Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Взаимосвязь процессов лавинной инжекции горячих электронов и генерации поверхностных дефектов в системе кремний-двуокись кремния

Диссертация: Взаимосвязь процессов лавинной инжекции горячих электронов и генерации поверхностных дефектов в системе кремний-двуокись кремния
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Установлено, что поверхностные дефекты, ответственные за пик электронных состояний в энергетическом спектре стимулируют резкое увеличение токов лавинной инжекции электронов при больших периодах и амплитудах обедняющего напряжения. Выявлено, что это вызвано захватом электронов во время импульсов обедняющего напряжения на эти дефекты. С помощью измерений зависимостей приведенного тока лавинной… Читать ещё >

Содержание

  • 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 1. 1. Основные понятия физики МДП-структур
    • 1. 2. Дифференциальная ёмкость МДП-структуры
    • 1. 3. Генерационные процессы в ОПЗ
    • 1. 4. Лавинный пробой и лавинная инжекция в МДПструктурах
    • 1. 5. Дефекты системы
    • 1. 6. Дефектообразование в системе 33.-3:102 при. лавинно-инжекционных воздействиях
    • 1. 7. Выводы к обзору литературы и постановка задачи
  • 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Методика проведения лавинной инжекции электронов из кремния в слой диэлектрика
    • 2. 2. Образцы для исследования воздействия горячих электронов на поверхность кремния
    • 2. 3. Экспериментальная ячейка
    • 2. 4. Измерение высокочастотных и низкочастотных вольтфарадных характеристик МДП-структуры
    • 2. 5. Вычисление спектра плотности поверхностных состояний
    • 2. 6. Определение темпа генерации неосновных носителей заряда методом релаксации неравновесной ёмкости
  • 3. ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ СИСТЕМЫ 31−3102 НА ПРОТЕКАНИЕ ЛАВИННО-ИНЖЕКЦИОННЫХ ТОКОВ ИЗ ПОЛУПРОВОДНИКА В
  • ДИЭЛЕКТРИК
    • 3. 1. Влияние перезарядки электронных состояний границы раздела SI-SI02 на токи лавинной инжекции из полупроводника в окисел
    • 3. 2. «Краевая» деградация МДП-структур и лавинно-инжекционный способ определения плотности ПС по периферии МДП-структуры
    • 3. 3. Влияние процессов дефектообразования в диэлектрическом слое на токи лавинной инжекции
    • 3. 4. Лавинно-инжекционный отжиг дефектов в приповерхностной области кремния,
  • Выводы к главе 3
  • 4. ПРОЯВЛЕНИЕ ВЗАИМОСВЯЗИ МОЛЕКУЛЯРНЫХ И ЭЛЕКТРОННЫХ ПРОЦЕССОВ ПРИ ЛАВИННО — ИНЖЕКЦИОННОЙ ДЕГРАДАЦИИ СИСТЕМЫ S1-SI
    • 4. 1. О механизме формирования спектра поверхностных состояний при лавинно— инжекционной деградации
    • 4. 2. Влияние центров прилипания в энергетическом спектре ПС на токи лавинной инжекции
    • 4. 3. Влияние молекулярных процессов, происходящих на поверхности МДП-структур, на токи лавинной инжекции из полупроводника в диэлектрик
    • 4. 4. Низкотемпературная пассивация «краевых» поверхностных состояний в системе Si—S
  • Выводы к главе

Взаимосвязь процессов лавинной инжекции горячих электронов и генерации поверхностных дефектов в системе кремний-двуокись кремния (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Одним из основных элементов широкого класса приборов современной микроэлектроники служат структуры металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-структуры).Наибольшее практическое значение имеют системы металл-двуокись кремния-кремний (МОП-структуры), которые являются базовыми для этой отрасли. Они применяются в транзисторах, в приборах с зарядовой связью (ПЗС), интегральных микросхемах, в некоторых видах фотопреобразователей. В ходе эксплуатации МДП структуры подвергаются полевым и термополевым воздействиямоблучению заряженными частицами и электромагнитными волнами. Обычно это вызывает ухудшение параметров и даже выход из строя интегральных схем из-за генерации дефектов на границе раздела 3:1−3:102 и в слое диэлектрика. Дефектообразование в диэлектрике и на границе раздела полупроводник-диэлектрик вызывает сдвиг порогового напряжения, уменьшение подвижности свободных носителей заряда в канале транзистора снижение коэффициента усиления и крутизны переходной характеристики и другие нежелательные эффекты. Вот почему изучение дефектообразования в МДП-структурах имеет особое значение с точки зрения практических приложений. Один из самых эффективных и достаточно простых способов стимулирования процессов дефектообразования в полупроводнике, на границе раздела полупроводник-диэлектрик и в пленке диэлектрика является лавинная ин-жекция неосновных носителей заряда из полупроводника в диэлектрик. Применение этой методики для кремниевых МДП-структур дает возможность исследовать закономерности изменений в процессе электронного возбуждения основных параметров системы — БЮг, плотности поверхностных электронных состояний, встроенного заряда в окисел, времени генерации неосновных носителей заряда. Для лавинных фотопреобразователей на основе МДП-структур важным фактором является однородность потока инжектированных носителей по площади МДП-структуры и, соответственно, необходим обоснованный выбор оптимального режима реализации лавинной инжекции. Увеличение степени интеграции МДП-микросхем обуславливает уменьшение как размеров элементов микросхем, так и толщины изолирующего слоя диэлектрика. При этом уменьшение размеров происходит несколько быстрее, чем снижение напряжений питания. Это приводит к росту напряженности электрического поля в диэлектрическом слое структур в рабочих режимах, что создает благоприятные условия для инжекции заряда в диэлектрик. Помимо этого, инжекция носителей заряда в диэлектрик происходит при нормальном функционировании ряда элементов памяти на основе МДП-структур. Поэтому исследование закономерностей инжекции горячих электронов из полупроводника в слой диэлектрика может дать ценную информацию, необходимую при разработке элементов микроэлектроники и интегральных схем. Кроме того, изучение воздействия высокоэнергетических носителей заряда при лавинной инжекции на дефекто-образование в МДП-структурах весьма важно с точки зрения физики поверхности полупроводников, поскольку механизмы генерации дефектов в системе полупроводник-диэлектрик под действием горячих носителей и природа возникающих дефектов в значительной степени остаются невыясненными.

