Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Аномальный тлеющий разряд в процессах нанесения функциональных покрытий

Диссертация: Аномальный тлеющий разряд в процессах нанесения функциональных покрытий
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Проведены комплексные экспериментальные исследования параметров аномального тлеющего разряда в скрещенных электрическом и 5 магнитном полях в процессе нанесения неоднородных по структуре покрытий. Определены вольтамперные характеристики разряда, распределения плавающего потенциала, температуры. аномального тлеющего разряда, зависимости скорости напыления покрытия от мощности разряда во всех… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Низкотемпературная плазма и ее применения для нанесения покрытий
    • 1. 1. Низкотемпературная плазма в процессе нанесения функциональных покрытий
    • 1. 2. Характеристики функциональных покрытий, полученных с помощью низкотемпературной плазмы
    • 1. 3. Применения ЭПР в исследованиях систем титан кислород
    • 1. 4. Задачи диссертации
  • Глава 2. Оборудование и методики исследований
    • 2. 1. Модифицированная плазменная установка
    • 2. 2. Методика нанесения функциональных покрытий
    • 2. 3. Измерительная аппаратура и методики исследования
      • 2. 3. 1. Аппаратура и методики измерения параметров плазмы
      • 2. 3. 2. Аппаратура и методики исследования пленок
      • 2. 3. 3. Методика оценки погрешностей измерений
  • Глава 3. Исследования аномального тлеющего разряда в процесссах нанесения функциональных покрытий
    • 3. 1. Параметры аномального тлеющего разряда в процессах нанесения функциональных покрытий
    • 3. 2. Исследование влияния свойств плазмы на характеристики функциональных покрытий
    • 3. 3. Оптические характеристики, строение и структура функциональных покрытий
    • 3. 4. Модель строения функциональных покрытий
  • Глава 4. Получение функциональных покрытий методом магнетронного распыления
    • 4. 1. Несимметричное зеркало
    • 4. 2. Низкоэмиссионное покрытие
    • 4. 3. Высокоотражающее зеркало с обогревом

Аномальный тлеющий разряд в процессах нанесения функциональных покрытий (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Низкотемпературная плазма является универсальным инструментом для обработки поверхности, нанесения покрытий с заданными свойствами на детали разнообразной формы [1,2,3,4,5,6,7]. Магнетронные распылительные системы обладают рядом преимуществ, которые предопределяют их практическое применение.

В связи со сложной зависимостью характеристик плазменного потока от параметров магнетронной распылительной системы для разработки промышленных применений аномального тлеющего разряда в скрещенных электрическом и магнитном полях необходимо проведение большого количества трудоемких экспериментальных исследований. Все это сдерживает разработку технологических процессов и внедрение магнетронных распылительных систем в производство.

Существенно сократить объем экспериментов позволяет разработка физической модели низкотемпературной плазмы, связывающей параметры разряда с диэлектрической проницаемостью получаемых покрытий. Для этого необходимо определение скоростей ионов плазмы, средней длины свободного пробега, вольтамперной характеристики, пространственного распределения температуры и плавающего потенциала плазмы.

Работа направлена на исследование аномального тлеющего разряда в скрещенных электрическом и магнитном полях в молекулярном потоке смеси газов в процессе нанесения неоднородных по структуре покрытий с заданными функциональными свойствами.

Работа выполнялась при финансовой поддержке РФФИ проект № 04−29 750 200/4 по теме «Разработка технологии плазменного нанесения неоднородных оптических покрытий многоцелевого назначения», АН РТ госконтракт № 06−6.7−82/2006 (Г) по теме «Производство энергосберегающих стекол для тепличных хозяйств», Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере проект № 5267 по гос. контракту.

2992р/5267 по теме «Разработка и создание прототипа теплоотражающего (низкоэмиссионного) стекла», Всемирного банка по проекту «Производство энергосберегающих стеклопакетов» конкурса «Инновации для устойчивого развития Республики Татарстан» 2006;2007 годы. ^.

Цель и задачи исследования

Целью работы является установить параметры молекулярного течения плазмы смеси газов в скрещенных электрическом и магнитном полях для разработки технологии получения покрытий многоцелевого назначения.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

1. Экспериментально исследовать характеристики молекулярного потока плазмы смеси газов аномального тлеющего разряда;

2. Экспериментально исследовать пространственное распределение поля температуры аномального тлеющего разряда в скрещенных электрическом и магнитном полях и нагрев подложек;

3. Исследовать зависимость потоков ионов от мощности в аномальном тлеющем разряде в магнитном поле;

4. Экспериментально исследовать зависимость свойств полученных неоднородных по структуре покрытий от параметров аномального тлеющего разряда в скрещенных электрическом и магнитном полях;

5. Определить влияние характеристик метода магнетронного распыления на модель строения неоднородных по структуре тонких пленок оксидов металлов.

Объект и методы исследования. Основным объектом исследования является поток плазмы аномального тлеющего разряда в скрещенных электрическом и магнитном полях в процессе нанесения покрытий.

