Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Разработка и исследование быстродействующих наноструктур СБИС с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда

Диссертация: Разработка и исследование быстродействующих наноструктур СБИС с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Поэтому в настоящее время особое внимание уделяется направлениям развития наноразмерной элементной базы, базирующимся на использовании гетеропереходов и сверхрешеток, использование которых дает возможность управления энергетическим спектром, что обусловило появление термина «зонная инженерия». Подбирая соответствующим образом параметры полупроводниковых слоев гетероструктуры можно ограничить… Читать ещё >

Содержание

  • 1. АНАЛИЗ МЕТОДОВ ПОВЫШЕНИЯ БЫСТРОДЕЙСТВИЯ И СНИЖЕНИЯ ЭНЕРГИИ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
  • 2. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ С УПРАВЛЯЕМОЙ ПЕРЕДИСЛОКАЦИЕЙ МАКСИМУМА АМПЛИТУДЫ ВОЛНОВЫХ ФУНКЦИЙ ЭЛЕКТРОНОВ В ТУННЕЛЬНО-СВЯЗАННЫХ КВАНТОВЫХ ОБЛАСТЯХ
    • 2. 1. Методы построения и конструкции логических элементов с управляемой передислокацией максимума волновой функции электронов в туннельно-связанных квантовых областях
    • 2. 2. Технологический маршрут изготовления функционально интегрированных логических элементов на основе туннельно-связанных квантовых областей с электронной проводимостью
    • 2. 3. Модели и методика моделирования интегральных логических элементов на основе туннельно-связанных квантовых областей с электронной проводимостью
    • 2. 4. Результаты моделирования интегральных логических элементов на основе туннельно-связанных квантовых областей с электронной проводимостью
    • 2. 5. Выводы
  • 3. КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ С УПРАВЛЯЕМОЙ ПЕРЕДИСЛОКАЦИЕЙ МАКСИМУМА ВОЛНОВОЙ ФУНКЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ТУННЕЛЬНО-СВЯЗАННЫХ КВАНТОВЫХ ОБЛАСТЯХ
    • 3. 1. Методы построения и конструкции логических элементов с управляемой передислокацией максимума волновых функций электронов и дырок в туннельно-связанных квантовых областях
    • 3. 2. Технологический маршрут изготовления интегральных логических элементов на основе туннельно-связанных квантовых областей с дополняющими типами проводимости

    3.3. Модели и методика моделирования логических элементов с управляемой передислокацией максимума волновой функции носителей заряда в туннельно-связанных квантовых областях с взаимодополняющими типами проводимости.

    3.4. Результаты моделирования логических элементов с управляемой передислокацией максимума волновой функции носителей заряда в туннельно-связанных квантовых областях с взаимодополняющими типами проводимости.

    3.5. Экспериментальные образцы интегральных логических элементов с управляемой передислокацией максимума волновой функции носителей заряда в туннельно-связанных квантовых областях.

    3.5.1. Разработка структуры и топологии экспериментальных образцов логических элементов на основе туннельносвязанных квантовых областей.

    3.5.2. Топология кристаллов экспериментальных образцов.

    3.5.3. Технологический маршрут изготовления экспериментальных образцов.

    3.5.3.1. Основные этапы технологического маршрута изготовления экспериментальных образцов и параметры слоев гетероструктуры.

    3.5.3.2. Последовательность технологических операций изготовления экспериментальных образцов.

    3.5.3.3. Результаты изготовления экспериментальных образцов.

    3.6. Выводы

    4. СВЕРХБЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ КОММУТАТОРЫ С УПРАВЛЯЕМОЙ ПЕРЕДИСЛОКАЦИЕЙ МАКСИМУМА ВОЛНОВОЙ ФУНКЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В

    КВАНТОВЫХ ОБЛАСТЯХ

    4.1. Методы построения и конструкции интегральных сверхбыстродействующих коммутаторов с управляемой передислокацией максимума волновой функции носителей заряда в туннельно-связанных квантовых областях.

    4.2. Методы построения, конструкции и результаты моделирования интегральных коммутаторов на основе управляемой передислокации максимума волновой функции носителей заряда в объединенных квантовых областях.

    4.3. Выводы.

    5. СОВМЕЩЕННЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ С

    УПРАВЛЯЕМОЙ ПЕРЕДИСЛОКАЦИЕЙ МАКСИМУМА ВОЛНОВОЙ ФУНКЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА НА ОСНОВЕ СВЕРХРЕШЕТОК ВТОРОГО ТИПА.

    5.1. Методы построения и конструкции совмещенных логических элементов с управляемой передислокацией максимума волновой функции носителей заряда.

    5.2. Технологический маршрут изготовления интегральных логических элементов на основе совмещенных комплементарных наноструктур.

    5.3. Модели и методика моделирования управляемой передислокации максимума волновых функций носителей заряда в совмещенных комплементарных наноструктурах.

    5.4. Результаты моделирования управляемой передислокации максимума волновых функций носителей заряда в совмещенных комплементарных наноструктурах.

    5.5. Выводы.

    6. МЕТОДИКИ ПРОЕКТИРОВАНИЯ СБИС НА ОСНОВЕ НАНОРАЗМЕРНОЙ ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ.

    6.1. Методика проектирования интегральных элементов с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций электронов и дырок в сверхрешетках второго типа.

    6.2. Проектирование интегральных устройств статической памяти на основе субмикронных и наноразмерных библиотек параметризуемых интегральных элементов.

    6.2.1. Основные требования к библиотечным интегральным элементам статических ОЗУ.

    6.2.2. Методика автоматического синтеза топологии интегральных устройств статической памяти.

    6.2.3. Подсистема автоматического синтеза топологии статических

    ОЗУ «МешоМа81ег».

    6.2.4. Результаты проектирования статических ОЗУ на основе субмикронных элементов.

    6.3. Интегральные логические элементы СБИС на основе комплементарных полевых транзисторов Шоттки.

    6.3.1. Конструкции и технологические маршруты изготовления интегральных элементов СБИС на основе комплементарных транзисторов Шоттки.

    6.3.2. Моделирование интегральных элементов СБИС на основе комплементарных транзисторов Шоттки.

    6.3.3. Метод термозависимого питания КПТШ-элементов.