Цель работа". Настоящая работа посвящена;

— исследованию влияния перезарядки поверхностных электронных состояний на процесс инжектирования горячих носителей заряда из полупроводника в слой диэлектрика- -экспериментальному исследованию особенностей дефекто-образования на границе 31—ЭЮг при «краевой» лавинной инжекции электронов;

— изучению зависимости процесса инжектирования электронов через границу 3:1−3102 от электро-физических характеристик поверхностных электронных состояний;

— экспериментальному поиску методов пассивации дефектов на поверхности кремния, возникающих в процессе лавинно-инжекционной деградации МДП-структур;

— исследованию влияния зарядового состояния поверхности диэлектрика на процесс лавинной инжекции электронов;

— Изучение закономерностей регенерации деградированных МДП-структур при термовоздействиях.

Научная новизна работах.

1.Предложен и экспериментально апробирован новый, лавин-но-инжекционный метод определения плотности поверхностных электронных состояний на границе 31—БЮг, Одним из преимуществ этого метода является возможность его использования при измерениях на МДП-структурах малой площади.

2.Предложен новый метод экспериментального исследования дефектообразования в краевой области МДП-структуры. Экспериментально исследована эффективность дефектообразования в периферийной области МДП-структуры при лавинно-инжекционных воздействиях.

3. Разработан и апробирован новый метод регенерации лавинно — деградированной поверхности кремния.

4. Впервые продемонстрирована возможность исследования процессов адсорбции на поверхности окисла с использованием методики «краевого» лавинного инжектирования электронов из полупроводника в окисел.

5. Обнаружен эффект лавинно-инжекционного отжига дефектов на границе — 3102. Предложен и обсужден механизм этого эффекта.

АВТОР защищает:

— новую экспериментальную информацию о процессе дефекто-образования в периферийной области МДП — структуры при лавинно-инжекционных воздействиях;

— новую методику определения интегральной плотности поверхностных электронных состояний в кремнии, кото-1 рая может быть применена для исследования процессов дефектообразования в периферийной области МДП-структур ;

— результаты экспериментальных исследований влияния пере зарядки поверхностных состояний на процесс лавинной инжекции электронов.

— новую методику низкотемпературного пассивирования лавиннодеградированной поверхности кремния;

— новую экспериментальную информацию о лавинно-инжекци-онном отжиге дефектов на поверхности кремния.

Практическая ценность исследований.

Полученные в работе новые сведения о механизмах влияния заряда поверхностных электронных состояний на протекание инжекционных токов через границу раздела 31−3102 могут быть использованы при создании лавинно-инжекционных при9 боров, элементов памяти, фотопреобразователей. Предложенные новые методики определения плотности ПС и пассивирования дефектов на границе Эг-ЗЮг могут найти применение при разработке новых технологий, определении оптимальных технологических режимов при изготовлении МДП-приборов и интегральных микросхем.

1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ ДИССЕРТАЦИОННОЙ РАБОТЫ:

1.Предложен новый, лавинно-инжекционный метод определения плотности поверхностных электронных состояний в подэатворной области МДП-структуры, основанный на измерении зависимостей тока лавинной инжекции неосновных носителей заряда в МДП-структурах от амплитуды импульса обедняющего напряжения. Существенно, что предложенный метод достаточно прост, применим для исследования МДП-структур малой площади (10″ 7 — 10~8см2) .

2. Разработан новый метод определения плотности поверхностных электронных состояний в краевой области МДП-структуры. Метод основан на измерении зависимостей тока лавинной инжекции электронов от постоянного напряжения смещения. Выявлено, что процесс генерации дефектов в краевой области МДП-структу-ры идентичен процессу дефектообразования в подзатворной области МДП — структуры.

