Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Исследование вынужденных процессов при оптической накачке паров Cs

Диссертация: Исследование вынужденных процессов при оптической накачке паров Cs
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

При квазирезонансном возбуждении паров щелочных металлов может развиваться вынужденное ИК излучение, обусловленное заселением возбуждённых энергетических состояний в результате поглощения накачки. Интересно, что это поглощение может происходить как с основного, так и с возбуждённого атомного состояния. Последнее возникает при совпадении частоты возбуждающего излучения coL с частотами разрешённых… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1.
  • Генерация вынужденного излучения в резонансных средах
    • 1. Основы теории резонансных процессов
    • 2. Генерация вынужденного излучения при оптической накачке атомарных газов
    • 3. Вынужденное комбинационное рассеяние света
  • Глава 2.
  • Экспериментальная установка и методика измерений
    • 1. Основные требования, предъявляемые к экспериментальной установке и её общее описание
    • 2. Система лазерного возбуждения
    • 3. Способ приготовления рабочей среды
    • 4. Регистрирующая аппаратура и методика эксперимента
  • Глава 3.
  • Исследование инфракрасного вынужденного электронного комбинационного рассеяния (ИК ВКР) света на переходе 6 72Si/2 атомов цезия
    • 1. Исследование энергетических характеристик ВКР в парах Cs
    • 2. Численное моделирование процесса генерации стоксова излучения в условиях сильного поглощения накачки
  • Глава 4.
  • Исследование инфракрасной генерации при оптической накачке паров цезия
    • 1. Экспериментальные исследования энергетических, пороговых и спектральных характеристик ИК излучения
    • 2. Обсуждение результатов экспериментов
  • Выводы

Исследование вынужденных процессов при оптической накачке паров Cs (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

При взаимодействии интенсивного светового поля со средой возникают нелинейные оптические процессы. Их исследования вот уже в течение длительного времени занимают центральное место в вопросах взаимодействия лазерного излучения с веществом. Фундаментальные исследования в этой области стимулируются и огромными практическими перспективами, открывающимися при использовании их результатов в самых различных областях науки и техники.

Особое место при взаимодействии лазерного излучения с веществом занимает режим резонансного возбуждения, когда энергия одного или нескольких фотонов внешнего оптического поля близка или совпадает с энергией оптических переходов в атомной системе. Коэффициенты нелинейного взаимодействия в этом случае значительно возрастают, что приводит к существенному повышению эффективности протекания нелинейных явлений. Для реализации резонансного возбуждения необходимо наличие у атомной системы узких энергетических уровней, связанных сильными дипольными переходами. Такие уровни имеются у атомов щелочных металлов в разреженных парах и примесных редкоземельных ионов в твёрдых телах.

При резонансном возбуждении вещества может происходить генерация вынужденного излучения на атомных переходах. Для этого необходимо создание инверсной населённости между начальным и конечным уровнями перехода при одно или многофотонном поглощении накачки. Однако существуют процессы, в которых начальным для генерации вынужденного излучения является основное состояние. Наиболее ярким их примером является вынужденное комбинационное рассеяние (ВКР).

На ВКР основан один из наиболее эффективных способов преобразования перестраиваемого по частоте излучения лазеров на красителях в ИК диапазон. В этом случае ИК излучение обладает всеми свойствами лазерного излучения и может перестраиваться в широкой частотной области. Потребность в подобных источниках весьма велика: они могут с успехом применяться для лазерного разделения изотопов, изучения загрязненности атмосферы, в фотохимии, нелинейной молекулярной спектроскопии и ряде других областей физики и техники.

Генерация сигнала на стоксовой частоте со§в парах щелочных металлов явилась предметом многих исследований как в случае, когда начальным для ВКР был основной энергетический уровень [1], так и когда процесс ВКР начинался с возбуждённого состояния [2,3]. Во всех работах отмечалось, что эффективность возбуждения ВКР возрастает с ростом интенсивности накачки IL, и при приближении её частоты coL к частоте разрешённого атомного перехода.

