Исследование и прогнозирование радиационной стойкости светодиодов из фосфида галлия
Диссертация
Исследовано воздействие нейтронов, электронов и протонов различной энергии, а также гамма квантов на светоизлучающие р±п*-п±структуры из фосфида галлия с красным цветом свечения, у которых излучательная рекомбинация преобладала в легированной активаторами р±области с линейным распределением последних в этой области. Рассчитанные вольт-амперные и Iv (U,^-характеристики хорошо описывали… Читать ещё >
Содержание
- ГЛАВА 1. СОСТОЯНИЕ ВОПРОСА ПО МЕТОДАМ КОНТРОЛЯ И ОЦЕНКИ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ КРИСТАЛЛОВ ФОСФИДА ГАЛЛИЯ И СВЕТОДИОДОВ НА ЕГО ОСНОВЕ
- Выводы
- ГЛАВА 2. ВЫВОД АНАЛИТИЧЕСКИХ ЗАВИСИМОСТЕЙ ДЛЯ ОЦЕНКИ И ПРОГНОЗИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ СВЕТОДИОДОВ
- 2. 1. Изменение параметров оптически активной области при облучении
- 2. 2. Связь электрофизических и оптических параметров материала активной области с электрическими и электролюминесцентными характеристиками светодиодов
- 2. 2. 1. Электролюминесценция (ЭЛ) из оптически активной р-или n-области в режиме малого уровня инжекции
- 2. 2. 2. ЭЛ из оптически активного компенсированного слоя или низкоомных р- и n-областей в режиме высокого уровня инжекции
- 2. 2. 3. ЭЛ из оптически активных низкоомных р± и п±областей р±п -п±структуры
- 3. 1. исследуемые структуры. методы измерения до и после облучения. аппаратура и режимы облучения р-ы-переходов нейтронами, протонами, электронами и гамма квантами
- 3. 2. Спектры ЭЛ. Профили распределения основной легирующей примеси. Спектры ТСЕ
- 3. 2. 1. Спектральные характеристики р-п-переходов
- 3. 2. 2. Профили распределения основной легирующей примеси
- 3. 2. 3. Спектры ТСЕ, энергии ионизации и коэффициенты захвата глубоких примесных центров
- 3. 3. Экспериментальные зависимости ВАХ и Iv (U, I)-xapaktephcthk от флюенса нейтронного облучения
- 3. 4. Обсуждение экспериментальных вольт-амперных и Iv (U, I)-xapaktephcthk и расчет коэффициентов повреждаемости времени жизни
- 3. 5. Экспериментальные зависимости силы света от флюенса протонного облучения и дозы гамма квантов. Константы повреждаемости времени жизни при данных воздействиях
- 3. 5. 1. Экспериментальные зависимости силы света от флюенса облучения протонами с энергией 18 и 70 МэВ и результаты расчета констант повреждаемости
- 3. 5. 2. Экспериментальные зависимости силы света от флюенса облучения электронами с энергией 5 Мэв и расчет константы повреждаемости
- 3. 5. 3. Экспериментальные зависимости силы света от дозы (флюенса) облучения гамма квантами с энергией 1,25 МэВ и расчет константы повреждаемости
- 3. 6. Сравнительный анализ влияния различных видов облучения на снижение силы света и расчет коэффициентов относительной эффективности
- 4. 1. исследуемые структуры
- 4. 2. Изменение силы света и ВАХ светодиодов после воздействия. нейтронного облучения
- 4. 2. 1. Методика облучения и контроля спектра нейтронов и плотности потока
- 4. 2. 2. Экспериментальные вольт-амперные и люмен-вольт-амперные характеристики до и после облучения
- 4. 2. 3. Обсуждение экспериментальных результатов. Расчет констант повреждаемости
- 4. 3. Разработка метода малых флюенсов для контроля и оценки радиационной стойкости
- 4. 4. Сравнительные методы контроля и оценки радиационной стойкости (величины (т0 еК,)) при облучении протонами, электронами и гамма квантами.'
