Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Микроволновая дисперсия диэлектрической проницаемости водородсвязанных сегнетоэлектриков триглицинсульфата и сегнетовой соли

Диссертация: Микроволновая дисперсия диэлектрической проницаемости водородсвязанных сегнетоэлектриков триглицинсульфата и сегнетовой соли
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Фазовые переходы II рода сопровождаются предпереходными явлениямианомалиями различных физических свойств. Говоря об аномалиях обычно имеют в виду необычную температурную зависимость или величину той или иной характеристики кристалла: теплоемкости, модулей упругости, диэлектрической проницаемости, коэффициента теплового расширения и т. д. вблизи точки перехода по сравнению с той, которая имела… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. СОВРЕМЕННЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О МИКРОВОЛНОВОЙ ДИСПЕРСИИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ ВОДОРОДСВЯЗАННЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ
    • 1. 1. Сегнетоэлекгрический фазовый переход и концепция мягкой моды
    • 1. 2. Водородсвязанные сегнетоэлектрики
    • 1. 3. Физические свойства и микроволновая дисперсия водородсвязанных сегнетоэлектриков
      • 1. 3. 1. Триглицинсульфат
      • 1. 3. 2. Сегнетова соль
  • ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ТЕМПЕРАТУРНО-ЧАСТОТНЫХ ЗАВИСИМОСТЕЙ МИКРОВОЛНОВОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ КРИСТАЛЛОВ ТГС
    • 2. 1. Волноводный метод измерения диэлектрической проницаемости
    • 2. 2. Экспериментальная установка для измерения диэлектрической проницаемости
    • 2. 3. Температурно-частотные зависимости диэлектрической проницаемости триглицинсульфата
  • Выводы к главе 2
  • ГЛАВА 3. МЕХАНИЗМ МИКРОВОЛНОВОЙ ДИСПЕРСИИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ ТРИГЛИЦИНСУЛЬФАТА
    • 3. 1. Обсуждение механизма микроволновой дисперсии триглицинсульфата
    • 3. 2. Механизм поляризации, обусловленный движением свободных носителей
    • 3. 3. Влияние «пролетных эффектов» на высокочастотную проводимость
    • 3. 4. Протонный транспорт и динамическая проводимость кристаллов триглицинсульфата
  • Выводы к главе 3
  • ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ДИНАМИКИ РАЗУПОРЯДОЧЕНИЯ ПРОТОННОЙ ПОДСИСТЕМЫ В ВОДОРОДСВЯЗАННЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ
    • 4. 1. Механизм микроволновой дисперсии сегнетовой соли
    • 4. 2. Диэлектрический отклик разупорядочивающейся подрешетки
    • 4. 3. Влияние температуры на динамические характеристики системы
    • 4. 4. Температурно-частотная трансформация микроволновых диэлектрических спектров сегнетовой соли
  • Выводы к главе 4

Микроволновая дисперсия диэлектрической проницаемости водородсвязанных сегнетоэлектриков триглицинсульфата и сегнетовой соли (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Сегнетоэлектрики — материалы, обладающие в определенной области температур спонтанной электрической поляризацией, широко используются в различных областях современной техники. Их эффективное применение в устройствах твердотельной электроники обусловлено большими, по сравнению с обычными диэлектриками, величинами пьезоэффекта, электрои пьезооптических коэффициентов, нелинейной восприимчивости, пироэлектрического эффекта, диэлектрической проницаемости и др.

На основе сильного пироэлектрического эффекта — зависимости величины спонтанной поляризации от температуры сегнетоэлектрика — создан тепловой приемник излучения — пироэлектрический. Сильная зависимость диэлектрической проницаемости сегнетоэлектриков от температуры использована в чувствительных сегнетоэлектрических устройствах — болометрах. Зависимость диэлектрической проницаемости сегнетоэлектриков от напряженности электрического поля позволяет конструировать различные нелинейные диэлектрические элементы радиотехнических устройств, в том числе и СВЧ диапазона, — параметрических усилителей, фазовращателей, детекторов и измерителей мощности, диэлектрических резонаторов и др.

С научной точки зрения изучение механизма сегнетоэлектрических явлений важно для выяснения природы и характера межатомных взаимодействий в кристаллах, для развития теории фазовых переходов, теории диэлектриков и вообще физики твердого тела.