Вместе с тем, при больших значениях IL в квазирезонансных условиях генерация ВКР может подавляться вследствие развития других нелинейно-оптических процессов, например, многофотонной ионизации [4], эффекта Штарка[5] и т. д. Квазирезонансное воздействие мощного электромагнитного излучения на атомную систему должно также приводить к изменению контура линии поглощения [6,7]. При этом, если время Г" 1 однофотонного или каскадного распада верхнего состояния с переходом в основное состояние мало по сравнению с временем вынужденного испускания стоксова фотона частоты (c)s > т0 процесс однофотонного поглощения должен стать доминирующим по сравнению с процессом ВКР. Возмущение спектра простейшей двухуровневой системы, находящейся в сильном квазирезонансном поле излучения хорошо изучено как теоретически, так и экспериментально. То же самое можно сказать об основных характеристиках процесса ВКР, возбуждаемого вблизи резонанса. Однако вопрос влияния поглощения накачки на эффективность генерации ВКР в резонансных условиях до сих пор оставался детально не исследован. Тем не менее в ряде работ [см. напр.8] наблюдалось уменьшение энергии стоксова излучения при приближении coL к резонансу с разрешённым атомным переходом, что объяснялось поглощением накачки.

В парах щелочных металлов, наряду с атомной, присутствует и молекулярная компонента. Хотя количество молекул обычно составляет около 1% от числа атомов, наличие димеров может оказывать влияние на развитие генерации на атомных переходах. Кроме того, молекулы щелочных металлов сами могут быть активной средой для генерации вынужденного излучения.

При квазирезонансном возбуждении паров щелочных металлов может развиваться вынужденное ИК излучение, обусловленное заселением возбуждённых энергетических состояний в результате поглощения накачки. Интересно, что это поглощение может происходить как с основного, так и с возбуждённого атомного состояния. Последнее возникает при совпадении частоты возбуждающего излучения coL с частотами разрешённых переходов между двумя возбуждёнными атомными уровнями. Такой резонанс был назван изолированным [9]. Экспериментально генерация вынужденного излучения в условиях изолированного резонанса наблюдалась только тогда, когда нижним для него было первое Р состояния. В работе [9] причина заселения нижних для изолированного резонанса уровней связывается с многофотонной ионизацией и последующей рекомбинацией атомов щелочных металлов. Другие авторы считают, что заселение этих состояний происходит благодаря фотодиссоциации двухатомных молекул щелочных металлов [10]. Однако до сих пор не был поставлен эксперимент однозначно определивший причину инфракрасной генерации в условиях изолированного резонанса. Следует отметить, что в условиях изолированного резонанса возможно возбуждение ридберговских состояний атомов щелочных металлов. Взаимодействие между ними может приводить к образованию устойчивых кластеров, содержащих тысячи возбуждённых атомов. Это было продемонстрировано в работах Э. А. Маныкина и др. [11,12]. В лабораторных условиях такие объекты зарегистрированы в работе [13] при тепловом возбуждении атомов Cs. Лазерное возбуждение, в отличие от теплового, позволяет заселять только один определённый ридберговский уровень, что очень важно для сравнения эксперимента с теорией.

Хорошо известно, что процесс фотодиссоциации димеров щелочных металлов может заселять не только первые, но и более высокие атомные состояния. Генерация вынужденного излучения с них стала предметом многих исследований [14,15], в которых она наблюдалась на переходах между возбуждёнными атомными уровнями щелочных металлов в широких областях перестройки частоты coL. В эти области попадают и частоты (c)l изолированных резонансов, поэтому несомненный интерес вызывает изучение особенностей такой генерации в условиях изолированного резонанса.

Эти исследования важны не только для более глубокого понимания природы взаимодействия лазерного излучения с атомными или молекулярными системами. Их практическая ценность состоит в том, что аналогично ВКР, они могут быть использованы при создании источников когерентного инфракрасного излучения.

Целью настоящей работы явилось экспериментальное исследование генерации вынужденного ИК излучения при оптическом возбуждении паров цезия в диапазоне 15 400- 22 100 см" !.

Основные поставленные в работе задачи были следующие:

1. Экспериментально исследовать влияние резонансного поглощения накачки на развитие процесса инфракрасного вынужденного комбинационного рассеяния (ИК ВКР) в парах Cs.

