Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Влияние структуры и состава монокристаллов вольфрамовых бронз на каналирование протонов

ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Для изучения особенностей каналирования в трехкомпонентных соединениях были выбраны монокристаллы Nctgg WOj, имещие хорошо изученную структуру. Для установления связи мевду концентрацией щелочного металла и условиями каналирования использовался ряд кристаллов:.Nat W03 (X = 0,9- 0,6- 0,25) и. В монокристаллах L/gyW03 уточнялась структура литиевой подрешетки, а в монокристаллах Ма061'1007Шь впервые… Читать ещё >

Содержание

  • ВВЩЕНИЕ
  • 1. ОРИШТАДИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В МОНОКРИСТАЛЛАХ
    • 1. 1. Основные закономерности взаимодействия быстрых ионов с атомами кристаллической решетки
    • 1. 2. Каналирование в многокомпонентных монокристаллах
    • 1. 3. Определение местоположения атомов в кристаллической решетке
    • 1. 4. Постановка задачи
  • 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Экспериментальный комплекс
    • 2. 2. Регистращя заряженных частиц и % -квантов
    • 2. 3. Предварительное изучение некоторых свойств вольфрамовых бронз
    • 2. 4. Ориентирование монокристаллов и измерение угловых зависимостей продуктов близких соударений
  • 3. РОЛЬ СТРУКТУРНЫХ ОСОБЕННОСТЕЙ МОНОКРИСТАЛЛА/Й^Щ
  • ПРИ КАНАЛИРОВАНШ ПРОТОНОВ
    • 3. 1. Связь структуры вольфрамовой и натриевой под-решеток с параметрами угловых распределений продуктов рассеяния и ядерных реакщй
    • 3. 2. Роль кислородной подрешетки и ее перестройки в результате фазового превращения
    • 3. 3. Формирование энергетических спектров протонов, обратаорассеянных различными компонентами кристалла
    • 3. 4. Переход из осевого каналирования в плоскостное
  • 4. ВЛИЯНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ АТОМОВ ЩЕЛОЧНЫХ МЕТАЛЛОВ НА
  • КЭШИРОВАНИЕ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ИХ МЕСТОПОЛОЖЕНИЯ В
  • КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ
    • 4. 1. Связь параметров каналирования с концентрацией атомов На и L
    • 4. 2. Распределение потока частиц и угловые зависимости их выхода при различной концентрации атомов Li и /1/<7.ПО
    • 4. 3. Местоположения атомов L) *Na в решетке монокристаллов Lipy W03 и Nd^gLigpf W

Влияние структуры и состава монокристаллов вольфрамовых бронз на каналирование протонов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Дальнейшее развитие науки и техники, увеличение эффективности общественного производства невозможно без создания новых, в том числе кристаллических, материалов. К числу таких перспективных материалов относятся оксидные вольфрамовые бронзы, в частности содержащие щелочные металлы Nq и Li, с общей формулой Мх WO3 или My W3. Наличие таких уникальных свойств как ионная селективность, высокая эмиссионная способность, высокая температура перехода в сверхпроводящее состояние, электрохромизм и др. привлекло к этим кристаллам в последние годы широкое внимание. Интенсивно исследуются физико-химические свойства, совершенствуются методы выращивания монокристаллов. Значительно меньше изучены структурные особенности вольфрамовых бронз, особенно двойных натрий-литиевых, калий-литиевых и др. Использование таких традиционных методов как рентгенои нейтронография затруднено вследствие большого различия в атомных номерах компонентов и малого сечения рассеяния нейтронов на ядрах лития.

В последнее время интенсивно разрабатывается и во многих случаях успешно применяется метод, основанный на ориентационной зависимости цроцессов, происходящих при взаимодействии пучков ускоренных ионов с монокристаллами. Использование ориентацион-ных эффектов (каналирования и теней) в сочетании с методами мгновенного ядерного анализа позволяет решать такие задачи, как определение концентрации и пространственного распределения примесных атомов, их местоположения в решетке, степени совершенства структуры и радиационного повреждения кристаллов, структурных превращений при фазовых переходах.

