Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Измерительные цепи емкостных МЭМС-датчиков для ракетно-космической техники

Диссертация: Измерительные цепи емкостных МЭМС-датчиков для ракетно-космической техники
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Общим недостатком большинства отечественных и зарубежных емкостных МЭМС-датчиков, основу которых составляет дифференциальный кремниевый микроконденсатор (ДКМ), является неудовлетворительная стабильность, ограничивающая возможности совершенствования метрологических характеристик (МХ) датчиков. Гипотезой, объясняющей наличие нестабильности, долгое время являлось предположение значимости влияния… Читать ещё >

Содержание

  • Список сокращений и обозначений
  • 1. Состояние разработок емкостных МЭМС-датчиков и измерительных цепей для них
    • 1. 1. Состояние разработок емкостных МЭМС-датчиков. 12 Дифференциальный кремниевый микроконденсатор — основной элемент конструкции МЭМС-датчика
    • 1. 2. Основные проблемы развития емкостных МЭМС-датчиков и измерительных цепей для них
    • 1. 3. Измерительные цепи МЭМС-датчиков
    • 1. 4. Приоритетные направления совершенствования емкостных МЭМС-датчиков
  • Выводы и задачи дальнейших исследований
  • 2. Исследование конструктивно-технологических методов повышения стабильности измерительных цепей емкостных МЭМС-датчиков
    • 2. 1. Исследование технологических проблем совершенствования емкостных МЭМС-датчиков
    • 2. 2. Исследования температурно-деформационной нестабильности смещения нуля измерительных цепей емкостных
  • МЭМС-датчиков
    • 2. 3. Исследование механизмов влияния полупроводниковых свойств кремния на нестабильность емкостных МЭМС-датчиков
    • 2. 4. Исследование возможности оптимизации выбора известных измерительных цепей для построения высокостабильных емкостных МЭМС-датчиков
  • Выводы
  • 3. Исследование возможности повышения стабильности емкостных МЭМС-датчиков за счет реализации измерительных цепей на основе схем импульсного уравновешивания
    • 3. 1. Исследование возможности повышения стабильности емкостных МЭМС-датчиков за счет построения измерительной цепи на основе схемы с импульсным уравновешиванием зарядов
    • 3. 2. Исследование возможности повышения стабильности емкостных МЭМС-датчиков за счет реализации измерительной цепи на основе схем импульсного уравновешивания сил
    • 3. 3. Исследование и разработка методов стабилизации зарядового состояния в дифференциальном кремниевом микроконденсаторе МЭМС-датчика
  • Выводы
  • 4. Экспериментальные исследования разработанных МЭМС-акселерометров на основе реализации режимов импульсного уравновешивания в измерительных цепях
    • 4. 1. МЭМС-акселерометр с измерительной цепью на основе схемы с импульсным уравновешиванием зарядов
    • 4. 2. МЭМС-акселерометр с измерительной цепью на основе импульсного уравновешивания
    • 4. 3. Экспериментальные исследования уровня собственных шумов разработанных МЭМС-акселерометров
    • 4. 4. Метрологическое обеспечение экспериментальных исследований
  • Выводы

Измерительные цепи емкостных МЭМС-датчиков для ракетно-космической техники (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Современные достижения в материаловедении и технологиях микроэлектромеханики способствуют реализации инновационного прорыва, за которым стоят рынки сбыта датчиков на основе технологий микроэлектромеханических систем (МЭМС) — от навигационных спутниковых систем ОЬОМЛ88/ОР8 до систем управления движением изделий ракетно-космической техники (РКТ), маломерных подвижных объектов, транспортных средств и т. д. В мировом объеме производства МЭМС-устройств на долю емкостных МЭМС-датчиков различных физических величин приходится до 40%.