Известно большое число сегнетоэлектрических кристаллов, содержащих в своей структуре водородные связи или молекулы кристаллизационной воды. Довольно слабые, по сравнению с другими типами связей (ионные, ковалентные, металлические), водородные связи легко разрываются под действием ионизирующих излучений, электрического поля или резкого перепада температур. На практике это означает изменение электрических и физических свойств вещества (у кристаллов — вплоть до разрушения), гибель живой клетки.

Вопрос о роли протонной подрешетки в создании сегнетоэлектрического состояния до сих пор остается открытым, т.к. структурные исследования пока не подтверждают непосредственного участия диполей водородных связей в спонтанной поляризации. Считается [1], что водородные связи не дают непосредственного вклада в спонтанную поляризацию кристалла, если они направлены под углом близким к 90° к направлению спонтанной поляризации, вызванной смещениями других ионов. Но упорядочение протонов на водородных связях является как бы «спусковым механизмом» фазового перехода.

Интерес к исследованию механизма сегнетоэлектрического фазового перехода в водородсвязанных сегнетоэлектриках обусловлен также прикладными задачами, поскольку в последнее десятилетие активно обсуждаются вопросы пиро-и сегнетоэлектричества в живой природе [2]. Существуют экспериментальные результаты, подтверждающие факт наличия спонтанной поляризации в отдельных живых системах. Например, живой эпидермис человека, животного и растения представляет собой пироэлектрический сенсор на поверхности живого организма, а нервная клетка обладает спонтанной поляризацией. В работах [3, 4] было высказано предположение о сегнетоэлектрической природе ионных каналов, осуществляющих ионный транспорт через биологические мембраны, и предложена модель работы ионных каналов как фазовый переход сегнетоэлекгрик — суперионный проводник.

При структурных фазовых переходах П рода типа порядок-беспорядок изменение симметрии происходит в результате перераспределения частиц по ранее равновероятным положениям. Как правило сегнетоэлектрические кристаллы с фазовым переходом типа порядок-беспорядок обладают довольно сложной кристаллической структурой. Упорядочение происходит в определенной подрешетке, но вызывает смещение атомов других подрешеток. При этом спонтанная поляризация может определяться смещениями ионов, вовсе не относящихся к упорядочивающейся подрешетке.

Фазовые переходы II рода сопровождаются предпереходными явлениямианомалиями различных физических свойств. Говоря об аномалиях обычно имеют в виду необычную температурную зависимость или величину той или иной характеристики кристалла: теплоемкости, модулей упругости, диэлектрической проницаемости, коэффициента теплового расширения и т. д. вблизи точки перехода по сравнению с той, которая имела место вдали от перехода. Особенно важно то, что фазовые переходы II рода часто сопровождаются возникновением нового физического. качества у системы: сверхпроводимости, ферромагнетизма, сегнетоэлектричества, сверхтекучести и т. д., делающего объект исследования привлекательным не только с фундаментально-научной, но и с прикладной точки зрения.

В водородсвязанных сегнетоэлектриках в области фазового перехода отмечается дисперсия диэлектрической проницаемости, которая простирается до микроволнового диапазона. На низких частотах преобладает доменный механизм спонтанной поляризации, который позволяет описать аномальное поведение статической диэлектрической проницаемости в области фазового перехода: диэлектрическая проницаемость кристалла вдоль полярной оси зависит от температуры по закону Кюри-Вейсса — в точке фазового перехода диэлектрическая проницаемость обращается в бесконечность (или обратная диэлектрическая проницаемость обращается в нуль).

В микроволновом диапазоне в окрестности температуры фазового перехода наблюдается аномальное поведение температурных и частотных зависимостей диэлектрической проницаемости водородсвязанных сегнетоэлектриков типа порядок-беспорядок. Так, например, в кристаллах триглицинсульфата (ТГС) [5], сегнетовой соли [6, 7], RbHSCU [8] на температурной зависимости действительная часть диэлектрической проницаемости е' при температуре фазового перехода появляется острый минимум (у ТГС на частоте ~2,5 ГГц [5], у сегнетовой соли на 3 ГГц [6, 7], у RbHS04 — с 3 ГГц [8]).