2. Исследовать влияние молекулярной компоненты паров на развитие процесса генерации атомных ИК линий.

3. Выяснить природу возникновения вынужденного ИК излучения при оптическом возбуждении паров Cs в условиях изолированного резонанса между первым Ри вышележащими Sили D-уровнями.

Диссертационная работа состоит из введения четырёх глав и выводов.

Выводы:

1. Установлено существенное влияние однофотонного поглощения накачки на генерацию ИК ВКР в парах цезия, приводящее к резкому уменьшению интенсивности последнего при перестройке cdl вблизи частот переходов 62Si/2−72P½, 3/2. Результаты численного моделирования процесса генерации стоксова сигнала в модели трёхуровнего атома с учётом поглощения накачки на промежуточных переходах хорошо согласуются с данными экспериментов. Полученные результаты позволили найти оптимальные условия для генерации стоксова излучения при перестройке coL вблизи промежуточных резонансов 62S i/2-V2P ½, 3/2,5 позволяющие достичь высокой квантовой эффективности преобразования излучения накачки в инфракрасное (~20%) в квазирезонансных условиях.

2. Впервые экспериментально осуществлена каскадная инфракрасная генерация в условиях изолированного резонанса 62Р½, з/2 — n2Si/2, m2D3/2!5/2 (n=9−12, m=8-ll). Предложен и экспериментально подтверждён механизм её возникновения, включающий в себя две стадии. Сначала в процессе фотодиссоциации молекул Cs2 заселяются атомные состояния 62Pi/2.3/2, далее при резонансном поглощении накачки происходит заселение верхних для каскадной генерации уровней.

3. Впервые осуществлена генерация вынужденного ИК излучения на переходах 62Pi/2−52D3/2 (3,01мкм) и 62P3/2−52D5/2 (3,49мкм) атома цезия при перестройке частоты накачки col в диапазоне.

15 390−21 400 см" 1. Изучение его основных характеристик позволило установить, что инверсная населённость на 2 2 переходах 5 D3/2,5/2 -6 Pi/2,3/2 достигается в процессе фотодиссоциации димеров CS2.

4. Установлено, что в условиях изолированных резонансов.

2 2 2.

6 Рш, з/2-п S½ или ш 1)3/2,5/2 (n=9−22, т=8−24) энергия ИК линий 3,01 мкм и 3,49 мкм резко возрастала вследствие эффективного опустошения нижних для их генерации уровней 62Pi/2>3/2 в процессе однофотонного поглощения накачки.

5. Реализован новый метод спектроскопии высокорасположенных (ридберговских) энергетических уровней атомов щелочных металлов, основанный на резком увеличении интенсивности генерации ИК линий 52D3/2,s/2 -62Pi/2,3/2 в условиях изолированного резонанса.

В заключение автор выражает благодарность своему научному руководителю Николаю Владимировичу Знаменскому за предложенную интересную тему и регулярные обсуждения в ходе проведения работы.