К настоящему времени большинство фундаментальных и прикладных исследований 1фисталлических материалов с использованием пучков ускоренных заряженных частиц проведено для простых монокристаллов (Si,, W и др.). При этом были получены основные закономерности движения ионов в монокристаллах, разработаны теоретические модели, позволяющие количественно описывать ориентацион-ные эффекты.

Является очевидной необходимость применения указанного метода для исследования более сложных систем: химических соединений, сплавов, твердых растворов и т. д. Результаты ряда исследований показали, что существуют некоторые особенности ориентационных эффектов, определяемые составом и структурой многокомпонентных кристаллов. Однако число таких работ, особенно для трехи четы-рехкомпонентных соединений невелико. Поэтому дальнейшее исследование эффектов каналирования и теней в многокомпонентных кристаллах, развитие представлений о физике процессов и на основе полученных закономерностей изучение новых кристаллических систем в настоящее время является актуальным.

Сложный состав соединений вызывает необходимость использования таких методов мгновенного анализа, которые бы позволяли выделять информацию о процессах взаимодействия цучка частиц раздельно с каждым сортом атомов. Для сочетания легких и тяжелых атомов наилучшим вариантом является совместное использование методов обратного рассеяния (0P) и ядерных реакций (ЯР), а также характеристического рентгеновского излучения (ХРИ).

Данная работа посвящена дальнейшему расширению представлений о влиянии структуры и состава на движение ускоренных частиц в монокристаллах, развитию метода исследования твердого тела, основанного на эффекте каналирования, применительно к многокомпонентным кристаллам и получению на его основе новых данных о структуре соединений оксидных вольфрамовых бронз.

Для изучения особенностей каналирования в трехкомпонентных соединениях были выбраны монокристаллы Nctgg WOj, имещие хорошо изученную структуру. Для установления связи мевду концентрацией щелочного металла и условиями каналирования использовался ряд кристаллов:.Nat W03 (X = 0,9- 0,6- 0,25) и. В монокристаллах L/gyW03 уточнялась структура литиевой подрешетки, а в монокристаллах Ма061'1007Шь впервые определялось местоположение атомов лития.

В процессе работы была разработана методика одновременного измерения угловых зависимостей выхода обратнорассеянных протонов, / -частиц и-квантов из реакций *Na (P,.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Stark J., Wendt G. Tiber das Eindtrigen von Kanalstrahlen in feste Korper.- Ann.D.Phys., 1912, v.38, p.921- 940.
  2. Robinson M.T., Oen O.S. Computer studies of the slowing down of energetic atoms in crystals.- Phys.Rev., 1963, v.132, p.2385−2398.
  3. Experimental evidence for the channeling of heavy ions in mono-cryAtalling aliminum / Piercy G.R., McCargo M., Brown P., Da-vies J.A. Can. J.Phys., 1964, v.42, N6, p. III6-II34.
  4. Luts H., Sizman R. Super ranges of fast ions in copper single crystals. Phys.Lett., 1963, v.5, N 2, p.113−114.
  5. О новом методе исследования свойств монокристаллов / Тулинов А. Ф., Ахметова Б. Г., Пузанов А. А., Бедняков А. А. ЖШ, Письма в редакцию, 1965, т.2, ЖЕ, с.48−50.
  6. Van Vliet D. The continuous model of direction effects. -In: Channeling Theory Observation and Application. Edited by Morgan D.V., John Wiley and Sons, 1973, p.37−77.
  7. Й. Влияние кристаллической решетки на движение быстрых заряженных частиц. УВД, т.99, Л2, с.249−296.
  8. Moliere G. Theorie der Strenung Schueller Geladener Teilchen.II. Mehrfachung Veilfachstrenung. Z.Naturforsoh., 1948, Bd 3a, 1. S.78−97.
  9. Van Vliet D. On the special distribution of channeled ions. -Rad.Eff., I971. v. IO, p.137−155.
  10. Kumakhov M.A. A theory of flux peaking effecting channeling. -Rad. Eff., 1972, v.15, N 1−2, p.85−99.
  11. Г. П., Черцынцев В. В. Исследование функции распределенияи потока каналированных частиц в зависимости от начальных условий. В кн.: Труды XI Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, М., 1982, с.85−89.