При исследовании параметров аномального тлеющего разряда проводились зондовые измерения пространственного распределения плавающего потенциала электрического поля, индукции магнитного поля, распределения температуры в потоке смеси газов хромель-копелевой термопарой и плотности разрядного тока на мишени.

Для исследования характеристик неоднородной по структуре пленки оксидов титана ТЮХ (0<�х<2) использовались специально разработанная методика ЭПР (электронного парамагнитного резонанса) в тонких пленках, рентгеноспектральный анализ, спектрофотометрические измерения. Полученные функциональные неоднородные по структуре покрытия испытывались на устойчивость к климатическим, температурным и механическим воздействиям.

Научная новизна.

1. Экспериментально определены электрические, мощностные и газодинамические характеристики молекулярного потока плазмы аномального тлеющего разряда в скрещенных электрическом и магнитном полях магнетрона в процессах нанесения неоднородных по структуре оптических покрытий;

2. Установлены закономерности влияния параметров потока аномального тлеющего разряда в скрещенных электрическом и магнитном полях на характеристики получаемых неоднородных по структуре покрытий;

3. Установлен оптимальный диапазон вакуумных параметров магнетронной распылительной системы (давление газа Р=0,2-Ю, 3 Па, напряжение на катоде 11=450500 В, мощность разряда Рр=3-^5 кВт, индукция магнитного поля В=0,04 Тл, расход газа 0=4)3−10″ 4-^8,8−10″ 4 г/с) для нанесения неоднородных по структуре покрытий;

4. Впервые применен метод ЭПР для исследования структуры тонких пленок. Методом ЭПР в пленках оксида титана обнаружена спектральная линия с обусловленная парамагнитными центрами Т13+;

5. Разработана физическая и математическая модель строения неоднородных по структуре тонких пленок оксидов титана ТЮХ (0<�х<2).

Практическая значимость и реализация результатов. На основе экспериментальных исследований параметров аномального тлеющего разряда разработаны технологии, позволяющие получать неоднородные по структуре тонкопленочные покрытия с заданными свойствами;

Разработаны и методом магнетронного распыления получены три функциональных покрытия: низкоэмисиионное покрытие, высокоотражающее зеркало с обогревом, несимметричное зеркало;

Получены два патента РФ на изобретения: «Низкоэмисиионное покрытие» и «Высокоотражающее зеркало с обогревом»;

В промышленность внедрено низкоэмиссионное покрытие с улучшенными эксплуатационными и энергосберегающими свойствами, которое применяют в стеклопакетах окон зданий и на транспортных средствах для улучшения теплоизоляции светопрозрачных конструкции. Годовой экономический эффект от внедрения низкоэмиссионного покрытия на ООО НПП «Резтехкомплект» составил 5131 тыс. руб.

Полученные результаты могут быть рекомендованы к использованию в ОАО «Камаз», ТРЦНТ «НУР» и других организациях.

На защиту выносятся следующие научные положения и выводы.

1. Результаты комплексных экспериментальных исследований электрических, мощностных и газодинамических характеристик аномального тлеющего разряда в скрещенных электрическом и магнитном полях в процессе нанесения неоднородных по структуре покрытий.

2. Установленные закономерности влияния параметров аномального тлеющего разряда в скрещенных электрическом и магнитном полях на характеристики получаемых неоднородных по структуре покрытий.

3. Выявленные оптимальные диапазоны вакуумных параметров магнетронной распылительной системы (давление газа Р=0,20, 3 Па, напряжение на катоде Ц=45(Н500 В, мощность разряда Рр=35 кВт, индукция магнитного поля В=0,04 Тл, расход газа 0=4,3−10″ 4-^8,8−10″ 4 г/с) для нанесения неоднородных по структуре покрытий;

4. Результаты исследования тонких пленок ТЮХ методом ЭПР.

5. Физическая и математическая модель строения неоднородных по структуре тонких пленок оксидов титана ТЮХ (0<�х<2).

6. Технология получения и интерференционные конструкции функциональных покрытий, полученных с помощью низкотемпературной плазмы.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы, включающего 141 наименование. Работа изложена на 143 страницах машинописного текста, содержит 62 рисунок, 3 таблицы, 3 приложения.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1. Проведены комплексные экспериментальные исследования параметров аномального тлеющего разряда в скрещенных электрическом и 5 магнитном полях в процессе нанесения неоднородных по структуре покрытий. Определены вольтамперные характеристики разряда, распределения плавающего потенциала, температуры. аномального тлеющего разряда, зависимости скорости напыления покрытия от мощности разряда во всех режимах работы магнетронной распылительной системы с различными материалами мишени и расхода газа.

2. Установлен оптимальный диапазон параметров магнетронной распылительной системы (давление газа /?=0,2^-0,3 Па, напряжение на катоде и=450-^-500 В, мощность разряда Рр=3-^5 кВт, индукция магнитного поля В=0,04 Тл, расход газа 0=4,3−10″ 4-^8,8−10'4 г/с, Кп=0,1-Ю, 3) для нанесения неоднородных по структуре покрытий.

