Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Особенности воздействия милли-и наносекундного лазерного излучения на полупроводниковые материалы твердотельной электроники

Диссертация: Особенности воздействия милли-и наносекундного лазерного излучения на полупроводниковые материалы твердотельной электроники
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Лазерная техника в настоящее время получила признание как одно из наивысших научно-практических достижений человечества. Лазеры имеют множество областей применения, среди которых особое место принадлежит лазерным технологиям в твердотельной электронике. Технологические процессы, связанные с лазерным воздействием, протекают в экстремальных условиях: чрезвычайно высокие температуры, громадные… Читать ещё >

Содержание

  • 1. Тепловая модель нагрева полупроводников лазерным излучением
    • 1. 1. Возможности лазерных методов эпитаксии и отжига полупроводников
    • 1. 2. Твердофазная кристаллизация полупроводниковых слоев под действием лазерного излучения
    • 1. 3. Лазерная жидкофазная кристаллизация полупроводников
    • 1. 4. Лазерные методы формирования новых структурных модификаций материалов

Особенности воздействия милли-и наносекундного лазерного излучения на полупроводниковые материалы твердотельной электроники (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность работы'. Доминирующим физическим механизмом, определяющим характер изменения свойств сильнопоглощающих сред при взаимодействии с мощным электромагнитным излучением, является нагрев вещества при поглощении энергии излучения. Именно с тепловыми явлениями связаны процессы импульсного лазерного отжига.

Лазерная техника в настоящее время получила признание как одно из наивысших научно-практических достижений человечества. Лазеры имеют множество областей применения, среди которых особое место принадлежит лазерным технологиям в твердотельной электронике. Технологические процессы, связанные с лазерным воздействием, протекают в экстремальных условиях: чрезвычайно высокие температуры, громадные плотности мощности, сверхмалые области протекания процессов. В лазерных микротехнологиях все эти факторы сочетаются одновременно.

Применение лазерного излучения в технологических процессах изготовления твердотельных электронных приборов позволяет решить такие важные в практическом плане задачи, как формирование приповерхностных полупроводниковых слоев соответствующего качества, получение новых структурных модификаций кристаллов, изготовление приборных структур и другие.

При формировании лазерными технологиями изделий микрои на-ноэлектроники возникает ряд’структурных дефектов на поверхности кристаллов, таких как аморфизация приповерхностных слоев, дислокационные скопления, микротрещины, ячеистая структура, лунки отдельных проплавов, испарение легирующей примеси и другие, что отрицательно, в основном, влияет на параметры этих изделий.

Образование структурных несовершенств при импульсном лазерном воздействии на полупроводники зависит от параметров излучения, управляя которыми можно получить качественные полупроводниковые слои.

Исходя из этого, изучение закономерностей структурных изменений в поверхностном слое полупроводниковых материалов при воздействии миллии наносекундного импульсного лазерного излучения является актуальной задачей для твердотельной электроники.

Цель настоящей работы состоит в исследовании и получении новых данных по структурообразованию в поверхностных слоях материалов твердотельной электроники Si, Ge, InSb, CdTe, CdSb, HgTe под воздействием импульсного излучения неодимого и рубинного лазеров миллии на-носекундной длительности.

Для достижения поставленной цели потребовало постановки и решения следующих задач: создание аппаратуры и методик исследования динамики процессов, сопровождающих импульсное лазерное воздействиеисследование динамики процессов нагрева полупроводников импульсами лазерного излучениявыявление особенностей кристаллизации и морфологии поверхности полупроводниковых материалов в условиях импульсного лазерного воздействияустановление закономерностей перераспределения легирующих примесей в поверхностном слое полупроводников при лазерной обработке.

Научная новизна диссертационной работы определяется методами и подходами решения проблемы, а также следующими результатами, которые получены впервые:

— морфология поверхности Si и Ge определяется плотностью энергии импульсного лазерного излучения. Однородно перекристаллизованные слои формируются только при превышении критической плотности энергии импульса;

— уменьшение микронапряжений в полупроводниковом соединении CdTe за счет применения двух лазеров с различными спектральными, энергетическими и временными характеристиками;

— закономерности процесса диссоциации полупроводникового соединения HgTe при плотностях энергии лазерного излучения от 2 до 80 Дж/см2;

• - зависимость образования ячеистой структуры и ее геометрии от давления остаточного газа в рабочей камере и параметров лазерного облучения. При давлении ниже 10~4 Па ячеистая структура не образуется;

— зависимость распределения концентрации легирующей примеси (Ga, Sn, Bi) в поверхностном слое Si и Ge от параметров лазерного воздействия. При миллисекундном импульсе распределение примеси подчиняется закономерностям, характерным для равновесных условий, а при наносе-кундном — определяется возникновением неравновесных эффектов;

— формирование на поверхности Si и Ge эпитаксиальных слоев с концентрацией электрически активной примеси, превышающей равновесную, при лазерном облучений миллии наносекундными импульсами.