  12. Г. П., Чердынцев В. В. Равновесное расцределение потока•частиц в осевом канале. В кн.: ТрудьГ1Х Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с монокристаллами. М., 1978, с.40−44.
  13. Barrett J.H. Monte-Ca rlo channeling calculations. Phys.Rev.B., 1971″ v.3, N 5, p.1527−1547.
  14. M.A., Ширмер Г. Атомные столкновения в кристаллах. -М., Атомиздат, 1980, — 192с., ил.
  15. Andersen J.U. Axial and planar dips in reaction yield of energetic ions in crystal lattice. Mat.Phys.Medd.Da nske Vid.Selsk., 1967, v.36, N 7, p.22−27.
  16. Andersen J.U., Feldman L.C. Comparison of average-potential models and binary-collision models of axial channeling and blocking. Phys.Rev.B." 1970, v. I, N 5, p.2063−2069.
  17. Pabst H.T. Flux peaking, dechanneling cross section, and detection probability in channeling and blocking experiments from computer simulation and analytical models. In: Atom Collision in Solids.N.London, 1975″ v.2, p.717−734.
  18. Ryabov V.A. Monte-Carlo calculations of the blocking effects. -Phys.Stat.sol.(b), 1972, v.49, p.467−473.
  19. Desalvo A., Rosa R. A comprehensive computer program for ion penetration in solids, Rad.Eff., 1980, v.47, N I, p. II7-I20.
  20. Bontemps A., Fontenille J. Computer simulation of axial channeling in monatomic and diatomic crystals. Multistring model and its application to foreign-atom location. Phys.Rev.B, 1978, v. I8, N II, p.6302−6315.
  21. Komaki K. Multi-string statistical equilibrium calculation of scattering yield for foreign atom location using channeling effect. In: Ion beam surface layer analysis, v. I, New-York-London, 1976, p.517−526.
  22. Picraux S.T. Ion channeling studies of the lattice locationof interstitial impurities: hydrogen in metals. In: Ion beam surface layer analysis, v.I., New-York-London, 1976, p.527−536.
  23. Off axis channeling disorder analysis / Poti G., Baeri P., Hi-mini E., Campisano S.U. J.Appl.Phys., 1976, v.47, N 12, p.5206−5213.
  24. A study of the temperature dependence of proton dechanneling in a tungsten crystal / Roslyakov V.I., Rudnev A.S., Sirotinin E.I., Tulinov A.P. In: Proceedings of the YII International Conference on Atomic Collisions in Solids, Moscow, 1981, p.68−72.
  25. M.A. Пространственное перераспределение потока заряженных частиц в кристаллической решетке. У®-, 1975, вып. З, с. 427−464.
  26. Zindhard’s multiple scattering description justifies axial and planar dechanneling data / Campisano S.U., Poti G., Grasso P., a.l. Rad.Eff., 1972, v. I3, p.157−166.
  27. Е.й., ТУлинов А.Ф., Ходырев В. А. Об определении разброса потерь энергии в точке деканалирования. Труды ХС Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М., 1982, с.90−95.
  28. В.В., Кумахов М. А. Многократное рассеяние каналиро-ванных ионов в кристалле. ЖЭТФ, 1972, т.62, е.1144−1155.
  29. Calculation on axial dechanneling / Bonderup E., Esbensen H., Andersen J.U., Schiott H.E., Rad.Eff., 1972, v. I2, p.261−266.
  30. Г. П., Украинская Л. В., Чердынцев В. В. Модель деканалирования частиц и некоторые ее применения. В кн.: Труды У1
  31. Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с монокристаллами. М., 1975, с.49−63.
  32. Tulinov А.P. On study of the directional phenomena for the nuclea r physics. In: Proceedings of the YII international
  33. Conference on Atomic Collisions in Solids, Moscow, 1981, p.11−22.
  34. А.Г., Тулинов А. Ф. Ядерные диффузионные функции в осевом каналировании. В кн.: Труды УП Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с монокристаллами. М., 1978, с. 53−68.