Разработка и исследование быстродействующих наноструктур СБИС с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Последняя треть XX века прошла под знаком все возрастающего влияния микроэлектроники на общество. Впечатляющие достижения вычислительной техники, информатики, радиоэлектроники и других направлений техники почти всегда базируются на достижениях микроэлектроники. И не только потому, что она формирует элементную базу всех современных средств приема, передачи и обработки информации, автоматизированных систем управления и т. д., но главным образом из-за революционизирующего воздействия ее технологических принципов, достижений в области синтеза и применения новых материалов для создания приборных структур [1].

В начале нового столетия определяющими для элементной базы стали характеристические размеры нанометрового диапазона (100−10нм) [1]. Промышленные нормы современных микропроцессоров фирмы Intel составляют 90−65 нм [2,3]. Согласно прогнозам ведущих специалистов, к 2009 году будет осуществлен переход к промышленным проектным нормам 30 нм и менее, что позволит получить эффективную длину канала транзистора 15 нм и при размерах кристаллов сверхбольших и ультрабольших интегральных схем (СБИС и УБИС) до 40×40 мм размещать на них 109 и более элементов (рис. 1, 2) [3].

Уменьшение характеристических размеров элементов СБИС позволяет соответствующим образом повысить их быстродействие и снизить энергию переключения. Согласно [3], время задержки интегральных логических элементов на основе комплементарных структур металл-диэлектрик-полупроводник (КМОП), являющихся основой большинства современных СБИС, уменьшится к 2009 г. до значений 0,6 — 0,8 пс, а энергия.

1 Я переключения — до 10″ Дж (рис. 3).

Следует отметить, что столь резкое уменьшение характеристических размеров и повышение быстродействия интегральных структур требует значительных финансовых вложений, направленных на научные исследования и переоснащение технологического оборудования, и в целом не является результатом обычного масштабирования (пропорционального уменьшения всех размеров и приложенных напряжений). Это связано, в основном, с достижением присущих каждому типу микроэлектронных структур физических (фундаментальных) ограничений.

1.00 с о о 0.10.

0.01.

0.5цт.

0.35цт.

0.25цт ~ 0.18цт.

0.13цт 0.2ц, т 90пт.

Technology Node.

Transistor Physical Gate Length.

70nm.

50nm '-J.

30rim 'A.. 20nm" *.

5nm.

2000 Year.

Рис. 1. Темпы сокращения проектных норм и характеристических размеров интегральных транзисторов по данным фирмы Intel [3].

Рис. 2. Темпы роста степени интеграции логических схем, микропроцессоров и ИС памяти в период с 1960 по 2009 годы по данным фирмы Intel [2].

1.Е+01 Л.

О. > ф о щ.

CQ О.

1.Е+00.

0.01 0.1 Lg (мт).

1.Е-05 0.001.

0.01.

LG (мт) а б.

Рис. 3. Снижение времени задержки интегральных структур (а) и произведения энергии переключения на время задержки (б) в зависимости от характеристических размеров транзисторов по данным фирмы Intel [3].

Например, прогнозируемое в [2,3] уменьшение характеристических размеров МОП-структур до 30−15нм потребует уменьшения толщины подзатворного диэлектрика до 1 нм (рис. 4), при которой без принятия специальных мер туннельный ток будет сравним по величине с основным током транзистора, тогда как в качественных МОП-структурах туннельный ток не должен превышать 1% от рабочего тока. Кроме того, при такой длине канала будут наблюдаться нежелательная зависимость порогового напряжения от длины канала и напряжений на электродах, дрейф порогового напряжения и снижение крутизны транзистора, вызванные эмиссией горячих электронов из области канала в диэлектрик, исчезновение участков насыщения выходных вольт-амперных характеристик (ВАХ) [1].

Важную роль играют также экономические ограничивающие факторы. Упомянутые выше финансовые вложения в науку и производство, согласно исследованию [4], растут экспоненциально при уменьшении минимальных размеров интегральных элементов.

Technology Generation (nm).

Рис. 4. Уменьшение толщины подзатворного диэлектрика в зависимости от характеристических размеров транзисторов по данным фирмы Intel [2].

В настоящее время во многих лабораториях проводятся масштабные исследования, направленные на решение перечисленных проблем [5−9]. Это приводит к значительным изменениям в структуре и технологии изготовления интегральных транзисторов, требует учета влияния квантовых эффектов на функционирование приборов [10].

В совокупности перечисленные ограничения, а также новые достижения в области нанотехнологий, связанные с молекулярно-лучевой эпитаксией (МЛЭ) [И], туннельной и атомно-силовой микроскопией [12], появлением уникального оборудования для прецизионной ионной обработки с нанометровым разрешением (в том числе и отечественного производства [11]), стимулируют поиск новых принципов построения наноразмерной элементной базы, которая, согласно прогнозам [13], займет лидирующие позиции уже в ближайшие годы.

В основу данных прогнозов положены научно-технические достижения последних лет, связанные, в частности, с исследованиями наноструктур, имеющих характеристические размеры менее 10 нм и благодаря этому открывающих принципиальные возможности практического использования для повышения характеристик элементной базы наноэлектроники квантовых эффектов, таких как размерное квантование энергии электронов, резонансное туннелирование, квантовая интерференция, эффект кулоновской блокады и ряд других [1].

Практическая реализация подобных структур связана с необходимостью решения целого комплекса сложных научно-технических проблем. В особенности это касается таких, безусловно перспективных, направлений развития наноразмерной элементной базы, как одноэлектроника, спинтроника, квантовые клеточные автоматы и квантовый компьютинг, реализация которых на сегодняшний день представляется возможной лишь в перспективе, поскольку, в частности, связана с использованием сверхнизких рабочих температур, недоступных вне лабораторных условий [14−17].

Поэтому в настоящее время особое внимание уделяется направлениям развития наноразмерной элементной базы, базирующимся на использовании гетеропереходов и сверхрешеток, использование которых дает возможность управления энергетическим спектром, что обусловило появление термина «зонная инженерия» [18, 19]. Подбирая соответствующим образом параметры полупроводниковых слоев гетероструктуры можно ограничить движение электронов по одному, двум и даже трем измерениям, в результате чего электронный газ становится двумерным (2D), одномерным (1D) и нульмерным, а соответствующие структуры с размерным квантованием принято называть квантовыми ямами, квантовыми проводами и квантовыми точками [1].