Общим недостатком большинства отечественных и зарубежных емкостных МЭМС-датчиков, основу которых составляет дифференциальный кремниевый микроконденсатор (ДКМ), является неудовлетворительная стабильность, ограничивающая возможности совершенствования метрологических характеристик (МХ) датчиков. Гипотезой, объясняющей наличие нестабильности, долгое время являлось предположение значимости влияния температурно-де-формационного дрейфа места заделки подвижной пластины ДКМ. Попытки уменьшения указанной нестабильности известными в классических промышленных технологиях путями — снятием остаточных напряжений, уменьшением контактных деформаций и т. д. — не давали ощутимых положительных результатов. Толчком к поиску новых механизмов возникновения нестабильности параметров ДКМ как основного элемента МЭМС-датчиков явилось выявление ее зависимости от значения и полярности управляющего напряжения, подключаемого к подвижной пластине ДКМ. Это обстоятельство косвенным образом указывало на наличие в измерительной цепи (ИЦ) управляемых структур, возникающих из-за несовершенства электрофизических свойств монокристаллического кремния в процессе изготовления МЭМС-датчиков.

Исследованиям проблем оценки взаимосвязи качества МЭМС-датчиков и неидеальности электрофизических свойств полупроводников и диэлектриков посвящены работы И. А. Аверина, Пензенский государственный университет, г. ПензаМ. И. Горлова, А. В. Строганова, Е. А. Тутова, Воронежский государственный университет, г. ВоронежВ. А. Емельянова, НПО «Интеграл», г. МинскЕ. А. Мокрова, А. А. Папко, ОАО «НИИФИ», г. Пенза и др. Значительное число работ по исследованию ИЦ емкостных датчиков выполнено членами научной школы под руководством В. С. Гутникова А. И. Чередовым, Э. А. Кудряшовым. Однако приведенные в них результаты не позволяют разработать пути повышения стабильности ИЦ МЭМС-датчиков без дополнительных исследований и не обеспечивают высокой степени соответствия известных математических моделей и процессов, реально протекающих в ДКМ, и ограничивают возможности моделирования как одного из основных методов проектирования.

В этой связи актуальным является уточнение механизмов возникновения паразитных полупроводниковых структур в ДКМ, повышение адекватности математических моделей и разработка на их основе путей построения ИЦ для высокостабильных МЭМС-датчиков. Актуальность решаемых задач подтверждается включением исследований МЭМС-технологий в утвержденный перечень критических технологий Российской Федерации.

Целью диссертационной работы является разработка и исследование ИЦ емкостных МЭМС-датчиков, обеспечивающих высокую стабильность за счет уменьшения негативного влияния паразитных полупроводниковых структур, возникающих при изготовлении кремниевых чувствительных элементов (ЧЭ) в виде ДКМ.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

— исследовать механизмы возникновения нестабильности параметров ДКМ, возникающих при их изготовлении, сформировать требования к ИЦ, позволяющие уменьшить влияние определенных механизмов на нестабильность МЭМС-датчиков;

— разработать математические модели поведения ДКМ и ИЦ, учитывающие влияние паразитных полупроводниковых структур в ДКМ;

— провести исследования путей повышения стабильности емкостных МЭМС-датчиков на примере акселерометров с применением ИЦ, уменьшающих влияние паразитных полупроводниковых структур в ДКМ;

— подтвердить экспериментально результаты теоретических исследований и разработать ИЦ МЭМС-датчиков повышенной стабильности.

Научная новизна.

1 Уточнены механизмы возникновения паразитных полупроводниковых структур в ДКМ и установлено, что по влиянию на неизменность пространственного положения подвижной пластины и стабильность начальных значений емкостей наиболее значимыми являются структуры «металл-диэлектрик-полупроводник» (МДП).

2 Выявлено, что релаксация медленных поверхностных состояний на подвижной пластине ДКМ под воздействием подключенных к ней электрических сигналов приводит к увеличению нестабильности их параметров и датчиков на основе ДКМ.

3 Предложена новая модель электрической схемы ДКМ в виде последовательного соединения измерительных конденсаторов с конденсаторами эквивалентной емкости МДП-структуры, изменяющейся со временем релаксации медленных поверхностных состояний, позволившая уточнить математические модели ИЦ и впервые обеспечить возможность проведения сравнительных оценок нестабильности параметров функций преобразования (ФП) МЭМС-акселерометров.

4 Установлено, что наличие в ДКМ паразитных МДП-структур приводит к появлению эффекта возникновеиия положительной обратной связи в течение времени релаксации зарядов в цепях электростатического уравновешивания пространственного положения подвижной пластины.