Показать весь текст

Список литературы

  1. D.Cotter, D.C.Hanna, R.Wyatt. A high power, widely tunable infrared source based on stimulated electronic Raman scattering in caesium vapour. Opt.Commun., 16, 256−258, 1976.
  2. R.T.V.Kung, I.Itzkan. 16m and 8m generated via stimulated Raman process in potassium vapour. Appl.Phys.Lett., 29, 780 783, 1976.
  3. D.R.Grischkowsky, J.R.Lankard, P.P.Sorokin. An atomic Rydberg state 16m laser. IEEE J.Quant. Electron., 13, 392−396, 1977.
  4. Popescu D., Collins C.B., Johnson B.W., Popescu I. Phys.Rev.A, 9,1182−1189, 1974.
  5. В.А.Михайлов, В. И. Одинцов. Исследование ВКР, трехфотонного рассеяния света и высокочастотного эффекта Штарка в парах рубидия при возбуждении вблизи переходов 52 Si/2 52Р ½.3/2. Деп. ВИНИТИ, 4209−77,1977.
  6. Н.Н. Костин, М. П. Соколова, В. А. Ходовой, В. В. Хромов, ЖЭТФ, 62, 475, 1972.
  7. A.M. Бонч-Бруевич, С. Г. Пржибельский, В. А. Ходовой, Н. А. Чигирь, ЖЭТФ, 70, 445−457, 1976.
  8. Cotter D., Hanna D.C. Opt. Quantum Electronics, 9, 509−518, 1977.
  9. Ф.А.Королев, Н. В. Знаменский, В. И. Одинцов. Вынужденное излучение при многофотонном возбуждении атомов выше предела ионизации. Письма в ЖЭТФ, 28, 453−456, 1978.
  10. O.Wang Z. G., Xia H.R., Ma L.S. et. al. Two-photon hybrid resonance laser and photodissociation laser by two-photon pumping covering a wide wavelength region in the potassium vapor. Opt. Commun. 51, 155−159 1984.
  11. Э.А.Маныкин, М. И. Ожован, П. П. Полуэктов, ЖЭТФ, 84, 442 453, 1983.
  12. Э.А.Маныкин, М. И. Ожован, П. П. Полуэктов, ЖЭТФ, 102, 804 813, 1992.
  13. R.Svensson, L. Holmlid, L. Lundgren, J.Appl.Phys., 70, 1489−1493, 1991.
  14. U. Diemer and W. Demtroder «Infrared atomic Cs laser based on optical pumping of Cs2 molecules», Chem. Phys. Lett., 176, 135 140,1991.
  15. D. Sarcisyan, U. Hinze, L. Meyer, B. Wellegehausen «Efficient cw sodium dimmer Raman laser operation in a high-temperature sapphire cell», Appl. Phys. B, 1999.
  16. Н.Бломберген. Нелинейная оптика. M., 1966.
  17. J. A. Armstrong, N. Bloembergen, J. Ducing, P. S.Pershan. Interactions between light waves in nonlinear dielectric. Phys. Rev., 127, 1918−1939, 1962.
  18. С.А.Ахманов, Р. В. Хохлов. Проблемы нелинейной оптики. М., 1964.
  19. Р.Лоудон. Квантовая теория света. М., 1976.
  20. В.М.Файн. Фотоны и нелинейные среды. М., 1972.
  21. В.С.Бутылкин, А. Е. Каплан, Ю. Г. Хронопуло, Е. И. Якубович. Резонансное взаимодействие света с веществом. М., 1977.
  22. D.C.Hanna, M.A.Yuratich, D.Cotter. Nonlinear optics of free atoms and molecules. Springer-Verlag, 1979.
  23. В.Г.Архипкин, А. К. Попов. Нелинейное преобразование света в газах. Новосибирск, Наука, 1987.
  24. А.М.Бонч-Бруевич, В. А. Ходовой. Многофотонные процессы. УФН, 85, 3−64, 1965.99
  25. Н.Бломберген. Вынужденное комбинационное рассеяние света. УФН, 97, 307−352, 1969.
  26. Я.С.Бобович, А. В. Борткевич. Резонансное вынужденное комбинационное рассеяние света. Кв. электроника, 4, 495 510, 1977.
  27. Y.R.Shen. Recent advances in nonlinear optics. Rev. Mod. Phys., 48, 1−32, 1976.
  28. Н.Б.Делоне, В. П. Крайнов. Резонансное взаимодействие интенсивного света с атомами. УФН, 124, 619−650,1978.