В рамках данных направлений успешно реализованы и используются в промышленных масштабах такие быстродействующие полупроводниковые структуры, как:

— НЕМТ (High Electron Mobility Transistors) — селективно-легированные транзисторы на электронах с высокой подвижностью, в которых благодаря резкому гетеропереходу между полупроводниками с различной шириной запрещенной зоны двумерный электронный газ оказывается пространственно изолированным от ионов донорной примеси, приобретая при этом предельно высокую для заданных условий подвижность. НЕМТ характеризуются максимальными рабочими частотами более 100 ГГц. Учитывая, что подвижность электронов в НЕМТ определяется в основном рассеянием на фононах кристаллической решетки, данные транзисторы имеют рекордные характеристики при сверхнизких (гелиевых) температурах, но успешно используются и в нормальных условиях [1, 20, 21];

— резонансно-туннельные диоды (РТД) и транзисторы с резонансным туннелированием (РТТ), время переключения которых ограничено, в основном, крайне малой инерционностью процесса резонансного туннелирования. РТД и РТТ характеризуются максимальными.

12 рабочими частотами до 10 Гц. Нормально функционируют в достаточно широком диапазоне температур [1, 20, 21];

— VMT (Velocity Modulation Transistors) — транзисторы с модуляцией скорости (подвижности) носителей. Быстродействие YMT не ограничено временем пролета электронами каналов благодаря управляемой передислокации максимума плотности электронов между туннельно-связанными квантовыми ямами, в которых электроны имеют существенно различную подвижность. VMT характеризуются минимальным временем задержки 0,15 пс и нормально функционируют в достаточно широком диапазоне температур [22, 23] и др.

Анализ принципов построения и различных конструктивно-технологических вариантов реализации перечисленных структур позволяет сделать вывод о том, что полученные параметры гетеропереходных транзисторов не являются предельными [13, 20, 21].

Таким образом, разработка новых методов построения наноразмерной элементной базы СБИС и УБИС, конструкций и технологических маршрутов изготовления интегральных элементов, ориентированных на современный уровень развития полупроводниковой микрои нанотехнологии, с целью дальнейшего увеличения быстродействия, снижения энергопотребления, повышения степени интеграции и надежности ИС является актуальной проблемой.

Решение данной проблемы видится в использовании двух подходов:

— разработки новых методов построения, конструкций, используемых полупроводниковых материалов и технологических маршрутов изготовления транзисторных структур, как основных элементов более сложных интегральных устройств;

— разработки на основе существующих принципов интегральных элементов, обеспечивающих за счет функциональной интеграции выполнение более сложных функций (например, логических, функций многоканальной коммутации, функций памяти и др.) с затратами времени и энергии, характерными для одной транзисторной структуры, реализованной на таких же принципах и по совместимой технологии.

Безусловно, возможны и разработки на основе комбинации перечисленных подходов.

Важную роль в решении задач повышения быстродействия и снижения энергии переключения наноразмерных интегральных элементов играет математическое моделирование, позволяющее избегать дорогостоящих ошибок при разработке. Необходимость моделирования наноразмерных интегральных структур на различных этапах разработки обусловлена сложностью протекающих в них физических процессов, их многомерностью, нестационарным и неравновесным характером [24−27], длительностью и дороговизной экспериментальных исследований в области наноэлектроники, а также тем, что экспериментальное наблюдение некоторых квантовых эффектов в интегральных элементах на сегодняшний день весьма проблематично [20, 26, 28].

Целью диссертационной работы является разработка методов построения, моделей, методик моделирования и проектирования интегральных элементов СБИС на основе полупроводниковых наноразмерных гетероструктур с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда с целью решения проблемы увеличения быстродействия, снижения энергопотребления и повышения степени интеграции СБИС.

При выполнении данной диссертационной работы получены следующие научные результаты:

— разработаны методы построения быстродействующих интегральных логических элементов на основе управляемой передислокации максимума амплитуды волновых функций носителей заряда в туннельно-связанных и совмещенных квантовых областях с взаимодополняющими типами проводимости;

— разработаны методы построения быстродействующих интегральных аналоговых коммутаторов на основе управляемой передислокации максимума амплитуды волновых функций носителей заряда в туннельно-связанных и объединенных квантовых областях с взаимодополняющими типами проводимости;

— разработан метод анализа интегральных элементов с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда в связанных квантовых областях на основе совместного численного решения уравнений Шредингера и Пуассона для зоны проводимости и валентной зоны, включая методику уточнения положения уровня Ферми;

— разработан метод повышения быстродействия и расширения диапазона рабочих температур интегральных логических элементов на наноразмерных комплементарных полевых транзисторах Шоттки, основанный на температурной зависимости напряжения питания.

Практическая значимость полученных результатов состоит в следующем:

— на основе предложенных методов построения наноразмерной элементной базы СБИС с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда разработаны и защищены патентами Российской Федерации конструкции интегральных логических элементов и аналоговых коммутаторов на основе связанных квантовых областей с взаимодополняющими типами проводимости, обеспечивающих по сравнению с аналогами уменьшение времени задержки до 0,5−0,1 пс, снижение энергии переключения до 1 аДж, а также сокращение площади, занимаемой элементами на кристалле, в 2 — 6 раз;

— на основе предложенного метода анализа, основанного на совместном численном решении уравнений Шредингера и Пуассона для зоны проводимости и валентной зоны, разработаны программные средства численного моделирования интегральных логических элементов и аналоговых коммутаторов с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда в связанных квантовых областях с взаимодополняющими типами проводимости;

— на основе анализа полученных результатов численного моделирования разработана методика проектирования быстродействующих логических элементов СБИС с управляемой передислокацией максимума волновой функции носителей заряда в совмещенных комплементарных наноструктурах на основе сверхрешеток второго типа;

— разработаны технологические маршруты изготовления интегральных логических элементов и коммутаторов на основе туннельно-связанных квантовых областей с взаимодополняющими типами проводимости;

— с использованием разработанного совместно с ООО «Научно-образовательный центр ФИАН и МИЭТ (ТУ) «Квантовые приборы и нанотехнологии» (г. Москва) технологического маршрута изготовлены экспериментальные образцы интегральных логических элементов и элементов памяти на основе туннельно-связанных квантовых областей с взаимодополняющими типами проводимости;

— разработаны библиотеки параметризуемых субмикронных КМОП-элементов и наноразмерных логических элементов и элементов памяти на основе управляемой передислокации максимума волновых функций носителей заряда в связанных квантовых областях с взаимодополняющими типами проводимости;

— разработаны методика и программа автоматического проектирования устройств статической оперативной памяти на основе параметризуемых библиотек интегральных элементов, а также проекты блоков статических ОЗУ. Выработаны рекомендации по проектированию быстродействующих СБИС наноэлектроники.