Практическая значимость.

1 Предложены пути уменьшения негативного влияния паразитных МДП-структур, возникающих при изготовлении ЧЭ в виде ДКМ целого класса емкостных МЭМС-датчиков на основе кремния — акселерометров, датчиков давления и т. д.

2 Разработан новый метод контроля искажения информационного сигнала в ИЦ на основе оценки разности потенциалов на металлизированных электрических контактах и поверхностях кремниевых пластин ДКМ, позволяющий повысить качество и снизить трудоемкость изготовления на первоначальных стадиях.

3 Разработана методика оценки уровня собственных шумов ИЦ МЭМС-акселерометров.

4 Предложены усовершенствованные ИЦ для построения МЭМС-акселерометров с повышенной стабильностью.

Методы исследований. Для решения поставленных задач применялись методы теории измерительных цепей уравновешивания, теории систем автоматического регулирования, физики полупроводников, теории переноса зарядов, теории динамических измерений, математического моделирования, микрозондовые методы анализа электрофизических свойств кремния.

Достоверность результатов подтверждается:

— математическим анализом гипотез и подтверждением полученных теоретических выводов экспериментальными исследованиями вновь созданных образцов акселерометров с применением эталонных средств воспроизведения ускорений и современной исследовательской аппаратуры;

— объяснением полученных результатов простыми средствами и их согласованностью с исходными принципами уточняемой теории и с основными научными положениями физики, метрологии и теории цепей.

На защиту выносятся:

1) результаты исследования механизмов возникновения нестабильности ДКМ и математические модели ИЦ, позволяющие сформулировать новые пути совершенствования МЭМС-датчиков;

2) метод контроля искажения информационного сигнала в ДКМ на первоначальных стадиях их изготовления;

3) метод сравнительной оценки стабильности ИЦ на основе вычисления приведенного функционала от квадратичного изменения параметров функции преобразования, учитывающих нестабильность параметров ДКМ в установленном интервале времени;

4) результаты экспериментального определения нестабильности и уровня собственных шумов ИЦ МЭМС-датчиков;

5) конструкторско-технологические и схемотехнические решения ИЦ МЭМС-датчиков для изделий PKT.

Реализация и внедрение результатов работы.

1 Результаты проведенных научных исследований послужили основой для доработки ИЦ существующих емкостных акселерометров (АЛЕ 049, АЛЕ 050) и разработки нового поколения акселерометров с улучшенной стабильностью MX (АЛЕ 056, АЛЕ 058, АЛЕ 058М) для исследования параметров движения летательных аппаратов.

2 Акселерометры АЛЕ 049, АЛЕ 050 внедрены на изделиях РКТ «Синева», «Булава», «Тополь-М», «МКС», «Союз», «Протон».

Результаты настоящей работы в виде математических моделей ДКМ, теоретических и экспериментальных методов исследования и сравнения.

ИЦ используются при разработке датчиков в рамках Федеральной целевой программы (ФЦП) «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 20 072 012 годы» и ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009;2013 годы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ.

1 Исследованы источники нестабильности ИЦ емкостных МЭМС-датчиков, ограничивающие возможности совершенствования их МХ.

2 Теоретически исследованы и идентифицированы механизмы возникновения паразитных полупроводниковых структур в приповерхностных областях конструкций ДКМ, а также выявлено, что наличие оксидных пленок и медленных поверхностных состояний приводит к уменьшению скорости переноса зарядов в ИЦ и к увеличению нестабильности МЭМС-датчиков. Установлено, что наиболее значимое влияние на скорости переноса зарядов оказывают паразитные МДП-структуры.

3 Разработана математическая модель влияния паразитных МДП-структур на стабильность МЭМС-датчиков, описывающая эквивалентную электрическую схему из последовательно соединенных конденсаторов с управляемыми емкостями структуры и измерительных ДКМ, использование этой модели для уточнения известных моделей метрологических характеристик МЭМС-датчиков позволило разработать пути их совершенствования.

4 Предложен метод контроля искажения информационного сигнала в ДКМ, позволяющий выявлять наличие паразитных МДП-структур на ранних стадиях изготовления ДКМ.

