Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Плазменные эмиссионные системы на базе разряда низкого давления для нанесения покрытий из мелкодисперсных материалов

Диссертация: Плазменные эмиссионные системы на базе разряда низкого давления для нанесения покрытий из мелкодисперсных материалов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Результаты исследований физико-химических превращений в системе «мелкодисперсный материал — плазма низкого давления», являются базовыми для дальнейшего совершенствования аналитических комплексов и технологического оборудования для ионно-вакуумной модификации поверхности твердого тела и реализуемых с его помощью современных наукоемких, экологически чистых и высокоэффективных технологий в различных… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Современные достижения в области методов и оборудования для нанесения покрытий при пониженных давлениях
    • 1. 1. Анализ моделей, описывающих взаимодействия плазмы газового разряда с порошкообразными веществами
    • 1. 2. Сравнительный анализ различных методов нанесения покрытий
      • 1. 2. 1. Методы химического осаждения покрытий (ХОП)
      • 1. 2. 2. Получение тонких пленок распылением материалов ионной бомбардировкой (РИБ)
      • 1. 2. 3. Метод генерации потока осаждаемого вещества термическим испарением (МТИ)
    • 1. 3. Постановка целей и задач работы
  • Глава 2. Модель процессов в плазме низкого давления при внесении в нее мелкодисперсного материала
    • 2. 1. Основные исходные посылки при моделировании поведения мелкодисперсной частицы в плазме низкого давления
    • 2. 2. Основные уравнения модели в системе плазма низкого давления -мелкодисперсный материал
    • 2. 3. Баланс токов в системе плазма низкого давления — мелкодисперсный материал- определение величины и знака скачка потенциала у поверхности частицы
      • 2. 3. 1. Основные составляющие баланса токов при внесении мелкодисперсного материала в плазму низкого давления
      • 2. 3. 2. Баланс токов в системе «плазма низкого давления нанодисперсный материал» в случае отрицательного падения потенциала у поверхности частицы
      • 2. 3. 3. Баланс токов в системе «плазма низкого давления -нанодисперсный материал» в случае положительного падения потенциала у поверхности частицы
    • 2. 4. Баланс энергии в системе «плазма низкого давления мелкодисперсный материал»
      • 2. 4. 1. Составляющие баланса мощности при внесении мелкдисперсного материала в плазму низкого давления при отрицательной разности потенциалов между плазмой и телом
      • 2. 4. 2. Составляющие баланса мощности при внесении нанодисперсного материала в плазму низкого давления при положительной разности потенциалов между плазмой и телом
    • 2. 5. Результаты расчета баланса мощностей для S
    • 2. 6. Выводы
  • Глава 3. Динамика тепломассобмена и кинетики процессов нагрева, плавления и испарения нанодисперсного материала в плазме газового разряда низкого давления
    • 3. 1. Нагрев нанодисперсной частицы до температуры плавления
    • 3. 2. Плавление нанодисперсной частицы. Фазовый переход твердое тело
  • — жидкость
    • 3. 3. Нагрев нанодисперсной частицы до температуры кипения
    • 3. 4. Полное испарение расплава материала
    • 3. 5. Оценка времени испарения мелкодисперсной частицы из SiC>2 в плазме низкого давления
    • 3. 6. Выводы
  • Глава 4. Моделирование процессов в плазменных эмиссионных системах на базе разрядов низкого давления
    • 4. 1. Моделирование процессов в газоразрядной камере с накаленным катодом
      • 4. 1. 1. Процессы генерации ионов в газоразрядной камере с накаленным катодом
      • 4. 1. 2. Функция распределения электронов, но энергиям в газоразрядной камере с накаленным катодом
      • 4. 1. 3. Сечения ионизации, усредненные по функции распределения электронов
      • 4. 1. 4. Процессы уничтожения ионов в плазме низкого давления
      • 4. 1. 5. Вывод уравнений баланса частиц в газоразрядной камере с накаленным катодом
      • 4. 1. 6. Результаты решения уравнения баланса в газоразрядной камере с накаленным катодом
    • 4. 2. Моделирование процессов теплообмена частиц в прикатодной плазме вакуумной дуги
    • 4. 3. Выводы
  • Глава 5. Плазменная эмиссионная система дуоплазматронного типа для нанесения пленок из веществ в мелкодисперсной фазе
    • 5. 1. Особенности разрядных процессов в дуоплазматроне «А» типа
    • 5. 2. Исследование предельных режимов протекания тока в разряде с двойным контрагированием
      • 5. 2. 1. Расчет частот ионизации атомов электронным ударом
      • 5. 2. 2. Условия обрыва тока в разряде с двойным контрагированием
      • 5. 2. 3. Сравнение расчетных результатов с экспериментальными данными и их обсуждение
    • 5. 3. Газоразрядная камера типа дуоплазматрон для нанесения покрытий из веществ в мелкодисперсной фазе
    • 5. 4. Результаты тестирования полученных покрытий
    • 5. 5. Выводы