3.Показано, что измерение токов лавинной инжекции в зависимости от приложенного к затвору МДП-структуры постоянного напряжения смещения позволяет определять степень деградации слоя окисла и оценивать интенсивность генерации медленных состояний и ловушек слое диэлектрика.

4.Установлено, что при высоких дозах лавинно-инжекцион-ной деградации (Бе > 5×1018 см-2) резко возрастает вероятность разрядки медленных состояний, генерируемых в переходном слое кремний — диэлектрик через поверхностные электронные состояния. Процесс осуществляется по механизму туннельной эмиссии.

5.Обнаружен новый эффект: отжиг поверхностных электронных состояний, происходящий при невысоких дозах лавинной инжекции (0е = Ю15 — 1016 см~2) горячих электронов через границу раздела кремний — диэлектрик. Предложен возможный механизм этого эффекта.

6.Показано, что генерация ионов водорода, происходящая при лавинной инжекции неосновных носителей заряда в окисный слой оказывает существенное влияние на физические процессы, протекающие во время переноса горячих носителей заряда от полупроводника к металлическому электроду.

7. Установлено, что поверхностные дефекты, ответственные за пик электронных состояний в энергетическом спектре стимулируют резкое увеличение токов лавинной инжекции электронов при больших периодах и амплитудах обедняющего напряжения. Выявлено, что это вызвано захватом электронов во время импульсов обедняющего напряжения на эти дефекты. С помощью измерений зависимостей приведенного тока лавинной инжекции от периода инжектирующего напряжения определены сечения захвата горячих носителей на поверхностных состояниях.

8.Обнаружено, что с помощью лавинно-инжекционных измерений представляется возможным оценивать степень гидратации поверхности диэлектрического слоя по краям металлического электрода МДП-структуры. Кроме того, возможно экспериментально устанавливать характер распределения инжекционного тока по площади МДП-структуры («однородный» или «краевой» режимы инжектирования) .

9.Предложен новый, низкотемпературный метод пассивирования поверхностных дефектов в кремнии, заключающийся в адсорбции паров воды на поверхность окисла с последующей инжекцией ионов водорода к границе ЭЛ-ЗЮг при подаче постоянного смещения к затвору МДП-структуры.