3. В результате проведенных экспериментальных исследований установлено, что для регулировки степени окисления оксида титана ТЮХ (0<�х<2) соотношение расхода реакционного газа кислорода к расходу плазмообразующего газа аргона изменяется в диапазоне воз / вдг= 0/1-И/6.

4. Впервые методом ЭПР исследована структура пленок оксидов титана. Обнаружена спектральная линия с1,97, обусловленная парамагнитными центрами Тл3+, содержащимися в пленке. оксидов титана. Установлена модель строения неоднородных по структуре покрытий оксида титана, полученных методом магнетронного распыления, которая описывается моделью Максвелла-Гарнета.

5. Разработана технология нанесения функциональных покрытий с помощью низкотемпературной плазмы.

6. Разработаны и получены несимметричное зеркало, низкоэмиссионное покрытие и высокоотражающее зеркало с обогревом на основе тонких неоднородных по структуре пленок оксидов титана, кремния и олова. Получено два патента на изобретение. Годовой экономический эффект от внедрения патентов составил 5 131 ООО руб.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок / Б. С. Данилин. М.: Энергоатомиздат, 1989. — 328 с.
  2. , В.В. Нанесение покрытий напылением. Теория, технология и оборудование. / В. В. Кудинов, Г. В. Бобров. М.: Металлургия, 1992, — 431 с.
  3. , В.В. Нанесение покрытий плазмой / В. В. Кудинов, П. Ю. Пекшев, В. Е. Белащенко и др. М.: Наука. 1990. — 408 с.
  4. , И.Ш. Высокочастотная плазменно-струйная обработка материалов при пониженных давлениях. Теория и практика применения / И. Ш. Абдуллин, B.C. Желтухин, Н. Ф. Кашапов. Казань: Изд-во Казанского ун-та. — 2000. — 348 с.
  5. , И.Ш. Струйный многоканальный разряд с электролитическими электродами в процессах обработки твердых тел / И. Ш. Абдуллин, А. Ф. Гайсин, Ф. М. Гайсин. Казань: Изд-во Казанского гос. Техн. ун-та., 2006. — 447 с.
  6. , В.А. Физические основы и математическое моделирование процессов вакуумного ионно-плазменного напыления / В. А. Барвинок, В. И. Богданович. -М.: Машиностроение. 1999. — 309 с.
  7. , И.Ш. Высокочастотная плазменная обработка в производстве обуви / И. Ш. Абдуллин, Л. Ю Махоткина. Казань: изд-во КГТУ, 2006. — 348 с.
  8. , И.С. Интерференционные покрытия для оптического приборостроения / И. С. Гайнутдинов, Е. А. Несмелов, И. Б. Хайбуллин. -Казань: Фэн, 2002. 592 с.
  9. , В.И. Получение покрытий анодно-искровым электролизом / В. И. Черненко, Л. А. Снежко, И. И. Папанова. Л.: Химия, 1991. — 127 с.
  10. Юнг, Л. Анодные окисные пленки / Л.Юнг. Л.: Энергия, 1967. — 232 с.
  11. , Т. Н. Растворные пленочные технологии : учеб. пособие / Т. Н. Патрушева. Красноярск: ИПЦ КГТУ, 2002. — 140 с.
  12. , Б.Г. Осаждение пленок и покрытий разложением металлоорганических соединений / Б. Г. Грибов и др. М.: Наука, 1996. — 322 с.
  13. , Н.В. Химические методы получения тонких прозрачных пленок/Н.В. Суйковская. Л.: Химия, 1971. — 199 с.127
  14. , И.М. Химическое осаждение из растворов / И. М. Вассерман. -Л.: Химия, 1980.-207 с.
  15. Smith, A. Pyrosol deposition of ZnO and Sn02 based thin films: the interplay between solution chemistry growth rate, and film morphology / A. Smith // Thin Solid Films. 2000. 376. — № 1−2. — P. 47−55.
  16. , А.И. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем / А. И. Курносов, В. В. Юдин.— М.: Высш. шк., 1986−368 с.
  17. Affinito, J.D. High Rate Vacuum Deposition of Polymer Electrolytes / J.D. Affmito etc. // J. Vac. Sci and Technol A. 1996.14. -№ 3. — P. 733−738.
  18. , В.Ф. Процессы и установки электронно-ионной технологии / В. Ф. Попов, Ю. Н. Горин: уч. пособие для вузов. М.: Высш.шк., 1988. — 255 с.
  19. Movchan, В.A. EB-PVD Technology in the Gas Turbine Industry: Present and Future / B.A. Movchan // Miner, Metals and Mater. Soc. JOM., 1996. -V.48. — № 1. — P.40−45.
