Исследование радиационных дефектов в карбиде кремния емкостными методами
Диссертация
Развитие современной энергетики, космических технологий и средств телекоммуникаций создало потребность в мощных и высокочастотных полупроводниковых приборах, способных работать при высоких температурах и высоких уровнях ионизирующего излучения. Существующая в настоящее время технология создания приборов на основе кремния не позволяет получать такие приборы, что привело к необходимости поиска… Читать ещё >
Содержание
- Глава 1. Основные свойства карбида кремния и глубоких центров, связанных с собственными и радиационными дефектами
- 1. 1. Основные физические свойства карбида кремния
- 1. 2. Технология получения объёмных кристаллов и эпитаксиальных слоев карбида кремния
- 1. 2. 1. Получение эпитаксиальных слоев SiC методом сублимации в открытой ростовой системе
- 1. 2. 2. Метод химического осаждения из газовой фазы
- 1. 3. Основные примеси в карбиде кремния
- 1. 4. Собственные и радиационные дефекты в карбиде кремния
- 1. 4. 1. 611-SiC
- 1. 4. 2. 4H-SiC
- 2. 1. Использованные экспериментальные методы
- 2. 2. Физические основы использованных экспериментальных методов
- 2. 3. Нестационарная спектроскопия глубоких уровней
- 2. 3. 1. Нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней
- 2. 3. 2. Учёт уширения пиков DLTS
- 2. 3. 3. Токовая спектроскопия глубоких уровней
- 2. 4. Измерительная установка
- 2. 4. 1. Установка для измерения емкостных спектров DLTS
- 2. 4. 2. Установка для измерения токовых спектров
Список литературы
- Lindstrom G., Moll M. Fretwiirst E. Radiation hardness of silicon detectors — a challenge from high-energy physics // Nuclear 1. struments and Methods in Physics Research A 1999- v.426-pp.l-15
- Верма А., Кришна П. Политипизм и полиморфизм в кристаллах. М. Мир-1969−390 с.
- Ramsdell L.S. Studes on Silicon carbide // Am. Mineral-1947-v.32- p.64−82
- Хэпиш Г., Рой P.M. Карбид кремния. М. Мир, 1972- 386 с.
- Humpreys R.G., Bimlery D., Choyke W.J. // Solid State Commun-1981-v.39-p.163.
- Дубровский Г. Б. Структура, энергетический спектр и политипизм в кристаллах карбида кремния // ФТТ-1971- т.13- в.8 сс.2505−2507.
- Дубровский Г. Б., Лепнёва Г. А. Энергетическая зонная структура и оптические спектры кристаллов карбида кремния. // ФТТ-1977-т.19.в.-5-е.1252−1259.
- Водаков Ю.А., Константинов Л. О. Литвин Д.П. Санин В. И. Лавинная ионизация в карбидкремпиевых р-n структурах. // Письма в Ж’ГФ-1981 -т.7 -в.-12- с.705−708.
- Константинов А.О. Температурная зависимость ударной ионизации и лавинного пробоя в карбиде кремния // ФТП-1989- т. 23-в.1-с. 52−57.
