Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Разработка и исследование метода и создание аппаратуры неразрушающего контроля силовых полупроводниковых приборов при высоких плотностях прямого тока

Диссертация: Разработка и исследование метода и создание аппаратуры неразрушающего контроля силовых полупроводниковых приборов при высоких плотностях прямого тока
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Существующие методы измерения и контроля ударного тока СПП обладают существенными недостатками. Они позволяют измерять этот параметр либо со значительной погрешностью, либо затрудняют процесс автоматизации измерения и контроля. В связи с этим целесообразна разработка универсального метода измерения и контроля ударного тока СПП, позволяющего с заданной точностью и при полной автоматизации… Читать ещё >

Содержание

  • 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ ПО ИССЛЕДОВАНИЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР спп
  • ПРИ ВЫСОКИХ ПЛОТНОСТЯХ ПРЯМОГО ТОКА
    • 1. 1. Исходные предпосылки
    • 1. 2. Математические модели изотермических
  • ИВАХ СПП
    • 1. 2. 1. Низкий уровень инжекции
    • 1. 2. 2. Высокий уровень инжекции
    • 1. 3. Обзор существующих методов неразрушающего измерения’ударного тока СПП
    • 1. 4. Выводы и постановка задачи
  • 2. КОЛИЧЕСТВЕННЫЙ УЧЕТ ЭЛЕКТРО- И ТЕПЛОФИЗИ-ЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ СПП ПРИ ВЫСОКИХ ПЛОТНОСТЯХ ПРЯМОГО ТОКА
    • 2. 1. Общие замечания
    • 2. 2. Количественный учет механизмов рассеяния носителей заряда в СПП при высоких плотностях прямого тока
    • 2. 3. Рекомбинационные явления в слоях СПП при высоких плотностях прямого тока
    • 2. 4. Теплофизические параметры конструктивных элементов тепловой системы СПП
    • 2. 5. Выводы
  • 3. ИССЛЕДОВАНИЕ СПП ПРИ ВЫСОКИХ ПЛОТНОСТЯХ ПРЯМОГО ТОКА
    • 3. 1. Построение математической модели динамической неизотермической
  • ПВАХ СПП при высоких плотностях прямого тока
    • 3. 1. 1. Постановка задачи
    • 3. 1. 2. Аналитический расчет температурных полей в структурах СШ
    • 3. 1. 3. Расчет температурного поля в структуре СПП при воздействии импульса мощности произвольной формы
    • 3. 1. 4. Определение средней концентрации носителей заряда в ь -базе p-s-n-диода при высоких плотностях прямого тока
    • 3. 1. 5. Математическая модель динамической. неизотермической ПВАХ при высоких плотностях прямого тока и выбор критерия неразрутающего измерения ударного тока СПП
    • 3. 2. Экспериментальное исследование реальных вентилей в режиме ударного тока
    • 3. 3. Шнурование тока в СПП при высоких плотностях прямого тока
    • 3. 4. Выводы
  • 4. РАЗРАБОТКА АВТОМАТИЗИРОВАННОЙ АППАРАТУРЫ НЕРАЗРУШАЩЕГО ИЗМЕРЕНИЯ ВЕЛИЧИНЫ УДАРНОГО ТОКА СПП
    • 4. 1. Структурная схема установки для неразрушающего измерения величины ударного тока СПП
    • 4. 1. Л. Елок контроля состояния испытуемого СПП
      • 4. 1. 2. Елок защиты испытуемого СПП от разрушения импульсом тока большой амплитуды
      • 4. 1. 3. Генератор импульсов тока большой амплитуды
    • 4. 2. Результаты испытаний установки для неразрушащего измерения ударного тока СШ
    • 4. 3. Выводы

Разработка и исследование метода и создание аппаратуры неразрушающего контроля силовых полупроводниковых приборов при высоких плотностях прямого тока (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Силовые полупроводниковые приборы (С1Ш) в настоящее время широко применяются в различных областях народного хозяйства. Электрифицированный транспорт, электрохимия, электротермия, приводы прокатных станов, радиолокация, измерительная техника — вот далеко не полный перечень областей использования СПП.