Основные результаты диссертации получены автором при выполнении научно-исследовательских работ в рамках госбюджетной тематики №№ 13 061, 13 063 (заказчик — Российское агентство по системам управления), 13 090, 13 091, 13 092, 13 490, 13 491, 13 492 (гранты Министерства образования и науки РФ), 13 060, 13 460, 13 462, 13 054, 13 055, 13 057, 13 058, 13 059, 13 065 (научно-технические программы Министерства образования и науки РФ), НИР №РИ-25.0/001/062, № 00−07−10, выполненных в Южном научном центре РАН (г.Ростов-на-Дону), а также хоздоговорных НИР № 13 001 (заказчик — ОАО.

НКБ ВС, г. Таганрог), №№ 13 005, 13 006 (заказчик — Министерство образования и науки РФ), № 13 401 (заказчик — ГУНГЖ «Технологический центр» МИЭТ (ТУ)).

Результаты диссертационной работы использованы в научных исследованиях и разработках Южного научного центра РАН (г. Ростов-на-Дону), Научно-образовательного центра «Нанотехнологии» Южного федерального университета (г. Таганрог), ГУ НПК «Технологический центр» МИЭТ (ТУ) (г.Москва), ОАО НКБ ВС (г.Таганрог), ООО «Научно-образовательный центр ФИАН и МИЭТ (ТУ) «Квантовые приборы и нанотехнологии» (г. Москва), использованы в НИР, выполненных по заданиям Министерства образования и науки РФ, РАСУ РФ (г. Москва), а также внедрены в учебный процесс подготовки студентов Технологического института ФГОУ ВПО «Южный федеральный университет» в г. Таганроге.

Основные результаты работы обсуждались и были одобрены на следующих научных конференциях:

— International Conferences «Microand nanoelectronics» (MoskowZvenigorod, 2003, 2005);

— 5th International Conference on ASIC (ASICON-2003) (Beijing, China, 2003);

— 1-st IEEE International Conference on Circuit and Systems for Communication (S.-Petersburg, 2002);

— International Congress of Nanotechnology (San Francisco, 2005);

— IV International Seminar on Silicon Carbide and Related Materials (Novgorod the Great, Russia, 2002);

— VII международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы». — Ульяновск: УлГУ, 2005;

— III, IV и V международных научно-технических конференциях «Электроника и информатика» (Москва, 2000, 2002, 2005);

— VI — X международных научно-технических конференциях «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморское, 1999, 2000, 2002, 2004, 2006);

— V международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микрои нанотехнологии». — Кисловодск-Ставрополь: СевКавГТУ, 2005;

— I и II Всероссийских научно-технических дистанционных конференциях «Электроника» (г. Москва, 2001, 2003);

— II Всероссийской научно-технической конференции «Компьютерные технологии в науке, проектировании и производстве» (г. Нижний Новгород, 2000).

По теме исследований опубликована 61 печатная работа, в том числе монография, 22 научных статьи, из которых 15 статей в изданиях, рекомендованных ВАК РФ, получены 12 патентов РФ, свидетельство о регистрации программы для ЭВМ.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту:

— методы построения и конструкции быстродействующих интегральных логических элементов и аналоговых коммутаторов на основе управляемой передислокации максимума амплитуды волновых функций носителей заряда в туннельно-связанных квантовых областях с взаимодополняющими типами проводимости;

— метод анализа интегральных элементов с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда в связанных квантовых областях на основе совместного численного решения уравнений Шредингера и Пуассона для зоны проводимости и валентной зоны, включая методику уточнения положения уровня Ферми;

— метод повышения быстродействия и расширения диапазона рабочих.

19 температур интегральных логических элементов на наноразмерных комплементарных полевых транзисторах Шоттки, основанный на температурной зависимости напряжения питания, методика проектирования быстродействующих логических элементов СБИС с управляемой передислокацией максимума волновой функции носителей заряда в совмещенных комплементарных наноструктурах на основе сверхрешеток второго типаметодика автоматического проектирования устройств статической оперативной памяти на основе параметризуемых библиотек интегральных элементов.

6.5. Выводы.

На основе полученных результатов моделирования разработана методика проектирования наноразмерных элементов СБИС с управляемой туннельной передислокацией максимума волновых функций носителей заряда в совмещенных комплементарных наноструктурах.

Для оценки эффективности разработанной методики представлен пример проектирования инвертора на основе СКН с конструктивно-технологическими ограничениями 22 нм. На основании полученных модельных оценок показано, что при длине каналов СКН 22 нм и напряжении питания 0,5 В ± 10% в диапазоне рабочих температур Т< 100 °C возможно обеспечение времени задержки инвертора менее 2,5 пс (с учетом паразитных емкостей СКН), энергии переключения 1 аДж, логического перепада не менее 0,35 В.

Разработана и реализована в виде программного продукта методика автоматического проектирования блоков асинхронных СОЗУ, обеспечивающая возможность использования библиотек элементов, разработанных для различных технологий, но с учетом сформулированных в данной работе принципов.

Разработанная методика предусматривает оптимизацию проектируемого СОЗУ по быстродействию с использованием параметризуемых библиотечных элементов, а также автоматического разбиения СОЗУ на секции с формированием дополнительного дешифратора секций.

Оценка эффективности разработанной методики автоматического проектирования СОЗУ выполнена с использованием разработанных библиотек субмикронных и наноразмерных элементов.

Согласно приведенным результатам моделирования, использование температурной зависимости напряжения питания для кремниевых КПТШ-элементов, позволяет расширить диапазон рабочих температур с (10 — 50) °С до (-23 — 104) °С, то есть более чем в 3 раза и увеличить максимальное быстродействие элементов на (7−55) % при энергии переключения 2 аДж во всем температурном диапазоне.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Диссертационная работа посвящена решению проблемы увеличения быстродействия, снижения энергопотребления и повышения степени интеграции сверхбольших интегральных схем путем разработки методов построения, конструкций, моделей и методов моделирования наноструктур с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда в связанных квантовых областях с взаимодополняющими типами проводимости.