  20. , А.П. Применение сводящегося в пятно трубчатого пучка электронов для получения пленок фуллеренов электронным испарением в вакууме / А. П. Семенов и др. // Письма в ЖТФ. 2005. — Т.31. — № 23. — С. 89−94.
  21. Basillais, A. Aluminum nitride growth by reactive pulsed laser deposition / A. Basillais etc. // Vide Sci. Tech. Appl. 2000.55. — № 295. — P. 268−270.
  22. Dupont, L. Structures and textures of transparent conducting pulsed laser deposited 1п20з ZnO thin films revealed by transmission electron microscopy / L. Dupont etc.//J. Solid State Chem. — 2001. 158,-№ 2.-P. 119−133.
  23. Gao, Guo-mian. Konjun gongcheng daxue xuebao. Ziran kexue ban / Guo-mian. Gao etc.// J. Air Force Eng. Univ. Natur. Sci. Ed. 2005. 6. — № 3. — P. 77−81.
  24. Boulmer-Leborgne, C. Thin film deposition by laser processes / C. Boulmer-Leborgne etc. //Vide Sci. Tech. Appl. 2000. 55.-№ 295.-P. 165−171.
  25. Inoue, Narumi. ТЮ2 thin films prepared by PLD for photocatalytic applications / Narumi Inoue etc. // Appl. Surface Set. -2002. 197−198. P. 393−397.
  26. , Э.Г. Химическое осаждение из газовой фазы / Э. Г. Раков, В. В. Тесленко. М.: Знание, 1993. — с. 45.
  27. Besland, M. Stress variation in silicon nitride films deposited by ECR plasma / M. Besland etc. // Sci., techn. et appl. 2000. 55. — № 295 — P. 358 360.
  28. Zhang, W.J. A new nucleation method by electron cyclotron resonance enhanced microwave plasma chemical vapor deposition for deposition of (001) oriented diamond films / W.J. Zhang etc. // J. Chem. Phys. — 1999. 110. — № 9. — P. 46 164 618.
  29. Grigore, E. Titanium nitride layers deposited by a new PVD duplex method / E. Grigore, Simona Zamfir // Sci Bull. B. Politech Univ. Bucharest. 2005. 67. — № 4. -P. 53−58.
  30. Da Cruz Nilson, C. The effect of ion bombardment on the properties of TiOx films deposited by a modified ion-assisted PECVD technique / C. Da Cruz Nilson etc. ///Nucl. Instrum, andMeth. Phys. Res. B. -2001. 175−177. P. 721−725.
  31. Lim, S.H.N. Characterisation of titanium nitride thin films prepared using PVD and a plasma immersion ion implantation system / S.H.N. Lim etc. // Nucl. Instrum. and Meth. Phys. Res. B. 2002. 190. — P. 723−727.
  32. , В.И. Физико-химические основы технологии электронных средств : учебное пособие /В.И. Смирнов и др. -Ульяновск: УлГТУ, 2005.- 112 с.
  33. Davy, F.G. R-f bias evaporation (ion plating) of non-metal thin films / F.G. Davy, I.I. Hahak // J. Vac. Sci. Technol. 1974. — № 1. — P. 43−47.
  34. White, G.W. New applikations of Ion Plating / G.W. White // Res. Develop. -1973.-№ 7.-P. 43 -44.
  35. Hayes, A.V. Ion source for ion beam deposition employing a novel electrode assembly / A.V. Hayes etc. // Rev. Sci. Instrum. 2000. 71. — № 2. — Pt 2. -P. 1163- 1167.
  36. Minowa, Y. Si02 films deposited on Si by an ionized claster beam / Y. Minowa etc. //J. Vacuum Sci. Technol. 1983.-Vol. Bl. — № 4. — P. 1148−1151.
  37. Yamada, I. Current status of ionizet-claster beam technigue: a low energy ion beam deposition /1. Yamada etc. // Nucl. Instrum. and Meth. Phys. Res. 1987. -Vol. В 21.-№ 2−4.-P. 120−123.
  38. , Б.Н. Аппаратура плазменной технологии высоких энергий -«холодные» системы для генерации плазмы проводящих твердых веществ / Б. Н. Барабанов и др. // Физика и химия обработки материалов. 1987. — № 1. — С.44−51.
  39. , Н.Г. Катодные процессы электрической дуги / Н. Г. Кесаев. М.: Наука, 1968.-325 с.
  40. , В.Г. Методы плазменной технологии высоких энергий /
  41. B.Г. Падалко, В. Т. Толол //Атомная энергетика. 1978. — Т. 44. — С.476−478.
  42. , С.Д. Применение плазменных ускорителей в технике /
  43. C.Д. Гришин, Н. П. Козлов. -М.: Машиностроение, 1973. 157с.