  29. М.Шуберт, Б.Вильгельми. Введение в нелинейную оптику. ч.1 и II, М., 1973 и 1979. Л. П. Рапопорт, Б. А. Зон, Н. П. Манаков. Теория многофотонных процессов в атомах. М., 1978.
  30. Н.Б.Делоне, В. П. Крайнов. Атом в сильном световом поле. М., 1978.
  31. А. Квантовая электроника. -«Советское радио», М-1980.32.3айдель А.Н., Островская Г. В., Островский Ю. И. Техника и практика спектроскопии.-«Наука», М-1976, с. 392.
  32. Glasner D.S., Ai В, Knize R.J. «Low-intensity degenerate four-wave mixing at the cesium D1 resonance in thin cells», Optics Letters, 19, 2071−2073, 1994.
  33. Ai B, Glasner D.S., Knize R. J, and Partanen J.P. «A thin atomic vapor as a nonlinear optical medium», Appl. Phys. Lett., 64, 951 953, 1994.
  34. Т. А. «Резонансное отражение интенсивного оптического излучения от границы разреженной газовой среды», ЖЭТФ, МЛ Н7−1152, 1985.
  35. Jeffery J. Maki, Michelle S. Malcuit, J.E.Sipe, and Robert W. Boyd. «Linear and nonlinear optical measurements of the Lorentz local field», Phys. Rev. Lett., 67,972−975, 1991.
  36. Guo J., Cooper J., and Gallagher A. «Selective reflection from a dense atomic vapor», Phys. Rev. A, 53*1130−1138, 1996.
  37. M.Rokni, S.Yatsiv. Resonance Raman effect in free atoms of potassium. Phys.Lett., 24A, 277−278, 1967.
  38. Ю.М.Кирин, Ю. Н. Попов, С. Г. Раутиан, В. П. Сафонов, Б. М. Черноброд, Контуры инфоракрасных линий паров калия при многофотонном резонансном возбуждении. Квантовая электроника, I, 430−433, 1974.
  39. Ю.М.Кирин, С. Г. Раутиан, В. П. Сафонов, Б. М. Черноброд. Исследование изучения паров калия в РЖ области под действием мощных резонансных полей. Сборник «Нелинейные процессы в оптике», вып.2, 114−117, Новосибирс, 1972.
  40. А.М.Бонч-Бруевич, В. А. Ходовой, В. В. Хромов. Индуцированное излучение на ряде переходов атома рубидия при двухфотонном возбуждении. Письма в ЖЭТФ, 14, 487−490, 1972.
  41. Ф.А.Королев, В. В. Мартынов, В. И. Одинцов, А. О. Фахми. Исследование вынужденного и параметрического излучения в парах рубидия при двухфотонном возбуждении уровней 5 D3/2.5/2 и 72Si/2. Опт. и спектр., 40, 1043−1049, 1976.
  42. D. С otter, D.C.Hanna, P.A.Karkainen, R.Wyatt. Stimulated electronic Raman scattering as a tunable infrared source. Opt.Commun., L5, 143−146, 1975.
  43. Н.В.Знаменский, Л. С. Корниенко, В. Е. Мнускин, В. И. Одинцов, А. Н. Токарев, Б. Ф. Тринчук. Исследование вынужденного ИКизлучения при резонансном возбуждении атомов щелочных металлов. Вест. МГУ, сер. З, 27, № 2, 54−56, 1986.
  44. Т.С.Бимагамбетов, Н. В. Знаменский. Генерация вынужденного излучения при резонансном возбуждении атомов калия. Деп. ВИНИТИ, № 1659-В87, (Ред. ж. Вестн. МГУ, Физ. Астрон., М.), 1987.
  45. Н.В.Знаменский, А. П. Луценко, М. Г. Пискарев. Исследование вынужденного ИК-излучения в парах рубидия при резонансном возбуждении переходов 5Р ½, 3/2- 7Sm- Опт. и спктр. 59, вып.7, 904−906, 1985.
  46. Dinev S.G., Korinkov I. G., Stefanov I.L. Dimer laaser action in Na2 by collisional energy transfer. J. Phys. B: At. Mol. Phys. 19, 27 352 744 1986.
  47. C.B. Collins, J.A. Anderson, D. Popescu and I. Popescu «Photolitic spectroscopy of simple molecules. I. The production of 52D atoms from Cs2» Chem. Phys., 74, 1053−1066, 1981.