Применительно к силовой полупроводниковой технике основное направление развития характеризуется увеличением единичной мощности приборов и улучшением их важнейших параметров. На сегодняшний день еще не создана управляемая технология изготовления СПП. В то же время проектировщикам и эксплуатационникам СПП необходима объективная информация о важнейших параметрах приборов. Массовое применение СПП ставит две важные народнохозяйственные проблемы:

1. Проблему создания управляемой технологии изготовления СПП.

2. Проблему оптимального проектирования электроустановок, комплектуемых СПП.

Одной из важных задач, входящих в указанные проблемы, является исследование и разработка методов и аппаратуры неразрушающего измерения и контроля ударного тока СПП. Решение этой задачи позволит вводить обратную связь в технологический процесс изготовления приборов, а такжепозволит получить объективную информацию об ударном токе СПП, необходимую для проектирования электроустановок с заданными технико-экономическими показателями.

Ударным током СПП [^26, 68, 69, 73] называется максимально допустимая амплитуда импульса аварийного тока синусоидальной формы длительностью 10 мс (без последующего приложения напряжения), воздействие которого не приводит к выходу СПП из строя при заданной исходной температуре полупроводниковой структуры.

Ударный ток является одним из параметров СПП, характеризующих их надежность при перегрузках и аварийных режимах работы.

Существующие методы измерения и контроля ударного тока СПП обладают существенными недостатками. Они позволяют измерять этот параметр либо со значительной погрешностью, либо затрудняют процесс автоматизации измерения и контроля. В связи с этим целесообразна разработка универсального метода измерения и контроля ударного тока СПП, позволяющего с заданной точностью и при полной автоматизации определять этот важный параметр.

Разработка универсального метода измерения и контроля ударного тока СПП немыслима без теоретического и экспериментального исследования полупроводниковых структур при высоких плотностях прямого тока. Данные исследования сопряжены с целым рядом трудностей, а именно, необходимостью учета нелинейных механизмов рассеяния и рекомбинации, падения коэффициентов инжекции эмит-терных переходов, нелинейных зависимостей электрои теплофизи-ческих параметров полупроводниковых структур от температуры и т. д. В то же время только учет этих нелинейных эффектов позволит корректно проанализировать динамику процессов в СПП при высоких плотностях прямого тока и выявить объективный критерий неразру-шающего измерения и контроля ударного тока СПП.

На базе разработанного метода может быть создана высокопроизводительная автоматизированная аппаратура, позволяющая как на заводах-изготовителях, так и в эксплуатационных условиях измерять и контролировать ударный ток СПП.

На основании вышеизложенного целью настоящей работы является исследование полупроводниковых структур СПП при высоких плотностях прямого тока и разработка метода и автоматизированной аппаратуры, позволяющей с заданной точностью измерять ударный ток СПП.

I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ ПО ИССЛЕДОВАНИЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР СПП ПРИ ВЫСОКИХ ПЛОТНОСТЯХ ПРЯМОГО ТОКА.

4.3. Выводы.

I. На основе аналитически полученного и экспериментально подтвержденного критерия состояния, предшествующего разрушению полупроводниковой структуры, разработана и создана установка для неразрушающего измерения величины ударного тока СИП, позволяющая проводить измерение и контроль СИП по указанному параметру с обеспечением 100 $-ной защиты приборов от разрушения.

2. Установка выполнена на основе аналоговых интегральных схем,.

— 130 -ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

На основании проведенной работы были получены следующие выводы и результаты:

1. Произведен аналитический расчет теплового состояния полупроводниковой структуры с учетом пространственного распределения потерь мощности и температурной нелинейности коэффициента теплопроводности кремния при высоких концентрациях инжектированных носителей применительно к синусоидальному импульсу тока.

Выведены количественные соотношения, дающие возможность рассчитать средние по толщине базы значения концентрации носителей заряда и перегрева полупроводниковой структуры СПП при высоких плотностях прямого тока синусоидальной формы.

2. Разработана аналитическая модель динамической неизотермической прямой вольтамперной характеристики СПП, учитывающая основные физические явления в структурах приборов при высоких плотностях прямого тока, в том числе температурные зависимости электро-и теплофизических параметров, и обеспечивающая удовлетворительное согласование с экспериментальными данными.