- Choyke W., Patrik L. Exiton Recombination Radiation and Phonon Spectrum // Phys. Rev.-1962-v.l27-N 6 -p. 1868−1877
- Пихтин A.H., Яськов Д. А. Край основной полосы поглощения SiC 6Н // ФТТ-1970-т.12-в.6-с. 1597−1604
- Acheson E.G. On carborundum // Chem News B, -1893 68 — p. 179
- Lely J.A. Darstellung von Einkristallen von Siliziumcarbid und Beherrshing von Art und mende der eingebeunten verunreininungen // Ber. Dt. Keram. Ges -1955−55-P.229
- Глаговский А.А., Граневский Э. В., Дроздов A.K. и др. Некоторые вопросы полчченпя карбида кремния и эпитаксиальных структур на его основе / Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников, Ленинград -1980-С.226−240
- Tairov Yu.M. and Tsvetkov V.F. Investigation of Growth procces of ingots of silicon carbide single crystals // J. Crystal Growth -1978 -v.43 pp.209−212
- Таиров Ю.М., Цветков В. Ф. Современное состояние и перспектива получения монокристаллов и эпитаксиальных слоев карбида кремния // В 14. С. 122−135
- Tsvetkov V.F., Allen S.T., Kong M.S., Carter C.H. Jr. Recent progress in SiC crystal growth // Inst. Phys. Conf. Ser. 1996 — 142 — pp. 17−22
- Yakimova R., Yakimov Т., Hitova L., Janzen E. Defect mapping in 4H-SiC wafers // Mat. See. Eng. 1997 — В 46 — pp.287−290
- Vodakov Yu. A., Mokhov E.N., Ramm M.G., Roenkov A.O. Epitaxial growth of silicon carbide layers by sublimatione «sandwich-method'' // Krist and Tecnik. -1979-V.14 -pp.729−740
- Константинов A.O., Литвин Д. П., Санкин В. И. Резкие струкрурносовершенные карбидокремниевые р-п переходы // Письма в Ж.Т.Ф. -1981-Т.7-В.21-сс.1335−1339
- Brander R.W., Sutton R., Brit. J. Solution grown SiC p-n junctions // Appl Phys D2-N2-pp.309−318
- Ziegler and Theis D. A New Degradation Phenomenon in Blue Light Hmiuing Silicon Carbide Diodes // IEEE Transaction on electron devices 1981 — V.28 — N4 — pp.425-.427
- Дмитриев В., А., Иванов П. А., Морозенко Я.В.и др. Карбидокремниевые светодиоды с излучением в синефиолетовой области спектра // Письма в ЖТФ. -1985-T.l l-B-c.98
- Дмитриев В., А., Коган JI.M., Морозенко Я.В.и др. Индикаторы с синим свечением па основе карбида кремния, выращенный бесконтейнерной жидкостной эпитаксией Письма в ЖТФ 1985 — Т.12 — В7 — сс.385−388
- Аникин М.М., Дмитриев В. А., Гусева И. Б., Сыркин A.J1. Рост и структурное совершенство эпитаксиальных слоев SiC при их выращивании „сэндвич“ методом в открытой ростовой системе // Изв АН СССР- Неорганические материалы — 1984- В. 10 — сс.1768−1770
- Зеленин В.В., Корогодский M.JL, Лебедев А. А. Некоторые аспекты газофазной эпитаксии карбида кремния // ФТП 2001 — Т.35 — сс. 1169−1171
- Lebedev A.A., Tregubova A.S., Chelnokov V.E., Scheglov M.M., Glagovskii A.A. Growth and investigations of the big area Lely-grown substrates // Mater. Sci. Eng. В 1997 — v.46 -pp. 291−295
- Savkina N.S., Lebedev A.A., Tregubova A.S., Scheglov M.P. Structural and optical studies of low doped n-6H SiC layers grown by vacuum sublimation // Materials Science Forum Vols 2000 — vv.338−342 — pp.509−512