Плазменные эмиссионные системы на базе разряда низкого давления для нанесения покрытий из мелкодисперсных материалов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Традиционно наибольшее распространение электронно-ионнноплазменные технологии имели при производстве изделий электроники, микрои оптоэлектроники. Однако в последние годы сфера их применения значительно расширилась. Анализ современного состояния развития исследований и производства в области «критических» технологий и техники новых поколений позволяет сделать заключение о том, что одним из наиболее динамично развивающихся междисциплинарных научно-технических направлений является физика и технология микрои наносистем. Ввиду того, что в указанных системах в качестве характерных выступают размеры атомного уровня, при их изготовлении необходимо использовать «инструмент», обеспечивающий устойчивое воспроизведение размеров в нанометровом диапазоне. В качестве «инструмента» для указанных целей весьма эффективно использование потоков заряженных частиц и плазмы.

Нанесение покрытий из вещества в нанодисперсной фазе сегодня преимущественно осуществляется при помощи распылительных систем, использующих плазму высокого или среднего давления. Значительного повышения качества наносимых покрытий можно ожидать при понижении давления плазмообразующего газа. Однако методам нанесения покрытий из мелкодисперсного материала на базе разрядов низкого давления до последнего времени уделялось недостаточно внимания.

В известной нам литературе не удалось найти разработанных научных подходов и моделей плазменных эмиссионных систем на базе разряда низкого давления для нанесения пленок из мелкодисперсных материалов.

В настоящее время, в связи со значительным расширением фронта работ в области нанотехнологии и наноматериалов, теоретические и прикладные исследования в указанных областях начинают активно развиваться, что отражает объективные потребности современной науки, техники и производства. В связи с указанным выше, представляется целесообразным более детальное и глубокое изучение плазменных эмиссионных систем для нанесения различного рода покрытий из мелкодисперсных фракций на базе разрядов низкого давления.

В диссертации разработаны модели, которые адекватно описывают поведение материала в нанодисперсной фазе, вводимого в плазму низкого давления. На конкретных примерах показаны возможности разработанных подходов к расчету характеристик плазменных эмиссионных систем для нанесения покрытий различного функционального назначения. Выполнена оценка точности разработанных моделей путем сравнения результатов расчетов с экспериментальными данными.

Изложенное выше, определяет актуальность исследований, представленных в настоящей работе, которая обусловлена стремлением получения новых знаний о физике процессов в многокомпонентной плазме низкого давления, а также потребностями науки, техники и производства в разработке и использовании более совершенного аналитического и технологического оборудования, обеспечивающего расширение областей использования новых процессов, базирующихся на применении потоков заряженных частиц и плазмы.

Целью работы является построение моделей описывающих процессы в плазме низкого давления при введении в нее мелкодисперсной фракцииполучение новой научной информации о процессе взаимодействия микрочастицы с потоком плазмы низкого давления при произвольных функциях распределения электронов по скоростям, изучение влияния мелкодисперсной фракции на микроскопические характеристики плазменного образования.

Для достижения поставленных целей в работе решались следующие задачи:

1. Уточнение картины физических явлений, имеющих место при введении мелкодисперсной фракции в плазму низкого давления;

2. Рассмотрение составляющих потоков заряженных частиц в пограничном слое между поверхностью частицы микронных размеров и плазмой при низких давлениях;

3. Рассмотрение энергетических потоков, переносимых частицами из плазмы на поверхность микроскопической частицы и с ее поверхности в плазму;

4. Исследование динамики поведения частицы микронных размеров, вносимой в плазменное образование при низких давлениях;

5. Моделирование характеристик плазменных эмиссионных систем конкретных типов (дуоплазматрон, газоразрядная камера с накаленным катодом, поток плазмы в вакуумном дуговом испарителе);

6. Проверка адекватности разработанных моделей;

7. Экспериментальное исследование возможностей применения дуоплазматрона для нанесения покрытий из материалов в мелкодисперсной фазе.

Научная новизна и основные научные результаты работы:

1. Разработан подход, позволяющий с единых позиций описывать процессы, протекающие в плазме низкого давления, генерируемой в разрядах постоянного тока, при внесении в нее мелкодисперсных материалов как из металлов, полупроводников и диэлектриков, так и из композиционных материалов на их основе.

2. Построена модель, позволяющая рассчитать квазиравновесный потенциал, до которого заряжается частица микронных размеров, вносимая в плазму низкого давления.

3. Получены данные по влиянию вида функции распределения электронов по скоростям в плазме низкого давления на энергообмен между частицей микронных размеров и окружающей ее плазмой.

4. Уточнена картина физических процессов, происходящих в процессе теплообмена в системе плазма низкого давления — нанодисперсный материал.

5. Получена новая информация о поведении капельной фракции в металлической плазме вакуумного дугового разряда, кореллирующая с результатами других исследователей.