  35. Analysis of backscattering energy spectra and determination of energy loss of channeling particles / Roslyakov V.I., Rudnev A.S., Sirotinin E.I., a.l. Phys.Stat.sol.(a), 1977, v.43, p.59−70.
  36. Г. П., Чердынцев В. В. Теоретический анализ поведения с глубиной величины (vfi) при осевом каналировании. В кн.: Труды Ж Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М., 1984, с. П-14.
  37. Matzke H. t Davies J.A. Location of inert gas atoms in KC1, CaPg, UOg crystals by H*and He* channeling studies. J.Appl.Phys., 1967, v.38, N 2, p.805−808.
  38. Matzke H. Effect of humidity on the surface oxidation of UC single crystals at room temperature. J.Appl.Phys., 1969, v.40, N 9, p. 3819−3824.
  39. Davies J.A., Denharteg J., Whitton J.L. Channeling of MeV pro-jectives in W and Si. Phys.Rev., 1969, N 165, p. 345−356.
  40. Eriksson L., Davies J.A. Deuteron and helium ion channeling in uranium dioxide. Arkiv Phys., v.39, p.439−450.'
  41. Clinard F.W., Sander W.M. Axial channeling in Th02. J.Appl.Phys., 1972, v.43, N 12, p.4937−4942.
  42. Channeling studies in diamond-type lattice / Picraux S.T., Davies J.A., Eriksson L., Johansson N.G. Phys.Rev., 1969, v.180, N 3, p.973−982.
  43. Ma tzke H., Davies J.A., Johansson N.G. A channeling study of the structure of U^Og. Canad.Jorn.Phys., 1971. v.49, p.2215−2226.
  44. А.Г., Самарин В. В. Рассеяние ка на ли ро ванных частиццепочкой атомов. В кн.: Труды XI Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с монокристаллами.1. М., 1982, с.141−145.
  45. Gemell D.S., Mikkelson R.C. Channeling of protons in thin BaTiO^ crystals at temperature above and below the ferroelectric curie point. Phys.Rev.B, 1972, v.6, p. 1613- 1635.
  46. Г. Ю. Исследование структурных дефектов бинарных кристаллов методом обратного рассеяния цротонов: Автореф. Дис.канд. физ.-мат. наук. Свердловск, 1982, -24с.
  47. Channeling in diatomic crystals: He ions in<^- A12Oj / Camera A., Delia Mea G., Drigo A.V., e.a. Rad.Eff., 1978, v.35, p.201−209.
  48. Kauftoan R., Meyer 0. Computer simulation of channeling measurements on V^Si single crystals. Rad.Eff., 1979, v.40, N 1−2, p.97−104.
  49. Channeling flux in single crystals with interstitial atoms: Impurity concentration dependence / Delia Mea G., Drigo A.V., bo Russo, a.l. -Phys.Rev.B, 1974, v. IO, N 5, p. I836-I846.
  50. An ion channeling study of NbO crystals. III. Calculation of angular-yield curves / Sato K., Koiwa M., Hirabayashi M., Yamagu-chi S., Rad.Eff., 1981, v.54, p.221−234.
  51. B.C., Пузанов A.A., Якушев M.B. Расчет углового распределения обратнорассеянных частиц. В кн.: Труды X Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с монокристаллами. М., 1981, с.220−224.
  52. Alexander R.B., Poate J.M. The interaction of channeled ions with foreign atoms in crystals. Rad.Eff., 1972, v.12, p.2II-2I7.
  53. В.И. Фокусировка ионного пучка парой атомных цепочек и проявление этого эффекта при рассеянии ионов кристаллами.- В кн.: Труды УП Всесоюзного совещания по физике взаимодействиязаряженных частиц с монокристаллами. М., 1978, с.69−75.
  54. Bontemps A., Pontenille Т., Quivara A. Preferential interaction of channeled particles in diatomic crystals. Phys.Lett., 1976, A55, N 6, p.373−374.