В настоящее время считается, что высокочастотная сегнетоэлектрическая дисперсия обусловлена мягкой модой — температурно-неустойчивым возбуждением решетки, а сегнетоэлектрический фазовый переход рассматривается как результат неустойчивости кристалла по отношению к мягкой моде. В качестве экспериментальных методов обнаружения мягких мод используют инфракрасную, субмиллиметровую, микроволновую спектроскопию. Но как показали многочисленные исследования, у большинства водородсвязанных сегнетоэлектриков, в частности, сегнетовой соли и триглицинсульфата, «динамика кристаллической решетки при сегнетоэлектрическом фазовом переходе очень многообразна и по своим проявлениям выходит за рамки традиционных представлений о мягкой моде» [9].

При обсуждении механизма микроволновой дисперсии водородсвязанных сегнетоэлектриков, как правило, не делают акцента на наличие в их структуре водородных связей и не затрагивают вопрос о том, что эта дисперсия может отражать процессы, происходящие в протонной подсистеме кристалла. Но необходимо обратить внимание на следующие факты. Частоты, определяемые характерными временами жизни водородной связи лежат в этом диапазоне. В микроволновом диапазоне находится дисперсия диэлектрической проницаемости воды, молекулы которой связаны в единую трехмерную сетку водородных связей [10]. В данном случае откликом на внешнее воздействие является отклик водородных связей, их поляризация под действием внешнего поля. Согласно [10], среднее время между последовательными разрывами водородной связи в воде составляет 9−10″ 12 с. Характерные времена движения протонов вдоль цепочек водородных связей имеют порядок 10″ 12 сек для водородных связей типа 0. Н-0 и на два порядка меньше (Ю" 10 сек) для связей типа О. Н-К [11, 12]. Поэтому в микроволновой диэлектрической проницаемости может присутствовать вклад поляризации, связанной с протонным транспортом.

На наш взгляд, идентичность особенностей микроволновых диэлектрических спектров водородсвязанных сегнетоэлектриков приводит к выводу, что их сегнетоэлектрическую дисперсию нужно анализировать с единых позиций, основываясь на общем элементе структуры — водородных связях. В частности, минимум на температурных зависимостях е'(Т) наблюдается на близких частотах, это говорит о том, что процессы, происходящие в этих кристаллах имеют одинаковую природу.

В настоящей работе была исследована микроволновая дисперсия диэлектрической проницаемости водородсвязанных сегнетоэлектриков триглицинсульфата и сегнетовой соли. Данные кристаллы были выбраны по нескольким причинам. Несмотря на очень разную структуру и свойства, эти кристаллы обнаруживают идентичные особенности в поведении микроволновой сегнетоэлектрической дисперсии. Температуры фазовых переходов этих сегнетоэлектриков близки к комнатной, что значительно облегчает проведение измерений, а. также по сравнению с другими представителями этого класса кристаллов накоплен широкий экспериментальный материал, хотя порой очень спорный.

Целью данной работы явилось изучение роли протонной подрешетки в механизме микроволновой дисперсии диэлектрической проницаемости водородсвязанных сегнетоэлектриков типа порядок-беспорядок на примере двух типичных представителей этого класса кристаллов триглицинсульфата и сегнетовой соли и разработка механизмов, определяющих наблюдаемую дисперсию.

Актуальность поставленных задач обусловлена противоречивостью имеющихся экспериментальных данных о микроволновой дисперсии диэлектрической проницаемости исследуемых сегнетоэлектриков и отсутствием единого мнения о механизме дисперсии.

Научная новизна работы заключается в следующем:

Впервые анализ микроволновой дисперсии водородсвязанных сегнетоэлектриков осуществляется с единых позиций — с точки зрения наличия общего элемента структуры — водородных связей.

Предложен новый механизм микроволновой дисперсии диэлектрической проницаемости водородсвязанных сегнетоэлектриков, основанный на представлении об одновременном присутствии двух процессов: реорганизации протонной подрешетки и скачкообразного движения протонов вдоль реорганизующейся подрешетки.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Экспериментальные результаты, обнаружившие у кристаллов триглицинсульфата в окрестности температуры фазового перехода АТ=±30°С наличие второго дополнительного максимума на частотной зависимости диэлектрических потерь и уменьшение действительной части диэлектрической проницаемости ниже уровня ИК вклада.

2. Новый подход к анализу микроволновой дисперсии диэлектрической проницаемости водородсвязанных сегнетоэлектриков, основанный на наличии общего элемента структуры — водородных связей.