3. Аналитически получен и экспериментально подтвержден физический критерий, прогнозирующий состояние полупроводниковой структуры, предшествующее ее разрушению, — появление экстремума на временной зависимости динамической емкости при воздействии на полупроводниковый прибор импульса тока, имеющего амплитуду выше некоторого критического значения.

4. Показано, что максимум динамической емкости на восходящей ветви изохронной прямой вольтамперной характеристики СПП непосредственно связан с явлением теплового шнурования тока в полупроводниковой структуре, прогнозируя критическую температуру шнурования.

5. На основе предложенного критерия разработан метод и создана установка для неразрушающего измерения величины ударного тока, позволяющая проводить измерение и контроль полупроводниковых приборов по указанному параметру с обеспечением стопроцентной защиты приборов от разрушения.

6. На основании проведенных испытаний партии СПП и последующей статистической обработки результатов получено, что средняя относительная погрешность измерения величины ударного тока на разработанной установке составляет 10,5% со средним квадратичным отклонением 6,6%, Доверительные границы для математического ожидания относительной погрешности составляют (8,00% - 12,7%).

7. Установка для неразрушающего измерения величины ударного тока СПП внедрена в СКВ ПО Таллинского электротехнического завода имени М. И. Калинина. Ожидаемый технико-экономический эффект составит 20 тыс. рублей в год, что удостоверено в прилагаемом акте внедрения.

Кроме того, разработанная установка внедрена в отделе «Физика полупроводников» НИИ ПО Таллинского электротехнического завода имени М. И. Калинина и используется идя исследования арсенид-галлиевых приборов, что удостоверено в прилагаемом акте внедрения.

На способ неразрушающего измерения величины ударного тока силовых полупроводниковых приборов получено авторское свидетельство [и].