10.Установлено, что последовательные процессы лавинной деградации и пассивирования поверхности кремния могут приводить к существенной перестройке границы кремний—диэлектрик.Эта перестройка заключается в фор мировании более прочных силоксановых связей 31−0-31, которые не разрушаются при дальнейших инжекционных воздействиях.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов. — М.: Мир, 1987.-т.1. — 456 с.
  2. И.М., Стафеев В. И. Физика полупроводниковых приборов. М., Радио и связь, 1990.-264 с.
  3. Н.М., Глебов Б. А., Чарыков Н. А. Полупроводниковые приборы,— М.: Энергоатомиздат, 1990.-576 с.
  4. Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем, М., Мир, 1989.-630 с.
  5. А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М., Наука. 1971.
  6. В.Н., Аваев Н. А., Демин В. П. и др. Электронные приборы.- М: Энергоатомиздат, 1989.-496 с.
  7. В.Г., Горбань А. П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник.-Киев: Наукова думка, 1978.-312с.
  8. Shockley W., Read W. Statistics of the recombination of holes and electrons // Phys. Rev.-1952.-v.87, № 1 --p 835−842.
  9. Schroder D.K., Guldberg F. Interpretation of surface and bulk effects using the pulsed MOS capasitor // Solid State Electronics.-1971.-v.14, F- 12.- p.1285−1297.
  10. Stevenson D.T., Keyes R.J. Measurement of the recombination velociti on germanium Surfaces // Physica.-1954.-v.20,№ 12.-p. 1401−1406.
  11. Schroder D.K., Nathanson H.C. On the separation of the bulk and surface components of lifetime using the pulsed MOS capasitor // Solid. St. Electr.-1970.-13, № 5.-p.577−586.
  12. M.Z. // Angew. Phys.-1966. v.22. № l.P. 3033.
  13. Goetzberger A., Nicollian E.N. Mos avalanche and tunneling effects in silicon surfaces //J. Appl. Phys. 1967. 38, N 12. P. 4582−4586.
  14. С.Н., Потапов А. Ю., Невзоров А. Н. О краевой лавинной инжекции электронов в кремниевых МДП-структурах // Вестник Московского Университета.-Сер. Физика. Астрономия. -1988. т.29, № 1. — с.62 — 65.
  15. The evolution of the substrate-drain junction parameters during electrical geing for n-MOS transistor characterization / De la Bardonnie Mar, Mialhe Pierre, Charles Jean Pierre // J. Phys. D. 1998.- 31, № 1 --p.151 — 157.
  16. Existence of optimal N20 nitridation temperature and time for hot-electron hardness enhancement in metal-oxide-Si-capasitors / Chang-Liao Kuei-Shu, Lai Hau-Chao // J. Vac. Sci. And Technol. В 1998. — 16.® 1 -p.250 — 252.
  17. Thermoelectric and hot-electron properties of a silicon inversion layer / Fletche R., Pudalov V.M., Feng Y., Tsaousidou M., Butcher P.N. // Phys. Rev. B. 1997. -56, № 19. — p.12 422 — 12 428.
  18. Hot-carrier degradation mechanisms in silicon-on-insu-lator MOSFETS / Cristoloveanu Sorin // Microelectron. And Reliab. 1997.- 37, № 7.- p.1003 — 1013.
  19. Field enhanced Si-Si bond-breakage mechanism for time dependent dielectric breakdown in thin film Si02 -dielectrics / McPherson J. W., Reddy V.K., Mogul H.C. // Appl. Phys. Lett. — 1997. — 71. № 8. — p.1101 -1103.
  20. Correlation between dielectric breakdown and charge generation in silicon oxide films / Hayakawa Tetsuo, Watanabe Yukihiko, Funabashi Hirofumi, Mitsushima Yasuichi, Taga Yasunori // Appl. Phys. Lett 1997. -70, № 20. p. 2699 — 2701.
  21. Analitical study of the contribution of fast and slow oxide traps to the charge pumping current in MOS strue tures / Bauza D., Ghibaudo G. // Solid-State Electron. 1996. — 39, № 4. — p. 563 — 570.
  22. Post-stress dual-trap interaction in hot carrier stres sed submicrometer N-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor / Chim Wai Kin, Chua Thiam Joo //Jap. J. Appl. Phys. Pt 1. 1997. — 36, № 10.-p.6171−6174.
  23. Hot hole induced breakdown Of thin silicon dioxide films / Tomita Takayuki, Utsonomiya Hiroto, Kamakura Yoshinari, Taniguchi Kenji if Appl. Phys. Lett. -1997.71, № 25. p. 3664 — 3666.
  24. В. С., Киселев В. Ф., Мукашев. Б. H. Дефекты в кремнии и на его поверхности.- М.: Наука.-1990.-216с.
  25. Kiselev V.F., Krylov D.N. Adsorption processes on semiconductor and dielectric surfaces // Springer Ser. In
  26. Chemical Phys.- 1985.- v.32-Berlin: Springer-verlag.-p.237.
  27. H.A., Красников Г. Я., Сорокин И. Н. Влияние процесса стабилизации на свойства переходной области Si -S102 .// технол. процессы и матер. компонентов электрон. Устройств / Моск. гос. ин-т электрон, техн. М. 1996.- с. 83. 89.