3. Механизм микроволновой дисперсии диэлектрической проницаемости водородсвязанных сегнетоэлектриков, основанный на одновременном присутствии в окрестности температуры фазового перехода двух процессов: реорганизации элементов протонной подрешетки и быстрого транспорта протонов вдоль реорганизующейся структуры.

4. Механизм протонного транспорта, представляющего скачкообразное движение протонов, время прыжка которых соизмеримо с периодом микроволнового излучения.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы. В первой главе дан обзор современных представлений о микроволновой дисперсии водородсвязанных сегнетоэлектриков (концепция мягкой моды), особое внимание уделено исследуемым кристаллам триглицинсульфату и сегнетовой соли.

Основные результаты работы можно сформулировать следующим образом:

1. Проведены экспериментальные измерения диэлектрической проницаемости ТГС в диапазоне частот 10−50 ГГц и температурном интервале 20 -100 °С на кристаллах различной толщины и степени совершенства. Обнаружено, что у совершенных кристаллов вблизи фазового перехода действительная часть диэлектрической проницаемости е' достигает отрицательных значений, в то время как у дефектных кристаллов е' не опускается ниже уровня ет.

2. Обнаружено, что частотные зависимости диэлектрических потерь совершенных кристаллов триглицинсульфата имеют дополнительный максимум, а действительная часть диэлектрической проницаемости опускается ниже уровня ИК вклада в окрестности температуры фазового перехода АТ = ±30 °С в частотном диапазоне 35 -40 ГТц.

3. Проведена аппроксимация температурно-частотных диэлектрических спектров сегнетовой соли на основании модели динамической проводимости разупорядочивающейся подрешетки. Показано, что резонансный отклик при гелиевых температурах трансформируется в смешанный отклик демпфированного осциллятора и проводящей системы в окрестности температуры фазового перехода.

4. По температурным зависимостям параметров динамической модели определены энергии активации, которые совпали со значениями, полученными из статической проводимости. Полученные значения энергий активации соотнесены с двумя процессами: реориентацией элементов протонной подрешетки вдали от фазового перехода (Еа ~ 0,2 эВ) и прыжковой проводимостью вблизи фазового перехода (Еа ~ 0,9 эВ).

5. Предложенный механизм микроволновой дисперсии водородсвязанных сегнетоэлектриков, основанный на представлении об одновременном присутствии двух процессов: реорганизации протонной подрешетки и скачкообразного движения протонов вдоль реорганизующейся подрешетки, позволил объяснить экспериментально наблюдаемую микроволновую дисперсию.

6. Предложен механизм прыжковой проводимости протонов, основанный на том, что время скачка соизмеримо с периодом внешнего поля. Показано, что это приводит к частотно зависимой проводимости системы и дополнительному поглощению энергии микроволнового излучения.

Считаю своим приятным долгом выразить огромную благодарность и признательность моим научным руководителям Галине Ивановне Овчинниковой и Александру Николаевичу Сандалову за чуткое руководство и постоянную помощь в работе.