- Tuominen M., Yakimova R., Syvajarvi M., Janzen E. Domain misorientation in sublimation grown 4H-SiC epitaxial layers // Mater. Sci. Eng. В 1999 — vv.61−62 -pp.168−171
- Minagva S., Gatos H.C. Epitaxial growth of a-SiC from the vapor phase H Jap.J.Appl.Phys. 1971 — v.10 — pp.1680−1690
- Fatemi M., Nordquist P.E.R. An x-ray topographic study of P-SiC films on Si substrates J.Appl.Phys. 1987 — v.61 — pp.1883−1890
- Janzen E., Kordina O. Recent progress in epitaxial growth of SiC for power device applications // Inst Phys Conf. Ser. 1996 — v. 142 — pp. 653−658
- Kimoto Т., Nakazava S., Hashimoto K., Matsunami H. Reduction of doping and trap concentrations in 4H-SiC epitaxial layers grown by chemical vapor deposition -7 Appl. Phys. Lett. 2001 — v.79 — p. 2761
- Buk A.A., O’Loughlin M.J., Mani S.S. SiC epitaxial layer growth in a novel multi-wafer VPE reactor // Mat.Sci.Forum 1998 — vv.264−268 — pp.83−88
- Karamann S., Haberstroh C., Engelbrecht F., Suttrop V» Schoner A., Schadt M. Helbig R., Pensl G., Stein R. A. and Leibenzeder S., CVD growth and characterization of single-crystalline 6H silicon carbide // Physica В -1993 v. 185, pp. 75−78
- Larkin D.J., Neudek P.G., Powell J.A., Matus L.G. Site-competition epitaxy for superior silicon carbide electronics // Appl. Phys. Lett. 1994 — v.65 — pp.1659−1661
- Kimoto Т., Itoh A., Matsunami H. Incorporation mechanism of N, Al, and В impurities in chemical vapor deposition of SiC // Appl.Phys.Lett. 1995 — v.67 — p.23 85
- Rupp.R., Langing P., Volki J., Stephani D. First results on silicon carbide vapor phase epitaxy growth in a new type of vertical low pressure chemical vapor deposition reactor // J.Cryst. Growth 1995-v. 146-pp.37−41
- Wagner G., Leitenberger W., Irmscher K., Schmid F., Laube M., Pensl G. Aluminium incorporation in 4H-SiC layers during epitaxial growth in a hot-wall CVD system и Mat. Sci. Forum Vols. 2002 — vv.389−393 — pp.207−210
- Janson M.S., Hallen A., Linnarsson M.K., Svensson B.G. Hydrogn diffusion, complex formation, and dissociation in acceptor-donor silicon carbide // Phys. Rev. В 2001 — v.64 -pp. 195−202
- Aradi В., Gali A., Deak P., Son N.T., Jansen E. Passivation of p-type dopants in 4H-SiC by hydrogen // Physica В 200 Г — w.308−310 — pp.722−725
- Patric L. Inequalent Sites and Multiplet Donor and Acceptor Levels in SiC Polytypes /.' Phys. Rev 1962 — v. 127 — N 6- pp. 1878−1880
- Rao M.V., Gardner J., Holland O.W. et al. Hot implantation of N+ into a-SiC epilayers // Inst.Phys.Conf.Ser. 1996 — N142 — pp.521−524
- Suttrop W., Pensl G., Choyke W.J., Steine R, Leibenzeder S. Hall effect and adsorption measurements on nitrogen donors in 6H-silicon carbide // J. Appl. Phys. 1992 — v.72 -pp.3708 -3713
- Raynaud С., Ducroquet F., Guillot G., Porter L. M., Davis R. F. Determination of ionization energies of the nitrogen donors in 6H-SiC by admittance spectroscopy // J. Appl. Phys. 1994 — v.76 — pp.1956−1958
- Gotz W., Schoner A., Pensl G., Suttrop W., Choyke W.J. Steine R" Leiben/eder S. Nitrogen donors in 4H-silicon carbide // J. Appl Phys 1993 — v.73 — p.3332