Научная новизна диссертационной работы отражена в следующих основных результатах:

1) разработаны методы построения быстродействующих интегральных логических элементов на основе управляемой передислокации максимума амплитуды волновых функций носителей заряда в туннельно-связанных и совмещенных квантовых областях с взаимодополняющими типами проводимости;

2) разработаны методы построения быстродействующих интегральных аналоговых коммутаторов на основе управляемой передислокации максимума амплитуды волновых функций носителей заряда в туннельно-связанных и объединенных квантовых областях с взаимодополняющими типами проводимости;

3) разработан метод анализа интегральных элементов с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда в связанных квантовых областях на основе совместного численного решения уравнений Шредингера и Пуассона для зоны проводимости и валентной зоны, включая методику уточнения положения уровня Ферми;

4) разработан метод повышения быстродействия и расширения диапазона рабочих температур интегральных логических элементов на наноразмерных комплементарных полевых транзисторах Шоттки, основанный на температурной зависимости напряжения питания.

Практическая ценность исследований состоит в следующем:

1) на основе предложенных методов построения наноразмерной элементной базы СБИС с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда разработаны и защищены патентами Российской Федерации конструкции интегральных логических элементов и аналоговых коммутаторов на основе связанных квантовых областей с взаимодополняющими типами проводимости, обеспечивающих по сравнению с аналогами уменьшение времени задержки до 0,5−0,1 пс, снижение энергии переключения до 1 аДж, а также сокращение площади, занимаемой элементами на кристалле, в 2 — 6 раз;

2) на основе предложенного метода анализа, основанного на совместном численном решении уравнений Шредингера и Пуассона для зоны проводимости и валентной зоны, разработаны программные средства численного моделирования интегральных логических элементов и аналоговых коммутаторов с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда в связанных квантовых областях с взаимодополняющими типами проводимости;

3) на основе анализа полученных результатов численного моделирования разработана методика проектирования быстродействующих логических элементов СБИС с управляемой передислокацией максимума волновой функции носителей заряда в совмещенных комплементарных наноструктурах на основе сверхрешеток второго типа;

4) разработаны технологические маршруты изготовления интегральных логических элементов и коммутаторов на основе туннельно-связанных квантовых областей с взаимодополняющими типами проводимости;

5) с использованием разработанного совместно с ООО «Научно-образовательный центр ФИАН и МИЭТ (ТУ) «Квантовые приборы и нанотехнологии» (г. Москва) технологического маршрута изготовлены экспериментальные образцы интегральных логических элементов и элементов памяти на основе туннельно-связанных квантовых областей с взаимодополняющими типами проводимости;

6) разработаны библиотеки параметризуемых субмикронных КМОП-элементов и наноразмерных логических элементов и элементов памяти на основе управляемой передислокации максимума волновых функций носителей заряда в связанных квантовых областях с взаимодополняющими типами проводимости;

7) разработаны методика и программа автоматического проектирования устройств статической оперативной памяти на основе параметризуемых библиотек интегральных элементов, а также проекты блоков статических ОЗУ. Выработаны рекомендации по проектированию быстродействующих СБИС наноэлектроники.