6 Установлено, что конечная энергия электронов в разряде дуоплазматронного типа в предобрывном состоянии определяется начальной концентрацией нейтралов в области сужения.

Практическая ценность работы заключается в том, что:

1. Разработанная модель, характеризующая процессы нагрева, плавления и испарения нанодисперсного материала в плазме низкого давления позволяет, по предложенным в работе алгоритмам, вести расчеты различных параметров плазменных генераторов при постановке конкретных задач.

2. Результаты исследований физико-химических превращений в системе «мелкодисперсный материал — плазма низкого давления», являются базовыми для дальнейшего совершенствования аналитических комплексов и технологического оборудования для ионно-вакуумной модификации поверхности твердого тела и реализуемых с его помощью современных наукоемких, экологически чистых и высокоэффективных технологий в различных областях науки, техники и производства.

3. Экспериментально апробированная конструкция дуоплазматрона, которая может быть использована в качестве базовой при разработке промышленных модулей для нанесения покрытий из мелкодисперсных материалов.

Достоверность полученной в работе информации определяется:

— удовлетворительным согласием теоретических оценок, результатов математического моделирования и экспериментальных данных;

— хорошим совпадением экспериментальных данных, полученных по различным методикам;

— непротиворечивостью полученной в работе информации и выводов, сделанных на ее основе, с результатами других исследователей.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. В квазистационарном режиме потенциал поверхности частицы, помещенной в плазму низкого давления, определяется как видом функции распределения электронов по скоростям, так и эмиссионными потоками зарядов с поверхности микрочастицы в плазму.

Повысить разность потенциалов локализуемую в слое пространственного заряда между плазмой и поверхностью микрочастицы можно облучая последнюю потоком высокоэнегетичных электронов, который может быть сформирован в области катодного падения напряжения разряда низкого давления или при диафрагмировании разрядного промежутка.

2. Изотермическое приближение для распределения температуры внутри нанодисперсной частицы, используемое в разработанной модели, позволяет адекватно описывать физико-химические процессы в системе «плазма низкого давления — нанодисперсный материал», и может быть использовано при расчете динамики теплообмена микрочастицы с плазмой при размерах последней не превышающих 150мкм.

3. Предельная энергия электронов в предобрывном состоянии при протекании тока в диафрагмированном промежутке дуоплазматрона определяется начальной концентрацией газа в области контрагирования.

4. Для формирования покрытий из металлов, полупроводниковых материалов и диэлектриков эффективно применение дуоплазмотронного генератора плазмы с введением мелкодисперсной фракции в область между сжимающим электродом и анодом. Существенное повышение качества наносимых покрытий достигается вследствие пространственного разделения области испарения мелкодисперсного материала и области конденсации покрытия.

Апробация результатов работы. Основные результаты работы докладывались на следующих конференциях, совещаниях и симпозиумах:

3-я, 4-я и 5-я Всероссийские научно-технические конференции с международным «Быстрозакаленные материалы и покрытия», 2004;2006 г., Москва, «МАТИ — РГТУ им. К.Э. Циолковского».

Ежегодный научно-технический семинар «Вакуумная техника и технология», СПб, 2004;2007 г. г.

8-я и 9-я научная молодежные школы по твердотельной электронике «Актуальные аспекты нанотехнологии», май 2005, Санкт-Петербург, Репино;

11-й Международный крейнделевский семинар «Плазменная эмиссионная электроника» — Улан-Удэ, 2006 г.

IV Международная НТК «Проблемы проектирования и производства радиоэлектронных средств», май 2006 г., Новополоцк, Беларусь.

Всероссийская н.-т. Конференция с международным участием «Новые материалы и технологии» НМТ — ноябрь 2006, Москва.

58−62 НТК Профессорско-преподавательского состава СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2003;2007 г. г., Санкт-Петербург, СПбГЭТУ «ЛЭТИ».

8-я Международная конференция «Пленки и покрытия — 2007», Санкт-Петербург, 22−24 мая 2007 г.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка литературы и 2-х приложений.

5.5. Выводы.

Результаты, полученные и ходе расчетов по модели, учитывающей условия протекания токов, близких к критическим в дуоплазматроне, а также данные экспериментальных исследований позволяют сделать следуютцие выводы:

1. Величина средней энергии электронов в плазме разряда низкого давления, контрагированного при помощи электрода с сужением зависит от давления газа в разрядном промежутке и увеличивается с ростом тока разряда.

2. Максимальная величина энергии электронов достигается в предобрывных режимах разряда.

3. С ростом давления, максимальная энергия электронов, которая может быть достигнута в контрагированном разряде, падает.

4. Максимально достижимая энергия электронов в разряде определяется возникновением неустойчивости в прианодной плазме. Момент развития неустойчивости с увеличением давления смещается в область меньших энергий электронов.