  55. H.B., Медиков Ю. В., Тулинов А. Ф. Роль кислородной под-решетки в процессе деканалирования заряженных частиц в кристалле 1№г. -да, 1982, т.24, вып.4, с.1081−1097.
  56. Резонансное деканалирование быстрых ионов при ось-плоскостных переходах / Булгаков Ю. В., Кошевой Н. Д., Ленкайт К. и др.-В кн.: Труды X Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с монокристаллами. М., 1979, с.45−51.
  57. Axial -to planner-channeling transition / Delia Mea G., Drigo A.V., Lo Russo S., a.e. Phys.Rev.B., 1973, v.7, N 9, p.4029- 4041.
  58. Ю.В., Щульга В. И. Осцилляции прозрачности моно1фИстал-ла кремния при переходе от осевого iioj к плоскостному (ПО) каналированию.- ФТТ, 1975, т.17, вып.1, с.353−355.
  59. Ю.В., Ленкайт К. Резонансное деканалирование ионов водорода и гелия с энергиями в сотни кэВ цри ось-плоскостных переходах в кремнии. В кн.: Тезисы докладов ХП Всесоюзного совещания по физике вз. зар. частиц с кристаллами. М, 1982, с. 34.
  60. Kumakhov М.А., Wedell R. A theory of resonance dechanneling. -Phys.Sta t, sol.(b), 1976, v.76, p. II9-I3I.
  61. Г. И., Рябов В. А., Чердынцев В. В. К теории переходных процессов в осевом каналировании.-В кн.: Труды XI Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М., 1982, с.44−49.
  62. Higher than 100 $ shoulders in axila-to-planar channeling transitiorin o6-A120^ / Camera A., Delia Mea G., Drigo A.V., a.e. Ins Proceedings. of the YII International Conference on Atomic Collisions in Solids, M., 1981, p.50−51.
  63. Da vies J.A. Foreign atom location. In: Channeling.Theory. Ob-serv. and Appl. London e.a., 1973, p.391−413.
  64. Д., Ериксон Л., Дэви с Д. Ионное легирование полупроводников. М., Мир, 1973, -296с., ил.
  65. Picraux S.T. Defect trapping of gas atoms in metals. Nucl.Instr. and Methods, 1981, v.182, p.413−437.
  66. Kumakhov M.A. Double peak in channeling experiments. Phys.Lett., 1972, A 39, N 3, p.191−192.
  67. Carstanjen H.D. Analysis problems in lattice location studies. -In: Ion beam surface layer analysis, 1976, V. I, p.497−516.
  68. Alexander R.B., Callaghan P.Т., Poa te J.M. Use of channeling technique and calculated angular distributions to locate Br implanted into Pe single crystals. Phys.Rev.B: Solid State, 1974, v.9, N 7, p.3022−3043.
  69. Matsunami N., Swanson M.L., Howe L.M. The determination of solute atom displacements in mixed dumbbell interstitials for the face-centred-cubic lattice. Can.J.Phys., 1978, v.56, N 8, p. I057-I070,
  70. Изучение место поло Кения лития в решетке сульфида кадмия / Григорьев А. И., Дикий Н. П., Матяш П. П. и др. ФТТ, 1979, т.21,3, с.799−801.
  71. Г. Ю., Шульгин Б. В., Пузанов А. А. О местоположении примесных ионов In в монокристаллах CaFa ~LnB+ . Координавдонная химия, 1979, т.5, вып. 10, с.1445−1447.
  72. Э.Т. Исследование эффекта каналирования быстрых протонов в монокристаллах и его использование в физике твердого тела. Электронная техника, 1970, вып.4, с.41−44.
  73. .Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М., 1982, -528с., ил.
  74. Электростатические ускорители заряженных частиц / Вальтер А. К., 1елезников Ф.Г., Малышев И. Ф. и др. М., 1963.
  75. Endt P., Van der Ьепп С. Energy levels of A 21−44 Nuclei. -Nucl.Phys., A 214, 1973.
  76. Lauritsen Т., Ajzenberg-Selove P. Energy levels of light Nuclei: A= 5−10. Nucl.Phys., 1966, v.78.
  77. Ядерные реакпди / под ред. Эндта Г. М. и Демёра М. М., 1962, -478с., ил.