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. .А., Леванюк А. П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. М.: Наука, Физматлит, 1995. — 304 с.
  2. Г. А. Полимерные пьезоэлектрики. М.: Химия, 1990. 175 с.
  3. H.R. // Proc. Intern. Sympos. Application of Ferroelectrics. Urbana, Illinois, 1990.
  4. B.C. Современные модели ионных каналов биологических мембран. // Изв. РАН, сер. физич. 1997. — Т. 61. — № 12. — С. 2421−2430.
  5. Л.П., Поплавко Ю. М. Дисперсия диэлектрической проницаемости триглицинсульфата в окрестности фазового перехода. // Кристаллография. 1973. -Т. 18.-Вып. 4.-С. 784−787.
  6. Sandy F., Jones R.V. Dielectric relaxation of rochell salt. // Phys. Rev. 1968. — V. 168. -№ 2.-P. 481−493.
  7. Ю.М., Мериакри B.B., Переверзева Л. П., Алешечкин В. Н., Молчанов В. И. Исследование диэлектрических свойств сегнетовой соли на частотах 1 Гц 300 ГГц. // ФТТ. — 1973. -Т. 15. — № 8. — С. 2515−2518.
  8. Т. // J. Phys. Soc. Jap. 1980. — V. 49. — P. 234.
  9. A.A., Козлов Г. В., Пецелт Я. Новое о мягких модах в классических сегнетоэлектриках. // Изв. АН СССР, сер. физич. 1987. — т.51. — N12. — С.2202−2207.
  10. В.И. Вода, движение молекул, структура, межфазные процессы и отклик на внешнее воздействие. М.: «Агар», 1996. 86 с.
  11. Zundel G., Brzezinski В. Proton Polarizability of Hydrigen Bonded Systems due to Collective Proton Motion. // Proton Transfer in Hydrogen-Bonded Systems / Edited by T.Bountis. Plenum Press. — 1992. — P. 153−166.
  12. Zundel G. Hydrigen-Bonded Systems with Large Proton Polarizability due to Collective Proton Motion as Pathways of Protons in Biological Systems. // Electron and Proton Transfer in Chemistry and Biology. Elsevier, London, 1992. — P. 313−327.
  13. Hill R. M, Ichiki S.K. Polarization Relaxation in Triglycine Sulphate above Curie Temperature. // Phys. Rev. 1962. — V. 128. — P. 1140−1145.
  14. Luther G. Dielectric dispersion of ferroelectric tryglycine sulphate in the microwave range. // Phys. Stat. Sol.(a). 1973. — V. 20. — P. 227.
  15. С.В. Особенности дисперсии диэлектрической проницаемости триглицинсульфата в области фазового перехода. // ФТТ. 1978. — Т. 20. — № 6. — С. 1612−1615.
  16. Л.П., Поплавко Ю. М., Мериакри В В., Ушаткин Е. Ф., Огурцов С. В., Ящишин П. И. Частотные спектры триглицинсульфата в интервале температур 80 380 К. // Укр. физ. журнал. 1974. — Т. 19. — № 10. — С. 1688−1696.
  17. В.Н., Горохов Ю. В., Девятков М. Н., Дьяконов Г. И., Овчинникова Г. И. СВЧ диэлектрическая проницаемость в совершенных и несовершенных кристаллах триглицинсульфата. // ФТТ. 1986. — Т. 28. — Вып. 8. — С. 2550−2552.
  18. Ovchinnikova G.I., Korosteleva J.F. Hydrogen bonds and ionic conductivity in microwave spectra of ferroelectrics. // Proc. of the IMF8, 1993, Washington.
  19. Ovchinnikova G.I., Korosteleva J.F. Ionic conductivity as the mechanism of microwave absorption by biological membranes. // Proc. of the EUROEM, Bordeaux France, 1994.
  20. Г. И., Гаврилова Н.Д., JIotohob A.H., Коростелева Ю. Ф. Ионный транспорт в кристаллах сегнетовой соли в микроволновых спектрах и статической проводимости. // VI Всерос. школа-семинар «Физика и применение микроволн», 1997.
  21. Г. И., Коростелева Ю. Ф. Новая интерпретация микроволновой дисперсии водородсвязанного сегнетоэлектрика триглицинсульфат. // VIII Всерос. школа-семинар «Физика и применение микроволн», 1999.
  22. Г. И., Коростелева Ю. Ф., Сандалов А. Н. Микроволновые диэлектрические спектры триглицинсульфата. // ФТТ. 1993. — Т. 35. — № 9. — С. 2542−2547.