Диссертационная работа выполнена на кафедре конструирования электронных средств Технологического института ФГОУ ВПО «Южный федеральный университет» в г. Таганроге и в отделе физической и органической химии Южного научного центра Российской академии наук.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В.П., Неизвестный И. Г., Гридчин В. А. Основы наноэлектроники: Учеб. пособие. Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2004. — 496 с.
  2. Block С. Extending Moore’s Law with Nanotechnology. // Components Research. Intel Corporation, September 2003. http://www.intel.com/technology/silicon/nanotechnology.htm.
  3. Grove A. Changing Vectors of Moore’s Law // International Electron Devices Meeting. December 10th, 2002. http://www.intel.com/technology/silicon/nanotechnology.htm.
  4. Ю.А., Гуляев Ю. В., Зеленый А. П., Якупов М. Н. Сверхскоростной электронный дрейф в полевых полупроводниковых структурах с секционированным каналом // Физика и техника полупроводников, 2004. -Т. 38, № 2.-С. 237−241.
  5. Chiah S.B., Zhou X., Lim K.Y., Wang Y., See A., Chan L. Semi-empirical approach to modeling reverse short-channel effect in submicron MOSFET’s // Modeling and simulation of microsystems (www.cr.org), ISBN 0−9 708 275−0-4, 2001, pp. 486−489.
  6. Plosst A.A., Kranter G. Silicon-on-insulator material aspect and applications // Solid State Electronics, Vol. 44, 2000, pp. 775 782.
  7. Gharabagi R. Model for fully depleted double gate SOI MOS transistors including temperature effects // Modeling and simulation of microsystemsfwww.cr.org), ISBN 0−9 708 275−0-4, 2001, pp. 490 493.
  8. Ahmed S.S., Akis R., Vasileska D. Quantum effects in SOI devices // Modeling and simulation of microsystems (www.cr.org), ISBN 0−9 708 275−7-1, 2002, pp. 518−521.
  9. Нанотехнологии в полупроводниковой электронике / Отв. редактор A.JI. Асеев. Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004. — 368 с.
  10. Продукция NT MDT. Сканирующие зондовые микроскопы. //http ://ru.ntmdt.ru/Products/ScanningProbeMicroscopes/productlist 1 .html
  11. Д.В., Лихарев K.K. Когерентные колебания в туннельных переходах малых размеров // ЖЭТФ. 1986. — Т. 90, вып. 2. — С. 733 — 746.
  12. К.К. О возможности создания аналоговых и цифровых интегральных схем на основе эффекта дискретного одноэлектронного туннелирования // Микроэлектроника. 1987. — Т. 16, вып. 3. — С. 195 -209.
  13. Matsuoka Н., Kimura S. Transport properties of a silicon single-electron transistors at 4,2 К // Appl. Phys. Lett. 1995. Vol. 66, № 5. P. 613 615.
  14. К.А., Кокин А. А. Из итогов XX века: от кванта к квантовым компьютерам // Известия вузов. Электроника. 2000. № 4−5. С. 46 52.
  15. М.В. О влиянии ультразвука на электронный спектр кристалла // ФТТ. 1962. — Т. 4. — С. 2265 — 2267.
  16. Esaki L., Tsu R. Superlattice and negative differential conductivity in semiconductors // IBM J. Res. Develop., Vol. 14, 1970, pp. 61 65.
  17. Ю. Физика быстродействующих транзисторов: Монография / АН ЛитССР. Ин-т физики полупроводников. Вильнюс: Мокслас, 1989. -261 с.
  18. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия: Пер. с англ.1. М.: Мир, 1991.-632 с.
  19. Sakaki Н. Velocity-modulation transistor (VMT) a new field-effect transistor concept//Jpn. J. Appl. Phys., 1982. V. 21. N. 6. P. L381 -L383.
  20. Webb K.J., Cohen E.B., Melloch M.R. Fabrication and operation of a velocity modulation transistor // IEEE Transactions on Electron Devices, 2001. V. 48. N. 12. P. 2701 -2709.
  21. Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов. Последние достижения: Пер. с англ./Под ред. Д.Миллера. М.: Радио и связь, 1989. — 280 с.
  22. А.А. Кремниевая транзисторная наноэлектроника // Известия вузов. Электроника, 2006, № 5. С. 35 44.
  23. В.А. Основы квантовой электроники и лазерной техники: Учеб. Пособие для вузов. М.: Высш. шк., 2005. — 543 с.
  24. Gorbatsevich A.A., Kapaev V.V. Transport phenomena in interference transistor. // Abstracts of International Conference «Micro- and nanoelectronics -2005». Moskow- Zvenigorod, Russia, 2005. C. 02−06.
  25. Проектирование СБИС: Пер. с япон./ М. Ватанабэ, К. Асада, К. Кани, Т. Оцуки М.: Мир, 1988. — 304 е., ил.
  26. К.А., Раков А. В. Физические основы субмикронной литографии в микроэлектронике. М.: Радио и связь, 1984. — 352 с.
  27. Я. Основы технологии СБИС: Пер. с япон. М.: Радио и связь, 1985. — 480 с.
  28. Schellenberg F.M., Boksha V., Cobb N., Lai J.C., Chen C.H., Mack C. Impact of Mask. Errors on Full Chip. Error Budgets. // Deep Submicron Technical Publication, 1999. 13 p. // www.mentor.com/dsm
  29. JI.C., Иванова А. В., Капитонов В. А., Мурашова А. В., Тарасов И. С., Арсентьев И. Н., Берт Н. А., Мусихин Ю. Г., Пихтин Н. А., Фалеев Н. Н. Самоорганизующиеся наногетероструктуры в твердых растворах InGaAsP // ФТП, 1998. Т. 32. Вып. 6. С. 658 663.
  30. Heiblum М., Mendez Е.Е., Stern F. High mobility electron gas in selectively-doped n: AlGaAs/GaAs heterojunctions // Appl. Phys. Lett., Vol. 44, No 11, 1984, pp. 1064−1066.
  31. Weimann G., Schlapp W. Molecular beam epitaxial growth and transport properties of modulation-doped AlGaAs GaAs heterostructures // Appl. Phys. Lett., Vol. 46, No 4, 1985, pp. 411 — 413.
  32. English J.H., Gossard A.C., Stormer H.L. et al. GaAs structures with electron mobility of 5×106 cm2/Vs // Appl. Phys. Lett., Vol. 50, No 25, 1987, pp. 1826 -1828.
  33. В.В., Таиров Ю. М. Карбид кремния перспективный материал электронной техники // Известия вузов. Электроника. — 1997. — № 1 .С. 10 -37.
  34. В.В., Мальцев П. П., Маляков Е. П. Широкозонные материалы -основа экстремальной электроники будущего // Микроэлектроника, 1999. Т.28, № 1, с. 21−29.
  35. П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа, 1969. — 592 с.
  36. Shibatomi A., Yokoyama N. Resonant tunneling transistors // Solid State Technology. 1987. Vol. 30, № 11. P. 101 -105.
  37. J. 90 nm and Beyond: Moore’s Law and More. // Intel Developer Forum, Spring 2003. 37 p. http://www.intel.com/technology/silicon/nanotechnology.htm.
  38. Быстродействующие матричные БИС и СБИС. Теория и проектирование/ Б. Н. Файзулаев, И. И. Шагурин, А. Н. Кармазинский и др. Под ред. Б. Н. Файзулаева и И. И. Шагурина. М.: Радио и связь, 1989. — 304 с.