  78. О.Ф., Гофман Ю. В. Справочник по ядерной физике. К.: Наукова Думка, 1975.
  79. Andersen Н.Н., Ziegler J. Hydrogen stopping power in all elements.-Oxford, Pergamonpress, 1977, N 3.
  80. A j enberg-S elove P. Energy levels of light nuclei: A = 18−20. Nucl Phys., 1972, A 190.
  81. О раздельном определении концентращи бора и лития в минералах горных пород / Куликаускас B.C. и др.- Атомная энергия, 1975.
  82. А.Д. Неорганические не стехио метрические соединения. -В кн.: Нестехиометрические соединения. М., Химия, 1971, -608с.
  83. Т.И., Спицын В. И. Вольфрамовые и молибденовые бронзы с двумя щелочными элементами. В кн.: Оксидные бронзы.1. М.: Наука, 1982, с.40−75.
  84. Les syatemes WO^-WOg-AgOCA-Li, Na, K) / J.M.Rean, C. Fonassier,
  85. G.be.Flem et al. Rev.Gbim.Miner, 1970, 7, p.975−988.
  86. Ekstrom Т., Tilley R.J.D. The crystal chemistry of the ternary tungsten oxides.- Chemica Scripta, 1980, v.16, p.1−23.
  87. Straumanis M.E., Doctor G.F. The system sodium tungsten «bronze -litium tungsten bronze tungsten (YI) oxide. — J.Am.Chem.Soc., 1951, v.73, P.3492−3496.
  88. P. Нестехиометрия.- M.: Наука, 1974, -288c.
  89. A.H., Калиев К. А., Есина H.O. Получение монокристаллов двуокиси урана электролизом расплавленных солей. -Труды Института электрохимии УВД АН СССР, 1975, вып.22, с.32−36.
  90. С.М. Автореферат кандидатской диссертации. Институт электрохимии, УНЦ Ш СССР, 1981.
  91. К.А., Барабошкин А. Н. Электрокристаллизация оксидных бронз переходных металлов из расплавленных солей. В кн.:
  92. Оксидные бронзы. М.- Наука, 1982, с. 137−175.
  93. М. Дефекты и радиапдонные повреждения в металлах.-Мир, М., 1971, 367с., ил.
  94. Oarstanjen Н. Analysis problems in lattice location studies. Ion beam surface lay.anal. London, 1976, p.497−516.
  95. М. На diation-induced cavities and exfaliation. J.Appl., Phys., 1963, v.34, p.3630−3631.
  96. Bogh E. Defect studies in crystals by means of channeling. Can. J.Phys., 1968, v.46, N 6, p.653−662.
  97. Wiseman P.J., Dickens P.G. Neutron diffraction studies of cubic tungsten bronzes. J. Solid St.Chem., 1976, v. 17, p.91−100.
  98. Расчет некоторых параметров каналирования в кристаллах / Арбузов В. Я., Драгомиров Г. Г., Казак Л. А., Клопдоан И. С. и др. -В кн.: Радиавд онно-сти мулироваиные явления в твердых телах. Вып. З, Свердловск, 1981, с.29−35.
  99. Gemell D.S. Channeling and related effects in the motion of charged pa rticles through crystals. Revs.Mod.Phys., 1974, v.46,1. N I, p.129−227.
  100. Lerikeit K., Wedell R. Analytical description of the resonance de-channeling effect in the case of axial-to-planar channeling transition. Phys.Stat. Sol.(Ъ), 1980, v.98, p.235−241.
  101. Расчет некоторых параметров каналирования в кристаллах / Арбузов В. Я., Драгомиров Г. Г., Казак Л. А. и др.- В кн.: Раднащонно-стимулироваиные явления в твердых телах. Вып. З, Свердловск, 1981, с.29−35.