- 4. 4. 1. Изменение силы света светодиодов при облучении протонами и определении величины т0Кр
- 4. 4. 2. Изменение силы света при облучении электронами с энергией 5 и 10 МэВ и определение величины ТоКе
- 4. 4. 3. Изменение силы света при облучении гамма квантами и определение величины (т0К,)
Список литературы
- Пивоваров В.Я., Ткачев В. Д. Энергетический спектр радиационных нарушений в эпитаксиальном фосфиде галлия п-типа//Радиационная физика неметаллических кристаллов. Киев. Наукова думка. 1997. Т.З. С.3−9.
- Браиловский Е.Ю., Конозенко И. Д., Тартачник В. П. Дефекты в GaP, облученном электронами//ФТП. 1975. Т.9. № 4. С. 769−771.
- Браиловский Е.Ю., Ерицян Г. Н., Тартачник В. П. Радиационные дефекты в Gap при облучении электронами с энергией 50 МэВ//ФТП. 1975. Т.9. № 9. С. 1805−1807.
- Tokuda Y., Oda М., Usomi A. Electrical properties of 1,7 MeV elektron irradiated sulfur-doped Gap//IEEE Trans. Nuc.l. Sci. 1971. V. NS -25. N4. P. 10 551 060.
- Neamen. D.A., Granneman W.W. Fast neutron effects on GaAsP shottly barrier diodes and Hall effect devices.//IEEE Trans. Nuc.l. Sci. 1972. V. N5. P. 215 219.
- Brailovski E.Yu., Murchik N.D. Jhermally stimulated current stadies of radiation defect in Gap crystals//Phys. Stat. Solid. 1989. V.58.N1.P.41−48.
- Pankey Т., Davey Jr., Davey J.E. Effects of neutron irradiation on the optical properties of thin films and bulk GaAs and GaP// J. Appl. Phys. 1970. V. 41. N2. P. 697−702.
- Загайнова JI.M., Осташко Н. И., Шаховцов В. И. Оптическое поглощение облученного электронами фосфида галлия, легированного медью. Радиационные эффекты в полупроводниковых соединениях// Препринт КИЯИ. 76−22. Киев. 1976. С. 16−17.
- Браиловский Е.Ю., Григорян Н. Е., Ерицян Г. Н., Тартачник В. П. Оптическое поглощение в облученных кристаллах фосфида галлия//Препринт КИЯИ. Киев. 1976. С. 22−23.
- Nuece C.I., Schade Н., Herrick D. Efficiency degradation of GaAsj. xPx electroluminescent diodes due to high-energy electron irradiation//Meta Trans. 1970. V.l. N3. P.587−591.
- Уваров Е.Ф., Храмцов Ф. П. оптические и люминесцентные свойстл сва облученных широкозонных полупроводников, А В . Обзор по электронной технике. М., ЦНИИ «Электроника» 1979 г. Сер. 2. Вып. 11 (666) 66 с.
- Храмцов А.П. Влияние электронного и нейтронного облучения на процессы излучательной ркомбинации в некоторых широкозонных полупроводниках А3В5.//Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. М., 1982. 195 с.
- Logan R.A., White H.G., Mikulyak R.M. Effects of irradiationupon lifetime and luminescence of GaP diodes// Appl. Phys. Lett. 1964. V.5. N8. P.41−42.
- Tomas D.S., Hopfield S.I., Augystymak W.H. Kinetics of recombination at roudomly distributed donor and acceptors// Phys. Rev. 1965.V.40. P. A202-A220.
- Lang D.V. and Kimerling L.C.// Appl. Phys. Lett. 1976. V.28. P.248 256.
- Lang D.V., Kimerling L.C. Observation of recombination ennanced defect reactions in semiconductors// Phys. Rev.Lett. 1974. V.33. P.489−493.
- Barnes C.E. A comparison of y-induced degradacion and forward bias induced degradacion in GaP (Zn-O) LED//J. of Electronic Material. 1978. V. 7. N4. P.589−617.