  44. , A.M. Нанесение покрытий торцевыми плазменными ускорителями / A.M. Дороднов, А. А. Поротников // Материалы 2-й Всесоюзной конференции по плазменным ускорителям: доклады / Минск: Техника, 1973. С. 276−277.
  45. , А.В. Структура и методы формирования износостойких поверхностных слоев. / А. В. Белый, Г. Д. Карпенко, Н. К. Мышкин. М.: Машиностроение, 1991. -208 с.
  46. Setsuhara, Yuichi. Inductively-coupled-plasma-assisted planar magnetron discharge for enhanced ionization of sputtered atoms / Yuichi. Setsuhara etc. // Jap. J. Appl. Phys. Pt. 1. — 1997. 36. — № 7B. — P. 4568−4571.
  47. Kenrie, Mc. New development of processing of cathodic plasma of arc / Mc. Kenrie etc. // IEEE Trans. Plasma Sci. 1997. 25. — № 4. — P.652−659.
  48. , И.Ш. Применение высокочастотного разряда в процессах азотирования / И. Ш. Абдуллин и др. // Физ. хим. обработ. материал. 1997. -№ 2. — С.113−115.
  49. , М.В. Повышение надежности турбинных лопаток методом вакуумно-дугового нанесения покрытий / М. В. Буров и др. // Сварочное производство. 1995. -№ 5. — С. 13−16.
  50. , В.Н. Газотермические покрытия / Анциферов В. Н. и др. -Екатеринбург: Наука, 1994. 318 с.
  51. , В.В. Нанесение покрытий плазмой / В. В. Кудинов и др. М.: Наука, 1990.- 408 с.
  52. Вакуумные дуги. Теория и применение: сборник / под ред. Лаферти Дж. -М.: Мир, 1982. -432 с.
  53. , В.В. Нанесение плазмой тугоплавких покрытий / В. В. Кудинов, В. Н. Иванов. М.: Машиностроение, 1981. — 192 с.
  54. , А. Техника напыления: пер. с японского / А. Хасуй. М.: Машиностроение, 1975. —228 с.
  55. , В.П. Влияние режимов вакуумно-дугового напыления на износостойкость карбидо-титановых покрытий / В. П. Булатов и др. // Трение и износ. 1994.-Т. 15.-№ 6.-С. 100−101.
  56. , Г. Г. Износостойкие покрытия на инструментальных материалах (обзор) / Г. Г. Гнесин, С. Н. Фоменко // Порошковая металлургия. 1996. — № 9−10.-С. 17−26.
  57. Wang, Guangfu. Influence of filter channel magnetic field on arc discharge and transfer of plasma in a modified apparatus for vacuum arc deposition / Guangfu. Wang etc. // J. Beijing Norm. Univ. Natur. Sci. -2001. 37. № 2. — P. 187−190.
  58. Hata, Seiichie. Combinatorial arc plasma deposition of thin films / Seiichie. Hata etc. // Jap. J. Appl. Phys. Pt 1. 2006. 44. — № 4A. — P. 2708−2713.
  59. , A.H. Способ реализации импульсной дуги с низким напряжением горения в газе. Исследование влияния параметров цепи / А. Н. Довбня и др. // Ж. техн. физ. 2003. 73. — № 12. — С. 91 — 94.
  60. В.Е. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Книга 6 Нанесение пленок в вакууме / В. Е. Минайчев М.: Высшая школа, 1989. 111 с.
  61. , Н.Н. Основные закономерности метода получения пленок распылением мишеней ионным пучком / Н. Н. Смирнов и др. // Оптич. ж. -2001. 68.-№ 4.-С. 60- 62.
  62. , Г. А. Свойства пленок, полученных распылением мишеней ионным пучком / Г. А. Муранова и др. // Оптич. ж. 2001. 68. — № 4. — С.53−59.
  63. Tominaga, Kikuo. Energetic negative ions in titanium oxide deposition by reactive sputtering in Аг/Ог / Kikuo. Tominaga etc. // 8 International Symposium on131
  64. Sputtering and Plasma Processes (ISSP'2005), 8−10 June, Kanazawa, 2005 / Vacuum. 2006. 80. -№ 7 — P. 654−657.
  65. Kamoshida, Kazuyoshi. Preparation of low-reflectivity aluminum film using direct current magnetron sputtering in Ar/02 and Ar/N2 atmospheres / Kazuyoshi. Kamoshida // J. Vac. Sci and Technol B. 2000. 18 — № 5. — P. 2565−2568.
  66. , И.В. Особенности формирования тонких пленок оксида А1 высокочастотным магнетронным методом / И. В. Лунев, В. Г. Падалка // Физ. и хим. мат. 1996. — № 3. — С.78−83.
  67. Miyaki, Kioshi. Improved system of ion-beam sputter deposition with ion source based on RF-sputtering / Kioshi. Miyaki // Nucl. Instrum. and Meth. Phys. Res. B. -1997. 121. -№ 1−4. -C. 102−106.