  102. В.Я., Драгомиров Г. Г. Угловые зависимости выхода -^-частиц и протонов при переходе ось-плоскость в монокристалле N(1qqWty. В кн.: Радиапионно-стабулированные явления в твердых телах. Вып.4, Свердловск, 1982, с.78−81.
  103. Каналирование протонов в кристаллах Мах / Арбузов В. Я., Казак Л. А., Косее А. И. и др.- В кн.: Труды. Ш Свесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. 1., 1984, с.70−74.
  104. ПО. Особенности угловых распределений для кислородной подрешетки в кристаллах Ш3 / Арбузов В. Я., Казак Л. А., Коробейников В. П., Пузанов А. А. В кн.: Тезисы НУ Совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М., 1984, с. 35.
  105. Зависимость потока каналированных частиц от концентрации щелочного металла в монокристаллах М? х / Арбузов В. Я., Бунтов А. Е., Казак Л. А., Клопдан И.С.- М. ВИНИТИ, 1984, деп.3259, с.28−34.
  106. Lattice location study of Li implanted into Be / KaufmannE.N., Vianden R., Jackman Т.Е., McDonald J.R. J.Phys., 1979, v.9, N 2, p.23−27,
  107. Matsunami N., Itoh N. Validity of the continium approximation in calculating the scattering yields atom location. Rad.Eff., 1976, v.31, N I, p.47−52.
  108. Picraux S.T., Brown W.L., Gibson W.M. Lattice location by channeling angular distributions: Biimplanted in Si. Phys.Rev. B: Solis State, 1972, v.6, N 4, p.1382−1394.
  109. Л.К., Шипатов Э. Т. Особенности каналирования заряженных частиц в многоатомных монокристаллах. М. ВИНИТИ, 1975, № 145−76 Деп.
  110. Л.К. Каналирование ионов гелия в титанате свинца. -Изв. вузов. Физика, 1979, & 4, с.107−109.
  111. Taksmori Т., Tomozawa М. Thermal expansion of a cubic sodium tungsten bronze. J.Amer.Ceram.Soc., 1964, v.47, p.472−474.
  112. .К., Фридкин B.M., Иденбом В.Л.- Совеременная кристаллография (в четырех томах), т.2. Наука, М., 1979.
  113. А.Р., Пузанов А. А., Красильникова A.M. Кинетическое уравнение для каналированных ионов в случае многокомпонентных мишенях. В кн.: Тезисы ХЕУ Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М., 1984, с. 9.
  114. Mukherjee S.D. Axial to planar channeling transition in magnesium oxide and other systems. In: Proc. of the YII International Conference on Atomic Collisions in Solids. Moscow, 1981, p.46−49.
  115. Bulgakov Yu.V., Eltekova D.Y., Filatov V.N., Koahevoi I.D., Lenkeit K., Shulga V.I.-Phys. Lett. A68, 355, (1978^.
  116. Исследование угловых распределений при ось-плоскостном переходе в кристаллах / Арбузов В. Я., Казак Л. А., Клоцман И. С., Пузанов А. А. В кн.: Тезисы докладов Н Совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М., 1983-с.30.
  117. В. Кристаллохимия и фазика металлов и сплавов. М., Мир, 1977.1. УТВЕНДО: — л'' Г ' - ^.-rtivty» ч
  118. А УТВЕВЕДАЮ: ШрЪре%эдр по научной работеi£SS I Д 'ЛТШи. та т> лi →0 П в .Г.Лисиенкоi/j1. ГГ//1. АКТ ВНВДРЕШС^--исследовательской работы в народное хозяйство1985 Г.
  119. В результате (указать наименование внедренных мероприятий, в том: ле J-'' авторских свидетельств) проведены экспериментальные исследова-зя структуры и состава монокристаллов вольфрамовых бронз и получен
  120. Расчет годового экономического эффекта произведен в соответств
  121. Pacuo-g уиояойяюасквй эф^ектирносэдг гфй&ар&аогея.
  122. Работа рекомендуется для внедрения на предприятиях в Институте электрохимии УНЦ Ж СССР
  123. Свердловск Рогапринт УПЙ 14.06.84 Тираж 1000 Заказ 679
Заполнить форму текущей работой