Показать весь текст

Список литературы

  1. Г. М., Мурыгин В. И., Тешабаев А. Некоторые свойства диодов с большим отношением длины базы к диффузионной длине неосновных носителей, — Радиотехника и электроника, 1963, т. 8, вып. 5, с.821−829.
  2. Г. М., Лазарев Е. В. О влиянии электронно-дырочного рассеяния на вольтамперную характеристику полупроводниковых приборов. Известия АН Арм. ССР, Физика, 1969, т. 4, вып. 2, с. 83- 90.
  3. Г. М., Мурыгин В. И., Сандлер Л. С., Тешабаев А., Юровский A.B. Прямая ветвь вольтамперной характеристики тонких диодов при высоких уровнях инжекции. Радиотехника и электроника, 1963, т. 8, вып. II, с. 1919−1926.
  4. А.Г., Коломбет Е. А., Стародуб Г. И. Применение прецизионных аналоговых ИС. М.: Радио и связь, 1981. — 224 е., ил.
  5. .И., Уваров А. И. О тепловом пробое мощных германиевых вентилей. Электричество, 1964, вып. 5, с. 46−50.
  6. Г. Н., Гамаюнов A.B., Чепурин В. П. Механизмы рассеяния носителей заряда в слоях силовых полупроводниковых приборов при высоких плотностях прямого тока. Л., ЛИИЖТ, 1981, 20 с. (Рукопись депонирована в ЦНИИТЭИ МПС, В 1589).
  7. Г. Н., Гамаюнов A.B., Чепурин В. П. Количественный учет рекомбинационных явлений в слоях силовых полупроводниковыхприборов при высоких плотностях прямого тока. Л., ЛИЖГ, 1981, 8 с. (Рукопись депонирована в ЦНЖГЭИ МПС, В 1588).
  8. Г. Н., Гамаюнов A.B. Математическое моделирование электромагнитных и тепловых процессов в СПП при высоких плотностях прямого тока. Л., ЛИИЖТ, 1982, 9 с. (Рукопись депонирована в ЦНИИТЭИ МПС, ,№ 1802).
  9. A.c. $ 750 400 (СССР). Устройство для определения допустимого ударного тока кремниевых вентилей/Долгих В.А., Лавров Н. И., Сальман H.A. Опубл. в бюллетене «Открытия, изобретения, промышленные образцы и товарные знаки» № 27, 1980.
  10. Ю., Ланхойзер Ф., Крауссе Ю. Рекомбинация в кремниевых тиристорах и диодах, ее влияние на прямую вольтамперную характеристику и процесс выключения. Таллинский электротехнический завод им. М. И. Калинина. Перевод .№ 1702, Таллин, 1976,72 с.
  11. Э.Ф., Грехов И. В., Крюкова H.H. и др. Перегрузка тиристора однократным импульсом тока большой амплитуды. Сб. Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов, Л.: Наука, 1969, с. 309−319.
  12. Э.Ф., Грехов И. В., Крюкова H.H. Локализация тока в кремниевых диодах при большой плотности прямого тока. Сб. Физика и техника полупроводников, 1970, т. 4, вып. 10, с. 19 551 962.
  13. Э.Ф., Евсеев Ю. А., Челноков В. Е. Отрицательное сопротивление на изотермической вольтамперной характеристике кремниевых структур. Электротехническая промышленность, серия: Преобразовательная техника, 172, вып. 4, с. 7−10.
  14. A.B. Построение статистической модели и анализ случайных процессов в силовых полупроводниковых приборах. Диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук/ЛИШТ им. акад. В. Н. Образцова. — Л., 1974. — 183 с.
  15. И.В. Физические процессы в мощных кремниевых приборах с р -а-переходами: Автореф. диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук/Физ.-техн. институт им. А. Ф. Иоффе, Ш СССР. Л., 1973. — 54 с.
  16. И.В., Делимова Л. А. Оже-рекомбинация в кремнии. Физика и техника полупроводников, 1980, т. 14, вып. 5, с. 897 901.
  17. И.В., Отблеск А. Е. Учет электронно-дырочного рассеяния и падения эффективности эмиттера с ростом плотности тока при расчете вольтамперной характеристики p-s-a-и p-s-R-структур. Радиотехника и электроника, 1974, т. 19, вып. 7, с. 1483−1489.
  18. И.В., Отблеск А. Е. О статической вольтамперной характеристике включенного тиристора. Радиотехника и электроника, 1974, т. 19, вып. 7, с. 1566−1569.
  19. Грибников 3.G. Вольтамперная характеристика полупроводникового диода в пределе больших токов. Радиотехника и электроника, 1964, т. 9, вып. I, с. I63-I7I.