- Woodbery H.H., Ludwig G.W., Electron Spin Resonance Studies in SiC. ,'/ Ph> s.Rc. -1961 V124 — pp.1083−1089
- Troffer Th., Gotz W., Schoner A. et al .Hall effect and infrared absorption measurements on nitrogen donors in 15R-SiC // Inst.Phys.Conf.Ser. 1994 — N137 — pp. 173−176
- Nikolaev A.E., Nikitina I.P., Dmitriev V.A. Highly nitrogen doped 3C-SiC grown b liquid phase epitaxy //Inst.Phys.Conf. Ser. 1996 — v. 142 — p. 125−128
- Euwarage A.O., Smith S.R., and Mitchel W.C. Shallow levels in n-type 6H- silicon carbide as determined by admittance spectroscopy // J. Appl Phys 1994 — v.15 — pp.3472−3476
- Водаков Ю.А., Калабухова E.H., Лукин C.H., Лепнева А. А., Мохов Е. Н., Шанина Б. Д. // ЭПР в 2-мм диапазоне и оптическое поглощение собственного дефекта в эпитаксиальных слоях 4H-SiC//ФТТ 1991 -т.ЗЗ — сс. ЗЗ 15−3326
- Dean P.J., and Hartman R.L. Magneto-Optical Properties of the Dominant Bound Exitons in undoped 6H SiC // Phys. Rev. В 1972 — v.5 — pp.4911−4924
- Van H. Daal., Knippenberg W. F,. Wassher J.D. On the electronic conduction of a-SiC crystals between 300 and 1500 К // J.Phys.Chem.Solids 1963 — v.24 — pp. 109−127
- Ломакина Г. А., Водаков Ю. А., Мохов. E.H., Одинг В. Г. Холуянов. Г. Ф. Сравнительные исследования электрических свойств трех политипов карбида кремния // ФТТ 1970 — т. 12 — сс.2918−2922
- Кодрау И.В., Макаров В. В. Исследование голубой люминесценции карбида кремния с применением ионной имплантации алюминия и азота // ФТП 1977 — т. 11 — сс.969 -972
- Мохов Е.Н., Усманов. М.М., Юлдашев Г. Ф., Махмудов Б. С. Легирование SiC элементами III, А подгруппы при росте кристаллов из паровой фазы /7 Неорганиические материалы 1984 — т.20 — сс.1383−1386
- Schoner A., Nordell N., Rottner K., Helbig R., Pensl G. Dependence of the aluminium ionization energy on doping concentration and compensation in 6H-SiC // Inst.Phys.Conf.Ser. 1996 — N142 — pp.493−496
- Шкловский Б.И., Эфрос A.JI. Структура примесной зоны слаболегированных полупроводников (Обзор) // ФТП 1980 — т.14 — сс.825−858
- Иванов П.А., Морозенко Я. В., Суворов А. В. Исследование глубоких центров в р-п переходах, полученных ионным легированием 6H-SiC // ФТП 1985 — т. 19 — сс.1430−1433
- Ikeda I., Matsunami Н., Tanaka Т. Site effect on the impurity levels in 4H, 6H and 15 R SiC // Phys.Rev. 1980 — v.22 — p.2842
- Kuznetsov N.I., Zubrilov A.S. Deep centers and electroluminescence in 4H SiC diodes with a p-type base region // Mat. Science and Eng. В 1995 — v.29 — pp. 181 -184
- Heera V., Pezold J., Ning X., and Pirouz P. High dose co-implantation of aluminium and nitrogen in 6H-silicon carbide // Inst.Phys.Conf.Ser. 1996 — N142 — pp.509−512
- Clemen L.L., Devaty R.P., Choyke W.J., Powel J.A., Larkin D.J., Edmond J.A., Burk A.A. Recent developments in the characterization of the aluminum centre in 3C, 4H, 6H and 15R // Inst.Phys.Conf. Ser. 1994 — N137 — pp.297−300
- Водаков Ю. А., Ломакина Г. А., Мохов E.H. Нестехиометрия и политипизм карбида кремния // ФТТ 1982 — т.24 — сс. 1377−1383