  28. Hasegawa S., Tong X., Nakajima Y., Jiang Chun-Sheng, Nagao Т. // Hgomen kagaku J. Surface Sci. Soc. Jap.-1998.- 19, № 2 — p.114 — 121.
  29. X-ray photoelectron spectroscopy study of rapid thermal annealed silicon-silicon oxide systems / Choi W.K. Poon F.W., Loh F.C., Tan K.L. // J.Appl. Phys. 1997.- 81, № 11. p.7386 — 7391.
  30. Metal-oxide-semiconductors field-William. // J. Vac. Sci. and Technol. В 1998.- 16. № 1 — p. 306 — 311.
  31. Distinguishing the effects of oxide trapped charges and interface states in DDD and LATID nMOSFETs using photon emission spectroscopy / Chim W.K., Chan D.S.H., Tao J.M., Lou C.L., Leang S.E., Teow C.K. // J.Phys.D- 1997.- 30, W 17 p.2411 — 2420.
  32. Continuing degradation of the Si02/Si interface after hot hole stress / Al-kofani I.S., Zhang J.F., Groesene-ken G. // J. Appl. Phys. 1997. — 81, № 6 — p.2686 -2691.
  33. С.H., Потапов А. Ю. Лавинная спектроскопия релаксационных процессов в системах металл-диэлектрик-полупроводник. // Препринт физ. Фак. МГУ.- № 31.-1986, 6с.
  34. С.Н., Потапов А. Ю. Чудинов С.М. Рекомбинацион-но-стимулированное дефектообразование на границе Si-Si02 // Препринт физ. фак. МГУ. № 39 — 1987, 5с.
  35. Detection of hot electron current with scanning hot electron microscopy / Vazquez F., Kobayashi D., Koba-yashi I., Miyamoto Y. Furuya K., Maruyama T., Watanabe M. Asada M. if Appl. Phys. Lett. 1996. — 69, № 15 -p. 2196 — 2198.
  36. Fischetti M.V., Gastaldi R., Maggioni F., Modelli A.// J. Appl. Phys. 1982. 53, N 4. P. 312 9.
  37. New approach to bias scan DLTS for rapid evaluation of interface states in M0S structures // Ozder Serhat, Atilgan Ismail, Katiruoqlu Bgyram // Solid-States Elec tron. 1996. — 39, № 10 — P.1507 — 1514.
  38. Oxide thickness and bias-dependence of postmetalliza-tion annealing of interface states in metall-oxide-silicon diodes / Ragnarsson Lars-Ake, Lungren Per, Ovuka Zoran, Andersson Mats 0. //J. Electro Chem. Soc.1997. 144. № 5.- p. 1866 — 1869.
  39. З.С., Чумбуридзе Ф. Г. Поперечные эффекты горячих электронов в полупроводниках // Письма в ЖТФ.1998.- 24, № 12. с. 36 — 39.
  40. Hydrogen adsorption states at the Pd/Si02 interface and simulation of the response of a Pd metal-oxide-semiconductor hydrogen sensor / Eriksson Mats, Ekedahl Lars-Gunner // J. Appl. Phys. 1998. — 83,№ 8.p.3947−3951.
  41. Improvement of Si02 properties by heating treatment in high pressure H20 vapor / Sameshima Toshiyuki, Satoh Hitsuru // Jap. J. Appl. Phys. Pt.2. 1997. — «6a -p.L687 — L689.
  42. Positively charged bonded states .of hydrogen at the (lll)Si/Si02 interface / Afan’ev V.V., Stesmans A. // J. Phys. Condens. Matter. J. Phys. F. 1998. 10, № 1, p.89 — 93.
  43. Influence of silicon-wafer loading ambients in an oxidation furnace on the gate oxide degradation due to organic contamination / Saga Koichiro, Hattori Takeshi // Appl. Phys. Lett. 1997. — 71,№ 25. P.3670 — 3672.
  44. V.I., Kiselev V.F. // Phys. Stat. Sol. (a) -1981- v.66.— P. 493 499.
  45. H-complexed oxygen vacancy in Si02: Energy level of a negatively chargedstate / Afanas’ev V.V., Stesmans
  46. A, // Appl. Phys. Lett. 1997. — 71, № 26. — p. 3844 — 3846.so. Козлов C.H., Кузнецов C.H. О центрах оптической «памяти» на поверхности кремния адсорбционной природы. // Изв. Вузов. Физика. 1981.- № 1.- с. 92 — 96.
  47. Grunthaner F.J., Grunthaner P.J. Maserjian J. Radiation induced defects in Si02 as determinated with XPS // IEEE Trans. Nucl. Sci. — 1982. — V. NS. — 29,№ 6. -P.1462 — 1466.
  48. C.H., Щеблыкин Ю. В., Касумов Ю. Н. Радиационно-стимулированная генерация термостабильных электрически активных дефектов в Si02 // Микроэлектроника Том 17, вып. 6. — 1988. — с.548 — 553.
  49. A physically based predictive model of Si/Si02 interface trap generation resulting from the presence of holes in the Si02 / Lenahan P.M., Conley J.F. (Jr.) // Appl. Phys. Lett. 1997. — 71. № 21. C. 3126 — 3128.
  50. Э.Ф., Кирилова С. И., Примаченко В.Е., Чорнобай
  51. B.А. Система поверхностных электронных состояний термически окисленной и реальной поверхностей кремния. // Укр. Ф1з. Ж. 1997. — 42, № 11 — 12. — с.1333 — 1339.
  52. Е.А., Горюнов Н. Н., Галеев А. П., Таперо К. И. Исследование зарядовых эффектов в МДП-структурах при облучении методом подпороговых ВАХ // Петербург, ж. электрон. 1996. — № 4. — с. 22 — 26.