Полученные результаты могут иметь применения на практике. Разработанные аппаратура и методики импульсного лазерного воздействия на монокристаллические полупроводниковые материалы в миллии нано-секундном диапазонах позволяют получать поверхностные слои с заданными свойствами и структурным совершенством.

Предложенные режимы лазерного воздействия на Si и Ge могут быть использованы для получения эпитаксиальных слоев толщиной 1СН-30 мкм кристаллизацией жидкой фазы, а также структур с заданными концентрационными профилями распределения имплантированной примеси (Ga, Ag, Bi, Sn) применительно к технологии дискретных полупроводниковых приборов.

Результаты данной работы внедрены в производство полупроводниковых приборов в ОАО СКБ «Элькор» (см. приложение). Созданные установки, а также атлас микроструктур и морфологии поверхности полупроводниковых материалов, формирующихся после импульсного лазерного воздействия используются в учебном процессе на кафедрах Физических основ микрои наноэлектроники Кабардино-Балкарского госуниверситета и Технологии материалов электроники Московского института стали и сплавов при проведении учебных занятий, а также при выполнении выпускных квалификационных работ и магистерских диссертаций студентами.

Положения, выносимые на защиту.

1. Методики формирования монокристаллического поверхностного слоя материалов твердотельной электроники Si, Ge, InSb, CdSb, CdTe, HgTe путем миллии наносекундного лазерного воздействия на поверхность.

2. Зависимость дислокационной структуры монокристаллического слоя полупроводника от пространственно-временного распределения энергии лазерного излучения.

3. Зависимость структуры микрорельефа и свойств поверхностного слоя полупроводников от параметров лазерного воздействия и давления остаточного газа.

4. Зависимость концентрационного профиля имплантированной примеси в монокристаллических Si и Ge от параметров импульса лазерного воздействия.

выводы.

1. Разработаны и созданы установки для лазерного облучения поверхности полупроводников (на рубине с длиной волны излучения 0,694 мкм и неодиме с длиной волны 1,06 мкм), а также методики, позволяющие оперативно изменять режим генерации, энергетические и временные параметры излучения в пределах длительности импульса от 25 не до 10 мс при пиковой мощности до 100 МВт и энергии импульса до 150 Дж. Разработана методика изучения динамики процессов нагрева и плавления приповерхностного слоя с последующей кристаллизацией, основанная на регистрации изменения интенсивности излучения Не-Ые-лазера, отраженного от поверхности образца.

2. Выявлены особенности изменения характеристик поверхностных слоев полупроводниковых монокристаллических материалов (Si, Ge, CdSb, InSb, CdTe, HgTe) с различным типом примесей и степенью их легирования, подвергнутых лазерному облучению, заключающиеся в возможности модифицирования их структуры и свойств.

3. Установлено скачкообразное увеличение интенсивности отраженного лазерного излучения, связанное с появлением жидкой фазы. На основании закономерностей изменения интенсивности отраженного излучения выявлено, что за время действия импульса процессы плавления и перекристаллизации могут происходить многократно.

4. Показано, что при миллисекундном лазерном нагреве с плотнол стыо потока энергии импульса на уровне 20−40 Дж/см глубина расплавленного поверхностного слоя находится на уровне 10−30 мкм, а время существования жидкой фазы составляет ~1 мс. Экспериментальные и расчетные результаты удовлетворительно согласуются друг с другом.

5. Установлено, что при миллисекундном импульсном лазерном воздействии на полупроводниковые материалы (Si, Ge, CdSb, inSb, CdTe, HgTe) формируется либо однородная, либо ячеистая структура с неоднородным рельефом поверхности. Формирование ячеистой структуры происходит в случае возникновения фронта кристаллизации, обусловленного неустойчивостью градиента температуры в расплавленной зоне и в переходной области расплав — твердая фаза. Теоретические расчеты размеров ячеек согласуются с экспериментальными данными.