  23. Г. И., Коростелева Ю. Ф. Механизм поглощения микроволнового излучения биологическими мембранами. // Биофизика. 1994. — Т. 39. — Вып. 3. — С. 485−489.
  24. Г. И., Гаврилова Н.Д., JIotohob А.Н., Коростелева Ю. Ф., Сапронова А. В. Ионный транспорт в кристаллах сегнетовой соли в микроволновых спектрах и в статической проводимости. //Изв. РАН, сер. физич. 1997. — Т. 61. — № 12.-С. 2431−2438.
  25. Cochran W. Crystal stability and the theory of ferroelectricity. // Adv. Phys. 1960. — V. 9.-№ 33.-P. 387−423.
  26. П. Качественные соображения относительно статики фазового перехода в сегнетоэлектриках типа ВаТЮз. // Физика диэлектриков. Изд-во АН СССР, 1960. — С. 290−296.
  27. Р., Жекш Б. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. М.: Мир, 1975. -243 с.
  28. J.M. //Phys. Rev. 1964. — V. 134. — P. 429−433.
  29. A.S., Tinkham M. // J. Chem. Phys. 1963. — V. 38. — P. 2257−2264.
  30. A.S. // Proc. NATO advanced study Institute Netherland. 1968. — P. 214−219.
  31. А., Григас Й., Калесинкас В. Микроволновая диэлектрическая спектроскопия мягких мод в сегнетоэлектриках. // Изв. АН СССР, сер физич. 1987. -Т. 51.-№ 12.-С. 2196−2201.
  32. И.С. Основы сегнетоэлектричества. М.: Атомиздат, 1973. — 256 с.
  33. Д. Биохимия. М.: Мир, 1980. Т. 1. — 408 с.
  34. А.С. Некоторые вопросы кристаллохимии сегнетоэлектриков с водородными связями. Сегнетоэлектрики. Ростов: РГУ, 1962. — 255 с.
  35. В.Т., Miller С.Е., Remeika J.R. // Phys. Rev. 1959. — V.104. — P.849−851.
  36. Г. А. и др. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Л.: Наука, 1971.-476 с.
  37. Ф., Широне Д. Сегнетоэлектрические кристаллы. М.: Мир, 1974. — 452 с.
  38. ГавриловаН.Д., НиколайчикВ.Ю., ТихомироваН.А. //Кристаллография. 1984. — Т. 29. — № 5. — С. 1032−1034.
  39. А.П., Сигов А. С., Собянин А. А. // Тезисы докладов IX Всесоюзн. совещ. по сегнетоэлектричеству. Ростов-на-Дону, 24−26 сент. 1979. — Т. 1. — С. 4.
  40. М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М.: Мир, 1981.
  41. A., Stern E. // Journ. Appl. Phys. I960. — V. 31. — P. 345.
  42. E., Furuichi M. // Journ. Phys. Soc. Japan. 1960. — V. 15. — P. 2101−2104.
  43. Hill R. M, Ichiki S.K. High-Frequency Behavior of Hydrogen- Bonded Ferroelectrics: Triglycine Sulphate and KD2P04. // Phys. Rev. 1963. — V. 132. — P. 1603−1611.
  44. П. Избранные труды. М.: Наука, 1987.
  45. К., Matsubara Т. // Progr. Theor. Phys. -1967. V. 37. — P. 637−640.
  46. Ishibashi Y" Sawada A., Takagi V. // J. Phys. Soc. Japan. 1970. — V. 28. — P. 14 881 492.
  47. Luther G., Muzer H.E. Zum dielektrischen Verhalten von Triglyzinsulfat im Bereich von 0.5 bis 4.5 GHz. //Zeitschrift fur Naturforschung. 1969. — V 24A. — P. 389−392.
  48. Luther G., Muzer H.E. Zur Mikrowellendisprsion von Ferroelektrika in unmittelbarer Nahe der Umwandlungspunktes. // Zs. Angew. Phys. 1970. — V 29. — P. 237−240.
  49. B.M. Частотные спектры триглицинсульфата. //Кристаллография. 1961. — № 6. — С. 632−635.
  50. Nakamura Е. Measurement of Microwave Dielectric Constants of Ferroelectrics. Part II. Dielectric Constants and Dielectric Losses of NaNCh and (Glycine)-H2S04. // Journ. Phys. Soc. Japan. 1962. — V. 17. — P. 961−966.
  51. A.C., Горбач С. С. Диэлектрические потери монокристаллов триглицинсульфата. // Изв. АН СССР, сер. физич. Т. 29. — 1965. — С. 1996−1999.
  52. Ю.М., Соломонова Л. П. Диэлектрическая релаксация в кристаллах триглицинсульфата. // ФТТ. 1966. — № 8. — С. 2455−2459.
  53. O’brien E.J., Litovitz Т.А. Ultrasonic Relaxtion near the Curie Temperature of Ferroelectric Triglycine Sulphate. // Journ. Appl. Phys. 1964. — V. 35. — P. 180−186.