  68. , P.Т. Технология напыления высокоотражающих покрытий на изделия из АБС-пластика / Р. Т. Галяутдинов, Н. Ф. Кашапов, Г. С. Лучкин // Инженерно-физический журнал АН Беларуси. 2002. -Т. 75. — № 5. — С. 170−173.
  69. , П.С. Магнетронные распылительные системы / П. С. Данилин, В. К. Сырчин. М.: Радио и связь, 1982. — 72с.
  70. Deng, Jifduo. Исследование свойств карбидов и нитридов титана / Jifduo Deng, Manuel Braun, Irena Gudovska // J. Bas. Sci and Technol. A. 1994, 12. -№ 3. — C. 733−736.
  71. Пат. № 5 389 445 США С 23, С 14/34, 1996. / Магнетронные системы.
  72. Плазменное напыление защитных износостойких покрытий // Produktion. -1997.-№ 39.-С. 13.
  73. Ю.П. Основы современной физики газоразрядных процессов / Ю. П. Райзер. М.: Наука, 1980. — 284 с.
  74. , В.Е. Магнетронные распылительные устройства (магратроны) / В. Е. Минайчев, В. В. Одиноков, Г. П. Тюфаева. М.: ЦНИИ Электроника, 1979. -375 с.
  75. , Ю.П. Физика газового разряда / Ю. П. Райзер. — М.: Наука, 1987 592 с.
  76. Hassouba, М.А. Effect of the magnetic field on the plasma parameters in the cathode fall region of the DC-glow discharge / M.A. Hassouba // Eur. Phys. J. Appl. Phys.-2001. 14. -№ 2. P. 131—135.
  77. Buyle, G. Simplified model for the DC planar magnetron discharge / G. Buyle etc. // Vacuum. 2004. 74. — № 3 — 4. — P. 353−358.
  78. , В.В. Свойства магнетронного разряда на постоянном токе. Ч. 2. Особенности переноса заряда / В. В. Жуков и др. // Изв. Томск политехи, ун-та. 2006. 309. -№ 1. 56 -59. — С. 261−262.
  79. , В.Ю. Дрейфовая модель прикатодных областей тлеющего разряда / В. Ю. Кожевников, А. В. Козырев, Ю. Д. Королев // Физ. Плазмы. -2006. 32. № 11.-С. 1027−1038.
  80. Gurin, А.А. Kinetic theory of ionization in a cathode sheath of abnormal glow discharge / A.A. Gurin // Укр. фи. ж. 2001. 46. — № 3. — P. 305−311.
  81. Czekaj, D. Deposition of PZT thin film and determination of their optical properties / D. Czekaj etc. // J. Eur. Ceram. Soc. 1999. 19. — № 6−7. — P. 1489−1492.
  82. Каир, D.J. Parametric interactions inside a magnetron / D.J. Каир, J.О. E. Reedy, G.E. Thomas // J. Plasma Phys. 2000. 64. — № 4. — P. 489−506.
  83. Wronski, Z. Ti and Fe cathode sputtering by the glow discharge plasma / Z. Wronski, J. Sielanko, J. Herec // Vacuum. 2003. 70. — № 2−3. — P. 275 — 284.
  84. Jung, Yeon Sik. Spectroscopic ellipsometry studies on the optical constants of indium tin oxide films deposited under various sputtering conditions / Sik Yeon Jung // Thin Solid films. 2004. 467. — № 1−2. — P. 36−42.
  85. , О.Д. Оптические свойства пленок Ta2Os, полученных реактивным магнетронным распылением / О. Д. Вольпян и др. // Оптич. ж. -2003. 70,-№ 9.-С. 56−60.
  86. , С.Г. Моделирование и расчет параметров электрического разряда в планарном магнетроне / С. Г. Клопов и др. // Известия РАН. Серия физ. 2006. -Т. 70. — № 8. — С. 1204−1209.
  87. И.В. Ионно-плазменные методы формирования тонкопленочных покрытий: Монография / И. В. Свадковский. Минск: Бестпринт, 2002. — 242 с.
  88. Mihaila, I. Electron distribution function in magnetron discharge / I. Mihaila etc. //Rom. Repts Phys.-2002. 54.-p № 6 10. — P.301−308.
  89. , M.H. Математическое моделирование рабочих характеристик магнетронных систем ионного распыления / М. Н. Корчагина, Н. В. Савенков, Б. В. Корчагин // Электронная техника. Сер. 1. 1986. — Вып. 1 (385). — С. 62−63.
  90. Г. В. Оптика тонкослойных покрытий / Г. В. Розенберг М.: ГИФМЛ, 1958.-572 с.
  91. Li, Wenyi. Influence of growth process on the stuctural, optical and electrical properties of CBD-CdS films / Wenyi Li etc. // Mater. Lett. 2005. 59. — № 1. — P. 1−5.
  92. , Е.П. Пленкообразующие материалы для новых задач современной оптики / Е. П. Гальеквич // Оптический журнал. 2006. 13. — № 12. — С.82−85.