- Epstein A.S., Share S., Polimadei R.A. and Herzog A.H. Gamma irradiation and annealing effects in nitrogen-doped GaP green light-emitting diodes.//IEEE Trana. Nucl. Sci. 1972. NS 19. N6. P. 386−390.
- Barnes C.E. Neutron damage in GaP light-emitting diodes.// Appl. Phys. Lett. 1972. V.22. N3. P. 110−112.
- Epstein A.S., Share S., Polimadei R.A. and Herzog A.H. Effect of neutron irradiation on GaAsj. xPx electroluminescent diodes.// Appl. Phys. Lett. 1973. V.23. N 8. P.472−474.
- IEEE Transaction on Nuclear Science. 1985. V.32. N6. P, 4010−4014- 4046−4049- 4453−4460.
- Barnes C.E. Neutron damage in GaP: Zn, 0 light-emitting diodes.//J. Appl. Phys. 1977. V. 48. N5. P.1921−1927.
- Доманевский Д.С., Либов Л. Д., Домако В. М., Новоселов A.M., Ра-вич В.Н., Ткачев В. Д., Ухин Н. А. Действия излучений на р-п-переходы из фосфида галлия//В Сб. Радиационная физика неметаллических кристаллов. Киев: Наукова Думка. 1971. Т.З. С. 50−53.
- Эспозито P.M., Лофереки Д. Ш. Влияние облучения быстрыми нейтронами на спектры рекомбинационного излучения GaP, GaAsj.xPx (Х=0,7- 0,54)//Труды X Международной конференции по физике полупроводников. Л.: Наука. 1969. Т.2.С.1166−1171.
- Браиловский Е.Ю., Mapчук Н.Д., Тартачник В. П. Изучение радиационных эффектов в фосфиде галлия// Предпринт КИЯИ-77−1. Киев. АН УССР. 19 977. С. 26.
- Stanley A.G. Comparison of light emitting diodes in a space radiation environment.//IEEE Tranc. Nucl. Sci. 19 970. V. NS 17. N6. P.234−244.
- Kaminski P., Kot W., Nizinski Z. and Roszkiewics K. Deep electron traps in GaAs0)35Po, 65: N and GaAso.isPo.ss^N light emitting diodes.//Acta Physica Polonica. 1987.V. A71/N3. P.453−456.
- Кравченко А.Ф., Принц В. Я. Зависимость энергетического спектра уровней, вводимых облучением электронами в GaAsuxPx и AlxGai.xAs, от со-става//ФТП.1978. Т. 12. № 8. С. 1612−1614.
- Lang D.V., Logan R.A. and Kimerling L.C. Identification of the defect state, associated with a gallium vacancy in GaP and AlxGaixAs.//Phys. Rev. 1977. V.15.N10. P4874−4882.
- Рыжиков И.В., Свечников Г. С., Ситникова И. А. Физическая модель GaAso, 6Po, 4 р-п-перехода, облученного быстрыми электронами// Оптоэлектрони-ка и полупроводниковая техника. 1990. Вып. 18. С.9−22.
- Bergh A.A. and Dean P.J. Light-emitting diodes//Clarendon • Press. Oxford. 1976. 686p.
- Shockley W. The theory of p-n junctions in semiconductors and p-n junction transistors.//Bell. Syst. Tech. 1949. V.28. N3. P.435−490.
- Sah C.T., Noyce R.N., Shockley W. Carrier generation and recombination in p-n junctions characteristic.//"Proc. IRE". 1957. V.56. P. 1228−1234.менения характеристик светоизлучающих р-п-переходов из фосфида гал-лия//Препринт МИФИ. 080−88. М. 1988.
- Числов А.А. Вольтамперные характеристики фосфидогаллиевых (ZnO) светодиодов, облученных нейтронами. // Журнал «Техника и технология» № 2 за 2005 год. c. l 18 122.