5 Разработан метод сравнительной оценки стабильности параметров ИЦ на основе вычисления приведенного функционала от квадратичного изменения параметров функции преобразования МЭМС-датчика, учитывающих нестабильность параметров ДКМ в установленном интервале времени, применение этого метода позволило обосновать целесообразность использования структур импульсного уравновешивания зарядов и сил для увеличения стабильности в несколько раз.

6 Экспериментально подтверждено, что для вновь разработанных МЭМС-акселерометров АЛЕ 056, АЛЕ 058 улучшены стабильность выходного сигнала в 3−5 раз, уровень собственных шумов — в 10−15 раз относительно аналогичных характеристик известных МЭМС-датчиков. Разработан экспериментальный образец акселерометра АЛЕ 058 М, исследования которого подтвердили ожидаемое повышение стабильности выходного сигнала не менее чем в три раза.

7 Результаты диссертационной работы внедрены в разработки образцов акселерометров для систем управления и контроля изделий PKT.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Диссертационная работа посвящена исследованию и разработке методов повышения стабильности МЭМС-акселерометров за счет уменьшения негативного влияния паразитных полупроводниковых структур, возникающих при изготовлении кремниевых чувствительных элементов.

Результаты теоретического анализа подтверждены экспериментальными исследованиями разработанных на их основе МЭМС-акселерометров и дают основание утверждать, что предложенные методы повышения стабильности могут быть использованы при разработке и производстве МЭМС-акселерометров нового поколения.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Акселерометры AT 1104, AT 1105. Информационные материалы ОАО «Арзамасское научно-производственное объединения «Темп-Авиа»
  2. Акселерометры типа КИ. Группа 66. Приборы и лабораторное оборудование. Информационные материалы Научно-исследовательского Института прикладной механики имени академика В. И. Кузнецова (НИИПМ) с. 20−23.
  3. Ф., Санчес-Синенсио Э. Электронные схемы с переключаемыми конденсаторами. М.: Радио и связь, 1989. 576 с.
  4. В. В., Барышев В. Г., Бондаренко Г. Г. и др. Метод многоуровневой токовой нагрузки для исследования генерации и релаксации положительного заряда в МДП-структурах // Микроэлектроника, 2003. Том 32. № 2. с. 152−158.
  5. Л. Е. Упругие элементы приборов. М.: Машиностроение, 1981. 392 с.
  6. И. В., Стучинский В. А., Наумова О. В. и др. Флуктуация заряда на границе сращивания в структурах «кремний на изоляторе» // Физика и техника полупроводников, 2003. Т. 37, вып. U.c. 1341−1345.
  7. В. От электромеханических и дискретных решений к МЭМС / МСТ // Электронные компоненты, 2003. № 2. с. 27−34.
  8. А. И., Галуза А. А., Коломиец С. Н. Границы раздела слоев и шероховатость в многослойной кремниевой структуре // Физика и техника полупроводников. 2004. — Том 39. — № 9. — С. 1050 — 1055.
  9. А. И., Галуза А. А., Коломиец С. Н. Границы раздела слоев и шероховатость в многослойной кремниевой структуре // Физика и техника полупроводников, 2004. Т. 38, вып. 9. с. 1050−1056.
  10. Е.В., Двинин С. А., Михеев В. В. и др. Двумерные распределения плотности плазмы в газовом разряде низкого давления // Физика плазмы.-2004. -№ 12. С. 1043 — 1051.
  11. Л. С. Анализ временной нестабильности параметров границы раздела диэлектрик соединение АШВУ методом изотермической релаксации емкости // Физика и техника полупроводников. — 1997. — Том 32. — № 1. — С. 78 -82.
  12. Л. С. Моделирование вольт-фарадных характеристик сегнето-электриков // Физика и техника полупроводников. 2005. — Том 39. — Вып. 12. -С. 1436- 1439.