  54. Unruh H.G., Wahl H.J. Critical Slowing Down at Ferroelectric Transition. // Phys. status solidi (a). 1972. — V. 9a. — P. 119−125.
  55. Л.П., Поплавко Ю. М., Мериакри B.B., Ушаткин Е. Ф., Огурцов С. В., Ящишин П. И. // ФТТ. 1973. — Т. 15. — С. 1250−1254.
  56. С.В., Поплавко Ю. М. Динамика глициновых молекул в кристаллах группы ТГС. // Материалы 4-ой Республиканской школы-семинара «Спектроскопия молекул и кристаллов», Черновцы, 1979. Киев, 1980. — Ч. 2. — С. 18−26.
  57. A.A., Козлов Г. В., Лебедев С. П., Чернышев И. М. Субмиллиметровые диэлектрические спектры триглицинсульфата. // Краткие сообщения по физике. -1980. № 5. — С. 39−45.
  58. A.A., Гончаров Ю. Г., Козлов Г. В., Лебедев С. П. Динамические свойства сегнетоэлектриков. // Субмиллиметровая и диэлектрическая спектроскопия твердого тела. Труды ИОФАН. М: Наука, 1990. — Т. 25. — С. 52−111.
  59. Jonscher А.К. Universal relaxtion law. London, Chelsea Dielectrics Press, 1996. — 412 P
  60. И.В. Сегнетоэлектрики. В 2 т. М.: Наука, 1983, — Т. 1. 340 с.
  61. Frazer B.C., McKeown М., Pepinsky R. // Phys. Rev. -1954. V. 94. — P. 1435−1440.
  62. Mazzi F., lona F., Pepinsky R., // Z. Krist. 1957. — V. 108. — P. 359−364.
  63. Л.П. Проявление динамических свойств в дисперсии диэлектрической проницаемости водородсодержащих сегнетоэлектриков. // Механизмы релаксационных явлений в твердых телах. Каунасе: Изд-во АН ЛитССР, 1974. С. 223−227.
  64. Jackle W. HZ. angew. Phys. 1960. — V. 12. — P. 148−153.
  65. P., Blum W., Deyda H. // Z. fur physik. 1964. — V. 180. — P. 96−99.
  66. A.A., Козлов Г. В., Лебедев С. П. Диэлектрическая релаксация в кристаллах дейтерированной сегнетовой соли. // ФТТ. 1982. — Т. 24. — № 2. — С. 555 561.
  67. Л.П., Молчанов В. И., Кузнецов Л. М. Диэлектрический спектр сегнетовой соли в окрестности 200 К. // Диэлектрики и полупроводники. Киев: Изд-во Киевского ун-та. 1987. — Т. 31. — С. 5−8.
  68. A.A., Козлов Г. В., Лебедев С. П. Субмиллиметровые диэлектрические спектры сегнетовой соли. // ЖЭТФ. 1980. — Т. 79. — Вып. 4(10). — С. 1430−1437.
  69. A.A., Козлов Г. В., Крюкова Е. Б., Собянин A.A. О динамике фазовых переходов в кристаллах сегнетовой соли. // ФТТ. 1986. — Т. 28. — С. 797−802.
  70. ИВ. Техника и приборы СВЧ. В 2 т. М.: Высшая школа, 1970. — Т.1.
  71. А. Метод резонанса короткозамкнутого отрезка линии передачи для СВЧ исследований сегнетоэлектриков. Рига: Изд-во ЛГУ им. П. Стучки, 1982. — 108 с.
  72. И.В., Шнитников A.C. Интегральная техника СВЧ. М.: Московский энергетический институт, 1984. — 84с.
  73. В.И., Герштейнс Г. М. Введение в радиофизику. М.: Высшая школа, 1957.-С.143−144.
  74. В.Д. Методы измерения на СВЧ с применением измерительной линии.- М.: Сов. радио, 1980. 183 с.
  75. В.А., Taraskin S.A., Minaeva K.A., Fedorikhin V.A. // Ferroelectrics. -1980. -V. 25. № 1−4. — P. 399−402.
  76. Г. И. Поверхностные и объемные диэлектрические СВЧ характеристики триглицинсульфата: Дис. канд. физ.-мат. наук. М., 1985. — 159 с.
  77. Jonscher А.К. A new understanding of the dielectric relaxation of solids. // J. materials sei. -1981. V. 16. — P. 2037−2060.
  78. Л. А., Лукьянов С. Ю. Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях. М.: Наука, 1978. — 224 с.
  79. Л.А. Элементарная физика плазмы. М.: Атомиздат, 1969. — 192 с.
  80. В.М. Возбуждение электромагнитных колебаний и волн электронными потоками. Гостехиздат, 1953. — 154 с.
  81. Л.Д., Лифшиц Е. М. Электродинамика сплошных сред. М.: Наука, 1982.- 624 с.
  82. И.Д., Цаль H.A., Романюк H.H. Термическая стойкость кристаллов группы триглицинсульфата. // Кристаллография. 1989. — Т. 34. — Вып. 4. — С. 985 988.