  20. Грибников 3.G., Мельников В. И. Электронно-дырочное рассеяние в полупроводниках при высоких уровнях инжекции. Сб. Физика и техника полупроводников, 1968, т. 2, вып. 9, с. 1352−1363.
  21. П.Н. Исследование методов измерения тепловых сопротивлений силовых ключей полупроводниковых преобразователей: Диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук/ ЛИШО. Л., 1981. — 256 с.
  22. ГОСТ 20 859–79. Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические условия.
  23. ГОСТ 1106–74 (CT СЭВ 1190−78). Правила проверки согласия опытного распределения с теоретическим.
  24. П.Д. Анализ и расчет тепловых режимов полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1967. — 143 с. с ил.
  25. Г. Б. Таблицы интегралов и другие математические формулы: Перевод с англ. H.B. Леви/Под ред. К. А. Семендяева. -М.: Наука, 1969. 228 с. с ил.
  26. .П., Марон И. А. Основы вычислительной математики. -М.: Наука, 1966. 664 с. с ил.
  27. П.Г., Кузьмин В. А., Крюкова H.H., Мамонов В. И., Павлик В. Я. Расчет силовых полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1980. — 184 с. с ил.
  28. Ф., 1!утцвиллер Ф., Голоньяк Н., фон Застов Э. Управляемые полупроводниковые ветили. Принцип действия и области применения р -а- р -а-устройств: Перевод с англ./Под ред. В. М. Тучкевича. М.: Мир, 1967. — 455 с. с ил.
  29. B.C. Основы теории теплопередачи. M.-JI.: Госэнергоиздат, i960. 211 с. с ил.
  30. Я.С., Овчинников Н. И. Импульсные и цифровые устройства. М.: Советское радио, 1972. — 591 с. с ил.
  31. М.Я. Теория электрических цепей. М.: Трансжелдориз-дат, 1962. — 495 с. с черт.
  32. Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел: Перевод с англ./Под ред. A.A. Померанцева. М.: Наука, 1964. — 488 с. с ил.
  33. JI.A. Методы решения нелинейных задач теплопроводности.- М.: Наука, 1975. 226 с. с ил.
  34. P.A. Распределение потенциалов и носителей заряда в открытом р -п.- р а-приборе. — Труды/Институт инженеров по электронике и радиоэлектронике, 1967, т. 55, I 8, с. I6I-I73.
  35. B.JI. Исследование кремниевых структур силовых диодов и их моделирование: Диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук (05.12.П)/ВЭИ им. В. И. Ленина. М., 1974.- 201 с.
  36. В.А. Вольтамперная характеристика полупроводниковых приборов со структурой р-а-р-а во включенном состоянии. -Радиотехника и электроника, 1963, т. 8, вып. I, с. I7I-I77.
  37. В.А. Тиристоры малой и средней мощности. М.: Советское радио, 1971. — 183 с. с ил.
  38. A.B. Теория теплопроводности. М.: Высшая школа, 1967.- 599 с. с ил.
  39. Мак-Дауэлл П., Пол Дж.М., Бобис Дж.П. Прецизионный 9-декадный логарифмический усилитель с температурной стабилизацией. -Приборы для научных исследований, 1968, т. 39, ^ 7, ct II7-II8.
  40. Т.Т., Кузьмин В. А. Вольтамдерная характеристика полупроводниковых структур с диффузионными р -п.-переходами при большой плотности тока. Радиотехника и электроника, 1981, т. 26, вып. 5, с. 1082-Х091.
  41. Т.Т., Поморцева Л. И. О влиянии Оже-рекомбинациина вольтамперную характеристику кремниевых многослойных структур при большой плотности тока. Физика и техника полупроводников, 1982, т. 16, вып. 5, с. 798−804.
  42. Н.М. Методы интегрирования обыкновенных дифференциальных уравнений. М.: Высшая школа, 1967. — 564 с. с ил.
  43. А.Е., Грехов И. В. О влиянии электронно-дырочного рассеяния на распределение концентрации инжектируемых носителей в базе р -s- а-структуры. Физика и техника полупроводников, 1974, т. 8, вып. 7, с. I408-I4II.
  44. Отчет по НИР. Анализ вольтамперных характеристик мощных тиристоров в проводящем состоянии, № 74 038 863, М., МЭИ, 1975.
  45. A.C., Пушкарский A.C., Горбачев В. В. Теплофизические свойства полупроводников. М.: Атомиздат, 1972. — 200 с. с ил.
  46. В.И. Разработка аппаратуры для измерения и контроля допустимых токовых параметров силовых ключей полупроводниковых преобразователей- Диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук/ЛИТМО. Л., 1982. — 175 с.