- Andreev A.N., Anikin М.М., Lebedev А.А., Poletaev N.K., Strel’chuk A.M., Syrkin A.L. and Chelnokov V.E. A relationship between defect electroluminescence and deep centers in 6H SiC // Inst.Phys.Conf.Ser. 1994 — N137 — pp.271−274
- Вейнгер А.И., Водаков Ю. А., Кулев Ю., Ломакина Г. А., Мохов Е. Н., Одинг В. Г. Соколов В.И Примесные состояния бора в карбиде кремния // Письма в ЖТФ -1980 -т.6-сс.1319−1323
- Виолин Е.Э., Холуянов Г. Ф. Экстранция носителей тока полем р-п перехода и механизм электролюминесценции SiC // ФТТ 1966 — т.8 — с.3395
- Лебедев А.А., Андреев А. Н., Мальцев А. А. Растегаева М.Г., Савкина Н.С'. Челноков В. Е. Получение и исследование эпитаксиальной диффузии 6H-SiC р-n структур // ФТП 1995-т.29-с.1635
- Аникин М.М., Лебедев А. А., Сыркин А. Л., Суворов А. В. Исследование глубоких уровней в SiC методами емкостной спектроскопии // ФТП 1985 — т.19 — сс.114−117
- Suttrop W., Pensl G., Laning P. Boron-Related Deep Centers in 6H-SiC // Appl. Phys. A. -1991 -v.51 — pp.231−237
- Anikin M.M., Lebedev A.A., Poletaev N.K., Strel’chuk A.M., Syrkin A.L. and Chelnokov V.E. Deep centers and blue-green electroluminescence in 4H-SiC // Inst.Phys.Conf.Ser. -1994- N137 -pp.605−607
- Лебедев А.А., Полетаев H.K. Глубокие центры и электролюминесценции легированных бором 4H-SiC р-n структур // ФТП 1996 — т.30 — сс.54−55
- Константинов А.О. Инжекция неравновесных точечных дефектов при диффузии примесей в кристаллах со смешанным механизмом самодиффузии // ФТП 1991 -т.25 — сс.1175−1181
- Баранов П.Г. Радиоспектроскопия широкозонных полупроводников: SiC и GaN // ФТТ 1999 — т.41 — в.5 — сс.789−793
- Jang S., Kimoto Т., Matsunami Н. Deep levels in 6H SiC wafers and step-controlled epitaxial layers // Appl.Phys.Lett. 1994 — v.65 — pp.581−583
- Mazzola M.S., Saddow S.E., Neudeck P.G., Lakdawala V.K., We S. Observation of the D-centre in 6Hp-n diodes grown by chemical vapor deposition // Appl.Phys.Lett. 1994 -v.64 — pp.2730−2735
- H.Zhang, G. Pensl, A. Dorner, S.Leibenzeder. // Ext. Abstr. Electrochem. Soc. Mtg. 1989 -p.699
- Аникин M.M., Андреев A.H., Лебедев A.A., Пятко С. М., Растегаева М. Г., Савкина Н. С., СТрельчук A.M., Сыркин А. Л., Челноков В. Е. Высокотемпературный диод Шоттки Au-SiC-6H // ФТП 1991 — т.25 — в.2 — сс.328−333
- Аникин М.М., Зубрилов А. С., Лебедев А. А., Стрельчук A.M., Черенков А. Е. Рекомбинационные процессы в 6Н SiC р-п структурах и влияние на них глубоких центров // ФТП 1991 — т.25 — сс.479−489
- Балландович B.C. Релаксационная спектроскопия радиационно-индуцированных дефектов в 6H-SiC // ФТП 1999 — т. ЗЗ — сс. 1314−1319
- Gong М., Fung S., Bellig C.D., ZhipuYou Electron-irradiation-induced deep levels in n-type 6H-SiC // J. Appl. Phys. 1999 — v.85 — pp.7604−7608
- Афанасьев А.В., Ильин В. А., Казарин И. Г., Петров А. А. Исследования термической стабильности и радиационной стойкости диодов Шоттки на основе карбида кремния // ЖТФ — 2001 т.71 — в.5 — сс.78−81