  83. Funke К. Complex Conductivity of Solid Electrolites in the Microwave Range. // Phys. Lett. 1975. — V. 53A. — № 3. — P. 215−216.
  84. A.H., Хургин Ю. И. Механизм обмена протонов молекулами воды гидратных оболочек молекул NH3 и HF в процессе образования ими ионной пары. // Изв. АН СССР. Сер. химич. 1991. — № 4. — С. 817−822.
  85. Pomes R., Roux В. Structure and dynamics of a proton wire: a theoretical study of tT translocation along the single-file water chain in the gramicidin A channel. // Biophysical Journal. 1996. — V. 71. — P. 19−39.
  86. Ovchinnikova G.I., Gavrilova N.D. Ionic transport and microwave spectra of TGS crystals. // Ferroelectrics. 1995. -V. 167. — P. 129−135.
  87. Ovchinnikova G.I., Kutyshenko A.V., Gavrilova N.D. Ferroelectric-superionically conducting phase transition via NMR. // Ferroelectrics. 1999. — V. 220. — P. 243−248.
  88. Baranov A.I., Merinov B.V., Tregubchenko A.V., Khiznichenko V.P., Shuvalov L.A., Schagina N.M. Fast proton transport in crystals with a dynamically disordered hydrogen bond network. // Solid State Ionics. 1989. — V. 36. — P. 279−282.
  89. Baranov A.I., Khiznichenko V.P., Shuvalov L.A. High temperature phase transiton and proton conductivity in some KDP family crystalls. // Ferroelectrics. 1989. — V. 100. — P. 135−141.
  90. Gavrilova N.D., Ovchinnikova G.I. Ionic Transport and Microwave Spectra of TGS Crystals. // International Seminar on Superprotonic Conductors, June, 1993, Dubna.
  91. Grigas J. Microwave Dielectric Spectroscopy of Ferroelectrics and Related Materials. // Ferroelectricity and Related Phenomena. 1996. — V. 9. — 336 p.
  92. Colomban Ph. Proton transfer and superionic conductivity in solids and gels. // J. Mol. Structure. 1988. — V. № 177. — P. 277−308.
  93. Л.Д., Лифшиц Е. М. Статистическая физика. М.: Наука, 1976. — 568 с.
  94. Takagi Y. Derivation and Characteristics of a Generalized Form of Susceptibility Used in the Analysis of Raman Line Shape for an Overdamped Mode. // J. Phys. Soc. J. 1979 -V. 47. — № 2. — P. 567−575.
  95. Hashizume N. A Statistical Theory of Linear Dissipative Systems. I. // Progr. Theor. Phys. 1952. — V. 8. — № 4. — P. 461−478.
  96. Hashizume N. A Statistical Theory of Linear Dissipative Systems. П. // Progr. Theor. Phys. 1956. — V. 15. — № 4. — P. 369−413.
  97. Silverman B.D. Collision-Broanded Phonon Line Shape in the Overdamped or Hydrodynamic Regime. // Phys. Rev. B. -1974. V. 9. — № 1. — P. 203−208.
  98. A.A., Козлов Г. В., Лебедев С. П., Ракитин A.C. Феноменологическая модель динамической проводимости суперионных проводников. // ФТТ. 1990. — Т. 32. -№ 2. — С. 1−9.
  99. Angell A.C. Fast Ion Motion in Glassy and Amorphous Materials. // Sol. St. Ionics. -1983. -V. 9−10-P. 3−16.
  100. Strom U., Taylor P.C. Contact-Free Conductivity of Layered Materials. // J. Appl. Phys. 1979. — V. 50. — № 9.. p. 5761.
  101. Физика суперионных проводников. Под ред. М. Б. Саламона. Рига: Зинатне, 1982.-315 с.
  102. В.Н. Химическая диффузия в твердых телах. М.: Наука, 1989. — С. 208.
  103. В.Л. Кинетика фононных систем. М.: Наука, 1980, С. 107−112.
  104. A.C. Динамика ионного транспорта в твердых электролитах: Дис. канд. физ.-мат. наук. -М., 1990. 155 с.
  105. С.П., Лундин А. Г. Внутренняя подвижность в твердом теле. -Новосибирск: Наука, 1986. 176 с.
  106. С.П., Ржавин А. Ф. Ядерный магнитный резонанс в кристаллогидратах и гидратированных белках. Новосибирск: Наука, 1978. — 160 с.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?