films sensitised in situ / M. K. Karanjai, D. Dasgupta// J. Phys. D: Appl. Phys. 1988. — V. 21. -P. 1769−1772.
  124. Nair, M. T. S. Conversion of chemically deposited photosensitive CdS thin films to и-type by air annealing and ion exchange reaction / M. T. S. Nair, P. K. Nair, R. A. Zingaro, E. A. Meyers // J. Appl. Phys. 1994. — V. 75. — № 3. — P. 1557−1564.
  125. Estrada, C. A. Modification of chemically deposited ZnSe thin films by ion exchange with copper ions in solution / C. A. Estrada, R. A. Zingaro, E. A. Meyers // Thin Solid Films. 1994. — V. 247. — P. 208−212.
  126. Shi, W. Ion-exchange synthesis and enhanced visible-light photocatalytic activities of CuSe-ZnSe flower-like nanocomposites / W. Shi, J. Shi, S. Yu, P. Liu // Applied Catalysis B: Environmental. 2013. — V. 138−139. — P. 184−190.
  127. Lokhande, C. D. Conversion of tin disulphide into silver sulphide by a simple chemical method / C. D. Lokhande, V. V. Bhad, S. S. Dhumure // J. Phys. D: Appl. Phys. 1992. -V. 25.-P. 315−318.
  128. Jiang, J. Synthesis of uniform ZnO/ZnS/CdS nanorod films with ion-exchange approach and photoelectrochemical performances / J. Jiang, M. Wang, L. Ma, Q. Chen, L. Guo // International Journal of Hydrogen Energy. 2013. — V. 30. — P. 1−7.
  129. Zhang, H. Cation exchange synthesis of ZnS-Ag2S microspheric composites with enhanced photocatalytic activity / H. Zhang, B. Wei, L. Zhu, J. Yu, W. Sun, L. Xu // Applied Surface Science. 2013. — V. 270. — P. 133−138.
  130. , Д. В. Механизм обменных механохимических реакций/ Д. В. Саниева, В. К. Половняк, Р. Я. Дебердеев, С. В. Половняк // Вестник Удмуртского ун-та. 2006. — № 8. — С. 59−62.
  131. , В. А. Формирование слоев HguCdiuTe методом ионного обмена в растворах солей / В. А. Ганынин, Ю. Н. Коркишко, В. А. Федоров // Неорганические материалы. 1992. — Т. 28. — № 1. — С. 57−60.
  132. , А. О. Ионный обмен в кристаллах селенида цинка/
  133. A. О. Алексанян, В. А. Ганыпин, Ю. Н. Коркишко // Журнал технической физики. -1989. Т. 59. — № 2. — С. 174−175.
  134. , А. О. Ионный обмен в монокристаллах ZnSe / А. О. Алексанян,
  135. B. А. Ганыпин, Ю. Н. Коркишко, В. А. Федоров // Неорганические материалы. 1991. -Т. 27.-№ 9.-С. 1798−1803.
  136. , М. В. Исследование механизма диффузии серебра в сульфидах свинца и кадмия : автореф. дис.. канд. хим. наук: 02.00.04 / Слинкина Маргарита Витальевна. Свердловск, 1982. — 17 с.
  137. , Э. Б. Диффузия и растворимость меди в фотопроводящих пленках CdS, осажденных из водного раствора / Э. Б. Каганович // Изв. АН СССР: Сер. Неорганические материалы. 1988. — Т. 24. — № 9. — С. 1446−1448.
  138. Кальянов, A. J1. Оптическая низкокогерентная интерферометрия и томография: учебное пособие / A. JI. Кальянов, В. В. Лычагов, Д. В. Лякин, О. А. Перепелицына, В. П. Рябухо. Саратов: СГУ, 2009. — 86 с.
  139. , И. Р. Химическая термодинамика / И. Р. Пригожин, Р. Дефэй. М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010. — 533 с.
  140. , М. И. Расчеты равновесий в аналитической химии / М. И. Булатов. -Л.: Химия. 1984.- 184 с.
  141. Аналитическая химия и физико-химические методы анализа: в 2 т. / под ред. А. А. Ищенко. М.: Издательский центр «Академия». — Т. 2. — 2010. — 372 с.
  142. , Д. Микроструктура материалов. Методы исследования и контроля / Д. Брандон, У. Каплан. М.: Техносфера, 2004. — 384 с.
  143. , Я. С. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия: в 2 ч. / Я. С. Уманский, Ю. А. Скаков, А. Н. Иванов, Л. Н. Расторгуев. М.: Металлургия, 1982. — 632 с.
  144. , Д. А. Рентгенография минералов/ Д. А. Пущаровский. М.: ЗАО «Геоинформмарк», 2000. — 292 с.