6. Установлено, что дислокационная структура перекристаллизованных эпитаксиальных слоев (Si, Ge, InSb) зависит от плотности потока энергии лазерного импульса. При относительно небольшой плотности л энергии (10-К20 Дж/см) дислокационная структура определяется пространственно-временной неоднородностью распределения энергии излучения. При энергиях 22-^-28 Дж/см возникающие дислокации имеет ростовую природу.

7. Показано, что в зависимости от длительности импульса лазерного воздействия изменяется концентрационный профиль легирующей примеси (Ga, Sn, Bi) в монокристаллическом кремнии и германии. В миллисекунд-ном диапазоне облучения распределение примесей в поверхностном слое соответствует квазиравновесным условиям кристаллизации расплавленной зоны. В наносекундном диапазоне кристаллизация соответствует неравновесным процессам, что приводит к возникновению ячеистой структуры, стенки которой формируются из примесных атомов. Размер ячеек может изменяться от 10 до 90 нм в зависимости от скорости перекристаллизации.

8. Показана возможность получения перекристаллизованных монокристаллических слоев площадью до 2000 мкм на поверхности монокристаллических подложек Si, Ge, InSb, CdSb, легированных ионной имплантацией. Миллии наносекундное лазерное воздействие с плотностью энер

2 -4 гии до 80 Дж/см в вакууме не хуже 10 Па обеспечивает концентрацию легирующей примеси выше равновесной и ее электрическую активность.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Laser-Solid 1. teractions and laser Processing. / Ed. by S. D. Ferris, H. J. Leamy, J. M. Poate New-York: AIP, 1979. 685 p.
  2. Laser and Electron-Beam Processing of Materials. / Ed. by C. W. White and P. S. Peercy. New-York: Academic Press, 1980. 769 p.
  3. M. Лазеры в электронной технологии и обработке материалов. М.: Машиностроение, 1981. 152 с.
  4. Laser and Electron-Beam Solid Interactions and Materials Processing. / Ed. by J. F. Gibbons, L. D. Hess, T. W. Sigmon. New-York: North-Holland, 1981.631 p.
  5. А. В., Качурин Г. А., Нидаев E. В., СмирновЛ. С. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. М.: Наука, 1982. 208 с.
  6. Laser and Electron-Beam Interactions with Solids. / Ed. by B. R. Appleton, G. K. Celler. New-York: North-Holland, 1982. 801 p.
  7. Bloembergen N. Fundamentals of laser-solid interactions. In: Applications of lasers in materials processing- Proceedings of the Conference. American Society for Metals, 1979. P. 1—11.
  8. С. Г. Лазерная стойкость перспективных материалов силовой ИК-оптики. // Известия ВУЗов. Физика, 1998, т. 41, № 10. С. 68−84.
  9. С. W., Narayan J., Young R. Т. Laser Annealing of Ion-Implanted Semiconductors. // Science, 1979, v. 204, № 4392. P. 461−468.
  10. Bell A. E. Review and analysis of laser annealing. // RCA Review, 1979, v. 40, № 9. P. 295—338.
  11. Van Vechten T. A., Tsu R., Saris F. W. Nonthermal pulsed annealing of Si.: Plasma annealing. // Phys. Lett., 1979, v. 74 A, № 6. P. 422—426.
  12. Bertolotti M., Vitali G., Rimini E., Foti G. Structure transition in amorphous Si under laser irradiation. // J. Appl. Phys., 1979, v. 51, № 1. P. 259—265.
  13. AustonD. II., Golovchenko J. A., Smith P. R., SurkoC. M., Venkate-san T. N. C. Cw argon laser annealing of ion-implanted silicon. // Appl. Phys. Lett., 1978, v. 33, № 6. P. 539—541.
  14. Williams J. S., Brown W. L., Poate J. M. Channeling analysis of cw argon leaser annealed, As±implanted Si. In: Laser-solid interactions and laser processing. N.-Y.: Amer. Inst. Phys., 1979. P. 399—404.