5. Произведенное моделирование позволяет определить условия обрыва тока в разряде с двойным контрагированием.

6. Проведен анализ состава полученных пленок. Показано, что ФХС пленок близок к составу исходного материала.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В работе получены следующие основные результаты:

1. Построена самосогласованная микроскопическая модель для описания физико-химических превращений, тепломассообмена и кинетики процессов нагрева, плавления и испарения в системе «плазма низкого давления — нанодисперсная частица», позволяющая:

— качественно и количественно описывать тепломассообмен в указанной системе при учете величины и знака скачка потенциала у поверхности частицы, интенсивности эмиссионных явлений, процессов ионного распыления;

— рассчитывать время испарения мелкодисперсных частиц, а также изменение массы и линейных размеров частицы с ростом температуры ее поверхности и с учетом фазовых превращений и эмиссионных процессов.

2. Разработанная модель позволила рассчитать зарядовый состав ионной компоненты плазмы в газоразрядной камере с накаленным катодом при больших плотностях тока.

3. С помощью разработанной модели были получены данные по поведению капельной фракции в металлической плазме вакуумного дугового разряда с интегрально холодным катодом.

4. Исследованы предельные режимы протекания тока в разряде с двойным контрагированием. Получены расчетные соотношения, устанавливающие связь между параметрами разрядного промежутка и величинами плотности тока и энергии электронов в плазме положительного столба и позволяющие определять максимально достижимые в разряде низкого давления плотности тока и энергии электронов.

5. Выполненные эксперименты по нанесению пленок из мелкодисперсных материалов в плазменной эмиссионной системе типа дуоплазматрон показали адекватность разработанных моделей и перспективность использования дуоплазматрона на постоянном токе для нанесения пленок из резистивных сплавов и диэлектриков.

Я глубоко признателен Барченко В. Т., Смирнову Е. А., Черниговскому В. В., за содействие и помощь в выполнении данной работы и многочисленные дискуссии.