  145. , Л. М. Рентгенография в неорганической химии/ Л. М. Ковба. М.: Изд-воМГУ, 1991.-256 с.
  146. Rietveld, H. M. A profile refmement method for nuclear and magnetic structures / H. M. Rietveld //J. Appl. Cryst. 1969. — V. 2. — P. 65−71.
  147. Vegard, L. Die Konstitution der Mischkristalle und die Raumfullung der Atome/ L. Vegard // Zeitschrift fur Physik. 1921. — V. 5. — № 1. — P. 17−26.
  148. , A.B. Рентгенометрические параметры твердых растворов/
  149. A. В. Чичагов, JI. В. Сипавина. М.: Наука, 1982. — 171 с.
  150. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / под ред. Д. Бриггса, М. П. Сиха. М.: Мир, 1987. — 600 с.
  151. В. И. Физические основы методов исследования наноструктур и поверхности твердого тела: учебное пособие // В. И. Троян, М. А. Пушкин, В. Д. Борман,
  152. B. Н. Тронин. М.: МИФИ, 2008. — 260 с.
  153. Shirley, D. A. High-resolution X-ray photoemission spectrum of the valence bands of gold / D. A. Shirley // Phys. Rev. 1972. — V. B5. — P. 4709−4714.
  154. Tougaard, S. Practical algorithm for background subtraction / S. Tougaard// Surf. Sei. 1989. — V. 216. — № 3. — P. 343−360.
  155. , JT. П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов / Л. П. Павлов. 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Высшая школа, 1987. — 239 с.
  156. , Р. Д. Установка для измерения пороговых параметров фотоприемников / Р. Д. Мухамедьяров, В. И. Стук, О. Ю. Блинов, В. Н. Жуков, Г. А. Китаев // Приборы и техника эксперимента. 1976. — № 6. — С. 234.
  157. , Дж. Н. Ионные равновесия (математическое описание)/ Дж. Н. Батлер. Л.: Химия, 1973. — 448 с.
  158. , В. А. Химическое равновесие: учебное пособие / В. А. Михайлов, О. В. Сорокина, Е. В. Савинкина, M. Н. Давыдова. М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010.- 197 с.
  159. , Р. Аналитическая химия. Проблемы и подходы: в 2 т./ Р. Кельнер, Ж.-М. Мерме, М. Отто, Г. М. Видмер- под ред. Ю. А. Золотова. М.: «Мир»: ООО «Издательство «ACT», 2004. — Т. 1. — 608 с.
  160. , В. Н. Произведения растворимости/ В. Н. Кумок, О. М. Кулешова, Л. А. Карабин. Новосибирск: Наука, 1983. — 200 с.
  161. , И. Г. Исследование термодинамики сложных химических равновесий с участием твердых фаз в условиях, отличных от стандартных : дис.. канд. хим. наук: 02.00.04 / Повар Игорь Григорьевич. Кишинев, 1988. — 177 с.
  162. , И. Ф. Термодинамическое обоснование условных произведений растворимости / И. Ф. Фиштик, И. Г. Повар, И. И. Ватаман // Журнал общей химии. -1986. Т. 56. — № 4. — С. 739−748.
  163. Основы аналитической химии: учебник для вузов: в 2 кн. / под ред. Ю. А. Золотова. М.: Высшая школа. — Кн. 1: Общие вопросы. Методы разделения. -2004.-361 с.
  164. , Г. Комплексонометрическое титрование/ Г. Шварценбах, Г. Флашка. М.: Химия, 1970. — 360 с.
  165. Ringbom, A. Complexation in analytical chemistry. A guide for the critical selection of analytical methods based on complexation reactions / A. Ringbom. 1963. — 395 p.
  166. Бек, M. Химия равновесий реакций комплексообразования / М. Бек. -М.: Мир, 1973.-360 с.
  167. , В. И. Постановка и описание исследований сложных равновесий в растворах: учеб. пособие / В. И. Белеванцев. Новосибирск: Новосиб. ун-т, 1987. — 80 с.
  168. , Ф. Равновесия в растворах/ Ф. Хартли, К. Бёргес, Р. Олкок. М.: Мир, 1983.-360 с.
  169. , В. Н. Правило постоянства произведений активностей простых (гидратированных) ионов металлов и гидроксоионов в гетерогенной системе
  170. М2±М (0Н)^я-М (0Н)"-Н20"/ В. Н. Аксельруд// ДАН СССР: Сер. хим.- 1960.
  171. Т. 132. № 5 — С. 1067−1070.
  172. , А. С. Исследование лимоннокислых комплексных соединений свинца в зависимости от рН водной среды / А. С. Тихонов // Тр. Воронежского гос. ун-та. Сб. работ хим. факультета. 1958. — Т. 49. — С. 79−94.
  173. , В. Б. Аналитическая химия олова / В. Б. Спиваковский. М.: Наука, 1975.-253 с.