- Dalibor Т., Pensl G., Matsunami Н., Kimoto Т., Choyke W.J. Schoner A. Nordcll N Deep defect centers in silicon carbide monitored with deep level transient spectroscopy /7 Phys. Stat. Sol. (a) 1997 — 162 — p. 199
- Лебедев A.A. Центры с глубокими уровнями в карбиде кремния // ФТП 1999 — т. ЗЗ — сс.129−155
- Lebedev А.А., Strel’chuk A.M., Kozlovskii V.V., Savkina N.S., Davydov D.V. Solov’e V.V. Studies of the effect of proton irradiation on 6H-SiC pn junction properties ," Mat. Sci. Eng. В 1999 — vv.61−62 -pp.450−453
- Hemmingsson C.G., Son N.T., Janzen E. Observation of negative-U centers in 6H silicon carbide // Appl. Phys. Lett. 1999 — v.74 — pp.839−841
- Kawasuso A., Weidner M., Redmann F., Frank Т., Sperr P., Krause-Rehberg R. Triftshauser V., Pensl G. Vacancies in He-implanted 4H and 6H SiC epilaers studied b positron annihilation // Physica В 2001 — vv.308−310 — pp.660−663
- Brauer G., Anwand W., Bicht E.-M., Kuriplach J., Sob M., Wagner N., Coleman P.G., Pushka M.J., Korhonen T. evaluation of some basic positron-related characteristics of SiC // Phys. Rev. В 1996 — v.54 — pp.2512−2517
- Rybicki G.C. deep level defects in alpha particle irradiated 6H silicon carbide // J. Appl. Phys. 1995 — v.78 — pp.2996−3000
- Son N.T., Sorman E., Chen W.M., Kordina O., Monemar В., Janzen E. Possible lifetime-limiting defect in 6H SiC // Appl.Phys.Lett. 1994 — v.65 — p.2687
- Itoh H., Kawasuso A., Ohshima Т., Yoshikawa M., Nashiyama I., Tanigawa S., Misavva S. Okumura H., Yoshida S. Intrinsic Defects in Cubic Silicon Carbide // Phys. Stat. Sol. (a) -1997- 162- pp.173−198
- Lebedev A.A., Chelnokov V.E. Measurement of electro-physical properties of silicon carbide epitaxial films // Diamond and Related Materials 1996 — v.3 — pp. 1393−1397
- Кузнецов Н.И., Дмитриев А. П., Фурман А. С. Свойства центра связанного с примесью А1 в 6H-SiC // ФТП 1994 — т.28 -N6 — сс.1010−1014
- Doile J.P., Linnarsson M.K., Pellegrino P., Keskitalo N., Svensson B.G., Schoner A., Nordell N., Lindstrom J.L. Electrically active point defects in n-type 4H-SiC // J. Appl. Phys 1998 — v.84 — pp. 1354−1357
- Hemmingsson C., SonN.T., Kordina O., Bergman J.P., Jansen E., Lindstrom J.L., Savage S., Nordell N. Deep level defects in electron irradiated 4H SiC epitaxial layers // J. Appl. Phys -1997-v.81 -pp.6155−6159
- Hemmingsson C.G., Son N.T., Ellison A., Zhang J., Jansen E. Negative-U centers in 4H silicon carbide // Phys. Rev. В 1998 — v.58 — pp. RlOl 19-R10122
- Bergman J.P., Stoats L., Carlsson F.H.C., Sridhara S., Magnusson В., Janzen E. Defects in 4H silicon carbide // Physica В 2001 — vv.308−310 — pp.675−679
- Lang D.V. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors // J. Appl. Phys. 1974 — v.45 — N7 — pp.3023−3032
- Физический энциклопедический словарь. M., 1996, т.5, стр.445
- Зи С. М. Физика полупроводников. Энергия, Москва. -1973- С.656
- Berman L.S. Purity control of semiconductors by the method of capacitance transient spectroscopy, «Electronic integral systems», St. Petersburg, 1995, 114 p.