  47. Р. Транзисторы. Физические основы и свойства: Перевод с нем. B.C. Заседа/Под ред. И. А. Палехова. М.: Советское- 140 -радио, 1973. 504 с. с черт.
  48. Полубаринова-Кочина П. Я. Об одном нелинейном уравнении в частных производных, встречающемся в теории фильтрации. Докл. АН СССР, нов. серия, 1948, т. 13, № 6, с. 623.
  49. Э.И., Толпыго К. Б. Прямая вольтамперная характеристика плоскостного выпрямителя при значительных токах. Журнал технической физики, 1956, т. 26, вып. 7, с. I4I9-I427.
  50. Э.И., Носарь А. И. Вольтамперные характеристики мощных полупроводниковых выпрямителей. Журнал технической физики, 1957, т. 27, вып. 7, с. I43I-I445.
  51. A.A., Ашкинази Г. А. Режимы нагрузки силовых полупроводниковых приборов, М.: Энергия, 1976. — 296 с. с ил.
  52. Дж. Интегральные операционные усилители: Перевод с англ. Б. Н. Бронина. ГЛ.: Мир, 1978. — 324 с. с ил.
  53. С.М. Рекомбинация в полупроводниках. Сб. Полупроводники в науке и технике, М.-Л.: 1958, т. 2, с. 463−515.
  54. A.A. Введение в теорию разностных схем. М.: Наука, 1971. — 552 с. с ил.
  55. В.К. Интегрирование уравнений параболического типа методом сеток. М.: Физматгиз, i960. — 324 с.'с ил.
  56. Справочник по специальным функциям: Перевод с англ. В.А. Дит-кина и Л.Н. Кармазиной/Под ред. М. Абрамовича и И. Стиган.1. М.: Наука, 1979. 832 с.
  57. В.И. Влияние сопротивления толщи полупроводника на вид вольтамперной характеристики диода. Журнал технической физики, 1958, т. 28, вып. 8, с. 1631−1641.
  58. И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. М.: Энергия, 1967. — 615 с. с ил.
  59. СТ СЭВ 1135−78. Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования. Методы испытаний.
  60. СТ СЭВ 1655−79. Приборы полупроводниковые силовые. Предельно допустимые значения и характеристики. ^
  61. Тиристоры: технический справочник: Перевод с англ./Под ред. В. А. Лабунцова, С. Г. Обухова, А. Ф. Свиридова. М.: Энергия, 1971. — 560 с. с ил.
  62. А.Н., Самарский А. А. Уравнения математической физики. М.: Наука, 1966. — 724 с. ил.
  63. К.Б. Эмиссионная способность крутого р -п.-перехода и ее влияние на проводимость полупроводника. Журнал технической физики, 1956, т. 26, вып. 2, с. 293−309.
  64. И.А. О методах линеаризации нелинейных уравнений типа уравнений теплопроводности. Известия АН СССР, Отдел техн. наук, 1951, Л 6, с. 829.
  65. О.Г., Моисеев Л. Г., Сахаров Ю. В. Силовые полупроводниковые приборы. Справочник. М.: Энергия, 1975. — 512 с.
  66. О.Г., Моисеев Л. Г. Испытания силовых полупроводниковых приборов. М.: Энергоиздат, 1981. — 200 с. с ил.
  67. В.Е. Состояние и перспективы электроники силовых полупроводниковых приборов. Сб. Полупроводниковые приборы и их применение, М.: Советское радио, 1971, с. 246−266.
  68. В.Е., Евсеев Ю. А. Физические основы работы силовых полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973. — 279 с.
  69. Ю.А., Евсеев Ю. А. Оценка импульсной стойкости силовых полупроводниковых приборов методом неразрушающих испытаний. -М.: Информэлектро, 1970, № 42, с. 3−12.
  70. Ю.А. Определение термических напряжений в тиристорах и их стойкости к перегрузке прямым током. Электротехническая промышленность, серия: Преобразовательная техника, 1970, вып. 2, с. 8−13.
  71. Ю.А. Предпосылки отказов тиристоров таблеточной конструкции при воздействии импульсов ударного тока. Электротехническая промышленность, серия: Преобразовательная техника, 1973, вып. 2, с. 3−10.
  72. К.В. Физика полупроводников. М.: Энергия, 1976. -415 с. с ил.
  73. И.А. К расчету максимально допустимой для полупроводниковых приборов мощности импульса при их работе в режиме импульсных перегрузок. Сб. Полупроводниковые приборы и их применение, М.: Советское радио, 1960, № 5, с. 56−61.