  39. De V., Borkar S. Technology and Design Challenges for Low Power and High Performance // 1999 ISLPED, pp. 163 168, 1999. http://www.intel.com/technology/silicon/nanotechnology.htm.
  40. E.A., Коноплев Б. Г. Субмикронные интегральные схемы: элементная база и проектирование. Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2001. 147 с.
  41. B.C., Попов В. Д., Шальнов A.B. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М.: Энергоатомиздат, 1988.-286 е.: ил.
  42. В.Я. Структурная база сверхбольших интегральных схем // Итоги науки и техники. Серия «Электроника». М.: ВИНИТИ АН СССР, 1987. -Т.10.-С. 63−94.
  43. И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. М.: Энергия, 1973.-608 с.
  44. A.A., Вьюрков В. В., Орликовский A.A. Применение метода Монте-Карло для моделирования кремниевых полевых нанотранзисторов // Микроэлектроника, 2004, Т. 33. №.4 С. 243 255.
  45. Е.А. Сверхбыстродействующие элементы СБИС на основе полевых транзисторов Шоттки со статической индукцией // Проектирование и технология электронных средств, № 2, 2001. С. 44 48.
  46. Konoplev B.G., Ryndin Е.А. Static-Induction Transistor for Very-High-Speed ICs // Proceedings of the 1st IEEE International Conference on Circuits and Systems for Communications. St. Peterburg, Russia. 2002. PP. 404 407.
  47. .Г., Рындин Е. А. Интегральный полевой транзистор Шоттки со статической индукцией // Патент РФ 2 183 885, 2002.
  48. .Г., Рындин Е. А. Интегральный полевой транзистор с размерным квантованием энергии // Патент РФ 2 257 642, 2005.
  49. Е.А. Модель субмикронной МДП-структуры с учетомбаллистического пролета носителей // Тезисы докладов Второй Всероссийской НТК «Компьютерные технологии в науке, проектировании и производстве». Ч. 8. Нижний Новгород: НГТУ, 2000. С. 29.
  50. .Г., Рындин Е. А. Аналитическая модель короткоканального МДП-транзистора с учетом баллистического пролета носителей // Известия ТРТУ, № 1,2000. С. 135.
  51. Е.А. Интегральные оптоэлементы на основе фототранзисторов со статической индукцией // Всероссийская научно-техническая дистанционная конференция «Электроника».М.:МИЭТ, 2001. 300 с. URL: http://econf.allvuz.ru
  52. Е.А. Моделирование элементов СБИС на основе транзисторов Шоттки со статической индукцией // Перспективные информационные технологии и интеллектуальные системы, N3(7), 2001. С. 31 39.
  53. Е.А. Субмикронные комплементарные фототранзисторы со статической индукцией // Известия ТРТУ, N1, 2002. С.139 140.
  54. .Г., Рындин Е.А. SiC static-induction transistor // Abstracts of IV International Seminar on Silicon Carbide and Related Materials. Novgorod the Great. Russia. 2002. P.91 92.
  55. Е.А. Сверхбыстродействующие фототранзисторы для СБИС экстремальной электроники // Труды Четвертой международной научнотехнической конференции «Электроника и информатика 2002». Москва, 2002. 4.2. С. 271 -272.
  56. .Г., Рындин Е.А. Static-induction transistor for VLSI logic elements // Abstracts of International Conference «Micro- and nanoelectronics -2003». Moskow Zvenigorod, Russia, 2003. Ol-l 1.
  57. Ryndin E.A. A transistor based on space quantization effect // Abstracts of International Conference «Micro- and nanoelectronics 2003». Moscow -Zvenigorod, Russia, 2003. 01−12.
  58. E.A. Полевой транзистор с размерным квантованием энергии // Вторая Всероссийская научно-техническая дистанционная конференция «Электроника».М.:МИЭТ, 2003. С. 78 79.
  59. Е.А. Интегральный транзистор на основе эффекта размерного квантования энергии // Известия ТРТУ, N1, 2004. С. 120 121.
  60. Е.А. Квантовые транзисторы на основе GaAs/AlGaAs // Труды Девятой международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (ПЭМ-2004). Дивноморское, 2004. 4.1. С. 6 9.
  61. .Г., Рындин Е. А., Кравченко И. В. Численное моделирование транзистора с размерным квантованием энергии // Известия ТРТУ, N8, 2004. С. 119−122.
  62. Birjulin P.I., Kopaev Yu.V., Trofimov V.T., Volchkov N.A. Single-gated mobility modulation transistor // Semiconductor Science Technology, № 14, 1999, pp. 699−704.
  63. Inoue K., Sakaki H., Yoshino J., Hotta T. Self-consistent calculation of electronic states in AlGaAs/GaAs/AlGaAs selectively doped double-heterojunction systems under electric fields // J. Appl. Phys., Vol. 58, No 11, 1985, pp. 4277−4281.
  64. А.А., Капаев В. В., Копаев Ю. В., Кремлев В. Я. Квантовые приборы на основе передислокации волновых функций в гетероструктурах // Микроэлектроника. 1994. — Т. 23, № 5. — С. 17 — 26.
  65. Gorbatsevich A.A., Kapaev Y.V., Kopaev Yu.V., Kremlev V.Ya. Wave-function-rearrangement Quantum Devices // Phys. Low-Dim. Struct., No. 4/5, 1994, pp. 57−62.
  66. .Г., Рындин Е. А. Интегральный логический элемент «НЕ» на квантовых эффектах // Патент РФ 2 272 353, 2006.
  67. .Г., Рындин Е. А. Интегральный логический элемент «ИЛИ-НЕ» на квантовых эффектах // Патент РФ 2 278 445, 2006.
  68. Е.А. Интегральный логический элемент «ИЛИ» на квантовых эффектах // Патент РФ 2 279 155, 2006.
  69. .Г., Рындин Е. А. Функционально интегрированные логические элементы с размерным квантованием энергии // Известия ТРТУ. 2005. -№ 9.- С. 121−122.
  70. .Г., Рындин Е. А. Интегральные логические элементы на основе туннельного эффекта // Труды VII международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы». Ульяновск: УлГУ, 2005.-С. 82.
  71. Sakaki Т., Noda Т., Hirakawa К., Tanaka М., Matsusue Т. Interface roughness scattering in GaAs/AlGaAs quantum wells // Appl. Phys. Lett., Vol. 51, No 23, 1987, pp. 1934- 1936.
  72. И.И., Харитонов В. В. Численное моделирование элементов интегральных схем / Под ред. А. Г. Шашкова. Минск.: Выш. шк., 1990. -224 с.
  73. А.Н., Садовников А. Д. Физико-технологическое проектирование биполярных элементов кремниевых БИС. М.: Радио и связь, 1991.-288 с.
  74. Е.А. Методы решения задач математической физики. Таганрог:1. Изд-во ТРТУ, 2003. 120 с.
  75. Е.А. Методика определения токов при физико-топологическом моделировании элементов на грубых координатных сетках. // Известия ТРТУ, № 2,1999. С. 143 144.
  76. Л.Н., Воробьев Н. В., Шишкевич A.A. Расчет элементов цифровых устройств. М.: Высшая школа, 1982. — 384 с.