  174. , А. Физическая химия поверхностей / А. Адамсон. М.: Мир, 1979. -568 с.
  175. , Б. С. Диффузия в металлах / Б. С. Бокштейн. М.: Металлургия, 1978.-248 с.
  176. , П. В. Физика твердого тела / П. В. Павлов, А. Ф. Хохлов. 3-е изд., стер. — М.: Высшая школа, 2000. — 494 с.
  177. Ansell, R. O. Quantitative use of angular variation technique in studies of tin by X-ray photoelectron spectroscopy / R. O. Ansell, T. Dickinson, A. F. Povey, P. M. A. Sherwood // J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 1977. — V. 11. — P. 301.
  178. Badrinarayanan, S. Mechanism of high-temperature oxidation of tin selenide/ S. Badrinarayanan, A. B. Mandale, V. G. Gunjikar, A. P. B. Sinha// J. Mater. Sci. 1986. -V. 21. -№ 9. — P. 3333−3338.
  179. Choi, W.-K. Chemical shifts and optical properties of tin oxide films grown by a reactive ion assisted deposition / W.-K. Choi, H.-J. Jung, S.-K. Koh // J. Vac. Sci. Technol. A. -1996. V. 14. — № 2. — P. 359−366.
  180. Shalvoy, R. B. Bond ionicity and structural stability of some average-valence-five materials studied by X-ray photoemission / R. B. Shalvoy, G. B. Fisher, P. J. Stiles // Phys. Rev. B.-1977.-V. 15.-№ 4. -P. 1680−1697.
  181. Han, Q. Room temperature growth of SnSe nanorods from aqueous solution/ Q. Han, Y. Zhu, X. Wang, W. Ding // Journal of Materials Science. 2004. — V. 39. -P. 4643−4646.
  182. Zhu, J. Photochemical synthesis and characterization of PbSe nanoparticles / J. Zhu, X. Liao, J. Wang, H.-Y. Chen // Materials Research Bulletin. 2001. — V. 36. — P. 1169−1176.
  183. Taylor, J.A. Chemical reactions of N2+ ion beams with group IV elements and their oxides / J. A. Taylor, G. M. Lancaster, J. W. Rabalais // J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 1978. — V. 13. — № 3. — P. 435−444.
  184. Zingg, D. S. Electron spectroscopy for chemical analysis studies of lead sulfide oxidation/ D. S. Zingg, D.M.Hercules// J. Phys. Chem. 1978.- V. 82. — № 18.-P. 1992−1995.
  185. Nowak, P. A flotation related X-ray photoelectron spectroscopy of the oxidation of galena surface / P. Nowak, K. Laajalehto, I. Kartio // Colloids and Surfaces A: Physicochemi-cal and engineering aspects. 2000. — V. 161. — P. 447−460.
  186. , В. И. Рентгеноэлектронные исследования соединений свинца и 'ртути t В. И. Нефедов, Я. В. Салынь, X. Келлер // Журнал неорганической химии.1979. Т. 24. — № 9. -С. 2564−2566.
  187. Wagner, С. D. Use of the oxygen KLL Auger lines in identification of surface chemical states by electron spectroscopy for chemical analysis / C. D. Wagner, D. A. Zatko, R. H. Raymond // Anal. Chem. 1980. — V. 52. — № 9. — P. 1445−1451.
  188. Современная кристаллография: в 2 т. / под ред. Б. К. Вайнштейна, А. А. Чернова, Л. А. Шувалова. М.: Наука. — Т. 3. — 1980. — 408 с.
  189. Sarode, P. R. Study of As2(Se, Te)3 glasses by X-ray absorption and photoelectron spectroscopy / P. R. Sarode, K. J. Rao, M. S. Hedge, C. N. R. Rao // Journal of Physics C: Solid State Physics 1979.-V. 12.-№ 19.-P. 4119−4128.
  190. Morgan, W. E. Inner-orbital photoelectron spectroscopy of the alkali metal hilides, perchlorates, phosphates, and pyrophosphates / W. E. Morgan, J. R. Van Wazer, W. J. Stec // J. Amer. Chem. Soc. 1973. — V. 95. — № 3. — P. 751−755.
  191. Sherwood, P. M. A. X-ray photoelectron spectroscopic studies of some iodine compounds / P. M. A. Sherwood // Journal of the Chemical Society, Faraday Transactions 2: Molecular and Chemical Physics. 1976. — V. 72. — P. 1805−1820.
  192. Kowalczyk, S. P. Relative effect of extra-atomic relaxation on Auger and binding-energy shifts in transition metals and salts / S. P. Kowalczyk, L. Ley, F. R. McFeely, R. A. Pollak, D. A. Shirley // Physical review B. 1974. — V. 9. — P. 381−391.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?