  15. И. Б., Штырков Е. И., Зарипов М. М. и др. О коэффициенте использования внедренной примеси при лазерном отжиге ионно-легированных слоев на кремнии. // Физика и техника полупроводников, 1977, т. 11, № 2. С. 330—334.
  16. Geller H.-D., Gotz G., Klinge К. D., Triem N. Investigation of laser induced diffusion and annealing processes of As implanted Si crystal. // Phys. status solidi (a), 1977, v. 41, № 2, P. 1171—1173.
  17. Krynicki J., Suski J., Ugniewski S. et. all. Laser Annealing of As Implanted Si. // Phys. Lett., 1977, v. 61 A, № 3. p. 181—182.
  18. КачуринГ. А., Придании H. Б., Смирнов JI. С. Отжиг радиационных дефектов импульсным лазерным облучением. // Физика и техника полупроводников, 1975, т. 9, № 7. С. 1428.
  19. Е. И., Хайбуллин И. Б., Зарипов М. М., Галятудинов М. Ф., Баязитов Р. М. Локальный лазерный отжиг ионно-легированных полупроводниковых слоев. // Физика и техника полупроводников, 1975, т. 9, № 10. С. 2000.
  20. Gat A., GibbsonJ.F., MageerT. J., PengL., Deline V. R., Williams P., Evans C. A. // Appl. Phys. Lett., 1978, v. 32. P. 776.
  21. Е. Д, Джумамухамбетов Н. Г., Дмитриев А. Г. Термический отжиг кристаллов GaAs, модифицированных лазерным излучением. // Физика и техника полупроводников, 1991, т. 25, № 9. С. 2275—2278.
  22. С. Г., Савицкий Г. В. Формирование р-я-переходов на р-Ge мил-лисекундными импульсами лазерного излучения. // Физика и техника полупроводников, 1984, т. 18, № 11. С. 1958—1963.
  23. Г. Б., Искандерзаде 3. А., Джафарова Э. А, и др. Образование полупроводниковых гетероструктур излучением лазера. // Физика и техника полупроводников, 1978, т. 12, № 11. С. 2275—2278.
  24. Г. А., Ловягин Р. Н., Нидаев Е. В., Романов С. И. Эпитакси-альная кристаллизация слоев GaP на Si наносекундными лазерными импульсами. // Физика и техника полупроводников, 1980, т. 14, вып. 3. С. 460—463.
  25. С. Г., ПляцкоГ. В., МойсаМ. И., ПаливодаИ. П. Сплавление полупроводников с помощью лазерного излучения и формирование гетеропереходов. // Физика и техника полупроводников, 1980, т. 14, № 7. С. 1430—1432.
  26. R. Т., Narayan J. Laser annealing of diffusion-induced imperfections in silicon. // Appl. Phys. Lett., 1978, v. 33, № 1. P. 14—16.
  27. JI. H. Кинетика кристаллизации и перекристаллизации полупроводниковых пленок. Новосибирск: Наука, 1985. 224 с.
  28. С.В. Модулированная лазерным излучением эпитаксия теллу-рида свинца. // Физика и техника полупроводников, 1998, т. 32, № 3. С. 299—302.
  29. Gat A., Gerzberg L., Gibbons J. F., Magee Т. J., Peng J., Hong J. D. Cw laser anneal of polycrystalline silicon: Crystalline structure, electrical properties. // Appl. Phys. Lett., 1978, v. 33, № 8. P. 775—778.
  30. Biegelsen D. E., Johnson N. M., Bartelink D. J., Moyer W. D. Laser-induced crystallization of silicon islands on amorphous substrates: Multilayer structures. //Appl. Phys. Lett, 1981, v. 38, №. 3.P. 150—152.
  31. Stultz T. J., Gibbons J. F. The use of beam Shaping to Achive large-graine cw laser-recrystallized polysilicon on amorphous substrates. // Appl. Phys. Lett., 1981, v 39 № 6. P. 498—500.
  32. Kawamura S., Sakurai J., Nakano M., Takagi M. Recrystallization of Si on amorphous substrates by doughnut-shaped cw Ar laser beam. // Appl. Phys. Lett., 1982, v 40 № 5. P. 394—395.
  33. J. M., Bean J. C., / Epitaxy of deposited Silicon. N.-Y.: Academic Press, 1982. P. 247—280.
  34. Э. А., Цэндин К. Д. Фазовые переходы, происходящие в халькогенидпых стеклообразных полупроводниках при воздействии на них импульсами электрического поля и лазерного излучения. // Физика и техника полупроводников, 1998, т. 32, № 8. С. 939—943.