  74. Шор Я. Б. Статистические методы анализа и контроля качества и надежности. М.: Советское радио, 1962. — 552 е., ил.
  75. В.Б., Кузьмин В. А., Мнацаканов Т. Т. О влиянии электронно-дырочного рассеяния на вольтамперную характеристику кремниевыхмногослойных структур при большой плотности тока. Письма в
  76. Журнал технической физики, 1980, т. 6, вып. II, с. 689−693.
  77. Е., Эмде Ф., Леш Ф. Специальные функции. Формулы, графики, таблицы: Перевод с нем./Под ред. Л. И. Седова. М.: Наука, 1964. — 344 е., черт.
  78. Adler M.S., Temple V.A.K. Accurate Calculations of the Forward Drop of Power Rectifiers and Thyristors. Int. Electron Dev. Meet., Washington P.O., 1976, Techn. deg., N.Y., 1976, p. 499−503.
  79. Dobkin R.C. Logarithmic Converters. IEEE Spectrum, 1969, v. 6, No. 11, p. 1483−1485.
  80. Dodson W.H., Longini R.L. Skip Turn-on of Thyristors. IEEE Transactions on Electron Devices, 1966, v. ED-13, No. 7"p. 598−604.
  81. Fletcher N. The High Current Limit for Semiconductor Junction Devices. Proceedings of the IRE, 1957, v. 45, No. 6, p. 862−872.
  82. Gaur S.P., Navon D.H. Two-Dimensional Carrier Flow in a Transistor Structure Under Nonisothermal Conditions. IEEE Transactions on Electron Devices, v. ED-23, No. 1, 1976, p.50−57.
  83. Graeme J. Bootstrapped RC Differentiator Performs Accurately without Phase Invertion. Electronic Design, 1974, v. 22, No. 5, p. 60−62.
  84. Gibbons J.F., Horn H.S. A Circuit with Logarithmic Transfer
  85. Response Over Nine Decades. IEEE Transactions on Circuit Theory, 1964-, v. CT-11, No. 3, p. 378−384-.97″ Hall E.N. Power Rectifiers and Transistors. Proceedings of the IRE, 1952, v. 4−0, No. 11, p. 1512−1518.
  86. Herring C. Theory of Transient Phenomena in the Transportof Holes in an Excess Semiconductor. Bell System Technical Journal, 194−9, v. 28, No. 3, P. 4−01−4-27.
  87. Howard N.R., Johnson G.W. P±I-N+ Silicon Diodes at High Forward Current Densities. Solid State Electronics, 1965, v. 8, No. 3, P. 275−284-,
  88. Jonscher A.K. Analysis of Current Flow in a Planar Junction Diode at High Forward Bias. Journal of Electronics & Control, 1958, v. 5, No. 7, p. 1−14.
  89. Lampert M., Rose A. Volume-Controlled, Two-Carrier Currents in Solids: The Injected Plasma Case. Physical Review, 1961, v. 121, No, 1, p. 26−37.104. Hayes S. Video Detector Stores Peak for Minutes. Electronics, 1976, v. 4−9, No. 4-, p. 112−113.
  90. Morin F.J., Maita J.P. Electrical Propeties of Silicon Containing Arsenic and Boron. Physical Review, 1954-, v, 96, No. 1, p. 28−35.
  91. Nakagawa T. Diffusion Type Silicon Controlled Rectifiers. -Tashiba Review, 1961, v. 16, p. 1358−1364.
  92. Nakagawa 0?. Forward Characteristics of Silicon Controlled Rectifier in High Conduction Region. Journal of the IEEE Japan, 1963, v. 83, p. 1765−1770.
  93. Read J., Dyer R. Power Thyristor Rating Practies. Proceedings of the IEEE, 1967, v. 55, No. 8, p. 1288−1301.109″ Risley A.R. Designers Guide to: Logarithmic Amplifiers. -EDN, 1973, v. 18, No. 15, p. 4−2-45.
  94. Rittner E.E. Extention of the Theory of the Junction Transistor. Physical Review, 1954-, v. 94-, No. 5, P- 1161−1171.
  95. Shockley W. The theory of P-N Junctions in Semiconductors and P-N Junction Transistors. Bell System Technical Journal, 1949, v. 28, No. 3, P. 4−35−489.
  96. Spenke E.Zs. Durchlass- und SperreigenschaftenrNaturforschung, 1956, Bd. 11a, No. 6, s. 440−456.113″ Stokes R.H. One-Dimensional Diffusion with the Diffusion
  97. Sze S.M. Physics of Semiconductor Devices. John Wiley & Sons, N.Y., 1969. — 246 p.
  98. Wagner C. Zur Theorie der Gleichrichterwirkung. Physikalische Zeitschrift, 1931, Jg. 32, No. 16, s. 641−64−5.
  99. Wagner C. Diffusion of Lead Chloride Dissolved in Solid Silver Chloride. Journal of the Chemical Physics, 1950, v. 18, No. 9, P. 1227−1231.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?