  77. .Г., Рындин Е. А. Элементная база нанокомпьютеров на основе связанных квантовых областей // Вестник Южного научного центра РАН, Том 1,№ 3,2005. С. 22−28.
  78. .Г., Рындин Е. А. Интегральные логические элементы на основе туннельно-связанных наноструктур // Известия вузов. Электроника, № 3, 2006. С. 18−26.
  79. Е.А. Интегральные комплементарные элементы с управляемой передислокацией максимума волновой функции носителей заряда в квантовых областях // Проектирование и технология электронных средств, № 3,2006. С. 56−65.
  80. Konoplev B.G., Ryndin Е.А. Integrated logic elements based on tunneling connected quantum wells. // Abstracts of International Conference «Micro- and nanoelectronics 2005». Moskow — Zvenigorod, Russia, 2005. 01−21.
  81. .Г., Рындин Е. А. Логические элементы на основекомплементарных туннельно-связанных квантовых областей // Труды V международной научно-технической конференции «Электроника и информатика 2005». — М.: МИЭТ, 2005. — 4.1. — С. 28 — 29.
  82. .Г., Рындин Е. А. Интегральный логический элемент «НЕ» на основе туннельного эффекта // Патент РФ 2 287 896, 2006.
  83. Trellakis A., Galick А.Т., Pacelli A., Ravaioli U. Iteration scheme for the solution of the two-dimensional Schrodinger-Poisson equations in quantum structures // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 81. PP. 7880 7884.
  84. Jovanovic D., Leburton J.P. Self-consistent analysis of single-electron charging effects in quantum-dot nanostructures // Phys. Rev. B. 1994. Vol. 49. PP. 7474 -7483.
  85. Stern F., Das Sarma S. Electron energy levels in GaAs-GaixAlxAs heterojunctions // Phys. Rev. B. 1984. Vol. 30. PP. 840 847.
  86. C.B. Моделирование квантовых систем в пакете MATLAB // Научно-практический журнал «Exponenta Pro. Математика в приложениях» // www.exponenta.ru.
  87. Разработка и исследование функционально интегрированных элементов СБИС на основе туннельно-связанных квантовых областей: Отчет о НИР (заключительный). Ч. 1 / ТРТУ- Руководитель Е. А. Рындин.
  88. ГР 1 200 501 948. Таганрог, 2005. — 60 с.
  89. Е.А. Сверхбыстродействующие электронные коммутаторы на основе управляемой передислокации максимума волновой функции носителей заряда // Вестник Южного научного центра РАН, Том 2, № 2, 2006. С. 8−16.
  90. И.Н., Семендяев К. А. Справочник по математике для инженеров и учащихся вузов. 13-е изд., исправленное. — М.: Наука, Гл. ред. Физ.-мат. Лит, 1986. — 544 с.
  91. Е.А., Куликова И. В. Алгоритм физико-топологического моделирования ПТШ. // Известия ТРТУ, № 3(17), 2000. С. 150 154.
  92. И.П. Основы микроэлектроники: Учеб. пособие для вузов. -М.: Сов. радио, 1980. 424 е., ил.
  93. Konoplev B.G., Ryndin Е.А., Kovalev A.V. An Embedded Static RAM Generator Based on a Parameterized Library // Proceedings of the 5th International Conference on ASIC (ASICON-2003). Beijing, China. 2003. PP.486 489.
  94. .Г., Рындин Е. А. Библиотека элементов для автоматического проектирования блоков статических запоминающих устройств // Известия вузов. Электроника. N2, 2003. с. 91 92.
  95. .Г., Рындин Е. А., Ковалев A.B. Генератор топологии статических ОЗУ // Известия ТРТУ, N1, 2003. С.113 114.
  96. .Г., Рындин Е. А., Ивченко В. Г. Исследование способов реализации СБИС на основе ПЛИС, БМК и в виде заказных микросхем // Известия вузов. Электроника. 2000. — № 1. — С. 81 — 87.
  97. Е.А. Сравнительный анализ методов структурного резервирования микросистем //Известия вузов. Электроника. N5, 1999. с. 75 80.
  98. .Г., Рындин Е. А. Оценка эффективности использования элементов с «гибкой цоколевкой» выводов для проектирования заказных СБИС // Известия вузов. Электроника. N5, 1997. с. 57 62.
  99. .Г., Рындин Е. А. Метод определения перегрева кристаллов СБИС на основе элементов с «гибкой цоколевкой» // Известия вузов. Электроника. N6, 1997. с. 69 74.
  100. BN 5−7256−0356−3. С. 45, 46.
  101. .Г., Рындин Е. А. Библиотека элементов для автоматического проектирования блоков статических ЗУ // Труды Четвертой международной научно-технической конференции «Электроника и информатика 2002». Москва, 2002. 4.1. с.343 344.
  102. Полупроводниковые БИС запоминающих устройств: Справочник / В. В. Баранов, Н. В. Бекин, А. Ю. Гордонов и др.- Под ред. А. Ю. Гордонова и Ю. Н. Дьякова. М.: Радио и связь, 1987. — 360 с.
  103. И.В., Шамаев Ю. М. Проектирование запоминающих устройств. -М.: Высш. школа, 1979. 320 с.
  104. В.В. Сверхбольшие интегральные микросхемы оперативных запоминающих устройств. М.: Радио и связь, 1991. — 215 с.
  105. .Г., Рындин Е. А. Интегральный логический элемент. // Патент РФ 2 079 986, 1997.
  106. .Г., Рындин Е. А. Интегральный логический элемент. // Патент РФ 2 094 944, 1997.
  107. .Г., Рындин Е. А. Интегральный логический элемент. // Патент РФ 2 115 998, 1998.
  108. .Г., Рындин Е. А., Ковалев A.B. Программа синтеза топологии блоков статического оперативного запоминающего устройства «MemoMaster» // Свидетельство РФ о регистрации программы для ЭВМ № 2 004 611 653,2004.
  109. .Г., Рындин Е. А. Исследование характеристик СБИС на основе ПТШ с термозависимым источником питания // Труды Третьей международной научно-технической конференции «Электроника и информатика XXI век». Москва, 2000. — С.232, 233.
  110. Е.А. Метод повышения характеристик СБИС на основе комплементарных ПТШ // Известия ТРТУ, № 1, 2001. С. 93 95.
  111. .Г., Рындин Е. А. Интегральный логический элемент «И-ИЛИ-НЕ». Патент РФ № 2 166 837. 2001.
  112. К.А., Кармазинский А. Н., Королев М. А. Цифровые интегральные схемы на МДП-транзисторах. М.: Изд-во «Советское радио», 1971. 384 с.
  113. Технологический институт федерального государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Южный федеральный университет» в г. Таганроге, Южный научный центр Российской академии наук1. На правах рукописи
  114. РЫНДИН Евгений Адальбертович
  115. РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИХ НАНОСТРУКТУР СБИС С УПРАВЛЯЕМОЙ ПЕРЕДИСЛОКАЦИЕЙ МАКСИМУМА АМПЛИТУДЫ ВОЛНОВЫХ ФУНКЦИЙ НОСИТЕЛЕЙ1. ЗАРЯДА
  116. Специальность: 05.27.01 твердотельная электроника, радиоэлектронныекомпоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах по техническим наукам
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?