  48. C.B. Collins, F.W. Lee, J.A. Anderson, P.A. Vicharelli, D. Popescu and I. Popescu «Photolitic spectroscopy of simple molecules. II. The production of 62P atoms from Cs2» Chem. Phys., 74, p. 1067−1073, 1981.
  49. Г. Плачек. Рэлеевское рассеяние и Раман-эффект. ОНТИ, Харьков, 1935.
  50. R.W.Hellwarth.Theory of stimulated Raman scattering. Phys.Rev., 130, 1850−1852,1963.
  51. E.S.Woodbury, W.K.Ng. Ruby laser operation in the near IR. Proc. IRE, 50, 2367−2368, 1962.
  52. G.Echardt, R.W.Hellwarth, F.S.McClung et.al. Stimulated Raman scattering from organic liquids. Ph/s.Rev.Lett., 9, 455−457, 1962.
  53. G.Echardt. Selection of Raman laser materials. IEEE J.Quant. Electron., 2, 1−8, 1966.
  54. P.P.Sorokin, N.S.Shiren, J.R.Lankard, T.G.Kazyaka. Stimulated electronic Raman scattering. Appl. Phys.Lett., 10, 44−46, 1967.
  55. N.S.Shiren, P.P.Sorokin, J.R.Lankard, T.G.Kazyaka. Stimulated electronic Raman Scattering. Bull.Amer.Phys.Soc., 12, 112−115, 1967.
  56. М.Е.Мовсесян, Н. Н. Бадалян, В. А. Ирадян. Вынужденные резонансные эффекты в парах калия. Письма в ЖЭТФ, 6, 631 632, 1967.
  57. Н.Н.Бадалян, В. А. Ирадян, М. Е. Мовсесян. Вынужденное рассеяние в парах рубидия. Письма в ЖЭТФ, 8, 518−519, 1968.
  58. Ф.А.Королев, С. А. Бахрамов, В. И. Одинцов. ВКР в парах рубидия с перестройкой частоты вблизи резонанса. Письма в ЖЭТФ, 12, 436−438,1970.
  59. D.S.Bradlly, G.M.Gale, P.D.Smith. Stimulated Stokes and anti-Stokes electronic Raman scattering by selectively excited К and Rb atoms. J.Phys.B. Atom.Molec.Phys., 4, 1349−1353, 1971.
  60. В.И.Аникин, С. В. Крючков, В. Е. Оглуздин. Резонансное электронное вынужденное комбинационное рассеяние в парах калия. Дисперсия вблизи главного дублета и влияние четырехфотонных процессов. Квантовая электроника, 1, 19 231 927, 1974.
  61. В. А. Михайлов, В. И. Одинцов, Л. Ф. Рогачева. Действие широкополосной накачки при возбуждении ВКР вблизи резонанса. Письма в ЖЭТФ, 25, 151−153,1977.
  62. Ф.А.Королев, В. А. Михайлов, В. И. Одинцов. Исследование инфракрасного ВКР в парах рубидия при различной ширине спектра накачки. Оптика и спектроскопия, 44, 907−912, 1978.
  63. M.Rokni, S.Yatsiv. Stimulated electronic Raman scattering and parametric anti-Stokes radiation in potassium vapor. IEEE J.Quant. Electron., 3, 329−330, 1967.
  64. O.J.Lumpkin. Four-wave parametric interaction in potassium vapor. IEEE J.Quant. Electron. 4, 226−227, 1968.
  65. P.P.Sorokin, J.J.Wynne, J.RXancard. Tunable coherent IR source based upon four-wave parametric conversion in alkali metal vapors. Appl.Phys.Lett., 22, 342−344, 1973.
  66. P.Bernage, P. Niay, R.Houdart. Stimulated electronic Raman scattering in potassium vapour. Opt.Commun., 36, 241−246, 1981.
  67. J.J.Wynne, P.P.Sorokin. Optically pumped stimulated emission and stimulated electronic Raman scattering from К atoms. J.Phys.B. Atom.Molec.Phys., 8, L37-L39, 1975.
  68. R.T.V.Kung, I.Itzkan. Tunable infrared laser, generated via stimulated Raman scattering in Cs vapor. IEEE J.Quant.Electron., 13, 73−79, 1977.
  69. A.Comey, K.Gardner. Coherent anti-Stokes Raman scattering in caesium vapour. J.Phys.B. Atom.Molec.Phys., U, 2037−2043, 1978.