  93. Э. Пленочные диэлектрические материалы для оптических применений / Э. Риттер // в кн. Физика тонких пленок. М.: Мир, 1978. — Т.8. — С.7−60.
  94. Shabalov, M.S. Optical properties and structure of thin SiOx films / A.L. Shabalov, M.S. Feldman// Thin solid films. -2003. Vol.151. — № 3. — P. 317−324.
  95. , H.A. Инфракрасные фильтры / H.A. Борисевич, В. Г. Верещагин, М. А. Валидов. Минск: Наука и техника, 1971. — 148 с.
  96. Zhang, Rui. Состояние и перспективы применения тлеющих разрядов при атмосферном давлении / Rui Zhang, Peng Lui, Ru-Juan Zhan // Wuli Physics. -2004. 33.-№ 6.-P. 430−434
  97. В.А. Технология получения тонкопленочных покрытий с переменным отражением: автореф. д’ис.. канд. техн. наук: защищена 12.02.2004: утв. 24.26.2004 / В. И. Дмитренко. Спб.: гск. ун-т инф. технол. мех. и оптики, 2004. — 19 с.
  98. Шиллер, 3. Электроннолучевая технология / 3. Шиллер, У. Гайзиг, 3. Панцер. М.: Энергия, 1980. — 528с.
  99. , А.Я. Сопоставление показателей преломления и ИК спектров пленок двуокиси кремния, полученных разными методами / А. Я. Балагуров и др. // ОМП. 1979. — № 2. — С. 10−38.
  100. Pulker, H.K. Characterization of optical thin films / H.K. Pulker // Applied optics. 1979.-V.12.-№ 12.-P. 1969−1975. i
  101. , А. Конструирование многослойных интерференционных светофильтров /А. Телен // в кн. Физика тонких пленок. М.: Мир, 1972. Т.5. — С. 46−83.
  102. , В.А. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах / В. А. Гриценко. Новосибирск: Наука, 1993. — 280 с.
  103. McNeil, J.P. Propeties of ТЮг and SiC>2 thin films deposited using ion assisted deposition/ J.P. McNeil etc. // Applied Optics. 1985. — V.24. — № 4. — P.486 — 489.
  104. Справочник технолога-оптика / под ред. С. М. Кузнецова, М. А. Окатова. -Л.: Машиностроение, 1983. 307 с.
  105. Мацкевич, Л. А Оптические покрытия на основе двуокиси титана / Л. А. Мацкевич, В. В. Бажинов // ОМП. 1977. — № 2. — С. 41−43.
  106. Не, Gang. The structure and thermal stability of ТЮ2 grown by the plasma oxidation of sputtered metallic Ti thin films/ Gang He etc. // Chem. Phys. Lett. -2004. 395. № 4−6. — P.259−263.
  107. Mitchell, D.R.G., Characterisation of epitaxial ТЮ2 thin films grown on MgO (OOl) using atomic layer deposition / D.R.G. Mitchell, D.J. Attard, G.J. Triani // Cryst. Growth. -2005. 285. -№ 1−2. P. 203−214.
  108. Kwon, Chul Han. Degradation of methylene blue via photocatalysis of titanium dioxide / Chul Han Kwon etc. // Mater. Chem. and Phys. 2004. 86. — № 1. — P. 78−82.
  109. Abdel-Aziz, M.M. Determination and analysis of dispersive optical constant of Ti02 and Ti203 thin films / M.M. Abdel-Aziz etc. // Appl. Surface Sci. 2006. 252. -№ 23.-P. 8163−8170.
  110. Zheng, Ziyao. Analysis by atomic force microscopy of thin films of TiOo with low optical transmission deposited by magnetron sputtering / Zheng Ziyao etc. // Bandaoti guangdian Semiconduct- Optoelectron. — 2005. 26. — № 5. — P. 418−420.
  111. , В.В. Электронный парамагнитный резонанс в системе титан-кислород / В. В. Антуфьев // ФТТ. 1962. — Т 4. — вып. 6. — С. 1496−1499.
  112. , В.И. Электронный парамагнитный резонанс и парамагнитнаяо Iрелаксация в жидких и переохлажденных растворах солей Ti / В. И. Авакумов, Н. С. Гарифьянов, Е. И. Семенова // ЖЭТФ. 1960. — Т. — 39. — вып 5. — С.1213−1220.
  113. , М.Д. ЭПР исследование примесей в пленках титаната стронция / М. Д. Глинчук и др. // ФТТ. 2001. — Т. 43. — вып. 5. — С.809−812.
  114. , М.Д. К теории локальных электронных центров вблизи поверхности полупроводниковых пленок / М. Д. Глинчук // Укр. Физ. ж. 1963. -Т. 8. — вып. 7. — С.805−808.
  115. Ensign, Т.С. Shared holes by charge defects in SrTi03 / T.C. Ensign, S.E. Stokowski // Phys. Rev. B. 1970. — V.l. — № 6. — P. 2799−2810.