  35. С. В. Модулированная лазерным излучением эпитаксия тел-лурида свинца. // Физика и техника полупроводников, 1998, т. 32, № 3. С. 299—302.
  36. С. В., Бергуш Н. Н. Лазерная эпитаксия гетероструктур HgCdTe/Si. // Физика и техника полупроводников, 2001, т. 35, вып. 4. С. 387—389.
  37. Зуев 3. А., Литовченко В. Г., Сукач Г. А., Торчун Н. М. О влиянии лазерного облучения на структурные и электрические характеристикиповерхности кремния. // Украинский физический журнал, 1976, т. 21, № 6. С. 752—754.
  38. D. М., White С. W., Ownby G. W., Christie W. Н. Silicon surface structure and surface impurities after pulsed laser annealing. In: Laser and electron beam processing of materials N.-Y.: Academic Press, 1980. P. 201—207.
  39. Ownby G. W., White C. W., Zehner D. M. Method using laser irradiation for the production of atomically clean crystalline silicon and germanium surfaces. US patent № 4 292 093. 1981.
  40. С. Г. Гетеропереход на основе антимонида кадмия. // Украинский физический журнал, 1977, т. 22, № 7. С. 1220—1222.
  41. J. М. Metastable surface alloys. In: laser and Electron Beam Processing of Materials. N.-Y.: Academic Press, 1980. P. 691—701.
  42. Leamy H. J., Bean J. C., Poate J. M., Celler G. K. Nonequilibrium incorporation of impurities during rapid solidification. // J. Gryst. Growth, 1980, v. 48, № 3. P. 379—382.
  43. H. В., Williame J. S. Ohmic contacts produced by laser beams to indium implanted into and indium deposited onto GaAs. In: laser and electron beam processing of materials. N.-Y.: Academic Press, 1980. P. 481— 486.
  44. К. Д., Пляцко Г. В., Орлецкий В. Б., Кияк С. Г. Способ изготовления р-п переходов. Авторское свидетельство СССР № 555 761, 1975.
  45. И. В., Кияк С Г., Паливода И. П. Воздействие импульсного лазерного излучения на теллурид ртути. // Известия АН СССР. Неорганические материалы, 1982, т. 18, № 6. С. 935—938.
  46. Кияк С Г. Изменение физических свойств и структуры полупроводников под действием импульсного лазерного излучения. // Известия АН СССР. Физика, 1982, т. 46, № б.С. 1090—1096.
  47. К. Д., Пляцко Г. В., Орлецкий В. Б., Кияк С. Г., Бобиц-кий Я. В. Особенности взаимодействия мощного лазерного излучения с твердым раствором Pbo^Sno^Te. Украинский физический журнал, 1976, т. 21, № 4. С. 531−534.
  48. К. Д., Пляцко Г. В., Орлецкий В. Б., Кияк С. Г., Бобиц-кий Я. В. Образование р-п- и я-р-переходов в полупроводниках излучением лазера. // Украинский физический журнал, 1976, т. 21, № 11.1. C. I9I8—1920.
  49. Г. В., Савицкий В. Г., Луцив Р. В., Дружинин А. А., Котляр-чук Б. К., Кияк С. Г. Инверсия типа проводимости в сплавах п-CdjHg^Te при воздействии импульсного лазерного излучения. // Доклады АН УССР, серия А, 1978, № 7. С. 645—648.
  50. С. Г., Савицкий Г. В., Василькова В. В., Попков А. Н., Кеворков М. Н. Формирование р-п переходов на w-InSb импульсным лазерным излучением. // Физика и техника полупроводников, 1982, № 11. С. 2046—2048.
  51. К. Д., Пляцко Г. В., Данилевич О. И., Кияк С. Г., Бобиц-кий Я. В. Фоточувствительный /?-я-переход на основе CdSb, слабо легированного теллуром. // Украинский физический журнал, 1976, т. 21, № 3, С. 496—499.
  52. В. Н., Табаев Н. И. Фотолюминесценция рекристаллизован-. ного наносекундным лазерным облучением теллурида кадмия. // Физика и техника полупроводников, 1998, т. 32, № 1. С. 32—35.
  53. Ю. Г., Билинский Ю. М., Варшава С. С., Кияк С. Г. Воздействие импульсного лазерного излучения на свойства нитевидныхкристаллов ZnTe. // Известия АН СССР. Неорганические материалы, 1983, т. 19, № 4. С. 570—572.