  13. В. А. Динамический синтез систем автоматического регулирования. М.: Изд-во «Наука», 1965. 515 с.
  14. В. А., Попов Е. П. Теория систем автоматического регулирования. М.: Наука, 1975. 767 с.
  15. Л. А., Селезнев Г. Д. Тепловой фликкер-шум в диссипатив-ных процессах предплавления кристаллических веществ // Физика и техника полупроводников. 1998. — Том 24. — № 3. — С. 24 — 27.
  16. А. В., Гамкрелидзе С. А., Критенко М. С. и др. Датчики нового поколения для вооружений и военной техники // Электроника: Наука. Технология. Бизнес, 2003. № 2. с. 52−55.
  17. B.C., Киселев В. Ф., Мукашев Б. Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1990 (Физика полупроводников и полупроводн. приборов). — 216 с.
  18. К.А., Орликовский A.A., Васильев А. Г., Лукичев В. Ф. Проблемы создания высоконадежных многоуровневых Соединений СБИС // Микроэлектроника, 1990, том 19, вып. 2, с. 116−131.
  19. А., Лучинин В., Мальцев П. Микросистемная техника. Материалы, технологии, элементная база //Электронные компоненты, 2000. № 4.
  20. В. Ю. Процессы релаксации тонких слоев борофосфоросили-катных стекол при термически активированном вязком течении на ступенчатом рельефе интегральных микросхем // Микроэлектроника, 2003. Том 32, № 3. с. 163−176.
  21. А., Волович Г. Интегральные акселерометры // Компоненты и технологии, 2002. № I.e. 66−72.
  22. Н. В., Шашкин В. И. Электрические свойства наноконтактов металл полупроводник // Физика и техника полупроводников, 2004. Т. 38, вып. 9. с. 1084−1089.
  23. Н. В., Шашкин В. И. Электрические свойства наноконтактов металл полупроводник // Физика и техника полупроводников. — 2004. -Том 38. — № 9. — С. 1084- 1088.
  24. А. С. Возможности низкочастотного шума как прогнозирующего параметра при оценке качества и надежности изделий электронной техники // Мат. докл. научн.-техн. семинара «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М., 1996.
  25. В. М., Осипов Ю. В., Тимошина М. И., Зубков А. М. Электрофизические свойства монокристаллов кремния в широком интервале температур // Приборы. 2005. — № 11. — С. 11 — 16.
  26. М. И., Андреев А. В., Ануфриев Л. П. и др. Технологические методы повышения надежности ИС в процессе серийного производства // Микроэлектроника, 2004. Том 33, № 1. с. 24−34.
  27. М. И., Емельянов В. А., Адамяи А. Г. Диагностические методы контроля и прогнозирующей оценки надежности полупроводниковых изделий. Минск: Бел. навука, 2003.
  28. М. И., Емельянов В. А., Николаева А. П., Жарких А. П. Способы определения потенциально ненадежных полупроводниковых приборов // Межв. сб. науч. трудов «Твердотельная электроника и микроэлектроника». Воронеж: ВГТУ, 2003.
  29. М. И., Емельянов В. А., Строгонов А. В. Геронтология кремниевых интегральных схем. М.: Наука, 2004. 240 с.
  30. М. И., Жарких А. П. Влияние ЭСР на значения низкочастотных шумов транзисторов КТ209 // Сб. научи, трудов «Твердотельная электроника и микроэлектроника». Воронеж: ВГТУ, 2001.
  31. М. П., Ануфриев Л. П., Бордюжа О. Л. Обеспечение и повышение надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем в процессе серийного производства. Минск: Интеграл, 1997.
  32. М., Емельянов А., Смирнов Д. Возможность отбраковки полупроводниковых приборов по уровню низкочастотного шума // Компоненты и технологии. -2005.- № 8. С. 198 — 201.
  33. ГОСТ 18 955–73. Акселерометры низкочастотные линейные. Термины и определения. М.: Изд-во стандартов, 1973. 12 с.