  53. Evaluation of hot-hole-induced interface traps at the tunnel-Si02 (3.5 nm) Si interface by the conductance technique / Ogawa Shigeo, Kobayshi Toshio, Nakayama Sa-toshi, Sakakibara Yutaka if Jap. J. Appl. Phys. Pt 1.1997. 36, № 3b. — p. 1398 — 1406.
  54. Photon stimulated tunneling of electrons in Si02: Evidence for a defect-assisted process / Afanas’ev V.V., Stesmans A. // J. Phys.: Condens. MatterJ.Phys. F. — 1997. — 9,№ 6. — P. L55 — L60.
  55. Gencralazed trapping kinetic model for the oxide degradation after Fowler Nordheim uniform gate stress ./ Panakakis G. Ghibando G., Papados C., Vincent E., Kies R. // J. Appl. Phys.- 1997.- 82, № 5 — p. 2548 — 2557.
  56. Capture cross section of electron-stress-induced inter face states in (100) Si metall/oxide semiconductor ca~ pasitor / Inoue Masao, Shimadu Akihiro, Shirafuji Ju-nji // Jap. J. Appl. Phys. Pt. 1. 1996. — 35,№ 12 a.- P. 5915. 5920.
  57. Fowler-Nordheim tunneling current oscillation at metal /oxide/Si interfaces / Hebert K. J., Irene E. A. // J. Appl. Phys. 1997.- 82, № 1 — p. 291 — 296.
  58. Ю.Н., Козлов С.H. Влияние инжекции электронов из Si в Si02 на электрическую нестабильность МДП-структуры. // Вестник МГУ, сер. 3 1989. т.30, № 4.- р. 73 77.
  59. Ю.Н., Козлов с.Н. Генерация электронных состояний в Si-Si02 в процессе инжекции носителей заряда из кремния. // В сб. трудов 2 Всесоюзной конференции «Физика окисных пленок «Петрозаводск. — 1987.с. 2 с. 7 .
  60. Numerical simulation of hydrogen redistribution in thin Si02 films under electron injection in high fields / Gadiyak G. V. // Appl. Surface Sci. 1997.113 — 114. M 2 — с. 627 — 630.
  61. Yon E., Ко W.H., Карег А. В. Sodium distribution in thermal oxide on silicon by radiochemical and MOS analysis // IEEE Trans. El. Dev. 1966. V. ED. — 13, p.276 — 280.
  62. Hofstein S.R. Proton and sodium transport in silicon dioxide films // IEEE Trans. El. Dev. 1967. — V. ED. — 14, № 11. — P. 749 — 759.
  63. Г. Я. Исследование системы Si-Si02, легированной металлическими примесями / Технол. процессы и материалы компонентов электрон, устройств. / Моск. гос. ин-т электрон, техн. (техн. ун-т). М, 1996.с. 93−97.
  64. Tangena A.G., De Rovij N. Fa., Middelhoe K.J. Sensitivity of MOS structures for contamination with H+, Na+, K+ ions // J. Appl. Phys. 1978. — v. 49, № 11. — p. 5576 — 5583.
  65. Hickmott T.W. Thermally stimulated ionic conductivity of sodium in thermal si02 // J. Appl. Phys. 1975. -v. 46., № 6. — p.2583 — 2598.
  66. Г. Г., Столяров А. А. Исследование влияния легирования двуокиси кремния фосфором на зарядовую нестабильность МДП-структур в условиях туннельной инжекции // Физ. и химия обраб. матер. 1997. — № 3.-с.22 — 2 6.
  67. Rohatgi A., Butler S.R., Feigl F. J. Mobile sodium ion passivation in HC1 oxides // J. Electrochem. Soc. -1979. v.126, № 1.- p.143 — 149.
  68. Investigation of existing defects and defects genera -tion in device grade Si02 by ballistic electron emission spectroscopy / Wen H.J., Ludeke R. // J. Vac.
  69. Sci. and Technol. B. 1997. — 15, № 4. — p. 1080 -1088.
  70. Low field trap generation dependence on the injection current density in gate unsulators: How valid are accelerated hot electron measurements? / Kim H.S. Reisman A., Williams C.K. // J. Electrochem. Soc. 1997. — 144, № 7. — p. 2517 — 2521.
  71. Correlation between dopant reduction and interfacial defects in low energy X-ray irradiated MOS capasi-tors / de Vasconccelos Elder A., da silva (Jr.) Eroni-des F // Semicond. Sci. and Technol. — 1997. — 12, № 8 — p. 1032 — 1037.
  72. The influence of the distribution of potential fluctuations on the distribution of States in amorphous semiconductors / O’Leary Stephen K., Lim P.K. // Solid State Commun. 1997. — 101, № 7. — P.513 — 517.
  73. X ray photoelectron spectroscopy study of rapid thermal annealing silicon — silicon oxide systems / Choi W.K., Poon F. W., Loh F. C., Tan K. L. // J. Appl. Phys. — 1997. — 81, № 11. — p. 7386 — 7391.
  74. A study on interface and charge trapping properties of nitrided n-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistors by backsurface argon bombardment / Lai P.T., Xu J.P., Lo H.B., Cheng Y.C. // J. Appl. Phys. 1997. — 82, № 4. — P.1947 — 1950.
  75. Mobility degradation of inversion layer carriers due to MERIE type plasma action / Atanassova E., Paska -leva A. // Solid — State Electron. — 1996. — 39,№ 7. -p. 1033 — 1041.