  54. G. В., Tarrant D., Pollock G., Pressley R., Press R. Solar cells made by laser-induced diffusion directly from phosphine gas. // Appl. Phys. Lett., 1981, v. 39, № 12. P. 967—969.
  55. С. Г., Раренко И. М., Пляцко Г. В., Василькова В. В., Семизо-ров А. Ф. Способ локального легирования полупроводниковых пластин. Авторское свидетельство СССР, кл. H01L 21/268, приоритет от 31.03.1981 г.
  56. В. В., Кияк С. Г, Пляцко Г.В. // Украйнский физический журнал. 1984, т. 29. С. 1066.
  57. AustonD.H., SurkoC.M., Venkatesan Т. N. С., SlusherR. Е., Golov-chenko J. A. Time-resolved reflectivity of ion-implanted silicon during laser annealing. //Appl. Phys. Lett., 1978, v. 33, № 5. P. 437—440.
  58. Auston D. H., Golovchenko J. A., Simon A. L., Slusher R. E., Smith P. R., Surko С. M., Yenkatesan T. N. C. Dynamics of laser annealing. In: Laser-solid interaction and laser processing. N.-Y., 1979. P. 11—26.
  59. Г. А., НидаевЕ. В. Об эффективности отжига имплантированных слоев миллисекундными лазерными импульсами. // Физика и техника полупроводников, 1977, т. 11, № 10. С. 2012—2014.
  60. JI. И. Физические основы обработки материалов лучами лазера. М.: Издательство Московского университета, 1975. 384 с.
  61. Г. В., Кияк С. Г., Гафийчук В. В., Нарольский А. Ф. Кинетика процессов нагрева полупроводников миллисекундными импульсами лазерного излучения. // Украинский физический журнал, 1985, т. 30, № 2. С. 260—263.
  62. С. Ж. Структурные несовершенства в полупроводниковых слоях, возникающие под действием лазерного излучения. / Физика межфазных явлений. Сборник научных трудов. Нальчик: КБГУ, 1984. С. 45−50.
  63. В. В. Неустойчивость температуры при однородном нагреве полупроводников импульсным длинноволновым излучением. // Физика и техника полупроводников, 1984, т. 26, № 7. С. 2230−2231.
  64. А. В. Теория теплопроводности. М.: ВШ, 1967. 600 с.
  65. O.K. Метод конечных элементов в технике. М.: Мир, 1975. 541 с.
  66. С. П., Ивлев Г. Д., Садовская О. J1. Моделирование фазовых переходов, инициируемых в арсениде галлия комбинированным воздействием лазерного излучения. //ЖТФ, 2001, т. 71, № 1. С. 62—65.
  67. С. А., Комолов В. Л., Либенсон М .II. Особенности фотовозбуждения и распределения температуры в полупроводнике при встречном двухчастотном воздействии. // Письма в ЖТФ, 1982, т. 8, № 9. С. 513—517.
  68. Бонч-Бруевич А. М., Комолов В. Л., Либенсон М. II. Нелинейные оптические эффекты в полупроводниках при интенсивном двухчастотном воздействии. //Письма в ЖТФ, 1979, т. 5, № 24. С. 1523—1527.
  69. Г. В, Кияк С. Г, Семизоров А. Ф, Мойса М. И. Формирование р-п в антимониде кадмия под действием лазерного излучения. Физика и техника полупроводников, 1980, т. 14, № 2. С. 404—406.
  70. Narayan J., White C. W. Melting by Pulsed Laser Irradiation. In.: laser and Electron Beam Processing of Materials. N.-Y.: Academic Press, 1980. P. 65—70.
  71. Г. А., Нидаев E. В., Данюшкина H. В. Отжиг дефектов нано-секундными лазерными импульсами после внедрения малых доз ионов. // Физика и техника полупроводников, 1980, т. 14, № 4. С. 656— 660.
  72. С. Г., Савицкий Г. В., Шухостанов А. К., Гонов С. Ж., Пляцко Г. В., Котлярчук Б. К., Гафийчук В. В. Способ обработки полупроводниковых пластин. Авторское свидетельство СССР № 1 220 510. 1985.
  73. G. Н., Howard J. A., Ross R. F. Methods of Producing Single Crystals on Supporting Substrates. Patent US № 3 585 088. 1971.
  74. Marquart С. L., Glailant J. F. Flash melting method for producing new impurity distributions in solids. US Patent 3 940 289. 1976.