Я глубоко признателен заведующему каф. ЭПУ д.т.н., профессору Быстрову Ю. А. за внимание и интерес к работе.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , А.И., Защитные покрытия/ А.И. Борисенко// Тула: Наука, 1979, -272 с.
  2. Н.Н., Нагрев порошка в стабилизированной магнитным полем струе// Рыкалин Н. Н., Николаев А. В., Кудинов В. В. Автоматическая сварка.-1968, -№ 8.-С. 75−79.
  3. Физика и техника низкотемпературной плазмы// Под общей ред. Дресвина С.В.-М.:Атомиздат, 1972,-352 с.
  4. , Ю.Е., Плазменные источники электронов, -М.:Атомиздат, 1977.-145 с.
  5. , А.В., Исследование нагрева твердых частиц в плазмотроне, со встречными струями// Физ. и хим.обраб.матер.-1968, — № 3.-С. 33−36.
  6. , С.А., К расчету нагрева конденсированных частиц в плазменной дуге/ Панфилов С. А., Цветков Ю.В.// Теплофизика высоких температур.-1967.-№ 2.-С. 294−302.
  7. , Ю.Н. Нагрев и испарение частиц в струе низкотемпературной плазмы/ Ю. Н. Лохов, В. А. Петруничев, А. А. Углов и др.// Физ. и хим.обраб.матер. -1974.-№ 6.-С. 52−55.
  8. , А.В., Энергетические характеристики плазмотрона с. магнитной стабилизацией дуги/ Николаев А. В., Кулагин И.Д.// Изв. СО АН СССР, сер. технических наук.-1966.-Т.Ю, вып.З.-С. 27−37.
  9. , С.В., Движение и нагрев частиц Si02 в струе воздушной плазмы индукционного плазмотрона/ С. В. Дресвин, Г. АДорфман, В. В. Шахов, и др.// Физ. и хим.обраб.матер.-1979.-№ 2.-С. 75−82
  10. , А.С., Исследование взаимодействия частиц порошка с. потоком плазмы в сопле/ Полак А. С., Суров Н. С. //Физ. и хим. обраб.матер.-1969,№ 2,-С. 19−29.
  11. , А.И. Методические указания к выполнению курсового проекта по курсу «Технология электронных приборов»./ Кузьмичев А. И., Барченко В. Т// -Киев: КПИ, 1984.-С. 63.
  12. , В.И., О взаимодействии медленных положительных ионов рубидия и цезия с поверхностью молибдена/ ЖЭТФ.-1962.-Т.42.-С. 325−329.
  13. , В.И., О непарных соударениях при взаимодействии медленныхположительных ионов с поверхностно металла/ ЖЭТФ.-1963.-Т.44,-С. 14−16.
  14. , З.А., Технология производства электровакуумных и полупроводниковых приборов//-М.:Высшая школа, 1979.-368 с.
  15. , Е.Й., Общая технология электровакуумного производства/-М.:Высшая. школа, 1979.- 295 с.
  16. Л.П. и др. Производство полупроводниковых приборов/ Л. П. Федоров, В. М. Багров, Ю.Н.Тихонов//-М.:Энергия, 1979.-432 с.
  17. , М.М., Металлизатор вакуумщик.-М.:Высш.школа.-1978.239 с.
  18. Шиллер 3. и др. Электронно-лучевая технология/З.Шиллер, У. Гайзиг, 3. Панцер//-М.:Энергия, 1980.-528 с.
  19. , В.Г., Получение тонкопленочных слоев в вакууме с помощью излучения оптических квантовых генераторов/ Днепровский В. Г., Банков В.Н.//Зарубежная радиоэлектроника.-1978.-№ 9.-С. 133−142.
  20. , А. И., Технология и оборудование для ионно-лучевой обработки материалов/ Коновалов А. И., Орлов В. И// Обзоры по электронной технике.-1982.-Сер.7-Вып. 10(880).-С. 40−63.
  21. Плазменные методы обработки материалов/ Под ред.А. Е. Вайнермана, Д.Г. Быховского//-Л.: ДДНТП, 1977.-115 с.
  22. , Г. П., Об особенностях теплообмена в канале секционного газового электродугового подогрева теля/ Стельмах Г. П., Чесноков Н. А., Сахаев А.С.// Инж.-физ. журнал.-1966.-№ 4.-С. 508−600.
  23. , А.В., Плазменные процессы в металлургии и технологии неорганических материалов.-М.:Наука, 1973.-243 с.
  24. , Т.А., Физические основы электровакуумной техники/ Ворончев Т. А., Соболев В. Д//-М.:Высшая школа, 1967.-351 с.
  25. , В.П., Исследование движения частиц порошка при плазменном нанесении покрытий/ Демянцевич В. П., Клубникин B.C., Низовский А.А.//Физ.и хим.обраб.матер.-1973.-№ 2.-С. 102−105.
  26. С.П. О нагреве и движении частиц порошка в плазменных струях/ Поляков С. П., Рязанцев О. В., Твердохлебов В.И.//Физ. и хим. обраб. матер.-1975.-№ 3.-С.43−46.
  27. A.M., О физических принципах и типах плазменных устройств/Дородное A.M., Петросов. В.А.//ЖТФ-1981.-Т.51.-№ 3.-С. 504−524.
  28. , Ю.Д., Физико-химические основы технологии микроэлектроники./ Чистяков Ю. Д., Райнова Ю. П. // М.:Металлургия, 1979.-С. 408.
  29. , И.А. Технология производства микроэлектронных устройств// М.:Энергия, 1980.-С. 448.