  76. Dependence on gate work function of oxide charging, defect generation and hole currents in metal-oxide-semiconductor structures / Di Maria D.J. // J. Appl. Phys. 1997. — 81, № 7. — p. 3220 — 3226.
  77. Physics of defects in silicon dioxide / Kaneta Chioko // Oyo butsuri. 1996. — 65, № 11. — p. 1139 — 1143, 1169 — 1170.
  78. А. Ю. Влияние лавинной инжекции носителей заряда в диэлектрик на электрофизические параметры струк туры Si-^Si02 : дисс.канд. Физ. мат. наук.- 1988. М., — 185с.
  79. Defects and radiation effects in semiconductors. London. 1978. / Kimerling L.C. // Inst. Phys. Conf. Ser. N 46. 1979. p.56 — 68.
  80. Impact of mixing of disturbed bonding states on time -depend dielectric breakdown in Si02 thin film / McPher son J.W., Mogul H.C. // Appl. Phys. Lett. 1997. -71, № 25. — P.3721 — 3723.
  81. Thermally induced interface degradation in (111) Si/Si02 traced by electron spin resonance / Stesmans A., Afanas’ev V. V. // Phys. Rev. B. 1996. — 54,№ 16 — p. R11129 — R 11 132.
  82. Low temperature hydrogen passivation of donor in silicon / Koshman A.R. // Funct. Mater. 1997.- 4, № 2. -p. 316 — 317.
  83. Thermal oxidation of (100) silicon in 02 and C02 and its effect on the Si02 Si metal oxide semiconductor parameters / Khemka V., Chow T.P. // J. Electrochem. Soc. — 1997. — 144, № 3. — p.1137 — 1143.
  84. Atomic and electronic structures of oxygen adsorbed Si (001) surfaces / Uchiyama Toshiro, Tsukada Masaru // Phys. Rev. B. 1996. — 53, № 12. — p.7917 — 7922.
  85. B.H., Несмелов C.H. Электрические свойства Si-Si02 систем после воздействия магнитного поля. / Изв. Вузов. Физ. — 1997. — 40, № 2. — р. 62−66.
  86. Oxide voltage and its polarity dependence of interface-state-generation efficiency in (100)n-Si metal / oxide / semiconductor capacitors / Inoue Masao, Shima-da Akihiro, Shirafuji Junji // Jap. J. Appl. Phys. Pt. 1 — 1996. — p. 5921 — 5924.
  87. Electrical field dependendence of electron capture cross section of neutral traps in Si02 / Palma A., Lo’pez Villanueve J. A., Carceller J. E. //' J. Elec-trochem. Soc. — 1996. — 143, № 8. — P. 2687 — 2690.
  88. Fischetti M.V., Weinberg Z.A., Calise I.A. The effect of gate metal and Si02 thickness on the generation of donor states at the Si-Si02 interface // J. Appl. Phys. 1985. — v. 57, N2. — p.418 — 425.
  89. Fischetti M.V. Generation of positive charge in silicon dioxide during avalanche and tunel electron injection // J. Appl. Phys. 1985. — v.57, № 8. — p. 28 602 879.
  90. Fischetti M.V. The importance of the anod field in controlling the generation rate of the donor states at the Si-Si02 interface // J. Appl. Phys. 1984. — v. 56, № 2. — P. 575 — 577.
  91. Effect of oxynitridation on charge trapping properties of ultrathin silicon dioxide film / Fukuda Hisashi, Murai Shoji, Endoh Toshiaki, Nomura Shigeru //J. Appl. Phys. 1997. — 81, № 4. P.1825 — 1828.
  92. Trap generation in buried oxides of silicon-insulator structures by vacuum ultraviolet radiation / Afa-nas'ev V.V., Stesmans A., Revesz A.G., Hughes H.L. // J. Electrochem. Soc. 1997. — 144, № 2. — p. 749 -753.
  93. Impact of tunnel film oxynitridation on band to -band tunneling current and electron injection in flash memory / Arakawa Tomiyuki, Matsumoto Ryoichi, Hayashi Takahisa // Jap. J. Appl. Phys. Pt 1. — 1997. — 36, № 3b, — p. 1351 — 1354.
  94. В. А., Зеленый А. П., Тимофеев М. В. Особенности перезарядки поверхностных состояний в МДП-структурах в режиме сильной инверсии // Микроэлектроника 1998. -27, № 2 — р.93 — 96.
  95. Electric field and equivalent circuit in all-film capa citors / Joubert Ch., Beroual A., Rojat G. // J. Appl. Phys. 1997. — 81, № 10. — p. 6579 — 6584.
  96. Effect of hydrogen chloride during oxidation of sili con on trap generation by avalanche electron injection / Chen A.I., Dadgar S., Hsu C., Pan S., Sah C.T. // J. Appl. Phys. 1986. — v.60, № 6. — p. 1391 — 1398.
  97. Effects of hydrogen chloride on bown acceptor hydrogenation and trap generation annealing in oxidized silicon irradiated by keV electron / Wallace W.L.L., Sah C.-T. // J. Appl. Phys. — 1988. — v.63, № 9. — p. 4555 — 4560.
  98. В.M., Борейко H.П., Галенчик В. О., Жевняк О. Г. Комаров Ф.Ф. Расчет тока затвора, обусловленного инжек цией горячих электронов в подзатворный окисел субмикронного МОП-полевого транзистора. // Инж.-физ.ж, — 1998 71, № 3.- с. 534 — 537.