  116. Arafa, S. Titanium impurity center induced in irradiated silicate glasses / S. Arafa, F. Assabghy // Journal of Applied Physics. 1974. — V. 45. — № 12. — P. 5269−5271.
  117. Aono, M. Interaction and ordering of lattice defects in oxygen-deficient rutile ТЮг-х / M. Aono, R.R. Hasiguti // Phys. Rev. B. 1993. — V. 48. — № 17. — P. 12 406−12 414.
  118. Khomenko, V.M. Electronic absorption by Ti3+ ions and electron derealization in synthetic blue rutile/ V.M. Khomenko etc. // Phys. Chem. Minerals. 1998. -№ 25.-P. 338−346.
  119. Bottcher, R. EPR spectra of transition element impurities with 3d" configuration in hexagonal CdS and CdSe single crystals / R. Bottcher, J. Dziesiaty // Phys. stat. sol. В. 1973.-V 57. -P. 617−626.л I
  120. Bottcher, R. Ligand hyperfine interaction of Ti in CdS and CdSe sites with trigonal symmetry C3v/ R. Bottcher, J. Dziesiaty // Phys. stat. sol. (b). 1972. — V 53. -P. 505−518.
  121. А.Д. Адгезия пленок и покрытий / А. Д. Зимон. М.: Химия, 1983. — 352 с.
  122. , Е.А. Измерение энергии адгезии тонких пленок / Е. А. Несмелов и др. //ОМП. 1982. — № 10. — С.34 — 37.
  123. , Б.H. Прибор для определения адгезии оптических покрытийметодом царапин / Б. Н. Иванов и др|. // ОМП. 1988. — № 2.
  124. , Г. А. Исследование микропористости тонких пленок и ее влияние на оптические характеристики одиночных слоев и многослойных систем: автореф. дис.. канд. тех. наук: защищена 12.02.1975:утв. 12.06.1975/ • Г. А. Муранова. JT., 1975. — 22 с. j
  125. Leger, M. Intrinsic and thermal stress modeling for thin-film multilayers / M. Leger, R.S. Bastien // US Dep. Commer., Nat. Bur. Stand. Spec. Publ. 1977. -№ 509.-P. 230−243.
  126. Гисин, M. A / M.A. Гисин, Г. П. Конюхов, E.A. Несмелов //Опт. и спектр. -1964. Т.16. — Вып. 1. — С.151−152.
  127. , Ф. Оптические свойства металлических пленок / Ф. Абелес // в кн. Физика тонких пленок. М.: Мир, 1973. — Т.6. — С. 171 — 227.
  128. , А.Н. Погрешности измерений физических величин / А.Н.i
  129. Зайдель.- JL: Наука, 1985.- 112 с.
  130. , Д. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ / Д. Гоулдстейн и др. М: Мир, 1984. — Т 1, 2.
  131. , З.Г. Несплошные и керментные пленки / З. Г. Мейксин // в кн. Физика тонких пленок М.: Мир, 1978. — Т.8. — С. 106−179.
  132. , П.Г. Анализ и синтез многослойных интерференционных пленок / П. Г. Кард. Таллин: Валгус, 1971. — 236 с.
  133. , А.Р. Двухслойные несимметричные зеркала / А. Р. Галяутдинов,
  134. Н.Ф. Кашапов // Всероссийская молодежная научно-практическая конф.
  135. Инновации в науке, технике, образовании и социальной сфере": материалы конф. / под ред. д.т.н. Р. Т. Сиразетдинова и др. / КГТУ им. А. Н Туполева. -Казань, 31 окт. 1 нояб. 2003. — С. 116.
  136. Пат. № 2 190 692 Российская Федерация МПК С 23 С 14/8, С 03 С 17/36. Низкоэмиссионное покрытие, нанесенное на прозрачную подложку / А. А. Суханов, Б. М. Чудинов. -№ 2 001 106 842/02- заявл.: 13.03.2001 — опубл. 10.10.2002.
  137. Пат. № 2 339 591 Российская Федерация. МПК7 С03С 17/34. Низкоэмиссионное покрытие / А. Р. Галяутдинов, Р. Т. Галяутдинов, Н. Ф. Кашапов. № 2 006 128 640- заявл. 25.07.2006 — опубл. 27.11.08, Бюл. № 33. — 3 с.
  138. , Р.Т. Для улучшения автомобильных зеркал. / Р. Т. Галяутдинов, Н. Ф. Кашапов, Г. С. Лучкин // Автомобильная промышленность. -2002.-№ 3.-С. 21−23.
  139. Пат. № 2 262 215 Российская Федерация. МПК7 Н 05 В 3/84. / Р. Т. Галяутдинов, Н. Ф. Кашапов, Г. С. Лучкин. № 2 004 102 289/12- заявл. 26.01.2004- опубл. 10.10.2005
  140. Пат. № 2 316 155 Российская Федерация. МПК7 Н05 В 3/84 / ООО НПП Резтехкомплект. -№ 2 006 120 497- заявл. 13.06.2006 — опубл. 27.01.08, Бюл.№ 3.
  141. , М.А. Рентгеноспектральный справочник / М. А. Блохин, М. Г. Швейцер. М.: «Наука», 1982. — 376 с.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?