  75. С. Г., Раренко И. М., Пляцко Г. В., Василькова В. В., Семизо-ров А. Ф. Способ локального легирования полупроводниковых пластин. Авторское свидетельство СССР № 1 029 790. 1981.
  76. С. Г., Бончик А. Ю., Гафийчук В. В., Гонов С. Ж., Южанин А. Г. Анизотропное плавление полупроводников под действием импульсного лазерного излучения. // Доклады АН УССР. Серия А. Физико-математические науки. 1987, № 5. С. 61—65.
  77. Foti G. Laser-induced epitaxy in ion-implanted and deposited amorphous layers. In.: Laser and electron beam processing of materials. N.-Y., Academic Press, 1980. 168—182.
  78. С. Г., Бончик А. Ю., Гафийчук В. В., Южанин А. Г. Формирование регулярного рельефа на поверхности полупроводников под действием миллисекундных лазерных импульсов. // Украинский физический журнал, 1987, т. 32, № 7. С 1079—1083.
  79. В. В., Кияк С. Г., Савицкий Г. В., Пляцко Г. В., Гонов С. Ж. Динамика нагрева, плавления и перекристаллизации полупроводников миллисекундными импульсами лазерного излучения. // Известия АН СССР. Физика, 1985, т. 49, № 4. С. 769—772.
  80. Cullis A. G., HurleD.T.J., Webber Н. С. et al. Growth interface breakdown during laser recrystallization from the melt. // Appl. Phys. Lett., 1981, v. 38, № 8. C. 642—645.
  81. Narayan J., Naramoto H., White C. W. Cell formation and interfacial instability in laser-annealed Si-In and Si-Sb alloys. // J. Appl. Phys., 1982, v. 53, № 2. P. 912—915.
  82. Г. 3., Жуховицкий E. H. Конвективная устойчивость несжимаемой жидкости. М.: Наука, 1972. 392 с.
  83. Ю. Н., Углов А. А., Швыркова И. И. Пластическая деформация металлов при воздействии интенсивных источников. // Прикладная механика и техническая физика. 1976, № 3. С. 76—80.
  84. А. X., Герасименко Н. Н., Двуреченский А. В. и др. Распределение внедренной в кремний примеси после лазерного отжига. // Физика и техника полупроводников, 1976, т. 10, № 1. С. 139—140.
  85. С. Г., Савицкий Г. В., Мойса М. И., Буцяк И. Ф. Структурные несовершенства в полупроводниковых слоях, полученных методом лазерной эпитаксии. // ДАН УССР. Серия А, 1984, № 6. С. 60—65.
  86. И. Б., Штырков Е. И., Зарипов М. М. и др. Отжиг ионно-легированных слоев под действием лазерного излучения. М., 1975. Рукопись деп. в ВИНИТИ, № 2661−74 Деп.
  87. Robinson A. L. Laser annealing: Processing semiconductors without a furnace. // Science, 1978, v. 201. P. 33—35.
  88. Baeri P., Foti G., Poate J. M. et al. Appl Phys. Lett., 1981, v. 38. P. 800.
  89. White C. W., Appleton B. R., Wilson S. R. Supersaturated Alloys, Solute Trapping and Zone Refining. N.-Y.: Academic Press. P. 112—146.
  90. Ю. К, Быковский Ю. А., Грузин П. JT. и др. Исследование структурного состояния атомов олова, имплантированных в кремний. //Письма вЖТФ, 1980, т. 6, № 12. С. 752—756.
  91. Д. Е, Условие устойчивости плоской границы раздела твердой и жидкой фаз при кристаллизации бинарного сплава. // Доклады АН СССР, 1960, т. 133,№ 1. С. 174—177.
  92. Mullins W. W., Sekerka R. F. Stability of a planar interface during solidification of a dilute binary alloy. // J. Appl. Phys., 1964, v. 35, № 2. P. 444−451.
  93. J. // J. Appl. Phys., 1981, v. 52. P 1289.
  94. Brown W. L. Transient laser-induced prpcesses in semiconductors. In: La-sere and electron beam processing of materials. N.-Y.: Academic Press, 1980. P 20—36.
  95. A. G., Webber H. C., Poate J. M., Chew N. S. ТЕМ study of silicon laser annealed after implantation of low solubility dopants. // J. Microsc., 1980, v. 118, № 1.P. 41—49.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?