  99. Юб. Гергель В. А., Тимофеев М. В., Зеленый А. П. О температурной и полевой зависимости эффективной поверхностнойподвижности в МДП-структурах. //Физ. и техн. полупровод. 1998. — 32, № 6. — с. 748 — 751.
  100. Ю.Н. Воздействие горячих носителей заряда на дефектообразование в диэлектрическом слое МДП-струк-тур. Дисс. канд. Физ. мат. наук — М. 1989.
  101. Stress field palarity effect on defects generation in thin silicon dioxide films / El-Hdiy A., Salace G., Jourdain M., Meinertzhagen A., Vuillaume D. // Thin Solid Films. 1997. — 296, № 1−2. — p. 106 — 109.
  102. Hole capture cross section and emission coefficient of defect centers related to high-field-induced positive charges in Si02 layers / Gao Xiaoping, Yee Sinclair S. // Solid State Electron. — 1996 — 39, № 3 — p. 399 -403.
  103. Fishetti M.V., Gastaldi R., Maggoni F., Modelly A. Positive charge effects on the flatband voltage shift during avalanche injection on Al-Si02-Si capacitors // J.Appl. Phys. 1982. — v. 53, № 4.- p.3129 — 3135.
  104. Sah C.T., Sun J.Y.-C., Tzou J.J.-T. Deactivation of the bown acceptor in silicon by hydrogen // Appl. Phys. Lett. 1983. — v. 43, № 2, — P.204 — 206.
  105. Kaschieva S. Investigation of Na, CI and AL concentration in the system Si-Si02 // Докл. Билг. A.H. 1991.- 44, № 3. P. 45 — 47.
  106. B.C. Муравский, В. И. Стриха. Физические основы работы контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки. // Материалы конференции, 28, Киев, 1975.не. B.C. Муравский. Радиотехника и электроника. // 8, 162, 1963.
  107. Б.С.Муравский, ФТП, 11, 1012, 1977.lis. М. С. Косман, Б. С. Муравский, ФТТ, 3, 2504, 1961.
  108. Б.С.Муравский, В. И. Кузнецов. Авторское свидетельство СССР, кл. HOI1 5/00 281 651 заявл. 1968, опубл. 21. 03.1973.
  109. В.И.Кузнецов, Б. С. Муравский, С. А. Еремин, Д. П. Федоров. Радиотехника и электроника. 17, 1778, 1972.
  110. Б.С.Муравский. ФТТ, 4, 2485, 1962.
  111. Б.С. Муравский, ФТП, 9, 1140, 1975.
  112. Б.С. Муравский, В. И. Кузнецов, Г. И. Фризен, В. Н. Черный, ФТП, 6, 2114, 1973.
  113. Iwata Seiichi // Hyomen kagaku = J. Surface Sci. Jap. -1998. 19, № 1 — p.9 — 13.
  114. Correlation between dielectric breakdown and charge generation and charge generation in silicon oxide film / Hayakawa Tetsuo, Watanabe Yukihiko, Taga Yasunori // Appl. Phys. Lett. 1997. — 70, № 20. — c. 2699 -2701.
  115. Фотостимулированные электронные и протонные процессы на поверхности полупроводников / Киселев В. Ф. Плотников Г. С. // Оптика и спектроскопия. 1997. — 83, № 4. — с. 557 — 560.
  116. Surface analysis by imaging of H+ on Si device surface / Ueda Kazuyuki, Ishikawa Kenichi, Yoshimura Masamichi
  117. Jap. J. Appl. Phys. Pt. 1. 1997. — 36, № 12b. -p. 7696 — 7698.
  118. Methods to determine electron traps created in gate oxides by Fowler Nordheim injection / Auriel G., Du-buc J.P. Sagnes В., Oulid J. // J. Non-Cryst. Solids.-1997 — 220, № 2−3. — c. 157 — 163.
  119. Metal oxide — semiconductor field effect transistor junction requirements / Duane Michael, Lynch Willian // J. Vac. Sci. and Technol B. — 1998. — 16, W- 1 — p. 306 — 311.
  120. Existence of optimal N20 nitridation temperature and time for hot-electron hardness enhancement in metal -oxide Sicapacitors / Chang-Liao Kuei — Shu, Lai Han-Chao // J. Vac. Sci. and Technol. B. — 1998. — 16, № 1. — p. 250 — 252.
  121. Особенности перезарядки поверхностных состояний в МДП-структурах в режиме сильной инверсии / Гергель В. А., Зеленый А. П., Тимофеев М. В. // Микроэлектроника.-1998. 27, № 2. — с. 93. — 96.
  122. Low-temperature electron phonon interaction in Si MOSFETs / Zieve R.J., Prober D.E., Wheeler R.G. // Phys. Rev. B. — 1998. — 57, № 4. — p. 2443 — 2446.
  123. Influence of external bias on photoelectric properties of silicon MISITL structures / Yerokhov V.Yn., Melhyk I.I. // Solid State Electron. — 1998. — 42. № 6. -p. 883 — 889.
  124. Brigging the pressure gap for palladium metal insu -lator — semiconductor hydrogen sensors in oxygen sen -sors in oxygen containing environments / Johansson M., 1611. ndstom I., Ekedahl L. G. //J. Appl. Phys. — 1998. — 84. № 1 — p. 44 — 51.
  125. A new approach to investigate gate oxide degradation of MOS capacitors during Fouler Nordheim stress at low electron fluence / Samanta Piyas, Sarkar C. K. // Solid — State Electron. — 1998. — 42, № 1. — p. 165 -171.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?