  34. ГОСТ 8.009−84. Нормирование и использование метрологических характеристик средств измерений. М.: Изд-во стандартов, 1985. 42 с.
  35. ГОСТ Р ИСО 5725−1-2002-ГОСТ Р ИСО 5725−6-2002 Точность (правильность и прецизионность) методов и результатов измерений. М.: ИПК Изд-во стандартов, 2002.
  36. В. А. Динамические измерения. Л.: Энергоатомиздат. ле-нингр. отд-ние, 1984. 224 с.
  37. Ф. Емкостной датчик ускорения, выполненный на основе сочетания объемной и поверхностной микроструктур // Электроника, 1993. № 11−12. с.86−88.
  38. . А., Аронзон Б. А., Рыльков В. В. и др. Формирование потенциальных барьеров на контакте металл-полупроводник с использованиемметода селективного удаления атомов // Физика и техника полупроводников, 2004. Т. 38, вып. 9. с. 1074−1079.
  39. B.C. Интегральная электроника в измерительных устройствах. -Л.: Энергия, 1980.-248 е., ил.
  40. B.C. Фильтрация измерительных сигналов. Л.: Энерго-атомиздат. Ленингр. отд-ние, 1990. — 192 е., ил.
  41. B.C., Сырчин В. К. Устройства со скрещенными полями и перспективы их использования в технологии микроэлектроники. Вып.2 (1619).-М: ЦНИИ «Электроника», 1991.
  42. В. Э., Панкратов В. М. Динамика температурно-возмущенных гироскопических приборов и систем. Саратов.: Изд-во Саратовского унв-та, 1998. 236 с.
  43. Н. В., Левинштейн M. Е., Contreras S., Rnap W., Beaumont В. Низкочастотный шум в n-GaAs // Физика и техника полупроводников. 1998. — Том 32. — № 3. — С. 285−289.
  44. Н. В., Левинштейн M. Е., Румянцев С. Л. Шум 1/f в сильно легированном n-GaAs в условиях зона-зонной подсветки // Физика и техника полупроводников. 1997. — Том 31. — № 7. — С. 858 — 863.
  45. В. П., Николаев С. Н. // Журнал технической физики. 1953. -Вып. 23.-С. 913.
  46. Н. А., Красников Г. Я., Матюшкин И. В. // Микроэлектроника. — 2000. — Т. 29. — № 6. — с. 449 451.
  47. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х книгах. Кн. 1. Пер. с англ.- 2-е перераб. и доп. изд. М.: Мир, 1984. — 456 е., ил.
  48. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 2. Пер. с англ.- 2-е перераб. и доп. изд. М.: Мир, 1984. — 467 е., ил.
  49. А. М., Строкан Н. Б. Исследование шумов р±п-детекторов жестких излучений техникой амплитудного анализа // Журнал технической физики. 2000. — Том 70. — Вып. 2. — С. 139 — 142.
  50. Ю. И. Виброметрия. М.: ГНТИМЛ, 1963. 772 с.
  51. Э. Современные датчики и тенденции их развития // Электронные компоненты, 2003. № 2. с. 23−26.
  52. В. В. Исследование и разработка процессов подготовки поверхности кремниевых пластин при изготовлении структур кремний на изоляторе. Автореф. и диссерт. на соиск. уч. степ. канд. техн. наук. Москва: МИЭТ (ТУ), 2001.
  53. Л. П., Ульман Н. И. О выборе шумовых параметров для прогнозирования отказов транзисторов // Электронная техника. Сер. 8.1978. Вып. 7.
  54. В. Ю. Современное состояние сенсорной техники // Датчики и системы. -2001. -№ 11.-е. 53−61.
  55. В.В. О степени неустойчивости // Прикладная математика и механика. 1993. Т. 57. В. 5. С. 14 — 24.
  56. . А. Особенности отжига радиационных дефектов в кремниевых р п — структурах: роль примесных атомов железа // Физика и техника полупроводников. — 2004. — Том 38. — № 9. — С. 1079 — 1083.
  57. С. А., Овчинников К. Д., Кислицин Э. Б. Источники 1/f-шума в лавинно-пролетных диодах из арсенида галлия // Физика и техника полупроводников. 1997. — Том 67. — № 8. — С. 65 — 70.
  58. С. А., Холомина Т. А. Особенности анализа сигналов низкочастотного шума методом дискретного преобразования Фурье // Измерительная техника. 2005. — № 12. — С. 47 — 50.