  30. , В.Е., Магнетронные распылительные устройства/ В. Е. Минайчев, В. В. Одиноков, Г. П. Тюфаева// Обзоры по электронной технике.-1979.-Сер.7.-Вып.8(659).-С. 56−57.
  31. , А.Г., Молекулярно-лучевая эпитаксия (приборная реализация)/ А. Г. Денисов, Ю. Г. Садофьев, А.П. Сеничкин// Обзоры по электронной технике.-1981.-Сер .7.-Вып. 16(827). -С .84−90.
  32. , И.Д., Обработка материалов дуговой плазменной струей/ И. Д. Кулагин, А.В., Николаев // М.:Изд. ИМЕТ, I960.-C. 33.
  33. Кулагин, И.Д., .Кудинов В. В. Нагрев плазменной дугой прямого действия/ И. Д. Кулагин, В.В. Кудинов//Электротермия.-1964.-Т32, С. 36−39.
  34. , А.А., Теплофизика плазменной обработки мелкодисперсных частиц/Углов А.А., Иванов Е.М.//Физ. и хим. обраб. матер.-1985.-№ 2.-С. 13−17.
  35. , О.Г., Технология вакуумного дугового осаждения ТП/ О. Г. Вендик, В. Ф. Попов, Н.В. Зеленская// -Л.:ЛДНТП.-1982.-118 с.
  36. , Н.А., Нагрев и испарение мелкодисперсных частиц тугоплавких материалов в плазменном потоке/ Н. А. Зыричев, Г. Ф. Галковская// Физ. и хим. обраб. матер. -1982. -№ 1,-С. 58−63.
  37. , В.А., Ионно-лучевые источники для обработки поверхности твердых тел и получение тонких пленок/ В. А. Лабунов, Г. Рейссе //Зарубежная электронная техника.-1982.-№ 1(247).-С. 3−42.
  38. , В.П., Перспективы применения ионного осаждения в микроэлектронике/ В. П. Белявский, И.В. Гусев/Юптоэлектроника и полупроводниковая техника.-1982.-№ 2.-С. 51−58.
  39. , В.Ф., М.Х. Расчет теплового потока на поверхности пленок при термическом и электронно-лучевом плазменном испарении/ В. Ф. Бреховский, М.Н. Никитин, М.Х. Шоршоров// Физ. и хим.обраб.матер.-1974.-.№ 6.-С. 3−16.
  40. , Г. М., Плазменный источник для бомбардировки твердых тел положительными и отрицательными ионами/ Г. М. Гуревич, Ю. А. Данилюк, А.П. Коварский// Приборы и техника эксперимента.-1978.-№ 4.-С. 181−183.
  41. Е.Я. Осаждение тонких пленок из низкоэнергетических ионных пучков:Обзор//Обзоры по электронной технике.-1979.-Сер.7,-Вып.14(676).-55 с.
  42. , В.Г., Адсорбция паров металла в присутствии ионного облучения/ В. Г. Бабаев, М.Б. Гусева// Изв. АН СССР.-Сер.физическая.-1973.-Т.37, № 12.-С. 2596−2602.
  43. , В.И., Плазменные покрытия/ В. И. Костиков, Ю.А. Шестерин//-М.:Металлургия, 1978. -316 с.
  44. , Б.С., Получение тонкопленочных слоев с помощью магне-тронной системы ионного распыления// Зарубежная радиоэлектроника.-1978. -№ 4. -С. 87−105.
  45. Химия. Справочное руководство/ Пер. с нем. Гаврюченкова Ф.Г.-Л.-.Химия, 1975. Т-С. 20−53.
  46. А.С. Работоспособность режущего инструмента с износостойкими покрытиям.-Москва: Машмностроение, 1993. 201 с.
  47. , В.И., Вакуумно-дуговое осаждение металлокерамических покрытий на полимерную подложку/ В. И. Житомирский, И. Гримбегр, М. К. Жозэф и др.// Поверхность и технология нанесения покрытий. -1998. -№ 108−109. С. 160 165.
  48. , М.М. Технология и оборудование вакуумного напыления. -Москва: Металлургия, 1992. 187 с.
  49. , Г. Г., Износостойкие покрытия на инструментальных материалах (обзор)/ Г. Г. Гнесин, С.Н. Фоменко// Порошковая металлургия. 1996. — № 9−10 — С. 17−26.
  50. , А.В., Структура и методы формирования износостойких поверхностных слоев/ А. В. Белый, Г. Д. Карпенко, Н.К. Мышкин// Москва: Машиностроение, 1991.-211 с.
  51. , В.Н., Плазменное напыление порошковых материалов на детали электронных приборов/ В. Н. Лясников, Г, Ф. Богатырев// Обзоры поэлектронной технике-Сер.:Технология, организация производства и оборудование. -1978.-Вып .4(528). -С .7−9.
  52. , А.А., Теплофизика плазменной обработки мелкодисперсных частиц/А.А. Углов, Е.М. Иванов// Физ. и хим. обраб. матер. -1985. -№ 2. -С. 13−21.
  53. Получение покрытий высокотемпературным напылением/Под ред. JT.K. Дружинина и В.В. Кудинова//-М.:Атомиздат, 1973.-312 с.
  54. .А. Кинетическая ионно-электронная эмиссия. М.: Энергоатомиздат, 1990. — 184 с.
  55. Ю.В. К теории распыления монокристаллов// Физика твердого тела. 1964. — Т.- 6. — С. 2003−2009.
  56. Borisov, A.M., The sweeping-out-electrons effect in electron emission under molecular ion bombardment/ A.M. Borisov, E.S. Mashkova, E.S. Parilis// VACUUM -2002.-V. 66.-P. 145−148.