  70. В.Ш.Эпштейн, В. П. Тимофеев, С. М. Гусев, А. К. Попов. Генерация перестраиваемого ИК излучения на основе электронного ВКР в парах цезия. Квантовая электроника, 9, 2398−2402, 1982.
  71. R.Wyatt, N.P.Ernsting, W.G.Wrobel. Tunable electronic Raman laser at 16 mm. Appl. Phys, B27, 175−176, 1982.104
  72. A.L.Harris, N.S.Levinson. Generation of nanosecond infrared pulses tunable from 2.8 to 16 mm by efficient stimulated electronic Raman scattering. Appl.Opt., 26, 3996−4000, 1987.
  73. Д.Г.Саркисян, А. А. Бадалян, С. О. Сапонджян, Г. А. Торосян. Эффективная генерация перестраиваемых ИК УКИ света с помощью нелинейного преобразования частоты в парах атомов цезия. Квантовая электроника, 13., 872−874, 1986.
  74. Д.Г.Саркисян. Эффективный преобразователь частоты УКИ света в ИК область спектра. Квантовая электроника, 15., 23 582 360, 1988.
  75. R.Wyatt, D.Cotter. Stimulated electronic Raman scattering generation of picosecond light pulses in the infrared in atomic vapours. Opt.Commun., 32,481−484, 1980.
  76. D.Cotter, D.C.Hanna. Saturation and tuning behaviour of stimulated electronic Raman scattering. IEEE J. Quant. Electron., 1.4, 184−191, 1978.
  77. Ф.А.Королев, В. И. Одинцов, А. О. Фахми. Резонансное ВКР в парах рубидия в инфракрасной области спектра. Опт. и спектр., 40,423−429, 1976.
  78. D.Cotter, D.C.Hanna, R.Wyatt. Infrared stimulated Raman generation: effects of gain focussing on threshold and tuning behaviour. Appl. Phys., 8, 333−340, 1975.
  79. D.Cotter, D.C.Hanna. Effects of spin-orbit coupling on resonant enhancement of stimulated electronic Raman scattering. J. Phys. B. Atom. Molec. Phys., 9, 2165−2170, 1976.
  80. C.A., Тартаковский Г. Х., Хабибулаев П. К. Нелинейные резонансные процессы и преобразование частоты в газах. -«Фан», Ташкент-1981,стр. 160.
  81. B.C. Стеклодувное дело и стеклянная аппаратура для физико-химического эксперимента. -«Химия», М-1974, стр. 328.
  82. Vidal C.R., Cooper J. Heat-pipe oven: A new, well-defined metal vapor device for spectroscopic measurements. J. Appl. Phys., 10, 3370−3374, 1969.
  83. Steffes В., Liv X., Melinger A., Vidal C.R. «Heat-pipe oven for large column densities with a well- defined optical path length», Appl. Phys. B, 1996,62,87−90, 1996.
  84. M.K., Попов A.K., Слабко В. В., Яхнин В. З. Исследование методом генерации третьей гармоники распределения паров металла в кювете атомизаторе. Оптика и спектроскопия, 63, 1109−1116, 1987.
  85. Д.Г., Мелонян А. В., Т- образная лейкосапфировая кювета для паров атомов щелочных металлов. Приборы Техника Эксперимента, № 2, 202−203, 1989.
  86. A.N. Nesmeyanov, Vapor pressure of the elements. Elsiver, Amsterdam, 1963.
  87. D.H. Sarkisyan, A.S. Sarkisyan, A.K. Yalanusyan, Appl. Phys. В 66, 241−244, 1998.
  88. M.G.Raymer and J.L.Carlsten, Phys.Rev.Lett. 39, 1326−1327, 1977.
  89. А.П.Казанцев, ЖЭТФЯ, 1751−1755, 1969.
  90. P.R.Berman, W.E.Lamb, Phys.Rev. 187, 221−225, 1969.
  91. С.А.Ахманов, К. Н. Драбович, А. П. Сухоруков, А. С. Чиркин, ЖЭТФ 59, 485−490, 1970.
  92. R.L.Carman, F. Shimizu, C.S.Wang, N. Bloembergen, Phys.Rev.A 2, 60−62, 1970.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?