  59. Л. С., Шаповал С. Ю., Якимов Е. Б. Влияние плазменного травления на изображение доменов и сигнал вторичных электронов в кристаллах ниобата лития // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейронные исследования. 2002. — № 10. — С. 36 — 42.
  60. Г. Я., Зайцев Н. А. Физико-технологические основы обеспечения качества СБИС. — М.: Микрон-принт, 1999. —Ч. I.
  61. В.Е. Законы и формулы физики / Отв. Ред. В.К. Тартаков-ский. Киев: Наук. Думка, 1989. — 864 с.
  62. Е. С., Новицкий П. В. Электрические измерения физических величин. Измерительные преобразователи. Л.: Энергоатомиздат, Ленингр. отд-ние, 1983. 320 с.
  63. Р.В., Миллер М. А. Ирншоу теорема. Физическа- энциклопедия. М.: Сов. энциклопедия, 1990. Т. 2. С. 216.
  64. А. Монолитные акселерометры Analog Devices ADXL 150/250// Электронные компоненты, 2003. № 2. с. 61−63.
  65. В. В., Таиров Ю. М., Васильев А. А. Особенности материало-ведческого базиса микросхем // Микросистемная техника, 1999. № 1. с. 7−10.
  66. В.В., Портнягин М. А., Гуселетов М. В. Схемы микроэлектронных аналоговых ключей и коммутаторов на полевых транзисторах. Обзоры по электронной технике. Серия 3 — Микроэлектроника. — М.: ЦНИИЭлек-троника, 1978, вып. 3 (590). — 76 е., ил.
  67. С. В., Блинов А. В. Анализ общих требований к датчикам, используемым в объектах вооружения и военной техники и системах контроля // Вестник метрологии. 2005. — № 3. — С. 18 — 22.
  68. Ю.Г. Движение твердого тела в электрических и магнитных полях. М.: Наука, 1988.- 368 с.
  69. В. В., Любезнов А. Н., Колганов В. Н., Папко А. А., Мал-кин Ю. М., Куличков А. В. Низкочастотные линейные компенсационные акселерометры // Приборы и системы управления, 1990. № 10. с. 21−22.
  70. Микроэлектромеханические системы (МЭМС). Обзор зарубежной научно-технической информации. Москва. ООО «Авиакосмические технологии»,. 2005. АКТ/ТО-05−05−01. 19 с.
  71. Т. Т., Поморцева J1. И, Шуман В. Б. Исследование электронно-дырочного рассеяния в р-кремнии при низком уровне инжекции носителей заряда // Физика и техника полупроводников. — 1997. Том 31. — № 7. — С. 833 -835.
  72. Е. А. Папко А. А. О решении проблемы формирования динамических характеристик акселерометров уравновешивающего преобразования. Труды научно-технической конференции «Датчики и детекторы для авиационной техники» «ДДАТ-2003», г. Пенза, 2003. с 26.
  73. Е. А. Папко А. А. Об оптимизации функций обратных преобразователей компенсационных акселерометров. Измерительная техника, 2004. № 5. с. 41−43.
  74. Е. А. Состояние и перспективы развития акселерометров НИИ физических измерений // Актуальные проблемы авиационных и аэрокосмических систем: процессы, модели, эксперимент, 1998. № I.e. 6−24.
  75. Е. А., Папко А. А. Акселерометры НИИ физических измерений элементы микросистемотехники // Микросистемная техника, 2002, № 11.
  76. А. К., Врачев А. С. Теория низкочастотных шумов. М.: «Энергия», 1972. 152 с.
  77. П. В. Основы информационной теории измерительных устройств. Л.: Энергия. Ленингр. отд-ние, 1968. 248 с.
  78. А. А. Электродуговая плазменная обработка пластин кремния перед окислением // Микросистемная техника. 2003. — № 1. — С. 13−21.
  79. П.П. Теоретические основы информационно-измерительной техники. Киев: Вища школа, 1983. — 455 е., ил.
  80. Л. П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов: Учеб. пособие для вузов по спец. «Полупроводниковые и микроэлектронные приборы». 2-е изд., пераб. И доп. — М.: Высш. шк., 1987. — 239 с.
  81. Реактивное ионно-плазменное травление и осаждение // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес. 2005. — № 8. — С. 14 — 16.