  57. Распыление под действием бомбардировки частицами: Проблемы прикладной физики, Вып. З/ Под ред. Р. Бериша. и К. Виттмака//- М.: Мир, 1998. -552 с.
  58. , Е.С., Пространственные распределения частиц, распыленных под действием ионной бомбардировки. II. Компьютерное моделирование и экспериментальные результаты/ Е. С. Машкова, В.А. Молчанов// Поверхность. 1997. — № 12.-С. 91−108.
  59. , В.А., Взаимодействие атомных частиц с твердым телом. Компьютерное моделирование. М.: Изд-во МГУ, 1993.- 192 с.
  60. Hasselkamp D., Secondary emission of electrons by ion impact on surfaces. // Comments At. Mol. Phys. 1988. — V. 21, № 5. — P. 241−255.
  61. , В.И., Лундин Б. В., Физика плазмы. М.: Мир 1975. -Т. 5, С. 486.
  62. , Я.Б., Физика плазмы. М.: Мир 1987- Т. 13. -С. 607.
  63. , С.И., Вопросы теории плазмы/ под ред. Леонтовича М.А.// М.: Атомиздат, 1963.- С. 183.
  64. Химический состав и механизм формирования пленок кермета системы дисилицид хрома стекло/М.М. Косякика, А. В. Елисеев, К. К. Муравьева и др.//ЖПХ.-1985.-№ 10.-С. 2203−2204.
  65. , Б. С., Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. -М.: Энергоатомиздат, 1989.- 201 с.
  66. , В.И., Вопросы теории плазмы/ В. И. Петвиашвили, В.В. Яньков//. 1985, вып. 14, С. 3−12.
  67. Turikov, V.A., Plasma Physics Reports/ V.A. Turikov, I.V. Ulianitski// 1999, V. 25, N 11, P. 855.
  68. , П.В., Хохлов А. Ф. Физика твердого тела. М.: Высшая школа, 1985.-384 с.
  69. , М.И., Взаимодействие частиц плазмы с поверхностью/ М. И. Гусева, Ю.В. Мартыненко// Итоги науки и техники. Сер. Физика плазмы. Т. 11. М.: ВИНИТИ, 1989.-С. 150−190.
  70. , В.В., Физика плазмы/ В. В. Горев, Г. И. Долгачев, Л. П. Закатов и др.// 1985.-Т. 11,782 с.
  71. , С. М., Сборник задач и расчетов по физической электронике. -Киев.: Издательство Киевского Университета., 1964. 210с.
  72. , В.А., Физика плазмы/ В. А. Туриков, И. В. Ульяницкий // 1999. -Т. 25, 929 с.
  73. Низкотемпературная плазма/ Под ред.А.В. Нейндлина//-М:Мир, 1967.631 с.
  74. А.Г., Физика плазмы. М.: Мир, 1991. — 679 с.
  75. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой: Физ. распыление одноэлементных твердых тел. Вып.2/ Под ред. Р. Бериша// 1986. 484 с.
  76. A.M., Физика плазмы, 1998. Т. 24, 8, С. 731.
  77. А.С., Кирсанов В. И. Физика плазмы, 1995. Т. 21, С. 632.
  78. Мог fill G.E., Phys. Plasmas/ Н.М. Thomas, U. Konopka, M. Zuzic // 1999. -5,1, C-68.
  79. Э. Оран, Дж. Борис, Численное моделирование реагирующих потоков. М.: Мир, 1990.- С. 315−321.
  80. Melzer A., Homan A., Piel A., Phys.Rev. 1996, V53, Р. 3137.
  81. А.Ф., Богданкевич Л. С., Рухадзе А. А. Основы электродинамики плазмы— М.: Мир, 1978.- 357 с.
  82. Granatstein, V.L., IEEE Trans. On Plasma Science. 1996, V.24, N3, P.648.
  83. , В.И., О связи необходимой тепловой мощности плазменной струи с теплофизическими характеристиками напыляемого материала/ В. И. Юшков, Ю. С. Борисов, //Физ. и хим. обраб. матер.-1975.-№ 4,-С. 20−25.
  84. Биберман, J1.JT., Кинетика неравновесной низкотемпературной плазмы. М.: Наука, 1982.- 227 с.
  85. Nusinovich G.S., IEEE Trans. On Plasma Science. 1996. V.24. N 3. P. 586.
  86. A.E., Селемир Д. В., Письма в ЖТФ, 1999, Т.- 25, вып. 15, С. 84.
  87. Hasselkamp D., Secondary emission of electrons by ion impact on surfaces. // Comments At. Mol. Phys. 1988. — V. 21, № 5. — P. 241−255.
  88. Shulga V.I. Computer simulation of single-crystal and polycrystal sputtering II // Radiat. Effects. 1984.-v. 82.-p. 169−187.
  89. B.C., Вячеславов JI.H., Кандауров И. В., Кругляков Э. П., Мешков О. И., Санин А. Л. Физика плазмы, 1997, Т. 23, С. 142−145.
  90. , С.Н., ЖТФ, Т.-65, В.7, С. 1 -18.
  91. , О.В., Электрический зонд в плазме. М.: Атомиздат, 1969.- 292с.
  92. Р., Леонард С., Диагностика плазмы. М.: Мир, 1967, 516 с.
  93. Физика и технология источников ионов./ Под ред. Я. Брауна// М.: Мир, 1998−496 с.
  94. , А.И., Уравнения математической физики М.: Наука, 1972, 736с.
  95. Л.П., Долотов Ю. Л., Электродуговой испаритель металлов с магнитным удержателем катодного пятна// Приборы и техника эксперимента .-1978. -№ 4 .-С. 30−35.