- Астрова E.B., Лебедев А. А., Лебедев А. А. Влияние последовательного сопротивления на нестационарные емкостные измерения параметров глубоких уровней // ФТП т. 19 — в.8 — сс. 1382−1385
- Берман J1.С., Лебедев А. А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.- Наука, 1981, стр.175
- Кузнецов Н.И. Токовый спектрометр для измерения параметров глубоких центров в полупроводниковых структурах // ПТЭ 1990 — N6 — сс. 163−165
- Лебедев А.А., Кузнецов Н. И. Установка для автоматического измерения спектров НЕСГУ. Препринт ФТИ N 1046 1986 — 26 стр.
- Palmour J. W., Edmond J. A., Kong H. S., Carter Jr. С. H. 6H-silicon carbide devices and applications // Physica В 1993 — v. 185 — p.461
- Радиационные процессы в технологии материалов и изделий электронной техники, под ред. Иванова B.C., Козловского В. В., М., Энергоатомиздат, 1997
- Вейнгер А.И., Ильин В. А., Таиров Ю. М., Цветков В. Ф. Исследование иарамефов парамагнитных глубоких центров вакансионной природы в 6H-SiC // ФТП 1981 -т.15 -с.1557
- Mitchel W.C., Saxler A., Perrin R. et al. // Vanadium free semi-insulating 4H-SiC substrates // Mat. Sci. Forum Vols. 2000 — vv.338−342 — pp.21−24
- Козловский В.В., Козлов В. А. Распределение водорода в кремнии и карбиде кремния после высокотемпературного протонного облучения // ФТП 1999 — т.33 -сс.1409−1410
- Bruzzia М., Bucciolinib М., Navac F., Pinia S., Russod S. Advanced materials in radiation dosimetry // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 2002 -v.485 -pp.172−177
- Ruddy F.H., Dullo A.R., Seidel J.G., Seshadri S., Rowland L.B. Development of a silicon carbide radiation detector // IEEE Transactions on Nuclear Science 1998 — v.45 -pp.536−541
- Bruzzia M., Nava F., Russoc S., Sciortinoa S., Vanni P. Characterisation of silicon carbide detectors response to electron and photon irradiation // Diamond and Related Materials -2001 v. 10 — pp.657−661
- Nava F., Vanni P., Lanzieri ., Canali C. Epitaxial silicon carbide charge particle detectors // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 1999 — v.437 — pp.354−358
- Ion implantation. Science and technology, ed by Ziegler J.F., Acad. Press. Inc., 1984, p.635
- Logan R.A., Chynoweth A.G. Charge multiplication in GaP р-n-junction // J.Appl.Phys. 1962-v.33 -N5-pp. 1649−1654
- Макаров B.B. Пространственное распределение плотности генерации электронно-дырочных пар при бомбардировке SiC электронами до 20 коВ // ФТ11 1975 I ^ -В.6 — сс.1098−1101
- Ильяшенко И.Н., Строкан Н. Б. К вопросу о времени жизни носителей в треках а-частиц при диффузионно-дрейфовом переносе в Si // ФТП 1996 — Т.30 — В.2. сс.302−308
- SavkinaN.S., Lebedev А.А., Davydov D.V., Strelchuk A.M., Tregubova A.S., Yagovkina M.A. New results in sublimation growth of the SiC epilayers // Mat. Sci. Eng. В 1999 -vv.61−62 — pp.165−167
- Рыбкин C.M. Механизм формирования импульсов в полупроводниковых кристаллических счётчиках // ЖТФ 1956 — т.26 — сс.2667−2683
- Витовский Н.А., Малеев П. И., Рывкин С. М. Механизм формирования пмихльсов н кристаллических счётчиках при образовании «сквозного проводящего канала» а ЖТФ 1958 — т.28 — сс.460−469
- Аникин М.М., Кузнецов Н. И., Лебедев А. А., Савкина Н. С., Сыркин А. Л., Челноков В. Е. Токовая спектроскопия глубоких центров в р-п-структурах со встроенным полем на основе 6H-SiC // ФТП 1994 — т.28 -с.456f>'V'4V Г-'-!'1. ГО-." •- Ч-Об