  82. Робинсон Ф.Н. Х. Шумы и флуктуации в электронных схемах и цепях. Пер. с англ. М.: Атомиздат, 1980. — 256 с.с. 3−11.
  83. У. М. Цепи, сигналы, системы: в 2-х ч. М.: Мир, 1988. 336 с.
  84. А. Е. Низкочастотные линейные акселерометры. Методы и средства поверки и градуировки. М.: Изд-во стандартов, 1976. 176 с.
  85. Л.В., Школьников В. М. Временная стабильность интегральных датчиков как важнейшее условие их применения в авиационных микропроцессорных системах // Измерительная техника. 2002. — № 6. — с. 27 — 29.
  86. Стабилитрон 2С175Ц аАО.339.048 ТУ.
  87. Т., Икома Т., Такэиси Е. Введение в микроэлектронику. М.: Мир, 1988. 320 с.
  88. И. Б. Основы теории электричества: Учеб. пособие для вузов. -11-е изд., испр. и доп. М.: ФИЗМАТ ЛИТ, 2003. — 616 с.
  89. С. П., Калугин В. В., Прокопьев Е. П. Исследование технологии очистки поверхности пластин кремния в процессе изготовления структур КНИ и микроэлектронных изделий // Микросистемная техника. — 2003. № 1.-С. 13−21.
  90. О. А., Холомина Т. А. Конструктивные и технологические особенности измерительно-преобразовательных микроэлектромеханических систем на основе кремниевых датчиков // Измерительная техника. 2004. — № 5. -с. 66−71.
  91. Е. А. Сенсорные гетероструктуры объект и инструмент исследования // Сенсор. — 2005. — № 5. — С. 2 — 12.
  92. Р. Б., Шапошник А. В., Воищев В. С. Спектральные и статические характеристики шума полупроводниковых газовых сенсоров в эквирези-стивных условиях // Журнал технической физики. 2004. — Том 74. — Вып. 7. -С. 134- 136.
  93. С.М. Обработка и защита поверхности полупроводниковых приборов, изд. 3-е, переработ., М.: «Энергия», 1970. 296 с.
  94. Ч. И. Долговременная стабильность первичных преобразователей давления на основе арсенидов галлия-алюминия // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика, 2004. № 2. с. 35−37.
  95. Г. П. Статические предельные метрологические модели линейных измерительных преобразователей. Серия «Метрология», Вып. 1: Лекция. Пенза: ПТУ, каф. МСК, 2003. — 24 с.
  96. В.М. Основы автоматики. М.: Государственное энергетическое изд-во, 1958. — 367 е., ил.
  97. Электрические измерения неэлектрических величин / Под редакцией Новицкого П. В. Л.: Энергия, Ленингр. отд-ние, 1975. 576 с.
  98. А. П., Вовченко Н. Е. Расчет электрических измерительных устройств и систем с силовой компенсацией. Государственное научно-техническое изд-во ОБОРОНГИЗ. М. 1961, 129 с.
  99. В. Н. Цифровой спектральный анализ на основе знакового двухуровнего преобразования непрерывных случайных процессов и асимптотически несмещенной оценки корреляционной функции // Измерительная техника. 2005. — № 12.-С. 18−23.
  100. Braun Е. A. Photoresist stripping faces low-k challenges // Semiconductor international. Oct. 1999. Vol. 22. N 12. P. 64−74.
  101. В. В., McNeilly M. A., Kao D. В., de Larios J. M. Vapor phase wafer cleaning and integrated processing: technology for the 1990's // Proceeding — Institute of Environmental Sciences. 1990.
  102. УТВЕРЖДАЮ Зам. Генерального конструктора1. Б. Соколов1. Акт № К321/10- I278
  103. Открытое акционерное общество НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ФИЗИЧЕСКИХ ИЗМЕРЕНИЙ (ОАО «НИИФИ»)
  104. Внедрение результатов исследований М. А. Калинина позволило повысить стабильность выходного сигнала акселерометров АЛЕ 056, АЛЕ 058 более, чем в 3 раза и уменьшить уровень собственных шумов более, чем на порядок по сравнению с известными аналогами.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?