  96. , Н.В., Переход дугового разряда низкого давления из контрагированного в каскадный режим горения/ Н. В. Гаврилов, Ю. Е. Крейндель, Е.М. Оке//ЖТФ. -Т. 53. -С. 1947−1951.
  97. Мощные генераторы низкотемпературной плазмы и методы исследования их параметров/Под ред.Ф. Г. Рутберга.-.Л.:ВНИИ электромаш, 1977. -127 с.
  98. Gordeev A.V., Kingsep A.S., and Rudakov L.I., Phys. Reports, 1994, — V. 243,1. P. 215.
  99. A.B., О тепломассообмене мелкодисперсных материалов/письма в ЖТФ, 2007.- С. 53−87.
  100. , A.M., Некоторые применения плазменных ускорителей в технологии/УФизика и применение плазменных ускорителей: Сб. научн. трудов /Наука и техника.-М. 1974.-С. 330−365.
  101. , A.M., Плазменные ускорители/ A.M. Дородное, Н. П. Козлов // М: МВТУ им. Баумана, 1975.-108 с.
  102. Г. Ю., Дзюба В. Л., Мазурайтис Н. С., Плазмотрон промышленного типа//Физ. и хим. обраб. матер.-1971 .-№ 6.-С. 45−49.
  103. Технология и оборудование/Юбзоры по электронной технике.-Сер.: Технология, организация производства и оборудование.-1981.-Вып. 18 (833).-С. 7−12.
  104. , Н.Б., Справочник по теплофизнческим свойствам газов и жидкостей.-М.:Наука, .1972.-С. 20−50.
  105. В.Т., Колгин Е. А. Ионно-плазменные технологии в электронном производстве /Под ред. Быстрова Ю. А. СПб.: Энергоатомиздат. Санкт-Петербургское отд-ние, 2001. 332 с.
  106. А.Г., Черняк Е. Я., Козлов А. А., Ионно-плазменные источники в технологии микроэлектронных приборов. Обзоры по электронной технике. Сер. 7, 1982, № 14, 65 с.
  107. В.Т. Исследование физических явлений и некоторые вопросы разработки плазменных источников электронов. Автореф. дис. канд. техн. наук. Л.: 1978, 17 с.
  108. М.Ю., Зеленский В. Ф., и др. Источник многозарядных ионов. -Приборы и техника эксперимента, 1981, № 6, С. 147−149.
  109. , П.В. Магнетронная плазма и нанотехнология/ П. В. Каштанов, Смирнов Б. М., Хипплер// Успехи физических наук. Обзоры актуальных проблем. Т. 177, № 5, УФН, М., 2007, С. 473 501
  110. , Н.А., Полякова О. И., К вопросу об устойчивости токопрохождения через диафрагмированные промежутки в водородном разряде низкого давления. Электронная техника. Сер. 3. Газоразрядные приборы, 1980, в. 2, С. 22−26.
  111. , Л.В., Теория электромагнитных ускорителей плазмы, М.: Изд. МВТУ, 1973 .-С. 30−35.
  112. , Е.Г., Основы ускорительной техники. М.: Атомиздат, 1975, 367с.
  113. , М.Ю., Ускорительный комплекс тяжелых ионов. Вопросы атомной науки и техники/ М. Ю. Бредихин, В. Ф. Зеленский, и др.//Сер. Общая и ядерная физика, Харьков: ХФТИ АН УССР, 1980, вып. 2(12), С. 65−69.
  114. В.Ф., Хоренко В. К., Рубашков В. Г. и др. Инжектор ионов металлов для электростатического ускорителя. Вопросы атомной науки и техники. Сер. Общая и ядерная физика. Харьков: ХФТИ АН УССР, 1980, вып. 2(12), с. 42−47.
  115. , Ю.А., Ускорительная техника и рентгеновские приборы/ Ю. А. Быстрое, С.А.Иванов//-М.: Высшая школа, 1983.- 328 с.
  116. Плазменные ускорители/ Под ред.Л.А.Арцимовича/ЛМ.Машинострое-ние, 1973.-С. 120−125.
  117. , Г. Г., Особенности прохождения большого тока через сужение газоразрядного прибора низкого давления// Электронная техника. 1970.-Сер.З, Вып.3(19).-С. 41−46.
  118. Основы расчета плазмотронов линейной схемы/ Под ред.М. Ф. Жукова. -НовосибирскРАН СССР .Сиб.отделение Ин-т теплофизики, 1979.-148 с.
  119. , В.Т., О влиянии магнитного поля на эффект усиления плазменного тока/ В. Т. Барченко, А. В. Задера, А.Ю. Соколовский// В межвуз. сб. науч. тр.: Вакуумная и газоразрядная электроника. Рязань: РРТИ, 1984, С. 33−36
  120. , Е.И., Источники многозарядных ионов/ Е. И. Герасимов, В. П. Голубев, С.А. Никифоров//- М., НИИЭФА, обзор ОД-28, 1979.- 211 с.
  121. , Э.Ф., Дуоплазматрон для получения ионов углерода/ Э. Ф. Чайковский, В. М. Пузиков, А. В. Семенов //- ПТЭ, 1981, № 2, С. 163−166.
  122. , М.Д., Физика и техника плазменных источников ионов. М.: Атомиздат, 1972.- 304 с.
  123. В.А., Рейсе Г. Ионно-лучевые источники для обработки поверхности твердых тел и получения тонких пленок/ В. А. Лабунов, Г. Рейсе//-Зарубежная электронная техника, 1982, № 1, С. 73−112.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?